JP2006174566A - 電流制御素子、昇圧装置およびインバータ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 昇圧回路やインバータ回路などの電力制御回路を組立てることが容易な電流制御素子およびそれを備える昇圧装置およびインバータ装置を提供する。
【解決手段】 電流制御素子１００は、正側の電圧を印加する電極Ｐと、負側の電圧を印加する電極Ｎと、電流制御用の制御信号を入力する制御電極Ｇ１，Ｇ２と、一方の主面にダイオード素子Ｄ１およびＩＧＢＴ素子Ｔ１が搭載され、他方の主面にダイオード素子Ｄ２およびＩＧＢＴ素子Ｔ２が搭載される基板Ｂと、出力電極Ｍとを含む。電流制御素子１００は、フィルムコンデンサ中にＩＧＢＴ素子Ｔ１，Ｔ２とダイオード素子Ｄ１，Ｄ２とを巻込んだものであり、ダイオード素子Ｄ１，Ｄ２およびＩＧＢＴ素子Ｔ１，Ｔ２はコンデンサ部と一体として外部から接触不可能に被覆されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電流制御素子、昇圧装置およびインバータ装置に関し、特に、コンデンサと一体化された電流制御素子およびそれを備える昇圧装置ならびにインバータ装置に関する。

近年、電気自動車、ハイブリッド自動車および燃料電池自動車等のように、車両推進用の駆動源として交流式モータを採用し、この交流式モータを駆動するインバータ装置を搭載する自動車が登場している。

このような自動車では、交流式モータをインバータ装置で駆動する駆動装置の小型化が要求されている。このようなインバータ装置は、一般にＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等のスイッチング素子と整流用のダイオード素子で構成されている。

特開平１１−１８４２９号公報（特許文献１）には、ＩＧＢＴチップと電解コンデンサチップとを直接冷却するために１つの冷却ヒートシンクの上にマウントした制御モジュールが開示されている。
特開平１１−１８４２９号公報 特開平１１−１０３５７７号公報 特開２００３−３３０４４号公報 実開平６−３８２２８号公報

たとえば、ハイブリッド自動車においては、コストおよびスペース上の制約が大きく、単品のＩＧＢＴ素子やコンデンサ素子を組合せて使用するのであればコストやスペース的に難がある。

特開平１１−１８４２９号公報（特許文献１）に開示された技術では、ＩＧＢＴなどのパワー素子にコンデンサを後付けしたり、またはパワーモジュールの中にコンデンサ素子を内蔵させたりしている。つまり、従来では、パワー素子とコンデンサの単品を組合せて用いたり、またはパワーモジュールの中にコンデンサ素子を組込んだりしているに過ぎない。このため、部品点数が多く、組立にコストがかかりパワーモジュールの大きさが大きいという問題がある。

またたとえば、ハイブリッド自動車においては、いっそうの燃費向上が要求されており、スイッチング損失を低減することが必須である。しかしながら、スイッチング損失を低減するためには従来よりも高速にスイッチングすることが必要となるが、高速スイッチングを行なうと、ＩＧＢＴ素子の両端に生ずるサージ電圧が大きくなり、追加的にスナバ回路を組込む必要があった。

スナバ回路は、電流の流れをオン／オフするスイッチング回路において，切り替わりの過渡状態で発生する高いスパイク電圧を防止する回路である。スパイク電圧は電流の流れる経路の配線などのインダクタンス分によって出るもので，とくにスイッチがオフした瞬間に大きく出るものである。

この発明は、昇圧回路やインバータ回路などの電力制御回路を組立てることが容易な電流制御素子およびそれを備える昇圧装置およびインバータ装置を提供することである。

この発明は、要約すると電流制御素子であって、外部から接触可能な第１の電極と、外部から接触可能な第２の電極と、外部から接触可能な第１の制御電極と、第１、第２の電極間に接続されるコンデンサ部と、第１の電極から第２の電極に電流が流れる経路上に設けられ、コンデンサ部と一体として外部から接触不可能に被覆され、第１の制御電極から与えられる信号に応じて電流制御を行なう第１の半導体素子とを備える。

好ましくは、電流制御素子は、第２の電極から第１の電極に電流が流れる方向を順方向として第１の半導体素子と並列に接続され、コンデンサ部および第１の半導体素子と一体として外部から接触不可能に被覆される第１のダイオード素子をさらに備える。

好ましくは、電流制御素子は、外部から接触可能な第２の制御電極と、第１の電極から第２の電極に電流が流れる経路上に第１の半導体素子と直列に設けられ、コンデンサ部および第１の半導体素子と一体として外部から接触不可能に被覆され、第２の制御電極から与えられる信号に応じて電流制御を行なう第２の半導体素子と、第１の半導体素子と第２の半導体素子との接続ノードに設けられる出力電極とをさらに備える。

より好ましくは、電流制御素子は、第２の電極から第１の電極に電流が流れる方向を順方向として第１、第２の半導体素子とそれぞれ並列に接続され、コンデンサ部および第１、第２の半導体素子と一体として外部から接触不可能に被覆される第１、第２のダイオード素子をさらに備える。

さらに好ましくは、電流制御素子は、第１の半導体素子および第１のダイオード素子が、第１の主面に配置され、第２の半導体素子および第２のダイオード素子が第２の主面に配置される基板をさらに備える。

さらに好ましくは、コンデンサ部は、第１の絶縁フィルムと、第１の絶縁フィルム上に形成され第１の電極に電気的に接続される第１の導電層と、第１の絶縁フィルムに積層される第２の絶縁フィルムと、第２の絶縁フィルム上に形成され第２の電極に電気的に接続される第２の導電層とを含む。基板は、第１、第２の絶縁フィルム間に挟まれて配置される。

好ましくは、コンデンサ部は、第１の絶縁フィルムと、第１の絶縁フィルム上に形成され第１の電極に電気的に接続される第１の導電層と、第１の絶縁フィルムに積層される第２の絶縁フィルムと、第２の絶縁フィルム上に形成され第２の電極に電気的に接続される第２の導電層とを含む。

より好ましくは、第１の半導体素子は、積層された第１、第２の絶縁フィルムの間に配置される。

より好ましくは、第１、第２の絶縁フィルムは、積層されて巻回され、第１の半導体素子は、第１、第２の絶縁フィルムの間に巻き込まれて配置される。

さらに好ましくは、コンデンサ部は、第１の絶縁フィルム上の第１の導電層が形成される面と反対の面に部分的に形成され、第１の電極に電気的に接続される第３の導電層をさらに含む。第１の半導体素子は、第１の制御電極と電気的に接続される制御端子と、主電流が流れる第１、第２の主電極とを含む。第１の主電極は、第３の導電層に当接する。

この発明の他の局面に従う昇圧装置は、上記いずれかの電流制御素子を備える。

この発明のさらに他の局面に従うインバータ装置は、上記いずれかの電流制御素子を備え、モータ制御を行なう。

本発明によれば、昇圧回路やインバータ等の電力制御回路をコンパクトに構成することが可能となり、電力制御回路の組立てが容易でかつ省スペース化を図ることができる。

また、高速スイッチング化が可能でかつ定格電圧が大きくなった、昇圧コンバータやインバータを実現することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。

図１は、本発明の電流制御素子１００の形状を示した斜視図である。

図１を参照して、電流制御素子１００は、正側の電圧を印加する電極Ｐと、負側の電圧を印加する電極Ｎと、電流制御用の制御信号を入力する制御電極Ｇ１，Ｇ２と、一方の主面にダイオード素子Ｄ１およびＩＧＢＴ素子Ｔ１が搭載され、他方の主面にダイオード素子Ｄ２およびＩＧＢＴ素子Ｔ２が搭載される基板Ｂと、出力電極Ｍとを含む。

電流制御素子１００は、フィルムコンデンサ中にＩＧＢＴ素子Ｔ１，Ｔ２とダイオード素子Ｄ１，Ｄ２とを巻込んだものであり、ダイオード素子Ｄ１，Ｄ２およびＩＧＢＴ素子Ｔ１，Ｔ２はコンデンサ部と一体として外部から接触不可能に被覆されている。なお、防湿性を高めるために、さらに樹脂モールド等を施してもよい。

図２は、図１に示した電流制御素子１００の等価回路図である。

図２を参照して、ＩＧＢＴ素子Ｔ１は、正の電源電位が結合される電極Ｐにコレクタが接続され、出力電極Ｍにエミッタが接続され制御電極Ｇ１にゲートが接続される。ＩＧＢＴ素子Ｔ２は、出力電極Ｍにコレクタが接続され、負の電源電位が結合される電極Ｎにエミッタが接続され、制御電極Ｇ２にゲートが接続される。

ダイオード素子Ｄ１は、電極Ｐから電極Ｎに電流が流れる経路上においてＩＧＢＴ素子Ｔ１と並列に接続され、電極Ｎから電極Ｐに向かう方向が順方向になるように配置されている。ダイオード素子Ｄ２は電極Ｐから電極Ｎに電流が流れる経路上にＩＧＢＴ素子Ｔ２と並列に接続され、電極Ｎから電極Ｐに向かう方向が順方向となるように配置されている。コンデンサＣ１は、電極Ｐと電極Ｎとの間に接続されている。

図３は、図１に示した電流制御素子１００の正面図である。

図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶでの断面図である。

図３、図４を参照して、アルミニウム等の蒸着金属層ＥＮが片面に形成されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリプロピレン（ＰＰ）等の絶縁フィルムＦＮと、片面にアルミニウム等の蒸着金属層ＥＰが形成されたポリＰＥＴまたはＰＰ等の絶縁フィルムＦＰとが重ねられ巻回されており、断面は絶縁フィルムＦＰと絶縁フィルムＦＮとが交互に積層されているように見える。

絶縁フィルムＦＮ上には蒸着金属層ＥＮが設けられ、絶縁フィルムＦＰ上には蒸着金属層ＥＰが設けられている。

絶縁フィルムが巻回された後に両端面にメタリコンと呼ばれる金属が溶射され電極端子ＴＮ，ＴＰが形成される。図４を見てわかるように、絶縁フィルムＦＮ上には図の右側に蒸着金属層ＥＮを設けないマージン部分が設けられており、蒸着金属層ＥＮは電極端子ＴＰと絶縁されている。また、絶縁フィルムＦＰ上には図の左側に蒸着金属層ＥＰを設けないマージン部分が設けられており、蒸着金属層ＥＰは電極端子ＴＰと絶縁されている。

絶縁フィルムの巻回しの外周部（図４の下部）には、絶縁フィルムＦＮと絶縁フィルムＦＰとの間に、両面にダイオード素子およびＩＧＢＴ素子が搭載された基板Ｂが挟まれる。絶縁フィルムＦＰの外周の所定部分には、後に説明するように、一方の面に蒸着金属層ＥＰが設けられており、反対面に蒸着金属層ＥＰ２が設けられている。また、基板Ｂの両面には金属層Ｅ１が形成されている。なお、基板Ｂと金属層Ｅ１を導電性の金属板に変えても良い。

基板Ｂの上面には金属層Ｅ１の上にダイオード素子Ｄ１およびＩＧＢＴ素子Ｔ１が配置されている。一方、基板Ｂの下面には金属層Ｅ１の下部に、ダイオード素子Ｄ２およびＩＧＢＴ素子Ｔ２が配置されている。またダイオード素子Ｄ１，Ｄ２，ＩＧＢＴ素子Ｔ１，Ｔ２からはみ出た金属層Ｅ１の部分が、金属層ＥＮや金属層ＥＰ２と接触しないように絶縁層Ｋ１，Ｋ２が設けられている。絶縁層Ｋ１，Ｋ２は絶縁フィルムであっても良いし、絶縁コーティングであっても良い。

図５は、ダイオード素子およびＩＧＢＴ素子が搭載される基板Ｂについてより詳細に説明するための図である。

図５において、説明の便宜のために基板Ｂとその上下に配置されている絶縁フィルムＦＰ，ＦＮとを離して配置しているが、実際には図４に示すように、ダイオード素子Ｄ１，ＩＧＢＴ素子Ｔ１は蒸着金属層ＥＰ２に接触しており、またダイオード素子Ｄ２，ＩＧＢＴ素子Ｔ２は蒸着金属層ＥＮに接触している。

図５を用いて図２の等価回路図と図４の断面図との対応を説明する。絶縁フィルムＦＰ上に形成された蒸着金属層ＥＰ２は図２の電極Ｐに対応する。絶縁フィルムＦＮ上に形成された蒸着金属層ＥＮは図２の電極Ｎに対応する。基板Ｂの両面に形成された金属層Ｅ１は図２の電極Ｍに対応する。

ダイオード素子Ｄ１は金属層Ｅ１にアノード面が接触している。またダイオード素子Ｄ１のカソード面は蒸着金属層ＥＰ２に接触している。ＩＧＢＴ素子Ｔ１のチップのエミッタ面は金属層Ｅ１に接触している。またＩＧＢＴ素子Ｔ１のコレクタ面は蒸着金属層ＥＰ２に接触している。

ダイオード素子Ｄ２は蒸着金属層ＥＮにアノード面が接触している。またダイオード素子Ｄ１のカソード面は金属層Ｅ１に接触している。ＩＧＢＴ素子Ｔ２のチップのエミッタ面は蒸着金属層ＥＮに接触している。またＩＧＢＴ素子Ｔ２のコレクタ面は金属層Ｅ１に接触している。

このような配置とすることにより、図２のコンデンサＣ１の両電極間にスイッチング素子と整流素子が組み込まれる。コンデンサがスイッチング素子と整流素子のすぐ近くに配置されるため、このコンデンサはスナバ回路として用いることができる。

図６は、本発明の電流制御素子の製造方法について説明するための図である。

図６を参照して、絶縁フィルムＦＮ，ＦＰが巻回されて外周の部分に基板Ｂが配置される。絶縁フィルムＦＰはその一方の面に蒸着金属層ＥＰが蒸着されており、他方の面にはダイオード素子Ｄ２のカソード電極部およびＩＧＢＴ素子Ｔ２のエミッタ電極部に当接する部分に蒸着金属層ＥＰ２が設けられている。なお、図示しないが、蒸着金属層ＥＰ２はＩＧＢＴ素子Ｔ２のゲート電極部分には当接しないように切り欠いた形状となっている。

ＩＧＢＴ素子Ｔ２のゲートには、絶縁被覆された電線Ｌ２がはんだ付けされている。このＬ２は制御電極Ｇ２に対応する。基板Ｂの反対側の面には図示されていないダイオード素子Ｄ１，ＩＧＢＴ素子Ｔ１が配置されており、同様に蒸着金属層ＥＮに接続されている。またＩＧＢＴ素子Ｔ１のゲートには絶縁被覆された電線Ｌ１がはんだ付けされる。電線Ｌ１は制御電極Ｇ１に対応する。

このような形で絶縁フィルムを重ねて巻回し、その後両端面にメタリコンが溶射されてそして図１に示すように電極Ｎ，電極Ｐがはんだ付けされる。防湿および耐震性を向上させるためにその後耐水性の樹脂などでモールドやディッピングが行なわれてもよい。電流制御素子１００がモールドされておれば、冷却が必要な場合は電流制御素子１００を冷却水に直接浸して冷却することも可能となる。

なお、図６では、フィルムコンデンサのフィルムの巻回の最後の部分に基板Ｂを挟み込んだ場合を示したが、巻回の最初の部分に基板Ｂを挟み込んでフィルムを巻回してもよい。

また、巻回したフィルムコンデンサの例を示したが、積層型のフィルムコンデンサに基板Ｂを挟み込んでも良い。

［変形例］
図７は、電流制御素子の変形例について説明するための図である。

図７に示すように、電流制御素子３００は、中央部に冷却水通路となる空洞が設けられている。

絶縁フィルムを巻回する際に内部を空洞としてモールドしてその空洞部分に冷却水を流すことによりＩＧＢＴ素子、ダイオード素子およびコンデンサを含んだ電流制御素子を冷却するようにしてもよい。また、モールドしていなくても、内部が空洞となっておれば冷却水を通した金属製のチューブを空洞に通して内部から冷却することができる。

図６に示した場合には、外周部分に近い部分にＩＧＢＴ素子およびダイオード素子を設けたが、図７に示す場合には冷却水通路に近い内側部分にＩＧＢＴ素子等を配置するとさらに効果的である。

［応用例］
図８は、本発明の電流制御素子が応用されるモータ駆動回路の一例を示した図である。

図８を参照して、モータ駆動回路２００は、バッテリＢＡＴＴと、バッテリＢＡＴＴの電圧を昇圧する昇圧コンバータ２０２と、昇圧コンバータ２０２によって昇圧された電圧を三相交流に変換してモータＭ１を駆動するインバータ２０４とを含む。

昇圧コンバータ２０２は、バッテリＢＡＴＴの正極に接続されるリアクトルＬと、リアクトルＬに図２で示した出力電極Ｍが接続され、電源線ＬＰに図２における電極Ｐが接続されバッテリＢＡＴＴの負極に接続される電源線ＬＮに図２の電極Ｎが接続された電流制御素子２０６を含む。

インバータ２０４は、電源線ＬＰに図２の電極Ｐが接続され、電源線ＬＮに図２の電極Ｎが接続され、配線ＬＵに図２の出力電極Ｍが接続される電流制御素子２０８と、電源線ＬＰに図２の電極Ｐが接続され、電源線ＬＮに図２の電極Ｎが接続され、配線ＬＶに図２の出力電極Ｍが接続される電流制御素子２１０と、電源線ＬＰに図２の電極Ｐが接続され、電源線ＬＮに図２の電極Ｎが接続され、配線ＬＷに図２の出力電極Ｍが接続される電流制御素子２１２とを含む。配線ＬＵはモータＭ１のＵ相コイルに接続され、配線ＬＶはＶ相コイルに接続され配線ＬＷはＷ相コイルに接続される。

本発明によれば、昇圧コンバータ２０２はリアクトルＬと電流制御素子２０６の２素子で構成することができる。また、インバータ２０４は電流制御素子２０８，２１０，２１２の３素子で構成することができる。

各電流制御素子においては、ＩＧＢＴ素子の直近にフィルムコンデンサが配置されているため、このコンデンサを高速スイッチング時のサージ電圧を吸収するためのスナバ回路として使用することができる。

従来、ハイブリッド自動車のモータ駆動系では、平滑用コンデンサとしてアルミニウム電解コンデンサが使用されていたが、定格電圧を大きくする必要があり、平滑コンデンサをフィルムコンデンサに変更する検討が行なわれている。このフィルムコンデンサはスナバ回路としても使用可能である。したがって、平滑用のコンデンサを本願発明の電流制御素子を用いて実現すると、耐圧が大きい平滑用コンデンサが実現でき、かつスナバ回路用のコンデンサを兼用させることができる。

したがって、スイッチング損失が低減されることにより高速スイッチング化が可能で、かつフィルムコンデンサを用いることにより定格電圧が大きくなった、昇圧コンバータやインバータを実現することが可能となる。

また、本発明によれば、従来のコンデンサの後付けや、パワーモジュール中にコンデンサを内蔵させることに比べて昇圧回路やインバータの構成がコンパクトになり、省スペース化を図ることができる。特に、車のように車載スペースが問題となる場合には効果を発揮する。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の電流制御素子１００の形状を示した斜視図である。 図１に示した電流制御素子１００の等価回路図である。 図１に示した電流制御素子１００の正面図である。 図３におけるＩＶ−ＩＶでの断面図である。 ダイオード素子およびＩＧＢＴ素子が搭載される基板Ｂについてより詳細に説明するための図である。 本発明の電流制御素子の製造方法について説明するための図である。 電流制御素子の変形例について説明するための図である。 本発明の電流制御素子が応用されるモータ駆動回路の一例を示した図である。

符号の説明

１００ 電流制御素子、２００ モータ駆動回路、２０２ 昇圧コンバータ、２０４ インバータ、２０６，２０８，２１０，２１２，３００ 電流制御素子、ＢＡＴＴ バッテリ、Ｂ 基板、Ｃ１ コンデンサ、Ｄ１，Ｄ２ ダイオード素子、Ｅ１ 金属層、ＥＮ，ＥＰ，ＥＰ２ 蒸着金属層、ＦＮ，ＦＰ 絶縁フィルム、Ｇ１，Ｇ２ 制御電極、Ｋ１，Ｋ２ 絶縁層、Ｌ リアクトル、Ｌ１，Ｌ２ 電線、ＬＮ，ＬＰ 電源線、ＬＵ，ＬＶ，ＬＷ 配線、Ｍ 出力電極、Ｍ１ モータ、Ｎ，Ｐ 電極、Ｔ１，Ｔ２ ＩＧＢＴ素子、ＴＮ，ＴＰ 電極端子。

Claims (12)

1. 外部から接触可能な第１の電極と、
   外部から接触可能な第２の電極と、
   外部から接触可能な第１の制御電極と、
   前記第１、第２の電極間に接続されるコンデンサ部と、
   前記第１の電極から前記第２の電極に電流が流れる経路上に設けられ、前記コンデンサ部と一体として外部から接触不可能に被覆され、前記第１の制御電極から与えられる信号に応じて電流制御を行なう第１の半導体素子とを備える、電流制御素子。
2. 前記第２の電極から前記第１の電極に電流が流れる方向を順方向として前記第１の半導体素子と並列に接続され、前記コンデンサ部および前記第１の半導体素子と一体として外部から接触不可能に被覆される第１のダイオード素子をさらに備える、請求項１に記載の電流制御素子。
3. 外部から接触可能な第２の制御電極と、
   前記第１の電極から前記第２の電極に電流が流れる経路上に前記第１の半導体素子と直列に設けられ、前記コンデンサ部および前記第１の半導体素子と一体として外部から接触不可能に被覆され、前記第２の制御電極から与えられる信号に応じて電流制御を行なう第２の半導体素子と、
   前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との接続ノードに設けられる出力電極とをさらに備える、請求項１に記載の電流制御素子。
4. 前記第２の電極から前記第１の電極に電流が流れる方向を順方向として前記第１、第２の半導体素子とそれぞれ並列に接続され、前記コンデンサ部および前記第１、第２の半導体素子と一体として外部から接触不可能に被覆される第１、第２のダイオード素子をさらに備える、請求項３に記載の電流制御素子。
5. 前記第１の半導体素子および前記第１のダイオード素子が、第１の主面に配置され、前記第２の半導体素子および前記第２のダイオード素子が第２の主面に配置される基板をさらに備える、請求項４に記載の電流制御素子。
6. 前記コンデンサ部は、
   第１の絶縁フィルムと、
   前記第１の絶縁フィルム上に形成され前記第１の電極に電気的に接続される第１の導電層と、
   前記第１の絶縁フィルムに積層される第２の絶縁フィルムと、
   前記第２の絶縁フィルム上に形成され前記第２の電極に電気的に接続される第２の導電層とを含み、
   前記基板は、前記第１、第２の絶縁フィルム間に挟まれて配置される、請求項５に記載の電流制御素子。
7. 前記コンデンサ部は、
   第１の絶縁フィルムと、
   前記第１の絶縁フィルム上に形成され前記第１の電極に電気的に接続される第１の導電層と、
   前記第１の絶縁フィルムに積層される第２の絶縁フィルムと、
   前記第２の絶縁フィルム上に形成され前記第２の電極に電気的に接続される第２の導電層とを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電流制御素子。
8. 前記第１の半導体素子は、積層された前記第１、第２の絶縁フィルムの間に配置される、請求項７に記載の電流制御素子。
9. 前記第１、第２の絶縁フィルムは、積層されて巻回され、
   前記第１の半導体素子は、前記第１、第２の絶縁フィルムの間に巻き込まれて配置される、請求項７に記載の電流制御素子。
10. 前記コンデンサ部は、
    前記第１の絶縁フィルム上の前記第１の導電層が形成される面と反対の面に部分的に形成され、前記第１の電極に電気的に接続される第３の導電層をさらに含み、
    前記第１の半導体素子は、
    前記第１の制御電極と電気的に接続される制御端子と、
    主電流が流れる第１、第２の主電極とを含み、
    前記第１の主電極は、前記第３の導電層に当接する、請求項８または９に記載の電流制御素子。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電流制御素子を備える昇圧装置。
12. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電流制御素子を備え、モータ制御を行なうインバータ装置。

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