JP2006203000A - Adhesive tape for dicing and manufacturing method of semiconductor chip - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ダイシング用粘着テープおよび該ダイシング用粘着テープを用いた半導体チップの製造方法に関し、より詳細には、半導体ウェーハに貼付されるダイシング用粘着テープ、及びダイシング用粘着テープが貼付された半導体ウェーハをダイシングして、次に個々の半導体チップが取り出される半導体チップの製造方法に関する。 The present invention relates to a dicing adhesive tape and a method of manufacturing a semiconductor chip using the dicing adhesive tape, and more particularly, a dicing adhesive tape to be affixed to a semiconductor wafer, and a semiconductor to which a dicing adhesive tape is affixed. The present invention relates to a semiconductor chip manufacturing method in which a wafer is diced and individual semiconductor chips are then taken out.
ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップは、裏面にダイシング用粘着テープが貼付された半導体ウェーハを個々の半導体チップを取り出し得るように、ダイシングすることにより得られる。 Semiconductor chips such as IC and LSI can be obtained by dicing a semiconductor wafer having a dicing adhesive tape affixed to the back surface so that individual semiconductor chips can be taken out.
図１３に、従来より半導体チップを得る際に用いられているダイシング用粘着テープを模式的正面断面図で示す。図１３に示されているダイシング用粘着テープ１０１では、離型フィルム１０２の一方面１０２ａに、ダイアタッチフィルム１０３が接合されている。さらに、ダイアタッチフィルム１０３の離型フィルムが接合されている一方面１０３ａとは反対側の他方面１０３ｂに、粘着剤層１０４ａを有するダイシングシート１０４が粘着剤層１０４ａ側から接合されている。
FIG. 13 is a schematic front cross-sectional view showing a dicing adhesive tape that has been conventionally used for obtaining a semiconductor chip. In the dicing
このダイシング用粘着テープ１０１の離型フィルム１０２を剥離し、露出したダイアタッチフィルム１０３の一方面１０３ａに、裏面が研磨されて所定の厚みとされた半導体ウェーハが貼付される。ダイアタッチフィルム１０３を半導体ウェーハに貼付した状態を図１４に部分切欠正面断面図で示す。
The
図１４に示されているように、半導体ウェーハ１０５はダイアタッチフィルム１０３に接合されている。さらに、ダイアタッチフィルム１０３の他方面１０３ｂに、ダイシングシート１０４が粘着剤層１０４ａ側から接合されている。
As shown in FIG. 14, the
半導体チップを得るには、先ずダイアタッチフィルム１０３が貼付された半導体ウェーハ１０５が縦方向及び横方向にダイシングされて、複数の半導体ウェーハ１０５に分割される。しかる後、ダイアタッチフィルム１０３が貼付された半導体ウェーハ１０５が、ダイアタッチフィルム１０３ごとダイシングシート１０４から剥離されて、図１５に正面断面図で示す複数の半導体チップ１０６が取り出される。
In order to obtain a semiconductor chip, first, the semiconductor wafer 105 to which the
近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、厚さが１００μｍよりも薄い、例えば厚さ５０μｍ程度の極めて薄い半導体チップが求められている。しかしながら、厚さ５０μｍ程度の半導体チップを得るには、同じく厚さ５０μｍ程度の半導体ウェーハを用意し、ダイシングしなければならない。このような薄い半導体ウェーハは、従来の厚さ１００〜６００μｍ程度の半導体ウェーハに比べて反り易く、かつ衝撃により割れ易かった。従って、取扱性に劣り、従来の半導体ウェーハと同様に加工しようとすると、半導体ウェーハが破損することがあった。 In recent years, as the use of IC chips has expanded, there is a demand for extremely thin semiconductor chips having a thickness of less than 100 μm, for example, a thickness of about 50 μm. However, in order to obtain a semiconductor chip with a thickness of about 50 μm, a semiconductor wafer with a thickness of about 50 μm must be prepared and diced. Such a thin semiconductor wafer is more likely to warp and break due to impact than a conventional semiconductor wafer having a thickness of about 100 to 600 μm. Accordingly, the handling property is inferior, and the semiconductor wafer may be damaged when it is processed in the same manner as a conventional semiconductor wafer.
厚さが５０μｍ程度の半導体ウェーハは、衝撃を受け易いダイシング工程や半導体チップがダイシングシートから剥離される工程で破損する危険性が高く、また半導体チップの電極上にバンプを作成する際にも破損しやすいため、歩留まりが悪い。このため、薄い半導体ウェーハから半導体チップを製造する過程における半導体ウェーハの取扱性が重要になってきている。 Semiconductor wafers with a thickness of about 50 μm are highly susceptible to damage in the dicing process that is susceptible to impact and the process in which the semiconductor chip is peeled off the dicing sheet, and are also damaged when bumps are formed on the electrodes of the semiconductor chip. Yield is poor because it is easy to do. For this reason, the handling of semiconductor wafers in the process of manufacturing semiconductor chips from thin semiconductor wafers has become important.
半導体ウェーハの破損を低減するために、通常、ダイシング用粘着テープとしては、ＵＶ硬化型粘着テープが用いられている。ＵＶ硬化型粘着テープでは、ダイシングシートの粘着剤層が、紫外線照射により硬化する樹脂を用いて構成されている。粘着剤層は、紫外線が照射される前には粘着力を有するが、粘着剤層に紫外線が照射されると、粘着剤層が硬化して、粘着力が低下する。よって、半導体チップを製造する際には、紫外線を照射する前に、上記半導体ウェーハのダイシングが行われる。次に、紫外線を照射して粘着剤層を硬化させることで、半導体チップをダイシングシートから剥離することができる。 In order to reduce the damage of the semiconductor wafer, a UV curable adhesive tape is usually used as the adhesive tape for dicing. In the UV curable pressure-sensitive adhesive tape, the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing sheet is configured using a resin that is cured by ultraviolet irradiation. The pressure-sensitive adhesive layer has an adhesive force before being irradiated with ultraviolet rays, but when the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays, the pressure-sensitive adhesive layer is cured and the adhesive force is reduced. Therefore, when manufacturing a semiconductor chip, the semiconductor wafer is diced before being irradiated with ultraviolet rays. Next, the semiconductor chip can be peeled from the dicing sheet by curing the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating ultraviolet rays.
他方、下記特許文献１には、ダイシングシートの粘着剤層に、放射線照射により塩基を発生する化合物が用いられた半導体チップの製造方法が開示されている。
On the other hand,
下記特許文献１では、放射線照射により塩基を発生する化合物、および放射線照射によって発生した塩基により硬化する例えばエポキシ樹脂などを用いて粘着剤層が形成されている。よって、放射線を照射する前は、粘着剤層は充分な粘着力を有するが、放射線を照射した後にはその粘着力を低下させることができる。よって、半導体ウェーハのダイシングが行われた後、放射線を照射することにより、半導体チップをダイシングシートから容易に、かつ無理なく剥離することができる。
しかしながら、上述したＵＶ硬化型粘着テープを用いた場合には、粘着剤層を硬化させた後に、粘着力が十分に低下しないことがあった。粘着力が十分に低下していない状態で、半導体チップをダイシングシートから剥離すると、半導体チップに余計な力が加わり、半導体チップが破損することがあった。 However, when the UV curable adhesive tape described above is used, the adhesive strength may not be sufficiently reduced after the adhesive layer is cured. If the semiconductor chip is peeled from the dicing sheet in a state where the adhesive force is not sufficiently lowered, an extra force is applied to the semiconductor chip, and the semiconductor chip may be damaged.
さらに、紫外線照射により硬化する樹脂は比較的高価なものが多かった。また、該樹脂を用いた場合には、紫外線を照射する余計な手間を必要とした。 Furthermore, many resins that are cured by ultraviolet irradiation are relatively expensive. Moreover, when this resin was used, the extra effort which irradiates an ultraviolet-ray was required.
他方、上記特許文献１に記載の製造方法では、塩基を発生する化合物および塩基により反応する樹脂を用いなければならず、限定的なものであった。さらに、放射線を照射する余計な手間を必要とした。
On the other hand, in the production method described in
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、半導体チップを製造する際に用いられるダイシング用粘着テープであって、半導体チップの製造の際に紫外線照射などの余計な手間を必要としないダイシング用粘着テープを提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape for dicing used in manufacturing a semiconductor chip in view of the current state of the prior art described above, and does not require extra work such as ultraviolet irradiation when manufacturing a semiconductor chip. It is to provide an adhesive tape for dicing.
本発明の他の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、ダイシング用粘着テープが貼付された半導体ウェーハをダイシングして、個々の半導体チップを取り出す際に、半導体チップの破損が生じ難い半導体チップの製造方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a semiconductor chip that is less likely to be damaged when dicing a semiconductor wafer having a dicing adhesive tape affixed and taking out each individual semiconductor chip in view of the above-described state of the art. It is in providing the manufacturing method of.
本発明に係るダイシング用粘着テープは、離型フィルムと、離型フィルムの一方面に接合されているダイアタッチフィルムと、ダイアタッチフィルムの離型フィルムが接合されている面とは反対側の面に接合されている剥離フィルムと、剥離フィルムのダイアタッチフィルムが接合されている面とは反対側の面に接合されているダイシングシートとを含み、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力をＡ、剥離フィルムとダイシングシートとの剥離力をＢとしたときに、Ａ＜Ｂとされていることを特徴とする。 The pressure-sensitive adhesive tape for dicing according to the present invention includes a release film, a die attach film bonded to one surface of the release film, and a surface opposite to the surface to which the release film of the die attach film is bonded. And a dicing sheet bonded to the surface of the release film opposite to the surface to which the die attach film is bonded, and the peeling force between the release film and the die attach film is A When the peel force between the release film and the dicing sheet is B, A <B.
本発明に係る半導体チップの製造方法は、半導体ウェーハを用意する工程と、本発明に
従って構成されたダイシング用粘着テープの離型フィルムを剥離し、ダイアタッチフィルムを、半導体ウェーハに貼付する工程と、ダイアタッチフィルムが貼付された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイアタッチフィルムが貼付された半導体ウェーハをダイアタッチフィルムごと剥離フィルムから剥離して、半導体チップを取り出す工程とを備えている。
The method of manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes a step of preparing a semiconductor wafer, a step of peeling a release film of the adhesive tape for dicing configured according to the present invention, and a step of attaching a die attach film to the semiconductor wafer, A step of dicing a semiconductor wafer to which a die attach film is attached and dividing it into individual semiconductor chips; a step of removing the semiconductor wafer to which a die attach film is attached from the release film together with the die attach film, and taking out the semiconductor chip; It has.
本発明に係る半導体チップの製造方法のある特定の局面では、半導体ウェーハの厚みをＸとしたときに、Ｘが３０μｍ〜１５０μｍの範囲とされており、Ａが下記式（１）の範囲とされている。 In a specific aspect of the semiconductor chip manufacturing method according to the present invention, when the thickness of the semiconductor wafer is X, X is in the range of 30 μm to 150 μm, and A is in the range of the following formula (1). ing.
１.１６ｍＮ／ｍｍ≦Ａ≦０．３９（３７ｌｎＸ−１１８）ｍＮ／ｍｍ…式（１） 1.16 mN / mm ≦ A ≦ 0.39 (37lnX−118) mN / mm (1)
本発明に係るダイシング用粘着テープは、離型フィルムと、ダイアタッチフィルムと、剥離フィルムと、ダイシングシートとを含んでおり、さらに剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力をＡ、剥離フィルムとダイシングシートとの剥離力をＢとしたときに、Ａ＜Ｂとされているため、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの接合部分で、ダイアタッチフィルムを剥離フィルムから容易に剥離することができる。 The pressure-sensitive adhesive tape for dicing according to the present invention includes a release film, a die attach film, a release film, and a dicing sheet. Further, the peeling force between the release film and the die attach film is A, the release film and the dicing. Since A <B when the peeling force with the sheet is B, the die attach film can be easily peeled from the peeling film at the joint portion between the peeling film and the die attach film.
本発明に係る半導体チップの製造方法では、本発明に従って構成されたダイシング用粘着テープの離型フィルムを剥離して、ダイアタッチフィルムに半導体ウェーハを貼付し、ダイシングすることにより個々の半導体チップに分割している。さらに、ダイアタッチフィルムが貼付された半導体ウェーハを、ダイアタッチフィルムごと剥離フィルムから剥離している。よって、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力Ａが低くされているので、半導体チップを容易に取り出すことができ、半導体チップの破損が生じ難い。さらに、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力Ａが低くされているため、上述した紫外線・放射線照射により硬化する樹脂を用いる必要がなく、紫外線や放射線を照射する余計な手間を必要としない。 In the semiconductor chip manufacturing method according to the present invention, the release film of the adhesive tape for dicing constructed according to the present invention is peeled off, a semiconductor wafer is attached to the die attach film, and the semiconductor chip is divided into individual semiconductor chips by dicing. is doing. Furthermore, the semiconductor wafer with the die attach film attached is peeled from the release film together with the die attach film. Therefore, since the peeling force A between the peeling film and the die attach film is low, the semiconductor chip can be easily taken out, and the semiconductor chip is hardly damaged. Furthermore, since the peeling force A between the peeling film and the die attach film is low, it is not necessary to use the above-described resin that is cured by irradiation with ultraviolet rays or radiation, and no extra work for irradiating ultraviolet rays or radiation is required.
半導体ウェーハの厚みをＸとしたときに、Ｘが３０μｍ〜１５０μｍの範囲とされており、Ａが上述した式（１）の範囲とされている場合には、半導体チップを取り出す際に、半導体チップの破損がより一層生じ難い。さらに、半導体ウェーハの厚みが例えば３０μｍ〜５０μｍの非常に薄い場合でも、半導体チップを破損することなく取り出すことが容易となる。 When the thickness of the semiconductor wafer is X, X is in the range of 30 μm to 150 μm, and when A is in the range of the above-described formula (1), when the semiconductor chip is taken out, the semiconductor chip Is more difficult to break. Furthermore, even when the thickness of the semiconductor wafer is very thin, for example, 30 μm to 50 μm, the semiconductor chip can be easily taken out without being damaged.
以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments of the present invention.
（ダイシング用粘着テープ）
図１に、本発明の一実施形態に係るダイシング用粘着テープを模式的に正面断面図で示す。本実施形態では、ダイシング用粘着テープ１は、略円盤状の形状を有している。もっとも、ダイシング用粘着テープ１の形状は特に限定されるものではない。
(Adhesive tape for dicing)
In FIG. 1, the adhesive tape for dicing which concerns on one Embodiment of this invention is typically shown with front sectional drawing. In the present embodiment, the dicing
図１に示されているように、ダイシング用粘着テープ１では、離型フィルム２の一方面２ａにダイアタッチフィルム３が接合されている。ダイアタッチフィルム３の離型フィルム２が接合されている面とは反対側の面には、剥離フィルム４が接合されている。剥離フィルム４のダイアタッチフィルム３が接合されている面とは反対側の面には、粘着剤層５ａを有するダイシングシート５が、粘着剤層５ａ側から接合されている。
As shown in FIG. 1, in the dicing
本実施形態に係るダイシング用粘着テープ１の特徴は、上述した従来のダイシング用粘
着テープ１０１と比べて、ダイアタッチフィルム３とダイシングシート５との間に、剥離フィルム４が構成されていることにある。剥離フィルム４があると、剥離フィルム４の両面において、ダイシング用テープ１は複数の剥離面を有することになる。
The characteristic of the dicing
本実施形態に係るダイシング用粘着テープ１では、剥離フィルム４とダイアタッチフィルム３との剥離力をＡ、剥離フィルム４とダイシングシート５との剥離力をＢとしたときに、Ａ＜Ｂとされている。Ａ＜Ｂとされていることによって、後述する半導体チップを製造する際に、本実施形態に係るダイシング用粘着テープ１を用いると、半導体チップを破損することなく製造することが容易となる。
In the dicing
剥離フィルム４とダイアタッチフィルム３との剥離力Ａは、好ましくは１．１６ｍＮ／ｍｍ〜２６ｍＮ／ｍｍの範囲に調整される。剥離力Ａが１．１６ｍＮ／ｍｍよりも低いと、半導体チップを製造する際のダイシング時に、半導体ウェーハの飛びが発生したり、クラックが発生することがある。剥離力Ａが２６ｍＮ／ｍｍを超えるとダイアタッチフィルムが貼付された半導体ウェーハをダイアタッチフィルムごと剥離することが困難なことがある。
The peeling force A between the
剥離フィルム４とダイシングシート５との剥離力Ｂは、好ましくは２６ｍＮ／ｍｍ〜１５０ｍＮ／ｍｍの範囲に調整される。剥離力Ｂが２６ｍＮ／ｍｍよりも低いと、剥離力Ａと剥離力Ｂとの差が小さくなり、ダイアタッチフィルム３と剥離フィルム４との間で容易に剥がれ難くなり、剥離フィルム４とダイシングシート５との間で剥がれ易くなる。剥離フィルム４とダイシングシート５との間で剥がれると、半導体チップ側にダイアタッチフィルム３および剥離フィルム５が残るおそれがある。剥離力Ｂが１５０ｍＮ／ｍｍを越えると、ダイシング後にダイシングフレーム（ＳＵＳ）からダイシングシートを剥がし難くなり作業性が悪くなることがある。
The peeling force B between the
上記離型フィルム２としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等の片面をシリコンなどで離型処理したものが挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。
The
上記離型フィルム２は、上記フィルムが単層で構成されていてもよく、上記フィルムが積層されて構成されていてもよい。離型フィルム２が積層されて構成されている場合、異なる２種以上の上記フィルムが積層されていてもよい。
The
本実施形態では、ダイアタッチフィルム３としては、加熱又は加圧により流動性を示す接着樹脂を用いている。すなわち、ダイアタッチフィルム３は加熱又は加圧により流動性を示すため、後述する半導体チップを製造する際に、ダイアタッチフィルム３を半導体ウェーハに貼付可能とされている。なお、ダイアタッチフィルム３は常温において粘着力を有する材料により構成されていてもよい。
In this embodiment, as the die attach
加熱又は加圧により流動性を示す接着樹脂を用いてダイアタッチフィルム３を形成すると、接着樹脂が流動性を示す条件下で半導体ウェーハの裏面に貼付すれば、半導体ウェーハの裏面に凹凸がある場合でも、凹凸に良好に追随して密着させることができる。なお、本明細書において加熱により流動性を示すとは、加熱しない状態においては固体状であるが、加熱することにより凹凸に追随できる程度の硬さになることを意味する。すなわち、ホットメルト型接着樹脂であることを意味する。また、本明細書において加圧により流動
性を示すとは、加圧することにより凹凸に追随できる程度の硬さを有する接着樹脂であることを意味する。
When the die attach
上記接着樹脂としては特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂が好適である。 Although it does not specifically limit as said adhesive resin, For example, a thermoplastic resin and curable resin are suitable.
上記熱可塑性樹脂としては特に限定されず、例えば、ポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 It does not specifically limit as said thermoplastic resin, For example, poly (meth) acrylic ester resin, polyester resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl acetate resin etc. are mentioned. These thermoplastic resins may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記硬化性樹脂としては特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。また、上記光硬化性樹脂としては特に限定されず、例えば、感光性オニウム塩等の光カチオン触媒を含有するエポキシ樹脂や感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等が挙げられる。これらの硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 It does not specifically limit as said curable resin, For example, a thermosetting resin, a photocurable resin, etc. are mentioned. The thermosetting resin is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy resin and a polyurethane resin. Moreover, it does not specifically limit as said photocurable resin, For example, the epoxy resin containing photocationic catalysts, such as a photosensitive onium salt, the acrylic resin which has a photosensitive vinyl group, etc. are mentioned. These curable resins may be used alone or in combination of two or more.
なかでも、上記接着樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はアクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等のホットメルト型接着樹脂が特に好適に用いられる。 Among these, as the adhesive resin, a hot-melt adhesive resin such as an epoxy resin, a polyester resin, a poly (meth) acrylate resin having a main monomer unit such as methyl methacrylate or butyl acrylate is particularly preferably used. It is done.
上記エポキシ樹脂が用いられている場合、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する固形ポリマーと、エポキシ樹脂硬化剤とを含む硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。ダイアタッチフィルム３が上記硬化性樹脂組成物により構成されている場合には、チップと基板との間、チップとチップとの間での接合信頼性に優れている。
When the said epoxy resin is used, it is preferable to use the curable resin composition containing an epoxy resin, the solid polymer which has a functional group which reacts with an epoxy resin, and an epoxy resin hardening | curing agent. When the die attach
上記エポキシ樹脂としては、特に限定される訳ではないが、例えば、下記の様々なエポキシ樹脂及びエポキシ含有化合物が挙げられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等のような芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、並びにこれらの水添化物や臭素化物；３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキシルメチル３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサノン−メタ−ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、商品名「ＥＨＰＥ−３１５０」（軟化温度７１℃、ダイセル化学工業社製）等のような脂環族エポキシ樹脂；１，４−ブタンジオールのジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールのジグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、炭素数が２〜９個（好ましくは２〜４個）のアルキレン基を含むポリオキシアルキレングリコールやポリテトラメチレンエーテルグリコール等を含む長鎖ポリオールのポリグリシジルエーテル等のような脂肪族エポキシ樹脂；フタル酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ジグリシジル−ｐ−オキシ安息香酸、サリチル酸のグリシジルエーテル−グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のようなグリシジルエステル型エ
ポキシ樹脂並びにこれらの水添化物；トリグリシジルイソシアヌレート、環状アルキレン尿素のＮ，Ｎ’−ジグリシジル誘導体、ｐ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体、ｍ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体等のようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂並びにこれらの水添化物；グリシジル（メタ）アクリレートと、エチレン、酢酸ビニル、（メタ）アクリル酸エステル等のラジカル重合性モノマーとの共重合体；エポキシ化ポリブタジエン等のような、共役ジエン化合物を主体とする重合体またはその部分水添物の重合体の不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの；エポキシ化ＳＢＳ等のような、「ビニル芳香族化合物を主体とする重合体ブロック」と「共役ジエン化合物を主体とする重合体ブロックまたはその部分水添物の重合体ブロック」とを同一分子内にもつブロック共重合体の、共役ジエン化合物の不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの；上記各種エポキシ基含有化合物にＮＢＲ、ＣＴＢＮ、ポリブタジエン、アクリルゴム等のゴム成分を含有させたゴム変成エポキシ樹脂；等、従来公知の各種エポキシ基含有化合物が挙げられる。上記エポキシ化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
The epoxy resin is not particularly limited, and examples thereof include the following various epoxy resins and epoxy-containing compounds. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin such as bisphenol S type epoxy resin, novolac type epoxy resin such as phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, Aromatic epoxy resins such as trisphenol methane triglycidyl ether, naphthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, hydrogenated products and brominated products thereof; 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxy Cyclohexanecarboxylate, 3,4-epoxy-2-methylcyclohexylmethyl 3,4-epoxy-2-methylcyclohexanecarboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexyl) ) Adipate, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, bis (3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl) adipate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl-5,5-spiro-3, Alicyclic epoxy resins such as 4-epoxy) cyclohexanone-meta-dioxane, bis (2,3-epoxycyclopentyl) ether, trade name “EHPE-3150” (softening temperature 71 ° C., manufactured by Daicel Chemical Industries); 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether Aliphatic epoxy resins such as polyglycidyl ethers of long-chain polyols containing polyoxyalkylene glycols and polytetramethylene ether glycols containing alkylene groups having 2 to 9 carbon atoms (preferably 2 to 4 carbon atoms); phthalates Glycidyl ester type epoxy resin such as diglycidyl acid ester, diglycidyl tetrahydrophthalate, diglycidyl hexahydrophthalate, diglycidyl-p-oxybenzoic acid, glycidyl ether-glycidyl ester of salicylic acid, dimer acid glycidyl ester and the like, and These hydrogenated products: triglycidyl isocyanurate, N, N′-diglycidyl derivative of cyclic alkylene urea, N, N, O-triglycidyl derivative of p-aminophenol, N, N, O of m-aminophenol Glycidylamine type epoxy resins such as triglycidyl derivatives and their hydrogenated products; Copolymers of glycidyl (meth) acrylate and radical polymerizable monomers such as ethylene, vinyl acetate, (meth) acrylic acid ester; epoxy An epoxidized unsaturated carbon double bond of a polymer based on a conjugated diene compound or a partially hydrogenated polymer thereof, such as epoxidized polybutadiene; Of a block copolymer having a polymer block mainly composed of an aromatic compound and a polymer block composed mainly of a conjugated diene compound or a polymer block of a partially hydrogenated product in the same molecule. Epoxidized unsaturated carbon double bond; NBR, CTBN, polybutadiene Conventionally known various epoxy group-containing compounds such as rubber-modified epoxy resins containing rubber components such as ene and acrylic rubber; As for the said epoxy compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記固形ポリマーとしては、例えばアミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するアクリル酸及びメタクリル酸エステルモノマー、もしくはアクリル酸またはメタクリル酸誘導体の共重合ポリマーが挙げられる。なかでもエポキシ基を有するポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを含有すると、その硬化物は優れた接続信頼性を発現するからである。上記固形ポリマーの分子量は、１万以上が好ましく、さらに好ましくは１０万以上である。分子量が１万未満であると、硬化性樹脂組成物の造膜性が不十分となって、硬化性樹脂組成物の硬化物の接続信頼性が十分に得られないことがある。 Examples of the solid polymer include acrylic acid and methacrylic acid ester monomers having an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group, or a copolymer of acrylic acid or a methacrylic acid derivative. Among these, a polymer having an epoxy group is preferable. This is because, when a polymer having an epoxy group is contained, the cured product exhibits excellent connection reliability. The molecular weight of the solid polymer is preferably 10,000 or more, more preferably 100,000 or more. When the molecular weight is less than 10,000, the film forming property of the curable resin composition becomes insufficient, and the connection reliability of the cured product of the curable resin composition may not be sufficiently obtained.
上記エポキシ樹脂硬化剤としては、特に限定されず、従来公知のエポキシ樹脂用の硬化剤を用いることができ、例えば、アミン化合物、アミン化合物から合成される化合物、３級アミン化合物、イミダゾール化合物、ヒドラジド化合物、メラミン化合物、酸無水物、フェノール化合物、熱潜在性カチオン重合触媒、光潜在性カチオン重合開始剤、ジシアンジアミド及びそれらの誘導体等が挙げられる。これらの硬化剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、硬化剤とともに、アセチルアセトン鉄等の樹脂硬化触媒として、これらの硬化剤の誘導体が用いられてもよい。 The epoxy resin curing agent is not particularly limited, and a conventionally known curing agent for epoxy resins can be used. For example, amine compounds, compounds synthesized from amine compounds, tertiary amine compounds, imidazole compounds, hydrazides. Examples thereof include compounds, melamine compounds, acid anhydrides, phenol compounds, thermal latent cationic polymerization catalysts, photolatent cationic polymerization initiators, dicyandiamide, and derivatives thereof. These hardening | curing agents may be used independently and 2 or more types may be used together. In addition to the curing agent, derivatives of these curing agents may be used as a resin curing catalyst such as acetylacetone iron.
上記酸無水物としては、例えば、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物が挙げられる。 Examples of the acid anhydride include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, and methylnadic acid anhydride.
上記剥離フィルム４としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、ピックアップ時のエキスパンド性や環境性に優れているため、ポリエチレンフィルムやポリプロピレンなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。
The
上記剥離フィルム４としては、基材としてＬＤＰＥ、ＬＤＰＥ＋ＬＬ、ＬＤＰＥ＋ＨＤＰＥ、ＬＤＰＥ＋ＨＤＰＥ＋ＬＬ、粘着層としてＥＶＡ単体、ＥＶＡ＋添加剤から２層の微粘着層を有するポリエチレンフィルムや、粘着層を有さないＬＬ／ＬＬ＋リアクターＰ＋ＬＬ／ＬＬや、ＬＬ／ＬＬ＋リアクターＰＰ＋ＳＥＢＳ／ＬＬ等の多層フィルムが挙げられる。なかでもエキスパンド性と粘着層を有しダイアタッチフィルムとの層間剥離力設計が容易に行えるため、２層の微粘着層を有するポリエチレンフィルムが好適に用いられ
る。
Examples of the
本実施形態では、剥離フィルム４は粘着力を有する材料を用いて多層構成されており、従って剥離フィルムの片面は粘着力を有している。本実施形態では、ダイアタッチフィルム３が剥離フィルム４に、剥離フィルム４の粘着力によって接合されている。剥離フィルム４とダイアタッチフィルム３との剥離力Ａは、剥離フィルム４の粘着力を調整することで上述した剥離力Ｂよりも低く設定されている。
In this embodiment, the
剥離フィルム４が粘着力を有していない場合には、剥離フィルム４のダイアタッチフィルム３と接合する面に、予め粘着力を有する材料、例えば粘着剤などを塗布してもよい。
In the case where the
また、ダイアタッチフィルム３を剥離フィルム４に貼付する際に、ダイアタッチフィルム３を加熱又は加圧により流動させて、剥離フィルム４に貼り付けてもよい。
Further, when the die attach
図２に、本発明の他の実施形態に係るダイシング用粘着テープを模式的に正面断面図で示す。 In FIG. 2, the adhesive tape for dicing which concerns on other embodiment of this invention is typically shown with front sectional drawing.
図２に示されているダイシング用粘着テープ１１のように、剥離フィルム１２のダイアタッチフィルム３と接合している側に、剥離フィルムは粘着剤層１２ａを有していてもよい。この場合、剥離フィルム１２とダイアタッチフィルム３との剥離力Ａが、上述した剥離力Ｂよりも低くなるように、粘着剤層１２ａが構成される。
Like the dicing adhesive tape 11 shown in FIG. 2, the release film may have an adhesive layer 12 a on the side of the
上記粘着剤層１２ａは、例えば、ＥＶＡやゴム、ＭＢなどの単体又は複合体等のポリオレフィン系の接着剤などを用いて構成される。なかでも、ＥＶＡ単体の接着剤を用いて構成された場合、添加剤が含まれていないためブリード物の発生の影響がなく、エポキシ樹脂との相溶性も低くなるため好適に用いられる。 The pressure-sensitive adhesive layer 12a is configured by using, for example, a polyolefin-based adhesive such as EVA, rubber, MB, or a simple substance or a composite. Among these, when composed of an adhesive of EVA alone, it is preferably used because it does not have an influence of generation of bleed material because the additive is not contained, and the compatibility with the epoxy resin becomes low.
上記ダイシングシート５としては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エキスパンド性、環境性に優れるため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
The
本実施形態では、上記ダイシングシート５の剥離フィルム４が接合されている側に、ダイシングシート５は粘着剤層５ａを有している。上述したように、剥離フィルム４とダイシングシート５との剥離力Ｂが、上述した剥離力Ａよりも高くなるように、粘着剤層５ａが構成されている。
In this embodiment, the
上記粘着剤層５ａは、例えば、アクリル系、特殊合成ゴム系、合成樹脂系、ゴム系などの接着剤を用いて構成される。なかでも、感圧タイプとしてアクリル系の接着剤が再剥離、コスト面に優れているため好適に用いられる。 The pressure-sensitive adhesive layer 5a is configured using, for example, an acrylic, special synthetic rubber, synthetic resin, or rubber adhesive. Among them, an acrylic adhesive is preferably used as a pressure-sensitive type because it is excellent in re-peeling and cost.
上記粘着剤層５ａは、光の照射により弾性率が上昇し、粘着力が低下する光硬化型粘着剤により構成されていてもよい。光硬化型粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有しているアクリル酸アルキルエステル系および／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでいるものが挙げられる。 The pressure-sensitive adhesive layer 5a may be composed of a photo-curing pressure-sensitive adhesive whose elastic modulus increases by light irradiation and whose adhesive force decreases. Examples of the photo-curing pressure-sensitive adhesive include an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable polyfunctional. The thing which has an oligomer or a monomer as a main component and contains the photoinitiator as needed is mentioned.
このような光硬化型粘着剤は、光の照射により粘着剤層５ａの全体が均一にかつ速やか
に重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。
Such a photo-curing type pressure-sensitive adhesive is uniformly and rapidly polymerized and integrated by light irradiation so that the whole of the pressure-sensitive adhesive layer 5a is integrated. descend.
図３に、本発明の他の実施形態に係るダイシング用粘着テープを模式的に正面断面図で示す。 In FIG. 3, the adhesive tape for dicing which concerns on other embodiment of this invention is typically shown with front sectional drawing.
図３に示すダイシング用粘着テープ１５のように、ダイシングシート１６は、粘着剤層を有していなくてもよい。粘着剤層を有していない場合、ダイシングシート１６が、例えば粘着力を有する材料により構成される。このとき、剥離フィルム４とダイシングシート１６との剥離力Ｂが、上述した剥離力Ａよりも高くなるように、ダイシングシート１６が構成される。
As with the dicing
本実施形態において、離型フィルム２、ダイアタッチフィルム３、剥離フィルム４およびダイシングシート５の大きさや厚みは特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができる。例えば、離型フィルム２の大きさは、ダイアタッチフィルム３などより大きくしてもよい。この場合、ダイアタッチフィルム３を離型フィルム２から容易に剥離することができる。さらに、本発明に係るダイシング用粘着テープ１は、長尺状の剥離フィルム２に複数のダイアタッチフィルム３が接合されて構成されていてもよい。
In this embodiment, the magnitude | size and thickness of the
なお、本明細書中において、テープには、フィルム状、シート状などの形状も含むものとする。 In this specification, the tape includes shapes such as a film shape and a sheet shape.
（半導体チップの製造方法）
次に、本発明のダイシング用粘着テープを用いた半導体チップの製造方法の他の実施形態を、図４〜図１０を用いて以下説明する。
(Semiconductor chip manufacturing method)
Next, another embodiment of a semiconductor chip manufacturing method using the dicing adhesive tape of the present invention will be described below with reference to FIGS.
本実施形態では、上述したダイシング用粘着テープ１を構成する離型フィルム２、ダイアタッチフィルム３、剥離フィルム４、及びダイシングシート５の外径のみが異なるダイシング用粘着テープ１Ａを用いる。
In the present embodiment, a dicing
図４に正面断面図で示すように、本実施形態では、先ず半導体ウェーハ２１が用意されて、半導体ウェーハ２１がステージ２２上に載置される。
As shown in the front sectional view of FIG. 4, in this embodiment, first, the
図５に本実施形態に用いる上記半導体ウェーハ２１を平面図で示す。図５に示されているように、本実施形態では、略円盤状の半導体ウェーハ２１を用いている。半導体ウェーハ２１の表面２１ａ上には、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。なお、図５では、具体的な回路の図示は省略している。半導体ウェーハ２１の表面２１ａに回路を構成した後に、裏面２１ｂ側が研磨されて、半導体ウェーハ２１が所定の厚みとされている。
FIG. 5 is a plan view showing the
半導体ウェーハ２１の厚みＸは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生して破損してしまうことがある。
The thickness X of the
なお、後述するダイシング工程では、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。
In the dicing process described later, the
所定の厚みとされた半導体ウェーハ２１は、図４に示されているように、裏返しされた状態でステージ２２上に載置される。すなわち、半導体ウェーハ２１の表面２１ａがステージ２２の上面２２ａと対向するように載置される。ステージ２２上には、載置された半
導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔が隔てられて、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、ダイシング用粘着テープ１Ａのダイアタッチフィルム及び剥離フィルムとの合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低く構成されている。
The
他方、図６に示すように、ダイシング用粘着テープ１Ａでは、ダイアタッチフィルム２５と剥離フィルム２６との外径が、半導体ウェーハ２１の外径よりもわずかに大きくされている。一方面に粘着剤層２７ａを有するダイシングシート２７の外径が、ダイシングリング２３の外径よりもわずかに大きくされている。なお、剥離される前の離型フィルム２８は、ダイシングシート２７の一方面と接合されており、離型フィルム２８の外周縁近傍が、ダイアタッチフィルム２５及び剥離フィルム２６の外周側面を覆うように、ダイシングシート２７の外周縁近傍と接合されている。
On the other hand, as shown in FIG. 6, in the dicing
図６に正面断面図で示すように、ダイシング用粘着テープ１Ａの離型フィルム２８を剥離しながら、露出したダイアタッチフィルム２５を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに貼付する。ダイアタッチフィルム２５より大きなダイシングシート２７の外周端が、ダイシングリング２３上、もしくはダイシングリング２３よりもわずかに外側に位置するように調整される。
As shown in the front sectional view of FIG. 6, the exposed die attach
離型フィルム２８を剥離して、ダイアタッチフィルム２５を半導体ウェーハ２１に貼付した状態を図７に正面断面図で示す。貼付した後は、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体がダイアタッチフィルム２５と接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングシート２７の外周縁近傍は、ダイシングリング２３に支持されている。
A state in which the
次に、ステージ２２からダイアタッチフィルム２５が貼付された半導体ウェーハ２１を取り出して、裏返しにする。このとき、ダイシングリング２３がダイシングシート２７に貼付された状態で取り出される。しかる後、図８に正面断面図で示すように、半導体ウェーハ２１の表面２１ａが上方になるように、別のステージ２９上に載置する。
Next, the
次に、ダイアタッチフィルム２５が貼付された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割する。しかる後、ダイアタッチフィルム２５が貼付された半導体ウェーハ２１をダイアタッチフィルム２５ごと剥離フィルム２６から剥離する。このようにして、図９に正面断面図で示す、複数の半導体チップ３１が得られる。
Next, the
ダイアタッチフィルム２５が貼付された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップ３１に分割する工程を、図１０（ａ）〜（ｄ）を用いてより詳細に説明する。
The process of dicing the
図１０（ａ）〜（ｄ）に、個々の半導体チップ３１に分割する工程を段階的に部分切欠正面断面図で示す。
FIGS. 10A to 10D show a step of dividing into
本実施形態では、ダイシングによる半導体ウェーハ２１の破損を防ぐために、ダイシングは二段階（ステップカット）で行われている。図１０（ａ)，（ｂ）にはダイシングの
一段階目が示されており、図１０（ｃ），（ｄ）にはダイシングの二段階目が示されている。なお、本実施形態において、ダイシング時における半導体ウェーハ２１の破損を防止できればダイシングは一段階で行われてもよい。
In the present embodiment, dicing is performed in two stages (step cut) in order to prevent damage to the
図１０（ａ）に示されているように、先ず半導体ウェーハ２１の表面２１ａより、例えば半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに至らない位置まで、ダイシング装置の第１の切断刃４１を挿入する。挿入後、第１の切断刃４１を抜去することで、図１０（ｂ）に示すよう
に、第１の切断部分４２が形成される。
As shown in FIG. 10A, first, the
次に、図１０（ｃ）に示されているように、ダイシング装置の第１の切断刃４１よりも薄い第２の切断刃４３を、第１の切断部分４２の中央近傍よりさらに深く挿入する。第２の切断刃４３は、ダイアタッチフィルム２５を貫通すれば特に限定されないが、本実施形態では、剥離フィルム２６を貫通しない位置、例えば剥離フィルム２６の厚みの半分以下の位置まで挿入される。
Next, as shown in FIG. 10C, the
挿入後、第２の切断刃４３を抜去することで、図１０（ｄ）に示されているように、第１の切断部分４２よりさらに深い位置に、第１の切断部分４２よりも切断幅が狭くされた第２の切断部分４４が形成される。
After the insertion, by removing the
上記半導体ウェーハ２１のダイシング方法としては、特に限定されず、例えば一枚刃でカットするシングルカット、上述した二枚刃でカットするステップカット、さらに２枚の刃でカットを行い半導体ウェーハ２１の表面についてはＶ字形状の刃を使用するベベルカットなどが挙げられる。なかでも、切断時に半導体ウェーハ２１の破損が生じ難いため、ステップカットが好適に行われる。
The dicing method of the
上記ダイシングが行なわれた後、ダイシングシートを引き延ばして個々の半導体チップ３１の間隔を拡張する。しかる後、突き上げピンや、吸着パッドを用いて、ダイアタッチフィルム２５が貼付された前記半導体ウェーハ２１をダイアタッチフィルム２５ごと剥離フィルム２６から剥離して、図９に示されている半導体チップ３１が取り出される。
After the dicing is performed, the dicing sheet is extended to extend the interval between the
半導体チップ３１を取り出す際に、半導体チップ３１の破損を防止するためには、剥離フィルム２６とダイアタッチフィルム２５との剥離力Ａは、後述の実験例から明らかなように、半導体ウェーハ２１の厚みＸが３０μｍ〜１５０μｍの範囲とされている場合に、下記式（１）の範囲であることが好ましい。
In order to prevent the
１．１６ｍＮ／ｍｍ≦Ａ≦０．３９（３７ｌｎＸ−１１８）ｍＮ／ｍｍ…式（１）
すなわち、剥離力Ａの好ましい上限は、半導体ウェーハ２１の厚みと相関しており、上記Ｘが３０μｍ〜１５０μｍの範囲にある場合には、剥離力Ａの好ましい上限は０．３９（３７ｌｎＸ−１１８）ｍＮ／ｍｍである。
1.16 mN / mm ≦ A ≦ 0.39 (37lnX−118) mN / mm (1)
That is, the preferable upper limit of the peeling force A correlates with the thickness of the
厚みＸが３０μｍ〜１５０μｍの範囲とされている場合に、剥離力Ａが１．１６ｍＮ／ｍｍより低いと、ダイシング加工時に切断されたチップの飛びや破損が発生することがある。剥離力Ａが０．３９（３７ｌｎＸ−１１８）ｍＮ／ｍｍより高いと、ピックアップ時に半導体ウェーハが反り易くなって剥離が困難となることがあり、さらに半導体ウェーハに反りの復元力以上の力が加わることで半導体チップが破損し易くなる。 When the thickness X is in the range of 30 μm to 150 μm, if the peeling force A is lower than 1.16 mN / mm, the chips cut during dicing may be skipped or damaged. If the peeling force A is higher than 0.39 (37lnX-118) mN / mm, the semiconductor wafer is likely to warp during pick-up and may become difficult to peel, and a force greater than the warping restoring force is applied to the semiconductor wafer. As a result, the semiconductor chip is easily damaged.
本実施形態では、剥離フィルム２６があるため、ダイシングシート２７の粘着剤層２７ａとして、従来のＵＶ硬化型粘着テープを用いなくてもよい。ＵＶ硬化型粘着テープを用いた場合、粘着剤層を硬化させることによって、ダイシングシートを引き延ばせなくなることがあるが、本実施形態ではこのような問題を防ぐことができる。
In the present embodiment, since there is the
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
下記材料からなるダイシング用粘着テープを作製した。
Example 1
A pressure-sensitive adhesive tape for dicing made of the following materials was produced.
（材料）
・離型フィルム：ニッパ３８×１Ｅ（ニッパ（株）製離型ＰＥＴ、厚み３８μｍ）
・ダイアタッチフィルム：セキスイＤＡＦ（積水化学社製、厚み３０μｍ）
上記セキスイＤＡＦの配合成分を下記表１に示す。
(material)
・ Release film: Nipper 38 × 1E (Nippa Co., Ltd. release PET, thickness 38 μm)
・ Die attach film: Sekisui DAF (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
The compounding ingredients of the Sekisui DAF are shown in Table 1 below.
・剥離フィルム：ＰＥテープ＃６２５−Ｔ（積水化学社製、厚み６０μｍ、基材：特殊ポリエチレン、粘着剤層：ポリオレフィン系粘着剤（ＥＶＡ）厚み２０μｍ）
・ダイシングシート：ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製、厚み７０μｍ、基材：特殊ポリエチレン、粘着剤層：特殊合成ゴム系粘着剤厚み１０μｍ）
-Release film: PE tape # 625-T (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
・ Dicing sheet: PE tape # 6318-B (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., thickness 70 μm, base material: special polyethylene, adhesive layer: special synthetic
（ダイシング用粘着テープの作製）
離型フィルム（ニッパ３８×１Ｅ）上に、コンマコーターにより塗工・乾燥して上記ダイアタッチフィルム（セキスイＤＡＦ）を形成した。次に、ダイアタッチフィルム上に、上記粘着剤層（ポリオレフィン系粘着剤）が塗布された側から、上記剥離フィルム（ＰＥテープ＃６２５−Ｔ）を常温でラミネートした。次に、ウェーハサイズに離型ＰＥＴをハーフカットし、不要部分のカス上げを行った。しかる後、剥離フィルムに、粘着剤層（特殊合成ゴム系粘着剤）が塗布されたされた側から、ダイシングシート（ＰＥテープ＃６３１８Ｂ）を接合させ、ダイシングリング状に貼付できるサイズに離型ＰＥＴをハーフカットし、不要部分のカス上げを行った。
(Preparation of adhesive tape for dicing)
The die attach film (Sekisui DAF) was formed on a release film (nipper 38 × 1E) by coating and drying with a comma coater. Next, the release film (PE tape # 625-T) was laminated at room temperature from the side where the pressure-sensitive adhesive layer (polyolefin-based pressure-sensitive adhesive) was applied on the die attach film. Next, the release PET was half-cut into a wafer size, and unnecessary portions were raised. After that, a dicing sheet (PE tape # 6318B) is joined to the release film from the side where the pressure-sensitive adhesive layer (special synthetic rubber-based pressure-sensitive adhesive) is applied. The half was cut and the waste of the unnecessary part was raised.
または、上記剥離フィルムを常温でラミネートした状態で離型フィルムを剥がし、半導体ウェーハ裏面に貼り付けた状態で不要部分を半導体ウェーハ外周に沿ってカットした。しかる後、ダイシングリング及び先ほど貼付した半導体ウェーハの剥離フィルム側に、粘着剤層側からダイシングシートを接合させた。 Alternatively, the release film was peeled off in a state where the release film was laminated at room temperature, and unnecessary portions were cut along the outer periphery of the semiconductor wafer while being attached to the back surface of the semiconductor wafer. Thereafter, a dicing sheet was bonded from the pressure-sensitive adhesive layer side to the dicing ring and the release film side of the semiconductor wafer pasted.
（実施例２）
下記材料を用いてダイシング用粘着テープを作製した。
(Example 2)
The adhesive tape for dicing was produced using the following material.
（材料）
・離型フィルム：ニッパ３８×１Ｅ（ニッパ（株）製離型ＰＥＴ、厚み３８μｍ）
・ダイアタッチフィルム：セキスイＤＡＦ（積水化学社製、厚み３０μｍ）
・剥離フィルム：ＰＯダイシング基材（マット面、積水フィルム社製、厚み６０μｍ、ダイシングシート貼付面コロナ処理品）
・ダイシングシート：ＰＥテープ＃６３２８−Ｂ（積水化学社製、厚み７０μｍ）
(material)
・ Release film: Nipper 38 × 1E (Nippa Co., Ltd. release PET, thickness 38 μm)
・ Die attach film: Sekisui DAF (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
-Release film: PO dicing substrate (Matte surface, Sekisui Film Co., Ltd.,
Dicing sheet: PE tape # 6328-B (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., thickness 70 μm)
（ダイシング用粘着テープの作製）
離型フィルム（ニッパ３８×１Ｅ）上に、コンマコーターにより塗工・乾燥して上記ダイアタッチフィルム（セキスイＤＡＦ）を形成した。次に、上記ダイアタッチフィルム（セキスイＤＡＦ）上に、６０℃でダイアタッチフィルムを流動させて、上記剥離フィルム（ＰＯダイシング基材）を加熱ラミネートした。次に、ウェーハサイズに離型ＰＥＴをハーフカットし、不要部分のカス上げを行った。しかる後、剥離フィルム上にダイシングクシート（ＰＥテープ＃６３２８−Ｂ）を接合させた。
(Preparation of adhesive tape for dicing)
The die attach film (Sekisui DAF) was formed on a release film (nipper 38 × 1E) by coating and drying with a comma coater. Next, the die attach film was flowed at 60 ° C. on the die attach film (Sekisui DAF), and the release film (PO dicing substrate) was heat laminated. Next, the release PET was half-cut to the wafer size, and the unwanted part was raised. Thereafter, a dicing sheet (PE tape # 6328-B) was bonded onto the release film.
（実施例３）
下記材料を用いてダイシング用粘着テープを作製した。
(Example 3)
The adhesive tape for dicing was produced using the following material.
（材料）
・離型フィルム：ニッパ３８×１Ｅ（ニッパ（株）製離型ＰＥＴ、厚み３８μｍ）
・ダイアタッチフィルム：セキスイＤＡＦ（積水化学社製、厚み３０μｍ）
・剥離フィルム：ＰＥテープ＃６２２１−ＴＣ（積水化学社製、厚み６０μｍ、基材：特殊ポリエチレン、粘着剤層：ポリオレフィン系粘着剤（ＥＶＡ）厚み１０μｍ）
・ダイシングシート：ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製、厚み７０μｍ、基材：特殊ポリエチレン、粘着剤層：特殊合成ゴム系粘着剤厚み１０μｍ）
(material)
・ Release film: Nipper 38 × 1E (Nippa Co., Ltd. release PET, thickness 38 μm)
・ Die attach film: Sekisui DAF (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
-Release film: PE tape # 6221-TC (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., thickness 60 [mu] m, base material: special polyethylene, adhesive layer: polyolefin adhesive (EVA) thickness 10 [mu] m)
・ Dicing sheet: PE tape # 6318-B (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., thickness 70 μm, base material: special polyethylene, adhesive layer: special synthetic
（ダイシング用粘着テープの作製）
離型フィルム（ニッパ３８×１Ｅ）上に、コンマコーターにより塗工・乾燥して上記ダイアタッチフィルム（セキスイＤＡＦ）を形成した。次に、ダイアタッチフィルム上に、上記粘着剤層（ポリオレフィン系粘着剤）が塗布された側から、上記剥離フィルム（ＰＥテープ＃６２２１−ＴＣ）を常温でラミネートした。次に、ウェーハサイズに離型ＰＥＴをハーフカットし、不要部分のカス上げを行った。しかる後、剥離フィルムに、粘着剤層（特殊合成ゴム系粘着剤）が塗布された側から、ダイシングシート（ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ）を接合させた。
(Preparation of adhesive tape for dicing)
The die attach film (Sekisui DAF) was formed on a release film (nipper 38 × 1E) by coating and drying with a comma coater. Next, the release film (PE tape # 6221-TC) was laminated at room temperature from the side where the pressure-sensitive adhesive layer (polyolefin-based pressure-sensitive adhesive) was applied on the die attach film. Next, the release PET was half-cut to the wafer size, and the unwanted part was raised. Thereafter, a dicing sheet (PE tape # 6318-B) was joined to the release film from the side where the pressure-sensitive adhesive layer (special synthetic rubber-based pressure-sensitive adhesive) was applied.
（実施例４）
下記材料を用いてダイシング用粘着テープを作製した。
Example 4
The adhesive tape for dicing was produced using the following material.
（材料）
・離型フィルム：ニッパ３８×１Ｅ（ニッパ（株）製離型ＰＥＴ、厚み３８μｍ）
・ダイアタッチフィルム： セキスイＤＡＦ（積水化学社製、厚み３０μｍ）
・剥離フィルム： ５０１１（リンテック製、厚み５０μｍ）
・ダイシングシート：ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製、厚み７０μｍ、基材：特殊ポリエチレン、粘着剤層：特殊合成ゴム系粘着剤厚み１０μｍ）
(material)
・ Release film: Nipper 38 × 1E (Nippa Co., Ltd. release PET, thickness 38 μm)
・ Die attach film: Sekisui DAF (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
-Release film: 5011 (Lintec,
・ Dicing sheet: PE tape # 6318-B (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., thickness 70 μm, base material: special polyethylene, adhesive layer: special synthetic
（ダイシング用粘着テープの作製）
離型フィルム（ニッパ３８×１Ｅ）上に、コンマコーターにより塗工・乾燥して上記ダイアタッチフィルム（セキスイＤＡＦ）を形成した。次に、ダイアタッチフィルム上に、６０℃でダイアタッチフィルムを流動させて、上記剥離フィルム（５０１１）を加熱ラミネートした。次に、ウェーハサイズに離型ＰＥＴをハーフカットし、不要部分のカス上げを行った。しかる後、剥離フィルム上に、粘着剤層（特殊合成ゴム系粘着剤）が塗布された側から、ダイシングシート（ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ）を接合させた。
(Preparation of adhesive tape for dicing)
The die attach film (Sekisui DAF) was formed on a release film (nipper 38 × 1E) by coating and drying with a comma coater. Next, the die attach film was flowed at 60 ° C. on the die attach film, and the release film (5011) was heat laminated. Next, the release PET was half-cut to the wafer size, and the unwanted part was raised. Thereafter, a dicing sheet (PE tape # 6318-B) was bonded onto the release film from the side where the pressure-sensitive adhesive layer (special synthetic rubber-based pressure-sensitive adhesive) was applied.
（比較例１）
下記材料からなるダイシング用粘着テープを作製した。
(Comparative Example 1)
A pressure-sensitive adhesive tape for dicing made of the following materials was produced.
（材料）
・離型フィルム：ニッパ３８×１Ｅ（ニッパ（株）製離型ＰＥＴ、厚み３８μｍ）
・ダイアタッチフィルム：セキスイＤＡＦ（積水化学社製、厚み３０μｍ）
・ダイシングシート：ポリオレフィン基材アクリル−ＵＶ硬化粘着タイプ（厚み９０μｍ、粘着剤層：アクリル−ＵＶ硬化粘着剤厚み１０μｍ）
(material)
・ Release film: Nipper 38 × 1E (Nippa Co., Ltd. release PET, thickness 38 μm)
・ Die attach film: Sekisui DAF (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
・ Dicing sheet: Polyolefin-based acrylic-UV cured adhesive type (thickness 90 μm, adhesive layer: acrylic-UV cured
（ダイシング用粘着テープの作製）
離型フィルム（ニッパ３８×１Ｅ）上に、コンマコーターにより塗工・乾燥して上記ダイアタッチフィルム（セキスイＤＡＦ）を形成した。実施例１の剥離フィルムを常温でラミネートした状態で離型フィルムを剥がし、半導体ウェーハ裏面に貼り付けた状態で不要部分を半導体ウェーハ外周に沿ってカットした。しかる後、実施例１の剥離フィルムを剥がし、しかる後、ダイアタッチフィルムに、粘着剤層（アクリル−ＵＶ硬化粘着剤）が塗布された側から、ダイシングシートを接合させた。
(Preparation of adhesive tape for dicing)
The die attach film (Sekisui DAF) was formed on a release film (nipper 38 × 1E) by coating and drying with a comma coater. The release film was peeled off in the state where the release film of Example 1 was laminated at room temperature, and unnecessary portions were cut along the outer periphery of the semiconductor wafer while being attached to the back surface of the semiconductor wafer. Thereafter, the release film of Example 1 was peeled off, and then the dicing sheet was joined to the die attach film from the side where the pressure-sensitive adhesive layer (acrylic-UV cured pressure-sensitive adhesive) was applied.
（比較例２）
下記材料からなるダイシング用粘着テープを作製した。
(Comparative Example 2)
A pressure-sensitive adhesive tape for dicing made of the following materials was produced.
（材料）
・離型フィルム：ニッパ３８×１Ｅ（ニッパ（株）製離型ＰＥＴ、厚み３８μｍ）
・ダイアタッチフィルム：セキスイＤＡＦ（積水化学社製、厚み３０μｍ）
・ダイシングシート：ポリ塩化ビニル基材アクリル系粘着タイプ（厚み８０μｍ、粘着剤層：アクリル系低粘着剤厚み１０μｍ）
(material)
・ Release film: Nipper 38 × 1E (Nippa Co., Ltd. release PET, thickness 38 μm)
・ Die attach film: Sekisui DAF (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.,
・ Dicing sheet: Polyvinyl chloride base acrylic adhesive type (thickness 80μm, adhesive layer: acrylic low adhesive thickness 10μm)
離型フィルム（ニッパ３８×１Ｅ）上に、コンマコーターにより塗工・乾燥して上記ダイアタッチフィルム（セキスイＤＡＦ）を形成した。実施例１の剥離フィルムを常温でラミネートした状態で離型フィルムを剥がし、半導体ウェーハ裏面に貼り付けた状態で不要部分を半導体ウェーハ外周に沿ってカットした。しかる後、実施例１の剥離フィルムを剥がし、しかる後、ダイアタッチフィルムに、粘着剤層（アクリル系低粘着剤）が塗布された側から、ダイシングシートを接合させた。 The die attach film (Sekisui DAF) was formed on a release film (nipper 38 × 1E) by coating and drying with a comma coater. The release film was peeled off in a state where the release film of Example 1 was laminated at room temperature, and unnecessary portions were cut along the outer periphery of the semiconductor wafer while being attached to the back surface of the semiconductor wafer. Thereafter, the release film of Example 1 was peeled off, and then the dicing sheet was joined to the die attach film from the side where the pressure-sensitive adhesive layer (acrylic low pressure-sensitive adhesive) was applied.
（剥離力の測定）
上述した実施例１〜４のダイシング用粘着テープにおいて、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力Ａ、および剥離フィルムとダイシングシートとの剥離力Ｂを、下記測定装置を用いて下記測定条件で測定した。さらに、比較例１，２のダイシング用粘着テープにおいて、ダイアタッチフィルムとダイシングシートとの剥離力を同様に評価した。結果を下記表１に示す。
(Measurement of peel force)
In the adhesive tape for dicing of Examples 1 to 4 described above, the peeling force A between the peeling film and the die attach film and the peeling force B between the peeling film and the dicing sheet are measured under the following measurement conditions using the following measuring device. did. Furthermore, in the adhesive tape for dicing of Comparative Examples 1 and 2, the peeling force between the die attach film and the dicing sheet was similarly evaluated. The results are shown in Table 1 below.
・測定装置：オートグラフ、１８０°ピール強度測定装置（島津製作所製）
・測定条件：剥離速度３００ｍｍ／秒、試験型幅２５．４ｍｍ
・測定環境：温度２３℃湿度５０％ＲＨ
・ Measuring device: Autograph, 180 ° peel strength measuring device (manufactured by Shimadzu Corporation)
Measurement conditions: peeling speed 300 mm / second, test mold width 25.4 mm
・ Measurement environment:
（ダイアタッチフィルムを半導体ウェーハに貼付する工程）
上記実施例１〜４および比較例１，２では、半導体ウェーハ２１としては、シリコンウェーハ（バックラインド後ポリッシュ仕上げ品、厚み５０μｍ）を用いた。
(Process to attach die attach film to semiconductor wafer)
In the above Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, as the
上記実施例１〜４では、上述した図４〜図８に示す工程に従って、ダイシング用粘着テープの離型フィルムを剥離し、ダイアタッチフィルムを６０℃に加熱しながら半導体ウェーハ２１に貼付した。
In the said Examples 1-4, according to the process shown in FIGS. 4-8 mentioned above, the release film of the adhesive tape for dicing was peeled, and it affixed on the
（半導体ウェーハをダイシングする工程）
下記ダイシング装置を用い、下記ダイシング条件で個々の半導体ウェーハに分割した。
(Process of dicing semiconductor wafer)
Using the following dicing apparatus, each semiconductor wafer was divided under the following dicing conditions.
・ダイシング装置：ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）
・ダイシング条件：速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、チップサイズ２ｍｍ×２ｍｍと１０ｍｍ×１０ｍｍ、カット方法／ステップカット
・ Dicing machine: DFD651 (manufactured by Disco)
・ Dicing conditions: speed 50 mm / sec,
上記実施例１〜４のダイシング用粘着テープを用いた場合は、上述した図１０（ａ）〜（ｄ）に示す工程に従ってダイシング操作を行った。第１の切断刃４１を挿入するに際しては、半導体ウェーハ２１の上面より下記表３に示す深度に至るまで挿入した。第２の切断刃４３を挿入するに際しては、半導体ウェーハ２１とダイアタッチフィルムとを貫通させて、さらに剥離フィルムの上面より下記表３に示す深度に至るまで挿入した。
When the dicing adhesive tapes of Examples 1 to 4 were used, the dicing operation was performed according to the steps shown in FIGS. 10 (a) to 10 (d). When inserting the
他方、比較例１，２のダイシング用粘着テープを用いた場合は、ダイアタッチフィルムとダイシングシートとの間に剥離フィルムがないため、図１１（ａ）〜（ｄ）に段階的に部分切欠正面断面図で示す工程に従ってダイシング操作を行った。すなわち、第２の切断刃４３の挿入深度を変えてダイシング操作を行った。第１の切断刃４１を挿入するに際しては、半導体ウェーハの上面より下記表３に示す深度に至るまで挿入した。第２の切断刃４３を挿入するに際しては、半導体ウェーハ２１を貫通させて、さらにダイシングシートの上面より下記表３に示す深度に至るまで挿入した。
On the other hand, when the adhesive tape for dicing of Comparative Examples 1 and 2 is used, since there is no release film between the die attach film and the dicing sheet, the front surface is partially cut away in FIGS. 11 (a) to 11 (d). Dicing operation was performed according to the process shown in the cross-sectional view. That is, the dicing operation was performed by changing the insertion depth of the
（ダイシング時の評価）
半導体ウェーハ２１を、１００個の半導体チップに分割した際の半導体ウェーハの飛びの発生個数、半導体ウェーハのクラックの発生の個数、さらに外観観察による半導体ウェーハの破損個数及び破損状態について評価した。結果を下記表３に示す。
(Evaluation during dicing)
When the
（半導体チップを取り出す工程）
次に、ダイシングした半導体ウェーハを、下記ピックアップ装置を用いて、下記ピックアップ条件で半導体チップを取り出した。
(Process to take out semiconductor chip)
Next, the semiconductor chip was taken out from the diced semiconductor wafer using the following pickup device under the following pickup conditions.
・ピックアップ装置：冷却器付ニードルレスピックアップ装置ＣＰＳ−３０００（ＮＥＣマシナリー社製）
・ピックアップ条件：速度３０ｍｍ／秒
・ Pickup device: Needleless pickup device CPS-3000 with cooler (manufactured by NEC Machinery)
・ Pickup conditions: Speed 30mm / sec
（ピックアップ時の評価）
剥離時のピックアップ性について、上記１００個に分割された半導体ウェーハ中、剥離することができた半導体チップの個数、および破損せずに取り出すことができた半導体チップの個数を評価した。結果を下記表３に示す。
(Evaluation at pickup)
Regarding the pick-up property at the time of peeling, the number of semiconductor chips that could be peeled and the number of semiconductor chips that could be taken out without being damaged in the semiconductor wafer divided into 100 pieces was evaluated. The results are shown in Table 3 below.
（半導体ウェーハの厚みの違いによる評価）
上述した実施例１のダイシング用粘着テープにおいて、剥離フィルムを構成する材料を適宜変更して、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力Ａが異なる各種ダイシング用粘着テープを用意した。
(Evaluation based on difference in thickness of semiconductor wafer)
In the dicing adhesive tape of Example 1 described above, various materials for dicing were prepared by appropriately changing the material constituting the release film and having different release forces A between the release film and the die attach film.
次に、半導体ウェーハとして、厚みが３０，５０，７５，１００，１５０μｍである各種シリコンウェーハ（バックラインド後ポリッシュ仕上げ品）を用意した。 Next, as a semiconductor wafer, various silicon wafers having a thickness of 30, 50, 75, 100, and 150 μm (polished products after backlining) were prepared.
次に、上記剥離力Ａの異なるダイシング用粘着テープ、および上記厚みＸの異なる半導体ウェーハをそれぞれ組み合わせて、上記工程と同様の操作を行った。 Next, the dicing adhesive tape having a different peeling force A and the semiconductor wafer having a different thickness X were combined, and the same operation as the above step was performed.
上記半導体を取り出す工程において、破損のない状態で半導体チップを取り出すことができた剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力Ａの最小値および最大値を評価した。結果を下記表４に示す。さらに、剥離力Ａの最小値および最大値を評価した結果、および式０．３９（３７ｌｎＸ−１１８）で示される曲線を図１２に示す。 In the step of taking out the semiconductor, the minimum value and the maximum value of the peeling force A between the release film and the die attach film that could take out the semiconductor chip without damage were evaluated. The results are shown in Table 4 below. Furthermore, the result of evaluating the minimum value and the maximum value of the peeling force A, and a curve represented by Formula 0.39 (37lnX-118) are shown in FIG.
上記表４、図１２に示されている結果より、半導体ウェーハの厚みＸが３０μｍ〜１５０μｍの範囲とされている場合に、剥離フィルムとダイアタッチフィルムとの剥離力Ａを、上述した式（１）の範囲とすると、半導体チップの破損を防ぐことができることがわかった。 From the results shown in Table 4 and FIG. 12, when the thickness X of the semiconductor wafer is in the range of 30 μm to 150 μm, the peeling force A between the peeling film and the die attach film is expressed by the above formula (1 ), It was found that damage to the semiconductor chip can be prevented.
１…ダイシング用粘着テープ
１Ａ…ダイシング用粘着テープ
２…離型フィルム
２ａ…一方面
３…ダイアタッチフィルム
４…剥離フィルム
５…ダイシングシート
５ａ…粘着剤層
１１…ダイシング用粘着テープ
１２…剥離フィルム
１２ａ…粘着剤層
１５…ダイシング用粘着テープ
１６…ダダイシングシート
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２２ａ…上面
２３…ダイシングリング
２５…ダイアタッチフィルム
２６…剥離フィルム
２７…ダイシングシート
２７ａ…粘着剤層
２８…離型フィルム
２９…ステージ
３１…半導体チップ
４１…第１の切断刃
４２…第１の切断部分
４３…第２の切断刃
４４…第２の切断部分
DESCRIPTION OF
Claims (3)
請求項１に記載のダイシング用粘着テープの前記離型フィルムを剥離し、前記ダイアタッチフィルムを、前記半導体ウェーハに貼付する工程と、
前記ダイアタッチフィルムが貼付された前記半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
前記ダイアタッチフィルムが貼付された前記半導体ウェーハを前記ダイアタッチフィルムごと前記剥離フィルムから剥離して、前記半導体チップを取り出す工程とを備える、半導体チップの製造方法。 A process of preparing a semiconductor wafer;
Peeling the mold release film of the adhesive tape for dicing according to claim 1, and attaching the die attach film to the semiconductor wafer;
Dicing the semiconductor wafer to which the die attach film is attached, and dividing the semiconductor wafer into individual semiconductor chips;
A step of peeling the semiconductor wafer having the die attach film attached together with the die attach film from the release film, and taking out the semiconductor chip.
１.１６ｍＮ／ｍｍ≦Ａ≦０．３９（３７ｌｎＸ−１１８）ｍＮ／ｍｍ…式（１）
3. The method of manufacturing a semiconductor chip according to claim 2, wherein when the thickness of the semiconductor wafer is X, X is in a range of 30 μm to 150 μm, and A is in a range of the following formula (1). .
1.16 mN / mm ≦ A ≦ 0.39 (37lnX−118) mN / mm (1)
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