以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係るコモンモードチョークコイルを示す斜視図である。図2は、第1実施形態に係るコモンモードチョークコイルの断面構成を説明するための図である。図3は、第1実施形態に係るコモンモードチョークコイルを分解して示した構成図である。
コモンモードチョークコイルCC1は、印刷技術を用いて製造するコモンモードチョークコイル、いわゆる積層タイプのコモンモードチョークコイルである。コモンモードチョークコイルCC1は、図1及び図2に示されるように、積層タイプのコモンモードチョークコイルであって、直方体形状の素子1と、素子1内に位置する第1〜第3のコイル導体21,31,41と、素子1の側面に形成された端子電極3〜8とを備えている。
素子1は、図3に示すように、複数(本実施形態においては、10枚)のセラミックグリーンシート10〜19が積層されることにより構成される。セラミックグリーンシート10〜19は、電気絶縁性を有する磁性体であり、四角形状を呈している。実際のコモンモードチョークコイルCC1は、セラミックグリーンシート10〜19間の境界が視認できない程度に一体化されている。セラミックグリーンシート10〜19は、焼成されることにより、絶縁体として機能する
第1〜第3のコイル導体21,31,41は、互いに磁気的に結合する。第1のコイル導体21は、セラミックグリーンシート12,14,16にそれぞれ形成された導体パターン21a〜21cにより構成される。第2のコイル導体31は、セラミックグリーンシート12,14,16にそれぞれ形成された導体パターン31a〜31cにより構成される。第3のコイル導体41は、セラミックグリーンシート11,13,15,17に形成されたそれぞれ導体パターン41a〜41dにより構成される。導体パターン21a〜21c,31a〜31cが形成されたセラミックグリーンシート12,14,16と、導体パターン41a〜41dが形成されたセラミックグリーンシート11,13,15,17とは、交互に積層されている。
第1のコイル導体21の両端には、引き出し導体23,25が位置している。引き出し導体23,25は、セラミックグリーンシート10,16に形成された導体パターン23a,25aにより構成される。導体パターン23a,25aの一端は、素子1の側面まで引き出されて当該側面に露出しており、対応する端子電極3,4に電気的に接続される。本実施形態においては、導体パターン21cと導体パターン25aとが一体に連続して形成されている。
第2のコイル導体31の両端には、引き出し導体33,35が位置している。引き出し導体33,35は、セラミックグリーンシート10,16に形成された導体パターン33a,35aにより構成される。導体パターン33a,35aの一端は、素子1の側面まで引き出され当該側面に露出しており、対応する端子電極5,6に電気的に接続される。本実施形態においては、導体パターン31cと導体パターン35aとが一体に連続して形成されている。
第3のコイル導体41の両端には、引き出し導体43,45が位置している。引き出し導体43,45は、セラミックグリーンシート11,17に形成された導体パターン43a,45aにより構成される。導体パターン43a,45aの一端は、素子1の側面まで引き出され当該側面に露出しており、対応する端子電極7,8に電気的に接続される。本実施形態においては、導体パターン41aと導体パターン43aとが一体に連続して形成され、導体パターン41dと導体パターン45aとが一体に連続して形成されている。
導体パターン21aと導体パターン31aとは、セラミックグリーンシート12上で、セラミックグリーンシート10〜19の積層方向(以下、単に「積層方向」と称する。)に直交する方向(第1の方向)に所定の間隔を有して互いに沿うように伸びている。導体パターン21bと導体パターン31bとは、セラミックグリーンシート14上で、積層方向に直交する方向に所定の間隔を有して互いに沿うように伸びている。導体パターン21cと導体パターン31cとは、セラミックグリーンシート16上で、積層方向に直交する方向に所定の間隔を有して互いに沿うように伸びている。ここで、「所定の間隔」は、第1のコイル導体21と第2のコイル導体31とが磁気結合し得る長さに設定される。
導体パターン23a,21a〜21cは、その端部同士がセラミックグリーンシート11〜16にそれぞれ形成された貫通電極27a〜27fによって電気的に接続される。導体パターン21a〜21cは、相互に電気的に接続されることで、第1のコイル導体21を構成することとなる。第1のコイル導体21は、引き出し導体23,25を通して、端子電極3,4に電気的に接続される。
導体パターン33a,31a〜31cは、その端部同士がセラミックグリーンシート11〜16にそれぞれ形成された貫通電極37a〜37fによって電気的に接続される。導体パターン31a〜31cは、相互に電気的に接続されることで、第2のコイル導体31を構成することとなる。第2のコイル導体31は、引き出し導体33,35を通して、端子電極5,6に電気的に接続される。
各導体パターン41a〜41dは、各セラミックグリーンシート11,13,15,17上で、積層方向から見て、導体パターン21a〜21c及び導体パターン31a〜31cと重なるように伸びている。導体パターン41a〜41dは、その端部同士がセラミックグリーンシート12〜17にそれぞれ形成された貫通電極47a〜47fによって電気的に接続される。導体パターン41a〜41dは、相互に電気的に接続されることで、第3のコイル導体41を構成することとなる。第3のコイル導体41は、引き出し導体43,45を通して、端子電極7,8に電気的に接続される。
セラミックグリーンシート10〜19は、電気絶縁性を有しており、絶縁体として機能する。セラミックグリーンシート10〜19は、非磁性体セラミックグリーンシート(例えば、ガラス系セラミックグリーンシート等)でもよく、磁性体セラミックグリーンシート(例えば、Ni−Cu−Zn系フェライト、Ni−Cu−Zn−Mg系フェライト、Cu−Zn系フェライト、又は、Ni−Cu系フェライトを含むセラミックグリーンシート等)でもよい。導体パターンが形成されたセラミックグリーンシート10〜17は非磁性体とし、導体パターンが形成されていないセラミックグリーンシート18,19は磁性体とすることが好ましい。
続いて、上述した構成のコモンモードチョークコイルCC1の製造方法について説明する。
まず、各セラミックグリーンシート10〜19を用意する。次に、セラミックグリーンシート11〜17の所定の位置、すなわち貫通電極27a〜27f,37a〜37f,47a〜47fを形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。
次に、セラミックグリーンシート10〜17に、導体パターン21a〜21c,23a,25a,31a〜31c,33a,35a,41a〜41d,43a,45a及び貫通電極27a〜27f,37a〜37f,47a〜47に対応する電極部分を複数(後述する分割チップ数に対応する数)形成する。導体パターン21a〜21c,23a,25a,31a〜31c,33a,35a,41a〜41d,43a,45a及び貫通電極27a〜27f,37a〜37f,47a〜47に対応する電極部分は、例えば、Agを主成分とする導体ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。セラミックグリーンシート18,19には、電極部分が形成されていない。
次に、各セラミックグリーンシート10〜19を、図3に示されるように積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度(例えば、800〜900℃)にて焼成する。これにより、素子1が得られることとなる。素子1は、例えば、焼成後における長手方向の長さが1.2mm、幅が1.0mm、高さが0.5mmとなるようにする。導体パターン21a〜21c,23a,25a,31a〜31c,33a,35aの焼成後における幅は、例えば50μ程度に設定される。導体パターン21a〜21cと導体パターン31a〜31cとの焼成後における間隔は、例えば40μ程度に設定される。導体パターン41a〜41d,43a,45aの焼成後における幅は、例えば120μ程度に設定される。導体パターン21a〜21c,31a〜31cと導体パターン41a〜41dとの焼成後における焼成後における間隔、すなわち焼成後のセラミックグリーンシート12〜17の厚みは、例えば10μ程度に設定される。
次に、素子1に端子電極3〜8を形成する。これにより、コモンモードチョークコイルCC1が得られることとなる。端子電極3〜8は、上述するように得られた素子1の外面に銀を主成分とする電極ペーストを転写した後に所定温度(例えば、700℃程度)にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっきには、CuとNiとSn、NiとSn、NiとAu、NiとPdとAu、NiとPdとAg、又は、NiとAg等を用いることができる。
コモンモードチョークコイルCC1では、上述したように、導体パターン21a〜21cと導体パターン31a〜31cとが、積層方向に直交する方向に所定の間隔を有して互いに沿うように伸びている。したがって、第1のコイル導体21と第2のコイル導体31とは、素子1内において積層方向に直交する方向に所定の間隔を有して互いに沿うように配置されることとなる。
コモンモードチョークコイルCC1では、上述したように、各導体パターン41a〜41dが、積層方向から見て導体パターン21a〜21c及び導体パターン31a〜31cと重なるように伸びている。したがって、第3のコイル導体41は、素子1内において第1及び第2のコイル導体21,31に積層方向(第2の方向)に所定の間隔を有して対向して沿うように配置されることとなる。ここで、「所定の間隔」は、第1及び第2のコイル導体21,31と第3のコイル導体41とが磁気結合し得る長さに設定される。
以上のように、本第1実施形態においては、第1のコイル導体21と第2のコイル導体31とが積層方向に直交する方向に所定の間隔を有して互いに沿うように配置され、第3のコイル導体41が第1及び第2のコイル導体21,31に積層方向に所定の間隔を有して対向して沿うように配置されている。このため、第1のコイル導体21と第2のコイル導体31との間隔、第1のコイル導体21と第3のコイル導体41との間隔、及び、第2のコイル導体31と第3のコイル導体41との間隔が変化するのが抑制されることとなる。この結果、各コイル導体21,31,41間の線間容量が当該各コイル導体21,31,41の線路長方向に変化するのが抑えられて、コモンモードチョークコイルCC1にて特性インピーダンスの変化を抑制することができる。
また、本第1実施形態において、第1〜第3のコイル導体21,31,41のそれぞれは、導体パターン21a〜21c,31a〜31c,41a〜41dが形成された複数のセラミックグリーンシート10〜17が積層されると共に、積層方向に隣り合う導体パターン21a〜21c,31a〜31c,41a〜41dが電気的に接続されることにより構成されており、導体パターン21a〜21cと導体パターン31a〜31cとは同じセラミックグリーンシート12,14,16上に形成され、導体パターン41a〜41dは、各導体パターン21a〜21c,31a〜31cが形成されたセラミックグリーンシート12,14,16とは別のセラミックグリーンシート11,13,15,17上に形成され、セラミックグリーンシート12,14,16とセラミックグリーンシート11,13,15,17とが交互に積層されている。これにより、特に、積層タイプのコモンモードチョークコイルCC1が実現されることとなり、当該コモンモードチョークコイルCC1においても、特性インピーダンスの変化を抑制することができる。
また、本第1実施形態において、導体パターン21a〜21,31a〜31cと、導体パターン41a〜41dとは、絶縁体としてのセラミックグリーンシート12〜17を介して積層されている。これにより、導体パターン41a〜41dと導体パターン21a〜21,31a〜31cとを積層方向に所定の間隔を有して対向して沿うように配置し得る構成を低コスト且つ簡易に実現することができる。
(第2実施形態)
図4は、第2実施形態に係るコモンモードチョークコイルを示す斜視図である。図5は、第2実施形態に係るコモンモードチョークコイルを分解して示した構成図である。
コモンモードチョークコイルCC2は、薄膜成形技術を用いて製造するコモンモードチョークコイル、いわゆる薄膜タイプのコモンモードチョークコイルである。コモンモードチョークコイルCC2は、図4に示されるように、薄膜タイプのコモンモードチョークコイルであって、第1磁性基板MB1(磁性体層)、層構造体LS、及び第2磁性基板MB2(磁性体層)を備えている。第1磁性基板MB1と、層構造体LSと、第2磁性基板MB2との積層体の外周面には、端子電極51〜56が形成されている。
第1磁性基板MB1及び第2磁性基板MB2は、焼結フェライト、複合フェライト(粉状のフェライトを含有した樹脂)等の磁性材料からなる。
層構造体LSは、図5に示されるように、複数の層が薄膜成形技術により積層形成されたものであり、第1絶縁層61、第1の引き出し導体63、第2絶縁層65、第3のコイル導体67、第2の引き出し導体69、第3絶縁層71、第1のコイル導体73、第2のコイル導体75、第3の引き出し導体77、第4の引き出し導体79、第4絶縁層81、第5の引き出し導体83、第6の引き出し導体85、及び、第5絶縁層87を含んでいる。
第1絶縁層61は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工性のよい樹脂材料からなる。この第1絶縁層61は、第1磁性基板MB1の凹凸を緩和し、第1の引き出し導体63等の導体との密着性を向上させるためのものである。第1絶縁層61の厚みは、例えば0.1〜10μmに設定することができる。
第1絶縁層61には、図5にも示されるように、第1磁性基板MB1と第2磁性基板MB2との間に閉磁路を形成するための磁性体(図示せず)を配置するための開口61aと、第1の引き出し導体63の端部を露出させるための切り欠きとが設けられている。開口61aは、第1〜第3のコイル導体73,75,67の中央領域に形成される。上記磁性体は、複合フェライト等の磁性材料からなる。第1絶縁層61は、以下のようにして形成される。まず、第1磁性基板MB1上に上記樹脂材料を塗布する。樹脂材料の塗布としては、スピンコート法、ディップ法、スプレー法等がある。そして、塗布した樹脂材料を露光、現像し、所定の位置に開口61a及び切り欠き等を形成した状態で硬化させる。
第1の引き出し導体63は、第1絶縁層61上に形成されている。第1の引き出し導体63の一端は、第3のコイル導体67のスパイラルの内側の端部に電気的に接続されており、第1の引き出し導体63の他端は露出している。第1の引き出し導体63の厚みは、例えば1〜10μmに設定することができる。また、第1の引き出し導体63の幅は、例えば1〜25μmに設定することができる。
第2絶縁層65は、第1絶縁層61と同様に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工性のよい樹脂材料からなる。第2絶縁層65の厚みは、例えば1〜20μmに設定することができる。第2絶縁層65には、上述した磁性体を配置するための開口65aと、第2の引き出し導体69の端部を露出させるための切り欠きとが設けられている。開口65aは、開口61aに対応し、第1〜第3のコイル導体73,75,67の中央領域に形成される。第2絶縁層65は、第1絶縁層61と同様の手法により、第1絶縁層61及び第1の引き出し導体63上に形成される。
第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69は、第2絶縁層65上に形成されている。第3のコイル導体67は、スパイラル形状を呈している。第3のコイル導体67のスパイラルの外側の端部は、第2の引き出し導体69の一端に連続しており、第3のコイル導体67と第2の引き出し導体69とは一体に構成されている。第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69は、導電性を有する金属材料(例えば、Cu等)を含んでいる。第2の引き出し導体69の他端は露出している。第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69の厚みは、例えば3〜20μmに設定することができる。また、第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69の幅は、例えば70〜300μmに設定することができる。
第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69は、以下のようにして形成される。まず、第2絶縁層65上に導体薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法により第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69のパターンを形成する。なお、下地導体膜を形成した後にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜にフォトリソグラフィー法により第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69のパターンに相当する型を形成し、型内に導電性金属材料を電気めっきにより成長させて第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69を形成してもよい。もちろん、型として用いたレジスト膜と、露出している下地導体膜とは、除去する。
第2絶縁層65には、第2絶縁層65上に形成される第3のコイル導体67を第1絶縁層61上に形成された第1の引き出し導体63に接触させて電気的に接続するための開口(コンタクトホール)が形成されている。
第3絶縁層71は、第1及び第2絶縁層61,65と同様に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工性のよい樹脂材料からなる。第3絶縁層71の厚みは、例えば1〜20μmに設定することができる。第3絶縁層71には、上述した磁性体を配置するための開口71aと、第3及び第4の引き出し導体77,79の端部を露出させるための切り欠きとが設けられている。開口71aは、開口61a,65aに対応し、第1〜第3のコイル導体73,75,67の中央領域に形成される。第3絶縁層71は、第1絶縁層61と同様の手法により、第2絶縁層65、第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69上に形成される。
第1及び第2のコイル導体73,75と、第3及び第4の引き出し導体77,79とは、第3絶縁層71上に形成されている。第1及び第2のコイル導体73,75は、スパイラル形状を呈している。第1のコイル導体73と第2のコイル導体75とは、第3絶縁層71上で、層構造体LSにおける積層方向(以下、単に「積層方向」と称する。)に直交する方向(第1の方向)に所定の間隔を有して互いに沿うように伸びている。また、第1及び第2のコイル導体73,75は、積層方向から見て、第3のコイル導体67と重なるように伸びている。ここで、「所定の間隔」は、第1のコイル導体73と第2のコイル導体75とが磁気結合し得る長さに設定される。
第1のコイル導体73のスパイラルの外側の端部は、第3の引き出し導体77の一端に連続しており、第1のコイル導体73と第3の引き出し導体77とは一体に構成されている。第2のコイル導体75のスパイラルの外側の端部は、第4の引き出し導体79の一端に連続しており、第2のコイル導体75と第4の引き出し導体79とは一体に構成されている。第1及び第2のコイル導体73,75と、第3及び第4の引き出し導体77,79とは、導電性を有する金属材料(例えば、Cu等)を含んでいる。
第1及び第2のコイル導体73,75と、第3及び第4の引き出し導体77,79との厚みは、例えば3〜20μmに設定することができる。また、第1及び第2のコイル導体73,75と、第3及び第4の引き出し導体77,79との幅は、例えば20〜35μmに設定することができる。第1及び第2のコイル導体73,75と、第3及び第4の引き出し導体77,79とは、第3のコイル導体67及び第2の引き出し導体69と同様の手法により、形成される。
第4絶縁層81は、第1〜第3絶縁層61,65,71と同様に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工性のよい樹脂材料からなる。第4絶縁層81の厚みは、例えば1〜20μmに設定することができる。第4絶縁層81には、上述した磁性体を配置するための開口81aと、第5及び第6の引き出し導体83,85の端部を露出させるための切り欠きとが設けられている。開口81aは、開口61a,65a,71aに対応し、第1〜第3のコイル導体73,75,67の中央領域に形成される。第4絶縁層81は、第1絶縁層61と同様の手法により、第3絶縁層71、第1及び第2のコイル導体73,75、及び、第3及び第4の引き出し導体77,79上に形成される。
第5及び第6の引き出し導体83,85は、第4絶縁層81上に形成されている。第5の引き出し導体83の一端は、第1のコイル導体73のスパイラルの内側の端部に電気的に接続されており、第5の引き出し導体83の他端は露出している。第6の引き出し導体85の一端は、第2のコイル導体75のスパイラルの内側の端部に電気的に接続されており、第6の引き出し導体85の他端は露出している。第5及び第6の引き出し導体83,85の厚みは、例えば1〜10μmに設定することができる。また、第5及び第6の引き出し導体83,85の幅は、例えば20〜35μmに設定することができる。
第4絶縁層81には、第3絶縁層71上に形成された第1及び第のコイル導体73,75を第4絶縁層81上に形成される第5及び第6の引き出し導体83,85に接触させて電気的に接続するための開口(コンタクトホール)がそれぞれ形成されている。
第5絶縁層87は、第1〜第4絶縁層61,65,71,81と同様に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の電気的及び磁気的な絶縁性に優れ、加工性のよい樹脂材料からなる。第5絶縁層87の厚みは、例えば1〜20μmに設定することができる。第5絶縁層87には、上述した磁性体を配置するための開口(図示せず)が設けられている。開口は、開口61a,65a,71a,81aに対応し、第1〜第3のコイル導体73,75,67の中央領域に形成される。第5絶縁層87は、第1絶縁層61と同様の手法により、第4絶縁層81及び第5及び第6の引き出し導体83,85上に形成される。
第1絶縁層61には、第2〜第6の引き出し導体69,77,79,83,85の他端に対応する位置に切り欠きがそれぞれ形成されており、当該各切り欠きには導体69,77,79,83,85の端部に電気的に接続される導体89がそれぞれ設けられている。第5絶縁層87には、第1〜第4の引き出し導体63,69,77,79の他端に対応する位置に切り欠きがそれぞれ形成されており、当該各切り欠きには導体63,69,77,79の端部に電気的に接続される導体91がそれぞれ設けられている。
ところで、第5絶縁層87が形成されると、エポキシ樹脂等の樹脂材料にフェライト粉を混合して作製したペースト状の複合フェライトを第5絶縁層87上に塗布し、硬化させる。このとき、開口61a,65a,71a,81aにて構成される窪み部内にペースト状の複合フェライトを充填させる。これにより、上述した磁性体が開口61a,65a,71a,81aに配置されることとなる。第5絶縁層87上に塗布、硬化された複合フェライトは、表面が研磨されて、平滑化される。第2磁性基板MB2は、表面が研磨された上記複合フェライト上に接着層(図示せず)を介して貼り付けられる。接着層は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の接着剤により構成することができる。第2磁性基板MB2は、上記複合フェライトを厚くすることにより上記硬化された複合フェライトで代用することもできる。
第1〜第6の引き出し導体63,69,77,79,83,85は、それぞれが対応する端子電極51〜56に接触して電気的に接続されている。各導体63,69,77,79,83,85上に、耐腐食性や絶縁層61,65,71,81,87との密着性等を考慮し、Niめっきを施してもよい。
コモンモードチョークコイルCC2では、上述したように、第1及び第2のコイル導体73,75が、積層方向から見て第3のコイル導体67と重なるように伸びている。したがって、第3のコイル導体67は、層構造体LS内において第1及び第2のコイル導体73,75に積層方向(第2の方向)に所定の間隔を有して対向して沿うように配置されることとなる。ここで、「所定の間隔」は、第1及び第2のコイル導体73,75と第3のコイル導体67とが磁気結合し得る長さに設定される。この結果、第1〜第3のコイル導体73,75,67は、互いに磁気的に結合する。
以上のように、本第2実施形態においては、第1のコイル導体73と第2のコイル導体75とが積層方向に直交する方向に所定の間隔を有して互いに沿うように配置され、第3のコイル導体67が第1及び第2のコイル導体73,75に積層方向に所定の間隔を有して対向して沿うように配置されている。このため、第1のコイル導体73と第2のコイル導体75との間隔、第1のコイル導体73と第3のコイル導体67との間隔、及び、第2のコイル導体75と第3のコイル導体67との間隔が変化するのが抑制されることとなる。この結果、各コイル導体73,75,67間の線間容量が当該各コイル導体73,75,67の線路長方向に変化するのが抑えられて、コモンモードチョークコイルCC2にて特性インピーダンスの変化を抑制することができる。
また、本第2実施形態において、第1及び第2のコイル導体73,75と、第3のコイル導体67とは、絶縁体としての第3絶縁層71を介して積層されている。これにより、第3のコイル導体67と第1及び第2のコイル導体73,75とを積層方向に所定の間隔を有して対向して沿うように配置し得る構成を低コスト且つ簡易に実現することができる。
また、本第2実施形態において、第1〜第3のコイル導体73,75,67は、第1磁性基板MB1と第2磁性基板MB2との間に配置されている。この場合、特に、薄膜タイプのコモンモードチョークコイルCC2が実現されることとなり、当該コモンモードチョークコイルCC2においても、特性インピーダンスの変化を抑制することができる。
また、本第2実施形態において、第1及び第2のコイル導体73,75は、同一面上に位置し、第3のコイル導体67は、第1及び第2のコイル導体73,75が位置する面とは異なる面上に位置している。これにより、第1のコイル導体73と第2のコイル導体75とを同じ工程で形成することが可能となり、コモンモードチョークコイルCC2の製造工程が増えるのを防ぐことができる。
ところで、電子機器間でデジタル信号を伝送する方式の一つとして、差動伝送方式がある。差動伝送方式とは、1対の線路に互いに逆方向のデジタル信号を入力する方式で、信号線から発生する放射ノイズや、外来ノイズを差動伝送により相殺することができる。外来ノイズが相殺されることによりノイズが減少するため、信号を小振幅で送信することができ、更に、信号が小振幅となるため、信号の立ち上がり、降下時間が短縮され、信号伝送の高速化が実現されるという利点がある。
この差動伝送方式を用いるインターフェイス規格として、USB(Universal Serial Bus)、IEEE1394、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)、DVI(Digital Video Interface)、HDMI(High-Definition Multimedia Interface)等がある。これらの中でもHDMIは、より多くのデジタル信号の伝送を可能とするインターフェイスであり、ソース(Source)機器(例えば、DVDプレーヤーやセットトップボックス等)とシンク(Sink)機器(例えば、デジタルテレビやプロジェクタ等)との間で非圧縮のデジタル信号の伝送を可能とする高速インターフェイスである。HDMIによれば、1本のケーブルで映像信号及び音声信号を高速で伝送することができる。
HDMI等の高速インターフェイスでは、高速化を実現するために、IC自体の構造がESD(Electrostatic Discharge:静電気放電)に対して脆弱になってきている。このため、高速伝送系ICにおけるESD対策の要求が高まっており、ESD対策部品としてバリスタ、ツェナーダイオード等の容量性素子が用いられている。
しかしながら、ESD対策部品としての容量性素子を伝送線路に挿入すると、当該伝送線路を伝わる信号、特に高周波(200MHz以上)や高速のパルス信号が反射、減衰してしまうという問題が生じることが新たに判明した。これは、容量性素子を伝送線路に挿入した場合、容量性素子が有する容量成分により、伝送線路における容量性素子を挿入した位置での特性インピーダンスが低下して、当該位置にてインピーダンス整合されていないことに起因するものである。伝送線路にインピーダンス整合されていない部分が存在する場合、信号の高周波成分が特性インピーダンスの不整合部分で反射を起こすため、リターンロスが生じる。この結果、信号が大きく減衰してしまうこととなる。また、反射によって不要な輻射が伝送線路内に生じ、ノイズの原因となってしまうこともある。HDMIでは、伝送線路の特性インピーダンスの規定値(TDR規格)が100Ω±15%に規定されている(High-Definition Multimedia Interface Specification Version 1.1)。
本発明者等は、ESD対策として容量性素子を用いた場合でも特性インピーダンスの低下を抑制し得る信号伝送回路について鋭意検討を進めた。検討の結果、本発明者等は、容量性素子の前段にコモンモードチョークコイルと当該コモンモードチョークコイルに含まれるインダクタと実質的に磁気結合しないインダクタとを互いに電気的に直列接続した状態で設けることが特性インピーダンスの低下抑制に有効であることを新たに見出した。
しかしながら、コモンモードチョークコイルとして特許文献1に記載されたコモンモードチョークコイルを採用した場合、上述したように特性インピーダンスが変化することから、コモンモードチョークコイル内においてインピーダンスの不整合が生じてしまい、信号の減衰やノイズの発生が起こる。これに対して、本実施形態に係るコモンモードチョークコイルCC1,CC2を採用する場合、特性インピーダンスの変化が抑制されることから、信号の減衰やノイズの発生を防ぐことができる。
本発明者等の調査研究の結果、コモンモードチョークコイルCC1,CC2の特性インピーダンスは、コモンモードチョークコイルCC1,CC2に発生する浮遊容量によっても変化することが判明した。本実施形態に係るコモンモードチョークコイルCC1,CC2を基板に実装した場合、基板のグランド層やグランドラインと第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75との間に浮遊容量が生じる。第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と、第3のコイル導体41,67との間にも浮遊容量が生じる。
第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と基板のグランド層等との間隔は、第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と第3のコイル導体41,67との間隔に比べてはるかに大きい。このため、第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と基板のグランド層等との間に生じる浮遊容量は第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と、第3のコイル導体41,67との間に生じる浮遊容量よりも極めて小さくなる。コモンモードチョークコイルCC1,CC2に発生する浮遊容量は、第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と、第3のコイル導体41,67との間に生じる浮遊容量が支配的となり、第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と基板のグランド層等との間に生じる浮遊容量は無視できることとなる。
第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と基板のグランド層等との間に生じる浮遊容量が無視できるため、コモンモードチョークコイルCC1,CC2に発生する浮遊容量は、実装される基板によって実質的に変化するようなことはない。第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と、第3のコイル導体41,67との間に生じる浮遊容量は、各コイル導体21,73,31,75,41,67の幅や第1のコイル導体21,73及び第2のコイル導体31,75と第3のコイル導体41,67との間隔を所望の値に設定することにより、予め調整しておくことが可能である。これらの結果、本実施形態に係るコモンモードチョークコイルCC1,CC2では、実装する基板にかかわらず、特性インピーダンスの変化が抑制されることとなる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしもこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明は、第1のコイル導体21,73、第2のコイル導体31,75及び第3のコイル導体41,67を複数組有するコモンモードチョークコイルアレイにも適用することができる。
1…素子、10〜19…セラミックグリーンシート、21…第1のコイル導体、21a〜21c…導体パターン、31…第2のコイル導体、31a〜31c…導体パターン、41…第3のコイル導体、41a〜41d…導体パターン、61…第1絶縁層、65…第2絶縁層、67…第3のコイル導体、71…第3絶縁層、73…第1のコイル導体、75…第2のコイル導体、81…第4絶縁層、87…第5絶縁層、CC1,CC2…コモンモードチョークコイル、LS…層構造体、MB1…第1磁性基板、MB2…第2磁性基板。