JP2006165421A - 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、エッチング装置の反応室に生成するプラズマからの発せられる発光スペクトル中で、エッチングガスに含まれる元素から成る原子・分子、又は、エッチングガスに含まれる元素と窒化物半導体薄膜を構成する元素とで構成される分子が発する特定波長の光を検知し、その光の強度の時間変化を観測することで、所望の位置で精度良くエッチングをストップできる。
【選択図】 図3
Description
前記窒化物半導体薄膜を構成するV族原子として、N、もしくは、P、As、Sbのうち
少なくとも1種類の元素とN、が含まれるものとして構わない。
、In、Bのうち少なくとも1種類を含んでいても構わない。又、V族元素としてN、も
しくはP、As、Sbの少なくとも1種類とN、を含んでいても構わない。
7の光でも構わない。更に、エッチングに用いるために反応炉(チャンバー)に供給される反応性ガスにCF4、C4F8などのフロロカーボンが含まれる場合、CFの波長256nmの光、CF2の波長252nm、255nm、260nm、263nmなどの光を観測・検知することで、正確にエッチングストップするタイミングを判定することができる。
2 n型GaN層
3 n型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
4 n型GaN光ガイド層
5 多重量子井戸構造発光層
6 p型Al0.3Ga0.7Nエッチングストップ検出層
7 p型GaN光ガイド層
8 p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層
9 p型GaNコンタクト層
10 SiO2層
11 p側電極
12 n側電極
13 メタライズ層
14 窒化物半導体成長層
15 リッジストライプ
Claims (6)
- 少なくとも表面が窒化物半導体で構成されている窒化物半導体基板上に少なくとも1種類以上の窒化物半導体薄膜を積層して窒化物半導体成長層を形成する第1ステップと、前記窒化物半導体成長層の一部を除去する第2ステップと、を備えた窒化物半導体レーザ素子の製造方法において、
前記第2ステップにおいて、
前記窒化物半導体成長層の除去はドライエッチングにより行われ、エッチングガスに含まれる元素から成る原子、分子、ラジカル、又は、前記エッチングガスに含まれる元素と前記窒化物半導体薄膜を構成する元素とで構成される原子、分子、ラジカルが発する光を観測・検知することで、前記窒化物半導体成長層内で、ある窒化物半導体薄膜とその表面に成長した別の窒化物半導体薄膜との界面を検知してエッチングを停止することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記エッチングガスとして、塩素原子を含んで構成される塩素系ガスが含まれていることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記窒化物半導体薄膜を構成するIII族原子として、Ga、Al、In、Bのうち少なく
とも1種類の元素を含み、前記窒化物半導体薄膜を構成するV族原子として、N、もしく
は、P、As、Sbのうち少なくとも1種類の元素とN、が含まれることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 前記窒化物半導体薄膜を構成する元素のうち、Ga、Al、In、Bのうち少なくとも1種類の元素と、塩素原子を含んで構成される塩素系ガスに含まれる元素と、から構成される分子が発する光を観測・検知することで、ある窒化物半導体薄膜とその表面に成長した別の窒化物半導体薄膜との界面を検知してエッチングを停止することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
- 前記第2ステップにおいて、
前記窒化物半導体成長層の一部を除去してリッジ形状のリッジストライプを形成する際、
前記リッジストライプを形成してエッチングを停止するエッチング停止位置が、前記窒化物半導体成長層内にある第1膜であるAlx1Iny1Gaz1N(x1、y1、z1≧0、x1+y1+z1=1、0.05≦x1+y1≦1)と第2膜であるAlx2Iny2Gaz2N(x2、y2、z2≧0、x2+y2+z2=1、0≦x2+y2≦0.25、z1<z2)の界面近傍にあり、
前記第1膜及び前記第2膜を構成するAl、Ga、Inのうち少なくとも1種類の元素と、塩素原子を含んで構成される塩素系ガスに含まれる元素と、から構成される分子が発する光を観測・検知することで、前記界面の検出し、エッチングを停止することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の前記窒化物半導体レーザ素子の製造方法を用いて作製される窒化物半導体レーザ素子。
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