JP2006251120A - 画素構造、アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents
画素構造、アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006251120A JP2006251120A JP2005064988A JP2005064988A JP2006251120A JP 2006251120 A JP2006251120 A JP 2006251120A JP 2005064988 A JP2005064988 A JP 2005064988A JP 2005064988 A JP2005064988 A JP 2005064988A JP 2006251120 A JP2006251120 A JP 2006251120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pixel electrode
- substrate
- forming
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 238
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 176
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 126
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 102
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 74
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 71
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 52
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 37
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 36
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 33
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 267
- 230000008569 process Effects 0.000 description 69
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 45
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 44
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 36
- 239000002585 base Substances 0.000 description 35
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 20
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 16
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- -1 phenyl ester Chemical class 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 7
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 7
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 3
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003814 SiH2NH Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N durene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C=C1C SQNZJJAZBFDUTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-methoxyethane Chemical compound CCOCCOC CAQYAZNFWDDMIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OORGGNYDIUQRDG-UHFFFAOYSA-N [3-[4-[(5-methyl-4-oxothieno[2,3-d][1,3]oxazin-2-yl)methyl]benzoyl]phenyl]-[3-[4-[(5-methyl-4-oxothieno[2,3-d][1,3]oxazin-2-yl)methyl]benzoyl]phenyl]imino-oxidoazanium Chemical compound O1C(=O)C=2C(C)=CSC=2N=C1CC(C=C1)=CC=C1C(=O)C(C=1)=CC=CC=1N=[N+]([O-])C(C=1)=CC=CC=1C(=O)C(C=C1)=CC=C1CC(OC1=O)=NC2=C1C(C)=CS2 OORGGNYDIUQRDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- TXWRERCHRDBNLG-UHFFFAOYSA-N cubane Chemical class C12C3C4C1C1C4C3C12 TXWRERCHRDBNLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N cyclohexylbenzene Chemical class C1CCCCC1C1=CC=CC=C1 IGARGHRYKHJQSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical class C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229960004624 perflexane Drugs 0.000 description 1
- BPHQIXJDBIHMLT-UHFFFAOYSA-N perfluorodecane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F BPHQIXJDBIHMLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N perfluorohexane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ZJIJAJXFLBMLCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H13/00—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch
- H01H13/70—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard
- H01H13/702—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard with contacts carried by or formed from layers in a multilayer structure, e.g. membrane switches
- H01H13/704—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard with contacts carried by or formed from layers in a multilayer structure, e.g. membrane switches characterised by the layers, e.g. by their material or structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H13/00—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch
- H01H13/70—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard
- H01H13/702—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard with contacts carried by or formed from layers in a multilayer structure, e.g. membrane switches
- H01H13/705—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard with contacts carried by or formed from layers in a multilayer structure, e.g. membrane switches characterised by construction, mounting or arrangement of operating parts, e.g. push-buttons or keys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H13/00—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch
- H01H13/70—Switches having rectilinearly-movable operating part or parts adapted for pushing or pulling in one direction only, e.g. push-button switch having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboard
- H01H13/88—Processes specially adapted for manufacture of rectilinearly movable switches having a plurality of operating members associated with different sets of contacts, e.g. keyboards
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2219/00—Legends
- H01H2219/002—Legends replaceable; adaptable
- H01H2219/018—Electroluminescent panel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H2229/00—Manufacturing
- H01H2229/012—Vacuum deposition
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 画素構造は、画素電極20と、この画素電極20に対応するスイッチング素子10とを有する。画素電極20とスイッチング素子10とが同一の基板P上に形成されており、スイッチング素子10における半導体層11に比べて基板P側の層(第1層L1)に画素電極20が配されている。
【選択図】 図2
Description
この構成によれば、画素電極が基板上の第1層に配されることにより、画素電極の形成材料や形成手段の選択の幅が広くなる。
なお、この構成は、物質の透過を防止する保護膜あるいは密着性向上のための密着膜などの、スイッチング動作に直接的な関与をしない膜が、基板表面と画素電極との間に存在する場合を含むものとする。
この構成によれば、画素電極と容量部の導電線とが基板上の同一層に配されていることから、画素電極及びその導電線の形成プロセスの一部共有化により製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
この構成によれば、画素電極と容量部の導電線とが同一の材料膜を含みかつそれらが基板上の同一層に配されているから、画素電極及びその導電線の各材料配置を同じタイミングで行うことが可能となる。
この構成では、画素電極の一部として補助電極が機能するとともに、その補助電極と容量部の導電線とが絶縁膜を介して対向配置される。
この構成によれば、画素電極に加え、容量部にも光が透過することから、画素構造における光透過領域の拡大(開口率の向上)が図られる。
この構成によれば、画素電極及び/又は容量部の形成に液相法の使用が可能となる。液相法では、液体材料を基板上に配置し、その膜を熱処理することで導電膜を得る。液体材料の配置技術としては、液滴吐出法、Capコート法、スピンコート法等がある。上記バンクは、画素電極及び/又は容量部の液体材料を基板上に配置する際の、配置領域の規定に用いられる。そして、液相法の使用は、製造プロセスの簡素化や材料使用量の低減化を図りやすいことから製造コストの低減に有利である。画素電極と容量部とが基板上の同一層に配されているので、画素電極及び容量部を区画する各バンクの形成を同時に行うことが可能である。
この構成によれば、画素電極とゲート電極とが基板上の同一層に配されていることから、画素電極及びゲート電極の形成プロセスの一部共有化により製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
この構成によれば、画素電極及び/又はゲート電極の形成に液相法の使用が可能となり、製造コストの低減化が図られる。上記バンクは、画素電極及び/又はゲート電極の液状材料を基板上に配置する際の、配置領域の規定に用いられる。画素電極とゲート電極とが基板上の同一層に配されているので、画素電極及びゲート電極を区画する各バンクの形成を同時に行うことが可能である。
この構成によれば、画素電極、ゲート電極、ゲート線、及びソース線が基板上の同一層に配されていることから、それらの形成プロセスの一部共有化により製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
この構成によれば、ゲート電極、ゲート線、及びソース線が同一の材料膜を含みかつそれらが基板上の同一層に配されていることから、ゲート電極、ゲート線、及びソース線の各材料配置を同じタイミングで行うことが可能となる。
この構成によれば、ゲート線及び/又はソース線の形成に液相法の使用が可能となり、製造コストの低減化が図られる。上記バンクは、ゲート線及び/又はソース線の液体材料を基板上に配置する際の、配置領域の規定に用いられる。画素電極、ゲート電極、ゲート線、及びソース線が基板上の同一層に配されているので、それらを区画する各バンク形成を同時に行うことが可能である。
このアクティブマトリクス基板によれば、低コスト化を図ることが可能となる。
この場合、例えば、基板の全面に画素電極の材料膜を形成し、その後にパターニングすることにより画素電極を形成するとよい。基板上の第1層であれば、こうした膜形成を容易に実施可能である。
ここで、液相法による画素電極の形成では、実用的な導電性能を得るために材料膜の熱処理温度(焼成温度)が、250℃以上の比較的高温であるのが好ましい。この製造方法では、半導体層の熱的制限の影響を受けることなく、比較的高温での熱処理により導電性能に優れた画素電極を形成することができる。また、液相法の使用により、製造コストの低減化が図られる。
バンクまたは撥液性領域により画素電極の材料の配置領域が規定される。
この場合、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて前記バンクを形成することができる。
また、自己組織化膜を用いて前記撥液性を示す領域を形成することができる。
これによれば、画素電極と容量部との形成プロセスの一部共有化により製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
これによれば、液相法の使用により、製造コストの低減化が図られる。
これによれば、画素電極とゲート電極との形成プロセスの一部共有化により製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
これによれば、液相法の使用により、製造コストの低減化が図られる。
また、前記ソース電極の形成と同時に、該ソース電極を介した前記半導体層と前記ソース線との電気的接続を行うことによっても、形成プロセスの簡素化が図られる。
これによれば、液相法の使用により、製造コストの低減化が図られる。
これによれば、ゲート線とソース線とが基板上の同一層にあっても、両者を交差配置することが可能となる。
これによれば、ゲート線とソース線とゲート電極との形成プロセスの一部共有化により製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
これによれば、ゲート線とソース線とドレイン電極とソース電極との形成プロセスの一部共有化により製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
この電気光学装置によれば、低コスト化が図られる。
この電子機器によれば、低コスト化が図られる。
図1は本発明に係るアクティブマトリクス基板の一部を拡大した平面図であり、図2(A)は図1に示すA−A断面図、図2(B)は図1に示すB−B断面図、図2(C)は図1に示すC−C断面図である。
図2(A)、(B)及び(C)に示すように、TFT10は、ボトムゲート構造(逆スタガ型構造)を有するアモルファスシリコン型TFT(α−Si TFT)であり、半導体層11と、半導体層11と基板P(ガラス基板など)との間に配されるゲート電極16と、半導体層11とゲート電極16との間に配されるゲート絶縁膜17と、半導体層11とそれぞれ電気的に接続されたソース電極18及びドレイン電極19とを含む。
また、ソース線30及びゲート線31は、ゲート電極16と同様に、基板P上にAg,Cu,Al等から選ばれる1種又は2種以上の金属材料を用いて形成された下層(基体層)16Aと、Ni,Ti,W,Mn等から選ばれる1種又は2種以上の金属材料を用いて形成された上層(被覆層)16Bとを積層してなる2層構造を有している。
なお、ゲート電極16、ソース線30、及びゲート線31は、互いに同じ材料膜を有しており、これらは同時形成されたものである。
なお、ソース電極18及びドレイン電極19は、互いに同じ材料膜を有しており、これらは同時形成されたものである。
また、半導体層11(アモルファスシリコン層12、N+ シリコン層13)とバンク41との間には必要に応じて保護膜39が形成されている。この保護膜39は、バンク41を通過した金属(例えば、アルカリ金属(可動イオン))が半導体層11に侵入するのを防止するなどの機能を有する。バンク41が同様の機能を有している場合には保護膜39を省いた構成としてもよい。
なお、容量部25の配置位置は、図1に示す画素電極20の中央付近に限らず、画素電極20の縁部に寄っていてもよい。
また、容量部25が難透光性の構成であってもよい。
図3は、本発明の電気光学装置の一実施の形態である液晶表示装置100を示す等価回路図である。この液晶表示装置100は、図1のアクティブマトリクス基板を備える。
図3に示すように、この液晶表示装置100において、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、透光性導電膜としての画素電極20と当該画素電極20を制御するためのスイッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT10)とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給される信号線(ソース線30)が当該TFT10のソースに電気的に接続されている。ソース線30に書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のソース線30に対してグループ毎に供給される。また、走査線(ゲート線31)がTFT10のゲートに電気的に接続されており、複数のゲート線31に対して走査信号G1、G2、…、Gmが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極20はTFT10のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT10を一定期間だけオンすることにより、ソース線30から供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。
図4に示すように、液晶表示装置100は、TFTアレイ基板(アクティブマトリクス基板1)と、対向基板50とが、平面視略矩形枠状のシール材52を介して貼り合わされた構成を備えており、前記両基板1,50の間に挟持された液晶が、シール材52によって前記基板間に封入されたものとなっている。なお、図4では、対向基板50の外周端が、シール材52の外周端に平面視で一致するように表示している。
次に、上記のアクティブマトリクス基板1の製造方法の一例、及び液相法の一例として液滴吐出法について図を参照して説明する。
まず、本製造方法の複数の工程で用いられる液滴吐出装置について説明する。本製造方法では、液滴吐出装置に備えられた液滴吐出ヘッドのノズルから導電性微粒子を含むインク(液体材料)を液滴状に吐出し、アクティブマトリクス基板を構成する各導電部材や電極を形成する(液滴吐出法)ものとしている。本例で用いる液滴吐出装置としては、図5に示した構成のものを採用することができる。
液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド301と、X軸方向駆動軸304と、Y軸方向ガイド軸305と、制御装置CONTと、ステージ307と、クリーニング機構308と、基台309と、ヒータ315とを備えている。
ステージ307は、この液滴吐出装置IJによりインク(液体材料)を設けられる基板Pを支持するものであって、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
Y軸方向ガイド軸305は、基台309に対して動かないように固定されている。ステージ307は、Y軸方向駆動モータ303を備えている。Y軸方向駆動モータ303はステッピングモータ等であり、制御装置CONTからY軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ307をY軸方向に移動する。
クリーニング機構308は、液滴吐出ヘッド301をクリーニングするものである。クリーニング機構308には、図示しないY軸方向の駆動モータが備えられている。このY軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Y軸方向ガイド軸305に沿って移動する。クリーニング機構308の移動も制御装置CONTにより制御される。
ヒータ315は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ315の電源の投入及び遮断も制御装置CONTにより制御される。
図5(b)において、液体材料(インク;機能液)を収容する液体室321に隣接してピエゾ素子322が設置されている。液体室321には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系323を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子322は駆動回路324に接続されており、この駆動回路324を介してピエゾ素子322に電圧を印加し、ピエゾ素子322を変形させて液体室321を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル325から液体材料が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子322の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
ここで、本例に係る製造方法で用いられる、液滴吐出ヘッド301からの吐出に好適なインク(液体材料)について説明する。
本例で用いる導電部材形成用のインク(液体材料)は、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液、若しくはその前駆体からなるものである。導電性微粒子として、例えば金、銀、銅、パラジウム、ニオブ及びニッケル等を含有する金属微粒子の他、これらの前駆体、合金、酸化物、並びに導電性ポリマーやインジウム錫酸化物等の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は1nm〜0.1μm程度であることが好ましい。0.1μmより大きいと、後述する液滴吐出ヘッド301のノズルに目詰まりが生じるおそれがあるだけでなく、得られる膜の緻密性が悪化する可能性がある。また、1nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
以下、図6から図15を参照してアクティブマトリクス基板1の製造方法について説明する。図6から図15は、アクティブマトリクス基板1の製造方法の一例を示す説明図であり、それぞれ平面図及び断面図を含む。
まず、図6に示すように、基体となる基板Pを用意し、その一面側にバンク40を形成する。
基板Pとしては、ガラス、石英ガラス、Siウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
バンク40は、基板面を平面的に区画する仕切部材であり、このバンクの形成にはフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法を用いることができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板P上に形成するバンクの高さに合わせてアクリル樹脂等の有機系感光性材料を塗布して感光性材料層を形成する。そして、形成したいバンク形状に合わせて感光性材料層に対して紫外線を照射することで、所定の開口部40a,40b,40c,40d,40eを備えたバンク40を形成する。バンク40の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が用いられる。バンク40は、ポリシラザンを含む液体材料等を用いて形成した無機物の構造体であってもよい。
具体的には、図示左右方向に延びて形成された開口部40c,40eがゲート線、容量線の形成位置に対応している。その開口部40c,40eと交差するように図示上下方向に延びて形成された開口部40dがソース線の形成位置に対応する。ソース線用開口部40dは、容量線用開口部40c及びゲート線用開口部40eと一体化しないように、交差位置において分断されている。ソース線用開口部40dとゲート線用開口部40eとの交差位置において、ゲート線用開口部40eから分岐しかつ図示上下方向に延びて形成された開口部40aがゲート電極の形成位置に対応する。そして、ソース線用開口部40d、ゲート線用開口部40e、及び容量線用開口部40cによる格子パターンに囲われた開口部40bが画素電極に対応する。
撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4プラズマ処理法)を採用することができる。CF4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが50kW〜1000kW、4フッ化メタンガス流量が50ml/min〜100ml/min、プラズマ放電電極に対する基板搬送速度が0.5mm/sec〜1020mm/sec、基板温度が70℃〜90℃である。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
このような撥液化処理を行うことにより、バンク40には、これを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。
次に、図7に示すように、基板P上に、ゲート電極16、ソース線30、及びゲート線31を形成する。
ゲート電極16の形成工程と、ソース線30の形成工程と、ゲート線31の形成工程とは、材料配置工程、及び材料膜の熱処理の工程を同じタイミングで行う。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W〜5000Wの範囲のものが用いられるが、本例では100W〜1000Wの範囲で十分である。
また、被覆層の材料インクの滴下時においても、バンク40の表面に撥液性が付与されていると、吐出された液滴の一部がバンク40に載っても、バンク表面で弾かれて開口部内に滑り込む。ただし、開口部40a,40d,40eの内部に先に形成されている基体層の表面は、本工程で滴下する材料インクに対して高い親和性を有しているとは限らないため、被覆層のインクの滴下に先立って、基体層上にインクの濡れ性を改善するための中間層を形成してもよい。この中間層は、被覆層のインクを構成する分散媒の種類に応じて適宜選択されるが、インクが水系の分散媒を用いている場合には、例えば酸化チタンからなる中間層を形成しておけば、中間層表面で極めて良好な濡れ性が得られる。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、先の基体層と同様である。また加熱時の出力も同様に100W〜1000Wの範囲とすることができる。
この焼成処理は、微粒子間の電気的接触の向上、分散媒の完全除去、また、液中での分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤が導電性微粒子の表面にコーティングされている場合にはそのコーティング剤の除去、などを目的とするものである。
この熱処理及び/又は光処理は通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。なお、この段階で、基板P上に半導体層は設けられていないので、バンク40の耐熱温度の範囲内で焼成温度を高めることができ、例えば250℃以上、あるいは300℃程度の焼成温度とすることで良好な導電性を具備した金属配線を形成することが可能である。
なお、本例では、Agからなる下層(基体層)と、Niからなる上層(被覆層)とを形成し、これら基体層と被覆層との積層体によりゲート電極16、ソース線30、及びゲート線31を形成しているが、基体層はAg以外の金属、例えばCuやAl、あるいはこれらの金属を主成分とする合金であっても構わない。また、被覆層は、Ni以外のTiやW、Mn、あるいはこれらの金属を主成分とする合金であっても構わない。また、その構造は2層に限らない。さらに、積層される膜ごとに焼成処理を行ってもよい。
次に、図7に示すように、基板P上に、画素電極20、及び容量線27を形成する。
画素電極20の形成工程と、容量線27の形成工程とは、材料配置工程、及び材料膜の熱処理の工程を同じタイミングで行う。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W〜5000Wの範囲のものが用いられるが、本例では100W〜1000Wの範囲で十分である。
この焼成処理は、微粒子間の電気的接触の向上、分散媒の完全除去、また、液中での分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤が導電性微粒子の表面にコーティングされている場合にはそのコーティング剤の除去、などを目的とするものである。
この熱処理及び/又は光処理は通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。なお、この段階で、基板P上に半導体層は設けられていないので、バンク40の耐熱温度の範囲内で焼成温度を高めることができ、例えば250℃以上、あるいは300℃程度の焼成温度とすることで良好な導電性を具備した透光性導電膜を形成することが可能である。
なお、ゲート電極16、ソース線30、及びゲート線31の熱処理工程と、画素電極20及び容量線27の熱処理工程とを同じタイミングで行うことも可能である。あるいは、上記の熱処理工程と後述する容量部25の補助電極26(図9参照)の熱処理工程とを同じタイミングで行うことも可能である。また、画素電極20及び容量線27の形成は、ゲート電極16、ソース線30、及びゲート線31の形成前でもよい。
次に、図8に示すように、容量線27上に、容量部25の構成要素である絶縁膜28を形成する。
具体的には、バンク40の開口部40cにおける容量線27上に、上記絶縁膜28の形成材料を配置し、これを硬化する。容量部25の絶縁膜28の形成材料としては、絶縁性を有しかつ硬化後に透光性を有するものが好ましく、例えば、ポリシラザン(Si−N結合を有する高分子の総称である)の他に、アクリル、ポリイミド、ポリアミド、BCB(ベンゾシクロブテン)等の有機樹脂等を用いることができる。
ここで、ポリシラザンのひとつは、[SiH2NH]n(nは正の整数)であり、ポリペルヒドロシラザンと言われる。なお、[SiH2NH]n中のHがアルキル基(例えばメチル基、エチル基など)で置換されると、有機ポリシラザンとなり、無機ポリシラザンとは区別されることがある。ポリシラザンとキシレンなどの溶媒とを混合した液体材料は、水蒸気または酸素を含む雰囲気で熱処理することにより、酸化シリコンに転化する。ポリシラザンはクラック耐性が高く、また耐酸素プラズマ性があり、単層でもある程度厚い絶縁膜として使用可能である。液体材料の配置は、例えば、液滴吐出法、ディスペンサ法等を用いる。液体材料の配置時において、バンク40の表面に撥液性が付与されていると、液体材料の一部がバンク40に載っても、バンク表面で弾かれて開口部内に滑り込む。
例えば、ポリシラザンとキシレンとを含む材料膜を、水蒸気雰囲気で温度100〜350℃、10〜60分間熱処理することにより、シリコン酸化膜が形成される。また、この熱処理の後に、400〜500℃、30〜60分の熱処理を行うか、あるいは、レーザアニール、またはランプアニールなどの高温短時間の熱処理により、絶縁膜の緻密化が図られる。
次に、図9に示すように、容量線27上に積層された絶縁膜28上に、容量部25の構成要素である補助電極26を形成する。
具体的には、画素電極20の一部と絶縁膜28とバンク40の一部とを覆うように上記補助電極26の形成材料を配置し、これを硬化する。補助電極26の形成材料としては、画素電極20と同じ材料を用いるのが好ましく、例えば、ITO、IZO、FTO等の透光性導電材料の微粒子を溶媒(分散媒)に分散させた材料インクを用いる。この他、ITO微粒子とシリコン有機化合物とを含む液体材料や、ITO微粒子とインジウム有機化合物と錫有機化合物とを含む液体材料を用いてもよい。これらの液体材料を用いることで、ITO微粒子同士が前記金属有機化合物から生成したSiO2やITOのマトリクスで強固に接着された構造の透光性導電膜を形成することができ、焼成温度が比較的低温であってもITO微粒子が緻密に配置され、微粒子間で良好な導電性が得られる透光性導電膜を形成することができる。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W〜5000Wの範囲のものが用いられるが、本例では100W〜1000Wの範囲で十分である。
この焼成処理は、画素電極20に対するものと同様であり、通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。なお、この段階で、基板P上に半導体層は設けられていないので、バンク40の耐熱温度の範囲内で焼成温度を高めることができ、例えば250℃以上、あるいは300℃程度の焼成温度とすることで良好な導電性を具備した透光性導電膜を形成することが可能である。
なお、前述したように、ゲート電極16、ソース線30、及びゲート線31の熱処理工程と、画素電極20及び容量線27の熱処理工程と、この補助電極26の熱処理工程とを同じタイミングで行うことも可能である。また、画素電極20、容量線27、及びこの補助電極26を形成した後に、ゲート電極16、ソース線30、及びゲート線31を形成してもよい。
次に、図10、図11、及び図12に示すように、ゲート電極16上に、ゲート絶縁膜17、アモルファスシリコン層12、及びN+ シリコン層13を積層形成する。
ゲート絶縁膜17、アモルファスシリコン層12、及びN+ シリコン層13は、例えばプラズマCVD法により全面成膜した後、フォトリソグラフィ法により適宜パターニングすることで形成することができる。すなわち、図10に示すように、ゲート絶縁膜17、アモルファスシリコン層12、及びN+ シリコン層13の各材料膜を基板P上に全面成膜した後、図11に示すように、その膜上にパターニング用のレジスト膜45を選択的に形成し、その後に図12に示すように、レジスト膜45をマスクとしてエッチングすることにより所望のパターン形状を有するゲート絶縁膜17、アモルファスシリコン層12、及びN+ シリコン層13の積層体を得る。図11に示すように、レジスト膜45に対する露光処理は、2重露光を行うのが好ましい。すなわち、パターニングに際して、N+ シリコン層の表面に、略凹形のレジスト膜45を選択配置し、係るレジスト膜45をマスクにしてエッチングを行う。このようなパターニング法により、図12に示すように、ゲート電極16と平面的に重なる領域にてN+ シリコン層13が選択的に除去されて2つの領域に分割され、これらのN+ シリコン層13が、それぞれソースコンタクト領域及びドレインコンタクト領域を形成する。
次に、図13に示すように、必要に応じて、半導体層11(アモルファスシリコン層12、N+ シリコン層13)を保護するための保護膜39を形成する。この保護膜39は、この後に形成するバンク41(図14参照)を通過した金属(例えば、アルカリ金属(可動イオン))が半導体層11に侵入するのを防止するなどの機能を有する。バンク41(図14参照)が同様の機能を有している場合には保護膜39の形成工程を省略してもよい。保護膜39としては、窒化珪素、酸化窒化珪素、あるいは窒化チタン、窒化タンタル等が用いられる。この保護膜39の形成方法は、材料に応じて適宜選択され、例えばCVD法、コート法、スパッタ法、蒸着法等が用いられる。
次に、図14に示すように、バンクを含む第1層L1の上層に、バンク41を形成する。
バンク41は、後述するソース電極18、ドレイン電極19、補助導電膜35,36(図2、図15参照)、及び画素電極20の形成領域を区画する仕切部材であり、このバンク41の形成にはフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法を用いることができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、第1層L1のバンク40と同様に、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板P上に形成するバンクの高さに合わせてアクリル樹脂等の有機系感光性材料を塗布して感光性材料層を形成する。そして、形成したいバンク形状に合わせて感光性材料層に対して紫外線を照射することで、所定の開口部41a,41b,41c,41d,41eを備えたバンク41を形成する。バンク41の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が用いられる。バンク41は、ポリシラザンを含む液体材料等を用いて形成した無機物の構造体であってもよい。
具体的には、第1層L1におけるソース線30の一部と半導体層11のソース領域とを含む領域を開口する開口部41aがソース電極の形成位置に対応しており、第1層L1における画素電極20の一部と半導体層11のドレイン領域とを含む領域を開口する開口部41bがドレイン電極に対応している。ソース線30とゲート線31との交差位置において分割された両ソース線30の各一部を開口する開口部41cと、ソース線30と容量線27との交差位置において分割された両ソース線30の各一部を開口する開口部41dとがそれぞれ補助導電膜に対応している。そして、ソース線30とゲート線31とによる格子パターンに囲われた開口部41dが容量部25を含む画素電極20に対応する。
なお、開口部41a,41b,41c,41dには、後述するように、ソース電極、ドレイン電極、補助導電膜の各材料インクが配置される。
すなわち、撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4プラズマ処理法)を採用することができる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。このような撥液化処理を行うことにより、バンク41には、これを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。
また、上記撥液化処理に先立って、開口部41a,41b,41c,41dの底面に露出された面を清浄化する目的で、O2プラズマを用いたアッシング処理やUV(紫外線)照射処理が必要に応じて行われる。この処理を行うことで、その露出面のバンクの残渣を除去することができ、撥液化処理後のバンク41の接触角と当該露出面の接触角との差を大きくすることができ、後段の工程でバンク41の開口部内に配される液滴を正確に開口部の内側に閉じ込めることができる。また、バンク41がアクリル樹脂やポリイミド樹脂からなるものである場合、CF4プラズマ処理に先立ってバンク41をO2プラズマに曝しておくと、よりフッ素化(撥液化)されやすくなるという性質があるので、バンク41をこれらの樹脂材料で形成している場合には、CF4プラズマ処理に先立ってO2アッシング処理を施すことが好ましい。
次に、図15に示すように、基板Pの第1層L1上に、ソース電極18、ドレイン電極19、及び補助導電膜35,36を形成する。
ゲート電極16の形成工程と、ソース線30の形成工程と、ゲート線31の形成工程とは、材料配置工程の少なくとも一部と、材料膜の熱処理の工程とを同じタイミングで行う。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、YAGレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArClなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力10W〜5000Wの範囲のものが用いられるが、本例では100W〜1000Wの範囲で十分である。
この材料インクの配置の後に、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えば基板Pを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。処理条件は、例えば加熱温度180℃、加熱時間60分間程度である。この加熱は窒素ガス雰囲気下など、必ずしも大気中で行う必要はない。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、先と同様である。また加熱時の出力も同様に100W〜1000Wの範囲とすることができる。
この材料インクの配置の後に、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えば基板Pを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる加熱処理によって行うことができる。処理条件は、例えば加熱温度180℃、加熱時間60分間程度である。この加熱は窒素ガス雰囲気下など、必ずしも大気中で行う必要はない。
また、この乾燥処理は、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、先と同様である。また加熱時の出力も同様に100W〜1000Wの範囲とすることができる。
この焼成処理は、微粒子間の電気的接触の向上、分散媒の完全除去、また、液中での分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤が導電性微粒子の表面にコーティングされている場合にはそのコーティング剤の除去、などを目的とするものである。
この熱処理及び/又は光処理は通常大気中で行われるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び/又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点(蒸気圧)、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
なお、本例では、ソース電極18及びドレイン電極19の積層構造を構成する金属材料が、上述した金属材料とされていることで、この焼成工程における熱処理を250℃以下で行うことができるようになっている。すなわち、250℃以下の加熱であっても良好な導電性を具備した電極部材を形成することができる。これにより、半導体層11における水素脱離に起因してTFT10にON抵抗の上昇やキャリア移動度の低下が生じるのを良好に防止することができ、その結果、形成されるTFTの動作信頼性の低下が回避される。
同様に、補助導電膜35,36に関して、Agからなる下層(基体層)と、Niからなる上層(被覆層)との2層構造としているが、基体層はAg以外の金属、例えばCuやAl、あるいはこれらの金属を主成分とする合金であってもよく、被覆層はNi以外のTiやW、Mn、あるいはこれらの金属を主成分とする合金であってもよい。また、その構造は2層に限らない。さらに、積層される膜ごとに焼成処理を行ってもよい。
さらに、構成要素の形成材料や形成手段の選択の幅が広がれば、それらを含む画素構造の性能の向上を図ることも可能である。
そして、本例の製造方法では、フォトリソグラフィ工程は、第1層L1のバンク40を形成する工程と、半導体層11をパターニングする工程と、第1層L1の上層のバンク41を形成する工程との3回であり少ないものとなっている。
本例の製造方法では、基板P上の第1層に画素電極20や容量線27を形成することから、こうした膜形成を容易に実施できる。
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する(表面エネルギーを制御する)官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
また、基板表面が所望の撥液性よりも高い撥液性を有する場合、170〜400nmの紫外光を照射したり、基板をオゾン雰囲気に曝したりすることにより、基板表面を親液化する処理を行って表面の状態を制御するとよい。
図17は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
この図に示す携帯電話1300は、本発明の液晶表示装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。
上記各実施の形態の電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、映像モニタ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。このような電子機器は、安価でありながら信頼性に優れたものとなる。
Claims (31)
- 画素電極と、該画素電極に対応するスイッチング素子とを有する画素構造であって、
前記画素電極と前記スイッチング素子とが同一の基板上に形成されており、
前記スイッチング素子における半導体層に比べて前記基板側の層に前記画素電極が配されていることを特徴とする画素構造。 - 前記画素電極が前記基板上の第1層に配されていることを特徴とする請求項1に記載の画素構造。
- 前記画素電極に対応する容量部をさらに有し、
前記画素電極と前記容量部を構成する導電線とが前記基板上の同一層に配されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の画素構造。 - 前記画素電極と前記容量部の導電線とが同一の材料膜を含むことを特徴とする請求項3に記載の画素構造。
- 前記画素電極に電気的に接続された補助電極が、絶縁膜を間に挟んで前記容量部の導電線を覆っていることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の画素構造。
- 前記画素電極、前記容量部の導電線、前記補助電極、及び前記絶縁膜がそれぞれ透光性の膜からなることを特徴とする請求項5に記載の画素構造。
- 前記基板には、前記画素電極及び/又は前記容量部を区画するバンクが形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の画素構造。
- 前記スイッチング素子が薄膜トランジスタであり、
前記スイッチング素子におけるゲート電極と前記画素電極とが前記基板上の同一層に配されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の画素構造。 - 前記基板には、前記画素電極及び/又は前記ゲート電極を区画するバンクが形成されていることを特徴とする請求項8に記載の画素構造。
- ゲート線とソース線とがさらに、前記基板上の前記画素電極と同一層に配されていることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の画素構造。
- 前記ゲート電極と前記ゲート線と前記ソース線とが同一の材料膜を含むことを特徴とする請求項10に記載の画素構造。
- 前記基板上には、前記ゲート線及び/又は前記ソース線を区画するバンクが形成されていることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の画素構造。
- 請求項1から請求項12のいずれかに記載の画素構造を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。
- 画素電極と、該画素電極に対応するスイッチング素子とを有するアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
基板上に前記スイッチング素子の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の形成前に、前記基板上に前記画素電極を形成する工程とを有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記画素電極の形成工程では、蒸着法、スパッタ法、及び液相法のうちの少なくとも1つを用いることを特徴とする請求項14に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 液相法を用いた前記画素電極の形成工程は、前記画素電極の配置領域を区画する区画部を前記基板上に形成する工程と、前記区画部で区画された領域に前記画素電極の液体材料を配置する工程と、前記画素電極の材料膜を熱処理する工程とを含むことを特徴とする請求項15に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記区画部は、バンクまたは前記画素電極の材料に対して撥液性を示す領域であることを特徴とする請求項16に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- フォトリソグラフィ法を用いて前記バンクを形成することを特徴とする請求項17に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 自己組織化膜を用いて前記撥液性を示す領域を形成することを特徴とする請求項17に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記半導体層の形成前に、前記画素電極に対応する容量部を前記基板上に形成する工程をさらに有しており、
前記画素電極の形成工程と前記容量部の形成工程とは、区画部の形成、材料配置、及び材料膜の熱処理のうちの少なくとも1つの工程を同じタイミングで行うことを特徴とする請求項14から請求項19のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記スイッチング素子が薄膜トランジスタであり、
前記半導体層の形成前に、ゲート電極を前記基板上に形成する工程をさらに有しており、
前記ゲート電極の形成工程では、液相法を用いることを特徴とする請求項14から請求項20のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記画素電極の形成工程と前記ゲート電極の形成工程とは、区画部の形成、及び材料膜の熱処理のうちの少なくとも1つの工程を同じタイミングで行うことを特徴とする請求項21に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記半導体層に電気的に接続されるドレイン電極の形成工程とソース電極の形成工程とをさらに有しており、
前記ドレイン電極の形成工程と前記ソース電極の形成工程とでは、液相法を用いることを特徴とする請求項21または請求項22に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記ドレイン電極の形成と同時に、該ドレイン電極を介した前記半導体層と前記画素電極との電気的接続を行うことを特徴とする請求項23に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記ソース電極の形成と同時に、該ソース電極を介した前記半導体層と前記ソース線との電気的接続を行うことを特徴とする請求項23に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 互いに交差するゲート線及びソース線を前記基板上に形成する工程をさらに有しており、
前記ゲート線及び前記ソース線の形成工程では、液相法を用いることを特徴とする請求項21から請求項25のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 前記ゲート線及び前記ソース線の形成工程は、前記半導体層の形成前に交差部分で一方の線が分割された交差パターンの導電膜を形成する第1工程と、前記半導体層の形成後に前記分割された導電膜を電気的に接続する第2工程とを含むことを特徴とする請求項25に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記ゲート線及び前記ソース線の形成における前記第1工程と、前記ゲート電極の形成工程とは、区画部の形成、材料配置、及び材料膜の熱処理のうちの少なくとも1つの工程を同じタイミングで行うことを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 前記ゲート線及び前記ソース線の形成における前記第2工程と、前記ドレイン電極の形成工程と、前記ソース電極の形成工程とでは、区画部の形成、材料配置、及び材料膜の熱処理のうちの少なくとも1つの工程を同じタイミングで行うことを特徴とする請求項27または請求項28に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
- 請求項13に記載のアクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項31に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005064988A JP2006251120A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 画素構造、アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
TW095106123A TWI301322B (en) | 2005-03-09 | 2006-02-23 | Pixel structure, active matrix substrate, method of manufacturing active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus |
US11/365,891 US7567309B2 (en) | 2005-03-09 | 2006-02-28 | Pixel electrodes and switching elements formed on same substrate in openings of insulating film formed on the substrate |
KR1020060019152A KR100772072B1 (ko) | 2005-03-09 | 2006-02-28 | 화소 구조, 액티브 매트릭스 기판, 액티브 매트릭스 기판의제조 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 |
CN200610058869A CN100592516C (zh) | 2005-03-09 | 2006-03-08 | 像素构造、有源矩阵基板及其制造方法及相关装置及设备 |
CN2010100021048A CN101770127B (zh) | 2005-03-09 | 2006-03-08 | 像素构造、有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、电光学装置以及电子设备 |
DE602006002146T DE602006002146D1 (de) | 2005-03-09 | 2006-03-08 | Aktivmatrixsubstrat, Verfahren zur Herstellung eines Aktivmatrixsubstrats, elektrooptische Vorrichtung und elektronische Vorrichtung |
EP06004715A EP1701206B1 (en) | 2005-03-09 | 2006-03-08 | Active matrix substrate, method of manufacturing an active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005064988A JP2006251120A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 画素構造、アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006251120A true JP2006251120A (ja) | 2006-09-21 |
Family
ID=36579380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005064988A Withdrawn JP2006251120A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 画素構造、アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7567309B2 (ja) |
EP (1) | EP1701206B1 (ja) |
JP (1) | JP2006251120A (ja) |
KR (1) | KR100772072B1 (ja) |
CN (2) | CN101770127B (ja) |
DE (1) | DE602006002146D1 (ja) |
TW (1) | TWI301322B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295121A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-10-26 | Future Vision:Kk | 薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2008258480A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法、画素アレイの製造方法 |
JP2009098418A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Ricoh Co Ltd | アクティブマトリクス基板及び電子表示装置 |
KR101064887B1 (ko) | 2008-11-27 | 2011-09-16 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 단차 사이 배선 구조 및 단차 사이 배선 방법 |
JP2013030730A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-02-07 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法、表示装置ならびに電子機器 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101219038B1 (ko) | 2004-10-26 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US7601567B2 (en) * | 2005-12-13 | 2009-10-13 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of preparing organic thin film transistor, organic thin film transistor, and organic light-emitting display device including the organic thin film transistor |
US20110171426A1 (en) * | 2005-12-27 | 2011-07-14 | Industrial Technology Research Institute | Hard water-repellent structure and method for making the same |
TWI322833B (en) * | 2005-12-27 | 2010-04-01 | Ind Tech Res Inst | Water-repellent structure and method for making the same |
KR101187205B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2012-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP4356740B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2009-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 配線パターン形成方法、デバイスおよび電子機器 |
US7968388B2 (en) * | 2007-08-31 | 2011-06-28 | Seiko Epson Corporation | Thin-film device, method for manufacturing thin-film device, and display |
US8168532B2 (en) * | 2007-11-14 | 2012-05-01 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing a multilayer interconnection structure in a semiconductor device |
JP5638833B2 (ja) * | 2010-04-22 | 2014-12-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置及びその製造方法 |
KR101873448B1 (ko) * | 2011-07-15 | 2018-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4889411A (en) * | 1985-08-02 | 1989-12-26 | General Electric Company | Process and structure for thin film transistor with aluminum contacts and nonaluminum metallization in liquid crystal displays |
JPH02170135A (ja) | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Nec Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ |
JPH0695147A (ja) | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JPH0961835A (ja) | 1995-08-22 | 1997-03-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示基板およびその製造方法 |
CN1221843C (zh) | 1995-10-03 | 2005-10-05 | 精工爱普生株式会社 | 有源矩阵基板、液晶显示装置及其防止静电破坏的方法 |
KR100333983B1 (ko) * | 1999-05-13 | 2002-04-26 | 윤종용 | 광시야각 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및그의 제조 방법 |
US6838696B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-01-04 | Advanced Display Inc. | Liquid crystal display |
JP2001339072A (ja) | 2000-03-15 | 2001-12-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
JP3597769B2 (ja) | 2000-09-18 | 2004-12-08 | シャープ株式会社 | 電子部品の製造方法 |
JP4042099B2 (ja) | 2002-04-22 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器 |
JP3823981B2 (ja) | 2003-05-12 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | パターンと配線パターン形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP4344270B2 (ja) | 2003-05-30 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
KR20050003249A (ko) * | 2003-06-30 | 2005-01-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구동회로 일체형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 |
JP2006065020A (ja) | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置並びに電子機器 |
-
2005
- 2005-03-09 JP JP2005064988A patent/JP2006251120A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-02-23 TW TW095106123A patent/TWI301322B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-02-28 US US11/365,891 patent/US7567309B2/en active Active
- 2006-02-28 KR KR1020060019152A patent/KR100772072B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-03-08 DE DE602006002146T patent/DE602006002146D1/de active Active
- 2006-03-08 CN CN2010100021048A patent/CN101770127B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-08 CN CN200610058869A patent/CN100592516C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-08 EP EP06004715A patent/EP1701206B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295121A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-10-26 | Future Vision:Kk | 薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4516518B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2010-08-04 | 株式会社フューチャービジョン | 薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置及びその製造方法 |
US7995180B2 (en) | 2005-03-15 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing liquid crystal display device comprising a crossing portion connecting line and a light transmission type photosensitive resin having openings |
JP2008258480A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜トランジスタの製造方法、画素アレイの製造方法 |
JP2009098418A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Ricoh Co Ltd | アクティブマトリクス基板及び電子表示装置 |
KR101064887B1 (ko) | 2008-11-27 | 2011-09-16 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 단차 사이 배선 구조 및 단차 사이 배선 방법 |
JP2013030730A (ja) * | 2011-06-20 | 2013-02-07 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法、表示装置ならびに電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101770127B (zh) | 2012-05-16 |
CN100592516C (zh) | 2010-02-24 |
TW200636980A (en) | 2006-10-16 |
CN101770127A (zh) | 2010-07-07 |
US20060202202A1 (en) | 2006-09-14 |
TWI301322B (en) | 2008-09-21 |
DE602006002146D1 (de) | 2008-09-25 |
CN1832173A (zh) | 2006-09-13 |
KR20060097596A (ko) | 2006-09-14 |
EP1701206A1 (en) | 2006-09-13 |
KR100772072B1 (ko) | 2007-10-31 |
EP1701206B1 (en) | 2008-08-13 |
US7567309B2 (en) | 2009-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100772072B1 (ko) | 화소 구조, 액티브 매트릭스 기판, 액티브 매트릭스 기판의제조 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 | |
KR100726273B1 (ko) | 박막트랜지스터, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 | |
JP4200983B2 (ja) | 膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2004363561A (ja) | パターンとその形成方法、デバイスとその製造方法、電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
US7556991B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor, electro-optical device, and electronic apparatus | |
US7799407B2 (en) | Bank structure, wiring pattern forming method, device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP4438685B2 (ja) | 透明導電膜とその形成方法、電気光学装置、及び電子機器 | |
US7847903B2 (en) | Pixel electrode, method for forming the same, electrooptical device, and electronic apparatus | |
US20060257797A1 (en) | Bank structure, wiring pattern forming method, device, electro-optical device, and electronic apparatus | |
JP2007142022A (ja) | 金属配線とその製造方法、薄膜トランジスタ、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP4572868B2 (ja) | 配線パターン形成方法、非接触型カード媒体の製造方法、電気光学装置の製造方法及びアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
JP2007115743A (ja) | パターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器 | |
JP4729975B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2006142147A (ja) | 液滴吐出装置の整備方法、液滴吐出装置、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP4892822B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP4517584B2 (ja) | 線パターン形成方法およびデバイスの製造方法 | |
JP4453651B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 | |
JP2006140316A (ja) | 導電膜の形成方法、薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2007116050A (ja) | パターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器 | |
JP2007243114A (ja) | 薄膜パターン形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2007115742A (ja) | パターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20091110 |