JP2006196899A - ダイの反りが抑制された半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
ダイの反りが抑制された半導体素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006196899A JP2006196899A JP2006004185A JP2006004185A JP2006196899A JP 2006196899 A JP2006196899 A JP 2006196899A JP 2006004185 A JP2006004185 A JP 2006004185A JP 2006004185 A JP2006004185 A JP 2006004185A JP 2006196899 A JP2006196899 A JP 2006196899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stress relaxation
- material layer
- semiconductor device
- pattern
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
- A47J27/00—Cooking-vessels
- A47J27/002—Construction of cooking-vessels; Methods or processes of manufacturing specially adapted for cooking-vessels
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
- A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
- A47J36/00—Parts, details or accessories of cooking-vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S220/00—Receptacles
- Y10S220/912—Cookware, i.e. pots and pans
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】チップサイズの基板及びこの基板上に形成されて基板を第1物質で覆う第1物質層を備える半導体素子。この第1物質層には、これを2つまたはそれ以上の部分に分割するように第1物質層を横切る一つまたはそれ以上の第1ストレス緩和パターンが存在する。
【選択図】図8B
Description
本発明が達成しようとする他の技術的課題は、ダイの反り現象が抑制された半導体素子の製造方法を提供することである。
また、前記実施例の他の側面によれば、前記第1ストレス緩和パターンは、前記第1物質と異なる第2物質からなる第1物質膜パターンでありうる。そして、前記第1物質膜パターンの幅は、0.01〜20μmでありうる。また、前記第2物質は、前記第1物質層上に形成されている第2物質層を形成する物質と同じ物質でありうる。この場合、前記第2物質層は、前記第1物質層をカバーし、前記第2物質層には、前記第2物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第2物質層を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在してもよく、存在しなくても良い。第2ストレス緩和パターンが存在する場合、前記第2ストレス緩和パターンのうち少なくとも一つの第2ストレス緩和パターンの位置は、前記第1ストレス緩和パターンと垂直方向に異なる位置に存在することが望ましく、全ての前記第2ストレス緩和パターンの位置は、前記第1ストレス緩和パターンの位置と垂直方向に異なる位置に存在することがさらに望ましい。
また、前記実施例の他の側面によれば、前記第1物質層の内部には複数のスルーホールが存在し、前記第1ストレス緩和パターンが前記複数のスルーホールの一部を連結するように前記複数のスルーホールが配列されても良い。
前記実施例の他の側面によれば、前記半導体素子の製造方法は、前記第1物質層の全面上に第2物質層を形成する段階をさらに含み、前記第2物質層には、前記第2物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第2物質層を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在できる。この場合、前記第2物質層を形成する段階は、前記第1ストレス緩和パターン用のトレンチを埋め込む段階と同時に実行しても良い。
図3A、図3B、図4A及び図4Bを参照すれば、半導体素子は、半導体チップサイズの基板110、210及びストレス緩和パターン125、225が備わった物質層120、220を備える。基板110、210は、例えば、単結晶シリコン基板、シリコンゲルマニウム基板、またはSOI基板のような半導体基板であるか、このような半導体基板とその上部に形成されている所定の回路素子及び/または配線パターンとを備えた絶縁層を含みうる。そして、ストレス緩和パターン125、225が備わった物質層120、220は、基板110、210の全面のような相対的に広い範囲にわたって形成される。半導体素子の特性上、このような物質層120、220は通常的に絶縁物質で形成される。また、ストレス緩和パターン125、225は、物質層120、220によって基板110、220に加えられるストレスを緩和させる役割をするパターンである。
図7A及び図7Bを参照すれば、半導体素子は、基板510及び前記基板上の全面に形成されており、その内部にはストレス緩和パターン525、535、545が備わっている第1物質層520、第2物質層530及び第3物質層540を備える。本実施例は、連続的に積層されている第1物質層520、第2物質層530及び第3物質層540にそれぞれ第1ストレス緩和パターン525、第2ストレス緩和パターン535及び第3ストレス緩和パターン545が形成されている場合に関するものである。同様に、それぞれのストレス緩和パターン525、535、545の配列は、前記した実施例に示された形態であるか、他の形態でありうる。
125、225、325a、325b、325c 境界層
420 第1物質層
430 第2物質層
425 第1ストレス緩和パターン
435 第2ストレス緩和パターン
40 第1スルーホール
50 第2スルーホール
Claims (67)
- チップサイズの基板と、
前記基板上に形成されて前記基板を第1物質で覆う第1物質層と、を備え、
前記第1物質層には、前記第1物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第1物質層を横切る一つまたはそれ以上の第1ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする半導体素子。 - 前記第1ストレス緩和パターンは、2つまたはそれ以上が存在し、前記第1ストレス緩和パターンのうち少なくとも一つの第1ストレス緩和パターンは、残りの第1ストレス緩和パターンと交差することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1ストレス緩和パターンは、十字状であることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子。
- 前記第1ストレス緩和パターンは、1〜10個であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記チップは、長方形であり、前記第1ストレス緩和パターンのうち一つまたはそれ以上の第1ストレス緩和パターンは、前記長方形の短辺と平行していることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1ストレス緩和パターンは、1つであり、前記第1ストレス緩和パターンが前記長方形の短辺と平行していることを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記長方形の短辺と平行している一つまたはそれ以上の前記第1ストレス緩和パターンは、前記第1物質層を均等に分割することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子。
- 前記第1ストレス緩和パターンは、前記第1物質層の分割された部分間の境界面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1ストレス緩和パターンは、前記第1物質と異なる第2物質からなる第2物質膜パターンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第2物質膜パターンの幅は、0.01〜20μmであることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。
- 前記第2物質は、前記第1物質層上に形成されている第2物質層を形成する物質と同じ物質であることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子。
- 前記第2物質層は、前記第1物質層をカバーし、前記第2物質層には、前記第2物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第2物質層を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする請求項11に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンのうち少なくとも一つの第2ストレス緩和パターンの位置は、前記第1ストレス緩和パターンと垂直方向に異なる位置に存在することを特徴とする請求項12に記載の半導体素子。
- 全ての前記第2ストレス緩和パターンの位置は、前記第1ストレス緩和パターンの位置と垂直方向に異なる位置に存在することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子。
- 前記第1物質層は、層間絶縁膜、パッシベーション膜、または感光性ポリイミド膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1物質層の内部には複数のスルーホールが存在し、前記第1ストレス緩和パターンが前記複数のスルーホールの一部を連結するように前記複数のスルーホールが配列されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- チップサイズの基板と、
前記基板上に形成されて前記半導体基板を第1物質で覆う第1物質層と、
前記第1物質層上に形成されて前記第1物質層を第2物質で覆う第2物質層と、を備え、
前記第2物質層には、前記第2物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第2物質層を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする半導体素子。 - 前記第1物質層には、複数の第1スルーホールが配列され、前記第1スルーホールの位置と対応する位置に複数の第2スルーホールが前記第2物質層に配列されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンが前記複数の第2スルーホールの一部を連結するように前記複数の第2スルーホールが配列されていることを特徴とする請求項18に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、2つまたはそれ以上が存在し、前記第2ストレス緩和パターンのうち少なくとも一つの第2ストレス緩和パターンは、残りの第2ストレス緩和パターンと交差することを特徴とする請求項19に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、十字状であることを特徴とする請求項20に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、1〜10個であることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子。
- 前記チップは長方形であり、前記第2ストレス緩和パターンのうち一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンは、前記長方形の短辺と平行していることを特徴とする請求項19に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは1つであり、前記第2ストレス緩和パターンが前記長方形の短辺と平行していることを特徴とする請求項23に記載の半導体素子。
- 前記第1物質層はパッシベーション膜であり、前記第2物質層は感光性ポリイミド膜であり、前記第1及び第2スルーホールを通じて前記半導体素子の接続パッド及び/またはヒューズボックスが露出されていることを特徴とする請求項18に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、前記第2物質層の分割された部分間の境界面であることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、前記第2物質と異なる第3物質からなる第3物質膜パターンであることを特徴とする請求項17に記載の半導体素子。
- 前記第3物質膜パターンの幅は、0.01〜20μmであることを特徴とする請求項27に記載の半導体素子。
- 前記第1物質層には、前記第1物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第1物質層を横切る一つまたはそれ以上の第1ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする請求項17に記載の半導体素子。
- 前記第1ストレス緩和パターンのうち少なくとも一つの第1ストレス緩和パターンの位置は、前記第2ストレス緩和パターンと垂直方向に異なる位置に存在することを特徴とする請求項29に記載の半導体素子。
- 全ての前記第2ストレス緩和パターンの位置は、前記第2ストレス緩和パターンの位置と垂直方向に異なる位置に存在することを特徴とする請求項30に記載の半導体素子。
- 少なくとも一つの前記第1ストレス緩和パターンの位置は、前記第2ストレス緩和パターンの位置と対応する位置に存在することを特徴とする請求項29に記載の半導体素子。
- 上部に複数の接続パッド及び/または複数のヒューズボックスが露出されているチップサイズの基板と、
前記基板上に形成されて前記基板を覆い、前記複数の接続パッド及び/または複数のヒューズボックスを露出させる複数の第1スルーホールがその内部に形成されているパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に形成されて前記パッシベーション膜を覆い、前記複数の第1スルーホールの位置と対応する位置に複数の第2スルーホールがその内部に形成されている感光性ポリイミド膜と、を備え、
前記感光性ポリイミド膜には前記感光性ポリイミド膜を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記感光性ポリイミド膜を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする半導体素子。 - 前記第2ストレス緩和パターンが前記複数の第2スルーホールの一部を連結するように前記複数の第2スルーホールが配列されていることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、2つまたはそれ以上が存在し、前記第2ストレス緩和パターンのうち少なくとも一つの第2ストレス緩和パターンは、残りの第2ストレス緩和パターンと交差することを特徴とする請求項34に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、十字状であることを特徴とする請求項35に記載の半導体素子。
- 前記ヒューズボックスを露出させる前記複数の第2スルーホールの一部を連結するように前記第2ストレス緩和パターンが形成されていることを特徴とする請求項34に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、1〜10個であることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子。
- 前記チップは長方形であり、前記第2ストレス緩和パターンのうち一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンは、前記長方形の短辺と平行していることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは1つであり、前記第2ストレス緩和パターンが前記長方形の短辺と平行していることを特徴とする請求項39に記載の半導体素子。
- 前記パッシベーション膜は、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜との複合膜であることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子。
- 前記パッシベーション膜には、前記パッシベーション膜を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記パッシベーション膜を横切る一つまたはそれ以上の第1ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする請求項41に記載の半導体素子。
- 前記第1ストレス緩和パターンのうち少なくとも一つの第1ストレス緩和パターンの位置は、前記第2ストレス緩和パターンと垂直方向に異なる位置に存在することを特徴とする請求項42に記載の半導体素子。
- 全ての前記第1ストレス緩和パターンの位置は、前記第2ストレス緩和パターンの位置と垂直方向に異なる位置に存在することを特徴とする請求項43に記載の半導体素子。
- 少なくとも一つの前記第1ストレス緩和パターンの位置は、前記第2ストレス緩和パターンの位置と対応する位置に存在することを特徴とする請求項42に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、前記感光性ポリイミド膜の分割された部分間の境界面であることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、前記感光性ポリイミドと異なる第3物質からなる第3物質膜パターンであることを特徴とする請求項33に記載の半導体素子。
- 前記第3の物質は、後続工程で前記第1及び第2スルーホールを充填する物質であることを特徴とする請求項47に記載の半導体素子。
- 前記第3物質膜パターンの幅は、0.01〜20μmであることを特徴とする請求項48に記載の半導体素子。
- チップサイズの基板を提供する段階と、
前記基板上に前記基板を第1物質で覆う第1物質層を形成するが、前記第1物質層には、前記第1物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第1物質層を横切る一つまたはそれ以上の第1ストレス緩和パターンが存在するように前記第1ストレス緩和パターンによる前記第1物質層の分割された部分を別個の工程でそれぞれ形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1ストレス緩和パターンは、前記第1物質層の分割された部分間の境界面であることを特徴とする請求項50に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1物質層は、層間絶縁膜、パッシベーション膜、または感光性ポリイミド膜であることを特徴とする請求項50に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1物質層の全面上に第2物質層を形成する段階をさらに含み、
前記第2物質層には、前記第2物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第2物質層を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする請求項50に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2ストレス緩和パターンのうち一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンの位置は、前記第1ストレス緩和パターンの位置に対応しないように前記第2物質層を形成することを特徴とする請求項53に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、前記第2物質層の分割された部分間の境界面であるか、前記第2物質と異なる第3の物質からなる第3物質膜パターンであることを特徴とする請求項53に記載の半導体素子の製造方法。
- チップサイズの半導体基板を提供する段階と、
前記半導体基板上に前記半導体基板を第1物質で覆う第1物質層を形成する段階と、
前記第1物質層をパターニングして前記第1物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第1物質層を横切る一つまたはそれ以上の第1ストレス緩和パターン用のトレンチを形成する段階と、
第2物質で前記第1ストレス緩和パターン用のトレンチを埋め込んで第1ストレス緩和パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第2物質は、前記第1物質と同じ物質であることを特徴とする請求項56に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2物質は、前記第1物質と異なる物質からなることを特徴とする請求項56に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1物質層は、層間絶縁膜、パッシベーション膜、または感光性ポリイミド膜であることを特徴とする請求項56に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1物質層の全面上に第2物質層を形成する段階をさらに含み、
前記第2物質層には、前記第2物質層を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記第2物質層を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在することを特徴とする請求項56に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2物質層を形成する段階は、前記第1ストレス緩和パターン用のトレンチを埋め込む段階と同時に実行することを特徴とする請求項60に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2ストレス緩和パターンのうち一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンの位置は、前記第1ストレス緩和パターンの位置に対応しないように前記第2物質層を形成することを特徴とする請求項60に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2ストレス緩和パターンは、前記第2物質層の分割された部分間の境界面であるか、前記第2物質と異なる第3の物質からなる第3物質膜パターンであることを特徴とする請求項60に記載の半導体素子の製造方法。
- 上部に複数の接続パッドが露出されており、前記接続パッドの下方に複数のヒューズボックスが形成されているチップサイズの基板を提供する段階と、
前記基板の全面上にパッシベーション膜の形成用物質層を形成する段階と、
前記パッシベーション膜の形成用物質層及び前記基板をパターニングして前記複数の接続パッド及び複数のヒューズボックスを露出させる複数の第1スルーホールが備わっているパッシベーション膜を形成する段階と、
前記パッシベーション膜の全面上に前記複数の第1スルーホールの位置と対応する位置に複数の第2スルーホールがその内部に形成されている感光性ポリイミド膜を形成するが、前記感光性ポリイミド膜を2つまたはそれ以上の部分に分割するように前記感光性ポリイミド膜を横切る一つまたはそれ以上の第2ストレス緩和パターンが存在する前記感光性ポリイミド膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記パッシベーション膜を形成する段階は、
前記パッシベーション膜の形成用物質層上に前記複数の第2スルーホールを限定するマスクパターンを形成する段階と、
前記マスクパターンをエッチッグマスクとして前記パッシベーション膜の形成用物質層をエッチッグして前記複数の接続パッドを露出させ、次いで、前記基板をエッチッグして 前記複数のヒューズボックスが露出させる前記複数のスルーホールを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項64に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記感光性ポリイミド膜の形成段階は、
前記パッシベーション膜の全面上に感光性ポリイミド膜を形成する段階と、
前記感光性ポリイミド膜をパターニングして前記複数の第2スルーホールと前記第2ストレス緩和パターン用のトレンチとを形成する段階と、
前記複数の第2スルーホールと前記第2ストレス緩和パターン用のトレンチとを第3の物質で埋め込む段階と、を含むことを特徴とする請求項64に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記複数の第2スルーホールと前記第2ストレス緩和パターン用のトレンチとの形成段階では、
前記第2ストレス緩和パターンが前記複数の第2スルーホールの一部と連結されるように前記感光性ポリイミド膜をパターニングすることを特徴とする請求項66に記載の半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050002872A KR100652395B1 (ko) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 다이-휨이 억제된 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006196899A true JP2006196899A (ja) | 2006-07-27 |
JP2006196899A5 JP2006196899A5 (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=36695898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006004185A Pending JP2006196899A (ja) | 2005-01-12 | 2006-01-11 | ダイの反りが抑制された半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7781851B2 (ja) |
JP (1) | JP2006196899A (ja) |
KR (1) | KR100652395B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012501077A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | チップ・パッケージ相互作用安定性を高めるための応力緩和ギャップを含む半導体デバイス。 |
US8704226B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-04-22 | Panasonic Corporation | Three-dimensional integrated circuit having redundant relief structure for chip bonding section |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102059823B1 (ko) * | 2013-06-11 | 2019-12-27 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조 방법 및 빌드-업 기판 적층체 |
KR102065648B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2020-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
US9397051B2 (en) | 2013-12-03 | 2016-07-19 | Invensas Corporation | Warpage reduction in structures with electrical circuitry |
CN103779245B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-09-28 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 芯片封装方法及封装结构 |
US9905515B2 (en) * | 2014-08-08 | 2018-02-27 | Mediatek Inc. | Integrated circuit stress releasing structure |
US9847287B2 (en) * | 2015-06-17 | 2017-12-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Passive tunable integrated circuit (PTIC) and related methods |
US20170062240A1 (en) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Inotera Memories, Inc. | Method for manufacturing a wafer level package |
CN107039235A (zh) * | 2016-02-03 | 2017-08-11 | 奕力科技股份有限公司 | 具低翘曲度的驱动晶片及其制造方法 |
KR102484394B1 (ko) | 2017-12-06 | 2023-01-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
CN113518503B (zh) * | 2021-03-31 | 2022-08-09 | 深圳市景旺电子股份有限公司 | 多层印刷线路板及其制作方法 |
CN116913868A (zh) * | 2023-09-11 | 2023-10-20 | 深圳市威兆半导体股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1167755A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Seiko Epson Corp | 半導体の構造 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58162042A (ja) | 1982-03-23 | 1983-09-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US4918511A (en) * | 1985-02-01 | 1990-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thermal expansion compensated metal lead frame for integrated circuit package |
US4654269A (en) * | 1985-06-21 | 1987-03-31 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Stress relieved intermediate insulating layer for multilayer metalization |
JPH01291430A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2796657B2 (ja) * | 1992-06-09 | 1998-09-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
JPH06314664A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のメッキ方法 |
JP3229491B2 (ja) * | 1993-10-05 | 2001-11-19 | 株式会社小糸製作所 | 自動車用ヘッドランプにおけるエイミング用水準器 |
US5438022A (en) * | 1993-12-14 | 1995-08-01 | At&T Global Information Solutions Company | Method for using low dielectric constant material in integrated circuit fabrication |
US5413962A (en) * | 1994-07-15 | 1995-05-09 | United Microelectronics Corporation | Multi-level conductor process in VLSI fabrication utilizing an air bridge |
KR0182073B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-03-20 | 황인길 | 반도체 칩 스케일 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
US6184121B1 (en) * | 1997-07-10 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Chip interconnect wiring structure with low dielectric constant insulator and methods for fabricating the same |
JPH11307525A (ja) | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6016000A (en) * | 1998-04-22 | 2000-01-18 | Cvc, Inc. | Ultra high-speed chip semiconductor integrated circuit interconnect structure and fabrication method using free-space dielectrics |
US6211057B1 (en) * | 1999-09-03 | 2001-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for manufacturing arch air gap in multilevel interconnection |
JP2001093863A (ja) | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Toshiba Corp | ウェーハ裏面スパッタリング方法及び半導体製造装置 |
US6710446B2 (en) * | 1999-12-30 | 2004-03-23 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device comprising stress relaxation layers and method for manufacturing the same |
US6570245B1 (en) * | 2000-03-09 | 2003-05-27 | Intel Corporation | Stress shield for microelectronic dice |
EP1275152A2 (en) * | 2000-04-12 | 2003-01-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Bonding pad in semiconductor device |
KR20010105641A (ko) | 2000-05-17 | 2001-11-29 | 윤종용 | 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 및 그 제조방법 |
US6979595B1 (en) * | 2000-08-24 | 2005-12-27 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices with pressure release elements and methods for manufacturing and using such packaged microelectronic devices |
KR100410990B1 (ko) * | 2001-02-20 | 2003-12-18 | 삼성전자주식회사 | 다층배선을 갖는 반도체 장치 및 그의 제조방법 |
US6455924B1 (en) * | 2001-03-22 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Stress-relieving heatsink structure and method of attachment to an electronic package |
US6875682B1 (en) * | 2001-09-04 | 2005-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Mesh pad structure to eliminate IMD crack on pad |
TW504824B (en) * | 2001-11-21 | 2002-10-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package having chip cracking prevention member |
JP3882648B2 (ja) | 2002-03-14 | 2007-02-21 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
FR2857502B1 (fr) * | 2003-07-10 | 2006-02-24 | Soitec Silicon On Insulator | Substrats pour systemes contraints |
TWI256095B (en) * | 2004-03-11 | 2006-06-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Wafer level semiconductor package with build-up layer and process for fabricating the same |
US9929080B2 (en) * | 2004-11-15 | 2018-03-27 | Intel Corporation | Forming a stress compensation layer and structures formed thereby |
-
2005
- 2005-01-12 KR KR1020050002872A patent/KR100652395B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-30 US US11/320,985 patent/US7781851B2/en active Active
-
2006
- 2006-01-11 JP JP2006004185A patent/JP2006196899A/ja active Pending
-
2010
- 2010-07-20 US US12/839,573 patent/US20100285654A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1167755A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Seiko Epson Corp | 半導体の構造 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012501077A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-12 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | チップ・パッケージ相互作用安定性を高めるための応力緩和ギャップを含む半導体デバイス。 |
US8704226B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-04-22 | Panasonic Corporation | Three-dimensional integrated circuit having redundant relief structure for chip bonding section |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060082496A (ko) | 2006-07-19 |
US7781851B2 (en) | 2010-08-24 |
US20060163689A1 (en) | 2006-07-27 |
US20100285654A1 (en) | 2010-11-11 |
KR100652395B1 (ko) | 2006-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006196899A (ja) | ダイの反りが抑制された半導体素子及びその製造方法 | |
US7602047B2 (en) | Semiconductor device having through vias | |
US7777345B2 (en) | Semiconductor device having through electrode and method of fabricating the same | |
KR101286644B1 (ko) | 더미 게이트부를 포함한 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
KR101717549B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
JP2006196899A5 (ja) | ||
JP5426130B2 (ja) | ストレージノードを有する半導体装置及びその形成方法 | |
JP2007207878A (ja) | 半導体装置 | |
TW201044522A (en) | Interconnect structure for a semiconductor device and related method of manufacture | |
JP2007035771A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011108690A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI571964B (zh) | 半導體結構與其製備方法 | |
KR20060097442A (ko) | 그루브들을 갖는 본딩패드 및 그 제조방법 | |
JP7134902B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014236158A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4330523B2 (ja) | スプリットゲート型フラッシュメモリ素子のダミー層の形成方法 | |
US20190214345A1 (en) | Semiconductor device including conductive patterns and method of fabricating the same | |
JP2006293376A (ja) | 位相シフトマスク | |
KR100927412B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP4190084B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR101076781B1 (ko) | 반도체 소자 및 그의 형성 방법 | |
JP2007214433A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR101897653B1 (ko) | 컴플라이언트 범프의 제조방법 | |
KR101688081B1 (ko) | Ets 구조 | |
KR100876885B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121218 |