JP2006216876A - 化合物半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 InGaAs層をチャネル層6、n型不純物を含有するAlGaAs層を電子供給層3、9とする高電子移動度電界効果型トランジスタに用いられる化合物半導体エピタキシャル基板をMOVPE法によって製造する場合、ガリウム原料としてトリエチルガリウムを用い基板温度が450℃から490℃の範囲の成長温度条件でInGaAs層を結晶成長させてチャネル層6を形成する。これにより、電子移動度が極めて高いHEMT製造用化合物半導体エピタキシャル基板を製造することができる。
【選択図】 図1
Description
図1に示した層構造のHEMT製造用化合物半導体エピタキシャル基板を、減圧バレル型MOVPE法用反応炉を用い、以下に示すようにして作製した。VGF法で製造された半絶縁性GaAs単結晶板を用意し、それを成長基板1として、その上に各層をエピタキシャル成長させた。3族の原料としては、トリエチルガリウム(TEG)、トリメチルアルミニウム(TMA)及びトリメチルインジウム(TMI)を用い、5族の原料としては、アルシン(AsH3 )を用いた。n型ドーパントとしては、シリコン(Si)を用いた。原料のキャリアガスとしては、高純度水素を用い、反応炉内圧力0.1atm、成長速度3〜1μm/hrの成長条件でエピタキシャル成長を行った。ここで、成長温度条件は、チャネル層6の成長の場合には成長基板温度を490℃とし、チャネル層6以外の層を成長させる場合には650℃とした。
チャネル層6の形成温度を520℃とした以外は実施例1と同様にして図1に示す層構造のエピタキシャル基板を作製した。実施例1と同様にしてホール測定を行った結果、室温(300K)での二次元電子ガス濃度が2.40×1012/cm2 、室温(300K)での電子移動度が8240cm2 /V・s、77Kでの二次元電子ガス濃度が2.65×1012/cm2 、77Kでの電子移動度が28000cm2 /V・sであった。
チャネル層6の形成温度を550℃とした以外は実施例1と同様にして図1に示す層構造のエピタキシャル基板を作製した。実施例1と同様にしてホール測定を行った結果、室温(300K)での二次元電子ガス濃度が2.32×1012/cm2 、室温(300K)での電子移動度が8070cm2 /V・s、77Kでの二次元電子ガス濃度が2.54×1012/cm2 、77Kでの電子移動度が27200cm2 /V・sであった。
チャネル層6の形成温度を580℃とした以外は実施例1と同様にして図1に示す層構造のエピタキシャル基板を作製した。実施例1と同様にしてホール測定を行った結果、室温(300K)での二次元電子ガス濃度が2.40×1012/cm2 、室温(300K)での電子移動度が7980cm2 /V・s、77Kでの二次元電子ガス濃度が2.62×1012/cm2 、77Kでの電子移動度が25000cm2 /V・sであった。
2 バッファ層
3 バック側電子供給層
4、5 バック側スペーサ層
6 チャネル層
7、8 フロント側スペーサ層
9 フロント側電子供給層
10、11 アンドープ層
Claims (3)
- 有機金属気相成長法により、成長基板上に、バッファ層、InGaAsからなるチャネル層、n−AlGaAsからなる電子供給層、コンタクト層を順次成長させるHEMT製造用化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法において、前記InGaAs層を、ガリウム原料としてトリエチルガリウムを用い、成長基板の温度を450℃以上490℃以下の範囲として成長させることを特徴とするHEMT製造用化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。
- 請求項1の方法により製造されたHEMT製造用化合物半導体エピタキシャル基板。
- 請求項2において、電子移動度が8500cm2/V・s以上であるHEMT製造用化合物半導体エピタキシャル基板。
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JPH06275540A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | 薄膜成長方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004128415A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | トランジスタ、ウェーハ、トランジスタの製造方法、ウェーハの製造方法および半導体層の形成方法 |
JP2004207473A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 高電子移動度エピタキシャル基板 |
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2005
- 2005-02-07 JP JP2005030047A patent/JP2006216876A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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