JP2006135313A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LEDは基板10、接着層11、導電層12、発光積層構造13、電極バッファ層14、第一の電極15及び第二の電極16を含む。電極バッファ層はワイヤー・ボンディングする電極と透明電極との間に設けられる。
【選択図】図4
Description
11 接着層
12 導電層
13 発光積層構造
14 電極バッファ層
15 第一の電極
16 第二の電極
27 第二の導電層
28 第三の導電層
101 第一の反応層
102 第二の反応層
111 接着層
121 透明導電層
141 反射層
151 電極
Claims (20)
- 基板と、
前記基板に設けられる接着層と、
前記接着層に設けられ、上部表面と下部表面を有し、当該上部表面と前記基板との間の距離が当該下部表面と前記基板との間の距離より大きく、当該上部表面は第一の表面領域、第二の表面領域及び第三の表面領域を有する導電層と、
前記第一の表面領域に設けられる発光積層構造と、
前記第二の表面領域に設けられる電極バッファ層と、
前記電極バッファ層に設けられ、下方に向って前記導伝層に延伸し、前記第三の表面領域と接触する電極と、
を有する、
発光ダイオード。 - 前記基板の材料は、少なくともSi、GaAs、SiC、サファイア、ガラス、石英、GaPと金属のうち一つを含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記接着層の材料は、少なくともポリイミド(PI)、BCB材料(Benzocyclobutane:BCB)、PFCB材料(Prefluorocyclobutane:PFCB)と金属のうち一つを含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記導電層の材料は、少なくともインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチノミスズ酸化物、酸化亜鉛、亜鉛スズ酸化物、金属と半導体材料のうち一つを含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記発光積層構造は、
第一の半導体積層構造と、
前記第一の半導体積層構造に設けられる発光層と、
前記発光層に設けられる第二の半導体積層構造と、
を有する、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記電極バッファ層は、半導体積層構造を含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記半導体積層構造の材料は、少なくともAlInP、AlGaInP、GaP、GaN、AlGaN、InGaNとAlInGaNのうち一つを含む、
請求項6に記載の発光ダイオード。 - 前記電極バッファ層は、ポリマー材料を含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記ポリマー材料は、BCB材料或いはSU8を含む、
請求項8に記載の発光ダイオード。 - 前記電極の材料は、少なくともCr/Au、Ni/Au、Cr/Al、Ti/AlとTi/Auのうち一つを含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記発光積層構造に設けられる第二の電極を更に含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記第二の電極の材料は、少なくともCr/Au、Ni/Au、Cr/Al、Ti/AlとTi/Auのうち一つを含む、
請求項11に記載の発光ダイオード。 - 前記発光積層構造と前記第二の電極との間に設けられる第三の導電層を更に含む、
請求項11に記載の発光ダイオード。 - 前記第三の導電層の材料は、少なくともインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチノミスズ酸化物、酸化亜鉛、亜鉛スズ酸化物、金属と半導体材料のうち一つを含む、
請求項13に記載の発光ダイオード。 - 前記電極バッファ層と前記電極との間に設けられる第二の導電層を更に含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記第二の導電層の材料は、少なくともインジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチノミスズ酸化物、酸化亜鉛、亜鉛スズ酸化物、金属と半導体材料のうち一つを含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記基板と前記接着層との間に設けられる第一の反応層を更に含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記第一の反応層の材料は、少なくともSiNx、TiとCrのうち一つを含む、
請求項17に記載の発光ダイオード。 - 前記導電層と前記接着層との間に設けられる第二の反応層を更に含む、
請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記第二の反応層の材料は、少なくともSiNx、TiとCrのうち一つを含む、
請求項19に記載の発光ダイオード。
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