JP2006165543A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006165543A JP2006165543A JP2005342947A JP2005342947A JP2006165543A JP 2006165543 A JP2006165543 A JP 2006165543A JP 2005342947 A JP2005342947 A JP 2005342947A JP 2005342947 A JP2005342947 A JP 2005342947A JP 2006165543 A JP2006165543 A JP 2006165543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- emitting device
- transparent insulating
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板210と、基板210上に相互に離隔して設けられ、半導体物質の積層により形成される少なくとも二つの発光セル240と、発光セル240の間に順次に積層された反射層220及び透明絶縁層230と、発光セル240を覆う透明電極250と、を備える。
【選択図】図2A
Description
220 反射層、
230 透明絶縁層、
240 発光セル、
242 下部GaN層、
244 活性層、
246 上部GaN層、
250 透明電極、
260 バッファ層。
Claims (42)
- 基板と、
前記基板上に相互に離隔して設けられ、半導体物質の積層により形成される少なくとも二つの発光セルと、
前記発光セルの間に所定高さに順次に積層された反射層及び透明絶縁層と、
前記発光セルの上面を覆う透明電極と、を備えることを特徴とする発光素子。 - 前記基板と前記発光セルとの間に第1バッファ層を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明絶縁層と前記反射層の厚さの和は、前記発光セルの厚さと同じ、又は、前記発光セルより厚いことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明絶縁層の厚さは、前記反射層より厚いことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記発光セルの幅に対する当該発光セルの厚さの比率は、当該発光セルに対する前記透明絶縁層の全反射角度のタンジェント値と同じ、又は、当該タンジェント値より大きいことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記基板は、Siから形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明絶縁層は、前記発光セルを形成する半導体物質の屈折率より小さな屈折率を有する物質から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明絶縁層は、SiO2、SiNx、Al2O3、HfO、ZrO、TiO2、及びZnOよりなる群から選択される少なくとも一つの物質から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明電極は、透明導電性酸化物又は金属から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記金属は、Au、Pd、Pt、Ru、及びNiよりなる群から選択される一つであることを特徴とする請求項9に記載の発光素子。
- 前記透明導電性酸化物は、亜鉛酸化物又はインジウム酸化物であることを特徴とする請求項9に記載の発光素子。
- 前記インジウム酸化物は、Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、及びLa系の元素よりなる群から選択される少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする請求項11に記載の発光素子。
- 前記反射層は、金属層から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記反射層は、複数の誘電層から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記反射層は、一対の金属層及び誘電層が、一対以上繰り返し積層されて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記基板と前記発光セルとの間に、GaN層を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記基板と前記GaN層との間に、第2バッファ層を更に備えることを特徴とする請求項16に記載の発光素子。
- 前記第1バッファ層は、GaN系のIII−V族窒化物半導体層であることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 基板上に透明絶縁層を形成する第1ステップと、
前記透明絶縁層に少なくとも一つのホールを形成する第2ステップと、
前記ホール内に、半導体物質の積層により発光セルを形成する第3ステップと、
前記透明絶縁層及び発光セルを覆う電極を形成する第4ステップと、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記基板は、Siから形成されることを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明絶縁層の厚さは、前記発光セルと同じ厚さに、又は、前記発光セルより厚く形成されることを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明絶縁層は、前記発光セルを形成する半導体物質の屈折率より小さな屈折率を有する物質から形成されることを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明絶縁層は、SiO2、SiNx、Al2O3、HfO、ZrO、TiO2、及びZnOよりなる群から選択される少なくとも一つの物質から形成されることを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第4ステップで形成される電極は、透明電極であって、
前記透明電極は、透明導電性酸化物又は金属から形成されることを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。 - 前記金属は、Au、Pd、Pt、Ru、及びNiよりなる群から選択される一つであることを特徴とする請求項24に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明導電性酸化物は、亜鉛酸化物又はインジウム酸化物であることを特徴とする請求項24に記載の発光素子の製造方法。
- 前記インジウム酸化物は、Mg、Ag、Zn、Sc、Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr、及びLa系の元素よりなる群から選択される少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第4ステップで形成される電極は、反射電極であって、
前記第4ステップは、
前記反射電極上に熱伝達層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第4ステップは、
前記基板を除去するステップを更に含むことを特徴とする請求項28に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第4ステップは、
前記基板が除去された前記発光セルの下面を少なくとも覆う下側透明電極を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項29に記載の発光素子の製造方法。 - 前記熱伝達層は、Cu、Si、及びCu合金よりなる群から選択される一つの物質から形成されることを特徴とする請求項28に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1ステップは、
前記基板と前記透明絶縁層との間に反射層を形成するステップを含み、
前記第2ステップは、
前記基板が露出されまで、前記透明絶縁層及び前記反射層にホールを形成することを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第3ステップは、
前記発光セルと前記基板との間に第1バッファ層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項32に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1ステップは、
前記基板と前記透明絶縁層との間にGaN層及び反射層を順次に形成するステップを含み、
前記第2ステップは、
前記GaN層が露出されるまで、前記透明絶縁層及び前記反射層にホールを形成することを特徴とする請求項19に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第1ステップは、
前記基板と前記GaN層との間に第2バッファ層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項34に記載の発光素子の製造方法。 - 前記透明絶縁層と前記反射層の厚さの和は、前記発光セルの厚さと同じに、又は、前記発光セルより厚く形成されることを特徴とする請求項32に記載の発光素子の製造方法。
- 前記透明絶縁層の厚さは、前記反射層より厚く形成されることを特徴とする請求項32に記載の発光素子の製造方法。
- 前記発光セルの幅に対する前記発光セルの厚さの比率は、前記発光セルに対する前記透明絶縁層の全反射角度のタンジェント値と同じに、又は、当該タンジェント値より大きく形成されることを特徴とする請求項32に記載の発光素子の製造方法。
- 前記反射層は、金属層から形成されることを特徴とする請求項32に記載の発光素子の製造方法。
- 前記反射層は、複数の誘電層から形成されることを特徴とする請求項32に記載の発光素子の製造方法。
- 前記反射層は、一対の金属層及び誘電層が、一対以上繰り返し積層されて形成されることを特徴とする請求項32に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1バッファ層は、GaN系のIII−V族窒化物半導体層であることを特徴とする請求項33に記載の発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2004-0100354 | 2004-12-02 | ||
KR1020040100354A KR100624448B1 (ko) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012181220A Division JP5770143B2 (ja) | 2004-12-02 | 2012-08-17 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006165543A true JP2006165543A (ja) | 2006-06-22 |
JP5233025B2 JP5233025B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=35840713
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005342947A Active JP5233025B2 (ja) | 2004-12-02 | 2005-11-28 | 発光素子の製造方法 |
JP2012181220A Active JP5770143B2 (ja) | 2004-12-02 | 2012-08-17 | 発光素子及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012181220A Active JP5770143B2 (ja) | 2004-12-02 | 2012-08-17 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7719013B2 (ja) |
EP (1) | EP1667228A3 (ja) |
JP (2) | JP5233025B2 (ja) |
KR (1) | KR100624448B1 (ja) |
CN (1) | CN1812117B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101739499B1 (ko) * | 2014-09-05 | 2017-05-24 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법과 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7250632B2 (en) * | 2004-04-06 | 2007-07-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices having a layer overlying an edge of a different layer and a process for forming the same |
DE102007021009A1 (de) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zur Herstellung einer solchen |
WO2008073385A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) growth of high performance non-polar iii-nitride optical devices |
GB2452737B (en) * | 2007-09-12 | 2011-09-14 | Roger Seaman | Light emitting and/or receiving apparatus |
KR100888440B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2009-03-11 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 발광다이오드 소자의 제조방법 |
KR101101133B1 (ko) * | 2008-06-03 | 2012-01-05 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화물 단결정 성장 방법 및 질화물 반도체 발광소자제조방법 |
US8716723B2 (en) * | 2008-08-18 | 2014-05-06 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Reflective layer between light-emitting diodes |
US9293656B2 (en) * | 2012-11-02 | 2016-03-22 | Epistar Corporation | Light emitting device |
KR101007117B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2011-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP4702442B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
KR101563686B1 (ko) | 2009-01-15 | 2015-10-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP5343831B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2013-11-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US20110058770A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling |
KR101601624B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2016-03-09 | 삼성전자주식회사 | 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치 |
JP2013522871A (ja) * | 2010-03-09 | 2013-06-13 | シン,ワンウン | 透明ledウエハモジュール及びその製造方法 |
JP5754173B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2015-07-29 | ソニー株式会社 | 発光ユニットおよび表示装置 |
DE102011013052A1 (de) * | 2011-03-04 | 2012-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
JP6398611B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
KR20160024170A (ko) | 2014-08-25 | 2016-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
JP2016081562A (ja) | 2014-10-09 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
CN106129219B (zh) * | 2016-07-15 | 2018-09-04 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种增强光取出效率的led芯片结构 |
FR3080487B1 (fr) | 2018-04-20 | 2020-06-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication d’un dispositif optoelectronique a matrice de diodes |
FR3112026B1 (fr) * | 2020-06-30 | 2022-09-23 | Aledia | Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06338634A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光素子アレイ |
JP2002198560A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2003017320A1 (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Nam-Young Kim | Lamp utilizing a light emitted diode |
JP2003347585A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-12-05 | Nobuhiko Sawaki | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2590035B1 (fr) * | 1985-11-08 | 1988-09-16 | Thomson Csf | Dispositif stabilisateur de la longueur d'onde moyenne d'une source a large spectre et application au gyrometre a fibre optique |
JP3396356B2 (ja) * | 1995-12-11 | 2003-04-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置,及びその製造方法 |
US6125226A (en) * | 1997-04-18 | 2000-09-26 | The Trustees Of Princeton University | Light emitting devices having high brightness |
US6423984B1 (en) * | 1998-09-10 | 2002-07-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride compound semiconductor |
JP2000315062A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 平面表示装置 |
US6992334B1 (en) * | 1999-12-22 | 2006-01-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Multi-layer highly reflective ohmic contacts for semiconductor devices |
US6586762B2 (en) * | 2000-07-07 | 2003-07-01 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power |
JP4431925B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2010-03-17 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法 |
US6649287B2 (en) * | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
WO2002067632A1 (fr) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element lumineux et procede de preparation de ce dernier |
US20030102473A1 (en) * | 2001-08-15 | 2003-06-05 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate |
KR20030017686A (ko) | 2001-08-21 | 2003-03-04 | 남 영 김 | Led 램프 |
WO2003026355A2 (de) * | 2001-08-30 | 2003-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrolumineszierender körper |
JP2003152220A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
JP2003158296A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光デバイスチップとその製造方法 |
TW515116B (en) * | 2001-12-27 | 2002-12-21 | South Epitaxy Corp | Light emitting diode structure |
US6967981B2 (en) * | 2002-05-30 | 2005-11-22 | Xerox Corporation | Nitride based semiconductor structures with highly reflective mirrors |
KR100470904B1 (ko) | 2002-07-20 | 2005-03-10 | 주식회사 비첼 | 고휘도 질화물 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
TW569474B (en) * | 2002-10-25 | 2004-01-01 | Nat Univ Chung Hsing | Superluminent light emitting diode with plated substrate having reflecting mirror and the manufacturing method thereof |
JP4564234B2 (ja) * | 2003-02-17 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US8704253B2 (en) * | 2003-03-25 | 2014-04-22 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting device and organic electroluminescence light-emitting device |
US7061065B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-06-13 | National Chung-Hsing University | Light emitting diode and method for producing the same |
TW588197B (en) * | 2003-04-22 | 2004-05-21 | Au Optronics Corp | Light source of backlight |
AU2005207924B2 (en) * | 2004-01-26 | 2008-08-14 | The Procter & Gamble Company | Fibers and nonwovens comprising polyethylene blends and mixtures |
US7274040B2 (en) * | 2004-10-06 | 2007-09-25 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices |
US20070018186A1 (en) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Lg Chem, Ltd. | Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof |
-
2004
- 2004-12-02 KR KR1020040100354A patent/KR100624448B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-11-28 JP JP2005342947A patent/JP5233025B2/ja active Active
- 2005-11-29 EP EP05257337A patent/EP1667228A3/en not_active Withdrawn
- 2005-11-30 US US11/289,292 patent/US7719013B2/en active Active
- 2005-12-02 CN CN2005101310078A patent/CN1812117B/zh active Active
-
2009
- 2009-09-21 US US12/563,524 patent/US8097502B2/en active Active
-
2012
- 2012-08-17 JP JP2012181220A patent/JP5770143B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06338634A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光素子アレイ |
JP2002198560A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Sharp Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
WO2003017320A1 (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Nam-Young Kim | Lamp utilizing a light emitted diode |
JP2003347585A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-12-05 | Nobuhiko Sawaki | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101739499B1 (ko) * | 2014-09-05 | 2017-05-24 | 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 | 유기발광다이오드 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법과 디스플레이 장치 |
US9698384B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-07-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and its manufacturing method, display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1812117B (zh) | 2011-09-21 |
JP5770143B2 (ja) | 2015-08-26 |
JP2013084916A (ja) | 2013-05-09 |
KR20060061568A (ko) | 2006-06-08 |
US8097502B2 (en) | 2012-01-17 |
US7719013B2 (en) | 2010-05-18 |
US20100009477A1 (en) | 2010-01-14 |
JP5233025B2 (ja) | 2013-07-10 |
EP1667228A2 (en) | 2006-06-07 |
US20060118798A1 (en) | 2006-06-08 |
EP1667228A3 (en) | 2010-01-20 |
CN1812117A (zh) | 2006-08-02 |
KR100624448B1 (ko) | 2006-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5233025B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
KR101259969B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP5908558B2 (ja) | 光電素子及びその製造方法 | |
US9209362B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating semiconductor light emitting device | |
JP4804485B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及び製造方法 | |
KR100826375B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조 방법 | |
JP2005183911A (ja) | 窒化物半導体発光素子及び製造方法 | |
WO2013051326A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
US20220115563A1 (en) | Light-emitting diode and method for manufacturing thereof | |
KR20160025456A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP2008218440A (ja) | GaN系LED素子および発光装置 | |
US20110220933A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating semiconductor light emitting device | |
JP2011166146A (ja) | 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ及びその製造方法 | |
WO2011111642A1 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
TWI399871B (zh) | 光電元件及其形成方法 | |
KR20050089120A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP5708285B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
JP2012064759A (ja) | 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法 | |
JP5191937B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
CN101840975A (zh) | 光电元件及其形成方法 | |
CN112510133A (zh) | 发光二极管芯片、发光二极管及发光二极管芯片制备方法 | |
US20240105879A1 (en) | Light-emitting diode and manufacturing method thereof | |
CN210325841U (zh) | 发光二极管芯片及发光二极管 | |
JP5974808B2 (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080814 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100930 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101021 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101028 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110629 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120104 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120417 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120817 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20121203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130212 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130306 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5233025 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |