JP2006222444A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、前記第1導電型及び第2導電型の領域を接合が形成されるように交互に配置し、前記不純物イオンの照射領域の面積は前記不純物イオンの電気的又は磁気的走査により制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記第1、第2導電型の領域の断面形状と断面積とが照射方向に沿って一定となるように、前記加速エネルギーの増加に応じて前記照射領域の面積を減少させることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図1乃至図3を用いて本発明の第1の実施の形態に係るイオン注入法によるスーパージャンクションの形成方法の一例について説明する。
Claims (10)
- 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は前記不純物イオンの電気的又は磁気的走査により制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの増加に応じて前記照射領域の面積を減少させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は前記不純物イオンの電気的又は磁気的走査により制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの減少に応じて前記照射領域の面積を増加させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は前記不純物イオンの電気的又は磁気的走査により制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの減少に応じて前記マスクの開口面積を増加させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は前記不純物イオンの電気的又は磁気的走査により制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの増加に応じて前記マスクの開口面積を減少させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は、不純物イオンからなるイオンビームを形成し、前記照射領域上を前記イオンビームにより垂直方向および水平方向に走査することにより制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの増加に応じて前記照射領域の面積を減少させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は、不純物イオンからなるイオンビームを形成し、前記照射領域上を前記イオンビームにより垂直方向および水平方向に走査することにより制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの減少に応じて前記照射領域の面積を増加させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は、不純物イオンからなるイオンビームを形成し、前記照射領域上を前記イオンビームにより垂直方向および水平方向に走査することにより制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの減少に応じて前記マスクの開口面積を増加させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は、不純物イオンからなるイオンビームを形成し、前記照射領域上を前記イオンビームにより垂直方向および水平方向に走査することにより制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの増加に応じて前記マスクの開口面積を減少させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
前記不純物イオンの照射領域の面積は、前記不純物イオンを遮蔽するマスクにより制御され、前記不純物イオンの加速エネルギー及び前記照射領域の面積の制御は、前記加速エネルギーの変化に応じて前記マスクの開口面積を変化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、ウェハー表面に対して交互に配置された第1導電型の領域及び第2導電型の領域を前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、
互いに反転関係にあるポジ型レジスト及びネガ型レジストを用いて前記半導体上に同じマスクパターンを焼き付けることにより前記不純物イオンの遮蔽マスクを形成し、この遮蔽マスクを用いて前記不純物イオンの照射領域を定めることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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