JP2006251119A - 電気光学装置及びその駆動方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 液晶等の電気光学装置において、例えばフィールド反転駆動の如く、相隣接する画素電極の電位を同極性で駆動しつつ、縦電界の歪みを低減し、よって高品位の画像表示を可能にする。
【解決手段】 電気光学装置は、第１基板に、複数の画素電極と、複数のデータ線及び複数の走査線と、複数のスイッチング素子と、複数の画素電極をフィールド反転駆動方式で駆動するための駆動部と、基板上で平面的に見て複数の画素電極の間隙に位置し、画素電極の下層側に層間絶縁膜を介して位置する間隙導電膜とを備え、第２基板に、対向電極を備える。更に、間隙導電膜の電位を、フィールド反転駆動方式で複数の画素電極が正フィールドに駆動される際に所定電位に対して正側の電位に設定し、フィールド反転駆動方式で複数の画素電極が負フィールドに駆動される際に所定電位に対して負側の電位に設定する交流電源部とを備える。
【選択図】 図９

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその駆動方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

例えば液晶装置等の電気光学装置では、液晶等の電気光学物質に対して直流電界が印加されることによる該電気光学物質の劣化を防いだり、表示画像におけるフリッカを低減するのが望ましい。このため、対向電極と画素電極との間で電気光学物質に印加される電界が、適当な周期で正極性と負極性とに交互になるように反転駆動を行うことが一般的である。例えば、一画面毎に即ち１フィールド期間毎或いは１垂直走査期間毎に、極性を反転させるフィールド反転駆動がある。

他方、この種の電気光学装置では、液晶等の電気光学物質を挟持する個々の画素電極と対向電極との間に、画素毎に縦電界、即ち基板面に垂直である縦方向の電界を発生させて、該縦電界によって画素毎に電気光学物質を駆動することが一般的である。

特開２００４−１７０９１２号公報

しかしながら、複数の画素電極がマトリクス状に形成された基板上には、それらの下層側に各種配線や各種電子素子を構成する、各種電位に振られる或いは固定される各種導電膜が作り込まれている。しかも、このような各種導電膜は、平面的に見て各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過や反射により出射する領域）を狭めないように、開口領域を除く各画素の非開口領域に配置されることが多い。このため、平面的に見て相隣接する画素電極の間隙に存在する各種導電膜の電位による影響で、個々の画素電極と対向電極との間に発生される縦電界は、実際には、大なり小なり歪められる。このため、各画素の開口領域の縁付近では、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生して、これにより光抜け或いは光漏れが生じる。よって最終的には、表示画像におけるコントラスト比が低下してしまう、特に黒表示における黒が、光抜けの程度に応じて白っぽくなってしまうという技術的問題点がある。

本発明は、上記問題点に鑑み成されたものであり、例えば上述したフィールド反転駆動の如く、相隣接する画素電極の電位が同極性で駆動されつつ、縦電界の歪みが低減されており、よって高品位の画像表示が可能である電気光学装置及びその駆動方法、並びに該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１基板に、(i)画像表示領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、(iii)該複数のデータ線及び複数の走査線に電気的に接続されており前記複数の画素電極へ供給される画像信号をスイッチング制御する複数のスイッチング素子と、(iv) 少なくとも前記画像表示領域の一部である部分領域について、前記複数の画素電極に対応する画素部をフィールド反転駆動方式で駆動するように、前記走査線に走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給する駆動部と、（v）前記基板上で平面的に見て前記複数の画素電極の間隙に位置すると共に、前記画素電極の下層側に層間絶縁膜を介して位置する間隙導電膜とを備え、前記第２基板に、前記複数の画素電極に対向配置された対向電極を備え、前記間隙導電膜の電位を、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が正フィールドに駆動される際に所定電位に対して正側の電位に設定し、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が負フィールドに駆動される際に前記所定電位に対して負側の電位に設定する電源部を備える。

本発明の電気光学装置によれば、その駆動時には、ビデオデッキやパーソナルコンピュータ等からソース信号が供給される。そして、電気光学装置の少なくとも前記画像表示領域の一部である部分領域において、次のようにフィールド反転駆動方式の駆動が行われる。

駆動部は、例えば、１フィールド期間で、画像表示領域を垂直走査するように、画像信号を生成する。また、駆動部は、画像信号を、基準電位に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。例えば、１フィールド期間毎に、これらの極性を基準電位に対して反転させる。駆動部は、１フィールド期間に、水平同期信号に基づくタイミングで走査信号を生成し、画像表示領域に、例えば、線順次など、順番に走査信号を出力する。

駆動部から供給された画像信号が、画像表示領域において走査信号が供給されている走査線に対応するスイッチング素子にデータ線を介して供給される。これらのスイッチング素子に電気的に接続された画素電極には、例えば、走査線より走査信号が供給されて薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、”ＴＦＴ”と称する）等のスイッチング素子がオン状態とされることにより、スイッチング素子を介して対応するデータ線より画像信号が供給される。このため、液晶等の電気光学物質を狭持する画素電極と対向電極との間に画像信号に基づいて電圧が印加され、画素電極と対向電極との間に縦電界、即ち、基板面に垂直である縦方向の電界が発生する。この縦電界によって、画素毎に液晶等の電気光学物質が駆動され、画像表示が行われる。

以上のような駆動方式では、例えば1フィールド期間毎に、画像信号の極性が基準電位に対して反転され、複数の画素電極に対応する画素部は、正フィールド或いは負フィールドに駆動される。即ち、フィールド反転駆動方式が行われる。

ここで特に、複数の画素電極が画像表示領域に配列された第１基板上には、それらの下層側に複数のデータ線や複数の走査線等の各種配線や複数の画素電極へ供給される画像信号をスイッチング制御する複数のスイッチング素子等の各種電子素子を構成する、各種電位に振られる或いは固定される各種導電膜が作り込まれている。しかも、このような各種導電膜は、開口領域を除く各画素の非開口領域に配置されている。このため、仮に何らの対策も施さねば、基板上で平面的に見て相隣接する画素電極の間隙に存在する導電膜である間隙導電膜の電位による影響で、個々の画素電極と対向電極との間に発生する縦電界は、実際には、大なり小なり歪められてしまう。

しかるに本発明の電気光学装置によれば、例えば交流電源部である電源部は、基板上で平面的に見て複数の画素電極の間隙に位置する間隙導電膜の電位を、上述したフィールド反転駆動方式で複数の画素電極に対応する画素部が正フィールドに駆動される際に、例えば対向電極電位等の所定電位に対して正側の電位に設定する。このため、間隙導電膜の電位による縦電界への影響を低減することができる、即ち、間隙導電膜の電位が複数の画素電極の電位よりも低いことにより或いは間隙導電膜と対向電極との間隔が画素電極と対向電極との間隔よりも広いことにより、各画素の開口領域の縁付近において、画素電極と対向電極との間に発生する縦電界が、歪められてしまうことを防止することができる。一方、フィールド反転駆動方式で複数の画素電極に対応する画素部が負フィールドに駆動される際には、電源部は、間隙導電膜の電位を、例えば対向電極電位等の所定電位に対して負側の電位に設定する。このため、正フィールドに駆動される際と同様に間隙導電膜の電位による縦電界への影響を低減することができる。ここで、本発明に係る「所定電位」とは、例えば、対向電極の電位や、接地電位、固定電位、或いは基準電位である。但し、正フィールドに駆動される際に設定される正側の電位が、電源部が存在しない場合と比較して正側の電位であり、且つこれに代えて又は加えて負フィールドに駆動される際に設定される負側の電位が、電源部が存在しない場合と比較して負側の電位である限り、上述した本発明における効果は多少なりとも得られる。即ち、所定電位は、対向電極電位等に限られない。

尚、電源部は、第１基板上に備えられてもよいし、第１基板に接続される外部回路内に構築されてもよい。後者の場合、外部回路は、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）やフラットパッケージにより、第１基板に実装され、電源部は、第１基板に設けられた外部回路接続端子を介して間隙導電膜まで供給されることになる。

以上の結果、各画素の開口領域の縁付近で、縦電界が歪められることを防止できるので、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生するのを防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。よって最終的には、表示画像におけるコントラスト比の低下、特に黒表示における黒が、光抜けの程度に応じて白っぽくなってしまうという不具合の発生を防止することが可能となる。

尚、中間調表示や白表示に対応する画像信号の電圧レベルは、或いは、階調と画像信号の電位レベルとの関係は、電源部が存在しない場合と比較して、電源部より設定される電位に応じて変更されている。これにより、黒表示をより黒くしつつ、黒表示以外の階調表示の際に、例えば中間調表示や白表示等の階調表示を行う際に、意図した階調から、実際の階調が外れる事態を未然に防ぐことが可能となる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記電源部は、前記間隙導電膜の電位を、前記正側の電位に設定する際に、前記正側の電位として前記複数の画素電極の最も高い電位以上の電位に設定し、前記負側の電位に設定する際に、前記負側の電位として前記複数の画素電極の最も低い電位以下の電位に設定する。

この態様によれば、正側の電位に設定する際に、間隙導電膜の電位は、電源部によって、正側の電位として複数の画素電極の最も高い電位以上の電位に設定される。このため、間隙導電膜が、画素電極よりも下層側に位置することにより、等しい電位である位置が間隙導電膜側にずれることを防止し、縦電界の歪みが生じることを防止することができる。一方、負側の電位に設定する際に、間隙導電膜の電位は、電源部によって、負側の電位として複数の画素電極の最も低い電位以下の電位に設定される。このため、正側の電位に設定する際と同様に、縦電界の歪みが生じることを防止することができる。従って、正側及び負側の電位のいずれに設定する際にも、縦電界の歪みが生じることを防止することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記電源部は、前記間隙導電膜の電位を、前記正側及び前記負側の電位に夫々設定する際に、前記画素電極として前記画像表示領域内で黒表示を行う画素に対応する画素電極と前記対向電極との間における縦電界が最も垂直に近付く電位に設定する。

この態様によれば、正側及び負側の電位に夫々設定する際に、間隙導電膜の電位は、電源部によって、画素電極として画像表示領域内で黒表示を行う画素に対応する画素電極と対向電極との間における縦電界が最も垂直に近付く電位に設定される。このため、黒表示を行う画素における黒が、画素電極の間隙における光抜けによって白っぽくなってしまうという不具合の発生を防止できる。ここに「垂直」とは、黒表示の際の画素電極の間隙における光抜けを或いは該光抜けによるコントラスト比の低下を、製品仕様上で許容される程度に低減するに十分な範囲で垂直に近ければよい趣旨であり、即ち、文字通りの垂直の他、実質的に垂直である場合を含む意味である。従ってまた、このような実質的に垂直な範囲とは、製品に要求される性能或いは製品仕様に応じて設定される性質のものであり、その設定は、実験的、経験的、シミュレーション等により個別具体的に行えば足りる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記駆動部は、前記複数の走査線に対して順番に、走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記画像表示領域を、表示データに係るフィールド期間をｎ（但し、ｎは２以上の自然数）で割った１／ｎフィールド期間で垂直走査すると共に前記表示データに係る水平走査期間を前記ｎで割った１／ｎ水平走査期間で水平走査するように、前記表示データに基づいて画像信号を生成して前記複数のデータ線に供給する画像信号供給回路とを含む。

この態様によれば、その駆動時には、次のように倍速Ｖ反転駆動方式等の駆動が行われる。

即ち、画像信号供給回路は、表示データに係るフィールド期間を前述のｎで割った１／ｎフィールド期間で、画像表示領域を垂直走査するように、画像信号を生成する。フィールド期間は、表示データに係る垂直同期信号により規定される。また、典型的には、画像信号供給回路は、画像信号を、基準電位に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。例えば、表示データに係る１フィールド期間毎に、これらの極性を基準電位に対して反転させる。走査線駆動回路は、１フィールド期間に、水平同期信号に基づくタイミングで走査信号を生成し、画像表示領域の複数の走査線に、例えば線順次など、順番に走査信号を出力する。例えば、１水平走査期間に、画像信号供給回路から供給された画像信号が、走査信号が供給されている走査線に対応するスイッチング素子にデータ線を介して供給される。これらのスイッチング素子に電気的に接続された画素電極には、例えば、走査線より走査信号が供給されてＴＦＴ等のスイッチング素子がオン状態とされることにより、スイッチング素子を介して対応するデータ線より画像信号が供給される。このため、画素電極と対向電極間の液晶等の電気光学物質には画像信号に基づいて電圧が印加され、画像表示が行われる。以上のような駆動では画像信号は、例えば、表示データに係る１フィールド期間毎に、画像信号の極性が基準電位に対して反転され、複数の画素電極は、正フィールド或いは負フィールドに駆動されることとなる。ここで特に、電源部は、基板上で平面的に見て複数の画素電極の間隙に位置する間隙導電膜の電位を、上述した倍速Ｖ反転駆動方式等で複数の画素電極が正フィールドに駆動される際に、例えば対向電極電位等の所定電位に対して正側の電位に設定する。このため、間隙導電膜の電位による縦電界への影響を低減することができる。一方、倍速Ｖ反転駆動方式等で複数の画素電極が負フィールドに駆動される際には、電源部は、間隙導電膜の電位を、例えば対向電極電位等の所定電位に対して負側の電位に設定する。このため、正フィールドに駆動される際と同様に間隙導電膜の電位による縦電界への影響を低減することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記駆動部は、前記画像表示領域を、前記走査線に沿う分割線により分割して得られる複数の部分領域について、該複数の部分領域に対して交替に且つ各部分領域における前記複数の走査線に対して順番に、走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記複数の部分領域の各々を、表示データに係る水平走査期間をｎ（但し、ｎは２以上の自然数）で割った１／ｎ水平走査期間で水平走査するように、前記表示データに基づいて画像信号を生成して前記複数のデータ線に供給する画像信号供給回路とを含む。

この態様によれば、その駆動時には、次のように領域走査倍速Ｖ反転駆動方式等の駆動が行われる。

即ち、画像信号供給回路は、表示データに係る垂直走査期間或いはフィールド期間を、前述のｎで割った１／ｎフィールド期間で、画像表示領域を垂直走査するように、画像信号を生成する。水平走査期間は、表示データに係る水平同期信号により規定される。垂直走査期間或いはフィールド期間は、表示データに係る垂直同期信号により規定される。また、典型的には、画像信号供給回路は、画像信号を、基準電位に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。例えば、表示データに係る１フィールド期間毎に、これらの極性を基準電位に対して反転させる。走査線駆動回路は、１フィールド期間に、水平同期信号に基づくタイミングで走査信号を生成し、各部分領域に交替に且つ複数の走査線に、例えば線順次など、順番に走査信号を出力する。例えば、複数の部分領域は、分割線により分割して得られる二つの部分領域であり、走査線駆動回路は、これら二つの部分領域に対して交互に且つ各部分領域における走査線に対して線順次に走査信号を供給する。但し、複数の部分領域は夫々、分割線により分割して得られる四つの部分領域であり、走査線駆動回路は、これら四つの部分領域に対して交替に且つ各部分領域における走査線に対して線順次に走査信号を供給するように構成してもよい。尚、本発明に係る“複数ｎ”は、典型的には、複数の部分領域の総数に等しい。但し、複数の部分領域の総数と比べて多い又は少ない２以上の自然数であってもよい。

１水平走査期間の前半に位置する１／２水平走査期間に、画像信号供給回路から供給された画像信号が、一方の部分領域において走査信号が供給されている走査線に対応するスイッチング素子にデータ線を介して供給される。これらのスイッチング素子に電気的に接続された画素電極には、例えば、走査線より走査信号が供給されてＴＦＴ等のスイッチング素子がオン状態とされることにより、スイッチング素子を介して対応するデータ線より画像信号が供給される。このため、画素電極と対向電極間の液晶等の電気光学物質には画像信号に基づいて電圧が印加され、画像表示が行われる。また、１水平走査期間の後半に位置する１／２水平走査期間に、画像信号供給回路から供給された画像信号が、他方の部分領域において走査信号が供給されている走査線に対応する画素電極にデータ線を介して供給される。このため、これらの画素電極と対向電極間の液晶等の電気光学物質には、一方の部分領域における電気光学物質と同様に電圧が印加され、画像表示が行われる。

以上のような駆動では、画像信号は、例えば、表示データに係る１フィールド期間毎に、画像信号の極性が基準電位に対して反転され、複数の画素電極は、正フィールド或いは負フィールドに駆動されることとなる。

ここで特に、電源部は、基板上で平面的に見て複数の画素電極の間隙に位置する間隙導電膜の電位を、上述した領域走査倍速Ｖ反転駆動方式等で複数の画素電極が正フィールドに駆動される際に、例えば対向電極電位等の所定電位に対して正側の電位に設定する。このため、間隙導電膜の電位による縦電界への影響を低減することができる。一方、領域走査倍速Ｖ反転駆動方式等で複数の画素電極が負フィールドに駆動される際には、電源部は、間隙導電膜の電位を、例えば対向電極電位等の所定電位に対して負側の電位に設定する。このため、正フィールドに駆動される際と同様に間隙導電膜の電位による縦電界への影響を低減することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記間隙導電膜は、前記画素電極に容量を付加する蓄積容量の容量線又は固定電位側容量電極の少なくとも一部を兼ねる。

この態様によれば、間隙導電膜は、画素電極に容量を付加する蓄積容量の容量線又は固定電位側容量電極の少なくとも一部を兼ねているので、新たに間隙導電膜を追加しなくても、これら容量線又は固定電位線よって、各画素の開口領域の縁付近で、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生を防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記間隙導電膜は、前記間隙における光抜けを防止するための遮光膜及び前記スイッチング素子を遮光するための遮光膜のうち少なくとも一方の一部を兼ねる
この態様によれば、間隙導電膜は、間隙における光抜けを防止するための遮光膜及びスイッチング素子を遮光するための遮光膜のうち少なくとも一方の一部を兼ねているので、新たに間隙導電膜を追加しなくても、これら遮光膜の少なくとも一方の一部によって、各画素の開口領域の縁付近で、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生を防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記間隙導電膜は、前記電源部により電位が設定されるために専用の透明導電膜を含んでなる。

この態様によれば、間隙導電膜は、基板上の他の導電膜とは別の専用の透明導電膜からなるので、他の導電膜を兼ねて構成する場合と比較して設計自由度が高く、より効果的に各画素の開口領域の縁付近で、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生を防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてDLP（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。

本発明の電気光学装置の駆動方法は、上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、（Ｉ）前記第１基板に、(i)画像表示領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、(iii)該複数のデータ線及び複数の走査線に電気的に接続されており前記複数の画素電極へ供給される画像信号をスイッチング制御する複数のスイッチング素子と、(iv) 少なくとも前記画像表示領域の一部である部分領域について、前記複数の画素電極に対応する画素部をフィールド反転駆動方式で駆動するように、前記走査線に走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給する駆動部と、（v）前記基板上で平面的に見て前記複数の画素電極の間隙に位置すると共に、前記画素電極の下層側に層間絶縁膜を介して位置する間隙導電膜とを備え、（ＩＩ）前記第２基板に、前記複数の画素電極に対向配置された対向電極を備えた電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、前記駆動部によって、少なくとも前記部分領域について、前記複数の画素電極を前記フィールド反転駆動方式で駆動する駆動工程と、前記間隙導電膜の電位を、少なくとも前記部分領域について、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が正フィールドに駆動される際に、所定電位に対して正側の電位に設定する正電位設定工程と、前記間隙導電膜の電位を、少なくとも前記部分領域について、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が負フィールドに駆動される際に、前記所定電位に対して負側の電位に設定する負電位設定工程とを備える。

本発明の電気光学装置の駆動方法によれば、前述した本発明の電気光学装置の場合と同様に、間隙導電膜の電位を、少なくとも部分領域について、フィールド反転駆動方式で複数の画素電極に対応する画素部が正フィールドに駆動される際に、所定電位に対して正側の電位に設定し、フィールド反転駆動方式で複数の画素電極に対応する画素部が負フィールドに駆動される際に、所定電位に対して負側の電位に設定する。従って、各画素の開口領域の縁付近で、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生を防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。よって最終的には、表示画像におけるコントラスト比の低下、特に黒表示における黒が、光抜けの程度に応じて白っぽくなってしまうという不具合の発生を防止することが可能となる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置を、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

（第１実施形態）
第１実施形態の液晶装置について、図１から図１０を参照して説明する。

先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態の液晶装置の液晶パネルの全体構成について、説明する。ここに図１は、本実施形態の液晶装置の液晶パネルの構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態の液晶装置おける液晶パネル１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路１０１ｂが額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、図３及び図４を参照して、液晶装置の電気的な全体構成について説明する。ここに、図３は、液晶装置の全体構成を示すブロック図であり、図４は、液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。

図３に示すように、液晶装置は、主要部として、液晶パネル１００、画像信号供給回路５０３、タイミング制御回路５０４、フレームメモリ６１、表示データ生成回路５０２、並びに電源回路７００を備える。

表示データ生成回路５０２は、例えばビデオデッキやパーソナルコンピュータ等から供給されるソース信号ＤＡＴＡに基づいて、水平同期信号Ｈｓ及び垂直同期信号Ｖｓ、ドットクロックＤＣＬＫ、並びに表示データＤ０を生成する。

タイミング制御回路５０４は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路５０４は、表示データ生成回路５０２から供給される水平同期信号Ｈｓ、垂直同期信号Ｖｓ及びドットクロックＤＣＬＫに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＸＣＬｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。更に、タイミング制御回路５０４において、走査信号の出力タイミングを決定するイネーブル信号ＥＮＢが生成される。

画像信号供給回路５０３には、表示データ生成回路５０２から水平同期信号Ｈｓ、垂直同期信号Ｖｓ、ドットクロックＤＣＬＫ、及び表示データＤ０が供給される。画像信号供給回路５０３は、表示データＤ０に基づいて、フィールドデータを生成し、後述するように一の走査線に対して走査信号が供給される周期で、生成したフィールドデータをフレームメモリ６１に一時期的に蓄えると共に、他方からは蓄積したフィールドデータを読み出す。尚、フィールドデータには、一画面を表示するための表示データが含まれている。

そして、画像信号供給回路５０３は、読み出したフィールドデータに対して所定の処理を行う。この所定の処理の一例として、画像信号供給回路５０３では、例えばフィールドデータをシリアル−パラレル変換して、即ち相展開して、Ｎ相、例えば６相（Ｎ＝６）の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を生成することがある。更に、画像信号供給回路５０３は、生成した画像信号ＶＩＤｋ（但し、ｋ＝１、２、・・・、６）の電圧を、所定の基準電位ｖ０に対して正極性及び負極性に反転した後、画像信号ＶＩＤｋを出力する。

また、電源回路７００は、所定の共通電位ＬＣＣの共通電源を、図２に示す対向電極２１に供給する。対向電極２１は、図２に示す対向基板２０の下側に、複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。

次に、図２及び図４を参照して、液晶パネル１００における電気的な構成について説明する。

図２に示すように、液晶パネル１００には、そのＴＦＴアレイ基板１０の周辺領域に、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１を含む内部駆動回路が設けられている。

図４において、走査線駆動回路１０４は、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給されることによって、基本的な線順次の水平走査が可能となっている。更に、走査線駆動回路１０４は、供給されたイネーブル信号ＥＮＢに基づくタイミングで、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｙを出力する。

データ線駆動回路１０１の主要部には、サンプリング信号供給回路１０１ａ、及びサンプリング回路１０１ｂが含まれる。サンプリング信号供給回路１０１ａには、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。サンプリング信号供給回路１０１ａは、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、・・・、Ｓｘを順次生成して出力する。

サンプリング回路１０１ｂは、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ２０２を複数備える。

液晶パネル１００は更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、縦横に配線されたデータ線６ａ及び走査線１１ａを備え、それらの交点に対応する各画素部７７に、マトリクス状に配列された液晶素子１１８の画素電極９ａ及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０を備える。

尚、本実施形態では特に、走査線１１ａの総本数をｙ本（但し、ｙは２以上の自然数）とし、データ線６ａの総本数をｘ本（但し、ｘは２以上の自然数）として説明する。

前述したように、例えば、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は夫々、画像信号線１７１を介して液晶パネル１００に供給される。

サンプリング回路１０１ｂにおいて、６個のサンプリングスイッチ２０２を１群とし、１群に属するサンプリングスイッチ２０２には夫々、サンプリング信号Ｓｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｘ）が入力される。１群に属するサンプリングスイッチ２０２は、６本のデータ線６ａを１群とし、１群に属するデータ線６ａに対し、サンプリング信号Ｓｉに応じて、画像信号ＶＩＤｋをサンプリングして供給する。即ち、１群に属するサンプリングスイッチ２０２を介して、１群に属するデータ線６ａと画像信号線１７１が電気的に接続される。従って、ｘ本のデータ線６ａを１群に属するデータ線６ａ毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。

図４中、一つの画素部７７の構成に着目すれば、ＴＦＴ３０のソース電極には、画像信号ＶＩＤｋが供給されるデータ線６ａが電気的に接続されている一方、ＴＦＴ３０のゲート電極には、走査信号Ｇｊ（但し、ｊ＝１、２、３、・・・、ｙ）が供給される走査線１１ａが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴ３０のドレイン電極には、液晶素子１１８の画素電極９ａが接続されている。ここで、各画素部７７において、液晶素子１１８は、画素電極９ａと対向電極２１との間に液晶を挟持してなる。従って、各画素部７７は、走査線１１ａとデータ線６ａとの各交点に対応して、マトリクス状に配列されることになる。

液晶素子１１８の画素電極９ａには、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが所定のタイミングで供給される。これにより、液晶素子１１８には、画素電極９ａ及び対向電極２１の各々の電位によって規定される印加電圧が印加される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶パネル１００からは画像信号ＶＩＤｋに応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、蓄積容量７０が、液晶素子１１８と並列に付加されている。例えば、画素電極１１８の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持されるので、保持特性が改善される結果、高コントラスト比が実現されることとなる。

次に、図５から図７を参照して、画素部における具体的な構成について説明する。ここに図５及び図６は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５及び図６は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図５）と上層部分（図６）とを分かって図示している。

また、図７は、図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図７においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

まず、図６において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、また、図５及び図６に示すように、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図５中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ’に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。

次に、電気光学装置は、図５及び図６のＡ−Ａ´線断面図たる図７に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。

ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図７に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。

一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図７に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。尚、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図５に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図６に図示されている。

（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図５のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図５のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図５のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。

（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図７に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

また、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図５に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。

尚、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図７に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。

この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図５によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。

また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。

（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図５の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。

より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。

容量電極３００は、後述する容量配線４００と電気的に接続され、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。

誘電体膜７５は、図７に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。誘電体膜７５は、図７に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。

尚、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。

（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。

そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。

（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
さて、前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図７に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図７における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図７における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図７における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。

また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図６に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。

ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。

（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。

（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
さて、前述の第４層に続けて第５層には、本発明に係る「間隙遮光膜」の一例として容量配線４００が形成されている。この容量配線４００は、平面的にみると、図６に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、交流電源部７１０と電気的に接続されることで、後述するように電位が変化する。

また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。尚、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。

他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。

（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。

（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。

次に、図３、図４及び図８を参照して、液晶装置の駆動方法について説明する。ここに図８は、画像信号供給回路における画像信号の生成について説明するための説明図である。

この液晶装置によれば、その駆動時には、図３を参照して上述したようにビデオデッキやパーソナルコンピュータ等からソース信号ＤＡＴＡが供給される。そして、水平同期信号Ｈｓ及び垂直同期信号Ｖｓ並びに表示データＤ０に基づいて、液晶装置の画像表示領域１０ａにおいて、次のようにフィールド反転駆動方式の領域走査駆動が行われる。

図３及び図４において、本発明に係る「駆動部」の一例としての画像信号供給回路５０３は、１フィールド期間で、画像表示領域１０ａを垂直走査するように、画像信号ＶＩＤｋを生成する。また、画像信号供給回路５０３は、画像信号ＶＩＤｋを、基準電位ｖ０に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。例えば、１フィールド期間毎に、これらの極性を基準電位ｖ０に対して反転させる。画像信号回路３００は、１フィールド期間に、水平同期信号Ｈｓに基づくタイミングで走査信号Ｇｊを生成し、画像表示領域１０ａに、線順次に走査信号を出力する。

画像信号供給回路５０３から供給された画像信号ＶＩＤｋが、画像表示領域１０ａにおいて走査信号Ｇｊが供給されている走査線１１ａに対応するＴＦＴ３０にデータ線６ａを介して供給される。これらのＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａには、走査線１１ａより走査信号Ｇｊが供給されてＴＦＴ３０がオン状態とされることにより、ＴＦＴ３０を介して対応するデータ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが供給される。このため、液晶層５０を狭持する画素電極９ａと対向電極２１との間に画像信号ＶＩＤｋに基づいて電圧が印加され、画素電極９ａと対向電極２１との間に縦電界、即ち、基板面に垂直である縦方向の電界が発生する。この縦電界によって、画素毎に液晶層５０が駆動され、画像表示が行われる。

以上のような駆動方式では、例えば、図８に示すように、1フィールド期間毎に、画像信号ＶＩＤｋの極性が基準電位に対して反転され、複数の画素電極９ａは、正フィールド或いは負フィールドに駆動される。即ち、フィールド反転駆動方式が行われる。ここに図８には、正極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ａとし、負極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ｂとして示してある。

次に、図３、図８、図９及び図１０を参照して、本実施形態に係る交流電源部及び容量配線について説明する。ここに図９は、容量配線の説明のための説明図であり、図５及び図６のＢ−Ｂ’断面図に相当するものである。図１０は、比較例における図９と同趣旨の説明図である。尚、図９及び図１０において、図５から図７に示した構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。また、第３層間絶縁膜４３より下層の構成については図示を省略してある。

図９において、液晶層５０中の“黒棒”及び“白棒”は夫々、画素電極９ａと対向電極２１と間に最大電圧が印加されたときの液晶分子の配向方向ＤＲ１及びＤＲ２を示している。但し、液晶層５０はノーマリーホワイトモードであり、最大電圧が印加されたときに入射光に対する透過率は最小となり、液晶パネル１００はブラック（黒色）を示すことになる。本実施形態では特に、交流電源部７１０（図３参照）は、基板上で平面的に見て複数の画素電極９ａの間隙に位置する容量配線４００の電位Ｖｂを、図８を参照して上述したフィールド反転駆動方式で複数の画素電極９ａが正フィールドに駆動される際に、本発明に係る「所定電位」の一例としての対向電極電位ＬＣＣに対して正側の電位に設定する。このため、容量配線４００の電位Ｖｂによる縦電界への影響を低減すること、即ち、等電位線Ｌ１を開口領域及び非開口領域において画素電極９ａ及び対向電極２１に殆ど沿うようにすることができる。よって、開口領域の（即ち画素電極９ａの上側に位置する）液晶分子の配向方向ＤＲ１と非開口領域の（即ち容量配線４００の上側に位置する）液晶分子の配向方向ＤＲ２を殆ど揃えることができる。仮に何らの対策も施さない場合には、図１０に示した本実施形態に係る比較例のように、画素電極９ａと対向電極２１と間に最大電圧が印加されたときに、基板上で平面的に見て相隣接する画素電極９ａの間隙に存在する導電膜である容量配線４００の電位Ｖｂによる影響で、個々の画素電極９ａと対向電極２１との間に発生する縦電界は、大なり小なり歪められてしまう（図１０中の等電位線Ｌ２を参照）。即ち、図１０に示したように、容量配線４００の電位Ｖｂが、画素電極９ａの電位Ｖａよりも低い場合には、容量配線４００の上側で等電位線Ｌ２は容量配線４００の側に近づくこととなり、非開口領域及び開口領域の縁付近で歪んでしまう。このため、非開口領域の液晶分子の配向方向ＤＲ２と共に、開口領域の縁付近の液晶分子の配向方向ＤＲ１’は、開口領域における縁付近以外の液晶分子の配向方向ＤＲ１とは異なる方向に配向してしまう。更に、容量配線４００と対向電極２１との間隔ｄ２が画素電極９ａと対向電極２１との間隔ｄ１よりも広いほど、縦電界の歪みは大きくなる傾向があり、仮に容量配線４００の電位Ｖｂが、画素電極９ａの電位Ｖａと同じの場合であっても、このような縦電界の歪みは生じてしまう。しかるに本実施形態では、上述したように交流電源部７１０によって容量配線４００を正側の電位に設定するので、容量配線４００の電位Ｖｂが画素電極９ａの電位Ｖａよりも低いことによって或いは容量配線４００と対向電極２１との間隔ｄ２が画素電極９ａと対向電極２１との間隔ｄ１よりも広いことによって、各画素の開口領域の縁付近において、画素電極９ａと対向電極２１との間に発生する縦電界が、歪められてしまうことを防止できる。一方、フィールド反転駆動方式で複数の画素電極９ａが負フィールドに駆動される際には、交流電源部７１０は、容量配線４００の電位を、対向電極電位ＬＣＣに対して負側の電位に設定する。このため、正フィールドに駆動される際と同様に容量配線４００の電位による縦電界への影響を低減することができる。

尚、交流電源部７１０は、ＴＦＴアレイ基板１０に接続される外部回路内に構築されている。外部回路は、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）やフラットパッケージにより、ＴＦＴアレイ基板１０に実装され、交流電源部７１０は、ＴＦＴアレイ基板１０に設けられた外部回路接続端子１０２を介して間隙導電膜１９０まで供給される。尚、交流電源部７１０は、ＴＦアレイ基板１０上に備えられてもよい。

以上の結果、各画素の開口領域の縁付近で、縦電界が歪められることを防止できるので、液晶層５０の配向不良等の液晶層５０の動作不良が発生するのを防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。よって最終的には、表示画像におけるコントラスト比の低下、特に黒表示における黒が、光抜けの程度に応じて白っぽくなってしまうという不具合の発生を防止することが可能となる。

尚、中間調表示や白表示に対応する画像信号の電圧レベルは、或いは、階調と画像信号の電位レベルとの関係は、交流電源部７１０が存在しない場合と比較して、交流電源部７１０より設定される電位に応じて変更されている。これにより、黒表示をより黒くしつつ、黒表示以外の階調表示の際に、例えば中間調表示や白表示等の階調表示を行う際に、意図した階調から、実際の階調が外れる事態を未然に防ぐことが可能となる。

更に本実施形態では特に、正フィールドに駆動される際に、容量配線４００の電位は、交流電源部７１０によって、正側の電位として複数の画素電極９ａの最も高い電位以上の電位に設定される。このため、容量配線４００が、画素電極９ａよりも下層側に位置することにより、等しい電位である位置が容量配線４００側にずれることを防止し、縦電界の歪みが生じることを防止することができる。一方、負フィールドに駆動される際に、容量配線４００の電位は、交流電源部７１０によって、負側の電位として複数の画素電極９ａの最も低い電位以下の電位に設定される。このため、正フィールドに駆動される際と同様に、縦電界の歪みが生じることを防止することができる。従って、正フィールド及び負フィールドのいずれに駆動される際にも、縦電界の歪みが生じることを防止することができる。

好ましくは、図３及び図９において、正フィールド及び負フィールドに夫々駆動される際に、容量配線４００の電位は、交流電源部７１０によって、画素電極９ａとして画像表示領域１０ａ内で黒表示を行う画素に対応する画素電極９ａと対向電極２１との間における縦電界が殆ど垂直になる電位に設定される。すると、黒表示を行う画素における黒が、画素電極９ａの間隙における光抜けによって白っぽくなってしまうという不具合の発生を、より確実に防止できる。

本実施形態では特に、画素電極９ａに容量を付加する蓄積容量７０の容量配線４００が本発明に係る「間隙導電膜」を兼ねているので、新たに導電膜を追加しなくても、これら容量配線４００よって、各画素の開口領域の縁付近で、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生を防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。

（変形例）
本実施形態の変形例として、基板上の他の導電膜とは別の専用の透明導電膜を本発明に係る「間隙導電膜」として設けてもよい。即ち、図９に示したのと同一の断面構成において、容量配線４００の代わりに、間隙導電膜が設けられてもよい。この場合、本発明に係る「間隙導電膜」を他の導電膜を兼ねて構成する場合と比較して設計自由度が高く、より効果的に各画素の開口領域の縁付近で、液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良が発生を防止して、光抜け或いは光漏れを防止することができる。

（第２実施形態）
第２実施形態の液晶装置について、図３から図５、及び図１１を参照して説明する。ここに図１１は、第２実施形態における図８と同趣旨の説明図である。尚、図１１において、図８に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

本実施形態によれば、その駆動時には、次のように倍速Ｖ反転駆動方式の駆動が行われる。

図１１に示すように、画像信号供給回路５０３は、表示データＤ０に係るフィールド期間を２で割った１／２フィールド期間で、画像表示領域１０ａを垂直走査するように、画像信号ＶＩＤｋを生成する。フィールド期間は、表示データＤ０に係る垂直同期信号Ｖｓにより規定される。また、画像信号供給回路５０３は、画像信号ＶＩＤｋを、基準電位ｖ０に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。より具体的には、表示データＤ０に係る１フィールド期間毎に、これらの極性を基準電位ｖ０に対して反転させる。図１１には、正極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ａとし、負極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ｂとして示してある。走査線駆動回路１０４は、１フィールド期間に、水平同期信号Ｈｓに基づくタイミングで走査信号Ｇｊを生成し、画像表示領域１０ａの複数の走査線１１ａに、線順に走査信号Ｇｊを出力する。１水平走査期間に、画像信号供給回路５０３から供給された画像信号ＶＩＤｋが、走査信号Ｇｊが供給されている走査線１１ａに対応するＴＦＴ３０にデータ線６ａを介して供給される。これらのＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａには、走査線１１ａより走査信号Ｇｊが供給されてＴＦＴ３０がオン状態とされることにより、ＴＦＴ３０を介して対応するデータ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが供給される。このため、画素電極９ａと対向電極２１間の液晶層５０には画像信号ＶＩＤｋに基づいて電圧が印加され、画像表示が行われる。

以上のように、画像信号ＶＩＤｋは、表示データＤ０に係る１フィールド期間毎に、画像信号ＶＩＤｋの極性が基準電位ｖ０に対して反転され、複数の画素電極９ａは、正フィールド或いは負フィールドに駆動される。

図３、図９及び図１１において、本実施形態では特に、交流電源部７１０は、基板上で平面的に見て複数の画素電極９ａの間隙に位置する容量配線４００の電位を、上述した倍速Ｖ反転駆動方式で複数の画素電極９ａが正フィールドに駆動される際に、対向電極電位ＬＣＣに対して正側の電位に設定する。このため、第１実施形態と同様に、容量配線４００の電位による縦電界への影響を低減することができる。一方、倍速Ｖ反転駆動方式等で複数の画素電極９ａが負フィールドに駆動される際には、交流電源部７１０は、図１１に示すように容量配線４００の電位を、対向電極電位ＬＣＣに対して負側の電位に設定する。このため、正フィールドに駆動される際と同様に容量配線４００の電位Ｖｂによる縦電界への影響を低減することができる。

（第３実施形態）
第３実施形態の液晶装置について、図３から図５、及び、図１１から図１３を参照して説明する。ここに図１２は、画像表示領域における部分領域について説明するための説明図である。図１３は、変形例における図６と同趣旨の図である。尚、図１２及び図１３において、図１及び図３に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

本実施形態によれば、その駆動時には、次のように領域走査倍速Ｖ反転駆動方式の駆動が行われる。

図１１に示すように、画像信号供給回路５０３は、表示データＤ０に係るフィールド期間を、２で割った１／２フィールド期間で、画像表示領域１０ａを垂直走査するように、画像信号ＶＩＤｋを生成する。水平走査期間は、表示データＤ０に係る水平同期信号Ｈｓにより規定される。フィールド期間は、表示データＤ０に係る垂直同期信号Ｖｓにより規定される。また、画像信号供給回路５０３は、画像信号ＶＩＤｋを、基準電位ｖ０に対して正極性及び負極性の電圧のいずれかに夫々調整しつつ生成する。より具体的には、表示データＤ０に係る１フィールド期間毎に、これらの極性を基準電位ｖ０に対して反転させる。図１１には、正極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ａとし、負極性の画像信号ＶＩＤｋを画像信号Ｂとして示してある。走査線駆動回路１０４は、１フィールド期間に、水平同期信号Ｈｓに基づくタイミングで走査信号Ｇｊを生成する。

図１２に示すように、画像表示領域１０ａは走査線１１ａに沿う分割線６００により第１部分領域１０ａａ及び第２部分領域１０ａｂに二等分されている。走査線駆動回路１０４は、第１部分領域１０ａａ及び第２部分領域１０ａｂに交替に且つ複数の走査線１１２に、線順次に走査信号Ｇｊを供給する。但し、図１３に変形例として示すように、複数の部分領域は夫々、分割線６１１〜６１３により分割して得られる四つの部分領域、即ち部分領域１０ａｅ、１０ａｆ、１０ａｇ、１０ａｈであり、走査線駆動回路１０４は、これら四つの部分領域に対して交替に且つ各部分領域における走査線１１２に対して線順次に走査信号Ｇｊを供給するように構成してもよい。尚、本発明に係る“複数ｎ”は、本実施形態では、複数の部分領域の総数２に等しい。

図４、図１１及び図１２において、１水平走査期間の前半に位置する１／２水平走査期間に、画像信号供給回路５０３から供給された画像信号ＶＩＤｋが、第１部分領域１０ａａにおいて走査信号Ｇｊが供給されている走査線１１ａに対応するＴＦＴ３０にデータ線６ａを介して供給される。これらのＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極９ａには、走査線１１ａより走査信号Ｇｊが供給されてＴＦＴ３０がオン状態とされることにより、ＴＦＴ３０を介して対応するデータ線６ａより画像信号ＶＩＤｋが供給される。このため、画素電極９ａと対向電極２１間の液晶層５０には画像信号ＶＩＤｋに基づいて電圧が印加され、画像表示が行われる。また、１水平走査期間の後半に位置する１／２水平走査期間に、画像信号供給回路５０３から供給された画像信号ＶＩＤｋが、第２部分領域１０ａｂにおいて走査信号Ｇｊが供給されている走査線１１ａに対応する画素電極９ａにデータ線６ａを介して供給される。このため、これらの画素電極９ａと対向電極２１間の液晶層５０には、第１部分領域１０ａａにおける液晶層５０と同様に電圧が印加され、画像表示が行われる。

以上のように、画像信号ＶＩＤｋは、表示データＤ０に係る１フィールド期間毎に、画像信号ＶＩＤｋの極性が基準電位ｖ０に対して反転され、複数の画素電極９ａは、正フィールド或いは負フィールドに駆動される。

図３、図９及び図１１において、本実施形態では特に、交流電源部７１０は、基板上で平面的に見て複数の画素電極９ａの間隙に位置する容量配線４００の電位を、上述した領域走査倍速Ｖ反転駆動方式で複数の画素電極９ａが正フィールドに駆動される際に、対向電極電位ＬＣＣに対して正側の電位に設定する。このため、第１及び第２実施形態と同様に容量配線４００の電位による縦電界への影響を低減することができる。一方、領域走査倍速Ｖ反転駆動方式で複数の画素電極９ａが負フィールドに駆動される際には、交流電源部７１０は、図１１に示すように容量配線４００の電位Ｖｂを、対向電極電位ＬＣＣに対して負側の電位に設定する。このため、正フィールドに駆動される際と同様に容量配線４００の電位Ｖｂによる縦電界への影響を低減することができる。

（電子機器）
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１４に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１５において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１６において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。

尚、図１４から図１６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

本発明の第１実施形態に係る調整方法を適用する液晶装置における液晶パネルの構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ'の断面図である。 液晶装置の全体構成を示すブロック図である。 液晶パネルの電気的な構成を示すブロック図である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図７における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図７における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。 図５及び図６を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。 画像信号供給回路における画像信号の生成について説明するための説明図である。 容量配線の説明のための説明図である。 比較例における図９と同趣旨の説明図である。 第２実施形態における図８と同趣旨の説明図である。 画像表示領域における部分領域について説明するための説明図である。 変形例における図６と同趣旨の図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。

符号の説明

６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、７０…蓄積容量、１００…液晶パネル、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路、４００…容量配線、５０３…画像信号供給回路、７１０…交流電源部、ＬＣＣ…対向電極電位、ＶＩＤｋ…画像信号、Ｖｂ…容量配線の電位

Claims (10)

1. 一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
   前記第１基板に、(i)画像表示領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、(iii)該複数のデータ線及び複数の走査線に電気的に接続されており前記複数の画素電極へ供給される画像信号をスイッチング制御する複数のスイッチング素子と、(iv)少なくとも前記画像表示領域の一部である部分領域について、前記複数の画素電極に対応する画素部をフィールド反転駆動方式で駆動するように、前記走査線に走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給する駆動部と、（v）前記基板上で平面的に見て前記複数の画素電極の間隙に位置すると共に、前記画素電極の下層側に層間絶縁膜を介して位置する間隙導電膜とを備え、
   前記第２基板に、前記複数の画素電極に対向配置された対向電極を備え、
   前記間隙導電膜の電位を、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が正フィールドに駆動される際に所定電位に対して正側の電位に設定し、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が負フィールドに駆動される際に前記所定電位に対して負側の電位に設定する電源部を備えた
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記電源部は、前記間隙導電膜の電位を、前記正側の電位に設定する際に、前記正側の電位として前記複数の画素電極の最も高い電位以上の電位に設定し、前記負側の電位に設定する際に、前記負側の電位として前記複数の画素電極の最も低い電位以下の電位に設定することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記電源部は、前記間隙導電膜の電位を、前記正側及び前記負側の電位に夫々設定する際に、前記画素電極として前記画像表示領域内で黒表示を行う画素に対応する画素電極と前記対向電極との間における縦電界が最も垂直に近付く電位に設定することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記駆動部は、
   前記複数の走査線に対して順番に、走査信号を供給する走査線駆動回路と、
   前記画像表示領域を、表示データに係るフィールド期間をｎ（但し、ｎは２以上の自然数）で割った１／ｎフィールド期間で垂直走査すると共に前記表示データに係る水平走査期間を前記ｎで割った１／ｎ水平走査期間で水平走査するように、前記表示データに基づいて画像信号を生成して前記複数のデータ線に供給する画像信号供給回路と
   を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記駆動部は、
   前記画像表示領域を、前記走査線に沿う分割線により分割して得られる複数の部分領域について、該複数の部分領域に対して交替に且つ各部分領域における前記複数の走査線に対して順番に、走査信号を供給する走査線駆動回路と、
   前記複数の部分領域の各々を、表示データに係る水平走査期間をｎ（但し、ｎは２以上の自然数）で割った１／ｎ水平走査期間で水平走査するように、前記表示データに基づいて画像信号を生成して前記複数のデータ線に供給する画像信号供給回路と
   を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記間隙導電膜は、前記画素電極に容量を付加する蓄積容量の容量線又は固定電位側容量電極の少なくとも一部を兼ねることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記間隙導電膜は、前記間隙における光抜けを防止するための遮光膜及び前記スイッチング素子を遮光するための遮光膜のうち少なくとも一方の一部を兼ねることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記間隙導電膜は、前記電源部により電位が設定されるために専用の透明導電膜を含んでなることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
10. 一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、（Ｉ）前記第１基板に、(i)画像表示領域に配列された複数の画素電極と、(ii)相交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、(iii)該複数のデータ線及び複数の走査線に電気的に接続されており前記複数の画素電極へ供給される画像信号をスイッチング制御する複数のスイッチング素子と、(iv)少なくとも前記画像表示領域の一部である部分領域について、前記複数の画素電極に対応する画素部をフィールド反転駆動方式で駆動するように、前記走査線に走査信号を供給しつつ前記データ線に前記画像信号を供給する駆動部と、（v）前記基板上で平面的に見て前記複数の画素電極の間隙に位置すると共に、前記画素電極の下層側に層間絶縁膜を介して位置する間隙導電膜とを備え、（ＩＩ）前記第２基板に、前記複数の画素電極に対向配置された対向電極を備えた電気光学装置を駆動する電気光学装置の駆動方法であって、
    前記駆動部によって、少なくとも前記部分領域について、前記複数の画素電極を前記フィールド反転駆動方式で駆動する駆動工程と、
    前記間隙導電膜の電位を、少なくとも前記部分領域について、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が正フィールドに駆動される際に、所定電位に対して正側の電位に設定する正電位設定工程と、
    前記間隙導電膜の電位を、少なくとも前記部分領域について、前記フィールド反転駆動方式で前記複数の画素電極が負フィールドに駆動される際に、前記所定電位に対して負側の電位に設定する負電位設定工程と
    を備えたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。

Images