JP2006202393A - 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 再生ヘッドの狭トラック・狭ギャップ化を図っても、電極上のシールド間隔が広がっているため、狭トラックヘッドでは十分なオフトラック特性を得ることができなかった。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子の素子高さ方向において、浮上面における上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔が、磁区制御膜に接して形成された電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分上に形成された上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔より狭いことを特徴とする磁気ヘッドを提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 磁気抵抗効果素子の素子高さ方向において、浮上面における上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔が、磁区制御膜に接して形成された電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分上に形成された上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔より狭いことを特徴とする磁気ヘッドを提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、磁気記録装置に用いる磁気ヘッドに関し、特に再生ヘッドとして用いる磁気抵抗効果型ヘッドの構造に関するものである。
近年、磁気記録装置の高性能化を図るため、また、面記録密度向上をさせるための技術開発が進められている。面記録密度の向上のためには、トラック密度および線記録密度の高密度化が必要であり、磁気ヘッドとして記録および再生ヘッドのトラック幅の狭幅化や再生ギャップの狭小化が必須となる。
従来の再生ヘッドの概略構造を図15、16に示す。再生素子にGMR効果を用いた磁気抵抗効果素子1(以下、「GMR素子」という。)とその両端に通電用の電極層3と再生素子の磁区制御のための磁区制御膜2が形成されている。これらの層の上下に絶縁層を介して軟磁気特性を有する上部、下部磁気シールド層5、6を形成して再生ヘッドとしている。
再生ヘッドの実効的なトラック幅は、磁区制御膜上に形成された一対の電極間の距離として定義されるGMR素子の幾何トラック幅で基本的には決定されるが、磁区制御の強さや磁気シールド層の間隔にも影響される。GMR素子のトラック幅方向端部においては、電極や磁区制御膜が形成されるため、GMR素子膜厚よりも膜厚が厚くなるので、磁気シールド層の間隔がトラック幅方向中央部より広がる。特に狭トラック化を進めてくると、GMR素子の幾何トラック幅が狭くなってくるので、磁気シールドの広がりによる影響が増大し、実質的なトラック幅が増加する。この現象は、再生素子端部での読みにじみと呼ばれ、磁気ヘッドの浮上面から素子高さ方向におよそ上下磁気シールド間隔と同じ距離の範囲内で生じ、幾何トラック幅端部での分解能の低下や、隣接トラックとのクロストークなどを発生させ、狭トラック化を進めるうえで、大きな課題となっている。
これを回避する方法として、電極や磁区制御の厚さをできるだけ薄くすること、電極厚さを薄くした電極を用いてシールド間隔の拡大を段階的に防止する技術などの種々の技術が、特開平6−60326、特開平11−25431、特開2004−206842などで開示されている。
しかしながら、電極層や磁区制御膜の薄膜化では電気抵抗の増加が著しいため特に雑音が顕著に増加し、また、信号対雑音比が低下し、総合的には特性劣化を生じてしまうという問題があった。
そこで、本発明の目的は、電極層や磁区制御層の厚さを著しく薄くせずに再生素子のトラック幅方向端部における電極に対応する部分の上部・下部磁気シールド間隔の拡大を防止するヘッド構造を提供し、トラック幅端部での特性劣化のない再生ヘッドを提供し、記録再生特性に優れた磁気ヘッドを提供することにある。
磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子の素子高さ方向において、浮上面における上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔が、磁区制御膜に接して形成された電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分上に形成された上部磁気シールドと下部磁気シールドの間隔より狭いことを特徴とする。または、浮上面における電極の膜厚は、電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分の膜厚より薄いことを特徴とすることを特徴とする。さらに、磁気ヘッドの浮上面から見て、浮上面における電極が設けられている部分の上部磁気シールドと磁気抵抗効果素子上面との高さの差は、電極のうち最も膜厚が厚い部分の上面と磁気抵抗効果素子上面との高さの差より短いことを特徴とする。
本発明によって、読みにじみや分解能の劣化のない、記録再生特性に優れた磁気ヘッドを得ることができる。
図1に、本発明の第1の実施例の磁気ヘッドを示す。図1は磁気ヘッドスライダーの再生ヘッド部分を浮上面方向から観察したときの磁気シールドおよび再生ヘッド素子部の斜視図(図1(a))、図1(a)中に示すA’−A断面の断面図(図1(b))およびB’−B断面の断面図(図1(c))で構成される。図中、磁気ヘッド正面を浮上面とする。また、浮上面に対する磁気抵抗効果素子(GMR素子1)の奥行き方向を「素子高さ方向」とし、磁気抵抗効果素子(GMR素子1)のトラック幅方向を「トラック幅方向」という。以下の図においても同様とする。
まず、図1(a)からわかるように、浮上面における上下磁気シールド層5、6のギャップ間隔はGMR素子1のトラック幅方向中央部とGMR素子1のトラック幅方向両端部に形成される電極に対応する部分とで差はなく、ほぼ平行に形成されている。図1(b)からわかるように、磁区制御膜に接する電極3の浮上面側の面をテーパ状にして傾斜させているために、絶縁膜を介して上部磁気シールド6はこの傾斜に沿って形成される。つまり、GMR素子1の素子高さ方向において、浮上面における上部磁気シールド6と下部磁気シールド5の間隔が、磁区制御膜に接する電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分上に形成された上部磁気シールド6と下部磁気シールド5の間隔より狭いため、電極部分厚みによるギャップ間隔の拡大が緩和され、磁気シールド間隔の広がりを抑えることができる。好ましくは、上部磁気シールド6と下部磁気シールド5との間隔は、GMR素子1の素子高さ方向からみて、浮上面において最小となることが好ましい。ここで、電極3は、磁区制御膜と接する部分にCrやTa等の導電性の下地膜を有する場合もある。
本実施例のように、磁区制御膜に接する電極の浮上面側にテーパを設けることで、電極上部に更に電極層を積層させた場合に比べて、磁気ヘッドの浮上面近傍における上部・下部磁気シールド間隔を更に狭くできる一方で、素子高さ方向において浮上面から離れた電極の膜厚を確保することが可能となる。尚、磁気抵抗効果素子の浮上面から素子高さ方向に、上部・下部磁気シールド間隔の2倍の距離の範囲内において、上記構成とすることが好ましい。この結果、読み滲みが特に生じやすい浮上面近傍における上部・下部磁気シールド間隔の増大による磁気特性の劣化を防止することができる。
ここで、本実施例において、電極3の構造に着目すると、浮上面における電極3の膜厚は、電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分の膜厚より薄い構造となっている。換言すると、上部磁気シールド6の膜厚が、電極が最も厚く形成された部分上において薄く、浮上面において厚く形成され、厚く形成された分、上部磁気シールド6と下部磁気シールド5との間隔が狭くなる。好ましくは、電極3の膜厚は、GMR素子1の素子高さ方向からみて、浮上面において最小となることが好ましい。
また、浮上面方向から見ると、浮上面における電極3が設けられている部分の上部磁気シールド6と磁気抵抗効果素子上面との高さの差は、電極3のうち最も膜厚が厚い部分の上面とGMR素子上面との高さの差より短くなる。
図1(c)からわかるように、GMR素子1のトラック幅方向中央部の上下に形成される上部・下部磁気シールド5、6の間隔は、電極3が形成されていない分狭く保たれている。
図2に、上部・下部磁気シールド5、6に挟まれる再生ヘッドを示す。再生ヘッド素子部の構造は、図2に示すように、再生ヘッド素子部は、GMR素子1とそのトラック幅方向両端にある一対の磁区制御膜2と磁区制御膜2上に形成される一対の電極3とを有する。GMR素子1はさらに、自由層、固定層及び固定層を固定する反強磁性膜を有する。GMR素子1のトラック幅方向端部では、GMR素子1の下層の反強磁性膜以下を残して、その上に磁区制御膜2および磁区制御膜2に接するように電極3を積層している。浮上面側に面した電極3の側面4はエッチングによってテーパ状に斜めになるようにする。これにより、側面4に沿って形成される磁気シールド6が電極3を部分的に被覆する形となる。その後スライダー加工によって電極の一部が露出する際に、部分的に磁気シールド6で覆われた電極3を有する浮上面が形成される。
図18に本実施例の再生ヘッドを適用した面内磁気記録方式の磁気ヘッドの断面図を示す。記録ヘッドは、上部磁気シールド6上に形成された下部磁極9と、下部磁極9上に形成された上部磁極10と、その間に形成される磁気ギャップ層とにより磁気ディスクに面する浮上面に磁気ギャップを形成する。また、コイル11に信号電流が流れている。記録時においては、記録ヘッドから漏洩した磁束が、磁気ディスクの下部軟磁性膜を経由して磁気ヘッドに帰還し、磁気ディスク上のトラックを面内方向に磁化する。
図19に本実施例の再生ヘッドを適用した垂直磁気記録方式の磁気ヘッドの断面図を示す。本実施例の再生ヘッドを適用した面内磁気記録方式の磁気ヘッドの断面図を示す。記録ヘッドは、上部磁気シールド6上に形成された還流磁極12と、還流磁極12上に形成されたヨーク磁極14と、ヨーク磁極14の浮上面側に形成された主磁極15と、その間に形成される磁気ギャップ層とにより磁気ディスクに面する浮上面に磁気ギャップを形成する。また、コイル13に信号電流が流れている。記録時においては、記録ヘッドから漏洩した磁束が、磁気ディスクの下部軟磁性膜を経由して磁気ヘッドに帰還し、磁気ディスク上のトラックを垂直方向に磁化する。
次に、本実施例の磁気ヘッドの製造工程を図3から図9を用いて詳細に説明する。まず、図3に示すように、磁気ヘッドの下部磁気シールド5(図示せず)上にGMR素子1を積層する。その後矩形状にパターン形成した後の平面形状を図3(a)に示し、図3(a)中A’−A断面の断面図を図3(b)、B’−B断面の断面図を図3(c)にそれぞれ示す。図3(a)中、矩形状パターンの上辺によってGMR素子1の素子高さの上端を決める。このGMR素子1の下層には絶縁層および下部磁気シールド5となる磁性膜が形成され、さらにその下にアルミナチタンカーバイトからなる焼結基板があるが、本図では省略する。このときのA’−A、B’−B部分の断面図はどちらも同じでGMR素子1の断面となる。ここで、GMR素子1の構成は下から順に、NiFeCr下地膜、PtMn反強磁性膜、第1固定層、Ru膜、第2固定層、Cu層、2層自由層、キャップ層の順に積層する。
図4において、このGMR素子1の両側に磁区制御膜2および電極3を形成したときの平面形状を図4(a)に示し、図4(a)中A’−A断面の断面図を図4(b)、B’−B断面の断面図を図4(c)にそれぞれ示す。本プロセスによってトラック幅方向のGMR素子幅が決まり、幾何学トラック幅が決まる。磁区制御膜2はCoCrPtからなる永久磁石で、膜厚は20nmであり、電極3は膜厚50nmのRhである。つまり、電極の薄膜化による抵抗値の増大に伴うノイズを防止するために、50nm以上の膜厚を有する電極を用いることが好ましい。ここでGMR素子1のトラック幅方向両端に位置する電極3の間隔は100nmであり、再生素子の幾何トラック幅に相当する。本工程における磁区制御膜2および電極3は、リフトオフ法によって形成される。リフトオフ法ではあらかじめGMR素子1上のトラック幅となる所望の部分にホトレジストを形成しておき、このホトレジストをマスクにして電極形成部分のGMR素子1をエッチングする。エッチングでは磁区制御膜2形成の膜厚方向の高さを維持するため、GMR素子1の下層部を残しておく。レジストマスクはそのままにして、続いて磁区制御膜2および電極3を成膜する。その後、ホトレジストを剥離溶解すると、ホトレジストのあったトラック幅部分の磁区制御膜2および電極3は除去され、図4に示したようにトラック幅を形成する素子の両側部分だけに磁区制御膜2と電極3とが形成される。これにより、トラック幅方向の両端のGMR素子1と電極3が電気的な接続を持ち、また磁区制御膜2によって、GMR層の自由層の磁化の均一な磁化回転が実現できる。ここで、磁区制御膜2に対して接するように電極3は形成されるが、電極3は、磁区制御膜2と接する部分にCrやTa等の導電性の下地膜を有する場合もある。
このとき、A’−A断面においては図4(b)に示すようにGMR素子1、磁区制御膜2そして電極3の順に積層している。一方で、B’−B断面においてはGMR素子1のみが形成され、図3(c)と同じ状態である。ここで、A‘−A断面においてGMR素子1の膜厚がB’−B断面のGMR素子1より薄いのは、先述のように電極3形成部分のGMR素子1は途中までエッチングされているためである。
つぎに、図5に示すように所望の部分にホトレジスト7を形成し、電極3の部分にテーパを設けるためのホトレジスト形成を行う。この工程ではGMR素子1の素子高さの下端もあわせて決まる。レジストには通常のノボラック樹脂をベースにしたホトレジストを用い、膜厚は200nmである。ホトレジストは回転塗布されるが、塗布する下地には凹凸の段差があるので、塗布後のホトレジストには、A’−A断面の断面図(図5(b))に示すように、段差上部では膜厚が薄く、B'−B断面の断面図(図5(c))に示すように、段差下部では厚くなる。本構成では段差上部で100nm、段差下部で250nmである。
続いて、ホトレジスト断面にテーパを形成するため、熱軟化させる。熱処理条件は150℃とする。図6に熱処理後のホトレジストの形状を示す。ホトレジストの断面は約30度の傾斜を持つテーパ状で、図6(c)に示すホトレジスト膜厚の厚いB'−B断面のテーパ部72のほうが先端まで流動して、図6(b)に示すA’−A断面のテーパ71よりその先端部が前にでる。
次に、このテーパ状のホトレジストをマスクとして、電極3およびGMR素子1をイオンミリングによりエッチングしたときの平面形状を図7(a)に示し、図7(a)中A’−A断面の断面図を図7(b)に示し、B'−B断面の断面図を図7(c)に示す。GMR素子1のトラック幅方向両端にある電極3は、エッチングされて膜厚が薄くなった部分31と、ホトレジストで覆われてエッチングされずに残った部分3と、その境界部分に生じたテーパ部4とからなる。またGMR素子はエッチングされずに残った部分1とテーパ部分11とからなる。ホトレジストの先端位置の違いに応じて、テーパ先端位置も異なり、GMR素子1のテーパ位置のほうが、電極3のテーパ位置より前に出ている。
以上のように、電極3およびGMR素子1を形成した後、15nmの絶縁層を積層し、さらにその上に上部磁気シールド6をめっき法により形成する。このときの図7におけるA’−A断面およびB’−B断面に対応する断面図を、それぞれ図8、図9に示す。絶縁層およびめっきによる磁気シールド層6は下地である電極のテーパ部やGMR膜のテーパ部に倣うので、第8図に示すように電極の一部の斜面部4が磁気シールド6で覆われるようになる。
以上のような構成を有する再生ヘッドの上に記録ヘッドを作製してウエハ工程を終了する。記録ヘッド製造工程では下部磁極、コイルおよび上部磁極の順に形成するが、本実施例では割愛する。
ウエハ工程終了後、続いてスライダー加工工程にはいり、研磨によって浮上面を形成し、スライダに切り出す。加工工程では浮上面にGMR素子を露出させるために、研磨によりGMR素子の高さを追い込んでくる。このとき、図8に示す電極3と図9に示すGMR素子1とに対して同時に加工を施し、同図中に示す破線部まで研磨を行い、GMR素子1を浮上面に露出させる。このとき、図8からわかるように、電極3は斜面部にかかるので、電極3の浮上面側は磁気シールド6に覆われている。このため、浮上面から観察すると図1に示すように、電極形成部分にも磁気シールド6が存在し、磁気シールド間隔の広がりがなく、ほぼ均一な間隔の磁気シールドが形成される。
本実施例では、ホトレジストをテーパ状にするために熱軟化させてイオンミリングを行ったが、熱軟化を用いずに急峻な角度を持つホトレジストに対してもイオンミリング時にテーパ状にすることは可能である。イオンの入射角度を被エッチング膜に対して垂直から数度ずらして、固定ミリングすることによってレジスト高さの差を利用したシャドウイング効果を用いて、テーパ状とするとともに、場所によってホトレジスト膜厚が異なることを利用して、テーパの先端位置を変えることができる。また、スライダーに加工する際に、個別スライダー毎に研磨加工することにより、磁気シールド形状が適正となる研磨量がそれぞれのスライダーで実現できる。
なお上記実施例では、電極部分だけにテーパを設ける構造を示したが、電極の下層にある磁区制御膜を含めて両方の断面をテーパ状にすることも同様な方法で実現できる。この場合、上述の電極の構造同様に、浮上面における磁気抵抗効果素子の膜厚は、磁区制御膜のうち最も膜厚が厚く形成された部分の膜厚より薄く形成される。
加えて、電極を兼用する磁区制御膜だけがGMR膜端部に接続している場合に関しても同様な技術でテーパ状の断面を形成し、磁気シールドで部分的に被覆した磁区制御層構造を実現することができる。
さらに、本実施例においてホトレジストの先端位置を制御することによってGMR素子部の磁気シールド間隔より電極部分の磁気シールド間隔のほうを狭くすることも可能である。すなわち、図7において、A’−A断面の電極斜面4浮上面となる位置より遠ざけ、電極のエッチング量を増やすことで実現する事ができる。また、上記実施例では、端部ではGMR素子の一部を残すようにエッチングを行った場合を示したが、GMR素子を全部除去してから磁区制御膜および電極を形成することも可能である。
図10から図14に本発明の第2の実施例を示す。本実施例では電極先端部にテーパを設けるとともにGMR素子の高さを決めるためのプロセスを電子線描画によるリソグラフィ技術で一括して行うことを特徴とする。
GMR素子1のトラック幅方向両端に電極3と磁区制御膜2を積層した平面構造を図10(a)に示し、図10(a)中A’−A断面の断面図を図10(b)に、B’−B断面の断面図を図10(c)にそれぞれ示す。基本的な構成については、第1の実施例で示した図4の構成と同等である。但し、図4と違って、GMR素子高さを決定する工程は含んでおらず、トラック幅を決定する電極および磁区制御膜をGMR素子の両側にリフトオフ法で形成する工程まで済んだ状態を示している。
その後、図11に示すように、電子線レジスト塗布し、図11(a)に示す平面形状となるように、描画・現像を行い、レジストパターン8形成する。この工程において、電極部分にテーパを形成するため、また、GMR素子の素子高さ方向の幅を決めるべく素子高さ方向の奥行き部分を除去するため、ホトレジストパターンをコの字型パターンとしている。図11(b)(c)に示すように、ホトレジスト8の膜厚は第1の実施例と同様、A’−A断面の段差の上部で薄く、B’−B断面の段差下部で厚くなる。Arイオンの入射角を基板法線に対して約10度傾け、基板を回転させずにGMR層1および電極3を加工する。
加工後ホトレジスト8を除去した後のGMR素子1の平面形状を図12(a)に示し、図12(a)中A’−A断面の断面図を図12(b)に、B’−B断面の断面図を図12(c)にそれぞれ示す。同図からわかるように、シャドウイングの効果により電極3のエッチング領域31と非エッチング領域3の境界にはテーパ部4が形成されており、またGMR素子1のテーパ部11は電極テーパ部4よりも浮上面側に位置している。
図13、図14はこれらのA’−A断面およびB’−B断面の部分について、絶縁層を積層しさらに磁気シールド層6まで形成したときの断面図である。電極端部にテーパが形成されており、スライダーの研磨加工プロセスで浮上面加工を施したとき、破線の部分では、電極部分が磁気シールドで覆われ、シールド間隔がGMR素子のトラック幅方向中央部分のシールド間隔とほとんど変わらないことがわかる。以上のように本実施例でも浮上面側の電極層の端部をテーパ状とすることによって、GMR素子端部の電極部分でも磁気シールドの間隔が広がることなく、狭シールド間隔が維持できることがわかった。
図17は第1の実施例のヘッドと従来構造のヘッドのオフトラック特性を評価した結果である。記録トラック幅は140nm、再生トラック幅は100nmで、上部・下部磁気シールド間隔は60nmである。図中●印が従来構造で、○印が本実施例の構造のヘッドを示す。従来構造のヘッドは電極材料にRhを用い膜厚は50nmである。GMR素子の端部で電極と接する部分の磁気シールドの角度は約40度で、中心部の磁気シールド間隔より広がった構造を持つ。本実施例の構造のヘッドも電極は50nmのRhとしたが少なくともGMR素子の浮上面近傍の120nmを越えない電極の範囲にはテーパ部を設け、磁気シールド間隔が広がらないようにした。媒体はCoNiPtTa系の多層媒体を用いた。破線はトラック密度が160kTPIの場合に要求される下限のオフトラックケイパビリティを示す。本実施例のヘッドでは160kTPI条件を満足し、同じ記録トラック幅でも狭トラック化が実現できていることがわかる。これは、トラック端部でも磁気シールドの広がりが小さいために、隣接トラックの信号の読みにじみを減少できたためと考えられる。また、極端に電極膜厚を薄くする必要が無いため、ヘッド抵抗の上昇が抑えられ、信号対雑音比の劣化が少なく、かつ、トラック幅端部における磁気シールドの広がりもないため、分解能が確保できたことによると考えられる。
1・・・磁気抵抗効果素子(GMR素子)、2・・・磁区制御膜、3・・・電極、31・・・電極被エッチング部、4・・・電極テーパ部、5・・・下部磁気シールド、6・・・上部磁気シールド、7・・・ホトレジスト、8・・・電子線レジスト、9・・・下部磁極、10・・・上部磁極、11・・・コイル、12・・・還流磁極、13・・・コイル、14・・・ヨーク磁極、15・・・主磁極、16・・・上部磁極シールド、71・・・ホトレジスト斜面部(電極部)、72・・・ホトレジスト斜面部(GMR部)
Claims (24)
- 下部磁気シールドと、下部磁気シールド上に形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向両端に形成された前記磁気抵抗効果素子の磁区を制御する一対の磁区制御膜と、前記磁区制御膜上に前記磁区制御膜に接して形成された一対の電極と、前記磁気抵抗効果素子及び前記電極上に絶縁膜を介して形成された上部磁気シールドとを有し、
前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向において、浮上面における前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドの間隔が、前記電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分上に形成された前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドの間隔より狭いことを特徴とする磁気ヘッド。 - 前記電極のトラック幅方向の間隔で規定される再生トラック幅が、100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 前記浮上面における前記電極の膜厚は、前記電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分の膜厚より薄いことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 前記浮上面における前記磁区制御膜の膜厚は、前記磁区制御膜のうち最も膜厚が厚く形成された部分の膜厚より薄いことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 浮上面における前記上部磁気シールドの膜厚が、前記電極のうち最も膜厚のある部分上に形成された前記上部磁気シールドの膜厚より厚いことを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 前記上部磁気シールドの膜厚は、浮上面で最大となることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間隔は、前記浮上面において最小となることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極と前記磁区制御膜は兼用されることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極は、前記磁区制御膜と接する部分に導電性の下地膜を有することを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。
- 下部磁気シールドと、下部磁気シールド上に形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向両端に形成された前記磁気抵抗効果素子の磁区を制御する一対の磁区制御膜と、前記磁区制御膜上に前記磁区制御膜に接して形成された一対の電極と、前記磁気抵抗効果素子及び電極上に絶縁膜を介して形成された上部磁気シールドとを有する磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向において、浮上面における前記電極の膜厚は、前記電極のうち最も膜厚が厚く形成された部分の膜厚より薄いことを特徴とする磁気ヘッド。 - 前記電極の膜厚は、前記浮上面において最小となることを特徴とする請求項10に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極の膜厚のうち最も厚い部分は、50nm以上であることを特徴とする請求項10に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極の前記磁区制御膜に接する面を構成する前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の辺が、前記電極の前記上部磁気シールド膜に面する面を構成する前記磁気抵抗効果素子の素子高さ方向の辺より長いことを特徴とする請求項10に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極の前記浮上面に面する面にテーパを設けたことを特徴とする請求項10に記載の磁気ヘッド。
- 前記浮上面における前記磁区制御膜の膜厚は、前記磁区制御膜のうち最も膜厚が厚く形成された部分の膜厚より薄いことを特徴とする請求項10に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極と前記磁区制御膜は兼用されることを特徴とする請求項10に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極は、前記磁区制御膜と接する部分に導電性の下地膜を有することを特徴とする請求項10に記載の磁気ヘッド。
- 下部磁気シールドと、下部磁気シールド上に形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の側面に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の磁界を制御する一対の磁区制御膜と、前記磁区制御膜上に前記磁区制御膜に接して形成された前記磁気抵抗効果素子に電流を印加する一対の電極と、前記磁気抵抗効果素子及び電極上に絶縁膜を介して形成された上部磁気シールドとを有する磁気ヘッドにおいて、
浮上面における前記電極が設けられている部分の前記上部磁気シールドと前記磁気抵抗効果素子上面との高さの差は、前記電極のうち最も膜厚が厚い部分の上面と前記磁気抵抗効果素子上面との高さの差より短いことを特徴とする磁気ヘッド。 - 浮上面における前記電極上の前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの距離は、前記前記電極のうち最も膜厚が厚い部分の上面と前記下部磁気シールドとの距離より短いことを特徴とする請求項18に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極と前記磁区制御膜は兼用されることを特徴とする請求項18に記載の磁気ヘッド。
- 前記電極は、前記磁区制御膜と接する部分に導電性の下地膜を有することを特徴とする請求項18に記載の磁気ヘッド。
- 下部磁気シールドを形成する工程と、
前記下部磁気シールド上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子の両端に一対の磁区制御膜をリフトオフ法により形成する工程と、
前記磁区制御膜上に前記磁区制御膜に接するように一対の電極をリフトオフ法により形成する工程と、
前記電極の浮上面側の面に傾斜を設ける工程と、
前記電極及び前記磁気抵抗効果素子上に上部磁気シールドをめっき法により形成する工程と、
を含む磁気ヘッドの製造方法。 - 前記電極上にホトレジストを形成し、前記ホトレジストをマスクとして前記電極をイオンの入射角度に傾斜を設けてイオンミリングによりエッチングすることにより前記電極の浮上面側の面に傾斜を設けることを特徴とする請求項22に記載の磁気ヘッドの製造方法。
- 前記ホトレジストに熱処理を加えて、前記電極をエッチングすることを特徴とする請求項22に記載の磁気ヘッドの製造方法。
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