JP2006179859A - Substrate heating device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板加熱装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate heating apparatus.
例えば液晶パネル用のアレイ基板に形成されるＴＦＴは、ガラス基板等の透明基板の表面に薄膜を成膜し、この薄膜上にフォトレジスト膜を成膜した後、この薄膜及びフォトレジスト膜が設けられた基板を加熱装置により加熱して前記フォトレジスト膜を乾燥・硬化せしめ、前記加熱により高温状態となった基板を冷却装置により冷却し、所定部位のフォトレジスト膜を露光・現像してポストベーキングを行った後、前記フォトレジスト膜が除去された部位をエッチングし、未露光の前記フォトレジスト膜を剥離せしめることで所望の回路パターンを形成する所謂フォトリソグラフィー工程を繰り返して行うことで形成されている。尚、一般的にアレイ基板にはポジ型のフォトレジスト膜が採用されるため上記のような工程となるが、例えば前記アレイ基板と組み合わせられるカラーフィルター基板のカラーフィルター部等を形成する際に使用されるネガ型のフォトレジスト膜を採用した場合、現像時に未露光のフォトレジスト膜が全て除去されるため、上記のエッチング工程は不要となる。 For example, a TFT formed on an array substrate for a liquid crystal panel is formed by forming a thin film on the surface of a transparent substrate such as a glass substrate, forming a photoresist film on the thin film, and then providing the thin film and the photoresist film. The resulting substrate is heated by a heating device to dry and cure the photoresist film, the substrate that has been brought to a high temperature by the heating is cooled by a cooling device, and the photoresist film at a predetermined portion is exposed and developed to be post-baked. Is formed by repeatedly performing a so-called photolithography process of forming a desired circuit pattern by etching the portion where the photoresist film has been removed and peeling off the unexposed photoresist film. Yes. In general, a positive type photoresist film is used for the array substrate, and thus the process is as described above. For example, it is used when forming a color filter portion of a color filter substrate combined with the array substrate. When the negative type photoresist film to be used is employed, since the unexposed photoresist film is completely removed at the time of development, the above-described etching process becomes unnecessary.
ところで、上記基板を加熱する基板加熱装置は、一般的に、基板の略全面を均一に加熱する加熱板及びこの加熱板に設けられる均熱板と、この加熱板及び均熱板に設けた多数のピン孔から貫通突出・没入退避自在に設けられる基板受け取り支承用の多数のリフターピンとこの多数のリフターピンを進退駆動するピン駆動部とから成る基板受け取り機構とを備え、この基板受け取り機構は、前記リフターピンを加熱板及び均熱板のピン孔から貫通突出させてこのリフターピンで基板を支承して基板を受け取り、この突出状態のリフターピンを加熱板及び均熱板に没入させることで基板を加熱部に当接若しくは近接状態に載置して加熱部により基板の略全面を均一に加熱する構成である。 By the way, the substrate heating apparatus for heating the substrate is generally a heating plate that uniformly heats substantially the entire surface of the substrate, a soaking plate provided on the heating plate, and a large number provided on the heating plate and the soaking plate. A board receiving mechanism comprising a large number of lifter pins for supporting and receiving a board that are provided so as to be freely projecting through and retracting from the pin holes of the board, and a pin driving unit that drives the multiple lifter pins to move forward and backward. The lifter pin is penetrated and protruded from the pin hole of the heating plate and the soaking plate, the substrate is supported by the lifter pin, the substrate is received, and the protruding lifter pin is immersed in the heating plate and the soaking plate. Is placed in contact with or close to the heating unit, and the heating unit uniformly heats substantially the entire surface of the substrate.
この従来の基板加熱装置においては、加熱板により基板を加熱する際、リフターピンは加熱板若しくは均熱板内に先端部が位置した状態でピン孔内に待機せしめられている。 In this conventional substrate heating apparatus, when the substrate is heated by the heating plate, the lifter pin is made to wait in the pin hole in a state where the tip portion is located in the heating plate or the soaking plate.
しかしながら、上記加熱板及び均熱板は加熱されるため、この加熱板及び均熱板内で待機しているリフターピン、特に基板を支承するこのリフターピンの先端部も加熱されてしまい、この加熱された先端部により基板を受け取り支承すると、この加熱されたリフターピンと当接した基板の一部も熱されることになる。 However, since the heating plate and the soaking plate are heated, the lifter pins waiting in the heating plate and the soaking plate, particularly the tip portions of the lifter pins that support the substrate are also heated. When the substrate is received and supported by the tip, the part of the substrate that is in contact with the heated lifter pin is also heated.
基板の一部が熱されると、基板に形成される薄膜の特性が局所的に変化してしまうため、均一な特性が発揮されないことになり、品質が低下するおそれがある。 When a part of the substrate is heated, the characteristics of the thin film formed on the substrate are locally changed, so that uniform characteristics are not exhibited and the quality may be deteriorated.
具体的には、上記フォトレジスト膜が加熱されることでフォトレジスト膜の硬化が促進し、現像時の現像性（溶解性）が悪化し、本来除去されるべきフォトレジスト膜が残存してしまい、結果として回路パターンの一部の線幅が太くなってしまい、ある領域に線幅が太い部分と細い部分とが混在すると画面に表示ムラが発生してしまう。 Specifically, when the photoresist film is heated, curing of the photoresist film is accelerated, developability (solubility) during development is deteriorated, and a photoresist film that should be originally removed remains. As a result, the line width of a part of the circuit pattern becomes thick, and when a portion having a large line width and a thin portion are mixed in a certain region, display unevenness occurs on the screen.
また、上記アレイ基板及びカラーフィルター基板にインクジェット印刷により形成される配向膜をプリベークする際に前記加熱されたリフターピンで基板を受け取り支承すると、このリフターピンとの当接部分のみ溶媒の揮発条件が変化してムラとなり、局所的に液晶の配向状態が変わることで、このアレイ基板及びカラーフィルター基板を組み合わせて液晶パネルを構成した際、画面に表示ムラが発生してしまう。 Also, when the substrate is received and supported by the heated lifter pin when pre-baking the alignment film formed by inkjet printing on the array substrate and the color filter substrate, the volatilization condition of the solvent changes only at the contact portion with the lifter pin. As a result, the alignment state of the liquid crystal locally changes, and when the liquid crystal panel is configured by combining the array substrate and the color filter substrate, display unevenness occurs on the screen.
そこで、例えば、上述のようなリフターピンを用いずに、基板のエッジ部（外周縁部）を支承する構成も提案されているが、近年では基板の大型化・分割等が要望されていることから、サイズの変更が頻繁に行われるため、予め決まったサイズの基板のエッジ部を支持する構成は汎用性に劣り、また、大型の基板を支承する場合、そのエッジ部のみを支承する構成では安定性を欠き、実用的でない。 Therefore, for example, a configuration for supporting the edge portion (outer peripheral edge portion) of the substrate without using the lifter pins as described above has been proposed, but in recent years, there has been a demand for an increase in size and division of the substrate. Therefore, since the size is frequently changed, the configuration for supporting the edge portion of the substrate of a predetermined size is inferior in versatility, and when supporting a large substrate, only the edge portion is supported. It lacks stability and is not practical.
本発明は上述のような問題点を解決したもので、基板サイズの変更に柔軟に対応できるのは勿論、リフターピンにより基板を局所的に加熱することがなく、基板に成膜した塗布膜等の被膜や積層物の特性が不均一となることを阻止でき、高品質な基板を作製できる極めて実用性に秀れた基板加熱装置を提供するものである。 The present invention solves the above-mentioned problems, and can be flexibly adapted to changes in the size of the substrate, as well as a coating film formed on the substrate without locally heating the substrate with lifter pins. The present invention provides a substrate heating apparatus that can prevent the properties of the coating film and the laminate from becoming non-uniform and can produce a high-quality substrate and is extremely practical.
添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。 The gist of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
表面に被膜を形成若しくは積層物を積層した基板１の略全面を均一に加熱する加熱部２と、この加熱部２に設けた多数のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設けられる基板受け取り支承用の多数のリフターピン５とこの多数のリフターピン５を進退駆動するピン駆動部６とから成る基板受け取り機構とを備え、この基板受け取り機構は、前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出させてこのリフターピン５で基板１を支承して基板１を受け取り、この突出状態のリフターピン５を加熱部２に没入させることで基板１を加熱部２に近接状態に載置して加熱部２により基板１の略全面を均一に加熱するように構成した基板加熱装置であって、前記リフターピン５で受け取り支承した前記基板１を加熱部２に載置させるべく没入退避させる前記リフターピン５を、この加熱部２内で待機させることなく加熱部２より更に下方位置まで前記ピン駆動部６により没入退避し得るように構成し、この加熱部２より下方位置からピン駆動部６により前記リフターピン５を加熱部２から貫通突出自在に構成したことを特徴とする基板加熱装置に係るものである。
A
また、表面にフォトレジスト膜１ａや配向膜等の塗布膜が形成された基板１の略全面を均一に加熱する加熱部２と、この加熱部２に設けた多数のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設けられる基板受け取り支承用の多数のリフターピン５とこの多数のリフターピン５を進退駆動するピン駆動部６とから成る基板受け取り機構とを備え、この基板受け取り機構は、前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出させてこのリフターピン５で基板１を支承して基板１を受け取り、この突出状態のリフターピン５を加熱部２に没入させることで基板１を加熱部２に当接若しくは近接状態に載置して加熱部２により基板１の略全面を均一に加熱することで前記フォトレジスト膜１ａや配向膜等の塗布膜のプリベークを行うように構成した基板加熱装置であって、前記リフターピン５で受け取り支承した前記基板１を加熱部２に載置させるべく没入退避させる前記リフターピン５を、この加熱部２内で待機させることなく加熱部２より更に下方位置まで前記ピン駆動部６により没入退避し得るように構成し、この加熱部２より下方位置からピン駆動部６により前記リフターピン５を加熱部２から貫通突出自在に構成したことを特徴とする基板加熱装置に係るものである。
In addition, a
また、前記加熱部２に設けたピン孔３と連通する進退用延長ピン孔部４を設け、この進退用延長ピン孔部４及び前記ピン孔３に沿って前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設け、この進退用延長ピン孔部４を介してリフターピン５を加熱部２の下方位置まで没入退避し得るように構成したことを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載の基板加熱装置に係るものである。
Further, an extension / retraction extension
また、前記加熱部２の下方位置に退避した前記リフターピン５を冷却する冷却機構10を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板加熱装置に係るものである。
4. The substrate heating apparatus according to claim 1, further comprising a
また、前記冷却機構10に前記進退用延長ピン孔部４を設けて、この進退用延長ピン孔部４まで没入退避させたリフターピン５をこの冷却機構10により冷却し得るように構成したことを特徴とする請求項４記載の基板加熱装置に係るものである。
Further, the forward / backward extension
また、前記加熱部２の下方位置に退避した前記リフターピン５に前記加熱部２の熱の伝導若しくは放射熱を抑制する断熱部７を前記加熱部２と前記退避したリフターピン５との間に介在したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板加熱装置に係るものである。
Further, a
また、前記加熱部２の下方位置に退避した前記リフターピン５に前記加熱部２の熱の伝導若しくは放射熱を抑制する断熱部７を前記加熱部２と前記退避したリフターピン５との間に介在せしめ、この断熱部７に前記加熱部２に設けたピン孔３と連通する進退用延長ピン孔部４を設け、この断熱部７に設けた進退用延長ピン孔部４及び前記ピン孔３に沿って前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設け、この断熱部７に設けた進退用延長ピン孔部４を介してリフターピン５を加熱部２の下方位置まで没入退避し得るように構成したことを特徴とする請求項２記載の基板加熱装置に係るものである。
Further, a
また、前記加熱部２の下方位置に退避した前記リフターピン５に前記加熱部２の熱の伝導若しくは放射熱を抑制する断熱部７を前記加熱部２と前記退避したリフターピン５との間に介在せしめ、この断熱部７の下方位置に前記リフターピン５を冷却する冷却機構10を設け、前記断熱部７及び冷却機構10に前記進退用延長ピン孔部４を設けて、この冷却機構10に設けた進退用延長ピン孔部４まで没入退避させたリフターピン５をこの冷却機構10により冷却し得るように構成したことを特徴とする請求項５記載の基板加熱装置に係るものである。
Further, a
また、前記加熱部２上に均熱板８を設け、この加熱部２及び均熱板８に設けた前記ピン孔３から突出した前記リフターピン５によって前記基板１を受け取り支承し、このリフターピン５が均熱板８に没入することで基板１を加熱部２上の均熱板８に当接若しくは近接状態に載置するように構成し、この均熱板８に基板１を支持する多数の突起部９を設けたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板加熱装置に係るものである。
Further, a
本発明は、上述のように構成したから、基板サイズの変更に柔軟に対応できるのは勿論、リフターピンが退避時に加熱されにくく、これにより基板を局所的に加熱することがなく、基板に成膜した塗布膜等の被膜や積層物の特性が不均一となることを阻止でき、高品質な基板を作製できる極めて実用性に秀れた基板加熱装置となる。 Since the present invention is configured as described above, it can be flexibly adapted to changes in the substrate size, and the lifter pins are not easily heated during retraction, thereby preventing the substrate from being locally heated and being formed on the substrate. This makes it possible to prevent non-uniform characteristics of the coating film such as a coated film or a laminate, and to provide a substrate heating apparatus excellent in practicality capable of producing a high-quality substrate.
また、請求項３に記載の発明においては、簡易な制御でスムーズにリフターピンを進退駆動し得ることになる。
In the invention according to
また、請求項４〜８に記載の発明においては、基板が局所的に加熱されることを一層良好に阻止できると共に、加熱部とこの加熱部より更に下方位置に没入退避するリフターピンとの間隔を一層狭くできることになる。
In the inventions according to
また、請求項９に記載の発明においては、一層良好に基板の略全面を均一に加熱してより一層高品質の基板を作製できることになる。
In the invention described in
好適と考える本発明の実施形態（発明をどのように実施するか）を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。 Embodiments of the present invention that are considered suitable (how to carry out the invention) will be briefly described with reference to the drawings, illustrating the operation of the present invention.
成膜装置により塗布膜が積層された基板１を、加熱部２から貫通突出させたリフターピン５で受け取り支承し、このリフターピン５を加熱部２に没入退避させることで基板１を下降させて加熱部２に載置し、この基板１を加熱部２により加熱・乾燥後、リフターピン５を加熱部２から貫通突出させることで基板１を上昇させて外部に受け渡す。
The substrate 1 on which the coating film is laminated by the film forming apparatus is received and supported by the
この際、リフターピン５は、加熱部２内で待機させることなく加熱部２より更に下方位置まで没入退避させることができるから、この加熱部２により基板１を加熱する際、この加熱部２より下方位置まで没入退避させておくことで、従来のように加熱部２内で待機させておく場合に比し、リフターピン５は加熱部２により加熱されにくくなる。
At this time, the
従って、リフターピン５により受け取り支承される基板１が局所的に加熱されてしまうことを阻止でき、よって、基板１に形成された塗布膜の品質を均一に保つことが可能となる。 Accordingly, it is possible to prevent the substrate 1 received and supported by the lifter pins 5 from being locally heated, and thus the quality of the coating film formed on the substrate 1 can be kept uniform.
特に、例えば、加熱部２より更に下方位置まで没入退避したリフターピン５を冷却し得る冷却機構10を設けたり、この没入退避したリフターピン５と加熱部２との間に、この加熱部２の熱の伝導若しくは放射熱を抑制する断熱部７を介在したりすることで、このリフターピン５が加熱部２により一層加熱されにくくなり、従来のようにリフターピン５が加熱部３により加熱されず、加熱されたリフターピン５で基板１を受け取り支承するために基板１が局所的に熱されてしまうという問題は生じないから、一層高品質の基板１を簡易に作製できることになり、更に、加熱部２とこの加熱部２より下方位置まで没入退避したリフターピン５との距離が短くても、リフターピン５により基板１が局所的に加熱されることを良好に阻止できるから、加熱部２とこの加熱部２より下方位置まで没入退避せしめるリフターピン５との間隔を狭くして装置のコンパクト化を図れることになる。
In particular, for example, a
また、基板のエッジ部を支承する構成ではなく、多数のリフターピン５により多数点で基板１を支承・搬送する構成であるから、基板１の大きさが変わっても良好に支承できることになり、基板サイズの変更に対応して構造を変更する必要がないのは勿論、大型の基板１であっても確実に支承でき、それだけ汎用性に秀れたものとなる。
Moreover, since it is not the structure which supports the edge part of a board | substrate, but the structure which supports and conveys the board | substrate 1 by many points with
更に、本発明は、リフターピン５をピン駆動部６により加熱部２に設けたピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設ければ良く、特別な構成を付与する必要がないから、コスト安に既存の設備に適用できることになる。
Further, according to the present invention, the
また、例えば、前記加熱部２に設けたピン孔３と連通する進退用延長ピン孔部４を設け、この進退用延長ピン孔部４及び前記ピン孔３に沿って前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設け、この進退延長ピン孔部４を介してリフターピン５を加熱部２の下方位置まで没入退避し得るように構成した場合には、リフターピン５をピン孔３と進退用延長ピン孔部４とにより良好にガイドすることができ、簡易な制御でスムーズにリフターピン５を進退駆動し得ることになる。
Further, for example, an advance / retreat extension
また、例えば、前記加熱部２上に均熱板８を設け、この加熱部２及び均熱板８に設けた前記ピン孔３から突出した前記リフターピン５によって前記基板１を受け取り支承し、このリフターピン５が均熱板８に没入することで基板１を加熱部２上の均熱板８上に載置するように構成し、この均熱板８に基板１を支持する多数の突起部９を設けた場合には、一層良好に基板１の略全面を均一に加熱してより一層高品質の基板１を作製できることになる。
Further, for example, a soaking
従って、本発明は、基板サイズの変更に柔軟に対応できるのは勿論、リフターピンにより基板を局所的に加熱することがなく、基板に成膜した塗布膜等の被膜や積層物の特性が局所的に変化することを阻止でき、高品質な基板を作製できる極めて実用性に秀れた基板加熱装置となる。 Therefore, the present invention can flexibly cope with a change in the substrate size, and does not locally heat the substrate with the lifter pins, so that the characteristics of the coating film such as a coating film formed on the substrate and the characteristics of the laminate are local. Therefore, the substrate heating apparatus is excellent in practicality and can produce a high-quality substrate.
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。 Specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施例は、表面にフォトレジスト膜１ａを形成した基板１の略全面を均一に加熱する加熱部２と、この加熱部２に設けた多数のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設けられる基板受け取り支承用の多数のリフターピン５とこの多数のリフターピン５を進退駆動するピン駆動部６とから成る基板受け取り機構とを備え、この基板受け取り機構は、前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出させてこのリフターピン５で基板１を支承して基板１を受け取り、この突出状態のリフターピン５を加熱部２に没入させることで基板１を加熱部２に近接状態に載置して加熱部２により基板１の略全面を均一に加熱するように構成した基板加熱装置であって、前記リフターピン５で受け取り支承した前記基板１を加熱部２に載置させるべく没入退避させる前記リフターピン５を、この加熱部２内で待機させることなく加熱部２より更に下方位置まで前記ピン駆動部６により没入退避し得るように構成し、この加熱部２より下方位置からピン駆動部６により前記リフターピン５を加熱部２から貫通突出自在に構成したものである。
In this embodiment, a
本実施例においては、図１に図示したように、筐体20に多段に設けた収納部20ａに加熱部２と基板受け取り機構とを夫々設けた構成である。尚、本実施例においては収納部20ａを上下方向に並設しているが、左右方向に並設した構成としても良い。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the
本実施例においては、図２，３に図示したように基板１よりやや広めの加熱部２（加熱板）の上に、この加熱部２と略同じ広さを有する均熱板８を載置重合している。この加熱部２と均熱板８とにはリフターピン５が通過するピン孔３を多数並設状態に穿設している。具体的にはこのピン孔３は平面視格子状となるように加熱部２及び均熱板８に設けている。ピン孔３はリフターピン５が通過し得る径であれば良く、基板１を均一に加熱するために可及的に小さい方が望ましい。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, a
この加熱部２としては、通電により発熱するシーズヒータを埋め込んだアルミ板材などの通電発熱材から成るものが採用されており、均熱板８としては、この加熱部２からの熱を基板１（のフォトレジスト膜１ａ）に均一に付与するために、アルミ板材などの高熱伝導性材料から成るものが採用されている。
The
具体的には、加熱部２及び均熱板８に設けた前記ピン孔３から突出した前記リフターピン５によって前記基板１を受け取り支承し、このリフターピン５が均熱板８に没入することで基板１を加熱部２上の均熱板８上に載置するように構成し、この均熱板８に基板１を支持する多数の突起部９を平面視格子状となるように並設状態に突設している。
Specifically, the substrate 1 is received and supported by the lifter pins 5 protruding from the pin holes 3 provided in the
この突起部９としては、均熱板８とは反対に、樹脂などの低熱伝導性材料から成るものを採用するのが好ましい。基板１は均熱板８上の多数の突起部９に支承されて載置されることになるが、この場合、基板１の突起部９との当接部のみに熱が伝わりやすく、ムラができてしまうことから、この突起部９からの基板１へ直接熱が伝導することを可及的に防ぐためである。また、この突起部９は、着脱自在に設定されている。
It is preferable to employ a projection made of a low thermal conductivity material such as a resin, as opposed to the soaking
尚、本実施例においては、ピン孔３及び突起部９を加熱部２若しくは均熱板８に夫々平面視格子状となるように設けているが、千鳥状等、他の配列としても良い。
In the present embodiment, the pin holes 3 and the
また、このピン孔３と連通する進退用延長ピン孔部４を設け、この進退用延長ピン孔部４及び前記ピン孔３に沿って前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設け、この進退用延長ピン孔部４を介してリフターピン５を加熱部２の下方位置まで没入退避し得るように構成している。
Further, an extension / retraction extension
具体的には、前記加熱部２の下方に、前記加熱部２の下方位置に退避した前記リフターピン５に前記加熱部２の熱の伝導若しくは放射熱を抑制する断熱材からなる断熱部７を前記加熱部２と前記退避したリフターピン５との間に介在し、この断熱部７に前記進退用延長ピン孔部４を設けている。断熱材としては樹脂などを採用すると良い。
Specifically, a
更に、この断熱部７の下方に、断熱部７の下方位置に退避したリフターピン５の先端部５ａを冷却する冷却機構10を設けている。この冷却機構10にも前記進退用延長ピン孔部４を設けている。従って、この冷却機構10に設けた進退用延長ピン孔部４と断熱部７に設けた進退用延長ピン孔部４とを介して細長く不安定なリフターピン５を径小なピン孔３に安定的に且つスムーズに挿入できることになる。
Furthermore, a
この進退用延長ピン孔部４が設けられる断熱部７及び冷却機構10は、図３に図示したように加熱部２及び均熱板８と異なり、板状でなくこの加熱部２と均熱板８とに設けたピン孔３と連通する進退用延長ピン孔部４を囲繞するような筒状体に形成され、多数のピン孔３の下方に夫々設けた構成としている。従って、既存の設備にも簡単に後付することができることになる。尚、断熱部７及び冷却機構10を加熱部２及び均熱板８と同様に板状に設定する等、他の構成としても良い。
As shown in FIG. 3, the
また、進退用延長ピン孔部４は、ピン孔３と同様、リフターピン５が通過し得る径であれば良く、特に、断熱部７の進退用延長ピン孔部４は、加熱部２からのこの加熱部２の下方に位置するリフターピン５への熱の影響を抑制するために可及的に小さい径に設定するのが望ましい。従って、例えば冷却機構10の進退用延長ピン孔部４をやや径大に設定し、断熱部７の進退用延長ピン孔部４及びピン孔３をやや径小に設定することで、加熱部２下方への熱の影響を可及的に少なくしつつリフターピン５の安定的且つスムーズな挿入を達成できることになる。
Further, the advance / retreat extension
本実施例のリフターピン５は、このリフターピン５の先端部５ａが、少なくとも加熱部２に設けたピン孔３から抜出する位置まで没入退避し得るように構成している。具体的には、リフターピン５を前記冷却機構10の進退用延長ピン孔部４までピン駆動部６により没入退避し得るように構成し、この冷却機構10の進退用延長ピン孔部４からピン駆動部６によりリフターピン５を加熱部２から貫通突出自在に構成している。
The
従って、リフターピン５は、前記加熱部２により基板１を加熱する際、加熱される加熱部２若しくは均熱板８内に位置せしめないように設定することで、リフターピン５が加熱部２により加熱されず、基板１を受け取り支承しても、この基板１のリフターピン５の先端部５ａとの当接部が加熱されないことになり、基板１上のフォトリソグラフィー工程時に用いられる公知のフォトレジスト膜１ａの特性を可及的に均一にすることができる。即ち、フォトレジスト膜１ａの一部の現像性が悪化することが阻止されるから、回路パターンの一部の線幅が太くなってしまうことを防止できることになり、極めて良好な表示品質を達成できることになる。
Accordingly, the
尚、本実施例においては、塗布膜として基板１にスパッタ法やＣＶＤ法により成膜された薄膜状にコーター等の適宜な塗布手段により塗布されたフォトレジスト膜１ａを採用しているが、例えば配向膜等、他の塗布膜が形成されていても良い。 In this embodiment, a photoresist film 1a applied to the substrate 1 by a suitable coating means such as a coater in the form of a thin film formed on the substrate 1 by sputtering or CVD is used as the coating film. Other coating films such as an alignment film may be formed.
リフターピン５を進退駆動するピン駆動部６は、加熱部２の下方位置に設けられるサーボモータ17と、このサーボモータ17の駆動軸と連結されアーム22を駆動するアーム駆動部21（カムクランク）と、このアーム22と連結され、アーム22の駆動により上下方向に移動せしめられ、複数のリフターピン５の基端部が固定されるピン搬送部18とから成り、サーボモータ17の駆動を適宜に制御してピン搬送部18を上下方向に移動せしめることで、このピン搬送部18に固定される複数のリフターピン５を同時に進退駆動するように構成している。
The
本実施例においては、図４に図示したように、ピン搬送部18に全てのリフターピン５を固定して全てのリフターピン５を一のサーボモータ17で同時に進退駆動し得るように構成している。
In the present embodiment, as shown in FIG. 4, all
従って、各リフターピン５を別個に進退駆動せしめることなく、まとめて制御できることになり、それだけ装置の簡略化を図ることができ、また、各リフターピン５の駆動量をリンクさせることが容易で基板１をより安定的に水平状態で受け取り支承できることになる。 Accordingly, the lifter pins 5 can be collectively controlled without being driven forward and backward separately, so that the apparatus can be simplified, and the drive amount of the lifter pins 5 can be easily linked. 1 can be received and supported in a horizontal state more stably.
具体的には、ピン駆動部６は、リフターピン５を、進退駆動中に途中で止めることなく一連の突出動作で基板１を受け取り支承する位置若しくは一連の没入動作で退避位置（冷却機構10）まで駆動せしめるように構成している。よって、リフターピン５の駆動制御は極めて容易で且つ加熱部２及び均熱板８からの熱の影響を可及的に低減できることになる。
Specifically, the
また、本実施例は、上述のような冷却機構10を設けたため、リフターピン５を長くし、且つリフターピン５を加熱部２及び均熱板８内で待機せしめないようにリフターピン５の搬送ストロークを長くしている。そのため、これらに起因して加熱部２の下方空間が拡大してしまうことは避けられない。そこで、この拡大を可及的に抑制するために、図９に図示したように、ピン駆動部６のアーム駆動部21のアーム22と連結する駆動軸23がピン搬送部18の上下可動範囲内、即ちピン搬送部18の可動範囲の下限位置より上方（具体的には上下可動範囲の略中央）に位置するように配設せしめ、また、軸25が挿通するスライドブッシュ26をピン搬送部18の上方に突出した状態で設けた構成としている。
Further, in the present embodiment, since the
また、アーム22はピン搬送部18と連結体24を介して連結され、この連結体24にはアーム先端部に取り付けられたナット29がスライド自在に保持される溝30が形成されており、アーム22の回転に伴いナット29が溝30内をスライド移動するように構成している。従って、アーム22を駆動することでピン搬送部18は上下方向に水平移動する。尚、図中符号28はアーム駆動部21等が設けられる底板27を支持する柱である。
Further, the
上記図９に図示した構成によれば、図１０に図示したような、アーム駆動部53のアーム52と連結する駆動軸51がピン搬送部18の可動範囲の下限位置より下方に位置し、且つ軸25が挿通するスライドブッシュ26がピン搬送部18の下方に突出した状態で設けた従来からある構造のピン駆動部50を採用した場合に比して、アーム駆動部21の駆動軸23より下方のスペースを縮小でき、また、スライドブッシュ26をピン搬送部18の上方に突出した状態とすることで、加熱部２の下方に設けた冷却機構10により形成される無駄な空間を有効利用できるから、加熱部２の下方空間の拡大を可及的に抑制できることになる。尚、図中符号54は、アーム52とピン搬送部18とを連結する連結体である。
According to the configuration shown in FIG. 9, the
具体的には、図１０に図示した構成のピン駆動部50を採用した場合には加熱部２の下方空間の寸法は４３４ｍｍとなるところ、図９に図示した構成によれば、前記寸法を３１０ｍｍとして、１２４ｍｍの省スペース化を達成でき、それだけ上記構成に起因する加熱部２の下方空間の拡大を抑制できるから、図１０のピン搬送部50を採用する場合に比し、収納部20ａを筐体20により多段に設けることが可能になる（若しくは筐体20の小型化を図れることになる。）。
Specifically, when the
また、図５に図示したようにリフターピン５の先端部５ａは着脱自在に設定されており、上述の均熱板８の突起部９と同様、樹脂などの低熱伝導性材料から成るものを採用している。従って、この点からも基板１上のフォトレジスト膜１ａの特性の不均一化は阻止できる。尚、リフターピン５の先端部５ａ以外の部分も前記低熱伝導性材料で形成するのが望ましい。
Further, as shown in FIG. 5, the
本実施例の冷却機構10は、図６に図示したように中心部に進退延長用ピン孔部４が穿設され、リフターピン５の先端側を略囲繞する形状に設定された冷却部11と、この冷却部11に冷却媒体としてのエアーを送風するエアー送風部31とを有し、冷却部11にリフターピン５にエアーを吹き付けるための吹き付け孔11ａを設け、このエアー送風部31からのエアーによりリフターピン５を直接冷却し得るように構成している。尚、符号19はエアー送風部31から冷却部11へエアーを送風するための送風路である。また、図４に図示したように、エアーはエアー送風部31から複数の冷却部11に夫々送風される。
As shown in FIG. 6, the
従って、本実施例は、加熱部２とこの加熱部２より更に下方位置に没入退避したリフターピン５との間に断熱部７を設け、この断熱部７の下方にリフターピン５の先端側を略囲繞する冷却部11を有する冷却機構10を設けたから、加熱部２とリフターピン５との間隔を最小限に抑えつつ、このリフターピン５の加熱部２による加熱を確実に阻止できる構成である。
Therefore, in the present embodiment, the
具体的には、エアー送風部31は、公知のボルテックスチューブとコンプレッサとから成り、このコンプレッサからの圧縮エアーをボルテックスチューブに導入することにより、断熱膨張を利用して冷却せしめたエアーを前記リフターピン５に吹き付けるように構成している。尚、他の手段により冷却したエアーを吹き付けても良い。
Specifically, the
また、本実施例においては、上述のような冷却機構10を採用しているが、他の構成、例えば、図７に図示したように冷却部12に、供給路13から供給される水等の適宜な冷却液を流通せしめる流通孔12ａを設けて、この冷却液により冷却部12を冷却することでリフターピン５を冷却する構成や、図８に図示したように冷却部14に冷却面が面接するようにペルチェ素子15を設け、このペルチェ素子15にコード16から電流を流してその吸熱作用により冷却部14を冷却する構成としても良い。この場合には、冷却部12，14により間接的にリフターピン５を冷却する構成であるから、冷却部12，14に穿設される進退用延長ピン孔部４は可及的に径小とするのが望ましい。
Further, in the present embodiment, the
本実施例は上述のように構成したから、成膜装置によりフォトレジスト膜１ａが形成された基板１を、加熱部２から貫通突出させたリフターピン５で受け取り支承し、このリフターピン５を加熱部２に没入退避させることで基板１を下降させて加熱部２に載置し、この基板１を加熱部２により加熱・乾燥後、リフターピン５を加熱部２から貫通突出させることで基板１を上昇させて外部に受け渡す際、リフターピン５は、加熱部２内で待機させることなく加熱部２より更に下方位置まで没入退避させることができるから、この加熱部２により基板１を加熱する際、この加熱部２より下方位置まで没入退避させておくことで、従来のように加熱部２内で待機させておく場合に比し、リフターピン５は加熱部２により加熱されにくくなる。
Since the present embodiment is configured as described above, the substrate 1 on which the photoresist film 1a is formed by the film forming apparatus is received and supported by the
従って、リフターピン５が加熱されにくくなることで、このリフターピン５により受け取り支承される基板１が局所的に加熱されてしまうことを阻止でき、よって、基板１に形成されたフォトレジスト膜１ａの品質を均一に保つことが可能となる。
Accordingly, since the
特に、加熱部２より更に下方位置まで没入退避したリフターピン５を冷却し得る冷却機構10を設けると共に、この没入退避したリフターピン５と加熱部２との間に、この加熱部２の熱の伝導若しくは放射熱を抑制する断熱部７を介在したから、このリフターピン５が加熱部２により加熱されることを確実に阻止でき、従来のようにリフターピン５が加熱部３により加熱されず、加熱されたリフターピン５で基板１を受け取り支承するために基板１が局所的に熱されてしまうという問題は生じないから、一層高品質の基板１を簡易に作製できることになり、更に、加熱部２とこの加熱部２より下方位置まで没入退避したリフターピン５との距離が短くても、リフターピン５が加熱されることを阻止できるから、装置のコンパクト化を図れることになる。
In particular, a
また、基板のエッジ部を支承する構成ではなく、多数のリフターピン５により多数点で基板１を支承・搬送する構成であるから、基板１の大きさが変わっても良好に支承できることになり、基板サイズの変更に対応して構造を変更する必要がないのは勿論、大型の基板１であっても確実に支承でき、それだけ汎用性に秀れたものとなる。
Moreover, since it is not the structure which supports the edge part of a board | substrate, but the structure which supports and conveys the board | substrate 1 by many points with
更に、本実施例は、リフターピン５をピン駆動部６により加熱部２に設けたピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設ければ良く、特別な構成を付与する必要がないから、コスト安に既存の設備に適用できることになる。
Furthermore, in this embodiment, the
また、前記加熱部２に設けたピン孔３の下方に断熱部７と冷却機構10とを連設状態に設け、この断熱部７と冷却機構10に夫々前記ピン孔３と連通する進退用延長ピン孔部４を設け、この進退用延長ピン孔部４及び前記ピン孔３に沿って前記リフターピン５を加熱部２のピン孔３から貫通突出・没入退避自在に設け、この進退用延長ピン孔部４を介してリフターピン５を加熱部２の下方位置まで没入退避し得るように構成したから、リフターピン５をピン孔３と進退用延長ピン孔部４とにより良好にガイドすることができ、それだけスムーズにリフターピン５を進退駆動し得ることになる。
Further, a
また、前記加熱部２上に均熱板８を設け、この加熱部２及び均熱板８に設けた前記ピン孔３から突出した前記リフターピン５によって前記基板１を受け取り支承し、このリフターピン５が均熱板８に没入することで基板１を加熱部２上の均熱板８上に載置するように構成し、この均熱板８に基板１を支持する多数の突起部９を設けたから、一層確実に基板１の略全面を均一に加熱してより一層高品質の基板１を作製できることになる。
Further, a soaking
従って、本実施例は、基板サイズの変更に柔軟に対応できるのは勿論、リフターピンにより基板を局所的に加熱することがなく、基板に成膜した被膜や積層物の特性が局所的に変化することを阻止でき、高品質な基板を作製できる極めて実用性に秀れた基板加熱装置となる。 Therefore, this embodiment can flexibly cope with the change in the substrate size, and does not locally heat the substrate by the lifter pins, and the characteristics of the film or laminate formed on the substrate change locally. Therefore, the substrate heating apparatus is excellent in practicality and capable of producing a high-quality substrate.
尚、本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。 The present invention is not limited to the present embodiment, and the specific configuration of each component can be designed as appropriate.
１ 基板
１ａ フォトレジスト膜
２ 加熱部
３ ピン孔
４ 進退用延長ピン孔部
５ リフターピン
６ ピン駆動部
７ 断熱部
８ 均熱板
９ 突起部
10 冷却機構
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate
10 Cooling mechanism
Claims (9)
A soaking plate is provided on the heating unit, the substrate is received and supported by the lifter pins protruding from the pin holes provided in the heating unit and the soaking plate, and the lifter pins are immersed in the soaking plate. 9. The substrate is configured to be placed in contact with or in close proximity to a soaking plate on a heating unit, and a plurality of protrusions for supporting the substrate are provided on the soaking plate. The substrate heating apparatus according to any one of the above.
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