JP2006143513A - 光学素子成形用型の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス光学素子のプレス成形に使用される型材に、窒化ほう素系離型膜がコーティングされているが、一般にこの膜は、膜と母材との密着力や耐久性に問題がある。
【解決手段】ガラスより成る光学素子のプレス成形に用いる光学素子成形用型の製造方法において、型母材の少なくとも成形面に酸炭窒化ホウ素膜を形成した後、少なくとも成形最表面に窒化ほう素膜、炭窒化ほう素膜、酸炭窒化ほう素膜の１種類以上を形成することを特徴とする。ここで、酸炭窒化ホウ素膜の酸素含有量は５〜２０原子％であることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、主として、ガラス素材のプレス成形により、レンズ、プリズム等のガラスより成る光学素子を製造する際に使用される光学素子成形用型の製造方法に関するものである。

研磨工程を必要としないで、ガラス素材のプレス成形によってレンズを製造する技術は、従来の製造において必要とされた複雑な工程を無くし、簡単且つ安価にレンズを製造することを可能とし、近年レンズのみならず、プリズム、その他のガラスより成る光学素子の製造に使用されるようになった。

このような、ガラスの光学素子のプレス成形に使用される型材に要求される性質としては、硬度、耐熱性、離型性、鏡面加工性等に優れていることが挙げられる。従来、この種の型材として、金属、セラミックス、それらをコーティングした材料等、数多くの提案がなされている。

例えば、窒化ホウ素膜を離型膜として利用することは特許文献１，２に記載され、炭窒化ホウ素膜を離型膜として利用することは特許文献３に記載されている。

又、特許文献４には、膜中の酸素濃度が８ａｔｏｍ％未満である窒素化合物を表面に有するガラス成形用金型が記載されている。

又、特許文献５には、窒化ホウ素含有膜を密着性良く形成するため、最表面に離型膜として窒化ホウ素が少なくとも３０体積％以上含まれて、残部にＡｌ，Ｓｉ、元素周期律表の４ａ，５ａ，６ａ族遷移金属の窒化物、炭化物、酸化物及びＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの中から少なくとも１種類が選択され７０体積％以下で構成されている薄膜を備えたことを特徴とするガラス光学素子成形金型が記載されている。

又、特許文献６には、、VIａ族元素を含有する膜（例えば、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの単体、酸化物、窒化物等を含有する膜）上に、窒化ホウ素を含有する膜が被覆された窒化ホウ素含有膜被膜基体が記載されている。

更に、特許文献７によれば、基体の表面に、元素周期表の３Ｂ族元素と４Ａ族元素及び４Ｂ族元素の少なくとも一方とを含んで成る中間層を形成し、且つ、当該中間層と基体との界面に両者の構成元素より成る混合層を形成し、更に前記中間層の上に窒化ホウ素を含む膜を形成して成ることを特徴とする膜被着物が記載されている。

これら、窒化ほう素及びそれに類する膜（以下、「窒化ほう素系離型膜」と称する）は、光学素子成形用離型膜として有効な離型性を及び耐熱性を有している。

特公平０３−０６１６１７号公報 特公平０３−０６１６１５号公報 特公平０７−０２５５５８号公報 特開平１０−３２４５３０号公報 特開平０５−１６３０２７号公報 特開平０６−１７２９６７号公報 特開平０６−０３３２２２号公報

しかし、一般的には窒化ほう素系の膜は、膜と母材との密着力が非常に弱く、成形中に膜が剥離する等の耐久性に問題がある場合があった。

本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、窒化ほう素系離型膜の型母材への密着性が大幅に改善され、型の耐久性向上を図ることができる光学素子成形用型の製造方法を提供することにある。

本発明者は、窒化ほう素系離型膜の密着力改善のため、その中間層組成について詳細に検討した結果、本発明に至ったものである。

具体的には、ガラスより成る光学素子のプレス成形に用いる光学素子成形用型の製造方法において、該型母材の少なくとも成形面に酸炭窒化ホウ素を形成した後に、少なくとも成形最表面に窒化ほう素膜、炭窒化ほう素膜、酸炭窒化ほう素膜の１種類以上を形成することを特徴とする。

更に本発明は、酸炭窒化ホウ素膜の酸素含有量が５〜２０原子％であることを特徴とする。

本発明により、窒化ほう素系離型膜の型母材への密着性が大幅に改善され、型の耐久性に関して大きな効果が得られる。

この理由としては、以下のことが考えられる。先ず、窒化ほう素膜及び炭窒化ほう素膜は、成膜時に非常に大きな応力を有し、応力緩和層としての中間層を形成しない場合は、成膜直後及び３００〜４００℃の加熱で容易に剥離が生じる。このため、特許文献６，７等に記載されているように、通常、応力緩和層として金属及びその化合物層から成る中間層（例えば、シリコン、チタン、クロム等及びその化合物）を薄く（例えば、数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ）形成することが知られている。

しかしながら、これらの中間層を用いても窒化ほう素系の離型膜膜と型母材の密着性は不十分であり、特に成形温度の高いガラス（成形温度：〜６００℃以上）では中間層と窒化ほう素系の離型膜界面での剥離が生じる。これは、窒化ほう素系の膜と金属及びその化合物から成る膜の密着性がそれほど高くないためであろうと考えられる。これに対し、本発明の酸炭窒化ほう素膜は、窒化ほう素系の膜と密着性が高く、更に型母材とも十分な密着性を有するため、窒化ほう素系の膜に対する中間層として好適であると言える。

更に、この酸窒化ほう素膜は、ガラスに対する離型性も良好であるため、中間層としてだけでなく離型膜としても十分利用できることが本発明者の検討により明らかとなった。

本発明によれば、離型性が良好で、耐久性の高いガラスモールド用窒化ほう素系離型膜を提供することができる。これにより、従来成形が難しかった、高い温度で成形が必要だった高融点ガラスが離型性良く、更に耐久性良く成形することが可能になった。

以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。

図１は本発明に係る光学素子成形用型の模式的断面図であり、同図において、１１は成形面に硬質炭素膜１３がある型母材である。尚、図１では、凸レンズ成形用型を示したが、本発明では、凸レンズ成形用型に限定されるものでなく、凹レンズ成形用型、非球面レンズ成形用型、シリンドリカルレンズ成形用型等にも使用可能である。

図２はプレス中を模式的に示したもので、図中、２１は成形されたガラスである。

本発明で用いられる型母材は、アルミナ・ジルコニアのような酸化物系セラミックス、炭化珪素・窒化珪素・炭化チタン・窒化チタン・炭化タングステン等の炭化物・窒化物系セラミックス、更に、ＷＣ系の超硬合金、モリブデン・タングステン・タンタル等の金属を用いることができる。

又、本発明では酸炭窒化ほう素膜、型母材上に直接形成しても良いが、下地層を形成した上に形成することもできる。下地層としては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｉ等の炭化物、窒化物、炭窒化物の、少なくとも１種類以上の化合物、混合物等を用いることができる。これらの膜は硬度が高く、化学的安定性にも優れているので下地層として最適である。又、型母材として超硬材料等の焼結体を用いた場合、粒子の脱落、ポア等により表面の平滑性が十分に上がらない場合があるが、これらの下地層は、表面の平滑性を向上させるのに有効である。下地層を形成した場合も、下地層と酸炭窒化ほう素膜との密着力が良好である。この下地層の最適な厚さは、一般的には０．５μｍ以上、望ましくは０．８μｍ以上である。上記下地層は公知のイオンプレーティング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）等により形成することができる
本発明の酸炭窒化ほう素膜は、酸素、炭素、窒素、ほう素と不可避不純物より成る膜であり、膜表面の平滑性のため非晶質構造を少なくとも部分的に有することが望ましい。又、酸素原子の含有量は５〜２０原子％であり、炭素含有量、窒素含有量及びほう素含有量が各々１０原子％以上であるが望ましい。酸素濃度が５原子％未満では型母材との密着性が悪化する傾向が見られ、２０原子％より大きい場合は窒化ほう素系離型膜との密着性が悪化する傾向がある。又、酸窒化ほう素膜自体を離型膜として使用した場合も、酸素濃度が２０原子％より大きい場合は、ガラスとの反応性が高くなり、ガラスの種類のよっては融着等が発生する場合がある。

本発明の酸炭窒化ほう素膜の形成にはプラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、スパッタ法等を用いることができる。

図３に本発明で用いることができる酸炭窒化ほう素膜の成膜装置の模式図の一例を示す。

図中、３１は真空チャンバー、３２は基体ホルダーで、基体加熱用ヒーターが内蔵され、不図示のヒーター用電源が接続されている。更に、不図示の基体バイアス印加用の電源（直流電源及び高周波電源）も接続されている。３３は型材である。図では凸形状の型を示しているが、この形状に何ら限定されるものではない。

３４はスパッタターゲットで、図では２つのスパッタターゲットを有するスパッタ装置が示されているが、スパッタターゲットは１つ又は３個以上でも構わない。３５はスパッタターゲットに高周波を印加する高周波電源及び高周波整合機、３６はガス導入口で、不図示のバルブ、ガス流量調整器、圧力調整器、ガスボンベが接続されており、所望の原料ガスを真空層内に導入することができる。３７はガス排気口で、バルブ、ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ（何れも図示せず）が接続されている。尚、本発明で用いられる成膜装置は、上記装置に何ら限定されるものではない。

例えば、本発明の酸炭窒化ほう素膜の形成方法の一例としては、図３の成膜装置で窒化ほう素ターゲットと炭化ほう素ターゲットを用い、アルゴン−酸素−窒素混合ガスで２つのターゲットを同時にスパッタする、窒化ほう素ターゲットのスパッタのみを用いアルゴン−二酸化炭素混合ガスでスパッタを行う、等の方法がある。尚、このとき基体に負のバイアスを数１００Ｖ印加することにより、膜の硬度がアップする傾向がある。

又、プラズマＣＶＤ法による成膜法の一例としては、ジボラン（Ｂ２ Ｈ６ 、水素希釈）−メタン−窒素−二酸化炭素混合ガスを高周波を用いてプラズマ化して、基体に負のバイアスを印加しながら成膜を行う方法がある。更に、イオンプレーティング法による成膜法の一例としては、ほう素を電子ビーム蒸着により蒸発させながら、窒素−メタン−二酸化炭素を高周波でプラズマ化して基体に負のバイアスを印加しながら成膜を行う方法がある。尚、上記成膜方法、条件、ガス組成等は本発明の一例であり、本発明の成膜方法を何ら限定するものではない。

又、本発明では酸炭窒化ほう素膜を形成した後、窒化ほう素膜、炭窒化ほう素膜を形成してこれを離型層として用いても良い。窒化ほう素膜及び炭窒化ほう素膜は上で述べた成膜方法の原料の組成を変えることで形成することが可能である。尚、酸炭窒化ほう素膜を形成した後、基体を成膜装置を変えたり、真空層の外に出したりすると、膜の表面にコンタミ成分の付着により窒化ほう素膜及び炭窒化ほう素膜と酸窒化ほう素膜の界面で密着性が悪くなり剥離の原因となることがあるため、窒化ほう素膜及び炭窒化ほう素膜と酸窒化ほう素膜は同一成膜装置で連続して形成することが望ましい。

酸炭窒化ほう素膜の膜厚は、成膜方法、成膜条件、成形条件、成形ガラスにより一概には決まらないが、中間層として用いる場合は１０ｎｍ以上、１μｍ以下で、好適には４０ｎｍ以上、０．５μｍ以下である。薄過ぎと中間層としての効果が不十分で良好な耐久性が得られないことがあり、厚いと成形時の熱応力で剥離し易くなる。又、酸炭窒化ほう素膜を離型層として用いる場合は、４０ｎｍ以上、２μｍ以下で、好適には８０ｎｍ以上、０．５μｍ以下である。薄過ぎると磨耗により十分な耐久性が得られないことがあり、厚過ぎると成形時の熱応力で剥離し易くなる。

酸炭窒化ほう素膜上に形成する、窒化ホウ素膜及び炭窒化ほう素膜の膜厚は、成膜方法、成膜条件、成形条件、成形ガラスにより一概には決まらないが、１０ｎｍ以上、１μｍ以下で、好適には４０ｎｍ以上、０．５μｍ以下であり、薄過ぎると磨耗により離型膜としての効果が不十分で良好な耐久性が得られないことがあり、厚いと成形時の熱応力で剥離し易くなる。

本発明は、特に、大口径ガラスレンズ、肉厚の薄いガラスレンズ、肉厚比の大きいガラスレンズ、階段状の形状を有する回折型光学素子等、従来、離型膜に大きな力が掛かるため、剥離等で型の耐久性に問題のあったレンズの成形で、型耐久の大幅な向上に効果がある
次に、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。

（実施例１）
図１及び図２は本発明に係る光学素子成形用型の１つの実施様態を示すものである。尚、図１は光学素子のプレス成形前の状態を示し、図２は光学素子成形後の状態を示す。ここで、１１は型母材、１２はガラス素材、１３は離型膜であり、又、図２において、２１は光学素子である。図１に示すように、型の間に置かれたガラス素材１２をプレス成形することにより、レンズ等の光学素子２１が形成される。

次に、本発明の光学素子成形用型の製造法について説明する。

型母材として、バインダーレスＷＣ系超硬合金焼結体（フジダイス製、商品名Ｊ−０５）を所定の形状に加工した後、これをＲａ= １．８ｎｍとなるように研磨した。

次に、この型母材を良く洗浄した後、図３に示す成膜装置に設置した。尚、スパッタターゲット３４としては、炭化ほう素（Ｂ４
Ｃ）及び六方晶窒化ほう素を用いた。

先ず、型母材の成膜を行う表面をアルゴンイオンエッチングによりクリーニングを行った。アルゴンイオンエッチングは、Ａｒガスを２０ｍｌ／ｍｉｎの流量で導入し、圧力を１. ５×１０−１Ｐａに調整し、基体ホルダーに高周波を印加することで、アルゴンガスを分解イオン化し、型母材へアルゴンイオン照射することで行った。

次に、中間層として酸炭窒化ほう素膜を形成する。基体ホルダーの基体加熱機構を用いて型材を２００℃まで加熱し、真空層内にアルゴン：２０ｍｌ／ｍｉｎ、窒素：２０ｍｌ／ｍｉｎ、メタン：１０ｍｌ／ｍｉｎ、二酸化炭素：２ｍｌ／ｍｉｎ、の流量で導入し、圧力を５×１０−１Ｐａに調整した。

又、炭化ほう素ターゲットに高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加：８００Ｗした。更に、型母材へ直流バイアス電源を用いて基板バイアス：−２５０Ｖを印加して、型材表面に酸炭窒化ほう素膜を形成した。１０分間の成膜で約１００ｎｍの酸炭窒化ほう素膜が形成された。尚、この酸炭窒化ほう素膜の組成を分析するため別途、同一成膜条件で作製したサンプルをＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）法で測定したところ、Ｂ：Ｃ：：Ｏ＝０．３５：０．３：０．２：０．１５の組成であることが分かった。

続いて、窒化ほう素膜を形成する。ガス流量はアルゴン：２０ｍｌ／ｍｉｎ、窒素：１０ｍｌ／ｍｉｎとし、型材の温度は２００℃で、圧力：３×１０−１Ｐａとした。窒化ほう素ターゲットに高周波（１３．５６ＭＨｚを印加：７５０Ｗした。更に、型母材へ直流バイアス電源を用いて基板バイアス：−２５０Ｖを印加して、型材表面に窒化ほう素膜を形成した。３０分間の成膜で約２００ｎｍの窒化ほう素膜が形成された。

次に、この光学素子成形用型材を用いて光学レンズの成形を行った。

成形ガラスは、高融点ランタン系光学ガラス（軟化点Ｓｐ＝７５２℃、転移点Ｔｇ＝９８５℃）で、直径半径：φ２５ｍｍの凸レンズを成形する。成形条件は、窒素雰囲気下、プレス温度７５０℃で行った。成形中、型と成形された光学素子との離型性は良好であった。又、成形後の型表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、膜剥離、クラックの発生、更には、ガラスの融着が認められず、良好な型表面性を有していた。又、成形ガラスレンズについてもガラスの割れが見られず、良好な表面粗さであった。

（実施例２）
型母材として、ＷＣ系超硬合金を所定の形状に加工した後、成形面をＲｍａｘ＝０．０４μｍに鏡面研磨し、この型母材を良く洗浄した後、公知のスパッタ法によって下地層として窒化チタン膜を膜厚１μｍ形成した。

次に、図３に示す成膜装置に設置した。尚、スパッタターゲット３４としては、炭化ほう素（Ｂ４
Ｃ）及び六方晶窒化ほう素を用いた。

先ず、型母材の成膜を行う表面をアルゴンイオンエッチングによりクリーニングを行った。アルゴンイオンエッチングは、Ａｒガスを２０ｍｌ／ｍｉｎの流量で導入し、圧力を１. ５×１０−１Ｐａに調整し、基体ホルダーに高周波を印加することで、アルゴンガスを分解イオン化し、型母材へアルゴンイオン照射することで行った。

次に、中間層として酸炭窒化ほう素膜を形成する。基体ホルダーの基体加熱機構を用いて型材を２５０℃まで加熱し、真空層内にアルゴン：２０ｍｌ／ｍｉｎ、窒素：２５ｍｌ／ｍｉｎ、アセチレン：１０ｍｌ／ｍｉｎ、二酸化炭素：２ｍｌ／ｍｉｎ、の流量で導入し、圧力を５×１０−１Ｐａに調整した。又、炭化ほう素ターゲットに高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加：１ｋＷした。更に、型母材へ直流バイアス電源を用いて基板バイアス：−２００Ｖを印加して、型材表面に酸炭窒化ほう素膜を形成した。

１０分間の成膜で約１５０ｎｍの酸炭窒化ほう素膜が形成された。尚、この酸炭窒化ほう素膜の組成を分析するため別途、同一成膜条件で作成したサンプルをＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）法で測定したところ、Ｂ：Ｃ：Ｎ：Ｏ＝０．３：０．４：０．２：０．１の組成であることが分かった。

続いて、炭窒化ほう素膜を形成する。ガス流量はアルゴン：２０ｍｌ／ｍｉｎ、窒素：１０ｍｌ／ｍｉｎ、アセチレン：１０ｍｌ／ｍｉｎとし、型材の温度は２００℃で、圧力：３×１０−１Ｐａとした。窒化ほう素ターゲットに高周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加：７５０Ｗした。更に、型母材へ直流バイアス電源を用いて基板バイアス：−２００Ｖを印加して、型材表面に窒化ほう素膜を形成した。３０分間の成膜で約２５０ｎｍの炭窒化ほう素膜が形成された。

次に、この光学素子成形用型材を用いて光学レンズの成形を行った。

成形ガラスは、高融点ランタン系光学ガラス（軟化点Ｓｐ＝８０３℃、転移点Ｔｇ＝７３８℃）で、直径半径：φ１５ｍｍの、凹レンズを成形する。成形条件は、窒素雰囲気下、プレス温度８００℃で行った。成形中、型と成形された光学素子との離型性は良好であった。又、成形後の型表面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、膜剥離、クラックの発生、更には、ガラスの融着が認められず、良好な型表面性を有していた。又、成形ガラスレンズも、ガラスの割れが見られず、良好な表面粗さであり、透過率も高く、ハローの発生も認められなかった。

（比較例１及び２）
中間層を形成しない、又は中間層としてＴｉ（チタン、膜厚１００ｎｍ）を用いる以外は実施例１と同様にして光学素子成形用型材を作製した。中間層を形成しない場合は、離型膜の窒化ほう素膜の形成が終わり、真空層から取り出した段階で型母材から剥離が生じた。又、中間層としてTiを用いた場合は、実施例１と同様に光学素子を成形したところ、成形１ショットで離型膜が前面剥離した。

（実施例３−５、比較例３−５）
中間層と離型膜を種々変更する以外は、実施例２と同様にして、光学素子成形用型材を形成し、光学素子を成形した。尚、中間層の膜厚は約２００ｎｍ、離型膜の膜厚は、約３００ｎｍとなるように成膜時間については各々調整した。

尚、この中間層に用いた酸炭窒化ほう素膜の組成を分析するため別途、同一成膜条件で作成したサンプルをＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）法で測定したところ、Ｂ：Ｃ：Ｎ：Ｏ＝０．５：０．１５：０．２：０．１５の組成であることが分かった。

その結果を表１に示す。

◎：非常に良好
○：良好
△：実用上可
×：不可
尚、本発明の実施例において、成形品表面性と成形耐久性に関する評価基準（◎、○、△、×）は、以下の基準により行った。

先ず、成形品表面性の評価は、成形レンズに集光灯の光を当ててその表面性（表面の曇り、キズ及び微小凹凸）を目視で検査することにより行った。評価基準としては、製品として使用可能かどうかを「限度見本」と呼ばれるサンプルと比較して決定した。この限度見本は、アス及びクセ（所望のレンズ形状からのずれ量）がニュートンリング約１本で、最大表面粗さ（Ｐ−Ｖ値）で約３０ｎｍ、平均表面粗さ（ＲＭＳ）で約５ｎｍであり、集光灯の光を当てて確認できる、大きさ約１０μｍまでのキズがレンズ全体の中で２個で、且つ、近接していない、という条件のもので、この「限度見本」より表面性の悪い成形品は製品として使用できない。

評価基準のうち、×は、この限度見本より表面性が劣り、製品として使用不可能なものである。△は、限度見本と同レベルの表面性又は簡単な拭き洗浄で限度見本と同レベルの表面性が得られるものである。○は、限度見本以上の表面性が得られているものである。◎は、非常に良好な表面性で曇り等が殆どないものである。

又、成形耐久性は、限度見本と同レベル又はそれ以上の製品を規定の数量成形することが可能かどうかで評価した。×は、ガラスの融着又は割れ等のために、規定の数量を成形することができなかったものである。△は、ほぼ規定回数の成形が可能なもの、○は、規定回数の１．５倍以上の成形が可能なもの、更に◎は、規定回数の２倍以上の成形が可能なものである。

上記表からも分かるように、本発明の実施例の範囲内の中間層を用いることにより、成形品の表面性及び型の成形耐久性は良好となる。

これに対して、中間層として窒化チタン、炭窒化ほう素、クロムを用いた比較例３〜５においては、離型膜と型母材の密着性が低く、成形時に離型膜と中間層の間で剥離が生じ、耐久性が悪かった。又、剥離した離型膜がガラス光学素子に付着したため、成形品の表面性も悪かった。

（実施例６−８、比較例６−７）
中間層の炭窒化ほう素膜の組成及び離型膜を種々変更する以外は、実施例２と同様にして、光学素子成形用型材を形成し、光学素子を成形した。尚、中間層の酸炭窒化ほう素膜の膜厚は約１５０ｎｍ、離型膜の膜厚は、約２００ｎｍとなるように成膜時間についてはおのおの調整した。

その結果を表２に示す。

上記表からも分かるように、本発明の実施例範囲内の組成の炭窒化ほう素膜を用いることにより、成形品の表面性及び型の成形耐久性は良好となる。

これに対して、酸炭窒化ほう素中間層の酸素原子含有量が２５％であった比較例６においては、成形時に離型膜と中間層の間で剥離が生じ、耐久性が悪かった。又、剥離した離型膜がガラス光学素子に付着したため成形品の表面性も悪かった。又、酸炭窒化ほう素中間層の酸素原子含有量が２％であった比較例７においては、成形時に中間層と型母材の間で剥離が生じ、耐久性が悪かった。又、剥離した膜がガラス光学素子に付着したため成形品の表面性も悪かった。

光学素子成形用型の模式的断面図である。 成形後の光学素子成形用型の模式的断面図である。 成膜装置の模式図である。

符号の説明

１１ 型母材
１２ ガラス素材
１３ 離型膜
２１ 成形されたガラス光学素子
３１ 真空チャンバー
３２ 基体ホルダー
３３ 型材
３４ スパッタターゲット
３５ スパッタターゲット
３６ ガス導入口
３７ ガス排気口

Claims (2)

1. ガラスより成る光学素子のプレス成形に用いる光学素子成形用型の製造方法において、
   型母材の少なくとも成形面に酸炭窒化ホウ素膜を形成した後、少なくとも成形最表面に窒化ほう素膜、炭窒化ほう素膜、酸炭窒化ほう素膜の１種類以上を形成することを特徴とする光学素子成形用型の製造方法。
2. 酸炭窒化ホウ素膜の酸素含有量が５〜２０原子％であることを特徴とする請求項１記載の光学素子成形用型の製造方法。

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