JP2006202784A - 磁気抵抗効果膜、並びに、ピンド層の磁化制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気抵抗効果膜3は、フリー層19と、非磁性層17と、相互に膜厚の異なる二つの強磁性膜21、25を少なくとも有するピンド層15とを備える。二つの強磁性膜のうち、相対的に膜厚が厚い強磁性膜21の磁歪定数λ2が、膜厚の薄い強磁性膜25の磁歪定数λ1よりも大きくなるように設定されている。かかるピンド層に、磁化リセット方向又は磁化維持方向の制御磁界を与えることで、強磁性膜の磁化方向が反転していても本来の反平行な方向にリセットされ又は反転しないように維持される。
【選択図】 図2
Description
E=−M1・H・cosθ1−M2・H・cosθ2+J・cos(θ1−θ2)
+K1・sin2θ1+K2・sin2θ2・・・(1)式
で表される。(1)式の第1項及び第2項は、シンセティックピンド構造の強磁性膜の磁気エネルギを示し、第3項は、交換結合エネルギを示し、第4項及び第5項は磁歪エネルギを示している。
15 ピンド層
17 非磁性層
19 フリー層
21、25 強磁性膜
λ1、λ2 磁歪定数
H 制御磁界
Claims (2)
- 磁化方向が自由に動くフリー層と、
磁化方向が一方向に固定されているピンド層と、
前記フリー層及びピンド層の間に配置された非磁性層とを備え、
前記ピンド層は、相互に膜厚の異なる二つの強磁性膜を少なくとも有し、
相対的に膜厚の厚い強磁性膜の磁歪定数が、膜厚の薄い強磁性膜の磁歪定数よりも大きい、
ことを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - フリー層と、非磁性層と、相互に膜厚の異なる二つの強磁性膜を少なくとも有するピンド層とを備えた磁気抵抗効果膜におけるピンド層の磁化制御方法であって、
前記二つの強磁性膜のうち、相対的に膜厚が厚い強磁性膜の磁歪定数が、膜厚の薄い強磁性膜の磁歪定数よりも大きくなるよう、前記ピンド層を設け、
前記ピンド層に、磁化リセット方向又は磁化維持方向の制御磁界を与える、
ことを特徴とする、ピンド層の磁化制御方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008065957A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 外部ストレス耐性の高い磁気抵抗効果型ヘッド |
JP2020064892A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259918A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子の製造方法 |
JP2005294453A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004259918A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子の製造方法 |
JP2005294453A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008065957A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-03-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 外部ストレス耐性の高い磁気抵抗効果型ヘッド |
JP4673274B2 (ja) * | 2006-09-11 | 2011-04-20 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 外部ストレス耐性の高い磁気抵抗効果型ヘッド |
US7957109B2 (en) * | 2006-09-11 | 2011-06-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic head of magnetoresistance effect type with high resistance to external stress |
JP2020064892A (ja) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
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