JP2006203143A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 導電プラグの開口チェックを容易にすることが可能な構造の半導体装置を提供する
【解決手段】 半導体装置1は、半導体基板10、拡散層12、配線層20、コンタクトプラグ30、コンタクト試験用開口34、ビアプラグ40、およびビア試験用開口44を備えている。コンタクト試験用開口34は、コンタクトプラグ用開口32と同様に、拡散層12から配線層20まで延びている。コンタクト試験用開口34の拡散層12側の開口面は、拡散層12の境界B1をまたいでいる。また、ビア試験用開口44は、ビアプラグ用開口42と同様に、配線22aから配線層20bまで延びている。ビア試験用開口44の配線22a側の開口面は、配線22aの境界B2をまたいでいる。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体装置1は、半導体基板10、拡散層12、配線層20、コンタクトプラグ30、コンタクト試験用開口34、ビアプラグ40、およびビア試験用開口44を備えている。コンタクト試験用開口34は、コンタクトプラグ用開口32と同様に、拡散層12から配線層20まで延びている。コンタクト試験用開口34の拡散層12側の開口面は、拡散層12の境界B1をまたいでいる。また、ビア試験用開口44は、ビアプラグ用開口42と同様に、配線22aから配線層20bまで延びている。ビア試験用開口44の配線22a側の開口面は、配線22aの境界B2をまたいでいる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置に関する。
近年、半導体装置の高集積化および微細化が進んでいる。それに伴い、配線層とトランジスタや容量等の各素子の電極とを接続するコンタクト、あるいは配線層同士を接続するビアの径を小さくすることが必要となる。コンタクトあるいはビア(以下、これらをまとめて導電プラグと呼ぶ)が正常に開口していない場合、その半導体は不良となる。それゆえ、導電プラグ用の開口をインラインでチェックすることの重要性が高まってきている。このチェックは、導電プラグ用の開口とは別にチェック用の開口を設けておき、その開口の底部を顕微鏡(SEM)を用いて観察することにより行うことができる。
従来の半導体装置としては、例えば特許文献1に記載されたものがある。図7は、従来の半導体装置におけるチェック用の開口の配置を説明するための平面図である。同図に示すように、従来、チェック用の開口101を設ける場合、当該開口101は、導電プラグ用の開口と同様に拡散層または配線層102上に配置されていた。
特開2004−119449号公報
しかしながら、図7に示す配置では、図8に示すように、開口101の底部には拡散層または配線層102のみが露出する。同図は、開口チェック時のSEM像を示す模式図である。そのため、SEMによる開口101の底部の像は一様となり、正常に開口しているか否かの判断が困難であるという問題がある。上述したように半導体装置の高集積化および微細化が進んでいることに伴い、かかる問題は顕在化してきている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、導電プラグの開口チェックを容易にすることが可能な構造の半導体装置を提供する。
上記課題を解決するために、本発明による半導体装置は、半導体基板と、上記半導体基板の表層に設けられた拡散層と、上記半導体基板の上方に設けられた配線層と、上記拡散層から上記配線層まで延びるプラグ用開口中に設けられた導電プラグと、上記拡散層から上記配線層まで延びる試験用開口と、を備え、上記試験用開口は、上記拡散層側の開口面が上記拡散層の境界をまたぐように設けられていることを特徴とする。
この半導体装置においては、プラグ用開口と同様に拡散層から配線層まで延びる試験用開口が設けられている。ここで、試験用開口の拡散層側の開口面は、拡散層の境界をまたいでいる。かかる構成により、製造時において試験用開口を観察する際に、開口が正常であれば、試験用開口の底部に拡散層の境界が現れることになる。このため、開口が正常であるか否かの判断が容易となる。
また、本発明による半導体装置は、第1の配線と、上記第1の配線を有する第1の配線層の上層に設けられた第2の配線層と、上記第1の配線から上記第2の配線層まで延びるプラグ用開口中に設けられた導電プラグと、上記第1の配線から上記第2の配線層まで延びる試験用開口と、を備え、上記試験用開口は、上記第1の配線側の開口面が上記第1の配線の境界をまたぐように設けられていることを特徴としてもよい。
この半導体装置においては、プラグ用開口と同様に第1の配線から第2の配線層まで延びる試験用開口が設けられている。ここで、試験用開口の第1の配線側の開口面は、第1の配線の境界をまたいでいる。かかる構成により、製造時において試験用開口を観察する際に、開口が正常であれば、試験用開口の底部に第1の配線の境界が現れることになる。このため、開口が正常であるか否かの判断が容易となる。
本発明によれば、導電プラグの開口チェックを容易にすることが可能な構造の半導体装置が実現される。
以下、図面を参照しつつ、本発明による半導体装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明による半導体装置の一実施形態を示す断面図である。半導体装置1は、半導体基板10、拡散層12、配線層20、コンタクトプラグ30、コンタクト試験用開口34、ビアプラグ40、およびビア試験用開口44を備えている。
半導体基板10の表層には、拡散層12が形成されている。この拡散層12およびゲート電極14等によりMOSトランジスタが構成されている。MOSトランジスタを埋め込むように、絶縁膜16が形成されている。また、半導体基板10の表層には、素子分離領域18も形成されている。
半導体基板10の上方には、配線層20が形成されている。配線層20は、配線層20a(第1の配線層)および配線層20b(第2の配線層)を含んで構成されている。配線層20a,20bには、それぞれ配線22a(第1の配線)および配線22b(第2の配線)が形成されている。また、配線層20aにおいて配線22aは、絶縁膜26aによって覆われている。同様に、配線層20bにおいて配線22bは、絶縁膜26bによって覆われている。
絶縁膜16には、コンタクトプラグ用開口32が形成されている。コンタクトプラグ用開口32は、絶縁膜16を貫通して、拡散層12から配線層20まで延びている。コンタクトプラグ用開口32中には、コンタクトプラグ30が形成されている。コンタクトプラグ30は、一端が拡散層12に接続され、他端が配線22aに接続されている。このコンタクトプラグ30は、拡散層12と配線22aとを電気的に接続する導電プラグである。
絶縁膜16には、コンタクト試験用開口34も形成されている。このコンタクト試験用開口34も、コンタクトプラグ用開口32と同様に、絶縁膜16を貫通して、拡散層12から配線層20まで延びている。また、コンタクト試験用開口34の径、深さおよび形状は、何れもコンタクトプラグ用開口32と略同一である。
図2を参照しつつ、コンタクト試験用開口34の配置について説明する。同図に示すように、コンタクト試験用開口34の拡散層12側の開口面は、半導体基板10表面において拡散層12の境界B1をまたいでいる。本実施形態において境界B1は、拡散層12と素子分離領域18との間の境界である。
図1に戻って、絶縁膜26aには、ビアプラグ用開口42が形成されている。ビアプラグ用開口42は、絶縁膜26aを貫通して、配線22aから配線層20bまで延びている。ビアプラグ用開口42中には、ビアプラグ40が形成されている。ビアプラグ40は、一端が配線22aに接続され、他端が配線22bに接続されている。このビアプラグ40は、配線22aと配線22bとを電気的に接続する導電プラグである。
絶縁膜26aには、ビア試験用開口44も形成されている。このビア試験用開口44も、ビアプラグ用開口42と同様に、絶縁膜26aを貫通して、配線22aから配線層20bまで延びている。また、ビア試験用開口44の径、深さおよび形状は、何れもビアプラグ用開口42と略同一である。
図3を参照しつつ、ビア試験用開口44の配置について説明する。同図に示すように、ビア試験用開口44の配線22a側の開口面は、配線22aの境界B2をまたいでいる。本実施形態において境界B2は、配線22aと絶縁膜26aとの間の境界である。
図1に戻って、配線層20b上には、配線層20a,20bと同様の構成の配線層が積層されている。最上層には、最上層配線52、および最上層配線52を覆うパッシベーション膜54が形成されている。
続いて、半導体装置1の効果を説明する。半導体装置1においては、拡散層12から配線層20まで延びるコンタクト試験用開口34が設けられている。ここで、コンタクト試験用開口34の拡散層12側の開口面は、拡散層12の境界B1(図2参照)をまたいでいる。かかる構成により、製造時においてコンタクト試験用開口34を観察する際に、開口が正常であれば、図4に示すように、コンタクト試験用開口34の底部に拡散層12の境界B1が現れることになる。コンタクト試験用開口34の底部には、境界B1を挟んで拡散層12と素子分離領域18とが共に露出している。なお、同図は、コンタクト開口チェック時のSEM像を示す模式図である。かかる構成により、コンタクトプラグ用開口32が正常に形成されているか否かの判断が容易となる。
さらに、半導体装置1においては、配線22aから配線層20bまで延びるビア試験用開口44が設けられている。ここで、ビア試験用開口44の配線22a側の開口面は、配線22aの境界B2(図3参照)をまたいでいる。かかる構成により、製造時においてビア試験用開口44を観察する際に、開口が正常であれば、図5に示すように、ビア試験用開口44の底部に配線22aの境界B2が現れることになる。ビア試験用開口44の底部には、境界B2を挟んで配線22aと絶縁膜26aとが共に露出している。なお、同図は、ビア開口チェック時のSEM像を示す模式図である。かかる構成により、ビアプラグ用開口42が正常に形成されているか否かの判断が容易となる。
なお、本実施形態においてはコンタクト試験用開口34およびビア試験用開口44の双方が設けられているが、何れか一方のみが設けられる構成としてもよい。また、配線層の層数は、図示したものに限らず、いくつであってもよい。
また、コンタクト試験用開口34は、拡散層12の境界をまたぐように配置されている限り、様々な配置が可能である。例えば、コンタクト試験用開口34は、図6に示すように、拡散層12側の開口面の一部が拡散層12の角部にかかるように配置されてもよい。ビア試験用開口44についても同様であり、配線22a側の一部が配線22aの角部にかかるように配置されてもよい。
1 半導体装置
10 半導体基板
12 拡散層
14 ゲート電極
16 絶縁膜
18 素子分離領域
20 配線層
20a,20b 配線層
22a,22b 配線
26a,26b 絶縁膜
30 コンタクトプラグ
32 コンタクトプラグ用開口
34 コンタクト試験用開口
40 ビアプラグ
42 ビアプラグ用開口
44 ビア試験用開口
52 最上層配線
54 パッシベーション膜
10 半導体基板
12 拡散層
14 ゲート電極
16 絶縁膜
18 素子分離領域
20 配線層
20a,20b 配線層
22a,22b 配線
26a,26b 絶縁膜
30 コンタクトプラグ
32 コンタクトプラグ用開口
34 コンタクト試験用開口
40 ビアプラグ
42 ビアプラグ用開口
44 ビア試験用開口
52 最上層配線
54 パッシベーション膜
Claims (2)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表層に設けられた拡散層と、
前記半導体基板の上方に設けられた配線層と、
前記拡散層から前記配線層まで延びるプラグ用開口中に設けられた導電プラグと、
前記拡散層から前記配線層まで延びる試験用開口と、を備え、
前記試験用開口は、前記拡散層側の開口面が前記拡散層の境界をまたぐように設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 第1の配線と、
前記第1の配線を有する第1の配線層の上層に設けられた第2の配線層と、
前記第1の配線から前記第2の配線層まで延びるプラグ用開口中に設けられた導電プラグと、
前記第1の配線から前記第2の配線層まで延びる試験用開口と、を備え、
前記試験用開口は、前記第1の配線側の開口面が前記第1の配線の境界をまたぐように設けられていることを特徴とする半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005016067A JP2006203143A (ja) | 2005-01-24 | 2005-01-24 | 半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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2006
- 2006-01-05 US US11/325,482 patent/US7602064B2/en active Active
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