JP2006222192A - Photovoltaic device, and photovoltaic module and its manufacturing method - Google Patents

Photovoltaic device, and photovoltaic module and its manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photovoltaic device which can simplify a manufacturing process in the case that a plurality of the photovoltaic devices are connected by tab electrodes to be made into a unit. <P>SOLUTION: The photovoltaic device comprises semiconductor layers (2-4, 8 and 9) including photoelectric conversion layers, and a silicon oxide film 7 which is formed on the top face of a translucent conductive film 5, and contains fine particles of ZnO which has an etch rate by flux larger than a silicon oxide. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光起電力装置、光起電力モジュールおよびその製造方法に関し、特に、光電変換層を含む複数の半導体層を備えた光起電力装置、光起電力モジュールおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a photovoltaic device, a photovoltaic module, and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a photovoltaic device, a photovoltaic module, and a manufacturing method thereof including a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer.

従来、光電変換層を含む複数の半導体層を備えた光起電力装置において、半導体層に水分などが浸入するのを抑制する技術が知られている（たとえば、特許文献１参照）。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a photovoltaic device including a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer, a technique for suppressing moisture and the like from entering a semiconductor layer is known (see, for example, Patent Document 1).

上記特許文献１には、光電変換層を含む複数の半導体層からなるセルの上面上の所定領域に集電極が形成された構成において、セルの上面上に、集電極を覆うように防湿層を形成することによって、セルを構成する半導体層に水分などが浸入するのを抑制する技術が開示されている。   In Patent Document 1, in a configuration in which a collector electrode is formed in a predetermined region on the upper surface of a cell including a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer, a moisture-proof layer is provided on the upper surface of the cell so as to cover the collector electrode. A technique for suppressing moisture and the like from entering a semiconductor layer forming a cell by forming the cell is disclosed.

特開平１０−１０７３０８号公報JP 10-107308 A

しかしながら、上記特許文献１では、複数の光起電力装置の集電極にタブ電極などを接続してユニット化する場合に、以下のような不都合が生じる。すなわち、上記特許文献１では、防湿層を形成する際に、後のユニット化工程において集電極とタブ電極とを接続するために、集電極のタブ電極が接続される領域上に防湿層が形成されないようにマスクを形成しなければならないという不都合が生じる。その結果、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、光起電力装置の製造工程を簡略化するのが困難であるという問題点がある。   However, in Patent Document 1, the following inconvenience occurs when a tab electrode or the like is connected to the collecting electrodes of a plurality of photovoltaic devices to form a unit. That is, in Patent Document 1, when the moisture-proof layer is formed, the moisture-proof layer is formed on the region where the tab electrode of the collector electrode is connected in order to connect the collector electrode and the tab electrode in a later unitization step. Inconvenience arises in that a mask must be formed so as not to occur. As a result, when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit, there is a problem that it is difficult to simplify the manufacturing process of the photovoltaic device.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、製造工程を簡略化することが可能な光起電力装置を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to provide a manufacturing process when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit. It is to provide a photovoltaic device that can be simplified.

この発明のもう１つの目的は、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、製造工程を簡略化することが可能な光起電力モジュールを提供することである。   Another object of the present invention is to provide a photovoltaic module capable of simplifying the manufacturing process when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit.

この発明のさらにもう１つの目的は、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、製造工程を簡略化することが可能な光起電力装置の製造方法を提供することである。   Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a photovoltaic device capable of simplifying the manufacturing process when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit. It is.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による光起電力装置は、光電変換層を含む複数の半導体層と、半導体層の少なくとも光入射面上に形成され、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有するシリコン酸化膜とを備えている。   In order to achieve the above object, a photovoltaic device according to a first aspect of the present invention is formed on a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer and at least a light incident surface of the semiconductor layer, and has an etching rate by flux. And a silicon oxide film containing fine particles made of a material larger than silicon oxide.

この第１の局面による光起電力装置では、上記のように、光電変換層を含む複数の半導体層の少なくとも光入射面上に、シリコン酸化膜を形成することによって、そのシリコン酸化膜により、シリコン酸化膜よりも下側に位置する半導体層に水分などが侵入するのを抑制することができる。この場合、シリコン酸化膜に、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有することによって、たとえば、光入射面上に電流を収集および集合させるための集電極を形成し、かつ、その集電極を覆うようにシリコン酸化膜を形成した場合に、集電極上に位置するシリコン酸化膜上に半田付けのためのフラックスを塗布することにより、シリコン酸化膜に含有された微粒子を選択的にエッチングすることができるので、集電極の上面の一部を露出させることができる。これにより、集電極とタブ電極とを接続する際に、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分に融着層が埋め込まれることにより、その埋め込まれた融着層により集電極とタブ電極とを電気的に接続することができる。したがって、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、シリコン酸化膜を形成する際に、集電極とタブ電極とを接続するために、集電極のタブ電極が接続される領域上にシリコン酸化膜が形成されないようにマスクを形成する必要がない。その結果、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、光起電力装置の製造工程を簡略化することができる。また、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分に融着層が埋め込まれることにより、その埋め込まれた融着層により集電極とタブ電極とを接続することができるので、シリコン酸化膜上にタブ電極を配置したとしても、集電極とタブ電極との間において十分な密着強度を得ることができる。   In the photovoltaic device according to the first aspect, as described above, the silicon oxide film is formed on at least the light incident surface of the plurality of semiconductor layers including the photoelectric conversion layer, and the silicon oxide film is used to form silicon. It is possible to prevent moisture and the like from entering a semiconductor layer located below the oxide film. In this case, the silicon oxide film contains fine particles made of a material whose etching rate by flux is higher than that of silicon oxide, thereby forming, for example, a collecting electrode for collecting and collecting current on the light incident surface, and When a silicon oxide film is formed so as to cover the collector electrode, fine particles contained in the silicon oxide film are selected by applying a flux for soldering onto the silicon oxide film located on the collector electrode Therefore, a part of the upper surface of the collector electrode can be exposed. As a result, when the collector electrode and the tab electrode are connected, the fusion layer is embedded in the etched portion of the silicon oxide film so that the collector electrode and the tab electrode are connected by the embedded fusion layer. Can be electrically connected. Therefore, when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit, when the silicon oxide film is formed, the tab electrode of the collector electrode is connected to connect the collector electrode and the tab electrode. It is not necessary to form a mask so that a silicon oxide film is not formed on the region to be formed. As a result, when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit, the manufacturing process of the photovoltaic device can be simplified. In addition, since the fusion layer is embedded in the portion where the fine particles of the silicon oxide film are etched, the collector electrode and the tab electrode can be connected by the embedded fusion layer, so that the tab is formed on the silicon oxide film. Even if the electrode is disposed, sufficient adhesion strength can be obtained between the collector electrode and the tab electrode.

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、微粒子は、ＺｎＯからなる微粒子である。このように構成すれば、微粒子の材料であるＺｎＯは、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料であるので、容易に、フラックスによりシリコン酸化膜に含有された微粒子を選択的にエッチングすることができる。また、微粒子の材料であるＺｎＯは、ＵＶ光（紫外線）を吸収する材料であるので、ＺｎＯからなる微粒子をシリコン酸化膜に含有させることにより、シリコン酸化膜を透過するＵＶ光の量を減少させることができる。この場合、光入射面上に電流を収集および集合させるための集電極を形成し、かつ、その集電極を覆うように光入射面上にシリコン酸化膜を形成した場合において、集電極がＵＶ光の照射により劣化する材料を含んでいれば、集電極が劣化するのを抑制することができる。   In the photovoltaic device according to the first aspect, preferably, the fine particles are fine particles made of ZnO. With this configuration, ZnO, which is a fine particle material, is a material whose etching rate by flux is higher than that of silicon oxide, so that the fine particles contained in the silicon oxide film can be easily selectively etched by the flux. Can do. In addition, since ZnO, which is a material of fine particles, is a material that absorbs UV light (ultraviolet rays), the amount of UV light transmitted through the silicon oxide film is reduced by containing fine particles of ZnO in the silicon oxide film. be able to. In this case, when a collector electrode for collecting and collecting current is formed on the light incident surface, and a silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover the collector electrode, the collector electrode is UV light. The deterioration of the collector electrode can be suppressed if it contains a material that deteriorates due to irradiation.

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、微粒子の平均粒径は、０．１μｍ以下である。このように構成すれば、微粒子の平均粒径が０．１μｍよりも大きいことに起因して、シリコン酸化膜に入射したＵＶ光以外の光が微粒子により散乱反射され、外部に放出されるという不都合が発生するのを抑制することができる。これにより、シリコン酸化膜を透過して光電変換層に入射するＵＶ光以外の光の量が減少するのを抑制することができるので、光起電力装置の出力特性が低下するのを抑制することができる。   In the photovoltaic device according to the first aspect, preferably, the average particle size of the fine particles is 0.1 μm or less. With such a configuration, light other than UV light incident on the silicon oxide film is scattered and reflected by the fine particles due to the average particle diameter of the fine particles being larger than 0.1 μm, and is emitted to the outside. Can be suppressed. Thereby, since it can suppress that the quantity of light other than UV light which permeate | transmits a silicon oxide film and injects into a photoelectric converting layer can be suppressed, it can suppress that the output characteristic of a photovoltaic device falls. Can do.

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、シリコン酸化膜の厚みは、０．０１μｍ以上６μｍ以下である。このように構成すれば、たとえば、光入射面上に電流を収集および集合させるための集電極を形成し、かつ、その集電極を覆うように光入射面上にシリコン酸化膜を形成した場合に、シリコン酸化膜の厚みが６μｍよりも大きいことに起因して、集電極とその下地層との接触抵抗が高くなるという不都合が発生するのを抑制することができる。具体的には、ペルヒドロポリシラザン（以下、ポリシラザンという）が含有されたコーティング溶液を硬化させることによりシリコン酸化膜を形成する場合に、コーティング溶液（シリコン酸化膜）が硬化する際に、コーティング溶液（シリコン酸化膜）の内部応力により集電極に外力が加わるので、集電極とその下地層との間の接触状態が変化する。この場合、シリコン酸化膜の厚みが６μｍよりも大きければ、集電極に加わる外力も大きくなるので、集電極とその下地層との間の接触状態も大きく変化する。したがって、シリコン酸化膜の厚みを６μｍ以下に設定することによって、集電極とその下地層との間の接触状態が変化するのを抑制することができるので、集電極とその下地層との接触抵抗が高くなるのを抑制することができる。また、シリコン酸化膜の厚みを０．０１μｍ以上に設定することによって、シリコン酸化膜の厚みが０．０１μｍよりも小さいことに起因して、シリコン酸化膜を介して半導体層（光電変換層）に水分などが侵入しやすくなるという不都合が発生するのを抑制することができる。   In the photovoltaic device according to the first aspect, preferably, the thickness of the silicon oxide film is 0.01 μm or more and 6 μm or less. With this configuration, for example, when a collecting electrode for collecting and collecting current is formed on the light incident surface, and a silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover the collecting electrode. Further, it is possible to suppress the occurrence of the disadvantage that the contact resistance between the collector electrode and the underlying layer is increased due to the thickness of the silicon oxide film being larger than 6 μm. Specifically, when a silicon oxide film is formed by curing a coating solution containing perhydropolysilazane (hereinafter referred to as polysilazane), the coating solution (silicon oxide film) is cured when the coating solution (silicon oxide film) is cured. Since an external force is applied to the collector electrode due to the internal stress of the silicon oxide film), the contact state between the collector electrode and the underlying layer changes. In this case, if the thickness of the silicon oxide film is larger than 6 μm, the external force applied to the collector electrode also increases, so that the contact state between the collector electrode and its underlying layer also changes greatly. Therefore, by setting the thickness of the silicon oxide film to 6 μm or less, it is possible to suppress a change in the contact state between the collector electrode and the base layer, and thus the contact resistance between the collector electrode and the base layer. Can be suppressed. Further, by setting the thickness of the silicon oxide film to 0.01 μm or more, the thickness of the silicon oxide film is smaller than 0.01 μm, so that the semiconductor layer (photoelectric conversion layer) is interposed through the silicon oxide film. It is possible to suppress the occurrence of inconvenience that moisture or the like easily enters.

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、光入射面上の所定領域に形成され、電流を収集するためのフィンガー電極部と、フィンガー電極部において収集された電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極をさらに備え、シリコン酸化膜は、光入射面上に、集電極のフィンガー電極部およびバスバー電極部の両方を覆うように形成されている。このように構成すれば、シリコン酸化膜に含有された微粒子がＺｎＯからなる微粒子であれば、微粒子によりＵＶ光が吸収されるので、シリコン酸化膜を透過するＵＶ光の量を減少させることができる。これにより、集電極がＵＶ光の照射により劣化する材料を含んでいる場合に、容易に、集電極が劣化するのを抑制することができる。   In the photovoltaic device according to the first aspect, preferably, a finger electrode part for collecting current, which is formed in a predetermined region on the light incident surface, and a current collected in the finger electrode part are assembled. A collector electrode having a bus bar electrode portion is further provided, and the silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover both the finger electrode portion and the bus bar electrode portion of the collector electrode. With this configuration, if the fine particles contained in the silicon oxide film are fine particles made of ZnO, the UV light is absorbed by the fine particles, so that the amount of UV light that passes through the silicon oxide film can be reduced. . Thereby, when the collector electrode contains the material which deteriorates by irradiation of UV light, it can suppress that a collector electrode deteriorates easily.

上記光入射面上の所定領域に形成された集電極をさらに備えた構成において、好ましくは、シリコン酸化膜のうちの集電極のバスバー電極部の上面上に位置する第１部分上に配置されたタブ電極をさらに備え、シリコン酸化膜の第１部分では、フラックスにより微粒子がエッチングされることによって、集電極のバスバー電極部の上面の一部が露出されており、集電極のバスバー電極部とタブ電極とは、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分を介して融着層により接続されている。このように構成すれば、シリコン酸化膜上にタブ電極を配置したとしても、集電極のバスバー電極部とタブ電極とが融着層により接続されるので、容易に、集電極とタブ電極との間において十分な密着強度を得ることができる。   In the configuration further including the collector electrode formed in the predetermined region on the light incident surface, preferably, the collector electrode is disposed on the first portion located on the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode of the silicon oxide film. A tab electrode is further provided, and in the first portion of the silicon oxide film, a part of the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode is exposed by etching fine particles by flux, and the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab are exposed. The electrode is connected to the electrode by a fusion layer through a portion where the fine particles of the silicon oxide film are etched. According to this configuration, even if the tab electrode is arranged on the silicon oxide film, the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are connected by the fusion layer, so that the collector electrode and the tab electrode can be easily connected. Sufficient adhesion strength can be obtained.

上記タブ電極をさらに備えた構成において、好ましくは、集電極のバスバー電極部の上面上に位置するシリコン酸化膜の第１部分における微粒子の含有量は、フラックスにより微粒子がエッチングされることにより、シリコン酸化膜の第１部分以外の第２部分における微粒子の含有量よりも少なくなっている。このように構成すれば、容易に、集電極のバスバー電極部とタブ電極とを、シリコン酸化膜の第１部分（微粒子がエッチングされた部分）を介して融着層により接続することができる。   In the configuration further including the tab electrode, preferably, the content of the fine particles in the first portion of the silicon oxide film located on the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode is such that the fine particles are etched by the flux, It is less than the content of fine particles in the second part other than the first part of the oxide film. If comprised in this way, the bus-bar electrode part and tab electrode of a collector electrode can be easily connected by the fusion | melting layer via the 1st part (part in which microparticles | fine-particles were etched) of a silicon oxide film.

上記第１の局面による光起電力装置において、好ましくは、光入射面上の所定領域に形成され、電流を収集するためのフィンガー電極部と、フィンガー電極部において収集された電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極と、集電極のバスバー電極部上に配置されたタブ電極とをさらに備え、シリコン酸化膜は、光入射面上に、集電極のバスバー電極部およびタブ電極を覆うように形成されている。このように構成すれば、シリコン酸化膜を介さずに、集電極のバスバー電極部とタブ電極とが接続されるので、集電極のバスバー電極部とタブ電極との接触抵抗が高くなるのを抑制することができる。また、シリコン酸化膜を介さずに、集電極のバスバー電極部とタブ電極とが接続され、かつ、シリコン酸化膜により集電極のバスバー電極部とタブ電極とが覆われているので、集電極のバスバー電極部とタブ電極との間の密着強度をより大きくすることができる。   In the photovoltaic device according to the first aspect, preferably, a finger electrode part for collecting current, which is formed in a predetermined region on the light incident surface, and a current collected in the finger electrode part are assembled. A collector electrode having a bus bar electrode portion; and a tab electrode disposed on the bus bar electrode portion of the collector electrode. The silicon oxide film covers the bus bar electrode portion and tab electrode of the collector electrode on the light incident surface. It is formed as follows. With this configuration, since the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are connected without using the silicon oxide film, the contact resistance between the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode is suppressed from increasing. can do. Further, the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are connected without the silicon oxide film interposed therebetween, and the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are covered with the silicon oxide film, so that the collector electrode The adhesion strength between the bus bar electrode portion and the tab electrode can be further increased.

この発明の第２の局面による光起電力モジュールは、光電変換層を含む複数の半導体層と、半導体層の少なくとも光入射面上に形成され、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有するシリコン酸化膜とを含む複数の光起電力装置と、複数の光起電力装置を接続するタブ電極と、光起電力装置の光入射面側に充填材を介して設けられ、ガラス基板からなる表面保護材と、光起電力装置の光入射面とは反対側に充填材を介して設けられ、樹脂フィルムからなる裏面保護材とを備えている。   A photovoltaic module according to a second aspect of the present invention is formed of a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer, and a material that is formed on at least a light incident surface of the semiconductor layer and has a higher etching rate by flux than silicon oxide. A plurality of photovoltaic devices including a silicon oxide film containing fine particles, a tab electrode connecting the plurality of photovoltaic devices, a light incident surface side of the photovoltaic device via a filler, and glass A surface protective material made of a substrate and a back surface protective material made of a resin film are provided on the side opposite to the light incident surface of the photovoltaic device via a filler.

この第２の局面による光起電力モジュールでは、上記のように、光電変換層を含む複数の半導体層の少なくとも光入射面上に、シリコン酸化膜を形成することによって、裏面保護材および充填材を透過した水分が表面保護材に達することに起因して表面保護材を構成するガラス基板中に含まれるナトリウムが溶出した場合に、その溶出したナトリウムが充填材を介して光起電力装置に達したとしても、シリコン酸化膜により、シリコン酸化膜よりも下側に位置する半導体層に溶出したナトリウムが侵入するのを抑制することができる。この場合、シリコン酸化膜に、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有することによって、たとえば、光入射面上に電流を収集および集合させるための集電極を形成し、かつ、その集電極を覆うようにシリコン酸化膜を形成した場合に、集電極上に位置するシリコン酸化膜上に半田付けのためのフラックスを塗布することにより、シリコン酸化膜に含有された微粒子を選択的にエッチングすることができるので、集電極の上面の一部を露出させることができる。これにより、集電極とタブ電極とを接続する際に、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分に融着層が埋め込まれることにより、その埋め込まれた融着層により集電極とタブ電極とを電気的に接続することができる。したがって、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、シリコン酸化膜を形成する際に、集電極とタブ電極とを接続するために、集電極のタブ電極が接続される領域上にシリコン酸化膜が形成されないようにマスクを形成する必要がない。その結果、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、光起電力装置の製造工程を簡略化することができる。また、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分に融着層が埋め込まれることにより、その埋め込まれた融着層により集電極とタブ電極とを接続することができるので、シリコン酸化膜上にタブ電極を配置したとしても、集電極とタブ電極との間において十分な密着強度を得ることができる。   In the photovoltaic module according to the second aspect, as described above, the back surface protective material and the filler are formed by forming a silicon oxide film on at least the light incident surface of the plurality of semiconductor layers including the photoelectric conversion layer. When sodium contained in the glass substrate constituting the surface protective material is eluted due to the permeated water reaching the surface protective material, the eluted sodium reaches the photovoltaic device through the filler. However, the silicon oxide film can suppress the intrusion of sodium eluted into the semiconductor layer located below the silicon oxide film. In this case, the silicon oxide film contains fine particles made of a material whose etching rate by flux is higher than that of silicon oxide, thereby forming, for example, a collecting electrode for collecting and collecting current on the light incident surface, and When a silicon oxide film is formed so as to cover the collector electrode, fine particles contained in the silicon oxide film are selected by applying a flux for soldering onto the silicon oxide film located on the collector electrode Therefore, a part of the upper surface of the collector electrode can be exposed. As a result, when the collector electrode and the tab electrode are connected, the fusion layer is embedded in the etched portion of the silicon oxide film so that the collector electrode and the tab electrode are connected by the embedded fusion layer. Can be electrically connected. Therefore, when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit, when the silicon oxide film is formed, the tab electrode of the collector electrode is connected to connect the collector electrode and the tab electrode. It is not necessary to form a mask so that a silicon oxide film is not formed on the region to be formed. As a result, when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit, the manufacturing process of the photovoltaic device can be simplified. In addition, since the fusion layer is embedded in the portion where the fine particles of the silicon oxide film are etched, the collector electrode and the tab electrode can be connected by the embedded fusion layer, so that the tab is formed on the silicon oxide film. Even if the electrode is disposed, sufficient adhesion strength can be obtained between the collector electrode and the tab electrode.

上記第２の局面による光起電力モジュールにおいて、好ましくは、微粒子は、ＺｎＯからなる微粒子である。このように構成すれば、微粒子の材料であるＺｎＯは、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料であるので、容易に、フラックスによりシリコン酸化膜に含有された微粒子を選択的にエッチングすることができる。また、微粒子の材料であるＺｎＯは、ＵＶ光（紫外線）を吸収する材料であるので、ＺｎＯからなる微粒子をシリコン酸化膜に含有させることにより、シリコン酸化膜を透過するＵＶ光の量を減少させることができる。この場合、光入射面上に電流を収集および集合させるための集電極を形成し、かつ、その集電極を覆うように光入射面上にシリコン酸化膜を形成した場合において、集電極がＵＶ光の照射により劣化する材料を含んでいる場合には、集電極が劣化するのを抑制することができる。   In the photovoltaic module according to the second aspect, preferably, the fine particles are fine particles made of ZnO. With this configuration, ZnO, which is a fine particle material, is a material whose etching rate by flux is higher than that of silicon oxide, so that the fine particles contained in the silicon oxide film can be easily selectively etched by the flux. Can do. In addition, since ZnO, which is a material of fine particles, is a material that absorbs UV light (ultraviolet rays), the amount of UV light transmitted through the silicon oxide film is reduced by containing fine particles of ZnO in the silicon oxide film. be able to. In this case, when a collector electrode for collecting and collecting current is formed on the light incident surface, and a silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover the collector electrode, the collector electrode is UV light. In the case where a material that deteriorates due to the irradiation is included, deterioration of the collector electrode can be suppressed.

上記第２の局面による光起電力モジュールにおいて、好ましくは、光起電力装置は、光入射面上の所定領域に形成され、電流を収集するためのフィンガー電極部と、フィンガー電極部において収集された電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極をさらに含み、シリコン酸化膜は、光入射面上に、集電極のフィンガー電極部およびバスバー電極部の両方を覆うように形成されている。このように構成すれば、シリコン酸化膜に含有された微粒子がＺｎＯからなる微粒子であれば、微粒子によりＵＶ光が吸収されるので、シリコン酸化膜を透過するＵＶ光の量を減少させることができる。これにより、集電極がＵＶ光の照射により劣化する材料を含んでいる場合に、容易に、集電極が劣化するのを抑制することができる。   In the photovoltaic module according to the second aspect, preferably, the photovoltaic device is formed in a predetermined region on the light incident surface, and is collected in the finger electrode unit for collecting current and the finger electrode unit. A collector electrode having a bus bar electrode part for collecting current is further included, and the silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover both the finger electrode part and the bus bar electrode part of the collector electrode. With this configuration, if the fine particles contained in the silicon oxide film are fine particles made of ZnO, the UV light is absorbed by the fine particles, so that the amount of UV light that passes through the silicon oxide film can be reduced. . Thereby, when the collector electrode contains the material which deteriorates by irradiation of UV light, it can suppress that a collector electrode deteriorates easily.

上記光入射面上の所定領域に形成された集電極をさらに備えた構成において、好ましくは、タブ電極は、シリコン酸化膜のうちの集電極のバスバー電極部の上面上に位置する第１部分上に配置されており、シリコン酸化膜の第１部分では、フラックスにより微粒子がエッチングされることによって、集電極のバスバー電極部の上面の一部が露出されており、集電極のバスバー電極部とタブ電極とは、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分を介して融着層により接続されている。このように構成すれば、シリコン酸化膜上にタブ電極を配置したとしても、集電極のバスバー電極部とタブ電極とが融着層により接続されるので、容易に、集電極とタブ電極との間において十分な密着強度を得ることができる。   In the configuration further including the collector electrode formed in the predetermined region on the light incident surface, the tab electrode is preferably on the first portion located on the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode of the silicon oxide film. In the first portion of the silicon oxide film, fine particles are etched by the flux to expose a part of the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode, and the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab The electrode is connected to the electrode by a fusion layer through a portion where the fine particles of the silicon oxide film are etched. According to this configuration, even if the tab electrode is arranged on the silicon oxide film, the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are connected by the fusion layer, so that the collector electrode and the tab electrode can be easily connected. Sufficient adhesion strength can be obtained.

この発明の第３の局面による光起電力装置の製造方法は、光電変換層を含む複数の半導体層を形成する工程と、半導体層の少なくとも光入射面上に、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有するポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を塗布する工程と、コーティング溶液を熱処理により硬化させることによって、光入射面上に、微粒子を含有するシリコン酸化膜を形成する工程とを備えている。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a photovoltaic device, comprising: forming a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer; and at least a light incident surface of the semiconductor layer having an etching rate by flux from silicon oxide. A step of applying a coating solution mainly composed of polysilazane containing fine particles made of a larger material, and a step of forming a silicon oxide film containing fine particles on the light incident surface by curing the coating solution by heat treatment And.

この第３の局面による光起電力装置の製造方法では、上記のように、光電変換層を含む複数の半導体層の少なくとも光入射面上に、ポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を硬化させることによりシリコン酸化膜を形成することによって、そのシリコン酸化膜により、シリコン酸化膜よりも下側に位置する半導体層に水分などが侵入するのを抑制することが可能な光起電力装置を形成することができる。この場合、シリコン酸化膜に、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有することによって、たとえば、光入射面上に電流を収集および集合させるための集電極を形成し、かつ、その集電極を覆うようにシリコン酸化膜を形成した場合に、集電極上に位置するシリコン酸化膜上に半田付けのためのフラックスを塗布することにより、シリコン酸化膜に含有された微粒子を選択的にエッチングすることができるので、集電極の表面の一部を露出させることができる。これにより、集電極とタブ電極とを接続する際に、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分に融着層が埋め込まれることにより、その埋め込まれた融着層により集電極とタブ電極とを電気的に接続することができる。したがって、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、シリコン酸化膜を形成する際に、集電極とタブ電極とを接続するために、集電極のタブ電極が接続される領域上にシリコン酸化膜が形成されないようにマスクを形成する必要がない。その結果、複数の光起電力装置をタブ電極により接続してユニット化する場合において、光起電力装置の製造工程を簡略化することができる。また、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分に融着層が埋め込まれることにより、その埋め込まれた融着層により集電極とタブ電極とを接続することができるので、シリコン酸化膜上にタブ電極を配置したとしても、集電極とタブ電極との間において十分な密着強度を得ることができる。   In the method for manufacturing a photovoltaic device according to the third aspect, as described above, the coating solution containing polysilazane as a main component is cured on at least the light incident surface of the plurality of semiconductor layers including the photoelectric conversion layer. By forming a silicon oxide film, a photovoltaic device capable of suppressing moisture and the like from entering a semiconductor layer located below the silicon oxide film can be formed by the silicon oxide film. it can. In this case, the silicon oxide film contains fine particles made of a material whose etching rate by flux is higher than that of silicon oxide, thereby forming, for example, a collecting electrode for collecting and collecting current on the light incident surface, and When a silicon oxide film is formed so as to cover the collector electrode, fine particles contained in the silicon oxide film are selected by applying a flux for soldering onto the silicon oxide film located on the collector electrode Therefore, a part of the surface of the collector electrode can be exposed. As a result, when the collector electrode and the tab electrode are connected, the fusion layer is embedded in the etched portion of the silicon oxide film so that the collector electrode and the tab electrode are connected by the embedded fusion layer. Can be electrically connected. Therefore, when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit, when the silicon oxide film is formed, the tab electrode of the collector electrode is connected to connect the collector electrode and the tab electrode. It is not necessary to form a mask so that a silicon oxide film is not formed on the region to be formed. As a result, when a plurality of photovoltaic devices are connected by tab electrodes to form a unit, the manufacturing process of the photovoltaic device can be simplified. In addition, since the fusion layer is embedded in the portion where the fine particles of the silicon oxide film are etched, the collector electrode and the tab electrode can be connected by the embedded fusion layer, so that the tab is formed on the silicon oxide film. Even if the electrode is disposed, sufficient adhesion strength can be obtained between the collector electrode and the tab electrode.

この場合、好ましくは、コーティング溶液を塗布する工程に先立って、光入射面上の所定領域に、電流を収集するためのフィンガー電極部と、フィンガー電極部において収集された電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極を形成する工程をさらに備え、コーティング溶液を塗布する工程は、光入射面上に、集電極のフィンガー電極部およびバスバー電極部の両方を覆うように塗布する工程を含み、シリコン酸化膜を形成する工程の後に、シリコン酸化膜の集電極のバスバー電極部に対応する第１部分上に、フラックスを塗布することにより微粒子をエッチングすることによって、集電極のバスバー電極部の上面の一部を露出させる工程と、シリコン酸化膜の微粒子がエッチングされた部分を介して、集電極のバスバー電極部とタブ電極とを融着層により接続する工程とをさらに備える。このように構成すれば、シリコン酸化膜に含有された微粒子がＺｎＯからなる微粒子であれば、微粒子によりＵＶ光が吸収されるので、シリコン酸化膜を透過するＵＶ光の量を減少させることができる。これにより、集電極がＵＶ光の照射により劣化する材料を含んでいる場合に、集電極が劣化するのを抑制することができる。また、シリコン酸化膜上にタブ電極を配置したとしても、集電極のバスバー電極部とタブ電極とが融着層により接続されるので、容易に、集電極のバスバー電極部とタブ電極との間において十分な密着強度を得ることができる。   In this case, preferably, prior to the step of applying the coating solution, a finger electrode part for collecting current and a bus bar for collecting the current collected at the finger electrode part in a predetermined region on the light incident surface. A step of forming a collector electrode having an electrode portion, and the step of applying the coating solution includes a step of applying the coating solution so as to cover both the finger electrode portion and the bus bar electrode portion of the collector electrode on the light incident surface. After the step of forming the silicon oxide film, the fine particles are etched by applying flux on the first portion corresponding to the bus bar electrode part of the collector electrode of the silicon oxide film, thereby forming the bus bar electrode part of the collector electrode. The bus bar electrode portion of the collector electrode through the step of exposing a part of the upper surface and the portion where the silicon oxide film fine particles are etched Further comprising a step of connecting by fusion layer and a tab electrode. With this configuration, if the fine particles contained in the silicon oxide film are fine particles made of ZnO, the UV light is absorbed by the fine particles, so that the amount of UV light that passes through the silicon oxide film can be reduced. . Thereby, when a collector electrode contains the material which deteriorates by irradiation of UV light, it can suppress that a collector electrode deteriorates. Even if the tab electrode is disposed on the silicon oxide film, the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are connected by the fusion layer, so that the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode can be easily connected. Sufficient adhesion strength can be obtained.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による光起電力装置の構造を示した斜視図である。図２は、図１に示した第１実施形態による光起電力装置を用いた光起電力モジュールの構造を示した断面図である。図３は、図１に示した第１実施形態による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した拡大図である。まず、図１〜図３を参照して、第１実施形態による光起電力装置およびそれを用いた光起電力モジュールの構造について説明する。 (First embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a photovoltaic device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a photovoltaic module using the photovoltaic device according to the first embodiment shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged view showing a state in which the tab electrode is connected to the bus bar electrode portion of the front-side collector electrode of the photovoltaic device according to the first embodiment shown in FIG. First, with reference to FIGS. 1-3, the structure of the photovoltaic apparatus by 1st Embodiment and a photovoltaic module using the same is demonstrated.

第１実施形態による光起電力装置１では、図１に示すように、約１Ω・ｃｍの抵抗率と約３００μｍの厚みとを有するとともに、（１００）面を有するｎ型単結晶シリコン基板２の上面上に、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有する実質的に真性のｉ型非晶質シリコン層３が形成されている。なお、ｎ型単結晶シリコン基板２は、本発明の「光電変換層」および「半導体層」の一例である。ｉ型非晶質シリコン層３は、本発明の「半導体層」の一例である。ｉ型非晶質シリコン層３上には、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質シリコン層４が形成されている。なお、ｐ型非晶質シリコン層４は、本発明の「半導体層」の一例である。   In the photovoltaic device 1 according to the first embodiment, as shown in FIG. 1, an n-type single crystal silicon substrate 2 having a resistivity of about 1 Ω · cm and a thickness of about 300 μm and having a (100) plane is provided. A substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer 3 having a thickness of about 10 nm to about 20 nm is formed on the upper surface. The n-type single crystal silicon substrate 2 is an example of the “photoelectric conversion layer” and “semiconductor layer” in the present invention. The i-type amorphous silicon layer 3 is an example of the “semiconductor layer” in the present invention. A p-type amorphous silicon layer 4 having a thickness of about 10 nm to about 20 nm is formed on the i-type amorphous silicon layer 3. The p-type amorphous silicon layer 4 is an example of the “semiconductor layer” in the present invention.

ｐ型非晶質シリコン層４上には、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなる透光性導電膜５が形成されている。透光性導電膜５の上面上の所定領域には、銀（Ａｇ）の微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂からなる表面側集電極６が形成されている。なお、表面側集電極６は、本発明の「集電極」の一例である。この表面側集電極６は、電流を収集するための複数のフィンガー電極部６ａと、フィンガー電極部６ａにおいて収集された電流を集合させるためのバスバー電極部６ｂとを有する。バスバー電極部６ｂは、所定の方向に延びるように形成されている。複数のフィンガー電極部６ａは、互いに所定の間隔を隔てて配置されているとともに、バスバー電極部６ｂの延びる方向と直交する方向に延びるように形成されている。また、表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂは、約１０μｍ〜約３０μｍの厚みと、約１００μｍ〜約５００μｍの幅とを有する。   On the p-type amorphous silicon layer 4, a translucent conductive film 5 made of an ITO (Indium Tin Oxide) film having a thickness of about 80 nm to about 120 nm is formed. In a predetermined region on the upper surface of the translucent conductive film 5, a surface-side collector electrode 6 made of an epoxy resin into which fine silver (Ag) powder is kneaded is formed. The surface-side collector electrode 6 is an example of the “collector electrode” in the present invention. The surface-side collector electrode 6 has a plurality of finger electrode portions 6a for collecting current and a bus bar electrode portion 6b for collecting current collected in the finger electrode portion 6a. The bus bar electrode portion 6b is formed to extend in a predetermined direction. The plurality of finger electrode portions 6a are arranged so as to be spaced apart from each other and are formed to extend in a direction orthogonal to the direction in which the bus bar electrode portion 6b extends. Further, the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 have a thickness of about 10 μm to about 30 μm and a width of about 100 μm to about 500 μm.

ここで、第１実施形態では、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂの両方を覆うように、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７が形成されている。このシリコン酸化膜７に含有された微粒子の材料であるＺｎＯは、フラックス（たとえば、ｐＨ＝約１．２）によるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料である。また、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径は、約０．００５μｍ以上約０．１μｍ以下であり、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、約８１％以下である。また、シリコン酸化膜７の厚みは、約０．０１μｍ以上約６μｍ以下である。   Here, in 1st Embodiment, the microparticles | fine-particles which consist of ZnO were contained on the upper surface of the translucent conductive film 5 so that both the finger electrode part 6a and the bus-bar electrode part 6b of the surface side collector electrode 6 might be covered. A silicon oxide film 7 is formed. ZnO which is a fine particle material contained in the silicon oxide film 7 is a material whose etching rate by flux (for example, pH = about 1.2) is higher than that of silicon oxide. The average particle diameter of the ZnO particles contained in the silicon oxide film 7 is about 0.005 μm or more and about 0.1 μm or less, and the volume ratio of the ZnO particles in the silicon oxide film 7 is about 81. % Or less. The thickness of the silicon oxide film 7 is not less than about 0.01 μm and not more than about 6 μm.

また、ｎ型単結晶シリコン基板２の下面上には、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有する実質的に真性のｉ型非晶質シリコン層８および約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質シリコン層９が順次形成されている。なお、ｉ型非晶質シリコン層８およびｎ型非晶質シリコン層９は、本発明の「半導体層」の一例である。また、ｎ型非晶質シリコン層９の下面上には、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの厚みを有するＩＴＯ膜からなる透光性導電膜１０が形成されている。   Further, on the lower surface of the n-type single crystal silicon substrate 2, a substantially intrinsic i-type amorphous silicon layer 8 having a thickness of about 10 nm to about 20 nm and an n-type non-crystal having a thickness of about 10 nm to about 20 nm are formed. A crystalline silicon layer 9 is sequentially formed. The i-type amorphous silicon layer 8 and the n-type amorphous silicon layer 9 are examples of the “semiconductor layer” in the present invention. On the lower surface of the n-type amorphous silicon layer 9, a translucent conductive film 10 made of an ITO film having a thickness of about 80 nm to about 120 nm is formed.

また、透光性導電膜１０の下面上の所定領域には、銀（Ａｇ）の微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂からなる裏面側集電極１１が形成されている。この裏面側集電極１１は、上記した表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂと同様の形状に形成されたフィンガー電極部１１ａおよびバスバー電極部１１ｂを有する。すなわち、バスバー電極部１１ｂは、所定の方向に延びるように形成されている。また、複数のフィンガー電極部１１ａは、互いに所定の間隔を隔てて配置されているとともに、バスバー電極部１１ｂの延びる方向と直交する方向に延びるように形成されている。また、裏面側集電極１１のフィンガー電極部１１ａおよびバスバー電極部１１ｂは、約１０μｍ〜約３０μｍの厚みと、約１００μｍ〜約５００μｍの幅とを有する。   Further, in a predetermined region on the lower surface of the translucent conductive film 10, a back-side collector electrode 11 made of an epoxy resin in which fine silver (Ag) powder is kneaded is formed. The back surface side collector electrode 11 has a finger electrode portion 11a and a bus bar electrode portion 11b formed in the same shape as the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 described above. That is, the bus bar electrode portion 11b is formed to extend in a predetermined direction. Further, the plurality of finger electrode portions 11a are arranged at a predetermined interval from each other, and are formed to extend in a direction orthogonal to the extending direction of the bus bar electrode portion 11b. In addition, the finger electrode portion 11a and the bus bar electrode portion 11b of the back-side collector electrode 11 have a thickness of about 10 μm to about 30 μm and a width of about 100 μm to about 500 μm.

また、図２および図３に示すように、第１実施形態による光起電力装置１を用いた光起電力モジュール２１は、複数の光起電力装置１を含んでいる。この複数の光起電力装置１の各々は、約１５０μｍの厚みを有し、約３０μｍの厚みの半田で被覆された銅箔からなるタブ電極２２を介して、隣接する他の光起電力装置１と接続されている。タブ電極２２の端部側は、所定の光起電力装置１の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂ（図３参照）上に、シリコン酸化膜７を介して配置されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the photovoltaic module 21 using the photovoltaic device 1 according to the first embodiment includes a plurality of photovoltaic devices 1. Each of the plurality of photovoltaic devices 1 has a thickness of about 150 μm, and is adjacent to another photovoltaic device 1 via a tab electrode 22 made of a copper foil covered with solder having a thickness of about 30 μm. Connected with. The end portion side of the tab electrode 22 is disposed on the bus bar electrode portion 6 b (see FIG. 3) of the surface-side collector electrode 6 of the predetermined photovoltaic device 1 via the silicon oxide film 7.

ここで、第１実施形態では、図３に示すように、シリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域は、フラックスによりＺｎＯからなる微粒子がエッチングされている。このため、シリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域では、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの表面の一部が露出されている。また、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂ上に位置するシリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子の含有量が、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂ以外の領域上に位置するシリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子の含有量よりも少なくなっている。そして、シリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子がエッチングされた部分には、半田層２３が埋め込まれているとともに、その埋め込まれた半田層２３により、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とが接続されている。なお、半田層２３は、本発明の「融着層」の一例である。   Here, in the first embodiment, as shown in FIG. 3, in the region corresponding to the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7, fine particles made of ZnO are etched by flux. Therefore, a part of the surface of the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 is exposed in a region corresponding to the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7. Also, the silicon oxide film in which the content of fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 located on the bus bar electrode part 6b of the surface side collector electrode 6 is located on a region other than the bus bar electrode part 6b of the surface side collector electrode 6 7 is smaller than the content of fine particles of ZnO. A solder layer 23 is embedded in a portion of the silicon oxide film 7 where the fine particles of ZnO are etched, and the embedded solder layer 23 allows the bus bar electrode portion 6b and the tab of the surface side collector electrode 6 to be tabbed. The electrode 22 is connected. The solder layer 23 is an example of the “fusion layer” in the present invention.

なお、裏面側においても、裏面側集電極１１のバスバー電極部１１ｂ（図１参照）とタブ電極２２とが、半田層（図示せず）により接続されている。   Note that also on the back surface side, the bus bar electrode portion 11b (see FIG. 1) of the back surface side collecting electrode 11 and the tab electrode 22 are connected by a solder layer (not shown).

また、図２に示すように、タブ電極２２により接続された複数の光起電力装置１は、ＥＶＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌ Ａｃｅｔａｔｅ：エチレンビニールアセテート）からなる充填材２４により覆われている。また、充填材２４の上面上には、ガラス基板からなる表面保護材２５が設けられている。また、充填材２４の下面上には、ＰＶＦ（Ｐｏｌｙ Ｖｉｎｙｌ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ：ポリフッ化ビニール）からなる裏面保護材２６が設けられている。   Further, as shown in FIG. 2, the plurality of photovoltaic devices 1 connected by the tab electrode 22 are covered with a filler 24 made of EVA (Ethylene Vinyl Acetate). A surface protective material 25 made of a glass substrate is provided on the upper surface of the filler 24. A back surface protective material 26 made of PVF (Poly Vinyl Fluoride) is provided on the lower surface of the filler 24.

第１実施形態では、上記のように、透光性導電膜５の上面上に、シリコン酸化膜７を形成することによって、裏面保護材２６および充填材２４を透過した水分が表面保護材２５に達することに起因して表面保護材２５を構成するガラス基板中に含まれるナトリウムが溶出した場合に、その溶出したナトリウムが充填材２４を介して光起電力装置１に達したとしても、シリコン酸化膜７により、シリコン酸化膜７よりも下側に位置する半導体各層に溶出したナトリウムが侵入するのを抑制することができる。この場合、第１実施形態では、シリコン酸化膜７に、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きいＺｎＯからなる微粒子を含有することによって、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂ上に位置するシリコン酸化膜７上に半田付けのためのフラックスを塗布することにより、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子を選択的にエッチングすることができるので、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの上面の一部を露出させることができる。これにより、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを接続する際に、シリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子がエッチングされた部分に半田層２３が埋め込まれることにより、その埋め込まれた半田層２３により表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを電気的に接続することができる。したがって、複数の光起電力装置１をタブ電極２２により接続してユニット化する場合において、シリコン酸化膜７を形成する際に、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを接続するために、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂのタブ電極２２が接続される領域上にシリコン酸化膜７が形成されないようにマスクを形成する必要がない。その結果、複数の光起電力装置１をタブ電極２２により接続してユニット化する場合において、光起電力装置１の製造工程を簡略化することができる。   In the first embodiment, as described above, by forming the silicon oxide film 7 on the upper surface of the translucent conductive film 5, moisture that has passed through the back surface protective material 26 and the filler 24 is transferred to the surface protective material 25. When sodium contained in the glass substrate constituting the surface protective material 25 is eluted due to reaching, even if the eluted sodium reaches the photovoltaic device 1 through the filler 24, silicon oxidation With the film 7, it is possible to suppress the elution of sodium eluted into each semiconductor layer located below the silicon oxide film 7. In this case, in the first embodiment, the silicon oxide film 7 contains fine particles of ZnO whose etching rate by flux is higher than that of silicon oxide, so that the silicon located on the bus bar electrode portion 6b of the surface side collecting electrode 6 is formed. By applying a soldering flux on the oxide film 7, the fine particles of ZnO contained in the silicon oxide film 7 can be selectively etched, so that the bus bar electrode portion 6 b of the surface-side collector electrode 6. A part of the upper surface of the substrate can be exposed. As a result, when the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 22 are connected, the solder layer 23 is embedded in the portion of the silicon oxide film 7 where the fine particles of ZnO have been etched. The solder layer 23 can electrically connect the bus bar electrode portion 6 b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 22. Therefore, when the plurality of photovoltaic devices 1 are connected by the tab electrode 22 to form a unit, when the silicon oxide film 7 is formed, the bus bar electrode portion 6b of the surface-side collector electrode 6 and the tab electrode 22 are connected. Therefore, it is not necessary to form a mask so that the silicon oxide film 7 is not formed on the region to which the tab electrode 22 of the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 is connected. As a result, the manufacturing process of the photovoltaic device 1 can be simplified when a plurality of photovoltaic devices 1 are connected by the tab electrode 22 to form a unit.

また、第１実施形態では、シリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子がエッチングされた部分に半田層２３を埋め込むとともに、その埋め込まれた半田層２３により表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを接続することによって、シリコン酸化膜７上にタブ電極２２を配置したとしても、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２との間において十分な密着強度を得ることができる。   In the first embodiment, the solder layer 23 is embedded in the silicon oxide film 7 where the fine particles of ZnO are etched, and the bus bar electrode portion 6b and the tab of the surface-side collector electrode 6 are embedded by the embedded solder layer 23. Even if the tab electrode 22 is disposed on the silicon oxide film 7 by connecting the electrode 22, sufficient adhesion strength can be obtained between the bus bar electrode portion 6 b of the surface-side collector electrode 6 and the tab electrode 22. it can.

また、第１実施形態では、シリコン酸化膜７にＺｎＯからなる微粒子を含有することによって、微粒子の材料であるＺｎＯは、ＵＶ光（紫外線）を吸収する材料であるので、シリコン酸化膜７を透過するＵＶ光の量を減少させることができる。これにより、ＵＶ光の照射により劣化する材料（エポキシ樹脂）を含む表面側集電極６を用いたとしても、表面側集電極６が劣化するのを抑制することができる。   In the first embodiment, since the silicon oxide film 7 contains fine particles of ZnO, the fine particle material, ZnO, is a material that absorbs UV light (ultraviolet rays), and thus passes through the silicon oxide film 7. The amount of UV light to be reduced can be reduced. Thereby, even if it uses the surface side collector electrode 6 containing the material (epoxy resin) which deteriorates by irradiation of UV light, it can suppress that the surface side collector electrode 6 deteriorates.

また、第１実施形態では、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の平均粒径を、約０．１μｍ以下に設定することによって、ＺｎＯからなる微粒子の平均粒径が約０．１μｍよりも大きいことに起因して、シリコン酸化膜７に入射したＵＶ光以外の光がＺｎＯからなる微粒子により散乱反射され、外部に放出されるという不都合が発生するのを抑制することができる。これにより、シリコン酸化膜７を透過してｎ型単結晶シリコン基板（光電変換層）２に入射するＵＶ光以外の光の量が減少するのを抑制することができるので、光起電力装置１の出力特性が低下するのを抑制することができる。   In the first embodiment, the average particle diameter of the ZnO fine particles contained in the silicon oxide film 7 is set to about 0.1 μm or less, so that the average particle diameter of the ZnO fine particles is about 0.1 μm or less. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of inconvenience that light other than UV light incident on the silicon oxide film 7 is scattered and reflected by fine particles made of ZnO and emitted to the outside. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the amount of light other than UV light that passes through the silicon oxide film 7 and enters the n-type single crystal silicon substrate (photoelectric conversion layer) 2. It can suppress that the output characteristic of this falls.

また、第１実施形態では、シリコン酸化膜７の厚みを、約６μｍ以下に設定することによって、シリコン酸化膜７の厚みが約６μｍよりも大きいことに起因して、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との接触抵抗が高くなるという不都合が発生するのを抑制することができる。具体的には、ポリシラザンが含有されたコーティング溶液を硬化させることによりシリコン酸化膜７を形成する場合に、コーティング溶液（シリコン酸化膜７）が硬化する際に、コーティング溶液（シリコン酸化膜７）の内部応力により表面側集電極６に外力が加わるので、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との間の接触状態が変化する。この場合、シリコン酸化膜７の厚みが約６μｍよりも大きければ、表面側集電極６に加わる外力も大きくなるので、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との間の接触状態も大きく変化する。したがって、シリコン酸化膜７の厚みを約６μｍ以下に設定することによって、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との間の接触状態が変化するのを抑制することができるので、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との接触抵抗が高くなるのを抑制することができる。   In the first embodiment, by setting the thickness of the silicon oxide film 7 to about 6 μm or less, the thickness of the silicon oxide film 7 is larger than about 6 μm. Generation | occurrence | production of the problem that contact resistance with the translucent conductive film 5 which is a base layer becomes high can be suppressed. Specifically, when the silicon oxide film 7 is formed by curing a coating solution containing polysilazane, when the coating solution (silicon oxide film 7) is cured, the coating solution (silicon oxide film 7) Since an external force is applied to the surface-side collector electrode 6 due to internal stress, the contact state between the surface-side collector electrode 6 and the translucent conductive film 5 that is the underlying layer changes. In this case, if the thickness of the silicon oxide film 7 is larger than about 6 μm, the external force applied to the surface-side collector electrode 6 also increases, so that the gap between the surface-side collector electrode 6 and the translucent conductive film 5 that is the underlying layer is increased. The contact state also greatly changes. Therefore, by setting the thickness of the silicon oxide film 7 to about 6 μm or less, it is possible to suppress a change in the contact state between the surface-side collector electrode 6 and the translucent conductive film 5 that is the underlying layer. Since it can do, it can suppress that the contact resistance of the surface side collector electrode 6 and the translucent conductive film 5 which is the base layer becomes high.

また、第１実施形態では、シリコン酸化膜７の厚みを、約０．０１μｍ以上に設定することによって、シリコン酸化膜７の厚みが約０．０１μｍよりも小さいことに起因して、シリコン酸化膜７を介して、シリコン酸化膜７よりも下側に位置する半導体各層に水分などが侵入しやすくなるという不都合が発生するのを抑制することができる。   Further, in the first embodiment, the thickness of the silicon oxide film 7 is set to about 0.01 μm or more, so that the thickness of the silicon oxide film 7 is smaller than about 0.01 μm. It is possible to suppress the occurrence of inconvenience that moisture or the like easily enters each semiconductor layer located below the silicon oxide film 7 via 7.

図４は、本発明の第１実施形態による光起電力装置を用いた光起電力モジュールの製造プロセスを説明するための断面図である。次に、図１〜図４を参照して、第１実施形態による光起電力装置１およびそれを用いた光起電力モジュール２１の製造プロセスについて説明する。   FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing process of the photovoltaic module using the photovoltaic device according to the first embodiment of the present invention. Next, with reference to FIGS. 1-4, the manufacturing process of the photovoltaic apparatus 1 by 1st Embodiment and the photovoltaic module 21 using the same is demonstrated.

図１に示した光起電力装置１を作製する際には、まず、約１Ω・ｃｍの抵抗率と約３００μｍの厚みとを有するとともに、（１００）面を有するｎ型単結晶シリコン基板２を洗浄することにより不純物を除去する。そして、ＲＦプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、ｎ型単結晶シリコン基板２上に、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層３および約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質シリコン層４を順次形成する。このｉ型非晶質シリコン層３およびｐ型非晶質シリコン層４の形成条件は、周波数：約１３．５６ＭＨｚ、形成温度：約１００℃〜約３００℃、反応圧力：約５Ｐａ〜約１００Ｐａ、ＲＦパワー：約１ｍＷ／ｃｍ２〜約５００ｍＷ／ｃｍ２である。なお、ｐ型非晶質シリコン層４を形成する際のｐ型ドーパントとしては、３族元素であるＢ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎが挙げられる。そして、ｐ型非晶質シリコン層４の形成時に、ＳｉＨ４（シラン）ガスなどの原料ガスに、上記したｐ型ドーパントの少なくとも１つを含む化合物ガスを混合することによって、ｐ型非晶質シリコン層４を形成することが可能である。 When producing the photovoltaic device 1 shown in FIG. 1, first, an n-type single crystal silicon substrate 2 having a resistivity of about 1 Ω · cm and a thickness of about 300 μm and having a (100) plane is formed. Impurities are removed by washing. Then, an RF plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method is used to form an i-type amorphous silicon layer 3 having a thickness of about 10 nm to about 20 nm and a thickness of about 10 nm to about 20 nm on the n-type single crystal silicon substrate 2. A p-type amorphous silicon layer 4 having n is sequentially formed. The formation conditions of the i-type amorphous silicon layer 3 and the p-type amorphous silicon layer 4 are as follows: frequency: about 13.56 MHz, formation temperature: about 100 ° C. to about 300 ° C., reaction pressure: about 5 Pa to about 100 Pa, RF power: about 1 mW / cm 2 to about 500 mW / cm 2 . Note that p-type dopants for forming the p-type amorphous silicon layer 4 include group III elements B, Al, Ga, and In. Then, when the p-type amorphous silicon layer 4 is formed, a compound gas containing at least one of the above-described p-type dopants is mixed into a source gas such as SiH 4 (silane) gas, thereby forming a p-type amorphous silicon. It is possible to form the silicon layer 4.

次に、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、ｎ型単結晶シリコン基板２の下面上に、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層８および約１０ｎｍ〜約２０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質シリコン層９を順次形成する。なお、ｎ型非晶質シリコン層９を形成する際のｎ型ドーパントとしては、５族元素であるＰ、Ｎ、ＡｓおよびＳｂが挙げられる。そして、ｎ型非晶質シリコン層９の形成時に、ＳｉＨ４（シラン）ガスなどの原料ガスに、上記したｎ型ドーパントの少なくとも１つを含む化合物ガスを混合することによって、ｎ型非晶質シリコン層９を形成することが可能である。なお、ｉ型非晶質シリコン層８およびｎ型非晶質シリコン層９の形成条件は、上記したｉ型非晶質シリコン層３およびｐ型非晶質シリコン層４の形成条件と同じである。 Next, an RF plasma CVD method is used to form an i-type amorphous silicon layer 8 having a thickness of about 10 nm to about 20 nm and a thickness of about 10 nm to about 20 nm on the lower surface of the n-type single crystal silicon substrate 2. An n-type amorphous silicon layer 9 is sequentially formed. In addition, as an n-type dopant at the time of forming the n-type amorphous silicon layer 9, P, N, As, and Sb which are group 5 elements are mentioned. Then, when the n-type amorphous silicon layer 9 is formed, an n-type amorphous silicon layer 9 is mixed with a compound gas containing at least one of the above-described n-type dopants in a source gas such as SiH 4 (silane) gas. It is possible to form the silicon layer 9. The formation conditions of the i-type amorphous silicon layer 8 and the n-type amorphous silicon layer 9 are the same as the formation conditions of the i-type amorphous silicon layer 3 and the p-type amorphous silicon layer 4 described above. .

次に、スパッタリング法を用いて、ｐ型非晶質シリコン層４上に、ＩＴＯ膜からなる透光性導電膜５を形成する。この透光性導電膜５の形成時には、約５質量％のＳｎＯ２粉末を含むＩｎ２Ｏ３粉末の焼結体からなるターゲットを、スパッタリング装置（図示せず）のチャンバ（図示せず）内のカソード（図示せず）に設置する。この場合、ＳｎＯ２粉末の量を変化させることにより、ＩＴＯ膜中のＳｎの量を変化させることが可能である。ここで、Ｉｎに対するＳｎの量は、約１質量％〜約１０質量％が好ましく、約２質量％〜約７質量％であればより好ましい。また、ターゲットの焼結密度は、約９０％以上であることが好ましい。なお、透光性導電膜５の形成には、約３００Ｇａｕｓｓ〜約３０００Ｇａｕｓｓの強磁場をマグネットにより印加可能なスパッタリング装置を使用する。 Next, a light-transmitting conductive film 5 made of an ITO film is formed on the p-type amorphous silicon layer 4 by sputtering. When forming the translucent conductive film 5, a target made of a sintered body of In 2 O 3 powder containing about 5 mass% of SnO 2 powder is placed in a chamber (not shown) of a sputtering apparatus (not shown). Installed on the cathode (not shown). In this case, it is possible to change the amount of Sn in the ITO film by changing the amount of SnO 2 powder. Here, the amount of Sn with respect to In is preferably about 1% by mass to about 10% by mass, and more preferably about 2% by mass to about 7% by mass. The sintered density of the target is preferably about 90% or more. The translucent conductive film 5 is formed using a sputtering apparatus capable of applying a strong magnetic field of about 300 Gauss to about 3000 Gauss with a magnet.

次に、ｎ型単結晶シリコン基板２をカソードに対して平行になるように、かつ、対向するように配置する。そして、チャンバを真空排気した後、加熱ヒータ（図示せず）を用いて、基板温度が約２００℃になるまで加熱する。この後、基板温度を約２００℃に保持した状態で、ＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガスをチャンバ内に供給して圧力を約０．４Ｐａ〜約１．３Ｐａに保持するとともに、カソードに約０．５ｋＷ〜約２ｋＷのＤＣ電力を投入することにより放電を開始する。この際、ｎ型単結晶シリコン基板２をカソードに対して静止させた状態に保持するとともに、成膜速度を約１０ｎｍ／ｍｉｎ〜約８０ｎｍ／ｍｉｎに設定する。これにより、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの厚みを有するＩＴＯ膜からなる透光性導電膜５が形成される。 Next, the n-type single crystal silicon substrate 2 is arranged so as to be parallel to and opposed to the cathode. Then, the chamber is evacuated and then heated using a heater (not shown) until the substrate temperature reaches about 200 ° C. Thereafter, while maintaining the substrate temperature at about 200 ° C., a mixed gas of Ar gas and O 2 gas is supplied into the chamber to maintain the pressure at about 0.4 Pa to about 1.3 Pa, and at the cathode Discharging is started by applying DC power of about 0.5 kW to about 2 kW. At this time, the n-type single crystal silicon substrate 2 is held stationary with respect to the cathode, and the deposition rate is set to about 10 nm / min to about 80 nm / min. Thereby, the translucent conductive film 5 made of an ITO film having a thickness of about 80 nm to about 120 nm is formed.

次に、上記した透光性導電膜５の形成プロセスと同様の形成プロセスを用いて、ｎ型非晶質シリコン層９の下面上に、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの厚みを有するＩＴＯ膜からなる透光性導電膜１０を形成する。   Next, a transparent process comprising an ITO film having a thickness of about 80 nm to about 120 nm is formed on the lower surface of the n-type amorphous silicon layer 9 by using a formation process similar to the formation process of the translucent conductive film 5 described above. A photoconductive film 10 is formed.

次に、スクリーン印刷法を用いて、透光性導電膜５の上面上の所定領域に、銀（Ａｇ）の微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂からなるペーストを塗布する。この後、約２００℃の温度条件下で約８０分間の熱処理を行うことによって、銀（Ａｇ）の微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂からなるペーストを硬化させる。これにより、透光性導電膜５の上面上の所定領域に、銀（Ａｇ）の微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂からなるとともに、複数のフィンガー電極部６ａと、バスバー電極部６ｂとを有する表面側集電極６が形成される。この際、バスバー電極部６ｂが、所定の方向に延びるように形成する。また、複数のフィンガー電極部６ａが、互いに所定の間隔を隔てて配置されるように、かつ、バスバー電極部６ｂの延びる方向と直交する方向に延びるように形成する。また、表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂが、約１０μｍ〜約３０μｍの厚みと、約１００μｍ〜約５００μｍの幅とを有するように形成する。   Next, a paste made of an epoxy resin in which a fine powder of silver (Ag) is kneaded is applied to a predetermined region on the upper surface of the translucent conductive film 5 by screen printing. Thereafter, a paste made of an epoxy resin in which fine silver (Ag) powder is kneaded is cured by performing a heat treatment for about 80 minutes under a temperature condition of about 200 ° C. Accordingly, the predetermined region on the upper surface of the translucent conductive film 5 is made of an epoxy resin in which fine powder of silver (Ag) is kneaded, and has a plurality of finger electrode portions 6a and bus bar electrode portions 6b. A front-side collector electrode 6 is formed. At this time, the bus bar electrode portion 6b is formed to extend in a predetermined direction. Further, the plurality of finger electrode portions 6a are formed so as to be arranged at a predetermined interval from each other and to extend in a direction orthogonal to the direction in which the bus bar electrode portion 6b extends. Further, the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the surface side collecting electrode 6 are formed to have a thickness of about 10 μm to about 30 μm and a width of about 100 μm to about 500 μm.

次に、上記した表面側集電極６の形成プロセスと同様の形成プロセスを用いて、透光性導電膜１０の下面上の所定領域に、銀（Ａｇ）の微粉末が練り込まれたエポキシ樹脂からなるとともに、複数のフィンガー電極部１１ａと、バスバー電極部１１ｂとを有する裏面側集電極１１を形成する。この際、裏面側集電極１１のフィンガー電極部１１ａおよびバスバー電極部１１ｂが、上記した表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂと同様の形状を有するように形成する。   Next, an epoxy resin in which a fine powder of silver (Ag) is kneaded into a predetermined region on the lower surface of the translucent conductive film 10 using a formation process similar to the formation process of the surface-side collector electrode 6 described above. And a back-side collector electrode 11 having a plurality of finger electrode portions 11a and bus bar electrode portions 11b. At this time, the finger electrode portion 11a and the bus bar electrode portion 11b of the back surface side collector electrode 11 are formed to have the same shape as the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 described above.

次に、第１実施形態では、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を準備する。なお、コーティング溶液の溶媒としては、ジブチルエーテルを用いる。また、溶媒の質量に対するポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和の割合を、約２質量％〜約１０質量％に設定する。また、ポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和に対するＺｎＯからなる微粒子の質量の割合を、約９５質量％以下に設定する。また、ＺｎＯからなる微粒子の平均粒径を、約０．００５μｍ以上約０．１μｍ以下に設定する。   Next, in the first embodiment, a coating solution containing polysilazane containing fine particles of ZnO as a main component is prepared. Dibutyl ether is used as a solvent for the coating solution. Moreover, the ratio of the sum total of the mass of the polysilazane and the fine particles made of ZnO with respect to the mass of the solvent is set to about 2 mass% to about 10 mass%. In addition, the ratio of the mass of the fine particles made of ZnO to the total mass of the fine particles of polysilazane and ZnO is set to about 95% by mass or less. Further, the average particle diameter of the fine particles made of ZnO is set to about 0.005 μm or more and about 0.1 μm or less.

なお、コーティング溶液としては、約０．０５μｍ以下の粒径を有するパラジウム（Ｐｄ）が添加された溶液を用いる。このようにコーティング溶液中にパラジウム（Ｐｄ）を添加することによって、コーティング溶液の硬化温度を低下させることが可能となる。   As the coating solution, a solution to which palladium (Pd) having a particle size of about 0.05 μm or less is added is used. Thus, by adding palladium (Pd) to the coating solution, the curing temperature of the coating solution can be lowered.

次に、スプレー法を用いて、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂの両方を覆うように、上記したＺｎＯからなる微粒子が含有されたポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を塗布する。この後、大気雰囲気中において、約２００℃の温度条件下で約１時間の熱処理を行うことによって、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を硬化させる。これにより、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂの両方を覆うように、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７が形成される。   Next, the above-described fine particles of ZnO are contained on the upper surface of the translucent conductive film 5 by using a spray method so as to cover both the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6. A coating solution containing polysilazane as a main component is applied. Thereafter, a coating solution containing polysilazane containing fine particles of ZnO as a main component is cured by performing a heat treatment for about 1 hour under a temperature condition of about 200 ° C. in an air atmosphere. Thereby, a silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO is formed on the upper surface of the translucent conductive film 5 so as to cover both the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6. Is done.

この際、第１実施形態では、シリコン酸化膜７が、約０．０１μｍ以上約６μｍ以下の厚みを有するように形成する。このように、シリコン酸化膜７が約６μｍ以下になるように形成することによって、コーティング溶液（シリコン酸化膜７）が硬化する際に、コーティング溶液（シリコン酸化膜７）が変形して表面側集電極６に加わる外力が大きくなるのを抑制することができるので、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との間の接触状態が変化するのを抑制することができる。これにより、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との間の接触状態が変化することに起因して、表面側集電極６とその下地層である透光性導電膜５との接触抵抗が高くなるという不都合が発生するのを抑制することができる。   At this time, in the first embodiment, the silicon oxide film 7 is formed to have a thickness of about 0.01 μm or more and about 6 μm or less. In this way, by forming the silicon oxide film 7 to be about 6 μm or less, when the coating solution (silicon oxide film 7) is cured, the coating solution (silicon oxide film 7) is deformed and the surface side collection is performed. Since it can suppress that the external force added to the electrode 6 becomes large, it can suppress that the contact state between the surface side collector electrode 6 and the translucent conductive film 5 which is the base layer changes. . As a result, the contact state between the surface-side collector electrode 6 and the light-transmitting conductive film 5 that is the underlying layer changes, so that the surface-side collector electrode 6 and the light-transmitting conductive material that is the underlying layer are changed. Generation | occurrence | production of the problem that contact resistance with the film | membrane 5 becomes high can be suppressed.

なお、上記のようにシリコン酸化膜７を形成した場合、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、約８１％以下となる。このようにして、図１に示した第１実施形態による光起電力装置１が形成される。   When the silicon oxide film 7 is formed as described above, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 is about 81% or less. In this way, the photovoltaic device 1 according to the first embodiment shown in FIG. 1 is formed.

また、第１実施形態による光起電力装置１を用いた光起電力モジュール２１を作製する際には、まず、図１に示した光起電力装置１を複数準備する。そして、シリコン酸化膜７上の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域に、フラックス（図示せず）を塗布する。なお、フラックスの成分は、グルタミン酸塩酸塩：約５％〜約１０％、尿素：約４％〜約１０％、水：約８０％以上である。また、フラックスのｐＨは、ｐＨ＝約１．２である。   Moreover, when producing the photovoltaic module 21 using the photovoltaic device 1 according to the first embodiment, first, a plurality of photovoltaic devices 1 shown in FIG. 1 are prepared. Then, a flux (not shown) is applied to a region corresponding to the bus bar electrode portion 6 b of the surface side collector electrode 6 on the silicon oxide film 7. The components of the flux are glutamic acid hydrochloride: about 5% to about 10%, urea: about 4% to about 10%, and water: about 80% or more. The pH of the flux is about pH = 1.2.

この際、第１実施形態では、図４に示すように、シリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域において、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子がフラックスにより選択的にエッチングされる。これにより、第１実施形態では、シリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域において、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの上面の一部を露出させることができる。これにより、後の半田付け工程において、シリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子がエッチングされた部分に半田層２３を埋め込むことにより、その埋め込まれた半田層２３により表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを電気的に接続することができる。したがって、第１実施形態では、シリコン酸化膜７を形成する際に、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを接続するために、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂのタブ電極２２が接続される領域上にシリコン酸化膜７が形成されないようにマスクを形成する必要がないので、製造工程を簡略化することができる。   At this time, in the first embodiment, as shown in FIG. 4, in the region corresponding to the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7, the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 are present. It is selectively etched by the flux. Thereby, in 1st Embodiment, in the area | region corresponding to the bus-bar electrode part 6b of the surface side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7, a part of upper surface of the bus-bar electrode part 6b of the surface-side collector electrode 6 is exposed. it can. As a result, in the subsequent soldering step, the solder layer 23 is embedded in the portion of the silicon oxide film 7 where the fine particles of ZnO are etched, and the embedded solder layer 23 causes the bus bar electrode portion of the surface-side collector electrode 6 to be embedded. 6b and the tab electrode 22 can be electrically connected. Therefore, in the first embodiment, when the silicon oxide film 7 is formed, in order to connect the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 and the tab electrode 22, the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 is connected. Since it is not necessary to form a mask so that the silicon oxide film 7 is not formed on the region to which the tab electrode 22 is connected, the manufacturing process can be simplified.

この後、図２および図３に示したように、複数の光起電力装置１の各々を、約１５０μｍの厚みを有する銅箔からなるタブ電極２２を介して、隣接する他の光起電力装置１と接続する。具体的には、約３０μｍの厚みを有する半田層２３が表面および裏面にコーティングされたタブ電極２２の一方端側を、所定の光起電力装置１の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂ上に、シリコン酸化膜７を介して配置する。また、タブ電極２２の他方端側は、所定の光起電力装置１に隣接する別の光起電力装置１の裏面側集電極１１のバスバー電極部１１ｂ（図１参照）上に配置する。   Thereafter, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, each of the plurality of photovoltaic devices 1 is connected to another adjacent photovoltaic device via a tab electrode 22 made of a copper foil having a thickness of about 150 μm. Connect with 1. Specifically, one end side of the tab electrode 22 on which the solder layer 23 having a thickness of about 30 μm is coated on the front surface and the back surface is placed on the bus bar electrode portion 6 b of the front surface side collecting electrode 6 of the predetermined photovoltaic device 1. In addition, the silicon oxide film 7 is interposed therebetween. Further, the other end side of the tab electrode 22 is disposed on the bus bar electrode portion 11 b (see FIG. 1) of the back surface side collecting electrode 11 of another photovoltaic device 1 adjacent to the predetermined photovoltaic device 1.

この後、第１実施形態では、図３に示したように、熱処理を行うことにより、タブ電極２２の下面にコーティングされた半田層２３を溶融することによって、シリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子がエッチングされた部分に半田層２３が埋め込まれる。これにより、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とが半田層２３により接続される。したがって、第１実施形態では、シリコン酸化膜７上にタブ電極２２を配置したとしても、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２との間において十分な密着強度を得ることができる。また、裏面側においても、上記した熱処理により、タブ電極２２の上面にコーティングされた半田層（図示せず）が溶融されることによって、裏面側集電極１１のバスバー電極部１１ｂ（図１参照）とタブ電極２２とが接続される。   Thereafter, in the first embodiment, as shown in FIG. 3, the heat treatment is performed to melt the solder layer 23 coated on the lower surface of the tab electrode 22, thereby forming the fine particles of ZnO of the silicon oxide film 7. The solder layer 23 is embedded in the etched portion. As a result, the bus bar electrode portion 6 b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 22 are connected by the solder layer 23. Therefore, in the first embodiment, even when the tab electrode 22 is disposed on the silicon oxide film 7, sufficient adhesion strength can be obtained between the bus bar electrode portion 6 b of the surface-side collector electrode 6 and the tab electrode 22. . Also on the back surface side, the solder layer (not shown) coated on the upper surface of the tab electrode 22 is melted by the above-described heat treatment, so that the bus bar electrode portion 11b of the back surface side collecting electrode 11 (see FIG. 1). And the tab electrode 22 are connected.

最後に、図２に示したように、ガラス基板からなる表面保護材２５の上に、後に充填材２４となるＥＶＡシート、タブ電極２２により接続した複数の光起電力装置１、後に充填材２４となるＥＶＡシートおよびＰＶＦからなる裏面保護材２６を順次積層する。この後、加熱しながら真空ラミネート処理を行うことによって、第１実施形態による光起電力装置１を用いた光起電力モジュール２１が形成される。   Finally, as shown in FIG. 2, a plurality of photovoltaic devices 1 connected later by an EVA sheet and a tab electrode 22 on a surface protective material 25 made of a glass substrate, and later a filler 24. The EVA sheet and the back surface protective material 26 made of PVF are sequentially laminated. Then, the photovoltaic module 21 using the photovoltaic apparatus 1 by 1st Embodiment is formed by performing a vacuum laminating process, heating.

次に、上記した第１実施形態の効果のうち、表面側集電極のバスバー電極部とタブ電極との間の密着強度に関する効果を確認するために行った実験について説明する。この確認実験では、以下の実施例１〜５および比較例１による光起電力装置１を作製した後、その作製した各光起電力装置１について、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２との間の密着強度を測定した。   Next, among the effects of the first embodiment described above, an experiment conducted for confirming the effect relating to the adhesion strength between the bus bar electrode portion of the front-side collector electrode and the tab electrode will be described. In this confirmation experiment, after producing the photovoltaic devices 1 according to the following Examples 1 to 5 and Comparative Example 1, for each of the produced photovoltaic devices 1, the bus bar electrode portion 6 b and the tab of the front-side collector electrode 6. The adhesion strength between the electrodes 22 was measured.

（実施例１〜５および比較例１共通）
［密着強度の測定に用いるサンプルの作製］
まず、上記した第１実施形態のプロセスを用いて、図１に示した光起電力装置１の表面側集電極６までを実際に形成した。なお、ｉ型非晶質シリコン層３、ｐ型非晶質シリコン層４、ｉ型非晶質シリコン層８およびｎ型非晶質シリコン層９の各々の厚みは、１０ｎｍに設定した。また、透光性導電膜５および１０の各々の厚みは、１００ｎｍに設定した。また、表面側集電極６および裏面側集電極１１の各々の厚みは、３０μｍに設定した。 (Common to Examples 1 to 5 and Comparative Example 1)
[Preparation of samples used to measure adhesion strength]
First, using the process of the first embodiment described above, the surface side collector electrode 6 of the photovoltaic device 1 shown in FIG. 1 was actually formed. The thicknesses of the i-type amorphous silicon layer 3, the p-type amorphous silicon layer 4, the i-type amorphous silicon layer 8, and the n-type amorphous silicon layer 9 were set to 10 nm. The thickness of each of the translucent conductive films 5 and 10 was set to 100 nm. The thickness of each of the front-side collector electrode 6 and the back-side collector electrode 11 was set to 30 μm.

この後、スプレー法を用いて、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂを覆うように、ポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を塗布した。この際、実施例１〜５では、コーティング溶液として、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を用いた。また、溶媒の質量に対するポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和の割合を、１０質量％に設定した。また、ＺｎＯからなる微粒子の平均粒径を、０．０２μｍに設定した。   Thereafter, a coating solution containing polysilazane as a main component is applied on the upper surface of the light-transmitting conductive film 5 so as to cover the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the surface-side collector electrode 6 by using a spray method. did. At this time, in Examples 1 to 5, a coating solution containing polysilazane containing fine particles of ZnO as a main component was used as the coating solution. The ratio of the total mass of the polysilazane and the fine particles composed of ZnO to the mass of the solvent was set to 10% by mass. The average particle diameter of the fine particles made of ZnO was set to 0.02 μm.

そして、実施例１では、ポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和に対するＺｎＯからなる微粒子の質量の割合を、２５質量％に設定した。   In Example 1, the ratio of the mass of the fine particles composed of ZnO to the total mass of the fine particles composed of polysilazane and ZnO was set to 25% by mass.

また、実施例２では、ポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和に対するＺｎＯからなる微粒子の質量の割合を、５０質量％に設定した。   In Example 2, the ratio of the mass of the fine particles composed of ZnO to the total mass of the fine particles composed of polysilazane and ZnO was set to 50% by mass.

また、実施例３では、ポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和に対するＺｎＯからなる微粒子の質量の割合を、７５質量％に設定した。   In Example 3, the ratio of the mass of the fine particles made of ZnO to the total mass of the fine particles of polysilazane and ZnO was set to 75% by mass.

また、実施例４では、ポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和に対するＺｎＯからなる微粒子の質量の割合を、８５質量％に設定した。   In Example 4, the ratio of the mass of the fine particles composed of ZnO to the total mass of the fine particles composed of polysilazane and ZnO was set to 85% by mass.

また、実施例５では、ポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和に対するＺｎＯからなる微粒子の質量の割合を、９５質量％に設定した。   In Example 5, the ratio of the mass of the fine particles made of ZnO to the total mass of the fine particles of polysilazane and ZnO was set to 95% by mass.

また、比較例１では、コーティング溶液として、実施例１〜５と異なり、ＺｎＯからなる微粒子が含有されていないポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を用いた。   Moreover, in Comparative Example 1, unlike Examples 1-5, the coating solution which has as a main component the polysilazane which does not contain the microparticles | fine-particles which consist of ZnO was used as a coating solution.

この後、大気雰囲気中において、２００℃の温度条件下で１時間の熱処理を行うことによって、ポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を硬化させた。これにより、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部６ａおよびバスバー電極部６ｂの両方を覆うシリコン酸化膜７を形成した。また、シリコン酸化膜７は、０．１μｍの厚みを有するように形成した。   Then, the coating solution which has a polysilazane as a main component was hardened by performing the heat processing for 1 hour in 200 degreeC temperature conditions in air | atmosphere. Thereby, the silicon oxide film 7 covering both the finger electrode portion 6a and the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 was formed on the upper surface of the translucent conductive film 5. The silicon oxide film 7 was formed to have a thickness of 0.1 μm.

なお、上記のようにシリコン酸化膜７を形成した場合、実施例１では、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、７％であった。   When the silicon oxide film 7 was formed as described above, in Example 1, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 was 7%.

また、実施例２では、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、１８％であった。   In Example 2, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 was 18%.

また、実施例３では、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、４０％であった。   In Example 3, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 was 40%.

また、実施例４では、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、５６％であった。   In Example 4, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 was 56%.

また、実施例５では、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、８１％であった。   In Example 5, the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 was 81%.

このようにして、実施例１〜５および比較例１による光起電力装置１を作製した。   Thus, the photovoltaic apparatus 1 by Examples 1-5 and the comparative example 1 was produced.

次に、上記のようにして作製した実施例１〜５および比較例１の各々の表面側集電極６にタブ電極２２を接続した。   Next, the tab electrode 22 was connected to each surface side collector electrode 6 of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 manufactured as described above.

具体的には、まず、図５〜図１０に示すように、実施例１〜５および比較例１の各々の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域に位置するシリコン酸化膜７上に、フラックス（ｐＨ＝１．２）（図示せず）を塗布した。   Specifically, first, as shown in FIGS. 5 to 10, the silicon oxide film 7 located in the region corresponding to the bus bar electrode portion 6 b of each of the front-side collector electrodes 6 of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 is used. On top, flux (pH = 1.2) (not shown) was applied.

この際、実施例１〜５では、それぞれ、図５〜図９に示すように、シリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域において、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子がフラックスにより選択的にエッチングされた。これにより、実施例１〜５では、シリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域において、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの上面の一部が露出された。   At this time, in Examples 1 to 5, as shown in FIGS. 5 to 9, in the region corresponding to the bus bar electrode portion 6 b of the surface-side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7, it is contained in the silicon oxide film 7. Fine particles made of ZnO were selectively etched by the flux. Thereby, in Examples 1-5, in the area | region corresponding to the bus-bar electrode part 6b of the surface side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7, a part of upper surface of the bus-bar electrode part 6b of the surface-side collector electrode 6 was exposed. .

ここで、図５〜図９に示すように、実施例１〜５において、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が高い方が、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの露出部分が大きくなった。すなわち、実施例１（図５参照）のシリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域では、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの露出部分が最も小さくなった。また、実施例５（図９参照）のシリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域では、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの露出部分が最も大きくなった。なお、比較例１では、図１０に示すように、シリコン酸化膜７の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂに対応する領域において、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂの表面が露出しなかった。   Here, as shown in FIGS. 5 to 9, in Examples 1 to 5, the higher the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7, the more exposed the bus bar electrode portion 6 b of the surface side collector electrode 6. The part became bigger. That is, in the region corresponding to the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7 of Example 1 (see FIG. 5), the exposed portion of the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 was the smallest. . Further, in the region corresponding to the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7 of Example 5 (see FIG. 9), the exposed portion of the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 was the largest. . In Comparative Example 1, as shown in FIG. 10, the surface of the bus bar electrode portion 6 b of the surface side collector electrode 6 is exposed in the region corresponding to the bus bar electrode portion 6 b of the surface side collector electrode 6 of the silicon oxide film 7. There wasn't.

この後、図１１〜図１５に示すように、シリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子がエッチングされた部分を介して、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを半田層２３ａ〜２３ｅにより接続した。このようにして、後述する密着強度の測定に用いる実施例１〜５の各々に対応するサンプルを５枚ずつ作製した。   Thereafter, as shown in FIGS. 11 to 15, the bus bar electrode portion 6 b and the tab electrode 22 of the surface-side collector electrode 6 are connected to the solder layer 23 a through the etched portion of the silicon oxide film 7 made of ZnO. Connected by ~ 23e. In this way, five samples corresponding to each of Examples 1 to 5 used for the measurement of adhesion strength described later were prepared.

また、比較例１では、図１６に示すように、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂが露出しなかったため、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを半田層２３ｆにより接続することができなかった。   In Comparative Example 1, as shown in FIG. 16, the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 was not exposed, so the bus-bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 22 were connected by the solder layer 23f. Could not connect.

［密着強度の測定］
上記した実施例１〜５の各々に対応するサンプルを用いて、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２との間の密着強度の測定を行った。この密着強度の測定では、図１７に示すような測定装置３１を用いて行った。具体的には、まず、サンプルを測定装置３１に固定した。さらに、タブ電極２２の一方の端部をサンプルの上面に対して垂直な方向に折り曲げるとともに、そのタブ電極２２の折り曲げられた一方の端部を測定装置３１のクリップ３２により挟持した。この後、測定装置３１のハンドル３３を回すことにより、タブ電極２２をサンプルの上面に対して垂直な方向に引張り上げた。そして、タブ電極２２が表面側集電極６のバスバー電極部６ｂから剥離する際の引き剥がし強度を計測器３４により測定した。このようにして、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２との間の密着強度を測定した。また、密着強度の測定では、実施例１〜５に対応する各５枚のサンプルについて密着強度を測定した後、その測定した各５枚の密着強度の平均値を算出した。そして、シリコン酸化膜により覆われていない表面側集電極のバスバー電極部とタブ電極との間の密着強度を基準（「１」）として規格化を行った。この結果を以下の表１に示す。 [Measurement of adhesion strength]
The adhesion strength between the bus bar electrode portion 6b of the front side collector electrode 6 and the tab electrode 22 was measured using the samples corresponding to each of Examples 1 to 5 described above. The measurement of the adhesion strength was performed using a measuring device 31 as shown in FIG. Specifically, first, the sample was fixed to the measuring device 31. Further, one end of the tab electrode 22 was bent in a direction perpendicular to the upper surface of the sample, and the bent one end of the tab electrode 22 was held by the clip 32 of the measuring device 31. Thereafter, the tab electrode 22 was pulled up in a direction perpendicular to the upper surface of the sample by turning the handle 33 of the measuring device 31. Then, the peeling strength when the tab electrode 22 was peeled from the bus bar electrode portion 6 b of the surface side collecting electrode 6 was measured by the measuring instrument 34. In this way, the adhesion strength between the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 22 was measured. Moreover, in the measurement of contact | adhesion strength, after measuring contact | adhesion intensity | strength about each of 5 samples corresponding to Examples 1-5, the average value of the measured contact | adhesion strength of each 5 sheets was computed. Then, normalization was performed using the adhesion strength between the bus bar electrode portion of the front-side collector electrode not covered with the silicon oxide film and the tab electrode as a reference (“1”). The results are shown in Table 1 below.

Figure 2006222192
上記表１を参照して、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が高くなるに従って、規格化密着強度が大きくなることが判明した。具体的には、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が７％である実施例１では、規格化密着強度が０．０４であった。また、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が１８％である実施例２では、規格化密着強度が０．１２であった。また、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が４０％である実施例３では、規格化密着強度が０．４３であった。また、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が５６％である実施例４では、規格化密着強度が０．７５であった。また、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が８１％である実施例５では、規格化密着強度が０．９８であった。なお、シリコン酸化膜７にＺｎＯからなる微粒子が含有されていない比較例１において、シリコン酸化膜７とタブ電極２２との間の規格化密着強度は、０であった。
Figure 2006222192
 Referring to Table 1 above, it was found that the normalized adhesion strength increases as the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 increases. Specifically, in Example 1 in which the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 was 7%, the normalized adhesion strength was 0.04. In Example 2 in which the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 was 18%, the normalized adhesion strength was 0.12. Further, in Example 3 in which the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 was 40%, the normalized adhesion strength was 0.43. In Example 4 where the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 was 56%, the normalized adhesion strength was 0.75. In Example 5 in which the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 was 81%, the normalized adhesion strength was 0.98. In Comparative Example 1 in which the silicon oxide film 7 did not contain fine particles of ZnO, the normalized adhesion strength between the silicon oxide film 7 and the tab electrode 22 was zero.

この結果から、シリコン酸化膜７にＺｎＯからなる微粒子が含有されていれば、フラックスによりＺｎＯからなる微粒子を選択的にエッチングすることができるので、シリコン酸化膜７のＺｎＯからなる微粒子がエッチングされた部分を介して、半田層２３により表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２とを接続することができることが確認できた。   From this result, if the silicon oxide film 7 contains fine particles of ZnO, the fine particles of ZnO can be selectively etched by the flux, so the fine particles of ZnO of the silicon oxide film 7 are etched. It was confirmed that the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 22 can be connected by the solder layer 23 through the portion.

また、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が高くなるに従って規格化密着強度が大きくなったのは、シリコン酸化膜７においてフラックスによりエッチングされる部分（ＺｎＯからなる微粒子が位置する部分）が大きくなることにより、半田層２３と表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとの接合面積が大きくなったためであると考えられる。これにより、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の量を多くすることによって、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極２２との間の密着強度を大きくすることができると考えられる。   The normalized adhesion strength increased as the volume ratio of ZnO particles in the silicon oxide film 7 increased. The silicon oxide film 7 was etched by the flux (the part where the ZnO particles were located). This is considered to be because the bonding area between the solder layer 23 and the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 is increased. Accordingly, it is considered that the adhesion strength between the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 22 can be increased by increasing the amount of fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7. It is done.

図１８および図１９は、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜の厚みと規格化分光感度との関係を示したグラフである。次に、図１８および図１９を参照して、上記した第１実施形態の効果のうち、ＵＶ光（紫外線）の透過率に関する効果を確認するために行った実験について説明する。   18 and 19 are graphs showing the relationship between the thickness of a silicon oxide film containing fine particles of ZnO and the normalized spectral sensitivity. Next, with reference to FIG. 18 and FIG. 19, an experiment conducted for confirming the effect on the transmittance of UV light (ultraviolet light) among the effects of the first embodiment described above will be described.

この確認実験では、上記した実施例１、２および５の光起電力装置１の構成において、シリコン酸化膜７の厚みを０．１μｍ以上２μｍ以下の範囲内で変化させた複数のサンプルを作製して、ＵＶ光（３６０ｎｍの波長の光）および４２０ｎｍの波長の光に対する分光感度を測定した。そして、シリコン酸化膜が形成されていない光起電力装置のＵＶ光および４２０ｎｍの波長の光に対する分光感度を基準（「１」）として規格化を行った。なお、実施例１、２および５の各々のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、それぞれ、７％、１８％および８１％である。また、実施例１、２および５の各々のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径は、０．０２μｍである。   In this confirmation experiment, a plurality of samples in which the thickness of the silicon oxide film 7 was changed in the range of 0.1 μm to 2 μm in the configuration of the photovoltaic device 1 of Examples 1, 2, and 5 described above were produced. The spectral sensitivity to UV light (light having a wavelength of 360 nm) and light having a wavelength of 420 nm was measured. Then, normalization was performed using the spectral sensitivity with respect to UV light and light having a wavelength of 420 nm of a photovoltaic device in which a silicon oxide film is not formed as a reference (“1”). In each sample of Examples 1, 2, and 5, the volume ratios of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 are 7%, 18%, and 81%, respectively. In each sample of Examples 1, 2, and 5, the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 is 0.02 μm.

まず、図１８に示すように、実施例１、２および５のいずれの場合においても、ＵＶ光に対する規格化分光感度が低下することが判明した。すなわち、ＺｎＯからなる微粒子が７％〜８１％の体積割合で含有されたシリコン酸化膜７を用いることによって、シリコン酸化膜７におけるＵＶ光の吸収が増大することが判明した。これは、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子によりＵＶ光が吸収されたためであると考えられる。この結果から、シリコン酸化膜７にＺｎＯからなる微粒子を含有することによって、シリコン酸化膜７を透過するＵＶ光の量を減少させることができることが確認できた。   First, as shown in FIG. 18, it was found that the normalized spectral sensitivity to UV light is reduced in any of Examples 1, 2, and 5. That is, it was found that the absorption of UV light in the silicon oxide film 7 is increased by using the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO in a volume ratio of 7% to 81%. This is presumably because the UV light was absorbed by the fine particles of ZnO contained in the silicon oxide film 7. From this result, it was confirmed that the amount of UV light transmitted through the silicon oxide film 7 can be reduced by containing fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7.

その一方、図１９に示すように、実施例１、２および５のいずれの場合においても、４２０ｎｍの波長の光に対しては、規格化分光感度がほとんど低下しないことが判明した。すなわち、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７を用いたとしても、４２０ｎｍの波長の光がほとんど吸収されないことが判明した。   On the other hand, as shown in FIG. 19, in any of Examples 1, 2, and 5, it was found that the normalized spectral sensitivity hardly deteriorated with respect to light having a wavelength of 420 nm. That is, it was found that even when the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO was used, light with a wavelength of 420 nm was hardly absorbed.

また、図１８に示すように、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が高くなるに従って、ＵＶ光に対する規格化分光感度が低下することが判明した。すなわち、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が高くなるに従って、シリコン酸化膜７におけるＵＶ光の吸収が増大することが判明した。具体的には、シリコン酸化膜７の厚みが同じ場合では、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が８１％である実施例５の規格化分光感度が最も低くなるとともに、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が７％である実施例１の規格化分光感度が最も高くなった。これは、実施例５では、実施例１に比べて、ＺｎＯからなる微粒子によるＵＶ光の吸収が増大したためであると考えられる。   Further, as shown in FIG. 18, it has been found that the normalized spectral sensitivity to UV light decreases as the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 increases. That is, it has been found that the absorption of UV light in the silicon oxide film 7 increases as the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 increases. Specifically, when the thickness of the silicon oxide film 7 is the same, the normalized spectral sensitivity of Example 5 in which the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 is 81% is the lowest, and the silicon oxide film The normalized spectral sensitivity of Example 1 in which the volume ratio of the fine particles of ZnO in the film 7 was 7% was the highest. This is presumably because the absorption of UV light by fine particles made of ZnO in Example 5 increased compared to Example 1.

また、図１８に示すように、実施例１、２および５のいずれの場合においても、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７の厚みが大きくなるに従って、ＵＶ光に対する規格化分光感度が低下することが判明した。すなわち、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７の厚みが大きくなるに従って、シリコン酸化膜７におけるＵＶ光の吸収が増大することが判明した。これは、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７の厚みが大きくなることにより、シリコン酸化膜７に含有されるＺｎＯからなる微粒子の量が多くなったためであると考えられる。ただし、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が８１％である実施例５において、シリコン酸化膜７を１μｍから２μｍに変化させた場合には、規格化分光感度がほとんど変化しなかった。   As shown in FIG. 18, in any of Examples 1, 2, and 5, the normalized spectral sensitivity to UV light increases as the thickness of the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO increases. It turned out to be reduced. That is, it has been found that the absorption of UV light in the silicon oxide film 7 increases as the thickness of the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO increases. This is considered to be because the amount of fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 is increased by increasing the thickness of the silicon oxide film 7 containing fine particles made of ZnO. However, in Example 5 where the volume fraction of ZnO particles in the silicon oxide film 7 is 81%, the normalized spectral sensitivity hardly changes when the silicon oxide film 7 is changed from 1 μm to 2 μm. It was.

図２０および図２１は、シリコン酸化膜に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径と規格化分光感度との関係を示したグラフである。次に、図２０および図２１を参照して、上記した第１実施形態の効果のうち、ＵＶ光以外の光の透過率に関する効果を確認するために行った実験について説明する。   20 and 21 are graphs showing the relationship between the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film and the normalized spectral sensitivity. Next, with reference to FIG. 20 and FIG. 21, an experiment conducted for confirming an effect related to the transmittance of light other than UV light among the effects of the first embodiment described above will be described.

この確認実験では、上記した実施例２の光起電力装置１の構成において、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の平均粒径を０．００５μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内で変化させた複数のサンプルを作製して、ＵＶ光（３６０ｎｍの波長の光）および４２０ｎｍの波長の光に対する分光感度を測定した。そして、シリコン酸化膜が形成されていない光起電力装置のＵＶ光および４２０ｎｍの波長の光に対する分光感度を基準（「１」）として規格化を行った。なお、実施例２のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、１８％である。また、実施例２のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７の厚みは、０．５μｍである。   In this confirmation experiment, in the configuration of the photovoltaic device 1 of Example 2 described above, the average particle diameter of ZnO particles contained in the silicon oxide film 7 is changed within a range of 0.005 μm to 0.5 μm. A plurality of samples were prepared, and spectral sensitivity to UV light (light having a wavelength of 360 nm) and light having a wavelength of 420 nm was measured. Then, normalization was performed using the spectral sensitivity with respect to UV light and light having a wavelength of 420 nm of a photovoltaic device in which a silicon oxide film is not formed as a reference (“1”). In the sample of Example 2, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 is 18%. In the sample of Example 2, the thickness of the silicon oxide film 7 is 0.5 μm.

まず、図２０に示すように、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の平均粒径が０．００５μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内であれば、ＵＶ光に対する規格化分光感度が０．２以下になり、ＺｎＯからなる微粒子によるＵＶ光の吸収が良好に行われることが判明した。   First, as shown in FIG. 20, when the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 is in the range of 0.005 μm or more and 0.5 μm or less, the normalized spectral sensitivity to UV light is 0. It was found that the UV light was satisfactorily absorbed by the fine particles composed of ZnO.

また、図２１に示すように、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の平均粒径が０．００５μｍ以上０．１μｍ以下の範囲内であれば、４２０ｎｍの波長の光に対する規格化分光感度が０．９８以上になり、ＺｎＯからなる微粒子による４２０ｎｍの波長の光の吸収が抑制されることが判明した。その一方、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の平均粒径が０．１μｍよりも大きくなれば、４２０ｎｍの波長の光に対する規格化分光感度が０．９８よりも低くなることが判明した。これは、ＺｎＯからなる微粒子の平均粒径が０．１μｍよりも大きいことに起因して、シリコン酸化膜７に入射した４２０ｎｍの波長の光がＺｎＯからなる微粒子により散乱反射し、外部に放出されたためであると考えられる。   Further, as shown in FIG. 21, when the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 is in the range of 0.005 μm or more and 0.1 μm or less, the normalized spectral sensitivity for light having a wavelength of 420 nm. It became clear that the absorption of light having a wavelength of 420 nm by fine particles made of ZnO was suppressed. On the other hand, it was found that when the average particle diameter of the ZnO fine particles contained in the silicon oxide film 7 is larger than 0.1 μm, the normalized spectral sensitivity for light having a wavelength of 420 nm is lower than 0.98. . This is because the light having a wavelength of 420 nm incident on the silicon oxide film 7 is scattered and reflected by the fine particles made of ZnO and emitted to the outside because the average particle size of the fine particles made of ZnO is larger than 0.1 μm. This is probably because

この結果から、シリコン酸化膜７を透過するＵＶ光を減少させ、かつ、シリコン酸化膜７を透過する４２０ｎｍの波長の光を増大させるためには、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の平均粒径を０．１μｍ以下に設定するのが好ましいと言える。なお、現在、平均粒径が０．００５μｍよりも小さいＺｎＯからなる微粒子は存在しない。したがって、シリコン酸化膜７に含有するＺｎＯからなる微粒子の平均粒径としては、０．００５μｍ以上０．１μｍ以下に設定すればよい。   From this result, in order to reduce the UV light transmitted through the silicon oxide film 7 and increase the light having a wavelength of 420 nm transmitted through the silicon oxide film 7, the fine particles of ZnO contained in the silicon oxide film 7 are increased. It can be said that the average particle size is preferably set to 0.1 μm or less. Currently, there are no fine particles made of ZnO having an average particle size smaller than 0.005 μm. Therefore, the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 may be set to 0.005 μm or more and 0.1 μm or less.

図２２は、シリコン酸化膜の厚みと規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）との関係を示したグラフである。次に、図２２を参照して、上記した第１実施形態の効果のうち、表面側集電極と透光性導電膜との接触抵抗に関する効果を確認するために行った実験について説明する。   FIG. 22 is a graph showing the relationship between the thickness of the silicon oxide film and the normalized curve factor (FF). Next, with reference to FIG. 22, an experiment conducted to confirm the effect relating to the contact resistance between the surface-side collector electrode and the translucent conductive film among the effects of the first embodiment described above will be described.

この確認実験では、上記した実施例１、２、５および比較例１の光起電力装置１の構成において、シリコン酸化膜７の厚みを０．０１μｍ以上７μｍ以下の範囲内で変化させた複数のサンプルを作製して、電流−電圧特性の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）を測定した。そして、シリコン酸化膜が形成されていない光起電力装置の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）を基準（「１」）として規格化を行った。なお、実施例１、２および５の各々のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、それぞれ、７％、１８％および８１％である。また、実施例１、２および５の各々のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径は、０．０２μｍである。また、比較例１のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７には、ＺｎＯからなる微粒子が含有されていない。   In this confirmation experiment, in the configurations of the photovoltaic devices 1 of Examples 1, 2, 5 and Comparative Example 1 described above, the thickness of the silicon oxide film 7 was changed within a range of 0.01 μm to 7 μm. Samples were prepared and the fill factor (FF) of current-voltage characteristics was measured. Then, normalization was performed with the curve factor (FF) of the photovoltaic device in which the silicon oxide film was not formed as a reference (“1”). In each sample of Examples 1, 2, and 5, the volume ratios of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 are 7%, 18%, and 81%, respectively. In each sample of Examples 1, 2, and 5, the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 is 0.02 μm. In the sample of Comparative Example 1, the silicon oxide film 7 does not contain fine particles made of ZnO.

図２２に示すように、シリコン酸化膜７にＺｎＯからなる微粒子が含有されていない比較例１と、シリコン酸化膜７にＺｎＯからなる微粒子が含有された実施例１、２および５とを比較すると、シリコン酸化膜７の厚みが同じであれば、実施例１、２および５の規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）は、比較例１の規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）よりも高くなることが判明した。これは、ポリシラザンが含有されたコーティング溶液を硬化させることによりシリコン酸化膜７を形成する際に、コーティング溶液が硬化する際に変形しないＺｎＯからなる微粒子が含有された実施例１、２および５のシリコン酸化膜７の方が、ＺｎＯからなる微粒子が含有されていない比較例１のシリコン酸化膜７よりも変形量が小さくなったためであると考えられる。すなわち、実施例１、２および５では、シリコン酸化膜７を形成する際に、コーティング溶液（シリコン酸化膜７）が変形して表面側集電極６に外力が加わることに起因して、表面側集電極６と透光性導電膜５との間の接触状態が変化するのが抑制されたと考えられる。   As shown in FIG. 22, when Comparative Example 1 in which the silicon oxide film 7 does not contain the fine particles of ZnO is compared with Examples 1, 2, and 5 in which the silicon oxide film 7 contains the fine particles of ZnO. If the thickness of the silicon oxide film 7 is the same, the normalized curve factor (FF) of Examples 1, 2, and 5 is higher than the normalized curve factor (FF) of Comparative Example 1. Turned out to be. This is because, in forming the silicon oxide film 7 by curing the coating solution containing polysilazane, the fine particles made of ZnO that do not deform when the coating solution is cured contain the fine particles of Examples 1, 2, and 5. This is probably because the silicon oxide film 7 has a smaller deformation than the silicon oxide film 7 of Comparative Example 1 that does not contain fine particles of ZnO. That is, in Examples 1, 2, and 5, when the silicon oxide film 7 is formed, the coating solution (silicon oxide film 7) is deformed and an external force is applied to the surface-side collector electrode 6, so that the surface side It is considered that the contact state between the collector electrode 6 and the translucent conductive film 5 is suppressed from changing.

また、図２２に示すように、実施例１、２および５において、シリコン酸化膜７の厚みが同じであれば、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が低い方が、規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が低くなることが判明した。すなわち、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が７％である実施例１の規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が、最も低くなった。これは、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が低い分、ポリシラザンが含有されたコーティング溶液を硬化させることによりシリコン酸化膜７を形成する際に、コーティング溶液（シリコン酸化膜７）の変形量が大きくなったためであると考えられる。また、実施例１において、シリコン酸化膜７の厚みが６μｍよりも大きくなれば、規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）が０．９８よりも低くなることが判明した。   As shown in FIG. 22, in Examples 1, 2, and 5, if the thickness of the silicon oxide film 7 is the same, the lower the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7, the normalization is. It was found that the fill factor (FF) was low. That is, the normalized curve factor (FF) of Example 1 in which the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 was 7% was the lowest. This is because the coating solution (silicon oxide film 7) is formed when the silicon oxide film 7 is formed by curing the coating solution containing polysilazane because the volume ratio of the ZnO fine particles in the silicon oxide film 7 is low. This is thought to be because the amount of deformation of the increased. In Example 1, it was found that when the thickness of the silicon oxide film 7 is larger than 6 μm, the normalized curve factor (FF) is lower than 0.98.

この結果から、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７の厚みの上限としては、６μｍ以下が好ましいと考えられる。   From this result, it is considered that the upper limit of the thickness of the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO is preferably 6 μm or less.

図２３は、シリコン酸化膜の厚みと規格化出力との関係を示したグラフである。次に、図２３を参照して、シリコン酸化膜の上面上にナトリウムを含む水溶液を塗布して光起電力装置１の出力を測定した実験結果について説明する。   FIG. 23 is a graph showing the relationship between the thickness of the silicon oxide film and the normalized output. Next, with reference to FIG. 23, an experimental result in which an aqueous solution containing sodium is applied on the upper surface of the silicon oxide film and the output of the photovoltaic device 1 is measured will be described.

この実験では、まず、上記した実施例１および２の光起電力装置１の構成において、シリコン酸化膜７の厚みを０．００５μｍ以上０．１６μｍ以下の範囲内で変化させた複数のサンプルを作製するとともに、０．０５％のＮａＨＣＯ３が混合された水溶液（０．５ｇ）をシリコン酸化膜７の表面に塗布した。その後、上記した水溶液が塗布された状態の実施例１および２の各々のサンプルについて、耐湿試験（湿度：８５％、温度：８５℃、試験時間；５時間）の前と後との出力を測定した。そして、各サンプルの耐湿試験前の出力を基準（「１」）として規格化を行った。なお、実施例１および２の各々のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、それぞれ、７％および１８％である。また、実施例１および２の各々のサンプルにおいて、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径は、０．０２μｍである。 In this experiment, first, a plurality of samples in which the thickness of the silicon oxide film 7 was changed in the range of 0.005 μm to 0.16 μm in the configuration of the photovoltaic device 1 of Examples 1 and 2 described above were produced. At the same time, an aqueous solution (0.5 g) mixed with 0.05% NaHCO 3 was applied to the surface of the silicon oxide film 7. Thereafter, the output before and after the moisture resistance test (humidity: 85%, temperature: 85 ° C., test time: 5 hours) was measured for each sample of Examples 1 and 2 in which the above aqueous solution was applied. did. Then, normalization was performed using the output of each sample before the moisture resistance test as a reference (“1”). In each sample of Examples 1 and 2, the volume ratios of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 are 7% and 18%, respectively. In each sample of Examples 1 and 2, the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 is 0.02 μm.

図２３に示すように、実施例１および２のいずれの場合においても、シリコン酸化膜７の厚みが０．０１μｍ以上であれば、規格化出力の低下率が０．０１（１％）以下になることが判明した。これは、シリコン酸化膜７の厚みを０．０１μｍ以上に設定することによって、シリコン酸化膜７の下側に配置された半導体各層に、ナトリウム成分を含む水分が侵入するのが抑制されたためであると考えられる。また、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が７％である実施例１と、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合が１８％である実施例２とを比較すると、シリコン酸化膜７の厚みが同じであれば、規格化出力の低下率は、ほとんど変化しないことが判明した。   As shown in FIG. 23, in both cases of Examples 1 and 2, if the thickness of the silicon oxide film 7 is 0.01 μm or more, the rate of decrease in the normalized output is 0.01 (1%) or less. Turned out to be. This is because, by setting the thickness of the silicon oxide film 7 to 0.01 μm or more, moisture containing a sodium component has been prevented from entering each semiconductor layer disposed below the silicon oxide film 7. it is conceivable that. Further, comparing Example 1 in which the volume ratio of ZnO particles in the silicon oxide film 7 is 7% and Example 2 in which the volume ratio of ZnO particles in the silicon oxide film 7 is 18%. It has been found that if the thickness of the silicon oxide film 7 is the same, the rate of decrease in the normalized output hardly changes.

この結果から、ナトリウム成分を含む水分がシリコン酸化膜７の下側に配置された半導体各層に侵入するのを抑制するためには、シリコン酸化膜７の厚みを０．０１μｍ以上に設定するのが好ましいと考えられる。また、この場合、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合を変化させたとしても、光起電力装置１の出力特性には影響しないと考えられる。   From this result, in order to prevent moisture containing sodium components from entering the semiconductor layers disposed below the silicon oxide film 7, the thickness of the silicon oxide film 7 is set to 0.01 μm or more. It is considered preferable. In this case, even if the volume ratio of the fine particles of ZnO in the silicon oxide film 7 is changed, it is considered that the output characteristics of the photovoltaic device 1 are not affected.

次に、光入射側にＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜が形成された光起電力装置（実施例２）と、光入射側にシリコン酸化膜が形成されていない光起電力装置（比較例２）との耐湿信頼性の違いを調べるために行った実験について説明する。   Next, a photovoltaic device in which a silicon oxide film containing fine particles of ZnO is formed on the light incident side (Example 2), and a photovoltaic device in which no silicon oxide film is formed on the light incident side ( An experiment conducted to examine the difference in moisture resistance reliability from Comparative Example 2) will be described.

この実験では、まず、上記した実施例２の光起電力装置１をタブ電極２２により３つ直列に接続するとともに、その直列に接続された３つの光起電力装置１を３列横に配置することによって、光起電力モジュールを作製した。また、比較例２として、シリコン酸化膜が形成されていない光起電力装置（図示せず）をタブ電極により３つ直列に接続するとともに、その直列に接続された３つの光起電力装置を３列横に配置することによって、光起電力モジュールを作製した。その後、上記実施例２および比較例２の各々の光起電力モジュールについて、耐湿試験（湿度：８５％、温度：８５℃、試験時間：３０００時間）の前と後との出力（３列の平均出力）を行った。そして、各光起電力モジュールの耐湿試験前の出力を基準（「１」）として規格化を行った。なお、実施例２の光起電力装置１において、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、１８％である。また、実施例２の光起電力装置１において、シリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径は、０．０２μｍである。この結果を、以下の表２に示す。   In this experiment, first, three photovoltaic devices 1 of Example 2 described above are connected in series by the tab electrode 22, and the three photovoltaic devices 1 connected in series are arranged horizontally in three rows. Thus, a photovoltaic module was produced. As Comparative Example 2, three photovoltaic devices (not shown) in which a silicon oxide film is not formed are connected in series by a tab electrode, and three photovoltaic devices connected in series are connected to three photovoltaic devices. Photovoltaic modules were fabricated by placing them side by side. Thereafter, for each photovoltaic module of Example 2 and Comparative Example 2, the output before and after the humidity resistance test (humidity: 85%, temperature: 85 ° C., test time: 3000 hours) (average of three rows) Output). Then, normalization was performed using the output of each photovoltaic module before the moisture resistance test as a reference (“1”). In the photovoltaic device 1 of Example 2, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 7 is 18%. Moreover, in the photovoltaic device 1 of Example 2, the average particle diameter of the fine particles made of ZnO contained in the silicon oxide film 7 is 0.02 μm. The results are shown in Table 2 below.

Figure 2006222192
上記表２を参照して、光入射側にＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７が形成された光起電力装置１を用いた光起電力モジュール（実施例２）の方が、シリコン酸化膜が形成されていない光起電力装置を用いた光起電力モジュール（比較例２）に比べて、耐湿試験後の出力の低下率が小さくなることが判明した。具体的には、光入射側にＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７が形成された光起電力装置１を用いた光起電力モジュール（実施例２）の規格化出力は、９８．５％であった。その一方、シリコン酸化膜が形成されていない光起電力装置を用いた光起電力モジュール（比較例２）の規格化出力は、９６．１％であった。
Figure 2006222192
 Referring to Table 2 above, the photovoltaic module (Example 2) using the photovoltaic device 1 in which the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO is formed on the light incident side is more silicon. It was found that the rate of decrease in output after the moisture resistance test was smaller than that of a photovoltaic module (Comparative Example 2) using a photovoltaic device in which no oxide film was formed. Specifically, the normalized output of the photovoltaic module (Example 2) using the photovoltaic device 1 in which the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO is formed on the light incident side is 98. It was 5%. On the other hand, the normalized output of the photovoltaic module (Comparative Example 2) using the photovoltaic device in which the silicon oxide film was not formed was 96.1%.

この結果から、光起電力装置１の光入射側にＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜７を形成することによって、光起電力装置１の耐湿性を改善することができることが確認できた。   From this result, it was confirmed that the moisture resistance of the photovoltaic device 1 can be improved by forming the silicon oxide film 7 containing fine particles of ZnO on the light incident side of the photovoltaic device 1. .

（第２実施形態）
図２４は、本発明の第２実施形態による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した拡大図である。図２４を参照して、この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、表面側集電極のフィンガー電極部およびバスバー電極部に加えて、タブ電極もシリコン酸化膜により覆われている光起電力装置およびそれを用いた光起電力モジュールについて説明する。 (Second Embodiment)
FIG. 24 is an enlarged view showing a state in which the tab electrode is connected to the bus bar electrode portion of the front-side collector electrode of the photovoltaic device according to the second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 24, in the second embodiment, unlike the first embodiment, in addition to the finger electrode portion and the bus bar electrode portion of the surface side collecting electrode, the tab electrode is also covered with the silicon oxide film. A photovoltaic device and a photovoltaic module using the same will be described.

すなわち、この第２実施形態による光起電力装置４１を用いた光起電力モジュール５１は、図２４に示すように、後述するシリコン酸化膜４７を介さずに、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂ上に、タブ電極５２の端部側が配置されている。そして、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とが、半田層５３により接続されている。   That is, in the photovoltaic module 51 using the photovoltaic device 41 according to the second embodiment, as shown in FIG. 24, the bus bar electrode portion of the front-side collector electrode 6 without using the silicon oxide film 47 described later. The end side of the tab electrode 52 is disposed on 6b. The bus bar electrode portion 6 b of the front side collector electrode 6 and the tab electrode 52 are connected by a solder layer 53.

また、第２実施形態では、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部（図示せず）およびバスバー電極部６ｂと、タブ電極５２とを覆うように、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜４７が形成されている。このシリコン酸化膜７に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径は、約０．００５μｍ以上約０．１μｍ以下であり、シリコン酸化膜７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、約８１％以下である。また、シリコン酸化膜７の厚みは、約０．０１μｍ以上約６μｍ以下である。   In the second embodiment, ZnO is formed so as to cover the finger electrode portion (not shown) and the bus bar electrode portion 6 b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52 on the upper surface of the translucent conductive film 5. A silicon oxide film 47 containing fine particles made of is formed. The average particle diameter of the ZnO fine particles contained in the silicon oxide film 7 is about 0.005 μm or more and about 0.1 μm or less, and the volume ratio of the ZnO fine particles in the silicon oxide film 7 is about 81%. It is as follows. The thickness of the silicon oxide film 7 is not less than about 0.01 μm and not more than about 6 μm.

なお、第２実施形態の光起電力装置４１およびそれを用いた光起電力モジュール５１のその他の構成は、図１および図２に示した第１実施形態の光起電力装置１およびそれを用いた光起電力モジュール２１の構成と同様である。   The other configurations of the photovoltaic device 41 of the second embodiment and the photovoltaic module 51 using the photovoltaic device 41 are the same as those of the photovoltaic device 1 of the first embodiment shown in FIGS. The configuration of the photovoltaic module 21 was the same.

第２実施形態では、上記のように、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とを覆うように、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜４７を形成することによって、シリコン酸化膜４７を形成する前に、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とを接続することができる。これにより、シリコン酸化膜４７を形成する際に、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とを接続するために、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂのタブ電極５２が接続される領域上にシリコン酸化膜４７が形成されないようにマスクを形成する必要がない。その結果、複数の光起電力装置４１をタブ電極５２により接続してユニット化する場合において、光起電力装置４１の製造工程を簡略化することができる。   In the second embodiment, as described above, fine particles made of ZnO are contained on the upper surface of the translucent conductive film 5 so as to cover the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52. By forming the silicon oxide film 47, the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52 can be connected before the silicon oxide film 47 is formed. Thereby, when the silicon oxide film 47 is formed, the tab electrode 52 of the bus bar electrode portion 6b of the front side collector electrode 6 is connected to connect the bus bar electrode portion 6b of the front side collector electrode 6 and the tab electrode 52. It is not necessary to form a mask so that the silicon oxide film 47 is not formed on the region to be formed. As a result, when a plurality of photovoltaic devices 41 are connected by the tab electrode 52 to be unitized, the manufacturing process of the photovoltaic device 41 can be simplified.

また、第２実施形態では、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂと、タブ電極５２とを覆うように、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜４７を形成することによって、シリコン酸化膜４７を介さずに、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とが接続されるので、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２との接触抵抗を上記第１実施形態よりも低くすることができる。また、シリコン酸化膜４７を介さずに、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とが接続され、かつ、シリコン酸化膜４７により表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とが覆われているので、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２との間の密着強度を上記第１実施形態よりも大きくすることができる。   Further, in the second embodiment, silicon oxide containing fine particles of ZnO on the upper surface of the translucent conductive film 5 so as to cover the bus bar electrode portion 6 b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52. By forming the film 47, the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 and the tab electrode 52 are connected without the silicon oxide film 47 interposed therebetween. The contact resistance with the electrode 52 can be made lower than that in the first embodiment. Further, the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 and the tab electrode 52 are connected without the silicon oxide film 47 interposed therebetween, and the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 and the tab electrode 52 are connected by the silicon oxide film 47. 52 is covered, the adhesion strength between the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52 can be made larger than that in the first embodiment.

なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。   The remaining effects of the second embodiment are similar to those of the aforementioned first embodiment.

次に、図２４を参照して、第２実施形態による光起電力装置４１およびそれを用いた光起電力モジュール５１の製造プロセスについて説明する。   Next, a manufacturing process of the photovoltaic device 41 according to the second embodiment and the photovoltaic module 51 using the photovoltaic device 41 will be described with reference to FIG.

図２４に示した光起電力装置４１を作製する際には、上記した第１実施形態と同様のプロセスを用いて、表面側集電極６までを形成する。   When the photovoltaic device 41 shown in FIG. 24 is manufactured, the surface side collector electrode 6 is formed using the same process as in the first embodiment.

この後、第２実施形態では、複数の光起電力装置４１の各々を、約１５０μｍの厚みを有する銅箔からなるタブ電極５２を介して、隣接する他の光起電力装置４１と接続する。具体的には、半田層５３が表面および裏面にコーティングされたタブ電極５２の一方端側を、所定の光起電力装置４１の表面側集電極６のバスバー電極部６ｂ上に配置する。また、タブ電極５２の他方端側は、所定の光起電力装置４１に隣接する別の光起電力装置４１の裏面側集電極のバスバー電極部（図示せず）上に配置する。この後、熱処理を行うことにより、タブ電極５２の下面にコーティングされた半田層５３を溶融することによって、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とを、半田層５３により接続する。また、裏面側においても、上記した熱処理により、タブ電極５２の上面にコーティングされた半田層（図示せず）が溶融されることによって、裏面側集電極のバスバー電極部（図示せず）とタブ電極５２とが半田層（図示せず）により接続される。   Thereafter, in the second embodiment, each of the plurality of photovoltaic devices 41 is connected to another adjacent photovoltaic device 41 via a tab electrode 52 made of a copper foil having a thickness of about 150 μm. Specifically, one end side of the tab electrode 52 coated with the solder layer 53 on the front surface and the back surface is arranged on the bus bar electrode portion 6 b of the front surface collecting electrode 6 of the predetermined photovoltaic device 41. The other end side of the tab electrode 52 is disposed on a bus bar electrode portion (not shown) of the back-side collector electrode of another photovoltaic device 41 adjacent to the predetermined photovoltaic device 41. Thereafter, heat treatment is performed to melt the solder layer 53 coated on the lower surface of the tab electrode 52, thereby connecting the bus bar electrode portion 6 b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52 by the solder layer 53. . Also on the back surface side, the solder layer (not shown) coated on the upper surface of the tab electrode 52 is melted by the above heat treatment, so that the bus bar electrode portion (not shown) of the back surface collecting electrode and the tab The electrode 52 is connected by a solder layer (not shown).

次に、第２実施形態では、スピンコート法を用いて、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部（図示せず）およびバスバー電極部６ｂと、タブ電極５２とを覆うように、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を塗布する。なお、第２実施形態のコーティング溶液の成分は、上記第１実施形態のコーティング溶液の成分と同様である。すなわち、第２実施形態のコーティング溶液の溶媒としては、ジブチルエーテルが用いられている。また、溶媒の質量に対するポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和の割合は、約２質量％〜約１０質量％に設定されている。また、ポリシラザンとＺｎＯからなる微粒子との質量の総和に対するＺｎＯからなる微粒子の質量の割合は、約９５質量％以下に設定されている。また、ＺｎＯからなる微粒子の平均粒径は、約０．００５μｍ以上約０．１μｍ以下に設定されている。また、コーティング溶液には、約０．０５μｍ以下の粒径を有するパラジウム（Ｐｄ）が添加されている。   Next, in the second embodiment, the finger electrode portion (not shown) and the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 are formed on the upper surface of the translucent conductive film 5 by using the spin coating method, and the tab electrode. 52, a coating solution mainly composed of polysilazane containing fine particles of ZnO is applied. The components of the coating solution of the second embodiment are the same as the components of the coating solution of the first embodiment. That is, dibutyl ether is used as the solvent of the coating solution of the second embodiment. The ratio of the total mass of the polysilazane and the fine particles made of ZnO to the mass of the solvent is set to about 2 mass% to about 10 mass%. Further, the ratio of the mass of the fine particles made of ZnO to the total mass of the fine particles of polysilazane and ZnO is set to about 95% by mass or less. The average particle diameter of the fine particles made of ZnO is set to be about 0.005 μm or more and about 0.1 μm or less. Further, palladium (Pd) having a particle size of about 0.05 μm or less is added to the coating solution.

この後、上記第１実施形態と同様のプロセスを用いて、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を硬化させる。これにより、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のフィンガー電極部（図示せず）およびバスバー電極部６ｂと、タブ電極５２とを覆うように、ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜４７が形成される。この際、第２実施形態では、シリコン酸化膜４７が、約０．０１μｍ以上約６μｍ以下の厚みを有するように形成する。また、上記のようにシリコン酸化膜４７を形成した場合、シリコン酸化膜４７におけるＺｎＯからなる微粒子の体積の割合は、約８１％以下となる。このようにして、第２実施形態による光起電力装置４１が形成される。   Thereafter, using the same process as in the first embodiment, the coating solution containing polysilazane containing fine particles of ZnO as a main component is cured. Thereby, fine particles made of ZnO are contained on the upper surface of the translucent conductive film 5 so as to cover the finger electrode portion (not shown) and the bus bar electrode portion 6b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52. Thus formed silicon oxide film 47 is formed. At this time, in the second embodiment, the silicon oxide film 47 is formed to have a thickness of about 0.01 μm or more and about 6 μm or less. When the silicon oxide film 47 is formed as described above, the volume ratio of the fine particles made of ZnO in the silicon oxide film 47 is about 81% or less. In this way, the photovoltaic device 41 according to the second embodiment is formed.

なお、光起電力装置４１を用いた光起電力モジュール５１の作製プロセスは、上記第１実施形態の光起電力装置１を用いた光起電力モジュール２１の作製プロセスと同様である。   In addition, the manufacturing process of the photovoltaic module 51 using the photovoltaic apparatus 41 is the same as the manufacturing process of the photovoltaic module 21 using the photovoltaic apparatus 1 of the said 1st Embodiment.

次に、上記した第２実施形態の効果のうち、表面側集電極のバスバー電極部とタブ電極との間の密着強度に関する効果を確認するために行った実験について説明する。   Next, among the effects of the second embodiment described above, an experiment performed to confirm the effect related to the adhesion strength between the bus bar electrode portion of the front-side collector electrode and the tab electrode will be described.

この確認実験では、まず、上記第２実施形態の構成において、シリコン酸化膜４７の厚みを２段階（１μｍおよび６μｍ）に変化させて２種類のサンプルを５枚ずつ作製した。そして、図１７に示した測定装置３１を用いて、シリコン酸化膜４７の厚みが異なる２種類のサンプルについて、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２との間の密着強度を測定した。また、密着強度の測定では、シリコン酸化膜４７の厚みが異なる２種類のサンプルについて各５枚ずつ密着強度を測定した後、その測定した各５枚の密着強度の平均値を算出した。そして、シリコン酸化膜により覆われていない表面側集電極のバスバー電極部とタブ電極との間の密着強度を基準（「１」）として規格化を行った。この結果を以下の表３に示す。   In this confirmation experiment, first, in the configuration of the second embodiment, the thickness of the silicon oxide film 47 was changed in two steps (1 μm and 6 μm), and two types of samples were manufactured five by five. Then, using the measuring device 31 shown in FIG. 17, the adhesion strength between the bus bar electrode portion 6 b of the front-side collector electrode 6 and the tab electrode 52 is measured for two types of samples having different thicknesses of the silicon oxide film 47. did. Further, in the measurement of the adhesion strength, after measuring the adhesion strength for each of two types of samples having different thicknesses of the silicon oxide film 47, the average value of the measured adhesion strength of each of the five sheets was calculated. Then, normalization was performed using the adhesion strength between the bus bar electrode portion of the front-side collector electrode not covered with the silicon oxide film and the tab electrode as a reference (“1”). The results are shown in Table 3 below.

Figure 2006222192
上記表３を参照して、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とを覆うようにシリコン酸化膜４７を形成した場合の密着強度は、表面側集電極のバスバー電極部とタブ電極とがシリコン酸化膜により覆われていない場合の密着強度よりも大きくなることが判明した。具体的には、シリコン酸化膜４７の厚みが１μｍの場合の規格化密着強度は、１．４８であった。また、シリコン酸化膜４７の厚みが６μｍの場合の規格化密着強度は、２．４５であった。
Figure 2006222192
 Referring to Table 3 above, the adhesion strength when the silicon oxide film 47 is formed so as to cover the bus bar electrode portion 6b of the surface side collector electrode 6 and the tab electrode 52 is as follows. It has been found that the adhesion strength is greater when the electrode is not covered with the silicon oxide film. Specifically, the normalized adhesion strength when the thickness of the silicon oxide film 47 was 1 μm was 1.48. The normalized adhesion strength when the thickness of the silicon oxide film 47 was 6 μm was 2.45.

この結果から、透光性導電膜５の上面上に、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２とを覆うようにシリコン酸化膜４７を形成することによって、表面側集電極６のバスバー電極部６ｂとタブ電極５２との間の密着強度を大きくすることができることが確認できた。   From this result, a silicon oxide film 47 is formed on the upper surface of the translucent conductive film 5 so as to cover the bus bar electrode portion 6b and the tab electrode 52 of the surface side collector electrode 6, thereby It was confirmed that the adhesion strength between the bus bar electrode portion 6b and the tab electrode 52 can be increased.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiment but by the scope of claims for patent, and all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent are included.

たとえば、上記第１および第２実施形態では、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料として、ＺｎＯを用いたが、本発明はこれに限らず、ＺｎＯ以外の材料を用いてもよい。ＺｎＯ以外のフラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料としては、たとえば、ＩＴＯなどがある。   For example, in the first and second embodiments, ZnO is used as a material whose etching rate by flux is higher than that of silicon oxide. However, the present invention is not limited to this, and a material other than ZnO may be used. Examples of the material whose etching rate by flux other than ZnO is higher than that of silicon oxide include ITO.

また、上記第１および第２実施形態では、光起電力装置を構成する半導体各層の表面が平坦な場合について説明したが、本発明はこれに限らず、光起電力装置を構成する半導体各層の少なくとも１つの表面が凹凸形状を有している場合においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。   Moreover, although the said 1st and 2nd embodiment demonstrated the case where the surface of each semiconductor layer which comprises a photovoltaic device was flat, this invention is not limited to this, Each semiconductor layer which comprises a photovoltaic device is demonstrated. Even when at least one surface has a concavo-convex shape, the same effect as in the above embodiment can be obtained.

また、上記第１および第２実施形態では、光起電力モジュールの裏面側に、耐湿性を向上させるためのアルミニウムシートなどを設けなかったが、本発明はこれに限らず、光起電力モジュールの裏面側における耐湿性を向上させるために、光起電力モジュールの裏面側にアルミニウムシートなどを設けてもよい。   Moreover, in the said 1st and 2nd embodiment, although the aluminum sheet etc. for improving moisture resistance were not provided in the back surface side of the photovoltaic module, this invention is not limited to this, The photovoltaic module of In order to improve the moisture resistance on the back side, an aluminum sheet or the like may be provided on the back side of the photovoltaic module.

また、上記第１および第２実施形態では、ｎ型単結晶シリコン基板上にｉ型非晶質シリコン層およびｐ型非晶質シリコン層が形成される構造の光起電力装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限らず、他の構造を有する光起電力装置に広く適用可能である。   In the first and second embodiments described above, the photovoltaic device having the structure in which the i-type amorphous silicon layer and the p-type amorphous silicon layer are formed on the n-type single crystal silicon substrate has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and can be widely applied to photovoltaic devices having other structures.

また、上記第１および第２実施形態では、半導体材料として、シリコン（Ｓｉ）を用いたが、本発明はこれに限らず、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＧｅＮ、ＳｉＳｎ、ＳｉＳｎＮ、ＳｉＳｎＯ、ＳｉＯ、Ｇｅ、ＧｅＣ、ＧｅＮのうちのいずれかの半導体を用いてもよい。この場合、これらの半導体は、結晶質、または、水素およびフッ素の少なくともいずれか一方を含む非晶質または微結晶であってもよい。   In the first and second embodiments, silicon (Si) is used as a semiconductor material. However, the present invention is not limited to this, and SiGe, SiGeC, SiC, SiN, SiGeN, SiSn, SiSnN, SiSnO, SiO , Ge, GeC, or GeN may be used. In this case, these semiconductors may be crystalline or amorphous or microcrystalline containing at least one of hydrogen and fluorine.

また、上記第１および第２実施形態では、透光性導電膜を構成する材料として、Ｓｎをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いたが、本発明はこれに限らず、ＩＴＯ膜以外の材料からなる透光性導電膜を用いてもよい。たとえば、Ｚｎ、Ａｓ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｓ、ＳｉおよびＴｅの少なくとも１つを化合物粉末として適量、酸化インジウム粉末（Ｉｎ２Ｏ３）に混ぜて焼結することにより作製したターゲットを用いて形成した透光性導電膜を用いてもよい。 In the first and second embodiments, Sn-doped indium oxide (ITO) is used as the material constituting the translucent conductive film. However, the present invention is not limited to this, and materials other than the ITO film are used. A translucent conductive film made of may be used. For example, it was prepared by mixing an appropriate amount of at least one of Zn, As, Ca, Cu, F, Ge, Mg, S, Si and Te as a compound powder with indium oxide powder (In 2 O 3 ) and sintering. A light-transmitting conductive film formed using a target may be used.

また、上記第１および第２実施形態では、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて非晶質シリコン層を形成したが、本発明はこれに限らず、蒸着法、スパッタリング法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法、熱ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法など他の方法を用いて、非晶質シリコン層を形成してもよい。   In the first and second embodiments, the amorphous silicon layer is formed by using the RF plasma CVD method. However, the present invention is not limited to this, and a vapor deposition method, a sputtering method, a microwave plasma CVD method, an ECR, The amorphous silicon layer may be formed by other methods such as a method, a thermal CVD method, and an LPCVD (low pressure CVD) method.

また、上記第１および第２実施形態では、透明導電膜を構成するＩＴＯ膜のスパッタリング時に、Ａｒガスを用いたが、本発明はこれに限らず、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅの他の不活性ガスまたはこれらの混合気体を用いることも可能である。   In the first and second embodiments, Ar gas is used when sputtering the ITO film constituting the transparent conductive film. However, the present invention is not limited to this, and other impurities such as He, Ne, Kr, and Xe are used. It is also possible to use an active gas or a mixed gas thereof.

また、上記第１および第２実施形態では、スパッタリング時の放電動作を、ＤＣ電力を用いて行ったが、本発明はこれに限らず、パルス変調ＤＣ放電や、ＲＦ放電、ＶＨＦ放電、マイクロ波放電などを用いてもよい。   In the first and second embodiments, the discharge operation during sputtering is performed using DC power. However, the present invention is not limited to this, and pulse-modulated DC discharge, RF discharge, VHF discharge, microwaves are not limited thereto. A discharge or the like may be used.

また、上記第１および第２実施形態では、光起電力装置の表面側にのみシリコン酸化膜を設けたが、本発明はこれに限らず、光起電力装置の表面および裏面の両側にシリコン酸化膜を設けてもよい。なお、上記第１および第２実施形態のように、表面側にガラス基板からなる表面保護材を設けた場合には、表面保護材を構成するガラス基板から溶出したナトリウムが光起電力装置の表面側に達しやすくなるので、少なくとも光起電力装置の表面側にシリコン酸化膜を設ける必要がある。したがって、上記第１および第２実施形態では、光起電力装置の裏面側にシリコン酸化膜を設けなかったとしても、ナトリウムが光起電力装置を構成する半導体各層に侵入することはほとんどない。   In the first and second embodiments, the silicon oxide film is provided only on the surface side of the photovoltaic device. However, the present invention is not limited to this, and silicon oxide is formed on both sides of the surface and the back surface of the photovoltaic device. A film may be provided. In addition, when the surface protection material which consists of a glass substrate is provided in the surface side like the said 1st and 2nd embodiment, the sodium eluted from the glass substrate which comprises a surface protection material is the surface of a photovoltaic apparatus. Therefore, it is necessary to provide a silicon oxide film on at least the surface side of the photovoltaic device. Therefore, in the first and second embodiments, even if the silicon oxide film is not provided on the back surface side of the photovoltaic device, sodium hardly penetrates into each semiconductor layer constituting the photovoltaic device.

本発明の第１実施形態による光起電力装置の構造を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the structure of the photovoltaic apparatus by 1st Embodiment of this invention. 図１に示した第１実施形態による光起電力装置を用いた光起電力モジュールの構造を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the photovoltaic module using the photovoltaic apparatus by 1st Embodiment shown in FIG. 図１に示した第１実施形態による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した拡大図である。It is the enlarged view which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by 1st Embodiment shown in FIG. 本発明の第１実施形態による光起電力装置を用いた光起電力モジュールの製造プロセスを説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing process of the photovoltaic module using the photovoltaic apparatus by 1st Embodiment of this invention. 本発明の実施例１による光起電力装置のシリコン酸化膜上にフラックスを塗布した状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state which apply | coated the flux on the silicon oxide film of the photovoltaic apparatus by Example 1 of this invention. 本発明の実施例２による光起電力装置のシリコン酸化膜上にフラックスを塗布した状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state which apply | coated the flux on the silicon oxide film of the photovoltaic apparatus by Example 2 of this invention. 本発明の実施例３による光起電力装置のシリコン酸化膜上にフラックスを塗布した状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state which apply | coated the flux on the silicon oxide film of the photovoltaic apparatus by Example 3 of this invention. 本発明の実施例４による光起電力装置のシリコン酸化膜上にフラックスを塗布した状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state which apply | coated the flux on the silicon oxide film of the photovoltaic apparatus by Example 4 of this invention. 本発明の実施例５による光起電力装置のシリコン酸化膜上にフラックスを塗布した状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state which apply | coated the flux on the silicon oxide film of the photovoltaic apparatus by Example 5 of this invention. 比較例１による光起電力装置のシリコン酸化膜上にフラックスを塗布した状態を示した断面図である。5 is a cross-sectional view showing a state in which a flux is applied on a silicon oxide film of a photovoltaic device according to Comparative Example 1. FIG. 本発明の実施例１による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by Example 1 of this invention. 本発明の実施例２による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by Example 2 of this invention. 本発明の実施例３による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by Example 3 of this invention. 本発明の実施例４による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by Example 4 of this invention. 本発明の実施例５による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by Example 5 of this invention. 比較例１による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by the comparative example 1. 密着強度を測定する際に用いた測定装置の模式図である。It is a schematic diagram of the measuring apparatus used when measuring adhesive strength. ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜の厚みと規格化分光感度との関係を示したグラフである。6 is a graph showing the relationship between the thickness of a silicon oxide film containing fine particles of ZnO and the normalized spectral sensitivity. ＺｎＯからなる微粒子が含有されたシリコン酸化膜の厚みと規格化分光感度との関係を示したグラフである。6 is a graph showing the relationship between the thickness of a silicon oxide film containing fine particles of ZnO and the normalized spectral sensitivity. シリコン酸化膜に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径と規格化分光感度との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the average particle diameter of the microparticles | fine-particles consisting of ZnO contained in the silicon oxide film, and the normalized spectral sensitivity. シリコン酸化膜に含有されたＺｎＯからなる微粒子の平均粒径と規格化分光感度との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the average particle diameter of the microparticles | fine-particles consisting of ZnO contained in the silicon oxide film, and the normalized spectral sensitivity. シリコン酸化膜の厚みと規格化曲線因子（Ｆ．Ｆ．）との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the thickness of a silicon oxide film, and a normalization curve factor (FF). シリコン酸化膜の厚みと規格化出力との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the thickness of a silicon oxide film, and the normalization output. 本発明の第２実施形態による光起電力装置の表面側集電極のバスバー電極部にタブ電極が接続された状態を示した拡大図である。It is the enlarged view which showed the state by which the tab electrode was connected to the bus-bar electrode part of the surface side collector electrode of the photovoltaic apparatus by 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

２ ｎ型単結晶シリコン基板（光電変換層、半導体層）
３ ｉ型非晶質シリコン層（半導体層）
４ ｐ型非晶質シリコン層（半導体層）
６ 表面側集電極（集電極）
６ａ フィンガー電極部
６ｂ バスバー電極部
７、４７ シリコン酸化膜
８ ｉ型非晶質シリコン層（半導体層）
９ ｎ型非晶質シリコン層（半導体層）
２２、５２ タブ電極
２３ 半田層（融着層）
２４ 充填材
２５ 表面保護材
２６ 裏面保護材 2 n-type single crystal silicon substrate (photoelectric conversion layer, semiconductor layer)
3 i-type amorphous silicon layer (semiconductor layer)
4 p-type amorphous silicon layer (semiconductor layer)
6 Surface side collector (collector)
6a Finger electrode part 6b Bus bar electrode part 7, 47 Silicon oxide film 8 i-type amorphous silicon layer (semiconductor layer)
9 n-type amorphous silicon layer (semiconductor layer)
22, 52 Tab electrode 23 Solder layer (fusion layer)
24 Filling material 25 Surface protective material 26 Back surface protective material

Claims (14)

光電変換層を含む複数の半導体層と、
前記半導体層の少なくとも光入射面上に形成され、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有するシリコン酸化膜とを備えた、光起電力装置。 A plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer;
A photovoltaic device comprising: a silicon oxide film containing fine particles made of a material that is formed on at least a light incident surface of the semiconductor layer and has a higher etching rate by flux than that of silicon oxide. 前記微粒子は、ＺｎＯからなる微粒子である、請求項１に記載の光起電力装置。   The photovoltaic device according to claim 1, wherein the fine particles are fine particles made of ZnO. 前記微粒子の平均粒径は、０．１μｍ以下である、請求項１または２に記載の光起電力装置。   The photovoltaic device according to claim 1 or 2, wherein an average particle size of the fine particles is 0.1 µm or less. 前記シリコン酸化膜の厚みは、０．０１μｍ以上６μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光起電力装置。   The photovoltaic device according to claim 1, wherein the silicon oxide film has a thickness of 0.01 μm or more and 6 μm or less. 前記光入射面上の所定領域に形成され、電流を収集するためのフィンガー電極部と、前記フィンガー電極部において収集された前記電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極をさらに備え、
前記シリコン酸化膜は、前記光入射面上に、前記集電極のフィンガー電極部およびバスバー電極部の両方を覆うように形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光起電力装置。 A collector electrode formed in a predetermined region on the light incident surface, and further comprising a finger electrode part for collecting current and a bus bar electrode part for collecting the current collected in the finger electrode part;
5. The photovoltaic device according to claim 1, wherein the silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover both the finger electrode portion and the bus bar electrode portion of the collector electrode. Power equipment. 前記シリコン酸化膜のうちの前記集電極のバスバー電極部の上面上に位置する第１部分上に配置されたタブ電極をさらに備え、
前記シリコン酸化膜の第１部分では、前記フラックスにより前記微粒子がエッチングされることによって、前記集電極のバスバー電極部の上面の一部が露出されており、
前記集電極のバスバー電極部と前記タブ電極とは、前記シリコン酸化膜の前記微粒子がエッチングされた部分を介して融着層により接続されている、請求項５に記載の光起電力装置。 A tab electrode disposed on the first portion of the silicon oxide film located on the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode;
In the first portion of the silicon oxide film, a part of the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode is exposed by etching the fine particles by the flux,
The photovoltaic device according to claim 5, wherein the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are connected by a fusion layer through a portion of the silicon oxide film where the fine particles are etched. 前記集電極のバスバー電極部の上面上に位置する前記シリコン酸化膜の第１部分における前記微粒子の含有量は、前記フラックスにより前記微粒子がエッチングされることにより、前記シリコン酸化膜の第１部分以外の第２部分における前記微粒子の含有量よりも少なくなっている、請求項６に記載の光起電力装置。   The content of the fine particles in the first portion of the silicon oxide film located on the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode is other than the first portion of the silicon oxide film by etching the fine particles with the flux. The photovoltaic device according to claim 6, wherein the content is less than the content of the fine particles in the second part. 前記光入射面上の所定領域に形成され、電流を収集するためのフィンガー電極部と、前記フィンガー電極部において収集された前記電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極と、
前記集電極のバスバー電極部上に配置されたタブ電極とをさらに備え、
前記シリコン酸化膜は、前記光入射面上に、前記集電極のバスバー電極部および前記タブ電極を覆うように形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光起電力装置。 A collector electrode formed in a predetermined region on the light incident surface and having a finger electrode portion for collecting current and a bus bar electrode portion for collecting the current collected in the finger electrode portion;
A tab electrode disposed on the bus bar electrode portion of the collector electrode;
5. The photovoltaic device according to claim 1, wherein the silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode. 6. . 光電変換層を含む複数の半導体層と、前記半導体層の少なくとも光入射面上に形成され、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有するシリコン酸化膜とを含む複数の光起電力装置と、
前記複数の光起電力装置を接続するタブ電極と、
前記光起電力装置の光入射面側に充填材を介して設けられ、ガラス基板からなる表面保護材と、
前記光起電力装置の前記光入射面とは反対側に前記充填材を介して設けられ、樹脂フィルムからなる裏面保護材とを備えた、光起電力モジュール。 A plurality of light including a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer and a silicon oxide film containing fine particles made of a material having an etching rate by flux larger than that of silicon oxide formed on at least a light incident surface of the semiconductor layer. An electromotive force device;
A tab electrode connecting the plurality of photovoltaic devices;
A surface protective material provided on the light incident surface side of the photovoltaic device via a filler and made of a glass substrate;
A photovoltaic module comprising: a back surface protective material made of a resin film, provided on the opposite side of the photovoltaic device from the light incident surface through the filler. 前記微粒子は、ＺｎＯからなる微粒子である、請求項９に記載の光起電力モジュール。   The photovoltaic module according to claim 9, wherein the fine particles are fine particles made of ZnO. 前記光起電力装置は、前記光入射面上の所定領域に形成され、電流を収集するためのフィンガー電極部と、前記フィンガー電極部において収集された前記電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極をさらに含み、
前記シリコン酸化膜は、前記光入射面上に、前記集電極のフィンガー電極部およびバスバー電極部の両方を覆うように形成されている、請求項９または１０に記載の光起電力モジュール。 The photovoltaic device is formed in a predetermined region on the light incident surface, and includes a finger electrode part for collecting current and a bus bar electrode part for collecting the current collected in the finger electrode part. And further including a collector electrode having
The photovoltaic module according to claim 9 or 10, wherein the silicon oxide film is formed on the light incident surface so as to cover both the finger electrode portion and the bus bar electrode portion of the collector electrode. 前記タブ電極は、前記シリコン酸化膜のうちの前記集電極のバスバー電極部の上面上に位置する第１部分上に配置されており、
前記シリコン酸化膜の第１部分では、前記フラックスにより前記微粒子がエッチングされることによって、前記集電極のバスバー電極部の上面の一部が露出されており、
前記集電極のバスバー電極部と前記タブ電極とは、前記シリコン酸化膜の前記微粒子がエッチングされた部分を介して融着層により接続されている、請求項１１に記載の光起電力モジュール。 The tab electrode is disposed on a first portion of the silicon oxide film located on the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode,
In the first portion of the silicon oxide film, a part of the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode is exposed by etching the fine particles by the flux,
The photovoltaic module according to claim 11, wherein the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode are connected by a fusion layer through a portion of the silicon oxide film where the fine particles are etched. 光電変換層を含む複数の半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の少なくとも光入射面上に、フラックスによるエッチング速度が酸化シリコンよりも大きい材料からなる微粒子を含有するポリシラザンを主成分とするコーティング溶液を塗布する工程と、
前記コーティング溶液を熱処理により硬化させることによって、前記光入射面上に、前記微粒子を含有するシリコン酸化膜を形成する工程とを備えた、光起電力装置の製造方法。 Forming a plurality of semiconductor layers including a photoelectric conversion layer;
Applying a coating solution mainly composed of polysilazane containing fine particles made of a material whose etching rate by flux is larger than that of silicon oxide on at least a light incident surface of the semiconductor layer;
And a step of forming a silicon oxide film containing the fine particles on the light incident surface by curing the coating solution by heat treatment. 前記コーティング溶液を塗布する工程に先立って、前記光入射面上の所定領域に、電流を収集するためのフィンガー電極部と、前記フィンガー電極部において収集された前記電流を集合させるためのバスバー電極部とを有する集電極を形成する工程をさらに備え、
前記コーティング溶液を塗布する工程は、前記光入射面上に、前記集電極のフィンガー電極部およびバスバー電極部の両方を覆うように塗布する工程を含み、
前記シリコン酸化膜を形成する工程の後に、
前記シリコン酸化膜の前記集電極のバスバー電極部に対応する第１部分上に、前記フラックスを塗布することにより前記微粒子をエッチングすることによって、前記集電極のバスバー電極部の上面の一部を露出させる工程と、
前記シリコン酸化膜の前記微粒子がエッチングされた部分を介して、前記集電極のバスバー電極部とタブ電極とを融着層により接続する工程とをさらに備える、請求項１３に記載の光起電力装置の製造方法。 Prior to the step of applying the coating solution, a finger electrode part for collecting current and a bus bar electrode part for collecting the current collected in the finger electrode part in a predetermined region on the light incident surface And further comprising forming a collector electrode having
The step of applying the coating solution includes a step of applying on the light incident surface so as to cover both the finger electrode portion and the bus bar electrode portion of the collector electrode,
After the step of forming the silicon oxide film,
A portion of the upper surface of the bus bar electrode portion of the collector electrode is exposed by etching the fine particles by applying the flux on the first portion of the silicon oxide film corresponding to the bus bar electrode portion of the collector electrode. A process of
The photovoltaic device according to claim 13, further comprising a step of connecting the bus bar electrode portion of the collector electrode and the tab electrode with a fusion layer through a portion of the silicon oxide film where the fine particles are etched. Manufacturing method.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008205137A (en) * 2007-02-19 2008-09-04 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell and solar cell module
JP2010118705A (en) * 2010-02-26 2010-05-27 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery module
JP2012521080A (en) * 2009-03-19 2012-09-10 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ Solar cell with an encapsulation layer based on polysilazane
KR101569518B1 (en) 2014-11-07 2015-11-17 희성전자 주식회사 Structure of solar cell and manufacturing method thereof
JP2016512394A (en) * 2013-03-13 2016-04-25 ジーティーエイティー・コーポレーション Self-supporting metal articles for semiconductors
JPWO2014050769A1 (en) * 2012-09-25 2016-08-22 株式会社カネカ Solar cell module having antiglare film and method for producing the same, antiglare film for solar cell and method for producing the same, and coating solution for forming antiglare film

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008205137A (en) * 2007-02-19 2008-09-04 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell and solar cell module
JP2012521080A (en) * 2009-03-19 2012-09-10 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ Solar cell with an encapsulation layer based on polysilazane
JP2010118705A (en) * 2010-02-26 2010-05-27 Sanyo Electric Co Ltd Solar battery module
JPWO2014050769A1 (en) * 2012-09-25 2016-08-22 株式会社カネカ Solar cell module having antiglare film and method for producing the same, antiglare film for solar cell and method for producing the same, and coating solution for forming antiglare film
US9929286B2 (en) 2012-09-25 2018-03-27 Kaneka Corporation Solar cell module with anti-glare film and method for manufacturing same, anti-glare film for solar cell modules and method for manufacturing same, and coating solution for forming anti-glare film
JP2016512394A (en) * 2013-03-13 2016-04-25 ジーティーエイティー・コーポレーション Self-supporting metal articles for semiconductors
KR101569518B1 (en) 2014-11-07 2015-11-17 희성전자 주식회사 Structure of solar cell and manufacturing method thereof

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