JP2006237377A - 磁気抵抗効果素子、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フリー層の結晶性を良好にすることが可能でありながら、トラック幅の拡大を防止することができる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】フリー層53、バリア層55、ピンド層57の第1部分57aをその順に成膜し、その段階でフリー層を所定の幅にエッチングする。エッチング後に、ピンド層の第1部分を平坦化し、当該第1部分の上に、ピンド層57の第2部分57bを成膜し、さらに、反強磁性層59を成膜する。
【選択図】 図3
【解決手段】フリー層53、バリア層55、ピンド層57の第1部分57aをその順に成膜し、その段階でフリー層を所定の幅にエッチングする。エッチング後に、ピンド層の第1部分を平坦化し、当該第1部分の上に、ピンド層57の第2部分57bを成膜し、さらに、反強磁性層59を成膜する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、磁気抵抗効果素子、及びその製造方法に関するものである。
ハードディスク分野、センサ分野や磁気メモリ(MRAM)分野などにおいて、磁気抵抗比が高いMR素子として、トンネル磁気抵抗効果素子(TMR素子)が知られている(特許文献1参照)。TMR素子は、下地層の上に積層される4つの主要構成層として、磁化方向が外部磁界に応答して自由に動くフリー層と、磁化方向が一方向に固定されているピンド層と、ピンド層の磁化方向を固定する反強磁性層と、フリー層及びピンド層の間に設けられるバリア層とを備える。
フリー層やピンド層などの構成層に対してほぼ直交する向きにセンス電流が印加されると、素子の抵抗値は、これらフリー層の磁化方向とピンド層の磁化方向との関係に応じて変化する。この特性を利用し、TMR素子にセンス電流を印加して抵抗値変化を検出することにより、外部磁界を検出していた。
また、層構成に関しては、図9及び図10に示した2タイプが存在する。すなわち、図9に示されるように、主要構成層の配列が、下から順に、反強磁性層、ピンド層、バリア層、フリー層となっているものと、さらに、図10に示されるように、主要構成層の配列が、下から順に、フリー層、バリア層、ピンド層、反強磁性層となっているものがある。本明細書では、図9に例示されるように、反強磁性層がバリア層よりも下方にあるものをボトムタイプTMR素子と称し、図10に例示されるように、反強磁性層がバリア層よりも上方にあるものをトップタイプTMR素子と称する。
特開2003−298147号公報
ボトムタイプTMR素子においては、アモルファスであるバリア層の上方にフリー層が形成されるため、下地層から反強磁性層、ピンド層に受け継がれていた良好な結晶構造がバリア層で途切れてしまい、フリー層においてはかかる良好な結晶構造を受け継ぎにくい問題があった。フリー層の結晶性の悪化は、出力の不安定化を引き起こす可能性がある。
これに対して、トップタイプTMR素子においては、フリー層はアモルファスのバリア層をまたぐことなく下地層の上に形成されるため、下地層の良好な結晶構造を受け継ぐことができた。しかしながら、フリー層がより下方に配置されていることにより、トラック幅形成工程において、上方からのミリングによってエッチングされない領域もその分拡がり、フリー層の幅の拡大すなわちトラック幅の拡大が避けられなかった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、フリー層の結晶性を良好にすることが可能でありながら、トラック幅の拡大を防止することができる磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するため、本発明は、フリー層、バリア層、ピンド層及び反強磁性層を備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記バリア層の成膜前に前記フリー層を形成するフリー層成膜工程と、前記反強磁性層の成膜前に少なくとも前記フリー層を所定の幅にエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に前記反強磁性層を成膜する反強磁性層成膜工程とを備えることを特徴とする。
前記フリー層成膜工程の後に前記バリア層を成膜するバリア層成膜工程と、前記バリア層成膜工程の後に前記ピンド層を成膜するピンド層成膜工程とを備え、前記エッチング工程は、前記ピンド層成膜工程の後に、前記フリー層、バリア層及びピンド層をエッチングする工程であると好適である。
さらに、前記エッチング工程の後に、エッチングされたピンド層の上に再びピンド層を成膜する第2のピンド層成膜工程を備え、前記反強磁性層成膜工程は、前記第2のピンド層成膜工程の後に行われると好適である。
前記エッチング工程の後、前記第2のピンド層成膜工程の前に成膜対象部を平坦化する平坦化処理工程を備えると好適である。
同課題を解決するため、本発明は、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置も提供する。
本発明の磁気抵抗効果素子は、フリー層、バリア層、ピンド層及び反強磁性層を備え、前記フリー層は前記バリア層の積層方向下方に配置されており、前記反強磁性層は、前記バリア層の積層方向上方に配置されており、且つ、前記フリー層よりも広い幅を有することを特徴とする。
また、前記ピンド層は、前記フリー層と共にエッチングされて規定された幅を有する第1部分と、該第1部分の上に成膜されて前記フリー層よりも広い幅を有する第2部分とを備え、前記反強磁性層は、前記第2部分の上に成膜されているようにしてもよい。
本発明の磁気ヘッド装置は、本発明の磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む。
本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む。
本発明によれば、バリア層を介在させることなくフリー層が成膜されるので、フリー層の結晶性を良好にすることが可能であり、なお且つ、反強磁性層まで積層する前にフリー層の幅を規定することができるので、トラック幅の拡大を防止することが可能となる。
なお、本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施の形態によって更に詳しく説明する。
以下、この発明を、薄膜磁気ヘッドの読み取り素子であるトンネル磁気抵抗効果(TMR素子)に適用した場合の実施の形態として、添付図面に基づいて説明する。なお、図中、同一符号は同一又は対応部分を示すものとする。
図1は、磁気記録再生装置の平面図である。図示された磁気記録再生装置1は、磁気ヘッド装置3と、磁気ディスク5とを含む。磁気ヘッド装置3は少なくとも、ヘッド支持装置7と、位置決め装置9と、磁気ヘッド11とを有する。ヘッド支持装置7の一端は、位置決め装置9に接続されている。磁気ヘッド11は、ヘッド支持装置7の他端に支持されて、磁気ディスク5の磁気記録面と対向するように配置される。
このように構成された磁気記録再生装置1においては、磁気ディスク5が図示しない駆動装置により矢印A1の方向に回転駆動されると、磁気ヘッド11が、微小浮上量で、磁気ディスク5の面から浮上する。磁気ヘッド11は、位置決め装置9の駆動によってヘッド支持装置7を介して磁気ディスク5の径方向b1またはb2に移動される。そして、磁気ディスク5上の所定のトラック位置において磁気情報の書き込み、読み取りを行う。
図2に、磁気ヘッド11における媒体対向面側の端部断面を示す。磁気ヘッド11は、書き込み素子21と、読み取り素子23とを備えている。書き込み素子21には、ギャップ膜25が設けられている。ギャップ膜25の上下には、上磁極膜27及び下磁極膜29が延在している。上磁極膜27と下磁極膜29は、媒体対向面と逆側において、結合部31によって磁路が形成されるように結合されている。上磁極膜27と下磁極膜29との間には、コイル33が形成されている。コイル33は、結合部31を軸に周回するように配置されている。
読み取り素子23は、非磁性膜35を挟んで書き込み素子21の下方に配置されている。読み取り素子23は、TMR素子である磁気抵抗効果素子51と、上下一対の給電膜39,41とを含んでいる。
なお、磁気記録再生装置や磁気ヘッドの構成に関してはあくまでも例示であり、適宜改変することが可能である。
図3に、媒体対向面側から見た磁気抵抗効果素子51の構成を模式的に示す。磁気抵抗効果素子51は、TMR素子として構成されており、まず、フリー層53と、バリア層55と、ピンド層57と、反強磁性層59とを備え、これらの層は積層方向下からこの順に配置されている。
バリア層55は、トンネルバリア層として機能する層であり、MR比の大きい絶縁材料、例えば酸化アルミニウムで構成され、アモルファス構造を有している。フリー層53は、バリア層55の積層方向下方に配置されており、その磁化方向は、記録媒体からの磁束など外部磁界に対応して変化できるようになっている。さらに、フリー層53は、強磁性材料、例えば、主にCoFeで構成されている。
反強磁性層59は、バリア層55の積層方向上方に配置されている。かかる反強磁性層59とピンド層57との交換結合によって、ピンド層57の磁化方向が特定の方向に固定されている。また、反強磁性層59は、バリア層55よりも広い幅を有する。
ピンド層57は、強磁性材料、例えば、主にCoFeで構成され、反強磁性層59とバリア層55との間に挟まれており、第1部分57aと、その上に位置する第2部分57bとを備える。ピンド層57の第1部分57aは、バリア層55の積層方向上方に位置していて、バリア層55と同じかやや狭い幅を有する。なお、本明細書では、図3の紙面と平行な横方向(図2の紙面直交方向)を幅方向として記述する。ピンド層57の第2部分57bは、フリー層53よりも広い幅を有し、本実施の形態では、反強磁性層59と同程度の幅を有する。また、図3に示されるように、フリー層53、バリア層55及びピンド層57の第1部分57aは、略台形状を構成するように設けられている。
続いて、磁気抵抗効果素子51におけるフリー層53、バリア層55、ピンド層57及び反強磁性層59の周囲の構成について説明する。まず、フリー層53の積層方向下方には、その上に設けられる層の結晶性を高めるための下地層61が設けられている。また、下地層61、フリー層53、バリア層55及びピンド層57の第1部分57aの幅方向両側には、絶縁材料からなるギャップ層63が設けられている。さらに、各ギャップ層63とピンド層57の第2部分57bとに挟まれた部分には、フリー層53に縦方向(前記幅方向と同じ方向)のバイアス磁界を印加する縦バイアス層65が設けられている。また、反強磁性層59の積層方向上方には、保護膜としてのキャップ層67が設けられている。
このような構成の磁気抵抗効果素子51においては、ピンド層57の磁化方向とフリー層53の磁化方向とのなす角度の変化に伴って、電気抵抗が変化する。積層面に対してほぼ直交する向きにセンス電流が流されると、外部磁界に対応するフリー層53の磁化方向とピンド層57の磁化方向とのなす角度に依存した出力電圧を得ることができる。よって、かかる出力電圧をみることによって外部磁界の検出を行うことができる。また、フリー層53の結晶構造は、バリア層55よりも積層方向下方にあって下地層61の良好な結晶構造を受け継いでいるため、ノイズなどが生じにくく安定した出力を得ることができ良好な特性を提供することができる。
次に、図4〜図8に基づいて、このような磁気抵抗効果素子51の製造プロセスについて説明する。図4において、まず、フリー層成膜工程として、下地層61の上に、フリー層53を成膜する。続いて、バリア層成膜工程として、フリー層53の上に、バリア層55を成膜し、その後必要に応じ酸化処理を行う。さらに、第1のピンド層成膜工程として、バリア層55の上にピンド層57の第1部分57aを成膜する。各成膜工程は、例えばスパッタリングなどの成膜手法によって実施することができる。
第1のピンド層成膜工程が完了したならば、その時点での最上層であるピンド層57の第1部分57aの上面に、側面視T字状のリフトオフ用レジストマスク69を設ける。レジストマスク69は、例えばフォトリソグラフィプロセスによって形成することができる。
そして、エッチング工程として、上方より例えばイオンミリングやRIE(reactive ion etching)などのエッチングを施して、下地層61、フリー層53、バリア層55及びピンド層57の第1部分57aからなる積層膜構造体を台形状(図5参照)にエッチングする。すなわち、反強磁性層59を成膜する前にフリー層53等を所定の幅にエッチングする。また、本実施の形態は薄膜磁気ヘッドに適用されており、かかるエッチング工程はトラック幅形成工程であり、フリー層53の幅がトラック幅として規定される。
続いて、レジストマスク69の上から、例えばスパッタリングなどの成膜手法によって、ギャップ層63を成膜する。ギャップ層63は、下地層61、フリー層53、バリア層55及びピンド層57の第1部分57aからなる台形状の積層膜構造体の両側面に設けられる。さらに、例えばスパッタリングなどによって、両側のギャップ層63の上に縦バイアス層65を成膜する。その後、剥離剤を用いてレジストマスク69をリフトオフし、その状態が図5に示される。
レジストマスク69を除去したならば、図6に示されるように、平坦化処理工程として、例えばイオンミリングやCMP(Chemical Mechanical Polishing)などの平坦化処理を実施し、図7に示すように、ピンド層57の第1部分57aの上面、ギャップ層63の上面、縦バイアス層65の上面を平坦化する。
続いて、図8に示されるように、第2のピンド層成膜工程として、ピンド層57の第1部分57aの上面、ギャップ層63の上面、縦バイアス層65の上面に、ピンド層57の第2部分57bを成膜する。さらに、反強磁性層成膜工程として、ピンド層57の第2部分57bの上面に、反強磁性層59を成膜する。これら第2のピンド層成膜工程や反強磁性層成膜工程も、例えばスパッタリングなどの成膜手法によって実施することができる。反強磁性層59の膜厚は、フリー層53などの他の主要構成層よりも大きく、反強磁性層59の幅は、ピンド層57の第2部分57bと共に、フリー層53の幅よりも広く形成されている。そして、反強磁性層59の成膜後、反強磁性層59の上面にキャップ層67を成膜することで図3の状態を得る。
以上に説明したように、まず、フリー層53は、バリア層55に対して積層方向下方すなわちより早い積層順番で成膜されるため、アモルファスであるバリア層55をまたぐことがない。このため、フリー層53は、すぐ下方の下地層の良好な結晶構造をそのまま受け継ぐことができる。それに加えて、トラック幅形成工程でもある、フリー層53の幅を規定するエッチング工程は、ピンド層57を成膜した後、反強磁性層59を成膜する前に行われる。よって、膜厚の厚い反強磁性層59が形成されていない分だけ、フリー層53はエッチングを受ける表面により近い積層方向上方にあり、同じレジストマスク69を用いてもより幅が狭くなるようにエッチングされる。よって、フリー層の結晶性を良好にすることが可能でありながら、トラック幅の拡大を防止することができる。
また、フリー層53の幅を規定するエッチング工程は、ピンド層57を最上層として実施されるため、エッチングの影響がフリー層53に残存する恐れがなく磁気抵抗効果素子51としての特性上、好適なプロセスとなっている。
さらに、反強磁性層成膜工程は、ピンド層57の第2部分57bの成膜工程の後に例えば平坦化工程などを介在させることなく実施される。よって、一度ミリングを受けているピンド層57の第1部分57aの上に直接、反強磁性層59を成膜する場合よりも反強磁性層59とピンド層57との交換結合をさらに良好にすることができ、やはり磁気抵抗効果素子51としての特性上、好適なプロセスとなっている。
また、エッチング工程で最上層となるピンド層57の第1部分57aは、その表面部分がその後の平坦化処理において削除されるため、エッチングの影響が残存しにくく、同様に磁気抵抗効果素子51としての特性上、好適なプロセスとなっている。
以上、好ましい実施の形態を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の改変態様を採り得ることは自明である。
本発明は、フリー層の結晶性を良好にし、且つ、トラック幅の拡大を防止する観点に鑑みれば、ピンド層57の第1部分57aを成膜した後にエッチング工程を行う態様には限定されない。すなわち、バリア層55よりも下にフリー層53を形成した後、反強磁性層59を形成する前にエッチングを行う態様であればよく、例えば、上記実施の形態においてフリー層53の成膜後、バリア層55の成膜前にエッチングする態様や、バリア層55の成膜後、ピンド層57の成膜前にエッチングする態様として実施することも可能である。
また、本発明は、上記実施の形態のようにピンド層57の構成部分を複数回に分けて成膜することに限定されるものではなく、ピンド層成膜工程、さらにエッチング工程の後、再度ピンド層の構成部分を成膜することなく反強磁性層59を成膜するようにしてもよい。
また、本発明の磁気抵抗効果素子及びその製造方法は、薄膜を用いたセンサやメモリ、アクチュエータ、半導体デバイスなど、薄膜磁気ヘッド以外の製品に対して広く適用することが可能である。
1 磁気記録再生装置
3 磁気ヘッド装置
5 磁気ディスク
51 磁気抵抗効果素子
53 フリー層
55 バリア層
57 ピンド層
57a 第1部分
57b 第2部分
59 反強磁性層
3 磁気ヘッド装置
5 磁気ディスク
51 磁気抵抗効果素子
53 フリー層
55 バリア層
57 ピンド層
57a 第1部分
57b 第2部分
59 反強磁性層
Claims (8)
- フリー層、バリア層、ピンド層及び反強磁性層を備える磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
前記バリア層の成膜前に前記フリー層を形成するフリー層成膜工程と、
前記反強磁性層の成膜前に少なくとも前記フリー層を所定の幅にエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程の後に前記反強磁性層を成膜する反強磁性層成膜工程と
を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記フリー層成膜工程の後に前記バリア層を成膜するバリア層成膜工程と、
前記バリア層成膜工程の後に前記ピンド層を成膜するピンド層成膜工程とを備え、
前記エッチング工程は、前記ピンド層成膜工程の後に、前記フリー層、バリア層及びピンド層をエッチングする工程である、
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記エッチング工程の後に、エッチングされたピンド層の上に再びピンド層を成膜する第2のピンド層成膜工程を備え、
前記反強磁性層成膜工程は、前記第2のピンド層成膜工程の後に行われる、
ことを特徴とする請求項2に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記エッチング工程の後、前記第2のピンド層成膜工程の前に成膜対象部を平坦化する平坦化処理工程を備えることを特徴とする請求項3に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- フリー層、バリア層、ピンド層及び反強磁性層を備える磁気抵抗効果素子であって、
前記フリー層は前記バリア層の積層方向下方に配置されており、
前記反強磁性層は、前記バリア層の積層方向上方に配置されており、且つ、前記フリー層よりも広い幅を有する、
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記ピンド層は、前記フリー層と共にエッチングされて規定された幅を有する第1部分と、該第1部分の上に成膜されて前記フリー層よりも広い幅を有する第2部分とを備え、
前記反強磁性層は、前記第2部分の上に成膜されている、
ことを特徴とする請求項5に記載の磁気抵抗効果素子。 - 請求項6に記載の磁気抵抗効果素子を読み取り素子として含む磁気ヘッド装置。
- 請求項7に記載の磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置。
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Cited By (3)
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US7768747B2 (en) | 2007-04-16 | 2010-08-03 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
US7916430B2 (en) | 2007-08-09 | 2011-03-29 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
CN111226312A (zh) * | 2017-10-16 | 2020-06-02 | Tdk株式会社 | 隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器 |
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2005
- 2005-02-25 JP JP2005051395A patent/JP2006237377A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7768747B2 (en) | 2007-04-16 | 2010-08-03 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
US7916430B2 (en) | 2007-08-09 | 2011-03-29 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and manufacturing method thereof |
CN111226312A (zh) * | 2017-10-16 | 2020-06-02 | Tdk株式会社 | 隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器 |
CN111226312B (zh) * | 2017-10-16 | 2024-01-05 | Tdk株式会社 | 隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器 |
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