JP2006259098A - 光走査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 面発光レーザの光量検出精度を向上させ、アライメント調整を行っても、受光素子における光量検出精度が低下しない光走査装置を提供する。
【解決手段】アパーチャ16でビームを整形したのちにビーム分離手段であるハーフミラー18を配置したので、各ビームの広がり角にバラツキがあっても、受光素子20に向かう光量と露光に用いられるビームの光量との比率は一定であり、ビーム間光量差は発生しない。また、アライメント調整(XYθ:座標と角度)を行っても面発光レーザ12と受光素子20との位置関係は不変なので、光量検出精度が劣化することはない。また、面発光レーザ12と受光素子20とを同一の回路基板30上に設けたことにより、受光素子20での検出信号を回路基板30にフィードバックする際、ハーネスが介在しないのでハーネスで外部からノイズを拾ってしまう危険性がない。
【選択図】 図1

Description

本発明は光走査装置に関し、特に面発光レーザを光源として感光面上に画像を形成する光走査装置に関する。
レーザビームを回転多面鏡などの偏向手段で偏向し、感光体ドラム上を走査露光する光走査装置において、光源として面発光レーザ(VCSEL)を用いたものがある。しかし、面発光レーザを使用した光走査装置は、以下に示すような問題点を抱えている。
すなわち面発光レーザは端面出射型の半導体レーザのように後方射出光が生じないので、使用光となる前方射出光が通過する光学系内にビーム分離手段を挿入し、このビーム分離手段(スプリッタ)で前方射出レーザ光の一部を分岐させて、モニター光とすることが考えられている。
このときビーム分離手段の位置は、VCSEL〜コリメータレンズ、コリメータレンズ〜アパーチャ間、アパーチャ表面に配置してあるものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、アパーチャより手前にビーム分離手段を配置する場合、各ビームの広がり角にバラツキがあると、反射ビームが受光素子に向かう光量とアパーチャを通過したビームの光量との比率が変動し、ビーム間光量差が発生してしまう。
さらに、面発光レーザは駆動電流を増大させていくと、最初はシングルモードで発光するが、次第にマルチモードに変化していくので、レーザのプロファイルが変化する。また、シングルモードの領域でも発振閾値電流値付近では広がり角度が広く、駆動電流を増大させると次第に広がり角度が小さくなっていくという挙動がある。
このため、例えば、図7に示すように、ビームスプリッタとしてのハーフミラー64の後にアパーチャ66を設けて感光体ドラムに向かう面発光レーザ70のビーム径を整形すると、駆動電流の変化によってもアパーチャ66によるビームのケラレ量が変動する。
従って、ハーフミラー64で反射されて受光素子68に向かうレーザビームの光量とハーフミラー64を通過しアパーチャ66でビーム径が整形されて感光体ドラムに到達するレーザビームの光量との比率が、ビームの広がり角バラツキや駆動電流によって異なり正確な光量制御ができない。
そこでアパーチャ後にビーム分離手段を配置している構成が提案されている(例えば、特許文献2参照)。しかし、これはビーム間光量差については抑制することができるが、面発光レーザ回路基板と受光素子が別体で構成されているため、受光素子での検出信号をハーネスを介して面発光レーザ回路基板にフィードバックしている。この構成ではハーネスで外部からノイズを拾ってしまう危険性があり、受光素子で検出した信号を正確にフィードバックできない可能性がある。
そこでハーネスを介在しない構成として面発光レーザ回路基板に受光素子を設置したもの(例えば、前記特許文献1参照)や、面発光レーザと受光素子を同一パッケージにしたものがある(例えば、特許文献3参照)。
しかし、特許文献1は上記で説明したようにハーネスでノイズを拾うことはないが各ビームの広がり角にバラツキがあるとビーム間光量差が発生してしまい正確な光量制御ができない。また特許文献3では各ビームと受光素子が1対1の関係で構成されているため受光素子の数が多く、また受光素子は発光点間の非常に狭い隙間に設けてあるので、光学系のアライメント調整を行うと受光素子に向かうビームが外れてしまう恐れがあり、その調整は非常に困難である。
特開平06 ― 31980号公報 特開2002 ―40350号公報 特開平10 ―100476号公報
本発明は上記事実を考慮し、面発光レーザの光量検出精度を向上させ、アライメント調整を行っても受光素子におけるレーザビームの光量検出精度が低下しない光走査装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の光走査装置は、面発光レーザから射出され、アパーチャで整形されコリメータレンズでコリメートされたレーザビームを光偏向器で偏向して被走査面を走査露光すると共に、前記レーザビームの一部をビーム分離手段で反射し受光素子で光量を検出する光走査装置において、前記受光素子を前記面発光レーザと同一回路基板上に設けたことを特徴とする。
上記構成の発明では、アパーチャで整形されコリメータレンズでコリメートされたレーザビームを測光する受光素子を面発光レーザと同一回路基板上に設けたことで、光量検出精度を向上させ、アライメント調整を行っても受光素子におけるレーザビームの光量検出精度が低下しない。
請求項2に記載の光走査装置は、面発光レーザから射出され、アパーチャで整形されコリメータレンズでコリメートされたレーザビームを光偏向器で偏向して被走査面を走査露光すると共に、前記レーザビームの一部をビーム分離手段で反射し受光素子で光量を検出する光走査装置において、前記受光素子を前記面発光レーザと同一パッケージ上に設けたことを特徴とする。
上記構成の発明では、アパーチャで整形されコリメータレンズでコリメートされたレーザビームを測光する受光素子を面発光レーザと同一パッケージ上に設けたことで、光量検出精度を向上させ、アライメント調整を行っても受光素子におけるレーザビームの光量検出精度が低下しない。
請求項3に記載の光走査装置は、前記ビーム分離手段で反射されたレーザビームは前記コリメータレンズに再度入射し前記受光素子にて光量検出されることを特徴とする。
上記構成の発明では、ビーム分離手段で反射されたレーザビームをコリメータレンズに再度入射させることで、集光レンズを減らし単純な構成の光学系とすることができる。
請求項4に記載の光走査装置は、前記ビーム分離手段は前記アパーチャと一体的に形成され、前記レーザビームの一部は前記アパーチャの開口部で反射し受光素子で光量を検出されることを特徴とする。
上記構成の発明では、ビーム分離手段をアパーチャと一体的に形成することで、ビーム分離手段とアパーチャの位置精度を高く保ち、また部品点数を減らすことができる。
請求項5に記載の光走査装置は、前記アパーチャは開口部以外の入射側領域が反射防止マスク処理されていることを特徴とする。
上記構成の発明では、アパーチャは開口部以外の入射側領域を反射防止マスク処理して形成したことにより、分離手段とアパーチャの位置精度を高く保ち、また部品点数を減らすことができる。
請求項6に記載の光走査装置は、前記アパーチャ及び前記ビーム分離手段が光軸に対して傾斜していることを特徴とする。
上記構成の発明では、面発光レーザから発せられ走査露光に用いられるビームの光軸がアパーチャ及びビーム分離手段以降の光学系に対してずれていないため、良好な光学性能を持たせることができる。
本発明は上記構成としたので、面発光レーザの光量検出精度を向上させ、アライメント調整を行っても受光素子におけるレーザビームの光量検出精度が低下しない光走査装置とすることができた。
(光走査装置の概要)
図1および図2には本発明の第1実施形態に係る光走査装置の構成が示されている。
図1に示すように、第1形態に係る光走査装置10は、面発光レーザ12(VCSEL)が光源として使用されている。
この面発光レーザ12は、レーザビームを光電変換し出力制御を行うための信号を出力する受光素子(MPD:MonitorPhotoDiode)20と共に同一の基板30上に設けられている。
この面発光レーザ12から射出されたレーザビームは、コリメータレンズ14によって平行光化(コリメート)された後、ハーフミラー18へ向かう前にアパーチャ16によってビーム径が整形される。
アパーチャ16は、図1および図2に示すように、コリメータレンズ14の像側焦点位置に配置されており、面発光レーザ12から平行に射出された複数のレーザビームが、アパーチャ16の位置で交差する。このため、複数のレーザビームを1つのアパーチャ16で等価に整形することができる。
このアパーチャ16によってビーム径が整形されたレーザビームは、ハーフミラー18によって反射され、レーザビームの強度を検出する受光素子20へ向かうレーザビームと、ハーフミラー18を透過しシリンドリカルレンズ22によって副走査方向に絞り込まれ回転多面鏡24の反射面へ入射するレーザビームに分離される。
回転多面鏡24に入射したレーザビームは回転に伴って偏向され、結像レンズ26(fθレンズ)で感光体ドラム28の上にスポット像が結像され、画像情報に応じた静電潜像が感光体ドラム28の上に形成される。
また、走査線上の走査開始側の画像範囲外には反射ミラー32が配置されており、この反射ミラー32で反射されたレーザビームはSOSセンサ34で検出され主走査方向の画像書き込みタイミングが制御される。
一方、ハーフミラー18で反射され、ミラー36で更に回路基板30方向へ反射され受光素子20へ入射するレーザビームの光量は受光素子20で光電変換され出力信号として回路基板30に伝達される。受光素子20で光電変換されたレーザビームの光出力信号が回路基板30に設けられた図示しない制御部に入力されると、制御部では面発光レーザ12が所定の出力となるように駆動電流を制御する。
本形態では、光源として面発光レーザ12を使用しているために、駆動電流の変化によって面発光レーザ12から射出するビームの広がり角度やプロファイルが変化する。
また前述のようにアパーチャより手前にビーム分離手段を配置すると、各ビームの広がり角にバラツキがある場合、反射ビームが受光素子に向かう光量とアパーチャを通過したビームの光量との比率が変動し、ビーム間光量差が発生してしまう。
しかし、ハーフミラー18の前にアパーチャ16を配置することで、アパーチャ16によるケラレの影響は、感光体ドラム28へ向かうレーザビームと、受光素子20へ向かうレーザビームの両方に同様に現れるので、感光体ドラム28上と受光素子20上の光量のリニアリテイが広がり角度の変動の影響を受けることがなくなる。
さらに、面発光レーザ12の回路基板30と受光素子12が別体で構成されていると受光素子12での検出信号をハーネスを介して面発光レーザ12の回路基板30にフィードバックすることになる。この構成ではハーネスでノイズを拾ってしまい検出信号を正確にフィードバックできない。そこで本形態ではハーネスを介在しない構成として面発光レーザ12と受光素子20とを一つの回路基板30上に設置した。
なお、アパーチャ16の位置で交差した複数のレーザビームは、その後徐々に離れていくため、受光素子20上では複数のレーザビームの位置がズレるので、受光素子20の受光面積は複数のビーム径より大きい方が望ましい。また、図2に示すように、ハーフミラー18と受光素子20との間に集光レンズ38を入れることで、受光素子20の受光面積を小さくすることができる。
本実施形態は上記の構成とすることにより、アパーチャ16でビームを整形したのちにビーム分離手段であるハーフミラー18を配置したので、各ビームの広がり角にバラツキがあっても、ハーフミラー18で反射した反射ビームが受光素子20に向かう光量とアパーチャ16を通過し露光に用いられるビームの光量との比率は一定であり、ビーム間光量差は発生しない。また、アライメント調整(XYθ:座標と角度)を行っても面発光レーザ12と受光素子20との位置関係は不変なので、面発光レーザ12の光量検出精度が劣化することはない。
また、面発光レーザ12と受光素子20とを同一の回路基板30上に設けたことにより、受光素子20での検出信号をハーネスを介して面発光レーザ12の回路基板30にフィードバックする際、ハーネスが介在しないのでハーネスで外部からノイズを拾ってしまう危険性がなく、受光素子20で検出した信号を正確に面発光レーザ12にフィードバックできる。
図3には本発明の第2実施形態に係る光走査装置の光源部分が示されている。
図3に示すように、第2形態に係る光走査装置の面発光レーザ12から射出されたレーザビームは、コリメータレンズ14によって平行光化(コリメート)された後、ハーフミラー18へ向かう前にアパーチャ16によってビーム径が整形される。
アパーチャ16は、図3に示すように、コリメータレンズ14の像側焦点位置に配置されており、面発光レーザ12から平行に射出された複数のレーザビームが、アパーチャ16の位置で交差する。このため、複数のレーザビームを1つのアパーチャ16で等価に整形することができるのは第1実施形態と同様である。
また、このアパーチャ16によってビーム径が整形されたレーザビームは、ハーフミラー18によって反射され、レーザビームの強度を検出する受光素子20へ向かうレーザビームと、ハーフミラー18を透過しシリンドリカルレンズ22によって副走査方向に絞り込まれ回転多面鏡24の反射面へ入射するレーザビームに分離される。
本実施形態においては、一方、ハーフミラー18で反射され、更に回路基板30方向へ反射され受光素子20へ入射するレーザビームを、ミラー36で反射する際にコリメータレンズ14を再度通過させ、集光レンズ38を省略した光学系となっている。
本実施形態は上記の構成とすることにより、集光レンズ38を省略し、より単純で部品点数の少ない光学系とすることができるので、小型化・低コスト化することができる。
図4には本発明の第3実施形態に係る光走査装置の光源部分が示されている。
図4に示すように、第2形態に係る光走査装置の面発光レーザ12から射出されたレーザビームは、コリメータレンズ14によって平行光化(コリメート)された後、ハーフミラーとアパーチャを一体化したビームスプリッタ17によってビーム径が整形される。
ビームスプリッタ17は、図4に示すように、コリメータレンズ14の像側焦点位置に配置されており、面発光レーザ12から平行に射出された複数のレーザビームが、ビームスプリッタ17の入射側に設けられたアパーチャ19の開口部17Aの位置で交差する。
図4(c)に示す開口部17Aは第1・第2実施形態のハーフミラー18と同様、入射したビームの一部を反射し、一部を透過する。このため、第1実施形態と同様に複数のレーザビームを1つのビームスプリッタ17で等価に整形することができる。
入射されたレーザビームは、ハーフミラーとアパーチャを一体化したビームスプリッタ17の入射側に設けられたアパーチャ19の開口部17Aによって一部反射され、レーザビームの強度を検出する受光素子20へ向かうレーザビームと、開口部17Aを透過しシリンドリカルレンズ22によって副走査方向に絞り込まれ回転多面鏡24の反射面へ入射するレーザビームに分離される。
本実施形態は上記の構成とすることにより、ビームスプリッタとしてハーフミラーとアパーチャを一体化し、より単純で部品点数の少ない光学系とすることができるので、小型化・低コスト化することができる。またハーフミラーとアパーチャとを一体化したことで両者の位置関係が変化する恐れがなくなり、より長期間にわたって正確にビームを整形・分離できる。
図5には本発明の第4実施形態に係る光走査装置のビームスプリッタが示されている。
図5に示すように、第4形態に係るビームスプリッタ17は、ハーフミラーの入射面側の一部を開口部17Aとして残し、その周囲の表面を反射防止マスク処理されている。
本実施形態は上記の構成とすることにより、ビームスプリッタとしてハーフミラーとアパーチャを一体化した第3実施形態に比較して、より単純で部品点数の少ない光学系とすることできるので、さらに低コスト化することができる。またハーフミラーとアパーチャとを一体化したことで両者の位置関係が変化する恐れがなくなり、より長期間にわたって正確にビームを整形・分離できる。
図6には本発明の第5実施形態に係る光走査装置の光源部分が示されている。
図6に示すように、第5形態に係る光走査装置の面発光レーザ12から射出されたレーザビームは、コリメータレンズ14によって平行光化(コリメート)された後、ハーフミラー18へ向かう前にアパーチャ16によってビーム径が整形される。
アパーチャ16は、図3に示すように、コリメータレンズ14の像側焦点位置に配置されており、面発光レーザ12から平行に射出された複数のレーザビームが、アパーチャ16の位置で交差する。このため、複数のレーザビームを1つのアパーチャ16で等価に整形することができるのは第1実施形態と同様である。
また、このアパーチャ16によってビーム径が整形されたレーザビームは、ハーフミラー18によって反射され、レーザビームの強度を検出する受光素子20へ向かうレーザビームと、ハーフミラー18を透過しシリンドリカルレンズ22によって副走査方向に絞り込まれ回転多面鏡24の反射面へ入射するレーザビームに分離される。
本実施形態においては、一方、ハーフミラー18で反射され、更に回路基板30方向へ反射され受光素子20へ入射するレーザビームを、ミラー36で反射する際にコリメータレンズ14を再度通過させ、集光レンズ38を省略した光学系となっている。
本実施形態は上記の構成とすることにより、集光レンズ38を省略し、より単純で部品点数の少ない光学系とすることができるので、小型化・低コスト化することができる。
本発明の第1形態に係る光走査装置を示す斜視図である。 本発明の第1形態に係る光走査装置の光路図である。 本発明に係る光走査装置のビーム合成の原理を示す図である。 本発明の第1形態に係る光走査装置の偏光板を示す図である。 本発明の第2形態に係る光走査装置の偏光板を示す図である。 本発明の第1形態に係る偏光板の効果を示す図である。 従来の光走査装置における絞りとハーフミラーの関係を示す図である。
符号の説明
10 光走査装置
12 面発光レーザ
14 コリメータレンズ
16 アパチャー
18 ハーフミラー(ビーム分離手段)
20 受光素子
36 ミラー
38 集光レンズ

Claims (6)

  1. 面発光レーザから射出され、アパーチャで整形されコリメータレンズでコリメートされたレーザビームを光偏向器で偏向して被走査面を走査露光すると共に、前記レーザビームの一部をビーム分離手段で反射し受光素子で光量を検出する光走査装置において、
    前記受光素子を前記面発光レーザと同一回路基板上に設けたことを特徴とする光走査装置。
  2. 面発光レーザから射出され、アパーチャで整形されコリメータレンズでコリメートされたレーザビームを光偏向器で偏向して被走査面を走査露光すると共に、前記レーザビームの一部をビーム分離手段で反射し受光素子で光量を検出する光走査装置において、
    前記受光素子を前記面発光レーザと同一パッケージ上に設けたことを特徴とする光走査装置。
  3. 前記ビーム分離手段で反射されたレーザビームは前記コリメータレンズに再度入射し前記受光素子にて光量検出されることを特徴とする請求項1乃至請求項2の何れかに記載の光走査装置。
  4. 前記ビーム分離手段は前記アパーチャと一体的に形成され、前記レーザビームの一部は前記アパーチャの開口部で反射し受光素子で光量を検出されることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の光走査装置。
  5. 前記アパーチャは開口部以外の入射側領域が反射防止マスク処理されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の光走査装置。
  6. 前記アパーチャ及び前記ビーム分離手段が光軸に対して傾斜していることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の光走査装置。
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