JP2006179051A - 磁気抵抗センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レジストマスクのリフトオフ残りやフェンスの発生を抑え、磁気抵抗効果膜のトラック幅方向側壁面又は素子高さ方向側壁面に付着した再付着物の除去を容易にすることにより、高出力の磁気抵抗センサを提供する。
【解決手段】トラック形成工程及び素子高さ形成工程における、フェンスやレジストマスクのリフトオフ残りを解決する手段として、磁気抵抗効果膜3の上に第一のストッパー層41を、リフィル膜6の上に第二のストッパー層42を配し、CMPによってリフトオフを行う。少なくとも第一のストッパー層をCMP研磨レートの遅い金属とすることによって、磁気抵抗効果膜と第一のストッパー層を同時にエッチングしパターンを形成する。これによって、RIEによるレジストマスクの高さの減少を抑えることができ、リフトオフ残りを防ぐことができる。
【選択図】 図7
【解決手段】トラック形成工程及び素子高さ形成工程における、フェンスやレジストマスクのリフトオフ残りを解決する手段として、磁気抵抗効果膜3の上に第一のストッパー層41を、リフィル膜6の上に第二のストッパー層42を配し、CMPによってリフトオフを行う。少なくとも第一のストッパー層をCMP研磨レートの遅い金属とすることによって、磁気抵抗効果膜と第一のストッパー層を同時にエッチングしパターンを形成する。これによって、RIEによるレジストマスクの高さの減少を抑えることができ、リフトオフ残りを防ぐことができる。
【選択図】 図7
Description
本発明は、磁気的に記録された情報を再生する磁気抵抗センサ、及びこれを搭載した磁気記録再生装置に関し、特に高い出力を有する磁気抵抗センサとその製造方法、これを用いた磁気ヘッド、及びこれを搭載した磁気記録再生装置に関する。
外部磁界の変化に応じて、電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗センサは、優れた磁界センサとして知られており、磁気記録再生装置の主要な部品である磁気記録媒体からの信号磁界を検出する為の再生素子として実用化されている。
磁気記録再生装置における記録密度は著しく向上を続けており、磁気抵抗センサは、トラック幅の狭小化と同時に記録・再生の両特性に関し高性能化が求められている。再生特性については磁気抵抗効果を利用したMRヘッドを発展させることにより高感度化が進められている。数Gb/in2の記録密度では異方性磁気抵抗効果(AMR)を用いて記録媒体上の磁気的信号を電気信号に変換していたが、記録密度がこれよりも大きくなると、より高感度な巨大磁気抵抗効果(GMR)が採用されている。さらに高記録密度化の要求に対しては、上部磁気シールド層と下部磁気シールド層との間の距離(再生ギャップ長)の狭小化に伴い、高感度化に有利となる膜面に略垂直な方向に検出電流を流す方式(CPP方式)の研究開発が行われており、CPP−GMRや、トンネル磁気抵抗効果(TMR)を利用した磁気抵抗センサが報告されている。
CPP方式の磁気抵抗センサの基本的な構造を説明する。図1は磁気抵抗効果膜3が配置されている位置における、トラック幅方向の断面図を示すものである。図1に示すX軸・Y軸・Z軸は、それぞれトラック幅方向、素子高さ方向、磁気抵抗効果膜の膜厚方向を示している。以下の図においてX軸・Y軸・Z軸は、それぞれ図1に示すX軸・Y軸・Z軸と同一軸を表すものとする。トラックリフィル膜1は磁気抵抗効果膜3の壁面に接して設けられている。縦バイアス印加層又はサイドシールド層5は無くてもかまわない。なお、図1において2は上部磁気シールド層、4は下部磁気シールド層を示す。図2は図1におけるaa’線で切断した時のCPP方式の磁気抵抗センサの素子高さ方向の断面図を示す。図2においては、右側が磁気抵抗センサの媒体対向面13となる。トラック幅方向と同様、素子高さリフィル膜6は磁気抵抗効果膜3の壁面に接して設けられている。トラックリフィル膜1及び素子高さリフィル膜6は、少なくとも磁気抵抗効果膜3に接触する部分は絶縁膜で構成される。
磁気抵抗効果膜3のトラック幅が小さいほど、磁気信号として媒体に記録される、情報の大きさを小さくすることができるので、高記録密度化に有利である。また、高記録密度を実現する為には、素子の高さを小さくしていくことが必要である。これは磁気抵抗効果膜3が最も感磁しやすい媒体対向面13の表面近傍にのみ配置することによって感度を向上させ、記録密度を向上させるためにトラック幅及びシールド間距離を小さくしても、必要な出力を保つ磁気抵抗センサを実現するためである。
しかしながら、より小さく作る為には解決すべきいくつかの問題がある。まず、トラック形成時に起こる問題について説明する。図3は、CPP方式の磁気抵抗センサのトラックを形成する工程のプロセスフロー図を示すものである。下部磁気シールド層上に製膜された磁気抵抗効果膜3の上に、読み取り部となる領域に所定の大きさのレジストマスク8を形成した後(図3(a))、エッチングによって読み取り部以外の領域がエッチングされる(図3(b))。このエッチング工程では一般には、イオンビームエッチング法が用いられる。エッチングの後、トラックリフィル膜1を製膜する。図3に示すように、トラックリフィル膜1の上に更に、サイドシールド膜又は縦バイアス印加層5が製膜される場合もある(図3(c))。次に有機溶剤を用いてリフトオフを行う、レジストマスク8のトラック幅が狭い場合には、レジストマスク8がリフトオフできないこともある。リフトオフが可能であった場合でも、フェンス9が生じる事がある(図3(d))。この後、上部電極を兼用した上部磁気シールド層2を磁気抵抗硬膜3の上に製膜するが、フェンスが生じていると、フェンス9の影になった部分に上部磁気シールド層2が製膜されない領域12ができる。このフェンス9の影により磁気シールド層2が製膜されない領域12によって、接触不良となることが予想され(図3(e))、上部磁気シールド層2と磁気抵抗硬膜3の間で導通が取れなくなってしまう恐れがある。
次に、素子高さ形成時に起こる問題について説明する。図4は、CPP方式の磁気抵抗センサの素子高さを形成する工程のプロセスフロー図を示すものである。下部磁気シールド層上に製膜された磁気抵抗効果膜3の上の読み取り部となる領域に、所定の大きさのレジストマスク11を形成した後(図4(a))、エッチングによって読み取り部以外の領域がエッチングされる(図4(b))。このエッチング工程では、Arイオンによるイオンビームエッチング法が用いられる。エッチングの後、素子高さリフィル膜6を製膜する(図4(c))。次に、有機溶剤を用いてレジストマスク11と余分なリフィル膜を除去(リフトオフ)するが、レジストマスク11の素子高さ方向の幅が狭い場合には、レジストマスク11がリフトオフできないこともある。リフトオフが可能であった場合でも、フェンス10が生じる事がある(図4(d))。この後、上部電極を兼用した上部磁気シールド層2を磁気抵抗効果膜3の上に製膜するが、フェンスが生じていると、フェンス9の影になった部分に上部磁気シールド層2が製膜されない領域14が生じ、フェンス10の近傍では接触不良となることがある(図4(e))。さらに、この後ラップ加工により素子の高さを所定の大きさになるまで研磨し、媒体対向面13を形成するが、フェンス9の影により上部磁気シールド層2が製膜されない領域14がある場合には、上部磁気シールド層2と磁気抵抗硬膜3の間で導通が取れなくなってしまう恐れがある(図4(f))。
このリフトオフ不良とフェンスの発生を回避する手段として、特開2004−186673号公報、特開2003−132509号公報には、リフトオフ工程においてCMP(化学的機械研磨法)を行うことにより、レジストパターンとフェンスの除去を行う方法が述べられている。CMPを用いた場合、レジストパターンとフェンスの除去と同時に磁気抵抗効果膜及びリフィル膜の上面にダメージを与える恐れがあるため、前出の公報では、磁気抵抗効果膜の上に第一のストッパー層を、リフィル膜の上に第二のストッパー層を設けることによりダメージを回避する事が述べられている。これらのストッパー層はDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)から形成される。
この磁気抵抗効果膜を保護する為の第一のストッパー層は磁気抵抗効果膜の上に製膜され、更にその上に所定の大きさのレジストマスクを形成した後、磁気抵抗効果膜とともにエッチングされる。特開2004−186673号公報では、このエッチングにおいて第一のストッパー層のみ反応性イオンエッチング(RIE)を行い、磁気抵抗効果膜はイオンビームエッチング(IBE)を行うことが述べられている。これは、DLCがIBEでのエッチングレートが、磁気抵抗効果膜を構成する金属材料に比べて極端に遅いためである。例えば、加速電圧を200V、イオン電流を0.10A、RF出力を400W、IBE角10度としてエッチングを行った場合、Ni−Fe合金のエッチングレートは380A/min、DLCのエッチングレートは80A/minであった。
しかし、RIEによってレジストマスクの高さが減少し、CMPによるリフトオフが困難となる場合がある。これは、トラック幅や素子高さを小さく作る時には特に顕著に現れる問題である。トラック幅や素子高さを小さく作る為には、レジストマスクのトラック幅方向又は素子高さ方向の寸法を小さくする必要があるが、その為にはレジストマスクの高さを低くしないと、レジストマスクが倒れてしまい、パターンが形成できない。パターンを形成する為には、レジストマスクのトラック幅方向又は素子高さ方向の寸法に対する高さの比(アスペクト比)が、3〜4が限界であるとされている。例えば、レジストマスクのトラック幅方向又は素子高さ方向の寸法を50nmとするためには、レジストマスクの高さを200nm以下とする必要がある。先に述べた、RIEによってDLCからなる第一のストッパー層をエッチングする工程及び、IBE法を用い、磁気抵抗効果膜をエッチングする工程の2つのエッチング工程よって、レジストマスクの高さは減少する。実際に、下部磁気シールド層上に製膜された磁気抵抗効果膜の上に、DLCからなる第一のストッパー層を製膜し、レジストマスクを高さ200nm、トラック幅方向の寸法が50nmのレジストマスクを作製し、これら2つのエッチング工程を行ったところ、レジストマスクの高さはおよそ50nmとなった。この後、リフィル膜とリフィル膜を保護する為にDLCからなる第二のストッパー層を製膜し、CMPによってリフトオフを行ったところ、85%の素子がリフトオフできず、レジストマスクを除去することができなかった。これは、レジストマスクの高さが低いために、CMPによるリフトオフが困難となった為である。
特開2004−186673号公報
特開2003−132509号公報
DLCからなるストッパー層を用いた従来のCMPによるリフトオフ技術の問題点は、上記のように、高記録密度に対応した狭いトラック幅や小さな素子高さを作る場合において、レジストマスクの高さが低くなる為に、CMPによるリフトオフが困難になる点にある。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、レジストマスクの高さを十分に確保し、CMPによるリフトオフを容易に行うことのできる磁気抵抗センサの製造方法を提供することを目的とする。
レジストマスクの高さが低くなる原因は、RIEによってDLCからなる第一のストッパー層をエッチングする工程、及びIBEにより磁気抵抗効果膜をエッチングする工程にある。このうち、前者の工程はCMPによるリフトオフ技術を用いない通常のプロセスにおいては不必要な工程である。この工程を省略することができれば、レジストマスクの高さの減少を最小限に抑えることができる。
DLCからなる第一のストッパー層を、金属材料に置き換えることによってRIE工程を省略することができる。すなわち第一のストッパー層の不要な部分を磁気抵抗効果膜と同時にArイオンによるIBE法で除去することにより、レジストマスクの高さの減少を最小限に抑えることができ、CMPによるリフトオフが容易になる。特にトラック幅又は素子高さが小さいレジストパターンを用いる場合において、リフトオフ及びフェンスの除去が可能となる。
本発明の磁気抵抗センサの製造方法は、CMPによるリフトオフが容易に行う事ができる為、フェンスの除去や、トラック幅又は素子高さが小さいレジストパターンを用いた場合でもリフトオフが可能となる。それによって、トラック幅や素子高さが小さく、上部磁気シールド層と磁気抵抗効果膜の接触不良のない磁気抵抗センサを提供することができる。また、本発明の製造方法により製造された磁気抵抗センサを磁気記録再生装置に搭載することによって、高い記録密度を持つ磁気記録再生装置を実現する事ができる。
第一のストッパー層に金属材料を用いる場合に、その金属がCMPのストッパー層として機能するかどうかが問題となる。CMPのストッパー層として機能するためには、CMPによる研磨レートが遅いことが求められる。一般にCMP研磨レートは、材料の硬度に依存している。表1に、Down force(加重)6psiの時の、主な材料の研磨レートとビッカーズ硬度を示す。ストッパー層の厚さは、IBE法で磁気抵抗効果膜と同時にエッチングする際のエッチング時間を短くする為に、できるだけ薄いほうが望ましく、少なくとも10nm以下である事が望ましい。従って、実際の研磨時間が60秒ほどであることを考えると、研磨レートが10nm/min未満の材料を用いるのが適切であるといえる。先に述べたように、研磨レートは材料の硬度に依存していることから、第一のストッパー層はビッカーズ硬度が少なくとも80HVより高い金属又はその金属を含む合金材料をストッパー層に用いる事が望ましいことがわかる。図5に示す、CMP研磨レートとビッカーズ硬度の関係から具体的には、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,Wから選ばれる金属、又はそれらを含む合金が候補となる。
次に、これらの金属を用いた場合に、第一のストッパー層にDLCを用いた場合と比べたときの利点について検証した。DLCからなる第一のストッパー層をRIEでエッチングすると、先に述べたようにレジストマスクの高さが減少してしまう。例えば、ガス流量10sccm、ガス圧1.0Pa、Power200W、Bias100Wの条件の下、DLC及びレジストマスクのエッチングレートはそれぞれ、58nm/min、420nm/minであった。DLCからなる第一のストッパー層の厚さを10nmとすると、エッチング時間はおよそ10秒となるが、その間にレジストマスクの高さは70nm減少することになる。
一方、第一のストッパー層を金属材料で構成し、磁気抵抗効果膜と共にIBEでエッチングする場合は、第一のストッパー層をエッチングする分だけIBEによるエッチング時間が長くなる。例えば、第一のストッパー層としてRhを用い、その厚さを10nmとした場合に、加速電圧を200V、イオン電流を0.10A、RF出力を400W、IBE角10度としてエッチングを行うとすると、この第一のストッパー層をエッチングする時間はおよそ2分20秒であり、この時間分エッチング時間が延びたことになる。この条件の下でのレジストマスクのエッチングレートは、6nm/minであったので、この延びたエッチング時間ではおよそ26nmレジストマスクの高さが減少することになる。以上の検討から、第一のストッパー層を金属材料で構成したほうが、およそレジストマスクの高さの減少を44nm抑えることができるので、CMPによるリフトオフを容易に行うことができ、レジストマスクのリフトオフ残りやフェンスの除去残りをなくし、高い歩留まりが得られるプロセスを構築することが可能であるといえる。
次に、図面を用いて本発明の実施例を説明する。図6は本発明の再生素子の形成方法を示すプロセスフロー図である。
図6に示すように、実施例1及び実施例2は、抵抗効果膜の素子高さの形成をトラックの形成よりも先に行う場合について述べるものである。このうち実施例1では素子高さ形成時において、後に述べる第一の素子高さストッパー層41にDLCを用いた場合、又は第一の素子高さストッパー層41を設けずに素子高さを形成する場合について述べる。実施例2では、第一の素子高さストッパー層41に金属材料を用い、素子高さを形成する場合について述べる。
また、実施例3及び実施例4は、抵抗効果膜のトラックの形成を素子高さの形成よりも先に行う場合について述べるものである。このうち実施例3では、第一の素子高さストッパー層41にDLCを用いた場合、又は第一の素子高さストッパー層41を設けずに素子高さを形成する場合について述べる。実施例4では、第一の素子高さストッパー層41に金属材料を用い、素子高さを形成する場合について述べる。
本発明の実施例の1例として、磁気抵抗センサの製造方法について、図7、図8、図9を用いて説明する。図7は、素子高さ方向の形成工程を示す磁気抵抗効果膜3が配置された位置における素子高さ方向の断面図、図8と図9は、トラック形成工程を示す磁気抵抗効果膜3が配置された位置におけるトラック幅方向の断面図を示すものである。本実施例はトラック形成工程において、後に述べる第一のトラックストッパー層51を除去する場合(実施例1−1)と、除去しない場合(実施例1−2)に場合分けされる。図8は実施例1−1によるトラック形成工程を示し、図9は実施例1−2によるトラック形成工程を示すものである。
まず、アルミナチタンカーバイド等などからなる基板表面にAl2O3等の絶縁体を被膜し、CMPなどによる精密研磨を施した後に下部磁気シールド層4を形成する。これは、例えばスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、あるいはめっき法で作製したNi−Fe系合金からなる膜を、所定の形状にパターニングすることによって形成される。この下部磁気シールド層4は下部電極を兼ねるものである。この上にAl2O3を成長させてCMPを施すことによって、基板表面は下部磁気シールド層3とAl2O3が平坦化された面となる。さらに、後の工程において磁気抵抗効果膜3を形成する場所から離れた部分に引き出し電極膜を形成する。これは例えば、TaとAuなどの積層膜によって構成される。
この下部磁気シールド層4上に、例えばスパッタリング法あるいはイオンビームスパッタリング法にて磁気抵抗効果膜3を作製する。磁気抵抗効果膜は、例えばCo−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成される。
次に素子高さ方向の形成を行う。以下、図7を用いて素子高さ方向の形成方法について説明する。
まず、磁気抵抗効果膜3上に第一の素子高さストッパー層41を製膜する。この第一の素子高さストッパー層41は、DLCをイオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。次に、磁気抵抗効果膜3上に、レジストを塗布し、露光装置により露光した後、これを現像液で現像することにより、所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク11とする(図7(a))。
次に、第一の素子高さストッパー層41に対して、RIEを行い、第一の素子高さストッパー層41の読み取り部以外の領域を除去する(図7(b))。次に、磁気抵抗効果膜3に対して、IBE,RIE等のドライエッチングを行い、素子高さ方向についてのパターニングを行う(図7(c))。エッチングとしてIBEを用いた場合には、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びイオンビームエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返すことによっても、素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。さらに、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、素子高さリフィル膜6をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法あるいはCVD法にて製膜する(図7(d))。この素子高さリフィル膜6のうち少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する部分は、Al酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料で構成される。次に、素子高さリフィル膜6を保護するために、第二の素子高さストッパー層42を製膜する(図7(e))。この第二の素子高さストッパー層42は、DLCをイオンビームスパッタリング法又はCVD法等により製膜することによって形成される。
次に、リフトオフを行う。まず、はじめに有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する(図7(f))。このとき図7(f)に示すようにフェンス43が生じる場合や、レジストマスク11が完全に除去できない場合もあるが、これは次に行うCMPによって除去される。なお、この有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する行程は省略しても構わない。次にCMPを行い、フェンス43又は除去されていないレジストマスク11を除去する(図7(g))。最後に、第一の素子高さストッパー層41及び第二の素子高さストッパー層42をRIEを行うことにより除去することによって、素子高さ方向の形成は完成となる(図7(h))。
なお、ここではDLCを用いたCMPによるリフトオフ技術を使い素子高さ方向を形成する方法について述べたが、第一の素子高さストッパー層41及び第二の素子高さストッパー層42を設けず、リフトオフを行う工程では有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する行程のみを行ってもよい。
この工程の後、トラック幅方向の形成を行う。以下、図8及び図9を用いてトラック幅方向の形成方法について説明する。図8は第一のトラックストッパー層51を除去する実施例1−1の工程図、図9は第一のトラックストッパー層51を除去しない実施例1−2の工程図である。
まず、磁気抵抗効果膜3上に第一のトラックストッパー層51を製膜する。この第一のトラックストッパー層51は、金属をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。上述したようにCMPのストッパーとして機能するために、第一のトラックストッパー層51はCMPによる研磨レートの遅いもの、すなわち硬度の高いものが適している。第一のトラックストッパー層51の厚さは、この後の工程でArイオンによるIBE法で磁気抵抗効果膜と同時にエッチングする際のエッチング時間をできるだけ短くする為に、薄いほうが望ましく、少なくとも10nm以下である事が望ましい。従って、実際の研磨時間が60秒ほどであることを考えると、研磨レートが10nm/min未満の材料を用いるのが適切であり、表1及び図5からビッカーズ硬度が少なくとも80HVより高い金属で構成する必要がある。具体的な材料としては、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,W、又はこれらの材料を含む合金を用いることができる。
次に、第一のトラックストッパー層51上に、レジストを塗布し、露光装置により露光した後、これを現像液で現像することにより所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク8とする(図8(a)又は図9(a))。このレジストマスク8の素子高さ方向の長さを、素子高さを形成するためのレジストマスク11の素子高さ方向の長さよりも長くなるように作る。これによって、磁気抵抗効果膜3の素子高さ方向の近傍において、この後のリフトオフ工程におけるCMPによって素子高さリフィル膜が研磨されることを防止することができる。これにより、センス電流のリークの防止が期待できる。
次に、磁気抵抗効果膜3及び第一のトラックストッパー層51に対して、IBE又はRIEによるドライエッチングを行い、トラック幅方向についてのパターンをエッチングによって形成する(図8(b)又は図9(b))。IBEを用いる場合、エッチング中に入射角度を変えるエッチングを行うこともでき、この場合、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返してもよい。また、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、トラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5、第二のトラックストッパー層52を順に製膜する(図8(c)又は図9(c))。このトラックリフィル膜1のうち、少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する層はAl酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料によって構成される。縦バイアス印加層又はサイドシールド層5はなくても構わない。第二のトラックストッパー層52はトラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5を保護するためのもので、DLC又は先に述べた第一のトラックストッパー層51と同様の金属で構成されている。
次に、リフトオフを行う。まず、CMPによってレジストマスク8を除去する(図8(d)又は図9(d))。このとき、事前に有機溶剤を用いて読み取り部以外のレジストマスク8を除去しておいてもよい。実施例1−1では、第一のトラックストッパー層51及び第二のトラックストッパー層52をエッチングによって除去する(図8(e))。ただし、実施例1−2のように、第一のトラックストッパー層51は除去しなくても問題ではなく、その場合、図9(e)のような形状を得ることができる。第一のトラックストッパー層51を除去しない場合には、第一のトラックストッパー層51の抵抗が磁気抵抗変化に関係の無い余分な抵抗となることを考慮する必要がある。すなわち、上述した第一のトラックストッパー層51になりうる金属材料のうち、抵抗の低い貴金属材料(具体的にはRh,Ir,Ru)又はこれらを含む合金で、第一のトラックストッパー層51を構成することが望ましい。
実際にトラック幅方向の形成に、膜厚10nmのRhを第一のトラックストッパー層51に用い、膜厚10nmのDLCを第二のトラックストッパー層52に用いて、トラック幅50nmの素子を2万個作製したところ、全ての素子でリフトオフが可能であり、フェンスもなかった。
この後、磁気抵抗効果膜3の上部に軟磁性体からなる上部磁気シールド層2を形成する(図8(f)又は図9(f))。この上部磁気シールド層2は上部電極を兼ねるものである。この上部磁気シールド層2を形成するにあたっては、下地層としてTa,NiCrなどの金属を磁気抵抗効果膜3の上部に製膜した後、上部磁気シールド層2を形成しても良い。
実施例1−1のように、第一のトラックストッパー層51を除去した場合(トラック形成時に図8に示す工程を用いた場合)、磁気抵抗センサのトラック幅方向の断面形状は図8(f)に示すものとなり、磁気抵抗センサの素子高さ方向の断面形状は、図2に示すものと同じ形状となる。
一方、実施例1−2のように、第一のトラックストッパー層51を除去しなかった場合(トラック形成時に図9に示す工程を用いた場合)、磁気抵抗センサのトラック幅方向の断面形状は、図9(f)に示すものとなり、磁気抵抗センサの素子高さ方向の断面形状は、図10に示す形状となる。このように、第一のトラックストッパー層51を残すことにより、特に磁気抵抗効果膜3の素子高さが小さい場合には、磁気抵抗効果膜3と上部磁気シールド層2との間の接触抵抗が減少する事が期待できる。
この後、端子の形成工程、もしくは媒体に情報を記録するための記録素子を作成する工程を経た後、スライダー形成工程により媒体対向面13を形成することによって、本発明に係る磁気抵抗センサを得る。記録素子を設けた磁気抵抗センサの素子高さ方向の断面図を図11に示す。面内記録方式の場合、記録素子は図11(a)に示すように、下部磁極18、上部磁極19、コイル20、コイル絶縁膜21、記録ギャップ22及び上部ヨーク31から構成される。また、垂直磁気記録方式の場合には図11(b)に示すように、記録素子は補助磁極23、主磁極24及びコイル20、コイル絶縁膜21から構成される。
また、図12に示すように、ジンバル26の先端に本発明による磁気抵抗センサ25を装着し、記録媒体27、ボイスコイルモータ28、スピンドル29、信号処理回路30を設置することによって磁気記録再生装置を作ることが可能である。
なお、上記においては、磁気抵抗効果膜3として、Co−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成されるものを用いて説明したが、これは特定の例であり、これに限定されるものではない。この構成の他に、例えば、固定層あるいは自由層に高分極率材料を用いた磁気抵抗効果膜や、固定層や中間層や自由層に電流狭窄層を設けた磁気抵抗効果膜や、さらには、磁性半導体を用いた磁気抵抗センサ、偏極スピンの拡散や蓄積現象を利用した磁気抵抗センサなど、磁気抵抗効果膜を構成する材料の膜面に対して略垂直な方向に検知電流を流すデバイスであれば、本発明の効果は変わるものではない。
また、上記では、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面13に露出するように配置された磁気抵抗センサについて述べたが、磁気抵抗効果膜3の一部のみが媒体対向面に露出するように配置された磁気抵抗センサや、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面から離れたところに配置された磁気抵抗センサでも同様の効果が得られる。
さらに、上記においてはCPP型の磁気抵抗センサの製造方法について述べたが、CIP型の磁気抵抗センサにおいても、同様の方法で作製することが可能である。その場合には、磁気抵抗効果膜3と下部磁気シールド層4及び上部磁気シールド層3の間に、絶縁層を挟む必要がある。また、トラックリフィル膜1は不要であり、電極を兼ねた縦バイアス印加層又はサイドシールド層5が必要となる。
実施例1では、素子高さ方向の形成における第一の素子高さストッパー層41を用いなかった場合、又はDLCにより形成した場合の磁気抵抗センサの製造方法について述べた。しかし、素子高さ方向のレジストマスク11の素子高さ方向の長さを小さくする必要がある場合には、以下に述べるような製造方法が必要となる。以下、本実施例の磁気抵抗センサの製造方法について、図を用いて説明する。
本実施例は、素子高さ形成工程において第一の素子高さストッパー層41を除去する場合と、除去しない場合に場合分けすることができ、さらにそれぞれトラック形成工程において第一のトラックストッパー層51を除去する場合と、除去しない場合の計4つに場合分けされる。以下、第一の素子高さストッパー層41も第一のトラックストッパー層51も除去する場合を実施例2−1、第一の素子高さストッパー層41を除去し、第一のトラックストッパー層51は除去しない場合を実施例2−2、第一の素子高さストッパー層41を除去せず、第一のトラックストッパー層51を除去する場合を実施例2−3、第一の素子高さストッパー層41も第一のトラックストッパー層51も除去しない場合を実施例2−4として説明する。
図13と図14は、素子高さ方向の形成工程を示す磁気抵抗効果膜3が配置された位置における素子高さ方向の断面図で、図13は第一の素子高さストッパー層41を除去する場合(実施例2−1,2−2)、図14は除去しない場合(実施例2−3,2−4)について示したものである。図15〜18は、本実施例におけるトラック形成工程を示す為の磁気抵抗効果膜3が配置された位置におけるトラック幅方向における断面図である。図15は実施例2−1、図16は実施例2−2、図17は実施例2−3、図18は実施例2−4にそれぞれ対応している。
はじめに、アルミナチタンカーバイド等などからなる基板表面にAl2O3等の絶縁体を被膜し、CMPなどによる精密研磨を施した後に下部磁気シールド層4を形成する。これは、例えばスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、あるいはめっき法で作製したNi−Fe系合金からなる膜を、所定の形状にパターニングすることによって形成される。この下部磁気シールド層4は下部電極を兼ねるものである。この上にAl2O3を成長させてCMPを施すことによって,基板表面は下部磁気シールド層3とAl2O3が平坦化された面となる。さらに、後の工程において磁気抵抗効果膜3を形成する場所から離れた部分に引き出し電極膜を形成する。これは例えば、TaとAu等の積層膜によって構成される。
この下部磁気シールド層4上に、例えばスパッタリング法あるいはイオンビームスパッタリング法にて磁気抵抗効果膜3を作製する。磁気抵抗効果膜は、例えばCo−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成される。
次に素子高さ方向の形成を行う。以下、図13、図14を用いて素子高さ方向の形成方法について説明する。
まず、磁気抵抗効果膜3上に第一の素子高さストッパー層41を製膜する。この第一の素子高さストッパー層41は、金属をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。上述したようにCMPのストッパーとして機能するため、第一の素子高さストッパー層41はCMPによる研磨レートの遅いもの、すなわち硬度の高いものが適している。第一の素子高さストッパー層41の厚さは、この後の工程でIBE法で磁気抵抗効果膜と同時にエッチングする際のエッチング時間をできるだけ短くする為に、薄いほうが望ましく、少なくとも10nm以下である事が望ましい。従って、実際の研磨時間が60秒ほどであることを考えると、研磨レートが10nm/min未満の材料を用いるのが適切であるといえ、表1及び図5からビッカーズ硬度が少なくとも80HVより高い金属で構成する必要がある。具体的な材料としては、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,W、又はこれらの材料を含む合金を用いることができる。
次に、第一の素子高さストッパー層41上に、レジストを塗布し、これを露光装置により露光した後、現像液で現像することにより、所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク11とする(図13(a)又は図14(a))。
次に、第一の素子高さストッパー層41及び磁気抵抗効果膜3に対して、IBE、RIE等のドライエッチングを行い、素子高さ方向についてパターニングを行う(図13(b)又は図14(b))。エッチングとしてIBEを用いる場合には、エッチング中に入射角度を変えるエッチングを行うこともでき、この場合、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びイオンビームエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返すことによっても、素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、素子高さリフィル膜6をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法あるいはCVD法にて製膜する。この素子高さリフィル膜6のうち、少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する部分はAl酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料で構成される。次に素子高さリフィル膜6を保護するために、第二の素子高さストッパー層42を製膜する((図13(c)又は図14(c))。第二の素子高さストッパー層42はトラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5を保護するためのもので、DLC又は先に述べた第一の素子高さストッパー層41と同様の金属で構成されている。
次に、リフトオフを行う。まず、CMPによってレジストマスク11を除去する((図13(d)又は図14(d))。このとき、事前に有機溶剤を用いて素子高さ形成部分以外のレジストマスク11を除去しておいてもよい。
次に、実施例2−1及び実施例2−2では、第一の素子高さストッパー層41及び第二の素子高さストッパー層42をエッチングによって除去する(図13(e))。また、実施例2−3又は実施例2−4のように、第一の素子高さストッパー層41を除去しない場合、図14(e)のような形状を得ることができる。
第一の素子高さストッパー層41を除去しない場合には、第一の素子高さストッパー層41の抵抗が磁気抵抗変化に関係の無い余分な抵抗となることを考慮する必要がある。すなわち、上述した第一の素子高さストッパー層41になりうる金属材料のうち、抵抗の低い貴金属材料(具体的にはRh,Ir,Ru)又はこれらを含む合金で、第一の素子高さストッパー層41を構成することが望ましい。
実際に素子高さ方向の形成に、膜厚10nmのRhを第一の素子高さストッパー層41に用い、膜厚10nmのDLCを第二の素子高さストッパー層42に用いて、レジストマスク11の素子高さ方向の長さを50nmとして、2万個の素子を作製したところ、全ての素子でリフトオフが可能であり、フェンスもなかった。
この工程の後、トラック幅方向の形成を行う。まず、磁気抵抗効果膜3及び素子高さ形成時の第一の素子高さストッパー層41上に、第一のトラックストッパー層51を製膜する。この第一のトラックストッパー層51は、金属をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。上述したようにCMPのストッパーとして機能するため、第一のトラックストッパー層51はCMPによる研磨レートの遅いもの、すなわち硬度の高いものが適している。第一のトラックストッパー層51の厚さは、この後の工程でIBE法で磁気抵抗効果膜と同時にエッチングする際のエッチング時間をできるだけ短くする為に、薄いほうが望ましく、少なくとも10nm以下である事が望ましい。従って、実際の研磨時間が60秒ほどであることを考えると、研磨レートが10nm/min未満の材料を用いるのが適切であるといえ、図5からビッカーズ硬度が少なくとも80HVより高い金属で構成する必要がある。具体的な材料としては、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,W、又はこれらの材料を含む合金を用いることができる。
次に、第一のトラックストッパー層51上に、レジストを塗布し、露光装置により露光した後、これを現像液で現像することにより、所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク8とする(図15(a),16(a),17(a),18(a))。このレジストマスク8の素子高さ方向の長さを、素子高さを形成するためのレジストマスク11の素子高さ方向の長さよりも長くなるように作る。これによって、磁気抵抗効果膜3の素子高方向の近傍において、この後のリフトオフ工程におけるCMPによって素子高さリフィル膜6が研磨されることを防止することができる。CMPによって素子高さリフィル膜6が研磨されると、作製した磁気抵抗センサにおいて、磁気抵抗効果膜3の自由層部分を通ることなく、上部磁気シールド層2と下部磁気シールド層4との間に、センス電流がリークする恐れがある。このため、レジストマスク8の素子高さ方向の長さを、素子高さを形成するためのレジストマスク11の素子高さ方向の長さよりも長く作ることは、センス電流の防止に有効な手段である。
次に、IBE又はRIEによるドライエッチングを行い、トラック幅方向についてのパターンをエッチングによって形成する(図15(b),16(b),17(b),18(b))。エッチングとしてIBEを用いる場合には、エッチング中に入射角度を変えるエッチングを行うこともでき、この場合、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返してもよい。また、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、トラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5、第二のトラックストッパー層52を順に製膜する(図15(c),16(c),17(c),18(c))。このトラックリフィル膜1のうち、少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する層はAl酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料によって構成される。縦バイアス印加層又はサイドシールド層5はなくても構わない。第二のトラックストッパー層52はトラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5を保護するためのもので、DLCでも先に述べた第一のトラックストッパー層51と同様の金属で構成されていても構わない。
次に、リフトオフを行う。まず、CMPによってレジストマスク8を除去する(図15(d),16(d),17(d),18(d))。このとき、事前に有機溶剤を用いて読み取り部以外のレジストマスク8を除去しておいてもよい。
次に、実施例2−1及び実施例2−3では、第一のトラックストッパー層51及びトラックストッパー層52をエッチングによって除去する(実施例2−1:図15(e)、実施例2−3:図17(e))。また、実施例2−2又は実施例2−4のように、第一の素子高さストッパー層41を除去しない場合は、それぞれ図16(e)、図18(e)のような形状を得ることができる。
第一のトラックストッパー層51を除去しない場合には、第一のトラックストッパー層51の抵抗が磁気抵抗変化に関係の無い余分な抵抗となることを考慮する必要がある。すなわち、上述した第一のトラックストッパー層51になりうる金属材料のうち、抵抗の低い貴金属材料(具体的にはRh,Ir,Ru)又はこれらを含む合金で、第一のトラックストッパー層51を構成することが望ましい。また、素子高さ方向の形成時に素子高さ形成時の第一の素子高さストッパー層41又は第二の素子高さストッパー層42を除去せず残した場合は、この時点でこれらを除去しても構わない。
実際にトラック幅方向の形成に、膜厚10nmのRhを第一のトラックストッパー層51に用い、膜厚10nmのDLCを第二のトラックストッパー層52に用いて、トラック幅50nmの素子を2万個作製したところ、全ての素子でリフトオフが可能であり、フェンスもなかった。
この後、磁気抵抗効果膜3の上部に軟磁性体からなる上部磁気シールド層2を形成する(図15(f),16(f),17(f),18(f))。この上部磁気シールド層2は上部電極を兼ねるものである。この上部磁気シールド層2を形成するにあたっては、下地層としてTa,NiCrなどの金属を磁気抵抗効果膜3の上部に製膜した後、上部磁気シールド層2を形成しても良い。
実施例2−1で作製した磁気抵抗センサは、図2に示す素子高さ方向の断面形状と、図15(f)に示すトラック幅方向の断面形状を持つ。実施例2−2で作製した磁気抵抗センサは、図10に示す素子高さ方向の断面形状と、図16(f)に示すトラック幅方向の断面形状を持つ。実施例2−3で作製した磁気抵抗センサは、図19(a)に示す素子高さ方向の断面形状と、図17(f)に示すトラック幅方向の断面形状を持つ。実施例2−4で作製した磁気抵抗センサは、図19(b)に示す素子高さ方向の断面形状と、図18(f)に示すトラック幅方向の断面形状を持つ。
この後、端子の形成工程、もしくは媒体に情報を記録するための記録素子を作成する工程を経た後、スライダー形成工程により媒体対向面13を形成することによって、本発明に係る磁気抵抗センサを得る。記録素子を設けた磁気抵抗センサの素子高さ方向の断面図を図11に示す。面内記録方式の場合、記録素子は図11(a)に示すように、下部磁極18、上部磁極19、コイル20、コイル絶縁膜21、記録ギャップ22及び上部ヨーク31から構成される。また、垂直磁気記録方式の場合には図11(b)に示すように、記録素子は補助磁極23、主磁極24及びコイル20、コイル絶縁膜21から構成される。
また、図12に示すようにジンバル26の先端に本発明による磁気抵抗センサ25を装着し、記録媒体27、ボイスコイル28、スピンドル29、信号処理回路30を設置することによって磁気記録再生装置を作ることが可能である。
なお、上記においては、磁気抵抗効果膜3として、Co−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成されるものを用いて説明したが、これは特定の例であり、これに限定されるものではない。この構成の他に、例えば、固定層あるいは自由層に高分極率材料を用いた磁気抵抗効果膜や、固定層や中間層や自由層に電流狭窄層を設けた磁気抵抗効果膜や、さらには、磁性半導体を用いた磁気抵抗センサ、偏極スピンの拡散や蓄積現象を利用した磁気抵抗センサなど、磁気抵抗効果膜を構成する材料の膜面に対して略垂直な方向に検知電流を流すデバイスであれば、本発明の効果は変わるものではない。
また、上記では、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面13に露出するように配置された磁気抵抗センサについて述べたが、磁気抵抗効果膜3の一部のみが媒体対向面に露出するように配置された磁気抵抗センサや、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面から離れたところに配置された磁気抵抗センサでも同様の効果が得られる。ここで、実施例2−2の場合には図10と同様に第一のトラックストッパー層51が、磁気抵抗効果膜3の上部に存在し、その素子高さ方向の長さが、磁気抵抗効果膜3の素子高さよりも長い形状となる。実施例2−3によって素子高さ方向の形成時の第一の素子高さストッパー層41を残して作製した場合には、それぞれ磁気抵抗効果膜3の上部のみに存在する形状となる。更に、実施例2−4の場合には図19(b)と同様に第一のトラックストッパー層51が、磁気抵抗効果膜3の上部に存在し、その素子高さ方向の長さが、磁気抵抗効果膜3の素子高さよりも長い形状となる。
さらに、上記においてはCPP型の磁気抵抗センサの製造方法について述べたが、CIP型の磁気抵抗センサにおいても、同様の方法で作製することが可能である。その場合には、磁気抵抗効果膜3と下部磁気シールド層4及び上部磁気シールド層3の間に、絶縁層を挟む必要がある。また、トラックリフィル膜1は不要であり、電極を兼ねた縦バイアス印加層又はサイドシールド層5が必要となる。
本実施例は、図6に示すように、磁気抵抗効果膜のトラック形成後、素子高さを形成するもので、トラック形成工程において後に述べる第一のトラックストッパー層51を除去する場合(実施例3−1)と、除去しない場合(実施例3−2)に場合分けされる。図20は実施例3−1のトラック形成工程を示し、図21は実施例3−2のトラック形成工程を示すものである。図22は実施例3−1の素子高さ形成工程を示し、図23は実施例3−2の素子高さ形成工程を示すものである。
本実施例の磁気抵抗センサの製造方法について以下に述べる。まず、アルミナチタンカーバイド等などからなる基板表面にAl2O3等の絶縁体を被膜し、CMPなどによる精密研磨を施した後に下部磁気シールド層4を形成する。これは、例えばスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、あるいはめっき法で作製したNi−Fe系合金からなる膜を、所定の形状にパターニングすることによって形成される。この下部磁気シールド層4は下部電極を兼ねるものである。この上にAl2O3を成長させてCMPを施すことによって,基板表面は下部磁気シールド層3とAl2O3が平坦化された面となる。さらに、後の工程において磁気抵抗効果膜3を形成する場所から離れた部分に引き出し電極膜を形成する。これは例えば、TaとAu等の積層膜によって構成される。
この下部磁気シールド4上に、例えばスパッタリング法あるいはイオンビームスパッタリング法にて磁気抵抗効果膜3を作製する。磁気抵抗効果膜は、例えばCo−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成される。
次に、トラック幅方向の形成を行う。以下、図20又は図21を用いてトラック幅方向の形成方法について説明する。
まず、磁気抵抗効果膜3上に第一のトラックストッパー層51を製膜する。この第一のトラックストッパー層51は、金属をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。上述したようにCMPのストッパーとして機能するため、第一のトラックストッパー層51はCMPによる研磨レートの遅いもの、すなわち硬度の高いものが適している。第一のトラックストッパー層51の厚さは、この後の工程でIBE法を用いて磁気抵抗効果膜と同時にエッチングする際のエッチング時間をできるだけ短くする為に、薄いほうが望ましく、少なくとも10nm以下である事が望ましい。従って、実際の研磨時間が60秒ほどであることを考えると、研磨レートが10nm/min未満の材料を用いるのが適切であるといえ、表1又は図5からビッカーズ硬度が少なくとも80HVより高い金属で構成する必要がある。具体的な材料としては、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,W、又はこれらの材料を含む合金を用いることができる。
次に、第一のトラックストッパー層51上に、レジストを塗布し、露光装置により露光した後、これを現像液で現像することにより、所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク8とする(図20(a)又は図21(a))。レジストマスク8の素子高さ方向の長さは、トラック幅方向の形成の後に行う素子高さ方向を形成するために用いるレジストマスク11の素子高さ方向の長さと同等か、それよりも長いことが望ましい。
次に、磁気抵抗効果膜3及び第一のトラックストッパー層51に対して、IBE又はRIEによるドライエッチングを行い、トラック幅方向についてのパターンをエッチングによって形成する(図20(b)又は図21(b))。IBEを用いる場合には、エッチング中に入射角度を変えるエッチングを行うこともでき、この場合、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返してもよい。さらに、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、トラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5、第二のトラックストッパー層52を順に製膜する(図20(c)又は図21(c))。このトラックリフィル膜1のうち、少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する層はAl酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料によって構成される。縦バイアス印加層又はサイドシールド層5はなくても構わない。第二のトラックストッパー層52はトラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5を保護するためのもので、DLC又は先に述べた第一のトラックストッパー層51と同様の金属で構成されている。
次に、リフトオフを行う。まず、CMPによってレジストマスク8を除去する((図20(d)又は図21(d)))。このとき、事前に有機溶剤を用いて読み取り部以外のレジストマスク8を除去しておいてもよい。
次に、実施例3−1では、第一のトラックストッパー層51及びトラックストッパー層52をエッチングによって除去する(図20(e))。また、実施例3−2のように、第一のトラックストッパー層51を除去しない場合は、それぞれ図21(e)のような形状を得ることができる。
第一のトラックストッパー層51を除去しない場合には、第一のトラックストッパー層51の抵抗が磁気抵抗変化に関係の無い余分な抵抗となることを考慮する必要がある。すなわち、上述した第一のトラックストッパー層51になりうる金属材料のうち、抵抗の低い貴金属材料(具体的にはRh,Ir,Ru)又はこれらを含む合金で、第一のトラックストッパー層51を構成することが望ましい。
実際にトラック幅方向の形成に、膜厚10nmのRhを第一のトラックストッパー層51に用い、膜厚10nmのDLCを第二のトラックストッパー層52に用いて、トラック幅50nmの素子を2万個作製したところ、全ての素子でリフトオフが可能であり、フェンスもなかった。
トラック方向の形成を行った後、素子高さ方向の形成を行う。以下、図22及び図23を用いて素子高さ方向の形成方法について説明する。
まず、磁気抵抗効果膜3上に第一の素子高さストッパー層41を製膜する。この第一の素子高さストッパー層41は、DLCをイオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。次に、磁気抵抗効果膜3上に、レジストを塗布し、露光装置により露光した後、これを現像液で現像することにより、所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク11とする(図22(a)又は図23(a))。図23(a)に示す、トラック形成の第一のトラックストッパー層51の素子高さ方向の長さAは、トラック形成時のレジストマスク8の素子高さ方向の長さで決まるものである。
次に、第一の素子高さストッパー層41に対してRIEを行い、第一の素子高さストッパー層41の素子部以外の領域を除去する(図22(b)又は図23(b))。
次に、磁気抵抗効果膜3に対して、IBE、RIE等のドライエッチングを行い、素子高さ方向についてパターニングを行う(図22(c)又は図23(c))。IBEを用いる場合には、エッチング中に入射角度を変えるエッチングを行うこともでき、この場合、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びイオンビームエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返すことによっても、素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。さらに、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、素子高さリフィル膜6をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法あるいはCVD法にて製膜する(図22(d)又は図23(d))。この素子高さリフィル膜6のうち少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する部分は、Al酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料で構成される。次に素子高さリフィル膜6を保護するために、第二の素子高さストッパー層42を製膜する(図22(e)又は図23(e))。この第二の素子高さストッパー層42は、DLCをイオンビームスパッタリング法又はCVD法等により製膜することによって形成される。
次に、リフトオフを行う。まず、はじめに有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する(図22(f)又は図23(f))。このとき図22(f)又は図23(f)に示すようにフェンスが生じる場合や、レジストマスク11が完全に除去できない場合もあるが、これは次に行うCMPによって除去される。なお、この有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する行程は省略しても構わない。次にCMPを行い、フェンス43又は除去されていないレジストマスク11を除去する(図22(g)又は図23(g))。最後に、第一の素子高さストッパー層41及び第二の素子高さストッパー層42をRIEによって除去することによって、素子高さ方向の形成は完成となる(図22(h)又は図23(h))。
なお、ここではDLCを用いたCMPによるリフトオフ技術を使い素子高さ方向を形成する方法について述べたが、第一の素子高さストッパー層41及び第二の素子高さストッパー層42を設けず、リフトオフを行う工程では有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する行程のみを行ってもよい。
この後、軟磁性体からなる上部磁気シールド層2を形成し、磁気抵抗センサの完成となる。(図22(i)又は図23(i))。この上部磁気シールド層2は上部電極を兼ねるものである。この上部磁気シールド層2を形成するにあたっては、下地層としてTa,NiCrなどの金属を磁気抵抗効果膜3の上部に製膜した後、上部磁気シールド層2を形成しても良い。なお、実施例3−1で作製した磁気抵抗センサの浮上面は図24(a)のような形状となり、実施例3−2で作製した磁気抵抗センサの浮上面は図24(b)のような形状となる。
この後、端子の形成工程、もしくは媒体に情報を記録するための記録素子を作成する工程を経た後、スライダー形成工程により媒体対向面13を形成することによって、本発明に係る磁気抵抗センサを得る。記録素子を設けた磁気抵抗センサの素子高さ方向の断面図を図11に示す。面内記録方式の場合、記録素子は図11(a)に示すように、下部磁極18、上部磁極19、コイル20、コイル絶縁膜21、記録ギャップ22及び上部ヨーク31から構成される。また、垂直磁気記録方式の場合には図11(b)に示すように、記録素子は補助磁極23、主磁極24及びコイル20、コイル絶縁膜21から構成される。
また、図12に示すようにジンバル26の先端に本発明による磁気抵抗センサ25を装着し、記録媒体27、ボイスコイル28、スピンドル29、信号処理回路30を設置することによって磁気記録再生装置を作ることが可能である。
なお、上記においては、磁気抵抗効果膜3として、Co−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成されるものを用いて説明したが、これは特定の例であり、これに限定されるものではない。この構成の他に、例えば、固定層あるいは自由層に高分極率材料を用いた磁気抵抗効果膜や、固定層や中間層や自由層に電流狭窄層を設けた磁気抵抗効果膜や、さらには、磁性半導体を用いた磁気抵抗センサ、偏極スピンの拡散や蓄積現象を利用した磁気抵抗センサなど、磁気抵抗効果膜を構成する材料の膜面に対して略垂直な方向に検知電流を流すデバイスであれば、本発明の効果は変わるものではない。
また、上記では、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面13に露出するように配置された磁気抵抗センサについて述べたが、磁気抵抗効果膜3の一部のみが媒体対向面に露出するように配置された磁気抵抗センサや、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面から離れたところに配置された磁気抵抗センサでも同様の効果が得られる。なお磁気抵抗効果膜3上に第一のトラックストッパー層51を除去せずに残した場合には、図10と同様に第一のトラックストッパー層51の素子高さ方向の長さは磁気抵抗効果膜3の素子高さよりも長くするように配することも可能である。
さらに、上記においてはCPP型の磁気抵抗センサの製造方法について述べたが、CIP型の磁気抵抗センサにおいても、同様の方法で作製することが可能である。その場合には、磁気抵抗効果膜3と下部磁気シールド層4及び上部磁気シールド層3の間に、絶縁層を挟む必要がある。また、トラックリフィル膜1は不要であり、電極を兼ねた縦バイアス印加層又はサイドシールド層5が必要となる。
実施例3では、素子高さ方向の形成における第一の素子高さストッパー層41をDLCにより形成した場合の磁気抵抗センサの製造方法について述べた。しかし、素子高さ方向のレジストマスク11の素子高さ方向の長さを小さくする必要がある場合には、以下に述べるような製造方法が必要となる。
本実施例は、トラック形成工程において第一のトラックストッパー層51を除去する場合と、除去しない場合に場合分けすることができ、さらにそれぞれ素子高さ形成工程において第一の素子高さストッパー層41を除去する場合と、除去しない場合の計4つに場合分けされる。第一のトラックストッパー層51も第一の素子高さストッパー層41も除去する場合を実施例4−1、第一のトラックストッパー層51は除去し第一の素子高さストッパー層41は除去しない場合を実施例4−2、第一のトラックストッパー層51を除去せず第一の素子高さストッパー層41は除去する場合を実施例4−3、第一のトラックストッパー層51も第一の素子高さストッパー層41も除去しない場合を実施例4−4として説明する。
図20と図21は、トラック方向の形成工程を示す磁気抵抗効果膜3が配置された位置における素子高さ方向の断面図で、図20は第一のトラックストッパー層51を除去する場合(実施例4−1と実施例4−2)、図21は除去しない場合(実施例4−3と実施例4−4)について示したものである。図25〜28は、本実施例における素子高さ形成工程を示す為の磁気抵抗効果膜3が配置された位置における素子高さ方向における断面図である。図25は実施例4−1、図26は実施例4−2、図27は実施例4−3、図28は実施例4−4にそれぞれ対応している。
まず、アルミナチタンカーバイド等などからなる基板表面にAl2O3等の絶縁体を被膜し、CMPなどによる精密研磨を施した後に下部磁気シールド層4を形成する。これは、例えばスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、あるいはめっき法で作製したNi−Fe系合金からなる膜を、所定の形状にパターニングすることによって形成される。この下部磁気シールド層4は下部電極を兼ねるものである。この上にAl2O3を成長させてCMPを施すことによって,基板表面は下部磁気シールド層3とAl2O3が平坦化された面となる。さらに、後の工程において磁気抵抗効果膜3を形成する場所から離れた部分に引き出し電極膜を形成する。これは例えば、TaとAu等の積層膜によって構成される。
この下部磁気シールド4上に、例えばスパッタリング法あるいはイオンビームスパッタリング法にて磁気抵抗効果膜3を作製する。磁気抵抗効果膜は、例えばCo−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成される。
次に、トラック幅方向の形成を行う。以下、図20又は図21を用いてトラック幅方向の形成方法について説明する。
まず、磁気抵抗効果膜3上に第一のトラックストッパー層51を製膜する。この第一のトラックストッパー層51は、金属をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。上述したようにCMPのストッパーとして機能するため、第一のトラックストッパー層51はCMPによる研磨レートの遅いもの、すなわち硬度の高いものが適している。第一のトラックストッパー層51の厚さは、この後の工程でIBE法を用いて磁気抵抗効果膜と同時にエッチングする際のエッチング時間をできるだけ短くする為に、薄いほうが望ましく、少なくとも10nm以下である事が望ましい。従って、実際の研磨時間が60秒ほどであることを考えると、研磨レートが10nm/min未満の材料を用いるのが適切であるといえ、表1又は図5からビッカーズ硬度が少なくとも80HVより高い金属で構成する必要がある。具体的な材料としては、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,W、又はこれらの材料を含む合金を用いることができる。
次に、第一のトラックストッパー層51上に、レジストを塗布し、露光装置により露光した後、これを現像液で現像することにより、所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク8とする(図20(a)又は図21(a))。レジストマスク8の素子高さ方向の長さは、トラック幅方向の形成の後に行う素子高さ方向を形成するために用いるレジストマスク11の素子高さ方向の長さと同等か、それよりも長いことが望ましい。
次に、磁気抵抗効果膜3及び第一のトラックストッパー層51に対して、IBE又はRIEによるドライエッチングを行い、トラック幅方向についてのパターンをエッチングによって形成する(図20(b)又は図21(b))。IBEを用いる場合には、エッチング中に入射角度を変えるエッチングを行うこともでき、この場合、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返してもよい。さらに、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、トラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5、第二のトラックストッパー層52を順に製膜する(図20(c)又は図21(c))。このトラックリフィル膜1のうち、少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する層はAl酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料によって構成される。縦バイアス印加層又はサイドシールド層5はなくても構わない。第二のトラックストッパー層52はトラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5を保護するためのもので、DLC又は先に述べた第一のトラックストッパー層51と同様の金属で構成されている。
次に、リフトオフを行う。まず、CMPによってレジストマスク8を除去する((図20(d)又は図21(d)))。このとき、事前に有機溶剤を用いて読み取り部以外のレジストマスク8を除去しておいてもよい。
次に、実施例4−1及び実施例4−2では、第一のトラックストッパー層51及びトラックストッパー層52をエッチングによって除去する(図20(e))。また、実施例4−3又は実施例4−4のように、第一のトラックストッパー層51を除去しない場合は、それぞれ図21(e)のような形状を得ることができる。
第一のトラックストッパー層51を除去しない場合には、第一のトラックストッパー層51の抵抗が磁気抵抗変化に関係の無い余分な抵抗となることを考慮する必要がある。すなわち、上述した第一のトラックストッパー層51になりうる金属材料のうち、抵抗の低い貴金属材料(具体的にはRh,Ir,Ru)又はこれらを含む合金で、第一のトラックストッパー層51を構成することが望ましい。
実際にトラック幅方向の形成に、膜厚10nmのRhを第一のトラックストッパー層51に用い、膜厚10nmのDLCを第二のトラックストッパー層52に用いて、トラック幅50nmの素子を2万個作製したところ、全ての素子でリフトオフが可能であり、フェンスもなかった。
次に、素子高さ方向の形成を行う。以下、図25〜28を用いて素子高さ方向の形成方法について説明する。
まず、磁気抵抗効果膜3上に第一の素子高さストッパー層41を製膜する。この第一の素子高さストッパー層41は、金属をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法又はCVD法等によって製膜することによって形成される。上述したようにCMPのストッパーとして機能するため、第一の素子高さストッパー層41はCMPによる研磨レートの遅いもの、すなわち硬度の高いものが適している。第一の素子高さストッパー層41の厚さは、この後の工程でArイオンによるIBE法で磁気抵抗効果膜と同時にエッチングする際のエッチング時間をできるだけ短くする為に、薄いほうが望ましく、少なくとも10nm以下である事が望ましい。従って、実際の研磨時間が60秒ほどであることを考えると、研磨レートが10nm/min未満の材料を用いるのが適切であるといえ、表1及び図5からビッカーズ硬度が少なくとも80HVより高い金属で構成する必要がある。具体的な材料としては、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,W、又はこれらの材料を含む合金が挙げられる。
次に、磁気抵抗効果膜3上に、レジストを塗布し、露光装置により露光した後、これを現像液で現像することにより、所望の形状にパターニングし、これをレジストマスク11とする(図25(a),26(a),27(a),28(a))。図27(a)及び図28(a)に示す、トラック形成の第一のトラックストッパー層51の素子高さ方向の長さAは、トラック形成時のレジストマスク8の素子高さ方向の長さで決まるものである。
次に、第一の素子高さストッパー層41、トラック形成時の第一のトラックストッパー層51及び磁気抵抗効果膜3に対して、IBE、RIE等のドライエッチングを行い、素子高さ方向についてパターニングを行う(図25(b),26(b),27(b),28(b))。IBEを用いる場合には、エッチング中に入射角度を変えるエッチングを行うこともでき、この場合、入射角が第1のエッチングよりも基板に対して斜めとなる第2の入射角度で再びイオンビームエッチングを行う事が望ましい。これにより、第1のエッチング時に素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングを交互に複数回繰り返すことによっても、素子壁面に付着した再付着物を除去することが可能である。また、第1のエッチングと第2のエッチングで、異なるエッチング手法を用いても良い。
次に、素子高さリフィル膜6をスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法あるいはCVD法にて製膜する(図25(c),26(c),27(c),28(c))。この素子高さリフィル膜6のうち、少なくとも磁気抵抗効果膜3に接する部分はAl酸化物又はSi酸化物などの絶縁材料で構成される。次に素子高さリフィル膜6を保護するために、第二の素子高さストッパー層42を製膜する(図25(d),26(d),27(d),28(d))。第二の素子高さストッパー層42はトラックリフィル膜1、縦バイアス印加層又はサイドシールド層5を保護するためのもので、DLC又は先に述べた第一の素子高さストッパー層41と同様の金属で構成されている。
次に、リフトオフを行う。まず、はじめに有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する(図25(e),26(e),27(e),28(e))。このとき図25(d),26(d),27(d),28(d)に示すようにフェンスが生じる場合や、レジストマスク11が完全に除去できない場合もあるが、これは次に行うCMPによって除去される。なお、この有機溶剤を用いてレジストマスク11を除去する行程は省略しても構わない。次にCMPを行い、フェンス43又は除去されていないレジストマスク11を除去する(図25(f),26(f),27(f),28(f))。最後に、ストッパー層の除去を行い、素子高さ方向の形成は完成となる(図25(g),26(g),27(g),28(g))。ただし、実施例4−2及び実施例4−4では第二の素子高さストッパー層42のみを除去し、第一の素子高さストッパー層41は除去を行なわない。
実際に素子高さ方向の形成に、膜厚10nmのRhを第一の素子高さストッパー層41に用い、膜厚10nmのDLCを第二の素子高さストッパー層42に用いて、レジストマスク11の素子高さ方向の長さを50nmとして、2万個の素子を作製したところ、全ての素子でリフトオフが可能であり、フェンスもなかった。
この後、軟磁性体からなる上部磁気シールド層2を形成する(図25(h),26(h),27(h),28(h))。この上部磁気シールド層2は上部電極を兼ねるものである。この上部磁気シールド層2を形成するにあたっては、下地層としてTa,NiCrなどの金属を磁気抵抗効果膜3の上部に製膜した後、上部磁気シールド層2を形成しても良い。
実施例4−1によって作製された磁気抵抗センサのトラック幅方向の断面図は、図24(a)に示すような形状となる。実施例4−2によって作製された磁気抵抗センサのトラック幅方向の断面図は、図24(b)示すような形状となる。実施例4−3よって作製された磁気抵抗センサのトラック幅方向の断面図は図29(a)のような形状となる。実施例4−4によって作製した磁気抵抗センサのトラック幅方向の断面図は、図29(b)のような形状となる。実施例4−2や実施例4−4のように、第一の素子高さストッパー層41を残すことにより、特に磁気抵抗効果膜3のトラック幅が小さい場合には、磁気抵抗効果膜3と上部磁気シールド層2との間の接触抵抗が減少する事が期待できる。
この後、端子の形成工程、もしくは媒体に情報を記録するための記録素子を作成する工程を経た後、スライダー形成工程により媒体対向面13を形成することによって、本発明に係る磁気抵抗センサを得る。記録素子を設けた磁気抵抗センサの素子高さ方向の断面図を図11に示す。面内記録方式の場合、記録素子は図11(a)に示すように、下部磁極18、上部磁極19、コイル20、コイル絶縁膜21、記録ギャップ22及び上部ヨーク31から構成される。また、垂直磁気記録方式の場合には図11(b)に示すように、記録素子は補助磁極23、主磁極24及びコイル20、コイル絶縁膜21から構成される。
また、図12に示すようにジンバル26の先端に本発明による磁気抵抗センサ25を装着し、記録媒体27、ボイスコイル28、スピンドル29、信号処理回路30を設置することによって磁気記録再生装置を作ることが可能である。
なお、上記においては、磁気抵抗効果膜3として、Co−Fe系合金の強磁性体を含む層から構成される固定層、Al−O又はCuなどからなる中間層、Ni−Fe系合金あるいはCo−Fe系合金等を含む層からなる自由層で構成されるものを用いて説明したが、これは特定の例であり、これに限定されるものではない。この構成の他に、例えば、固定層あるいは自由層に高分極率材料を用いた磁気抵抗効果膜や、固定層や中間層や自由層に電流狭窄層を設けた磁気抵抗効果膜や、さらには、磁性半導体を用いた磁気抵抗センサ、偏極スピンの拡散や蓄積現象を利用した磁気抵抗センサなど、磁気抵抗効果膜を構成する材料の膜面に対して略垂直な方向に検知電流を流すデバイスであれば、本発明の効果は変わるものではない。
また、上記では、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面13に露出するように配置された磁気抵抗センサについて述べたが、磁気抵抗効果膜3の一部のみが媒体対向面に露出するように配置された磁気抵抗センサや、磁気抵抗効果膜3が媒体対向面から離れたところに配置された磁気抵抗センサでも同様の効果が得られる。
さらに、上記においてはCPP型の磁気抵抗センサの製造方法について述べたが、CIP型の磁気抵抗センサにおいても、同様の方法で作製することが可能である。その場合には、磁気抵抗効果膜3と下部磁気シールド層4及び上部磁気シールド層3の間に、絶縁層を挟む必要がある。また、トラックリフィル膜1は不要であり、電極を兼ねた縦バイアス印加層又はサイドシールド層5が必要となる。
本発明によると磁気抵抗効果センサの狭トラックを実現する事ができるので、本発明の製造方法によって作製された、狭トラックを持つ磁気抵抗センサを磁気記録再生装置に搭載することによって、高い記録密度を持つ磁気記録再生装置を実現する事ができる。
1…トラックリフィル膜、2…上部磁気シールド層、3…磁気抵抗効果膜、4…下部磁気シールド層、5…縦バイアス印加層又はサイドシールド層、6…素子高さリフィル膜、7…磁気抵抗効果膜と素子高さリフィル膜の境界面、8…トラック形成用のレジストマスク、9…トラック幅方向のフェンス、10…素子高さ方向のフェンス、11…素子高さ形成用のレジストマスク、12…トラック幅方向のフェンスの影によって上部磁気シールド層が製膜されない領域、13…媒体対向面、14…素子高さ方向のフェンスの影によって上部磁気シールド層が製膜されない領域、18…下部磁極、19…上部磁極、20…コイル、21…コイル絶縁膜、22…記録ギャップ、23…補助磁極、24…主磁極、26…ジンバル、25…磁気抵抗センサ、27…記録媒体、28…ボイスコイル、29…スピンドル、30…信号処理回路、31…上部ヨーク、41…第一の素子高さストッパー層、42…第二の素子高さストッパー層、51…第一のトラックストッパー層、52…第二のトラックストッパー層
Claims (19)
- 下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、前記一対の磁気シールド層の間に配置された積層構造を有する磁気抵抗効果膜を有し、前記磁気抵抗効果膜の積層された面を貫くように信号電流を流す磁気抵抗センサの製造方法において、
前記磁気抵抗効果膜の上に金属層からなる第一のトラックストッパー層を製膜する工程と、
前記第一のトラックストッパー層の上の読み取り部となる領域にレジストマスクを形成し、エッチングにより前記磁気抵抗効果膜及び前記第一のトラックストッパー層の読み取り部以外の領域を除去する工程と、
トラックリフィル膜を製膜する工程と、
前記トラックリフィル膜の上に第二のトラックストッパー層を製膜する工程と、
化学的機械研磨法によってリフトオフを行い前記第一のトラックストッパー層の上面を露出させる工程とを有することを特徴とする、磁気抵抗センサの製造方法。 - 下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、前記一対の磁気シールド層の間に配置された積層構造を有する磁気抵抗効果膜を有し、前記磁気抵抗効果膜の積層された面を貫くように信号電流を流す磁気抵抗センサの製造方法において、
前記磁気抵抗効果膜の上に金属層からなる第一の素子高さストッパー層を製膜する工程と、
前記第一の素子高さストッパー層の上の読み取り部となる領域にレジストマスクを形成し、エッチングにより前記磁気抵抗効果膜及び前記第一の素子高さストッパー層の読み取り部以外の領域を除去する工程と、
素子高さリフィル膜を製膜する工程と、
前記素子高さリフィル膜の上に第二の素子高さストッパー層を製膜する工程と、
化学的機械研磨法によってリフトオフを行い前記第一の素子高さストッパー層の上面を露出させる工程とを有することを特徴とする、磁気抵抗センサの製造方法。 - 請求項1記載の磁気抵抗センサの製造方法において、前記第一のトラックストッパー層を製膜する工程の前に、前記磁気抵抗効果膜の素子高さ方向のパターニングを行うことを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 請求項1記載の磁気抵抗センサの製造方法において、前記第一の素子高さストッパー層の上面を露出させる工程の後に、更に、磁気抵抗効果膜の素子高さ方向のパターニングを行うことを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 請求項2記載の磁気抵抗センサの製造方法において、前記第一の素子高さストッパー層を製膜する工程の前に、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向のパターニングを行うことを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 請求項2に記載の磁気抵抗センサの製造方法において、前記第一の素子高さストッパー層の上面を露出させる工程の後に、更に、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向のパターニングを行うことを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 請求項1記載の磁気抵抗センサの製造方法において、金属層からなる前記第一のトラックストッパー層が、ビッカーズ硬度80Hv以上の金属材料からなることを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 請求項1記載の磁気抵抗センサの製造方法において、金属層からなる前記第一のトラックストッパー層が、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,Wのいずれかの金属材料、又はそれらを含む合金からなることを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 請求項2記載の磁気抵抗センサの製造方法において、金属層からなる前記第一の素子高さストッパー層が、ビッカーズ硬度80Hv以上の金属材料からなることを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 請求項2記載の磁気抵抗センサの製造方法において、金属層からなる前記第一の素子高さストッパー層が、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,Wのいずれかの金属材料、又はそれらを含む合金からなることを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
- 下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、前記一対の磁気シールド層の間に配置された積層構造を有する磁気抵抗効果膜とを有し、前記磁気抵抗効果膜の積層された面を貫くように信号電流を流す磁気抵抗センサにおいて、
前記磁気抵抗効果膜の上に金属層からなる第一のトラックストッパー層を有することを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、前記一対の磁気シールド層の間に配置された積層構造を有する磁気抵抗効果膜とを有し、前記磁気抵抗効果膜の積層された面を貫くように信号電流を流す磁気抵抗センサにおいて、
前記磁気抵抗効果膜の上に金属層からなる第一の素子高さストッパー層を有することを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 請求項11記載の磁気抵抗センサにおいて、前記第一のトラックストッパー層の素子高さ方向の長さが、前記磁気抵抗効果膜の素子高さよりも長いことを特徴とする磁気抵抗センサ。
- 請求項12記載の磁気抵抗センサにおいて、前記第一の素子高さストッパー層のトラック幅方向の長さが、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅よりも長いことを特徴とする磁気抵抗センサ。
- 請求項11記載の磁気抵抗センサにおいて、前記第一のトラックストッパー層が、ビッカーズ硬度80Hv以上の金属材料からなることを特徴とする磁気抵抗センサ。
- 請求項11記載の磁気抵抗センサにおいて、前記第一のトラックストッパー層が、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,Wのいずれかの金属材料、又はそれらを含む合金からなることを特徴とする磁気抵抗センサ。
- 請求項12記載の磁気抵抗センサにおいて、前記第一の素子高さストッパー層が、ビッカーズ硬度80Hv以上の金属材料からなることを特徴とする磁気抵抗センサ。
- 請求項12記載の磁気抵抗センサにおいて、前記第一の素子高さストッパー層が、Co,Cr,Mo,Hf,Ir,Nb,Re,Rh,Ru,Wのいずれかの金属材料、又はそれらを含む合金からなることを特徴とする磁気抵抗センサ。
- 下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、前記一対の磁気シールド層の間に配置された積層構造を有する磁気抵抗効果膜を有し、前記磁気抵抗効果膜の積層された面を貫くように信号電流を流す磁気抵抗センサの製造方法において、
前記磁気抵抗効果膜の素子高さ方向のパターニングを行う工程と、トラック幅方向のパターニングを行う工程とを有し、
前記素子高さ方向のパターニングを行う工程は、前記磁気抵抗効果膜の上に金属層からなる第一の素子高さストッパー層を製膜する工程と、前記第一の素子高さストッパー層の上の読み取り部となる領域にレジストマスクを形成し、エッチングにより前記磁気抵抗効果膜及び前記第一の素子高さストッパー層の読み取り部以外の領域を除去する工程と、素子高さリフィル膜を製膜する工程と、前記素子高さリフィル膜の上に第二の素子高さストッパー層を製膜する工程と、化学的機械研磨法によってリフトオフを行い前記第一の素子高さストッパー層の上面を露出させる工程とを有し、
前記トラック幅方向のパターニングを行う工程は、前記磁気抵抗効果膜の上に金属層からなる第一のトラックストッパー層を製膜する工程と、前記第一のトラックストッパー層の上の読み取り部となる領域にレジストマスクを形成し、エッチングにより前記磁気抵抗効果膜及び前記第一のトラックストッパー層の読み取り部以外の領域を除去する工程と、トラックリフィル膜を製膜する工程と、前記トラックリフィル膜の上に第二のトラックストッパー層を製膜する工程と、化学的機械研磨法によってリフトオフを行い前記第一のトラックストッパー層の上面を露出させる工程を有することを特徴とする磁気抵抗センサの製造方法。
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