JP2006252875A - 透明導電性積層体及び透明タッチパネル - Google Patents

Abstract

【課題】従来透明タッチパネルに要求されていた筆記耐久性および透明タッチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を向上させた透明タッチパネルを得るための透明導電性積層体及びこれを用いた透明タッチパネルを提供すること。
【解決手段】透明有機高分子基板上の少なくとも一方の面上にラテックスを１０重量％以上含有するラテックス含有樹脂層、実質的にラテックスを含有しない硬化樹脂層−１、透明導電層が順次積層され、ラテックス含有樹脂層の膜厚ｄ１、硬化樹脂層−１の膜厚ｄ２がそれぞれ１０μｍ以下であり、更に０．１≦ｄ２／ｄ１≦２．０である、透明導電性積層体及び該透明導電性積層体を用いた透明タッチパネル。
【選択図】なし

Description

本発明は、透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上に透明導電層を有する透明導電性積層体に関する。さらに詳しくは、透明有機高分子基板の少なくとも一方の面上にラテックス含有樹脂層、硬化樹脂層、透明導電層が順次に積層された、透明タッチパネル用として好適な透明導電積層体に関するものである。

表示装置（ｄｉｓｐｌａｙ）と入力装置としての透明タッチパネルとを搭載した携帯型情報端末が広く普及し始めた。透明タッチパネルとして多く用いられる抵抗膜方式の透明タッチパネルは、透明導電層が形成された２枚の透明電極基板が、およそ１０μｍ〜１００μｍの間隔で互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成されており、外力を加える部分のみで互いの透明導電層表面同士が接触してスイッチとして動作するものであり、例えば表示画面上のメニュー選択、図形・文字入力等を行うことができる。

近年、液晶表示体などで狭額縁化が進み、これと同様に透明タッチパネルにも狭額縁化が進んできた。この狭額縁化に伴い従来透明タッチパネルに要求されていた筆記耐久性以外に、透明タッチパネル端部での筆記耐久性である端押し耐久性が要求される傾向が強くなった。

透明タッチパネルに要求される筆記耐久性を改善するために、特許文献１、特許文献２、特許文献３では、２枚の透明高分子フィルム基材の間に硬さ（またはヤング率）を規定した粘着剤または透明樹脂層を介して透明高分子フィルム基材を積層した透明導電性積層体が提案されている。いずれの方法でも筆記耐久性を改善することは知られているが、２枚の透明高分子フィルムを粘着剤または透明樹脂層を介して積層させるため生産工程が複雑となり生産効率が悪く、更に１０インチを超える大型透明タッチパネルを作製すると構成上の観点から剛性が弱いため透明導電性積層体が撓む問題がある。

また、特許文献４では透明導電層下に硬さ（ダイナミック硬度が０．００５〜２）を規定したクッション層を設けることも提案されているが、上記硬さの範囲では結晶質の透明導電層を得るための加熱処理時に透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持することが出来ず、透明導電性積層体のヘーズが上昇し、透明導電性積層体が白化または干渉模様が観察されるようになる問題がある。

更に、特許文献５には、透明プラスチックフィルム基材上に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層と透明導電層を順次積層した透明導電性フィルム（透明導電性積層体）において透明導電層面の硬度を０．４〜０．８ＧＰａとすることが提案され特許文献６には、プラスチック基材層と透明導電層との間に硬化皮膜層を有するプラスチック積層体において、導電層の硬度を１ＧＰａ以上とすることが提案されているが、このように透明導電層または透明導電層面の硬さを規定するだけでは、端押し耐久性試験時に硬化樹脂層または導電層にクラックが入り透明タッチパネルの電気特性（リニアリティー）が劣化する問題がある。

また、特許文献７、８及び９には、透明タッチパネルに要求される筆記耐久性を改善するために、透明有機高分子基板と透明導電層との間に硬化樹脂層を導入することが提案されているが、透明高分子基板と透明導電層の間に硬化樹脂層を導入するだけでは近年透明タッチパネルに要求されている端押し耐久性を満足することは出来ない。また、特許文献９では、非晶質な透明導電層と透明高分子基板との密着性を考慮して硬化樹脂成分としてアルキルアクリレートとアルキルメタクリレートを挙げている。

更に、特許文献１０では透明導電層と高分子フィルムとの間に厚み１０〜５０μｍ、ビッカーズ硬さが３８〜２４０Ｎ／ｍｍ^２の応力緩和層を設けているが、先に記載したように、外部からの応力を緩和するような硬化樹脂層上に結晶質の透明導電層を形成する際に、透明導電層の体積変化を支持することが出来ず、透明導電層面に細かいしわが入り干渉模様が観察され透明導電性積層体のヘーズが上昇する問題がある。

特開平２−６６８０９号公報 特開平２−１２９８０８号公報 特開平８−１９２４９２号公報 特開平１１−３４２０６号公報 特開２００２−１６３９３２号公報 特開平１１−２８６０６７号公報 特開平８−１５５９８８号公報 特開平１１−３４２０７号公報 特開平１１−２２４５３９号公報 特開２００４−１５８２５３号公報

本発明は従来透明タッチパネルに要求されていた筆記耐久性を向上させ、透明タッチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）を向上させた透明タッチパネルおよび該透明タッチパネル用として好適な透明導電積層体を提供することを目的としたものである。

前述のように透明有機高分子基板と透明導電層の間にラテックス層のみを導入した場合、透明導電層の結晶化に伴う体積変化を支持することが出来ず透明導電性積層体のヘーズが上昇し、透明導電性積層体が白化または干渉模様が観察されるようになる。一方、透明高分子基板と透明導電層の間に硬化樹脂層のみを導入した場合、端押し耐久性試験時に透明有機高分子基板と透明導電層間の硬化樹脂層にクラックが生じ透明タッチパネルとして電気特性（リニアリティー）を確保することが出来なくなる。

一般的に透明高分子基板上に硬化樹脂層を介して透明導電層形成した透明導電性積層体の場合、端押し耐久性試験や筆記耐久性試験中の透明導電性積層体は、曲げ変形により透明導電層形成面に寸法変化が見られる。曲げ変形による透明導電層形成面の寸法がある一定以上変化した場合、特に透明導電層が形成された面が伸びている状況では、透明導電層または透明導電層下にある硬化樹脂層が寸法変化（伸び）に耐えられず、クラック（マイクロクラック）が発生し透明タッチパネルの電気特性を劣化することが知られている。

そこで本発明者らは端押し耐久性試験や筆記耐久性試験時の透明導電層が形成された面側の寸法変化を小さくするために、透明高分子基板と硬化樹脂層の間にラテックスを含有する樹脂層を設けることにより、端押し耐久性試験時や筆記耐久性試験時の透明導電層または透明導電層下の硬化樹脂層の寸法変化によるクラックの発生を抑制することが可能となり、筆記耐久性試験や端押し耐久性試験での透明タッチパネルの電気特性の劣化を防ぐことに成功した。

本発明により透明タッチパネルに要求される筆記耐久性だけでなく、端押し耐久性についても高信頼性を確保できる透明タッチパネルおよび該透明タッチパネル用として好適な透明導電性積層体を提供することが可能となった。

すなわち本発明は、以下の通りである。
１．透明有機高分子基板上の少なくとも一方の面上にラテックスを１０重量％以上含有するラテックス含有樹脂層、実質的にラテックスを含有しない硬化樹脂層−１、透明導電層が順次積層され、ラテックス含有樹脂層の膜厚ｄ１、硬化樹脂層−１の膜厚ｄ２がそれぞれ１０μｍ以下であり、更に０．１≦ｄ２／ｄ１≦２．０である、透明導電性積層体。

２．該硬化樹脂層−１と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、且つ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項１記載の透明導電性積層体。

３．該硬化性樹脂層−１中に、平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物微粒子と、珪素原子を含有する有機化合物とを含有し、かつ硬化樹脂層−１の最表面（透明導電層側）に金属酸化物微粒子が偏析している、請求項１記載の透明導電性積層体。

４．該硬化樹脂層−１と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、且つ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項３記載の透明導電性積層体。

５．該金属化合物層と該金属酸化物微粒子とに同一原子が含まれる、請求項４に記載の透明導電性積層体。

６．硬化樹脂層−１と透明導電層との間に屈折率が１．２０〜１．５５で且つ膜厚が０．０５〜０．５μｍの硬化樹脂層−２を有する、請求項１記載の透明導電性積層体。

７．硬化樹脂層−２は、平均１次粒子径が該硬化樹脂層−２の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の大きさの微粒子Ｂを含有し、該微粒子Ｂの含有量は硬化樹脂層−２を形成する硬化樹脂成分の０．５重量％以下である、請求項６記載の透明導電性積層体。

８．該硬化樹脂層−２と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、且つ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項６または７記載の透明導電性積層体。

９．硬化樹脂層−１と透明導電層との間に少なくとも１層の低屈折率層と少なくとも１層の高屈折率層からなる光学干渉層を有し、かつ低屈折率層が透明導電層と接している、請求項１に記載の透明導電性積層体。

１０．該光学干渉層と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、且つ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項９記載の透明導電性積層体。

１１．光学干渉層は、平均１次粒子径が該光学干渉層の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の大きさの微粒子Ｂを含有し、該微粒子Ｂの含有量は光学干渉層を形成する成分の０．５重量％以下である、請求項９または１０記載の透明導電性積層体。

１２．透明導電層が酸化インジウムを主成分とした結晶質の膜であり、かつ透明導電層の膜厚が５〜５０ｎｍである、請求項１〜１１のいずれかに記載の透明導電性積層体。

１３．少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として請求項１〜１２のいずれかに記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タッチパネル。

本発明によれば、特に、透明タッチパネル端部領域での筆記耐久性（端押し耐久性）が改善された透明タッチパネルおよび該透明タッチパネル用として好適な透明導電性積層体を提供することができる。

以下、本発明を詳細に説明する。
膜厚の関係
本発明ではラテックス含有樹脂層と硬化樹脂層−１を透明高分子基板上に順次積層させる時のラテックス含有樹脂層の膜厚ｄ_１と硬化樹脂層−１の膜厚ｄ_２が０．１０≦ｄ_２／ｄ_１≦２．０が好ましく、更に好ましくは０．１５≦ｄ_２／ｄ_１≦１．５であり、尚且つ各層の膜厚が０．５μｍ≦ｄ_１≦１０μｍ、０．５μｍ≦ｄ_２≦１０μｍである。ｄ_２／ｄ_１＜０．１０の関係でラテックス含有樹脂層と硬化樹脂層−１を透明有機高分子基板上に積層させた場合、硬化樹脂層−１の膜厚がラテックス含有樹脂層の膜厚より極端に薄くなるため、ラテックス含有樹脂層と硬化樹脂層−１を積層後に透明導電層形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させた後にラテックス含有樹脂層と硬化樹脂層−１の積層体が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層が細かいしわ状模様になる。これよりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当ではない。

また一方、ｄ_２／ｄ_１＞２．０の関係でラテックス含有樹脂層と硬化樹脂層−１を透明有機高分子基板上に積層させた場合、硬化樹脂層−１の膜厚がラテックス含有樹脂層の膜厚より極端に厚くなるため、ラテックス含有樹脂層と硬化樹脂層−１の積層効果が現れず、このような透明導電性積層体を使用した透明タッチパネルの端押し耐久性は、硬化樹脂層−１のみを透明有機高分子基板に積層して作製した透明タッチパネルと同様に、硬化樹脂層−１にクラックが発生し透明タッチパネルの電気特性（リニアリティー）を確保することができない。

ｄ_１及びｄ_２が０．５μｍ未満の場合、ラテックス含有樹脂層、硬化樹脂層―１いずれも層としての特性が発現しないため好ましくなく、ｄ_１及びｄ_２が１０μｍを超える場合、加工性が悪くなるため適当ではない。

ラテックス含有樹脂層
本発明に用いられるラテックス含有樹脂層は、少なくとも１種類以上のラテックスを含有するラテックス含有樹脂層であり、ラテックス含有樹脂層中のラテックス含有量は、ラテックス含有樹脂層を形成する樹脂成分の総重量に対して１０重量％以上含有することが好ましく、２０重量％以上含有することがより好ましく、更に好ましくは３０重量％以上含有する。ラテックス単独でラテックス含有樹脂層を形成しても構わない。ラテックス成分が１０重量％未満の含有量では、筆記耐久性試験時や端押し耐久性試験時の透明導電層が形成された面の寸法変化を緩和することができない。
ラテックス含有樹脂層の膜厚は０．５μｍ≦ｄ_１≦１０μｍが好ましく、更に好ましくは１μｍ≦ｄ_１≦１０μｍである。

ラテックスとしては、例えば、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロスルフォン化ゴム、塩素化ポリエチレンゴム、ニトリルゴム、アクリロニトリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、部分水添ブタジエンゴム、部分水添スチレンブタジエンゴム、水素添加アクリロニトリルブタジエンゴム、多硫化ゴム、アクリル酸エステル等が挙げられる。これらのブロックコポリマー、およびこれらを単独または複数を組み合わせて使用しても良い。

ラテックスのガラス転移点は−５０℃〜１００℃であり、−５０℃未満では、形成した塗膜にタック性が残り加工性が悪くなり、１００℃より大きい場合は、筆記耐久性試験時や端押し耐久性試験時の寸法変化を緩和することが出来ない。

ラテックスの平均分子量は５万〜３５万であり、５万未満では形成した塗膜にタック性が残り加工性が悪くなり、３５万より大きい場合は、筆記耐久性試験時や端押し耐久性試験時の寸法変化を緩和することが出来なくなる。

ラテックスの平均1次粒子径は、０．０１〜１．５μｍであり、特に下限値を設ける必要はないが、平均1次粒子径が１．５μｍより大きい場合には形成した塗膜が白化し透明導電性積層体として適当ではない。ここで、平均１次粒子径はレーザー回析・散乱法粒度分布測定装置を用いて測定した体積中平均粒子径である。

ラテックスを単独で用いてラテックス含有樹脂層を形成しても問題はないが、電離放射線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等のラテックス以外の硬化性樹脂成分を混合してラテックス含有樹脂層を形成してもよい。

電離放射線硬化性樹脂を与えるモノマーとしては、例えばポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、変性スチレンアクリレート、メラミンアクリレート、シリコン含有アクリレート等の単官能及び多官能アクリレートを挙げることができる。

具体的なモノマーとしては、例えばトリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性アクリレート、イソシアヌール酸アルキレンオキサイド変性アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、トリプロピレングリコールトリアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、エポキシ変性アクリレート、ウレタン変性アクリレート、エポキシ変性アクリレート等の多官能モノマーが挙げられる。これらを単独で用いても、数種類を混合して用いてよく、また場合によっては、各種アルコキシシランの加水分解物を適量添加してもよい。なお、電離放射線によって樹脂層の重合を行う場合には公知の光重合開始剤が適量添加される。また必要に応じ光増感剤を適量添加してもよい。

光重合開始剤としては、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ベンゾイン、ベンゾイルベンゾエート、チオキサンソン類等が挙げられ、光増感剤としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のシラン化合物をモノマーとしたオルガノシラン系の熱硬化性樹脂やエーテル化メチロールメラミン等をモノマーとしたメラミン系熱硬化性樹脂、イソシアネート系熱硬化性樹脂、フェノール系熱硬化性樹脂、エポキシ系熱硬化性樹脂等が挙げられる。これら熱硬化性樹脂を単独又は複数組み合わせて使用することも可能である。また必要に応じ熱可塑性樹脂を混合することも可能である。なお、熱によって樹脂層の架橋を行う場合には公知の反応促進剤、硬化剤を適量添加される。

反応促進剤としては、例えばトリエチレンジアミン、ジブチル錫ジラウレート、ベンジルメチルアミン、ピリジン等が挙げられる。硬化剤としては、例えばメチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４,４′−ジアミノ−３，３′―ジエチルジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。

ラテックス含有樹脂層の形成方法としては、ドクターナイフ、バーコーター、グラビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、スピンコータ−等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレー法、浸漬法等が用いられる。実際の塗工法としては、前記のラテックス成分単独、又はラテックス成分と硬化性樹脂成分を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子基板上に塗工後、放射線照射や加熱処理等により層を形成する方法が挙げられる。

有機溶剤としては、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン等が好ましい。特に、キシレン、トルエン、ケトン類、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等を使用するのが好ましい。この他に、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独で用いるか、あるいは２種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。
ラテックス含有樹脂層の熱や光劣化を防止するために、紫外線吸収剤、酸化防止剤、老化防止剤等を添加することも可能である。

硬化樹脂層−１
本発明に用いられる硬化樹脂層−１としては、電離放射線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が挙げられる。

電離放射線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂としては、前記ラテックス含有樹脂層の段落で例示したものと同じものを用いることができる。硬化樹脂層−１中に実質的にはラテックスを含有しないことが好ましいが、必要に応じラテックスを１０重量％未満添加することも出来る。ラテックス成分を添加することにより、硬化樹脂成分の硬化収縮を緩和することが可能となり、透明導電性積層体の反りを抑制することが可能とある。ラテックス成分を１０重量％以上添加すると硬化樹脂層−１の剛性が低下し、透明導電層形成時や透明導電層を熱処理により結晶化させる際にラテックス含有樹脂層と硬化樹脂層−１の積層体が透明導電層を支持することが出来ず、透明導電層が細かいしわ状模様になる。これよりヘーズが発生するため透明導電性積層体として適当ではない。
硬化樹脂層−１の膜厚は０．５μｍ≦ｄ_２≦１０μｍが好ましく、更に好ましくは０．５μｍ≦ｄ_２≦８μｍである。

硬化樹脂層−１と透明導電層または金属化合物層の密着性を改善するために、硬化樹脂層−１中に珪素原子を含有する有機化合物と平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の酸化珪素微粒子等の金属酸化物微粒子を含有させ、更に該酸化珪素微粒子等の金属酸化物微粒子が表面に偏析した硬化樹脂層−１とすることも可能である。

珪素原子を含有する有機化合物としては、一般的なＳｉ原子含有する界面活性剤やＵＶ硬化樹脂成分である。
硬化樹脂層−１に滑り性を発現させるために、硬化性樹脂成分と相分離するような熱可塑性樹脂成分を添加することも可能である。

可動電極基板表面、固定電極基板表面がいずれも平坦である場合、透明タッチパネルを作製した時、可動電極基板からの反射光と固定電極基板からの反射光の干渉によるニュートンリングが観察されることがある。この反射光を光学的に散乱させることによりニュートンリングを防止するためにラテックス含有樹脂層または硬化樹脂層−１の表面を粗面化してもよい。ラテックス含有樹脂層または硬化樹脂層−１の表面を粗面化する手法としては、平均１次粒子径が０．００１μｍ以上５μｍ以下の微粒子を単独で、または平均１次粒子径の異なる２種類以上の微粒子を組み合わせて、ラテックス含有樹脂層または硬化樹脂層−１に分散させる。またラテックス含有樹脂層は、ラテックス含有樹脂層形成時の加工条件を調整することにより粗面化することも可能である。前記手法によりラテックス含有樹脂層または硬化樹脂層−１の表面を粗面化した場合、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９８２で定義される十点平均粗さ（Ｒｚ）は、好ましくは１００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満であり、より好ましくは１００ｎｍ以上８００ｎｍ未満であり、更に好ましくは１５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満である。十点平均粗さ（Ｒｚ）が１００ｎｍ未満である場合には、透明タッチパネルの可動電極基板と固定電極基板間に容易にニュートンリングが生じることがあり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が１０００ｎｍ以上となった場合には、ヘーズが大きくなり高精細ディスプレイ上に透明タッチパネルを設置すると、画素の色分離が生じてチラツキを起こすなどの理由から好ましくない。また、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４準拠で定義される算術平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは３０ｎｍ以上５００ｎｍ未満であり、より好ましくは４０ｎｍ以上４００ｎｍ未満であり、さらに好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満である。算術平均粗さ（Ｒａ）が３０ｎｍ未満である場合には、透明タッチパネルの可動電極基板と固定電極基板間に容易にニュートンリングが生じることがある。算術平均粗さ（Ｒａ）が５００ｎｍ以上となった場合には、ヘーズが大きくなり高精細ディスプレイ上に透明タッチパネルを設置すると、画素の色分離が生じてチラツキを起こすなどの理由から好ましくない。

粗面化されたラテックス含有樹脂層または硬化樹脂層−１と透明高分子基板に基づくＪＩＳ Ｋ７１３６で定義されるヘーズは、１％以上８％未満であり、好ましくは１％以上５％未満であり、更に好ましくは１％以上３％未満である。ヘーズが１％未満である場合には、透明タッチパネルの可動電極基板と固定電極基板間に容易にニュートンリングが生じることがあり好ましくない。一方、ヘーズが８％以上の場合には透明タッチパネルをディスプレイ上に設置した際に映像や文字などの情報がぼやけるため好ましくない。

透明有機高分子基板
透明有機高分子基板を作製するのに用いられる有機高分子としては、耐熱性に優れた透明な有機高分子であれば特に限定されない。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、ポリジアリルフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、アクリル樹脂、セルロースアセテート樹脂、シクロオレフィンポリマー等が挙げられる。もちろんこれらはホモポリマー、コポリマーとして使用しても良い。また、上記有機高分子を単独で使用しても良いし、ブレンドしても使用し得る。これらの透明有機高分子基板は一般的な溶融押出し法もしくは溶液流延法等により好適に成形されるが、必要に応じて成形した透明有機高分子基板に一軸延伸もしくは二軸延伸を実施して、機械的強度を高めたり、光学的機能を高めたりすることも好ましく行われる。

本発明の透明導電積層体を透明タッチパネルの可動電極基板として用いる場合には、透明タッチパネルをスイッチとして動作させるための可撓性と平坦性を保つ為の強度の点から、透明有機高分子基板として、厚みが７５〜４００μｍのフィルム状のものが好ましい。固定電極基板として用いる場合は平坦性を保つ為の強度の点から透明有機高分子基板として、厚さが０．４〜４．０ｍｍのシート状のものが好ましいが、厚さ５０〜４００μｍのフィルム状のものを他のプラスチックシートと貼り合わせ、全体の厚さを０．４〜４．０ｍｍになるような構成にして用いても良い。

本発明の透明導電積層体を透明タッチパネルの可動電極基板として用いた場合には、固定電極基板には前記透明有機高分子基板、ガラス基板あるいは透明有機高分子基板とガラス基板との積層体または透明有機高分子基板基板とプラスチックシートとの積層体上に透明導電層を形成したものを用いても良い。透明タッチパネルの強度、重量の点から、単層又は積層体よりなる固定電極基板の厚さは０．４〜４．０ｍｍが好ましい。

また、最近では透明タッチパネルの入力側の面、すなわち使用者側の面上に、偏光板または偏光板＋位相差フィルムを積層した構成の新しいタイプの透明タッチパネルが開発されている。この構成の利点は主として前記偏光板または、偏光板＋位相差フィルムの光学的作用によって、透明タッチパネル内部における外来光の反射率を半分以下に低減し、透明タッチパネルを設置した状態でのディスプレイのコントラストを向上させることにある。

このようなタイプの透明タッチパネルでは、偏光が透明導電積層体を通過することから、透明有機高分子基板として光学等方性に優れたものを用いる事が好ましく、具体的には基板の遅相軸方向の屈折率をｎ_ｘ、進相軸方向の屈折率をｎ_ｙ、基板の厚みをｄ（ｎｍ）とした場合にＲｅ＝（ｎ_ｘ−ｎ_ｙ）×ｄ（ｎｍ）で表される面内リターデーション値Ｒｅが少なくとも３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、ここで基板の面内リターデーション値は分光エリプソメータ（日本分光株式会社製Ｍ−１５０）を用いて測定した波長５９０ｎｍでの値で代表している。

この様に例示した透明導電性積層体を偏光が通過するタイプの透明タッチパネルの用途においては、透明電極基板の面内リターデーション値が非常に重要であるが、これに加えて透明電極基板の三次元屈折率特性、すなわち基板の膜厚方向の屈折率をｎ_ｚとしたときにＫ＝｛（ｎ_ｘ＋ｎ_ｙ）／２−ｎ_ｚ｝×ｄで表されるＫ値が−２５０〜＋１５０ｎｍであることが好ましく、−２００〜＋１００ｎｍの範囲にあることが透明タッチパネルの優れた視野角特性を得る上でより好ましい。

これらの光学等方性に優れた透明有機高分子基板としては、例えば、ポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等の成型基板、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂の成形基板やアクリル樹脂等の電離放射線硬化性樹脂の成形基板等が挙げられる。成形性や製造コスト、熱的安定性等の観点から、例えばポリカーボネート、非晶性ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、シクロオレフィンポリマーおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合物等の成型基板が最も好ましく挙げられる。

より具体的には、ポリカーボネートとしては例えば、ビスフェノールＡ、１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノール）シクロヘキシリデン、フルオレン−９，９−ジ（４−フェノール）、フルオレン−９，９−ジ（３−メチル−４−フェノール）等からなる群から選ばれる少なくとも一つの成分をモノマー単位とする重合体や共重合体であるか、または上記群から選ばれる少なくとも一つの成分をモノマー単位とする重合体または共重合体の混合物であり、平均分子量がおよそ１５０００〜１０００００の範囲のポリカーボネート（商品としては、例えば帝人化成株式会社製「パンライト」やバイエル社製「Ａｐｅｃ ＨＴ」等が例示される）の成型基板が好ましく用いられる。

また非晶性ポリアリレートとしては、商品として株式会社カネカ製「エルメック」、ユニチカ株式会社製「Ｕポリマー」、イソノバ社製「イサリル」等の成型基板が例示される。
またシクロオレフィンポリマーとしては、商品として日本ゼオン株式会社製「ゼオノア」やＪＳＲ株式会社製「アートン」等の成型基板が例示される。

またこれらの高分子材料の成形方法としては、溶融押出法や溶液流延法、射出成型法等の方法が例示されるが、優れた光学等方性を得る観点からは、特に溶液流延法や溶融押出し法を用いて成形を行うことが好ましい。

硬化樹脂層−２
本発明の透明導電性積層体は、硬化樹脂層−１と透明導電層の間または硬化樹脂層−１と金属化合物層との間に、硬化樹脂層−２を有していてもよい。硬化樹脂層−２は上記層間の密着性および透明導電性積層体の光学特性、特に透過率を改良する。
硬化樹脂層−２としては、例えば電離放射線硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が挙げられる。

電離放射線硬化性樹脂としては、例えばポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、変性スチレンアクリレート、メラミンアクリレート、シリコン含有アクリレート等の単官能及び多官能アクリレート系電離放射性線硬化性樹脂等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えばメチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のオルガノシラン系の熱硬化性樹脂（アルコキシシラン）やエーテル化メチロールメラミン等のメラミン系熱硬化性樹脂やイソシアネート系熱硬化性樹脂、フェノール系熱硬化性樹脂、エポキシ系熱硬化性樹脂等が挙げられる。これら熱硬化型樹脂を単独又は複数組み合わせて使用することも可能である。また必要に応じ熱可塑性樹脂を混合して使用することも可能である。なお、熱によって樹脂層の架橋を行う場合には公知の反応促進剤、硬化剤が適量添加される。反応促進剤としては、例えばトリエチレンジアミン、ジブチル錫ジラウレート、ベンジルメチルアミン、ピリジン等が挙げられる。硬化剤としては、例えばメチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４,４′−ジアミノ−３，３′―ジエチルジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン等が挙げられる。
上記アルコキシシランはこれを加水分解ならびに縮合重合することにより硬化樹脂層−２を形成する。

アルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。

これらのアルコキシシランは、層の機械的強度や密着性及び耐溶剤性等の観点から二種類以上を混合して用いることが好ましく、特に耐溶剤性の観点から、アルコキシシランの全組成中に重量比率０．５〜４０％の範囲で、分子内にアミノ基を有するアルコキシシランが含有されていることが好ましい。

アルコキシシランは、モノマーで用いてもあらかじめ加水分解と脱水縮合を行って適度にオリゴマー化して用いても良いが、通常、適当な有機溶剤に溶解、希釈した塗工液を基板上に塗工する。基板上に形成された塗工層は、空気中の水分等により加水分解が進行し、続いて、脱水縮合により架橋が進行する。

一般に、架橋の促進には適当な加熱処理が必要であり、塗工工程において１００℃以上の温度で数分間以上の熱処理を施すことが好ましい。また場合によっては、前記熱処理と並行して、紫外線等の活性光線を塗工層に照射することにより、架橋度をより高めることが出来る。

有機溶剤としては、アルコール系、炭化水素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン等が好ましい。この他に、キシレン、トルエン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチル等の極性溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは２種類以上の混合溶剤として用いることが出来る。

また塗工には、ドクターナイフ、バーコーター、グラビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター、スピンコータ−等の公知の塗工機械を用いる方法、スプレー法、浸漬法等が用いられる。

硬化樹脂層−２の屈折率を調整するために、平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子Ｃまたは／及びフッ素系樹脂を単独または複数組み合わせて硬化樹脂層−２中に添加しても良い。硬化樹脂層−２の屈折率は、硬化樹脂層−１の屈折率より小さく、且つ屈折率が１．２０〜１．５５であることが好ましく、更に好ましくは１．２０〜１．４５である。硬化樹脂層−２の膜厚は０．０５〜０．５μｍであることが好ましく、更に好ましくは０．０５〜０．３μｍである。

該超微粒子Ｃの平均１次粒子径は１００ｎｍ以下が好ましく、更に好ましくは５０ｎｍ以下である。該超微粒子Ｃの１次粒子径を１００ｎｍ以下に制御すれば、塗工層が白化することがない。

該超微粒子Ｃとしては、例えばＢｉ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、（Ｉｎ_２Ｏ_３・ＳｎＯ_２）、ＨｆＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、ＭｇＦ_２、Ｓｂ_２Ｏ_５、（Ｓｂ_２Ｏ_５・ＳｎＯ_２）、ＳｉＯ_２、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子が例示される。これらのうち、好ましくはＭｇＦ_２、ＳｉＯ_２等の屈折率が１．５５以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子である。

該超微粒子Ｃの含有量は、熱硬化性樹脂または／及び電離放射線硬化性樹脂１００重量部に対して、好ましくは１０〜４００重量部、より好ましく３０〜４００重量部、更に好ましくは５０〜３００重量部である。超微粒子Ｃの含有量が４００重量部を超えると、硬化樹脂層―２の強度や密着性が不充分となる場合があり、一方超微粒子Ｃの含有量が１０重量部未満では所定の屈折率が得られなくなる場合がある。

フッ素系樹脂としては、例えばフッ化ビニリデン、ヘキサフルオロプロピレン、テトラフルオロエチレン、フルオロエチレン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、１，２−ジクロロ−１，２−ジフルオロエチレン、２−ブロモ−３，３，３−トリフルオロエチレン、３−ブロモ−３，３−ジフルオロプロピレン、３，３，３−トリフルオロプロピレン、１，１，２−トリクロロ−３，３，３−トリフルオロプロピレン、α−トリフルオロメタクリル酸等のフッ素原子を有するモノマー成分を５〜７０重量％含有させたものが挙げられる。

フッ素系樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂または／及び電離放射線硬化性樹脂１００重量部に対して、好ましくは５０〜３００重量部、より好ましくは１００〜３００重量部、更に好ましくは１５０〜２５０重量部である。フッ素系樹脂の含有量が３００重量部を超えると、硬化樹脂層―２の強度や密着性が不充分となる場合あり、一方フッ素系樹脂の含有量が５０重量部未満では所定の屈折率が得られなくなる場合がある。

光学干渉層
本発明の透明導電性積層体は硬化樹脂層−１と透明導電層との間または硬化樹脂層−１と金属化合物層との間に、少なくとも１層の低屈折率層と少なくとも１層の高屈折率層とからなる光学干渉層をさらに有することができる。この場合、低屈折率層と透明導電層または低屈折率層と金属化合物層とが接している。

上記のように、光学干渉層は、少なくとも一層の高屈折率層と少なくとも一層の低屈折率層より構成される。高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ単位を二つ以上とすることも出来る。光学干渉層が一層の高屈折率層と一層の低屈折率層から構成される場合、光学干渉層の膜厚は３０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、更に好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。光学干渉層は、上記層間の密着性及び透明導電性積層体の光学特性、特に透過率と色調を改良する。

高屈折率層は、例えば金属アルコキシドを加水分解ならびに縮合重合して形成された層、または前記硬化樹脂層−２の段落に記載の金属アルコキシドを加水分解ならびに縮合重合してなる成分または／及び熱硬化性樹脂成分または／及び電離放射線硬化性樹脂成分のうちの少なくとも1種類と平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子Ｃとからなる層である。

金属アルコキシドとしては、例えばチタニウムアルコキシド、ジルコニウムアルコキシド、アルコキシシランを挙げることができる。
チタニウムアルコキシドとしては、例えばチタニウムテトライソプロポキシド、テトラ−ｎ−プロピルオルトチタネート、チタニウムテトラ−ｎ−ブトキシド、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタネート等が挙げられる。
ジルコニウムアルコキシドとしては、例えばジルコニウムテトライソプロポキシド、ジルコニウムテトラ−ｎ−ブトキシド等が挙げられる。
アルコキシシラン、熱硬化性樹脂、電離放射線硬化性樹脂としては、前記硬化樹脂層−２の段落に記載したものと同じものが挙げられる。

該高屈折率層中には、前記記載の平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物または金属フッ化物の超微粒子Ｃを単独または２種類以上適当量添加することができる。該超微粒子Ｃを添加することにより該高屈折率層の屈折率を調整することが可能である。

該高屈折率層中に該超微粒子Ｃを添加する場合、該超微粒子Ｃと金属アルコキシドまたは／及び熱硬化性樹脂または／及び電離放射線硬化性樹脂の重量比率は、０：１００〜６６．６：３３．３であることが好ましく、更に好ましくは０：１００〜６０：４０である。該超微粒子Ｃと金属アルコキシドまたは／及び熱硬化性樹脂または／及び電離放射線硬化性樹脂の重量比率が６６．６：３３．３を超える場合は光学干渉層に必要な強度や密着性が不足することがあり、好ましくない。

該高屈折率層の厚さは、好ましくは１５〜２５０ｎｍ、より好ましくは３０〜１５０ｎｍである。
また該高屈折率層の屈折率は、後述する低屈折率層及び第１硬化樹脂層の屈折率より大きく、その差が０．２以上であることが好ましい。

本発明の光学干渉層を構成する低屈折率層は、前記硬化樹脂層−２の段落に記載した樹脂を用いて形成することが出来る。該低屈折率層の厚さは、好ましくは１５〜２５０ｎｍ、より好ましくは３０〜１５０ｎｍである。

微粒子Ｂ
ラテックス含有樹脂層及び硬化樹脂層−１の表面が実質的に平坦な場合、硬化樹脂層−２中または光学干渉層を構成する高屈折率層及び低屈折率層の少なくとも一層中に、前記超微粒子Ｃ（平均一次粒子径が１００ｎｍ以下）とは異なる微粒子（以下微粒子Ｂという）を含有してもよい。硬化樹脂層−２の場合は、平均１次粒子径が硬化樹脂層−２の膜厚の１．１倍以上でなおかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の微粒子Ｂが好ましく用いられる。光学干渉層を構成する高屈折率層および／または低屈折率層の場合は、平均１次粒子径が光学干渉層の総膜厚の１．１倍以上でなおかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の微粒子Ｂが好ましくを用いられる。これにより、透明導電層表面が粗面化され、透明タッチパネルを構成する固定電極基板と可動電極基板の両透明導電層表面同士の引っ付き現象による誤作動を抑制することが可能となる。更に添加する微粒子Ｂの平均１次粒子径を制御することにより、液晶から出たＲＧＢ三原色光の散乱によるギラツキを生じない範囲で透明導電層表面を粗面化することができる。

また、硬化樹脂層−２及び光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に添加する微粒子Ｂの添加量を、微粒子Ｂが添加された層を構成する硬化樹脂成分の０．０１〜０．５重量％にすることにより、白濁がない硬化樹脂層−２または光学干渉層を形成することができるだけでなく、透明タッチパネルを構成する可動電極基板、固定電極基板の両透明導電層表面同士の引っ付き現象による誤作動を抑制することが可能となる。前記微粒子Ｂを、過剰に硬化樹脂層−２または光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に添加した場合、添加した微粒子Ｂが脱落しやすくなったり、あるいは硬化樹脂層−２または光学干渉層と硬化樹脂層−１との密着性が低下してタッチパネルに要求される筆記耐久性を満足できない場合がある。光学干渉層の場合、微粒子Ｂは、高屈折率層のみに含有されていることが好ましいが、高屈折率層と低屈折率層の両方に含有されていてもよい。

硬化樹脂層−２または光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方に添加する微粒子Ｂとしては、例えばシリカ微粒子、架橋アクリル微粒子、架橋ポリスチレン微粒子等が挙げられる。

該微粒子Ｂの平均１次粒子径は、硬化樹脂層−２または光学干渉層の総膜厚の１．１倍以上でなおかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下であることが好ましい。該微粒子Ｂの平均１次粒子径が硬化樹脂層−２または光学干渉層の総膜厚の１．１倍未満である場合、透明導電層表面を粗面化することは困難である。一方、該微粒子Ｂの平均１次粒子径が１．２μｍを超える場合、硬化樹脂層−２または光学干渉層を構成する高屈折率層と低屈折率層の少なくとも一方にこの様な微粒子を添加した透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルを高精細カラー液晶ディスプレイ上に設置し、透明タッチパネルを介して液晶ディスプレイを観察した時に、液晶ディスプレイはぎらついて見え、表示品位が低下してしまう。更に該微粒子Ｂの平均１次粒子径が１．２μｍを超える場合、該微粒子Ｂを添加している硬化樹脂層−２または光学干渉層の膜厚より平均１次粒子径が極端に大きくなる為、添加した該微粒子Ｂが硬化樹脂層−２または光学干渉層から脱落しやすく、透明タッチパネルに要求される筆記耐久性を満足することが困難となる。

金属化合物層
本発明の透明導電性積層体は、硬化樹脂層−１と透明導電層との間、又は硬化樹脂層―２と透明導電層との間、又は光学干渉層と透明導電層との間に、透明導電層と接しかつ膜厚が透明導電層の膜厚よりも薄くそして０．５ｎｍ以上１０ｎｍ未満、好ましくは１．０ｎｍ以上７．０ｎｍ未満、更に好ましくは１．０ｎｍ以上５．０ｎｍ未満である金属化合物層をさらに有していてもよい。

ラテックス含有樹脂層、硬化樹脂層−１、（又は、ラテックス含有樹脂層、硬化樹脂層−１、硬化樹脂層―２、又は、ラテックス含有樹脂層、硬化樹脂層―１、光学干渉層）、膜厚が制御された金属化合物層、透明導電層を順次積層することにより密着性が大幅に改善され、該透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルは、該金属化合物層がない場合と比較して、近年透明タッチパネルに要求される筆記耐久性及び端押し耐久性が向上する。金属化合物層の膜厚が１０．０ｎｍ以上では、金属化合物層が連続体としての機械物性を示し始めることにより、透明タッチパネルに要求される端押し耐久性の向上は望めない。一方、０．５ｎｍ未満の膜厚では膜厚の制御が困難なことに加え、硬化樹脂層−１と透明導電層、硬化樹脂層―２と透明導電層、又は光学干渉層と透明導電層との密着性を十分発現させることが困難になり、端押し耐久性の向上は困難になる。

金属化合物層としては、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等の金属酸化物の層が挙げられる。
これらの金属化合物層は、公知の手法にて形成することが可能であり、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、パルスレーザーデポジション法等の物理的形成法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下、ＰＶＤ）等を用いることができるが、大面積に対して均一な膜厚の金属化合物層を形成するという工業生産性に着目すると、ＤＣマグネトロンスパッタリング法が望ましい。なお、上記物理的形成法（ＰＶＤ）のほかに、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（以下、ＣＶＤ）、ゾルゲル法などの化学的形成法を用いることもできるが、膜厚制御の観点からはやはりスパタリング法が望ましい。

スパッタリングに用いるターゲットは金属ターゲットを用いることが望ましく、反応性スパッタリング法を用いることが広く採用されている。これは、金属化合物層として用いる元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が絶縁体であることが多く、金属化合物ターゲットの場合ＤＣマグネトロンスパッタリング法が適応できないことが多いからである。また、近年では、２つのカソードを同時に放電させ、ターゲットへの絶縁体の形成を抑制するような電源が開発されており、擬似的なＲＦマグネトロンスパッタリング法を適応できるようになってきている。

本発明では、金属ターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタリング法により上記金属化合物層を製膜する場合は、該金属化合物層を製膜する真空槽中の圧力（背圧）を一旦１．３×１０^−４Ｐａ以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。金属化合物層を製膜する真空槽中の圧力を一旦１．３×１０^−４Ｐａ以下にすることが、真空槽中に残留し、且つ金属化合物層の形成過程に影響を与えることが懸念される分子種の影響を低減できるので望ましい。より望ましくは、５×１０^−５Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１０^−５Ｐａ以下である。

次いで導入される不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅを用いることができ、原子量の大きな不活性ガスほど形成される金属化合物層へのダメージが少なく表面平坦性が向上すると言われている。しかし、コスト面を考えるとＡｒが望ましい。この不活性ガスには層中に取り込まれる酸素濃度を調整するために、分圧に換算して１．３×１０^−３〜７×１０^−２Ｐａ台の酸素を添加しても構わない。さらに、酸素の他にＯ_３、Ｎ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｈ_２Ｏ、ＮＨ_３等を目的に応じて用いることができる。

また、本発明では、金属化合物層を製膜する真空槽中の水の分圧を１．３×１０^−４Ｐａ以下とし、次いで不活性ガス及び酸素を導入する製造方法にて形成することができる。水の分圧は、より望ましくは、４×１０^−５Ｐａ以下、さらに望ましくは２×１０^−５Ｐａ以下に制御できる。膜中に水素を取り込ませることで金属化合物層内部の応力を緩和するために、水を意図的に１．３×１０^−４〜３×１０^−２Ｐａの範囲で導入しても構わない。この調整は、一旦真空を形成した後に、バリアブルリークバルブやマスフローコントローラーを用いて水を導入することで行っても良い。また、真空槽の背圧を制御することによっても実施することができる。

本発明における水分圧を決定するときには、差動排気型のインプロセスモニターを用いても良い。またはダイナミックレンジが広く、０．１Ｐａ台の圧力下においても計測が可能な四重極質量分析計を用いても良い。また、一般的に、１．３×１０^−５Ｐａ程度の真空度においては、その圧力を形成しているのは水である。よって、真空計によって計測された値をそのまま水分圧と考えても構わない。

本発明においては、透明有機高分子基板を用いるため、基板温度を該透明有機高分子基板の軟化点温度より上昇させることはできない。よって、金属化合物層を形成するためには、透明有機高分子基板の温度は室温以下程度から軟化点温度以下とする必要がある。代表的な透明有機高分子基板であるポリエチレンテレフタレートの場合、特別な処理を行わないときは基板温度を８０℃以下の温度に保ったまま金属化合物層を形成することが望ましい。より望ましくは５０℃以下の基板温度にて、さらに望ましくは２０℃以下である。また、耐熱性高分子基板の上であっても、該高分子基板からのアウトガスの制御という観点より８０℃以下、より望ましくは５０℃以下、さらに望ましくは２０℃以下に設定した基板温度で形成することが望ましい。

透明導電層
本発明においては、硬化樹脂層−１上、硬化樹脂層−２上、光学干渉層上、または金属化合物層上に接して透明導電層が設けられる。硬化樹脂層−１上、硬化樹脂層−２上、光学干渉層上、または金属化合物層上に接して透明導電層を設けることにより、透明導電性積層体を用いた透明タッチパネルの筆記耐久性等の機械特性が向上する。ここで透明導電層としては、酸化錫を２〜２０重量％含むＩＴＯ層やアンチモンまたはフッ素等をドープした酸化錫層がある。透明導電層の形成方法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法あるいは塗工法、印刷法、ＣＶＤ法が採用できるが、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が好ましい。ＰＶＤ法またはＣＶＤ法の場合、透明導電層の厚さは、透明性と導電性の点から５〜５０ｎｍが好ましく、更に好ましくは１０〜３０ｎｍである。透明導電層の膜厚が１０ｎｍ未満では抵抗値の経時安定性に劣る傾向が有り，また３０ｎｍを超えると透明導電性積層体の透過率が低下するため好ましくない。透明タッチパネルの消費電力の低減と回路処理上の必要等から、膜厚１０〜３０ｎｍにおいて表面抵抗値が１００〜２０００Ω／□（Ω／ｓｑ）、より好ましくは１４０〜２０００Ω／□（Ω／ｓｑ）の範囲を示す透明導電層を用いることが好ましい。更に、透明導電層は、酸化インジウムを主成分とした結晶質の膜であることが好ましく、特に結晶質のＩＴＯからなる層が好ましく用いられる。また結晶粒径は３０００ｎｍ以下であることが好ましい。結晶粒径が３０００ｎｍを超えると筆記耐久性が悪くなるため好ましくない。ここで結晶粒径とは、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）下で観察される多角形状または長円状の各領域における対角線または直径の中で最大のものと定義される。

本発明において“酸化インジウムを主成分とした”とは、ドーパントとして錫、テルル、カドミウム、モリブデン、タングステン、フッ素、亜鉛等を含有する酸化インジウム、或いはドーパントとして錫の他に更に、珪素、チタン、亜鉛等を含有する酸化インジウムを意味する。

また、“結晶質の膜”とは、ドーパントを含有する酸化インジウムからなる層の５０％以上、好ましくは７５％以上、より好ましくは９５％以上、特に好ましくはほぼ１００％が結晶相で占められていることを意味する。

ハードコート層
本発明の透明導電性積層体を可動電極基板として用いた場合は、透明タッチパネルで外力が加わる面には、ハードコート層を設けることが好ましい。ハードコート層を形成するための材料としては、例えばメチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のオルガノシラン系の熱硬化性樹脂、エーテル化メチロールメラミン等のメラミン系熱硬化性樹脂、ポリオールアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等の多官能アクリレート系電離放射線硬化性樹脂等があり、必要に応じて、これにＳｉＯ_２やＭｇＦ_２等の微粒子等を混合したものを用いることができる。ハードコート層の厚さは、可撓性、耐摩擦性の点から２〜５μｍが好ましい。

ハードコート層は塗工法により形成することが出来る。実際の塗工法としては、前記の化合物を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度を調節した塗工液を用いて、透明有機高分子基板上に塗工後、電離放射線照射や加熱処理等により塗工層を硬化させる。塗工方式としては例えば、マイクログラビヤコート法、マイヤーバーコート法、ダイレクトグラビヤコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、コンマコート法、ダイコート法、ナイフコート法、スピンコート法等が挙げられる。

なお、ハードコート層は透明有機高分子基板上に直接、もしくは適当なアンカー層を介して積層される。こうしたアンカー層としては例えば、該ハードコート層と透明有機高分子基板との密着性を向上させる機能を有する層や、Ｋ値が負の値となる三次元屈折率特性を有する層等の各種の位相補償層、水分や酸素の透過を防止する機能もしくは水分や酸素を吸収する機能を有する層、紫外線や赤外線を吸収する機能を有する層、基板の帯電性を低下させる機能を有する層等が好ましく挙げられる。

以下、本発明の具体例を挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。以下の実施例において、リニアリティー測定方法、筆記耐久性試験方法、端押し耐久性試験方法は次の通りである。

リニアリティー測定方法
可動電極基板上又は固定電極基板上の平行電極間に直流電圧５Ｖを印加する。平行電極と垂直の方向に５ｍｍ間隔で電圧を測定する。測定開始位置Ａの電圧をＥ_Ａ、測定終了位置Ｂの電圧をＥ_Ｂ、Ａからの距離Ｘにおける電圧実測値Ｅ_Ｘ、理論値をＥ_Ｔ、リニアリティーをＬとすると、下記式により求められる。
［数１］
Ｅ_Ｔ ＝ （Ｅ_Ｂ−Ｅ_Ａ） × Ｘ／（Ｂ−Ａ）＋Ｅ_Ａ
Ｌ（％）＝（｜Ｅ_Ｔ−Ｅ_Ｘ｜）／（Ｅ_Ｂ−Ｅ_Ａ） × １００

端押し耐久性試験方法
作製した透明タッチパネルの可動電極基板の周囲の絶縁層から２．０ｍｍ及び１．５ｍｍの位置を絶縁層と平行して先端が０．８Ｒのポリアセタール製のペンを用いて４５０ｇ荷重で直線１万回往復の筆記耐久性試験を行う。端押し耐久性試験前後のリニアリティー変化量が１．５％以上となるものをＮＧとした。

筆記耐久性試験方法
作製した透明タッチパネルの可動電極基板の中央部を対角線方向に先端が０．８Ｒのポリアセタール製のペンを用いて４５０ｇ荷重で直線１０万往復の筆記耐久性試験を行う。筆記耐久性前後の透明タッチパネルのリニアリティー変化量が１．５％以上となるものをＮＧとした。

［実施例１］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ５μｍのハードコート層１を形成した。

合成ラテックス Ｎｉｐｏｌ ＬＸ８５７Ｘ２（日本ゼオン（株）製）をハードコート層１の反対面にバーコート法により塗工、９０℃２分間乾燥し、膜厚が７．０μｍのラテックス含有樹脂層（ａ）を形成した。

ウレタンアクリレート ＮＫオリゴ Ｕ−９ＨＡ（新中村化学工業（株）製）１００重量部とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５重量部をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、１-メトキシ−２−プロパノール（１Ｍ２Ｐ）の１：１混合液へ溶解し塗工液Ａを作製した。塗工液Ａをラテックス含有樹脂層（ａ）上に膜厚が３．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ａ）を形成した。

次にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシラン（信越化学工業（株）製 「ＫＢＭ４０３」）とメチルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製 「ＫＢＭ１３」）を１：１のモル比で混合し、酢酸水溶液（ｐＨ＝３．０）により公知の方法で前記アルコキシシランの加水分解を行いアルコキシシラン加水分解物１を得た。アルコキシシラン加水分解物１の固形分２０重量部に対して、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメトキシシラン（信越化学社製 「ＫＢＭ６０３」）を固形分１重量部の比率で添加し、更にイソプロピルアルコールとｎ−ブタノールの混合溶液で希釈を行い、アルコキシシラン塗工液Ｂを作製した。

前記硬化樹脂層−１（ａ）上にアルコキシシラン塗工液Ｂをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、硬化樹脂層−２（ａ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−２（ａ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

他方、厚さ１．１ｍｍのガラス板の両面にＳｉＯ_２ディップコートを行った後、スパッタリング法により、同様な方法で厚さ１８ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。次にＩＴＯ膜上に高さ７μｍ、直径７０μｍ、ピッチ１．５ｍｍのドットスペーサを形成することにより、固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図１の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表１に示す。

［実施例２］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ５μｍのハードコート層１を形成した。

実施例１と同様にしてラテックス含有層（ａ）と硬化樹脂層−１（ａ）を順次積層した後、硬化樹脂層−１（ａ）上にＳｉターゲットを用いてスパッタリング法により膜厚が２ｎｍの酸化珪素層を形成した。更にこの酸化珪素層上に酸化インジウムと酸化錫が重量比９７：３の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約５５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃４５分間の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図２の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表1に示す。

［実施例３］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。

合成ラテックス Ｎｉｐｏｌ ＳＸ１７０６Ａ（日本ゼオン（株）製）をハードコート層１の反対面にバーコート法により塗工、９０℃２分間乾燥し、膜厚が６．０μｍのラテックス含有樹脂層（ｂ）を形成した。

ウレタンアクリレート ＮＫオリゴ Ｕ−９ＨＡ（新中村化学工業（株）製）５０重量部と多官能アクリレート アロニックス Ｍ４００（東亞合成（株）製）５０重量部とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５重量部をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、１-メトキシ−２−プロパノール（１Ｍ２Ｐ）の１：１混合液へ溶解し塗工液Ｃを作製した。塗工液Ｃをラテックス含有樹脂層（ｂ）上に膜厚が１．５μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｂ）を形成した。

前記硬化樹脂層−１（ｂ）上に実施例１で使用した塗工液Ｂをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、硬化樹脂層−２（ｂ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−２（ｂ）上にＳｉターゲットを用いてスパッタリング法により膜厚が２ｎｍの酸化珪素層を形成した。更にこの酸化珪素層上に酸化インジウムと酸化錫が重量比９７：３の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約５５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃４５分間の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図３の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表1に示す。

［実施例４］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。

合成ラテックス Ｎｉｐｏｌ ＳＸ１７０６Ａ（日本ゼオン（株）製）をハードコート層１の反対面にバーコート法により塗工、９０℃２分間乾燥し、膜厚が６．０μｍのラテックス含有樹脂層（ｃ）を形成した。

実施例３で作成した塗工液Ｃに、硬化樹脂成分１００重量部に対してオルガノシランアクリレート ＡＦ＃２（浅井物産（株）製）と平均１次粒子径が１５ｎｍであるＳｉＯ_２微粒子（扶桑化学工業（株）製、ＭＥＫ、１０％分散液）をそれぞれ３重量部添加して塗工液Ｄを作成した。塗工液Ｄをラテックス含有樹脂層（ｃ）上に膜厚が１．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｃ）を形成した。

前記硬化樹脂層−１（ｃ）上にＳｉターゲットを用いてスパッタリング法により膜厚が２ｎｍの酸化珪素層を形成した。更にこの酸化珪素層上に酸化インジウムと酸化錫が重量比９７：３の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約５５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃４５分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図２の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表1に示す。

［実施例５］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。

イソシアヌール酸ＥＯ変性アクリレート アロニックス Ｍ２１５（東亜合成（株）製）とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５重量部をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、イソブチルアルコール（ＩＢＡ）の１：１混合液へ溶解し塗工液Ｅを作製した。

次に合成ラテックス Ｎｉｐｏｌ ＳＸ１１０５Ａ（日本ゼオン（株）製）をエタノール（ＥｔＯＨ）とイソブチルアルコール（ＩＢＡ）で希釈した液と塗工液Ｅを固形分比率１０：１となるように混合して塗工液Ｆを作成した。塗工液Ｆをハードコート層１の反対面にバーコート法により塗工、９０℃２分間乾燥し、膜厚が４．０μｍのラテックス含有樹脂層（ｄ）を形成した。

実施例４で作成した塗工液Ｄをラテックス含有樹脂層（ｄ）上に膜厚が３．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｄ）を形成した。

前記硬化樹脂層−１（ｄ）上にＳｉターゲットを用いてスパッタリング法により膜厚が２ｎｍの酸化珪素層を形成した。更にこの酸化珪素層上に酸化インジウムと酸化錫が重量比９７：３の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約５５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃４５分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図２の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表1に示す。

［実施例６］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ５μｍのハードコート層１を形成した。

ウレタンアクリレート ＮＫオリゴ Ｕ７１００（新中村化学工業（株）製）とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５重量部をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、イソブチルアルコール（ＩＢＡ）の１：１混合液へ溶解し塗工液Ｇを作製した。

次に合成ラテックス Ｎｉｐｏｌ ＳＸ１１０５Ａ（日本ゼオン（株）製）をエタノール（ＥｔＯＨ）とイソブチルアルコール（ＩＢＡ）で希釈した液と塗工液Ｇを固形分比率１０：１となるように混合して塗工液Ｈを作成した。塗工液Ｈをハードコート層１の反対面にバーコート法により塗工、９０℃２分間乾燥し、膜厚が４．０μｍのラテックス含有樹脂層（ｅ）を形成した。

ウレタンアクリレート ＮＫオリゴ Ｕ−９ＨＡ（新中村化学工業（株）製）５０重量部とイソシアヌール酸アクリレート アロニックス Ｍ２１５（東亞合成（株）製）５０重量部とイルガキュア１８４（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５重量部をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、１-メトキシ−２−プロパノール（１Ｍ２Ｐ）の１：１混合液へ溶解し塗工液Ｉを作製した。塗工液Ｉをラテックス含有樹脂層（ｅ）上に膜厚が４．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｅ）を形成した。

実施例１で用いたアルコキシシラン塗工液Ｂに１次粒子径が２０ｎｍのＴｉＯ_２超微粒子（シーアイ化成（株）製、１５％、ＩＰＡ分散液）をＴｉＯ_２超微粒子と金属アルコキシドの固形分重量比率が５０：５０となるように混合した塗工液Ｊを作製した。塗工液Ｊ中に平均１次粒子径が０．５μｍのシリカ微粒子を塗工液Ｊの固形分１００重量部に対して０．３重量部となるように混合し塗工液Ｋを作製した。
上記硬化樹脂層−１（ｅ）面上に、塗工液Ｋをバーコート法でコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚が５５ｎｍの高屈折率層を形成した。

前記高屈折率層上に低屈折率層として実施例１で使用したアルコキシシラン塗工液Ｂをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、膜厚が６０ｎｍの低屈折率層を形成し光学干渉層を作製した。さらにこの光学干渉層上に、Ｓｉターゲットを用いてスパッタリング法により膜厚が２ｎｍの酸化珪素層を形成した。更にこの酸化珪素層上に酸化インジウムと酸化錫が重量比９７：３の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約５５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃４５分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約４５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図４の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表1に示す。

［比較例１］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。

実施例５で使用した塗工液Ｅをハードコート層１の反対面に膜厚が２．０μｍとなるようにバーコート法によりコーティングし紫外線を照射硬化させ硬化樹脂層−１（ｆ）を形成した。

前記硬化樹脂層−１（ｆ）上に実施例１で使用したアルコキシシラン塗工液Ｂをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、硬化樹脂層−２（ｆ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−２（ｆ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。形成されたＩＴＯ層の膜厚は約２０ｎｍ、製膜後の表面抵抗値は約３５０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。作製した可動電極基板を１５０℃９０分の熱処理を行い、ＩＴＯ膜を結晶化させた。熱処理前後の可動電極基板にヘーズ変化は見られず、ＩＴＯが結晶化した後の表面抵抗値は約２８０Ω／□（Ω／ｓｑ）であった。

実施例１と同様にして固定電極基板を作製した。作製した固定電極基板と可動電極基板とを用いて図５の透明タッチパネルを作製した。作製した透明タッチパネルの筆記耐久性試験と端押し耐久性試験を行い、試験前後のリニアリティーを表1に示す。

［比較例２］
厚さ１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製 ＯＦＷ）の片面に紫外線硬化性多官能アクリレート樹脂塗料を用いて厚さ４μｍのハードコート層１を形成した。

合成ラテックス Ｎｉｐｏｌ ＳＸ１７０６Ａ（日本ゼオン（株）製）をハードコート層１の反対面にバーコート法により塗工、９０℃２分間乾燥し、膜厚が６．０μｍのラテックス含有樹脂層（ｇ）を形成した。

前記ラテックス含有樹脂層−１（ｇ）上に実施例１で使用したアルコキシシラン塗工液Ｂをバーコート法によりコーティングを行い１３０℃２分間の焼成後、硬化樹脂層−２（ｇ）を作製した。さらにこの硬化樹脂層−２（ｇ）上に、酸化インジウムと酸化錫が重量比９５：５の組成で充填密度９８％の酸化インジウム−酸化錫ターゲットを用いスパッタリング法によりＩＴＯ層を形成し、可動電極基板となる透明導電性積層体を作製した。しかし透明導電層が形成された面に細かいしわが発生しヘーズ上昇が確認した。これ以上の評価は実施しなかった。

実施例１の操作で作成した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。 実施例２、４、５の操作で作成した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。 実施例３の操作で作成した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。 実施例６の操作で作成した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。 比較例１の操作で作成した透明タッチパネルの構成を表した模式図である。

符号の説明

１ ハードコート層
２ ポリエチレンテレフタレートフィルム
３ ラテックス含有樹脂層
４ 硬化樹脂層−１
５ 硬化樹脂層−２
６ 高屈折率層
７ 低屈折率層
８ 透明導電層
９ ガラス基板
１０ ドットスペーサ
１１ 金属化合物（酸化珪素）層

Claims (13)

1. 透明有機高分子基板上の少なくとも一方の面上にラテックスを１０重量％以上含有するラテックス含有樹脂層、実質的にラテックスを含有しない硬化樹脂層−１、透明導電層が順次積層され、ラテックス含有樹脂層の膜厚ｄ１、硬化樹脂層−１の膜厚ｄ２がそれぞれ１０μｍ以下であり、更に０．１≦ｄ２／ｄ１≦２．０である、透明導電性積層体。
2. 該硬化樹脂層−１と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、かつ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項１記載の透明導電性積層体。
3. 該硬化性樹脂層−１中に、平均１次粒子径が１００ｎｍ以下の金属酸化物微粒子と、珪素原子を含有する有機化合物とを含有し、かつ硬化樹脂層−１の最表面（透明導電層側）に金属酸化物微粒子が偏析している、請求項１記載の透明導電性積層体。
4. 該硬化樹脂層−１と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、かつ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項３記載の透明導電性積層体。
5. 該金属化合物層と該金属酸化物微粒子とに同一原子が含まれる、請求項４に記載の透明導電性積層体。
6. 硬化樹脂層−１と透明導電層との間に屈折率が１．２０〜１．５５で且つ膜厚が０．０５〜０．５μｍの硬化樹脂層−２を有する、請求項１記載の透明導電性積層体。
7. 硬化樹脂層−２は、平均１次粒子径が該硬化樹脂層−２の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の大きさの微粒子Ｂを含有し、該微粒子Ｂの含有量は硬化樹脂層−２を形成する硬化樹脂成分の０．５重量％以下である、請求項６記載の透明導電性積層体。
8. 該硬化樹脂層−２と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、且つ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項６または７記載の透明導電性積層体。
9. 硬化樹脂層−１と透明導電層との間に少なくとも１層の低屈折率層と少なくとも１層の高屈折率層からなる光学干渉層を有し、かつ低屈折率層が透明導電層と接している、請求項１に記載の透明導電性積層体。
10. 該光学干渉層と透明導電層との間に、透明導電層と接して、かつ膜厚が透明導電層より薄く、且つ膜厚が０．５ｎｍ以上１０．０ｎｍ未満である金属化合物層を有する、請求項９記載の透明導電性積層体。
11. 光学干渉層は、平均１次粒子径が該光学干渉層の膜厚の１．１倍以上でかつ平均１次粒子径が１．２μｍ以下の大きさの微粒子Ｂを含有し、該微粒子Ｂの含有量は光学干渉層を形成する成分の０．５重量％以下である、請求項９または１０記載の透明導電性積層体。
12. 透明導電層が酸化インジウムを主成分とした結晶質の膜であり、かつ透明導電層の膜厚が５〜５０ｎｍである、請求項１〜１１のいずれかに記載の透明導電性積層体。
13. 少なくとも片面に透明導電層が設けられた２枚の透明電極基板が互いの透明導電層同士が向き合うように配置されて構成された透明タッチパネルにおいて、少なくとも一方の透明電極基板として請求項１〜１２のいずれかに記載の透明導電性積層体を用いたことを特徴とする透明タッチパネル。

Images