JP2006156847A

JP2006156847A - Organic electroluminescent element

Info

Publication number: JP2006156847A
Application number: JP2004347742A
Authority: JP
Inventors: Itaru Ozaka; 格尾坂; Atsushi Ogasawara; 淳小笠原
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2004-11-30
Filing date: 2004-11-30
Publication date: 2006-06-15

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element ensuring excellent durability. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent element includes an organic compound layer of at least single layer including a light emitting layer between a pair of electrodes. At least single layer of the organic compound layer includes a compound expressed with general formula (1). In the formula, L<SP>1</SP>denotes the bivalent or higher coupling group, X<SP>1</SP>denotes nitrogen atom or substitutional or non-substitutional carbon atom, Q<SP>1</SP>indicates a group of atoms forming a hetero ring through coupling with N and X<SP>1</SP>, and n<SP>1</SP>denotes an integer of 2 or lager. Ar<SP>1</SP>is a group denoted with general formula (2). R<SP>2</SP>denotes a substitutional group and Q<SP>2</SP>denotes a group of atoms forming an aromatic ring or aromatic hetero ring. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent element capable of emitting light by converting electric energy into light.

有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。有機電界発光素子の重要な特性値として、外部量子効率がある。外部量子効率は、「外部量子効率φ＝素子から放出されたフォトン数／素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。 An organic electroluminescence (EL) element has attracted attention as a promising display element because it can emit light with high luminance at a low voltage. An important characteristic value of the organic electroluminescence device is external quantum efficiency. The external quantum efficiency is calculated by “external quantum efficiency φ = number of photons emitted from the device / number of electrons injected into the device”, and it can be said that the larger this value, the more advantageous the device in terms of power consumption.

有機電界発光素子に含まれる発光層又は有機化合物層のうち少なくとも一層が、ヘテロ環化合物を含む素子が報告されている（例えば、特許文献１参照。）。さらなる外部量子効率の向上、及び耐久性の面で、発光層又は有機化合物層のうち少なくとも一層に含まれる材料の改善が望まれている。
特開２００２−３３８５７９号公報 An element in which at least one of a light emitting layer or an organic compound layer included in the organic electroluminescent element contains a heterocyclic compound has been reported (for example, see Patent Document 1). From the viewpoint of further improving external quantum efficiency and durability, it is desired to improve the material contained in at least one of the light emitting layer and the organic compound layer.
JP 2002-338579 A

本発明の目的は、耐久性が良好な発光素子の提供にある。 An object of the present invention is to provide a light-emitting element with good durability.

本発明の課題は下記手段によって達成された。 The object of the present invention has been achieved by the following means.

〔１〕一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。 [1] An organic electroluminescent device having at least one organic compound layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein at least one layer of the organic compound layer contains a compound represented by the following general formula (1) An organic electroluminescent device characterized by that.

（L¹は２価以上の連結基を表し、X¹は窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Q¹はN及びX¹と結合してヘテロ環を形成する原子群を表し、n¹は２以上の整数を表す。Ar¹は一般式（２）で表される基であり、R²は置換基を表し、Q²は芳香環または芳香族へテロ環を形成する原子群を表す。） (L ¹ represents a divalent or higher valent linking group, X ¹ represents a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, Q ¹ represents an atomic group that forms a heterocycle by combining with N and X ¹ ; n ¹ represents an integer greater than or equal to 2. Ar ¹ is a group represented by the general formula (2), R ² represents a substituent, and Q ² represents an atomic group that forms an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring. Represents.)

〔２〕前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（３）で表されることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。 [2] The organic electroluminescent element as described in [1], wherein the compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (3).

（L³は２価以上の連結基を表し、X³は窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Q³は芳香環または芳香族へテロ環を形成する原子群を表し、n³は２以上の整数を表し、Ar³は前記一般式（２）で表される基である。） (L ³ represents a divalent or higher valent linking group, X ³ represents a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, Q ³ represents an atomic group forming an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring, and n ³ Represents an integer of 2 or more, and Ar ³ is a group represented by the general formula (2).

〔３〕前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（４）で表されることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の有機電界発光素子。 [3] The organic electroluminescent element as described in [1] or [2], wherein the compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (4).

（X⁴¹〜X⁴³およびY⁴¹〜Y⁴³は、それぞれ、窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Q⁴¹〜Q⁴³は、それぞれ、芳香環または芳香族へテロ環を形成する原子群を表し、Ar⁴¹〜Ar⁴³は、それぞれ、前記一般式（２）で表される基である。）
〔４〕前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（５）で表されることを特徴とする〔１〕〜〔３〕項のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。 (X ⁴¹ to X ⁴³ and Y ⁴¹ to Y ⁴³ each represent a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, Q ⁴¹ to Q ^43, respectively, the atoms forming the heterocyclic ring aromatic or Represents a group, and Ar ^{41 to} Ar ⁴³ are each a group represented by the general formula (2).)
[4] The organic electroluminescence according to any one of [1] to [3], wherein the compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (5): element.

（X⁵¹〜X⁵³、Y⁵¹〜Y⁵³及びZ⁵¹〜Z⁵³はそれぞれ、窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Ar⁵¹〜Ar⁵³は、それぞれ、前記一般式（２）で表される基である。）
〔５〕前記発光層に三重項励起状態からの発光を示す化合物をさらに含有することを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。 (X ^{51 to} X ⁵³ , Y ^{51 to} Y ⁵³ and Z ^{51 to} Z ⁵³ each represent a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, and Ar ^{51 to} Ar ⁵³ are each represented by the general formula (2). Group represented.)
[5] The organic electroluminescent element as described in any one of [1] to [4], wherein the light emitting layer further contains a compound exhibiting light emission from a triplet excited state.

〔６〕前記一般式（１）、（３）、（４）又は（５）で表される化合物が、前記発光層に含まれることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。 [6] Any one of [1] to [5], wherein the compound represented by the general formula (1), (3), (4) or (5) is contained in the light emitting layer. The organic electroluminescent element according to item.

〔７〕前記一般式（１）、（３）、（４）又は（５）で表される化合物が、前記発光層に隣接する有機層に含まれることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。 [7] The compound represented by the general formula (1), (3), (4) or (5) is contained in an organic layer adjacent to the light emitting layer [1] to [5] ] The organic electroluminescent element of any one of.

本発明の発光素子は、高耐久発光が可能である。 The light-emitting element of the present invention can emit light with high durability.

本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層（以下、「有機層」ともいう。）を有する有機電界発光素子（以下、「本発明の素子」、「発光素子」、又は「ＥＬ素子」ともいう。）であって、該有機化合物層の少なくとも一層に、一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする。 The organic electroluminescent element of the present invention has at least one organic compound layer (hereinafter also referred to as “organic layer”) including a light emitting layer between a pair of electrodes (hereinafter, “element of the present invention”). , Also referred to as “light-emitting element” or “EL element”), wherein at least one layer of the organic compound layer contains a compound represented by the general formula (1).

本発明の有機電界発光素子における前記有機化合物層が、一般式（１）で表される化合物を含有することにより発光効率及び耐久性が良好な発光素子を提供することできる。該化合物は、発光層又は発光層に隣接する有機化合物層のいずれか又は両方に含有することが好ましく、発光層又は電子輸送層のいずれか又は両方に含有することがより好ましく、発光層に含まれることがさらに好ましい。 When the organic compound layer in the organic electroluminescence device of the present invention contains the compound represented by the general formula (1), a light emitting device having good luminous efficiency and durability can be provided. The compound is preferably contained in either or both of the light emitting layer or the organic compound layer adjacent to the light emitting layer, more preferably contained in either or both of the light emitting layer or the electron transport layer, and included in the light emitting layer. More preferably.

一般式（１）について説明する。L¹は２価以上の連結基を表す。L¹で表される連結基として好ましくは、C、N、O、S、Si、及び／又はGeで形成される連結基であり、さらに好ましくは環員数５〜１０の芳香環及び／又は芳香族へテロ環からなる連結基であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、及び／又はトリアジン環からなる連結基である。 The general formula (1) will be described. L ¹ represents a divalent or higher valent linking group. The linking group represented by L ¹ is preferably a linking group formed of C, N, O, S, Si, and / or Ge, and more preferably an aromatic ring and / or fragrance having 5 to 10 ring members. And particularly preferably a linking group consisting of a benzene ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, and / or a triazine ring.

L¹で表される連結基は置換基を有していてもよく、置換基としては下記置換基群Aなどが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
置換基群A：アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、 The linking group represented by L ¹ may have a substituent, and examples of the substituent include the following substituent group A. These substituents may be further substituted.
Substituent group A: alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms such as methyl, ethyl, iso-propyl, tert-butyl, n -Octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 carbon atoms). For example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), alkynyl groups (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 2 carbon atoms). 10 to 10 such as propargyl and 3-pentynyl), an aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, and more). Preferably it has 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl and the like, and an amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably Has 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, and examples thereof include amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino and the like, and an alkoxy group (preferably carbon). 1 to 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy, etc.), an aryloxy group (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. For example, phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, etc.), a heterocyclic oxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom). -12, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy and the like.

アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、 An acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl, etc.), an alkoxycarbonyl group ( Preferably it has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl and the like, and an aryloxycarbonyl group (preferably having a carbon number). 7 to 30, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl, and acyloxy groups (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms). 2 to 20, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, for example, acetoxy, benzoyloxy An acylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino and benzoylamino). An alkoxycarbonylamino group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms such as methoxycarbonylamino), aryloxycarbonylamino group (Preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonylamino), sulfonylamino group (preferably 1 carbon atom) To 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, Methanesulfonylamino, benzenesulfonylamino, etc.), sulfamoyl groups (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, such as sulfamoyl, methyl Famoyl, dimethylsulfamoyl, phenylsulfamoyl, etc.),

カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、又はシリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）。 A carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl and the like), alkylthio. A group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio and ethylthio), an arylthio group (preferably having 6 to 6 carbon atoms). 30, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, and the like, and a heterocyclic thio group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 carbon atom). -20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridylthio, 2-benzimidazolyl E, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio, etc.), sulfonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms). For example, mesyl, tosyl, etc.), sulfinyl groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl, benzene And ureido groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms. Examples thereof include ureido, methylureido, and phenylureido. Phosphoric acid amide group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably carbon 1 to 12, for example, diethyl phosphate amide, phenyl phosphate amide, etc.), hydroxy group, mercapto group, halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, Sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, For example, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, specifically, for example, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group and the like can be mentioned. A silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably carbon It has 3 to 30 primes, particularly preferably 3 to 24 carbons, and examples thereof include trimethylsilyl and triphenylsilyl. ) Or a silyloxy group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyloxy and triphenylsilyloxy).

L¹の置換基としてはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、含ケイ素ヘテロ環を形成する基、シリル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、シリル基がより好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、又はシリル基がさらに好ましい。 Examples of the substituent for L ¹ include an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylamino group, an arylamino group, a heterocyclic amino group, a group forming a silicon-containing heterocycle, silyl Group, hydroxy group, mercapto group, or halogen atom is preferable, alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, aryloxy group, arylamino group, silyl group are more preferable, alkyl group, aryl group, heteroaryl group Or a silyl group is more preferable.

L¹で表される連結基の具体例としては例えば以下のものが挙げられるが、これらに限定されない。下記の連結基中、フリーの結合手のいずれかの２つ以上に前記一般式（１）から誘導される含窒素へテロ環が結合していればよく、該含窒素へテロ環が結合しない結合手には、水素原子や前記置換基群Ａなどの置換基が結合していれば良い。 Specific examples of the linking group represented by L ¹ include, but are not limited to, the following. In the following linking group, it is sufficient that the nitrogen-containing heterocycle derived from the general formula (1) is bonded to any two or more of the free bonds, and the nitrogen-containing heterocycle is not bonded. It is only necessary that a bond such as a hydrogen atom or the substituent group A is bonded to the bond.

X¹は窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表す。炭素上の置換基としては特に限定されないが、前記置換基群Ａが適用できる。 X ¹ represents a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom. Although it does not specifically limit as a substituent on carbon, The said substituent group A is applicable.

X¹が炭素原子であるとき、炭素上の置換基としてはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、含ケイ素ヘテロ環を形成する基、シリル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子が好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、シリル基がより好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はシリル基がさらに好ましい。 When X ¹ is a carbon atom, examples of the substituent on the carbon include an alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkenyl group, alkoxy group, aryloxy group, alkylamino group, arylamino group, heterocyclic amino group, A group forming a silicon heterocycle, a silyl group, a hydroxy group, a mercapto group, and a halogen atom are preferable, and an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an arylamino group, and a silyl group are more preferable, and an alkyl group A group, an aryl group, a heteroaryl group or a silyl group is more preferable.

Q¹はN及びX¹と結合して含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表す。 Q ¹ represents an atomic group that combines with N and X ¹ to form a nitrogen-containing heterocycle.

Q¹で形成される環構造としては特に限定されないが、５員〜７員の含窒素芳香環が挙げられ、好ましくは５員の含窒素芳香環が挙げられ、例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、これらの縮環、及び、互変異性体などが挙げられる（例えばベンズイミダゾール環、インダゾール環など）。 No particular limitation is imposed on the ring structure formed by Q ^1, include nitrogen-containing aromatic ring of 5 to 7 membered, preferably include nitrogen-containing aromatic 5-membered ring, e.g., pyrrole ring, pyrazole ring, Examples thereof include an imidazole ring, a triazole ring, a condensed ring thereof, and a tautomer thereof (for example, a benzimidazole ring, an indazole ring, etc.).

Q¹で形成される含窒素へテロ環としては、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、イミダゾピリジン環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、プリン環、インドール環、又はこれらの互変異性体が好ましく、ピラゾール環、イミダゾール環、ベンズイミダゾール環、イミダゾピリジン環、インダゾール環、プリン環、又はこれらの互変異性体がより好ましく、インダゾール環、ベンズイミダゾール環、イミダゾピリジン環、プリン環がさらに好ましく、ベンズイミダゾール環、イミダゾピリジン環、又はこれらの互変異性体が特に好ましい。 The nitrogen-containing heterocycle formed by Q ¹ includes a pyrrole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, an imidazole ring, a benzimidazole ring, an imidazopyridine ring, an indazole ring, a benzotriazole ring, a purine ring, an indole ring, or these Tautomers are preferable, pyrazole ring, imidazole ring, benzimidazole ring, imidazopyridine ring, indazole ring, purine ring, or tautomers thereof are more preferable, indazole ring, benzimidazole ring, imidazopyridine ring, purine A ring is more preferable, and a benzimidazole ring, an imidazopyridine ring, or a tautomer thereof is particularly preferable.

Q¹は置換基を有していてもよく、置換基としては特に限定されないが、前記置換基群Aが適用でき、その好ましい範囲は前記L¹の置換基と同じである。 Q ¹ may have a substituent, and the substituent is not particularly limited, but the substituent group A can be applied, and its preferred range is the same as the substituent of L ¹ .

n¹は２以上の整数を表す。n¹は２以上１０以下であることが好ましく、２以上６以下であることがより好ましく、２以上４以下であることがさらに好ましい。 n ¹ represents an integer of 2 or more. n ¹ is preferably 2 or more, 10 or less, more preferably 2 or more and 6 or less, and further preferably 2 or more and 4 or less.

Ar¹は一般式（２）で表される基である。一般式（２）について説明する。R²は置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、前記置換基群Aが適用できる。 Ar ¹ is a group represented by the general formula (2). The general formula (2) will be described. R ² represents a substituent. Although it does not specifically limit as a substituent, The said substituent group A is applicable.

R²としては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基、含ケイ素ヘテロ環を形成する基、シリル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子が好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、シリル基がより好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シリル基がさらに好ましい。 R ² is an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an alkylamino group, an arylamino group, a heterocyclic amino group, a group forming a silicon-containing heterocyclic ring, a silyl group, Hydroxy group, mercapto group and halogen atom are preferable, alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, aryloxy group, arylamino group and silyl group are more preferable, alkyl group, aryl group, heteroaryl group and silyl group Is more preferable.

Q²は芳香環または芳香族へテロ環を形成する原子群を表す。形成される環構造としては特に限定されないが下記環構造群Ｂ、例えばベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、チオフェン環、ピロール環、フラン環、シクロペンタジエン環、シロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、及びこれらの縮環（例えばナフタレン環、キノリン環、キノキサリン環、ベンゾチオフェン環、インドール環、ベンズイミダゾール環、インダゾール環など）などが挙げられ、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、チオフェン環、ピロール環、フラン環、シクロペンタジエン環、シロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環が好ましく、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、チオフェン環、ピロール環、フラン環、シクロペンタジエン環、シロール環がより好ましく、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、及び／又はピリミジン環がさらに好ましい。 Q ² represents an atomic group forming an aromatic ring or an aromatic hetero ring. The ring structure to be formed is not particularly limited, but the following ring structure group B, for example, benzene ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, thiophene ring, pyrrole ring, furan ring, cyclopentadiene ring, silole ring, imidazole ring, pyrazole Ring, triazole ring, thiazole ring, oxazole ring, and condensed rings thereof (for example, naphthalene ring, quinoline ring, quinoxaline ring, benzothiophene ring, indole ring, benzimidazole ring, indazole ring, etc.) and the like, benzene ring, Pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, thiophene ring, pyrrole ring, furan ring, cyclopentadiene ring, silole ring, imidazole ring, pyrazole ring, triazole ring, thiazole ring, oxazole ring are preferred, benzene ring, pyridine ring, pyrazine ring , Pirimi Down ring, thiophene ring, pyrrole ring, furan ring, cyclopentadiene ring, more preferably a silole ring, a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, and / or a pyrimidine ring is more preferred.

Q²は置換基を有していてもよく、置換基としては特に限定されないが、前記置換基群Aが適用でき、その好ましい範囲は前記L¹の置換基と同じである。 Q ² may have a substituent, and the substituent is not particularly limited, but the substituent group A can be applied, and the preferred range thereof is the same as the substituent of L ¹ .

R²とQ²上の置換基、あるいはQ²上の置換基同士は可能な限り連結して環構造を形成しても良い。 The substituents on R ² and Q ² , or the substituents on Q ² may be linked as much as possible to form a ring structure.

一般式（３）について説明する。L³は前記一般式（１）中のL¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。 The general formula (3) will be described. L ³ has the same meaning as L ¹ in the general formula (1), and the preferred range is also the same.

X³は前記一般式（１）中のX¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。 X ³ has the same meaning as X ¹ in the general formula (1), and the preferred range is also the same.

Q³は前記一般式（２）中のQ²と同義であり、好ましい範囲も同じである。 Q ³ has the same meaning as Q ² in the general formula (2), and the preferred range is also the same.

n³は２以上の整数を表す。n³は２以上１０以下であることが好ましく、２以上６以下であることがより好ましく、２以上４以下であることがさらに好ましい。 n ³ represents an integer of 2 or more. n ³ is preferably 2 or more, 10 or less, more preferably 2 or more and 6 or less, and further preferably 2 or more and 4 or less.

Ar³は前記一般式（１）中のAr¹と同義であり、一般式（２）で表される基である。 Ar ³ is synonymous with Ar ¹ in the general formula (1) and is a group represented by the general formula (2).

一般式（４）について説明する。 The general formula (4) will be described.

X⁴¹〜X⁴³はそれぞれ前記一般式（１）中のX¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、X⁴¹〜X⁴³は同じであっても異なっていてもよい。 X ^{41 to} X ⁴³ each have the same meaning as X ¹ in the general formula (1), and the preferred range is also the same. X ^{41 to} X ⁴³ may be the same or different.

Y⁴¹〜Y⁴³はそれぞれ前記一般式（１）中のX¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、Y⁴¹〜Y⁴³は同じであっても異なっていてもよい。 Y ^{41 to} Y ⁴³ each have the same meaning as X ¹ in the general formula (1), and the preferred range is also the same. Y ^{41 to} Y ⁴³ may be the same or different.

Q⁴¹〜Q⁴³はそれぞれ前記一般式（２）中のQ²と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、Q⁴¹〜Q⁴³は同じであっても異なっていてもよい。
Ar⁴¹〜Ar⁴³はそれぞれ前記一般式（１）中のAr¹と同義であり、一般式（２）で表される基である。 Q ^{41 to} Q ⁴³ each have the same meaning as Q ² in the general formula (2), and the preferred range is also the same. Q ^{41 to} Q ⁴³ may be the same or different.
Ar ^{41 to} Ar ⁴³ are each synonymous with Ar ¹ in the general formula (1), and are groups represented by the general formula (2).

一般式（５）について説明する。
X⁵¹〜X⁵³は、それぞれ前記一般式（１）中のX¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、X⁵¹〜X⁵³は同じであっても異なっていてもよい。
Y⁵¹〜Y⁵³はそれぞれ前記一般式（１）中のX¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、Y⁵¹〜Y⁵³は同じであっても異なっていてもよい。
Z⁵¹〜Z⁵³はそれぞれ前記一般式（１）中のX¹と同義であり、好ましい範囲も同じである。また、Z⁵¹〜Z⁵³は同じであっても異なっていてもよい。
Ar⁵¹〜Ar⁵³はそれぞれ前記一般式（１）中のAr¹と同義であり、一般式（２）で表される基である。 The general formula (5) will be described.
X ^{51 to} X ⁵³ each have the same meaning as X ¹ in the general formula (1), and the preferred range is also the same. X ^{51 to} X ⁵³ may be the same or different.
Y ^{51 to} Y ⁵³ each have the same meaning as X ¹ in the general formula (1), and the preferred range is also the same. Y ^{51 to} Y ⁵³ may be the same or different.
Z ^{51 to} Z ⁵³ each have the same meaning as X ¹ in the general formula (1), and the preferred range is also the same. Z ^{51 to} Z ⁵³ may be the same or different.
Ar ^{51 to} Ar ⁵³ are each synonymous with Ar ¹ in the general formula (1), and are groups represented by the general formula (2).

一般式（１）、一般式（３）、一般式（４）又は一般式（５）で表される化合物は、電子輸送性材料又はホスト材料として用いることができる。
一般式（１）、一般式（３）、一般式（４）又は一般式（５）で表される化合物はいずれの有機層に含まれていても良いが、電子輸送層もしくは発光層に含まれていることが好ましく、発光層に含まれていることがより好ましい。また、一つの有機層に含まれていても、複数の有機層に含まれていても良い。 The compound represented by General Formula (1), General Formula (3), General Formula (4), or General Formula (5) can be used as an electron transporting material or a host material.
The compound represented by the general formula (1), the general formula (3), the general formula (4) or the general formula (5) may be contained in any organic layer, but is contained in the electron transport layer or the light emitting layer. It is preferable that it is contained in the light emitting layer. Moreover, even if it is contained in one organic layer, it may be contained in several organic layers.

一般式（１）、（３）、（４）又は（５）で表される化合物の膜状態でのＴ_１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（１８８．３ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５．６ｋＪ／ｍｏｌ以下）が好ましく、５５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５１．０ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５．６ｋＪ／ｍｏｌ以下）がより好ましく、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．０ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５．６ｋＪ／ｍｏｌ以下）がさらに好ましい。 The T ₁ level (energy level of the lowest triplet excited state) in the film state of the compound represented by the general formula (1), (3), (4) or (5) is 45 kcal / mol or more (188.3 kJ). / Mol or more), 85 kcal / mol or less (355.6 kJ / mol or less) is preferable, 55 kcal / mol or more (251.0 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355.6 kJ / mol or less) is more preferable, and 60 kcal. / Mol or more (272.0 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355.6 kJ / mol or less).

Ｔ_１レベルは、化合物の膜状態でのりん光スペクトルを測定し、スペクトルの短波端の波長から求めることができる。 The T ₁ level can be obtained from the wavelength of the short wavelength end of the spectrum by measuring the phosphorescence spectrum of the compound in the film state.

本発明の発光素子の外部量子効率としては、５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、１３％以上がさらに好ましい。外部量子効率の数値は２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動した時の１００〜３００ｃｄ／ｍ^２付近（好ましくは２００〜３００ｃｄ／ｍ^２）での外部量子効率の値を用いることができる。 The external quantum efficiency of the light emitting device of the present invention is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and further preferably 13% or more. The maximum value of the external quantum efficiency when numeric external quantum efficiency of the device is driven at 20 ° C., or around 100~300cd / ^{m 2} when the device is driven at 20 ° C. (preferably 200~300cd ^{/ m} 2) The value of external quantum efficiency at can be used.

本発明の発光素子の内部量子効率としては、３０％以上が好ましく、５０％以上がさらに好ましく、７０％以上がさらに好ましい。素子の内部量子効率は内部量子効率＝外部量子効率／光取り出し効率で算出される。通常の有機ＥＬ素子では光取り出し効率は約２０％であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を２０％以上にすることが可能で有る。 The internal quantum efficiency of the light emitting device of the present invention is preferably 30% or more, more preferably 50% or more, and further preferably 70% or more. The internal quantum efficiency of the device is calculated as follows: internal quantum efficiency = external quantum efficiency / light extraction efficiency. In a normal organic EL element, the light extraction efficiency is about 20%. However, the shape of the substrate, the shape of the electrode, the thickness of the organic layer, the thickness of the inorganic layer, the refractive index of the organic layer, the refractive index of the inorganic layer, etc. By devising it, it is possible to increase the light extraction efficiency to 20% or more.

本発明の発光層に含まれるホスト材料、電子輸送層、及び、ホール輸送材料のガラス転移点は９０℃以上４００℃以下であることが好ましく、１００℃以上３８０℃以下であることがより好ましく、１２０℃以上３７０℃以下であることがさらに好ましく、１４０℃以上３６０℃以下であることが特に好ましい。 The glass transition point of the host material, electron transport layer, and hole transport material contained in the light emitting layer of the present invention is preferably 90 ° C. or higher and 400 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or higher and 380 ° C. or lower, The temperature is more preferably 120 ° C. or higher and 370 ° C. or lower, and particularly preferably 140 ° C. or higher and 360 ° C. or lower.

本発明に用いる発光材料について説明する。発光材料とは、発光層において実質的に発光する機能を担う化合物であり、発光は蛍光であってもりん光であっても、その両方を発光しても良いが、発光層において実質的にりん光を発光する化合物であることが好ましい。本発明の有機電界発光素子は、発光層が蛍光発光化合物を含有せず、りん光発光化合物が実質的に発光する素子であることがより好ましい。 The light emitting material used in the present invention will be described. The light emitting material is a compound that has a function of substantially emitting light in the light emitting layer, and the light emission may be fluorescent, phosphorescent, or both. A compound that emits phosphorescence is preferred. The organic electroluminescent device of the present invention is more preferably a device in which the light emitting layer does not contain a fluorescent light emitting compound and the phosphorescent light emitting compound substantially emits light.

発光層中の発光材料の濃度は、特に限定されないが、主成分であるホスト材料と同等かそれ以下であることが好ましく、０．１質量％以上５０質量％以下であることがより好ましく、０．２質量％以上３０質量％以下であることがさらに好ましく、０．３質量％以上２０質量％以下であることが特に好ましく、０．５質量％以上１０質量％以下が最も好ましい。 The concentration of the light-emitting material in the light-emitting layer is not particularly limited, but is preferably equal to or less than that of the main component host material, more preferably 0.1% by mass or more and 50% by mass or less. More preferably, the content is 2% by mass or more and 30% by mass or less, particularly preferably 0.3% by mass or more and 20% by mass or less, and most preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less.

りん光発光化合物は、特に限定されないが、遷移金属錯体が好ましく、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、ルテニウム錯体、パラジウム錯体、ロジウム錯体、又は希土類錯体がより好ましく、イリジウム錯体、白金錯体がさらに好ましい。また特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特願２００１−２３９２８１号明細書、特願２００１−２４８１６５号明細書に記載のジフルオロフェニルピリジン配位子を有するオルトメタル化イリジウム錯体が好ましい。 The phosphorescent compound is not particularly limited, but is preferably a transition metal complex, more preferably an iridium complex, a platinum complex, a rhenium complex, a ruthenium complex, a palladium complex, a rhodium complex, or a rare earth complex, and more preferably an iridium complex or a platinum complex. . Further, an orthometalated iridium complex having a difluorophenylpyridine ligand described in JP-A No. 2002-235076, JP-A No. 2002-170684, Japanese Patent Application No. 2001-239281, and Japanese Patent Application No. 2001-248165. Is preferred.

また、米国特許第６，３０３，２３８号明細書、同第６，０９７，１４７号明細書、国際公開第００／７０６５５号、同第０１／０８２３０号、同第０１／３９２３４号、同第０１／４１５１２号、同第０２／０２７１４号、同第０２／１５６４５号の各パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、特願２０００−３３５６１号明細書、特開２００２−１１７９７８号公報、特願２００１−２４８１６５号明細書、特開２００２−２３５０７６号公報、特願２００１−２３９２８１号明細書、特開２００２−１７０６８４号公報、欧州特許第１２１１２５７号明細書、特開２００２−２６４９５号、特開２００２−２３４８９４号、特開２００１−２４７８５９号、特開２００１−２９８４７０号、特開２００２−１７３６７４号、特開２００２−１７３６７４号、特開２００２−２０３６７８号、特開２００２−２０３６７９号の各公報等の特許文献に記載のりん光発光化合物も好適に用いることができる。 Also, U.S. Pat. Nos. 6,303,238, 6,097,147, WO 00/70655, 01/08230, 01/39234, 01 / 41512, 02/02714, 02/15645, JP 2001-247859, Japanese Patent Application 2000-33561, JP 2002-117978, Japanese Patent Application 2001 No. 248165, JP-A No. 2002-235076, Japanese Patent Application No. 2001-239281, JP-A No. 2002-170684, European Patent No. 12111257, JP-A No. 2002-26495, JP-A No. 2002-234894 No., JP-A No. 2001-247859, JP-A No. 2001-298470, JP-A No. 2002-173684, Open No. 2002-173674, JP 2002-203678, phosphorescent compounds described in patent documents JP-like of JP-2002-203679 can also be preferably used.

本発明に用いるりん光発光化合物のりん光寿命(室温)は特に限定されないが、１ｍｓ以下であることが好ましく、１００μｓ以下であることがより好ましく、１０μｓ以下であることがさらに好ましい。 The phosphorescence lifetime (room temperature) of the phosphorescent compound used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 1 ms or less, more preferably 100 μs or less, and further preferably 10 μs or less.

りん光発光化合物のＴ_１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（１８８．３ｋＪ／ｍｏｌ以上）、９０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３７７．１ｋＪ／ｍｏｌ以下）が好ましく、５５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５１．０ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５６．１５ｋＪ／ｍｏｌ以下）がより好ましく、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．０ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５．６ｋＪ／ｍｏｌ以下）がさらに好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．３５ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３５．２ｋＪ／ｍｏｌ以下）が特に好ましい。 The T ₁ level (lowest triplet excited state energy level) of the phosphorescent compound is preferably 45 kcal / mol or more (188.3 kJ / mol or more), 90 kcal / mol or less (377.1 kJ / mol or less), and 55 kcal. / Mol or more (251.0 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (356.15 kJ / mol or less), more preferably 60 kcal / mol or more (272.0 kJ / mol or more), 85 kcal / mol or less (355.6 kJ) / Mol or less) is more preferable, and 65 kcal / mol or more (272.35 kJ / mol or more), 80 kcal / mol or less (335.2 kJ / mol or less) is particularly preferable.

発光層に隣接する層（ホール輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、励起子ブロック層など）のＴ_１レベル（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（１８８．３ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５．６ｋＪ／ｍｏｌ以下）が好ましく、５５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５１．０ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５．６ｋＪ／ｍｏｌ以下）がより好ましく、６０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２．０ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５．６ｋＪ／ｍｏｌ以下）がさらに好ましい。 The layer adjacent to the light-emitting layer (hole transport layer, electron transport layer, charge block layer, exciton block layer, etc.) has a T ₁ level (lowest triplet excited state energy level) of 45 kcal / mol or more (188.3 kJ / mol or higher), 85 kcal / mol or lower (355.6 kJ / mol or lower) is preferable, 55 kcal / mol or higher (251.0 kJ / mol or higher), 85 kcal / mol or lower (355.6 kJ / mol or lower) is more preferable, and 60 kcal / More preferably, it is more than mol (272.0 kJ / mol or more) and 85 kcal / mol or less (355.6 kJ / mol or less).

次に本発明の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。 Next, although the compound example of this invention is shown, this invention is not limited to this.

一般式（１）、（３）、（４）又は（５）で表される化合物は例えば、「Heterocycles, Vol.55, No.5, 2001, 905-924」に記載に手法に従って合成することができる。 The compound represented by the general formula (1), (3), (4) or (5) is synthesized according to the method described in, for example, “Heterocycles, Vol.55, No.5, 2001, 905-924”. Can do.

次に、本発明の有機電界発光素子に関して説明する。本発明の有機電界発光素子は、システム、駆動方法、利用形態など特に問わない。代表的な有機電界発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。 Next, the organic electroluminescent element of the present invention will be described. The organic electroluminescent element of the present invention is not particularly limited, such as a system, a driving method, and a usage form. An organic EL (electroluminescence) element can be mentioned as a typical organic electroluminescent element.

本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。 The light-emitting element of the present invention can improve the light extraction efficiency by various known devices. For example, by processing the substrate surface shape (for example, forming a fine concavo-convex pattern), controlling the refractive index of the substrate / ITO layer / organic layer, controlling the film thickness of the substrate / ITO layer / organic layer, etc. It is possible to improve light extraction efficiency and external quantum efficiency.

本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式（特開２００３−２０８１０９号、同２００３−２４８４４１号、同２００３−２５７６５１号、同２００３−２８２２６１号の各公報などに記載）であっても良い。 The light-emitting element of the present invention is a so-called top emission system that extracts light emitted from the anode side (described in JP-A Nos. 2003-208109, 2003-248441, 2003-257651, 2003-282261, and the like). ).

本発明の発光素子で用いられる基材は、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。 The substrate used in the light-emitting device of the present invention is not particularly limited, but inorganic materials such as zirconia-stabilized yttrium and glass, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, polyethylene, polycarbonate, and polyethersulfone. High molecular weight materials such as polyarylate, allyl diglycol carbonate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), Teflon (registered trademark), polytetrafluoroethylene-polyethylene copolymer good.

本発明の有機電界発光素子は、青色蛍光発光化合物を含有しても良いし、また、青色蛍光化合物を含有する青色発光素子と本発明の発光素子を同時に用いて、マルチカラー発光デバイス、フルカラー発光デバイスを作製しても良い。 The organic electroluminescent device of the present invention may contain a blue fluorescent light emitting compound, or a blue light emitting device containing a blue fluorescent compound and the light emitting device of the present invention are used simultaneously to produce a multicolor light emitting device or a full color light emitting device. A device may be manufactured.

本発明の有機電界発光素子の発光層は積層構造を少なくとも一つ有していても良い。積層数は２層以上５０層以下が好ましく、４層以上３０層以下がより好ましく、６層以上２０層以下がさらに好ましい。 The light emitting layer of the organic electroluminescent element of the present invention may have at least one laminated structure. The number of stacked layers is preferably 2 or more and 50 or less, more preferably 4 or more and 30 or less, and still more preferably 6 or more and 20 or less.

積層を構成する各層の膜厚は特に限定されないが、０．２ｎｍ以上、２０ｎｍ以下が好ましく、０．４ｎｍ以上、１５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下がさらに好ましく、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が特に好ましい The thickness of each layer constituting the stack is not particularly limited, but is preferably 0.2 nm or more and 20 nm or less, more preferably 0.4 nm or more and 15 nm or less, further preferably 0.5 nm or more and 10 nm or less, and more preferably 1 nm or more and 5 nm or less. Especially preferred

本発明の有機電界発光素子の発光層は複数のドメイン構造を有していても良い。発光層中に他のドメイン構造を有していても良い。例えば、発光層が、ホスト材料Ａ及び蛍光材料Ｂの混合物からなる約１ｎｍ^３の領域と、ホスト材料Ｃ及び蛍光材料Ｄの混合物からなる約１ｎｍ^３の領域で構成されていても良い。各ドメインの径は、０．２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましく、０．３ｎｍ以上５ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下がさらに好ましく、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下が特に好ましい。 The light emitting layer of the organic electroluminescent element of the present invention may have a plurality of domain structures. The light emitting layer may have another domain structure. For example, the light emitting layer, and a region of approximately 1 nm ³ of a mixture of a host material A and a fluorescent material B, may be configured in the region of about 1 nm ³ of a mixture of a host material C and a fluorescent material D. The diameter of each domain is preferably from 0.2 nm to 10 nm, more preferably from 0.3 nm to 5 nm, still more preferably from 0.5 nm to 3 nm, and particularly preferably from 0.7 nm to 2 nm.

本発明に用いられる化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。 The method for forming the organic layer of the light-emitting element containing the compound used in the present invention is not particularly limited, but resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method (spray coating method, dip coating) Method, impregnation method, roll coat method, gravure coat method, reverse coat method, roll brush method, air knife coat method, curtain coat method, spin coat method, flow coat method, bar coat method, micro gravure coat method, air doctor coat , Blade coating method, squeeze coating method, transfer roll coating method, kiss coating method, cast coating method, extrusion coating method, wire bar coating method, screen coating method, etc.), inkjet method, printing method, transfer method, etc. are used In terms of characteristics and manufacturing , Coating method, a transfer method is preferable.

本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。 The light-emitting device of the present invention is a device in which a light-emitting layer or a plurality of organic compound films including a light-emitting layer is formed between a pair of anode and cathode electrodes. In addition to the light-emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron injection It may have a layer, an electron transport layer, a protective layer, etc., and each of these layers may have other functions. Various materials can be used for forming each layer.

陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。 The anode supplies holes to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and the like, and a metal, an alloy, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Is a material having a work function of 4 eV or more. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide and indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, chromium and nickel, and these metals and conductive metal oxides. Inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and laminates of these with ITO, preferably conductive metals It is an oxide, and ITO is particularly preferable from the viewpoint of productivity, high conductivity, transparency, and the like. Although the film thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material, it is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 500 nm.

陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズ分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げることや、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。 As the anode, a layer formed on a soda-lime glass, non-alkali glass, a transparent resin substrate or the like is usually used. When glass is used, it is preferable to use non-alkali glass as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what gave barrier coatings, such as a silica. The thickness of the substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain the mechanical strength, but when glass is used, a thickness of 0.2 mm or more, preferably 0.7 mm or more is usually used.
Various methods are used for producing the anode depending on the material. For example, in the case of ITO, an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (such as a sol-gel method), an application of an indium tin oxide dispersion, etc. A film is formed by the method.
The anode can be subjected to cleaning or other treatments to lower the drive voltage of the element or increase the light emission efficiency. For example, in the case of ITO, UV-ozone treatment, plasma treatment, etc. are effective.

陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。 The cathode supplies electrons to the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, etc., and the adhesion, ionization potential, stability, etc., between the negative electrode and the adjacent layer such as the electron injection layer, electron transport layer, light emitting layer, etc. Selected in consideration of As a material for the cathode, a metal, an alloy, a metal halide, a metal oxide, an electrically conductive compound, or a mixture thereof can be used. Specific examples include an alkali metal (for example, Li, Na, K, etc.) and its fluoride. Or oxides, alkaline earth metals (eg Mg, Ca, etc.) and fluorides or oxides thereof, gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys or their mixed metals, lithium-aluminum alloys or their mixtures Examples thereof include metals, magnesium-silver alloys or mixed metals thereof, rare earth metals such as indium and ytterbium, preferably materials having a work function of 4 eV or less, more preferably aluminum, lithium-aluminum alloys or mixed metals thereof. , Magnesium-silver alloys or mixed metals thereof. The cathode can take not only a single layer structure of the compound and the mixture but also a laminated structure including the compound and the mixture. For example, a laminated structure of aluminum / lithium fluoride and aluminum / lithium oxide is preferable. The film thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material, but is usually preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably 50 nm to 1 μm, still more preferably 100 nm to 1 μm.
For production of the cathode, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a coating method, and a transfer method are used, and a metal can be vapor-deposited alone or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, a plurality of metals can be vapor-deposited simultaneously to form an alloy electrode, or a previously prepared alloy may be vapor-deposited.
The sheet resistance of the anode and the cathode is preferably low, and is preferably several hundred Ω / □ or less.

発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、本発明に用いられる化合物のほか、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及び、それらの誘導体等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。 The material of the light emitting layer is a function that can inject holes from the anode or hole injection layer, hole transport layer and cathode or electron injection layer, electron transport layer when an electric field is applied, Any compound can be used as long as it can form a layer having a function of moving the injected charge and a function of emitting light by providing a recombination field of holes and electrons. In addition to the compound used in the present invention, For example, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin, perylene, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine, cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolo Pyridine, thiadiazolopyridine, siku Pentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compounds, various metal complexes represented by 8-quinolinol metal complexes and rare earth complexes, polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene, polyphenylene vinylene, organic silanes, iridium trisphenylpyridine complexes, and platinum Examples include transition metal complexes represented by porphyrin complexes and derivatives thereof. Although the film thickness of a light emitting layer is not specifically limited, Usually, the thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm.
The method for forming the light emitting layer is not particularly limited, and methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method, coating method, ink jet method, printing method, LB method, and transfer method are used. Of these, resistance heating vapor deposition and coating are preferred.

発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。 There may be one or a plurality of light emitting layers, and each layer may emit light with a different emission color, for example, white light. White light may be emitted from a single light emitting layer.

正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、本発明に用いられる化合物のほか、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、本発明に用いられる化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。 The material of the hole injection layer and the hole transport layer may be any one having a function of injecting holes from the anode, a function of transporting holes, or a function of blocking electrons injected from the cathode. Good. Specific examples thereof include compounds used in the present invention, carbazole, triazole, oxazole, oxadiazole, imidazole, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, Hydrazone, stilbene, silazane, aromatic tertiary amine compound, styrylamine compound, aromatic dimethylidin compound, porphyrin compound, polysilane compound, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymer, thiophene oligomer, polythiophene Examples thereof include conductive polymer oligomers such as, organic silanes, carbon films, compounds used in the present invention, and derivatives thereof. The film thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are not particularly limited, but are usually preferably in the range of 1 nm to 5 μm, more preferably 5 nm to 1 μm, and still more preferably 10 nm to 500 nm. . The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
As a method for forming the hole injection layer and the hole transport layer, a vacuum deposition method, an LB method, a method in which the hole injection transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, or a transfer method is used. It is done. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. Examples of the resin component include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, and poly (N -Vinyl carbazole), hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate, ABS resin, polyurethane, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, silicone resin, and the like.

電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、本発明に用いられる化合物のほか、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。 The material for the electron injection layer and the electron transport layer may be any material having any one of a function of injecting electrons from the cathode, a function of transporting electrons, and a function of blocking holes injected from the anode. Specific examples include the compounds used in the present invention, triazole, oxazole, oxadiazole, imidazole, fluorenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, dithiol. Various metal complexes represented by metal complexes of aromatic ring tetracarboxylic anhydrides such as styrylpyrazine, naphthalene and perylene, metal complexes of phthalocyanine and 8-quinolinol, metal phthalocyanine, benzoxazole and benzothiazole, organic Examples thereof include silane and derivatives thereof. Although the film thickness of an electron injection layer and an electron carrying layer is not specifically limited, The thing of the range of 1 nm-5 micrometers is preferable normally, More preferably, it is 5 nm-1 micrometer, More preferably, it is 10 nm-500 nm. The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
As a method for forming the electron injection layer and the electron transport layer, a vacuum vapor deposition method, an LB method, a method in which the electron injection transport material is dissolved or dispersed in a solvent, a coating method, an ink jet method, a printing method, a transfer method, and the like are used. In the case of the coating method, it can be dissolved or dispersed together with the resin component. As the resin component, for example, those exemplified in the case of the hole injection transport layer can be applied.

保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、ＣａＦ₂等の金属フッ化物、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙなどの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。 As a material for the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing substances that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device. Specific examples thereof include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni, MgO, SiO, SiO ₂ , Al ₂ O ₃ , GeO, NiO, CaO, BaO, and Fe ₂ O. ₃ , metal oxides such as Y ₂ O ₃ and TiO ₂ , metal fluorides such as MgF ₂ , LiF, AlF ₃ , and CaF ₂ , SiN _x , SiO _x N _y Such as nitride, polyethylene, polypropylene, polymethyl methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene And a copolymer obtained by copolymerizing a monomer mixture containing at least one comonomer, a fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, a water absorption of 0 .1% or less of moisture-proof substances and the like.
There is no particular limitation on the method for forming the protective layer. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation ions) Plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, and transfer method can be applied.

本発明の発光素子の用途は特に限定されないが、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。 The use of the light emitting device of the present invention is not particularly limited, but is suitable for the fields of display device, display, backlight, electrophotography, illumination light source, recording light source, exposure light source, reading light source, sign, signboard, interior, optical communication, etc. Can be used.

以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。 Specific examples of the present invention will be described below, but the embodiments of the present invention are not limited thereto.

洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α―ＮＰＤを４０ｎｍ蒸着した。この上に、ＦＩｒｐｉｃと化合物（１−１３）とＣＢＰを６：２０：７４の比率（質量比）で３０ｎｍ蒸着し、この上に、Ｂａｌｑを６ｎｍ蒸着し、この上に、Ａｌｑを２０ｎｍ蒸着した。この上に、マグネシウムと銀を１０：１の比率（モル比）で１００ｎｍ共蒸着し、ＥＬ素子を作製した。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させると、４８５ｎｍ付近に極大発光波長を有する発光が得られた。
素子の駆動耐久性は初期輝度３００ｃｄ／ｍ^２にて測定すると輝度半減期は比較例１の素子の約１０倍であった。 The cleaned ITO substrate was put into a vapor deposition apparatus, and α-NPD was vapor-deposited by 40 nm. On top of this, FIrpic, the compound (1-13), and CBP were vapor-deposited at a ratio (mass ratio) of 6:20:74 for 30 nm. On top of this, Balq was vapor-deposited at 6 nm, and Alq was vapor-deposited at 20 nm thereon. . On top of this, magnesium and silver were co-evaporated at a ratio of 10: 1 (molar ratio) to 100 nm to produce an EL device.
When a source constant unit 2400 type manufactured by Toyo Technica was used to emit light by applying a DC constant voltage to the EL element, light emission having a maximum emission wavelength in the vicinity of 485 nm was obtained.
When the driving durability of the device was measured at an initial luminance of 300 cd / m ² , the luminance half-life was about 10 times that of the device of Comparative Example 1.

実施例１の発光素子の作製において、化合物（１−１３）の代わりに化合物（１−１５）を用いた以外は、実施例１と同様にして発光素子を作成した。実施例１と同様の手法で素子を発光させると、４８５ｎｍ付近に極大発光波長を有する発光が得られた。
素子の駆動耐久性は初期輝度３００ｃｄ／ｍ^２にて測定すると輝度半減期は比較例１の素子の約１０倍であった。 A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound (1-15) was used instead of the compound (1-13) in the production of the light emitting device of Example 1. When the device was made to emit light in the same manner as in Example 1, light emission having a maximum emission wavelength near 485 nm was obtained.
When the driving durability of the device was measured at an initial luminance of 300 cd / m ² , the luminance half-life was about 10 times that of the device of Comparative Example 1.

洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＴＰＤを５０ｎｍ蒸着した。この上に、発光材料ＡとＣＢＰを１：１７の比率（質量比）で３６ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１３）を２４ｎｍ蒸着した。この上に、マグネシウムと銀を１０：１の比率（モル比）で２５０ｎｍ共蒸着し、銀３００ｎｍを蒸着して、ＥＬ素子を作製した。
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させると、４７３ｎｍ付近に極大発光波長を有する発光が得られた。
素子の駆動耐久性は初期輝度３００ｃｄ／ｍ^２にて測定すると輝度半減期は比較例２の素子の約１０倍であった。 The cleaned ITO substrate was put into a vapor deposition apparatus, and TPD was vapor-deposited by 50 nm. On this, the luminescent material A and CBP were vapor-deposited by 36 nm by the ratio (mass ratio) of 1:17, and the compound (1-13) was vapor-deposited on this by 24 nm. On top of this, magnesium and silver were co-evaporated at a ratio of 10: 1 (molar ratio) of 250 nm, and silver of 300 nm was evaporated to produce an EL device.
When a direct current voltage was applied to the EL element to emit light using a source measure unit 2400 type manufactured by Toyo Technica, light emission having a maximum emission wavelength in the vicinity of 473 nm was obtained.
When the driving durability of the device was measured at an initial luminance of 300 cd / m ² , the luminance half-life was about 10 times that of the device of Comparative Example 2.

〔比較例１〕
実施例１の発光素子の作成において、化合物（１−１３）の代わりに化合物Ｂを用いた以外は、実施例１と同様にして発光素子を作成した。実施例１と同様の手法で素子を発光させると、４８５ｎｍ付近に極大発光波長を有する発光が得られた。 [Comparative Example 1]
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that Compound B was used instead of Compound (1-13) in the production of the light emitting device of Example 1. When the device was made to emit light in the same manner as in Example 1, light emission having a maximum emission wavelength near 485 nm was obtained.

〔比較例２〕
実施例３の発光素子の作成において、化合物（１−１３）の代わりに化合物Ｂを用いた以外は、実施例３と同様にして発光素子を作成した。実施例３と同様の手法で素子を発光させると、４７３ｎｍ付近に極大発光波長を有する発光が得られた。

[Comparative Example 2]
A light emitting device was produced in the same manner as in Example 3 except that Compound B was used instead of Compound (1-13) in the production of the light emitting device of Example 3. When the device was made to emit light in the same manner as in Example 3, light emission having a maximum emission wavelength near 473 nm was obtained.

Claims

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、該有機化合物層の少なくとも一層に下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（L¹は２価以上の連結基を表し、X¹は窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Q¹はN及びX¹と結合してヘテロ環を形成する原子群を表し、n¹は２以上の整数を表す。Ar¹は一般式（２）で表される基であり、R²は置換基を表し、Q²は芳香環または芳香族へテロ環を形成する原子群を表す。） An organic electroluminescence device having at least one organic compound layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein the organic compound layer contains a compound represented by the following general formula (1) in at least one layer. An organic electroluminescent element.

(L ¹ represents a divalent or higher valent linking group, X ¹ represents a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, Q ¹ represents an atomic group that forms a heterocycle by combining with N and X ¹ ; n ¹ represents an integer greater than or equal to 2. Ar ¹ is a group represented by the general formula (2), R ² represents a substituent, and Q ² represents an atomic group that forms an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring. Represents.)

前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（３）で表されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。

（L³は２価以上の連結基を表し、X³は窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Q³は芳香環または芳香族へテロ環を形成する原子群を表し、n³は２以上の整数を表し、Ar³は前記一般式（２）で表される基である。） The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (3).

(L ³ represents a divalent or higher valent linking group, X ³ represents a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, Q ³ represents an atomic group forming an aromatic ring or an aromatic heterocyclic ring, and n ³ Represents an integer of 2 or more, and Ar ³ is a group represented by the general formula (2).

前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（４）で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。

（X⁴¹〜X⁴³およびY⁴¹〜Y⁴³は、それぞれ、窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Q⁴¹〜Q⁴³は、それぞれ、芳香環または芳香族へテロ環を形成する原子群を表し、Ar⁴¹〜Ar⁴³は、それぞれ、前記一般式（２）で表される基である。） The organic electroluminescent element according to claim 1 or 2, wherein the compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (4).

(X ⁴¹ to X ⁴³ and Y ⁴¹ to Y ⁴³ each represent a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, Q ⁴¹ to Q ^43, respectively, the atoms forming the heterocyclic ring aromatic or Represents a group, and Ar ^{41 to} Ar ⁴³ are each a group represented by the general formula (2).)

前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（５）で表されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。

（X⁵¹〜X⁵³、Y⁵¹〜Y⁵³及びZ⁵¹〜Z⁵³はそれぞれ、窒素原子もしくは置換又は無置換の炭素原子を表し、Ar⁵¹〜Ar⁵³は、それぞれ、前記一般式（２）で表される基である。） The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 3, wherein the compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (5).

(X ^{51 to} X ⁵³ , Y ^{51 to} Y ⁵³ and Z ^{51 to} Z ⁵³ each represent a nitrogen atom or a substituted or unsubstituted carbon atom, and Ar ^{51 to} Ar ⁵³ are each represented by the general formula (2). Group represented.)

前記発光層に三重項励起状態からの発光を示す化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1, further comprising a compound that exhibits light emission from a triplet excited state in the light emitting layer.

前記一般式（１）、（３）、（４）又は（５）で表される化合物が、前記発光層に含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。 The organic compound according to any one of claims 1 to 5, wherein the compound represented by the general formula (1), (3), (4) or (5) is included in the light emitting layer. Electroluminescent device.

前記一般式（１）、（３）、（４）又は（５）で表される化合物が、前記発光層に隣接する有機層に含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。 The compound represented by the general formula (1), (3), (4) or (5) is contained in an organic layer adjacent to the light emitting layer. The organic electroluminescent element according to item.