JP2006134482A - 不揮発性メモリシステム - Google Patents
不揮発性メモリシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006134482A JP2006134482A JP2004322718A JP2004322718A JP2006134482A JP 2006134482 A JP2006134482 A JP 2006134482A JP 2004322718 A JP2004322718 A JP 2004322718A JP 2004322718 A JP2004322718 A JP 2004322718A JP 2006134482 A JP2006134482 A JP 2006134482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bit
- allowable
- bits
- nonvolatile memory
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/83—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption
- G11C29/832—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with reduced power consumption with disconnection of faulty elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0411—Online error correction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】 不揮発性メモリ1と、これを制御するメモリコントローラ3とを具備し、不揮発性メモリ1は、書き込みシーケンス、及び消去シーケンスの少なくともいずれか一方の終了後に、許容ビット数までのビットエラーが発生していてもステータスとしてはパスを返す擬似パス機能を備え、コントローラ3は、許容ビット数の上限値を変更する許容ビット数変更機能を備える。
【選択図】 図3
Description
不揮発性メモリ、例えば、NANDフラッシュメモリでは、チップ内部書き込みシーケンス、又はチップ内部消去シーケンス中に、チップ内部で自動的にメモリセルの状態をベリファイする。以下の説明は、チップ内部書き込みシーケンスを示すが、チップ内部消去シーケンスについても同じである。
図7はこの発明の第2実施形態に係る不揮発性メモリシステムの一例を示すブロック図である。
上記実施形態は許容ビット数rnをROMヒューズ13に保持させる例であったが、許容ビット数rnはROMヒューズ13以外にも保持させることができる。第3実施形態は、ROMヒューズ13以外に保持させる一例に関する。
次に、この発明の実施形態に係る不揮発性メモリシステムを利用した、電子機器の例を説明する。
Claims (5)
- 不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラとを具備し、
前記不揮発性メモリは、書き込みシーケンス、及び消去シーケンスの少なくともいずれか一方の終了後に、許容ビット数までのビットエラーが発生していてもステータスとしてはパスを返す擬似パス機能を備え、
前記メモリコントローラは、前記許容ビット数の上限値を変更する許容ビット数変更機能を備えることを特徴とする不揮発性メモリシステム。 - 前記許容ビット数の上限値は、擬似パスとして許容したビットエラー数に基づいて変更されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記不揮発性メモリは、
前記許容ビット数を保持する、書き替え可能な許容ビット数保持部と、
前記ステータスリード時において、ステータス、及び前記擬似パスとして許容したビットエラー数を保持するステータス保持部と、を備え、
前記メモリコントローラは、
前記ステータスと、前記擬似パスとして許容したビットエラー数とを読み出し、
前記擬似パスとして許容したビットエラー数をエラー検出・訂正機能によって訂正可能なビット数と比較し、
前記比較の結果に基づいて、前記許容ビット数を前記訂正可能なビット数の範囲内で変更し、変更した許容ビット数を前記許容ビット数保持部に書き込む許容ビット数変更処理部を備えることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリシステム。 - 前記許容ビット数の上限値は、前記不揮発性メモリの書き替え回数に基づいて変更されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリシステム。
- 前記不揮発性メモリは、
前記許容ビット数を保持する、書き替え可能な許容ビット数保持部を備え、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリの書き替え回数を計数する計数部と、
前記計数の結果に基づいて、前記許容ビット数をエラー検出・訂正機能によって訂正可能なビット数の範囲内で変更し、変更した許容ビット数を前記許容ビット数保持部に書き込む許容ビット数変更処理部を備えることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性メモリシステム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004322718A JP4261462B2 (ja) | 2004-11-05 | 2004-11-05 | 不揮発性メモリシステム |
US11/097,188 US7434111B2 (en) | 2004-11-05 | 2005-04-04 | Non-volatile memory system having a pseudo pass function |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004322718A JP4261462B2 (ja) | 2004-11-05 | 2004-11-05 | 不揮発性メモリシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006134482A true JP2006134482A (ja) | 2006-05-25 |
JP4261462B2 JP4261462B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=36568535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004322718A Expired - Fee Related JP4261462B2 (ja) | 2004-11-05 | 2004-11-05 | 不揮発性メモリシステム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7434111B2 (ja) |
JP (1) | JP4261462B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007119485A1 (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Advantest Corporation | 試験装置および試験方法 |
JP2008198337A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2008287798A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Yokogawa Electric Corp | 半導体試験装置 |
JP2009070379A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 向上した信頼性を有するメモリシステム及びそのウェアレベリング方法 |
JP2009134849A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法 |
JP2010003401A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリシステムの動作方法並びにそれを含むメモリシステム及びメモリカード |
JP2010118104A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Yokogawa Electric Corp | リダンダンシ演算方法及び装置並びにメモリ試験装置 |
JP2011510428A (ja) * | 2008-01-22 | 2011-03-31 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | メモリプログラミング装置および方法 |
JP2011123964A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2013504836A (ja) * | 2009-09-11 | 2013-02-07 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 不揮発性記憶装置における危険状態データの識別 |
JP2013509668A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド | エラーを管理するための書き込み後読み出しおよび適応再書き込みを伴う不揮発性メモリおよび方法 |
US9530507B2 (en) | 2015-03-11 | 2016-12-27 | Powerchip Technology Corporation | Non-volatile memory apparatus and writing circuit and method for non-volatile memory apparatus |
JP6088675B1 (ja) * | 2016-02-02 | 2017-03-01 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
Families Citing this family (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8027194B2 (en) * | 1988-06-13 | 2011-09-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and method of accessing a semiconductor memory device |
JP2006048777A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Toshiba Corp | Nandフラッシュメモリおよびデータ書き込み方法 |
JP4261461B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2009-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置、及びそれを用いた不揮発性メモリシステム |
JP4261462B2 (ja) | 2004-11-05 | 2009-04-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリシステム |
JP4761910B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた不揮発性メモリシステム |
WO2007132457A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Combined distortion estimation and error correction coding for memory devices |
US8050086B2 (en) | 2006-05-12 | 2011-11-01 | Anobit Technologies Ltd. | Distortion estimation and cancellation in memory devices |
WO2007132456A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with adaptive capacity |
JP4908083B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | メモリコントローラ |
WO2008053472A2 (en) | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Reading memory cells using multiple thresholds |
WO2008068747A2 (en) | 2006-12-03 | 2008-06-12 | Anobit Technologies Ltd. | Automatic defect management in memory devices |
US7577030B2 (en) | 2007-01-17 | 2009-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
US8151166B2 (en) | 2007-01-24 | 2012-04-03 | Anobit Technologies Ltd. | Reduction of back pattern dependency effects in memory devices |
US8369141B2 (en) | 2007-03-12 | 2013-02-05 | Apple Inc. | Adaptive estimation of memory cell read thresholds |
KR100927119B1 (ko) * | 2007-05-10 | 2009-11-18 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US8234545B2 (en) | 2007-05-12 | 2012-07-31 | Apple Inc. | Data storage with incremental redundancy |
WO2008139441A2 (en) | 2007-05-12 | 2008-11-20 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with internal signal processing unit |
US8259497B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Programming schemes for multi-level analog memory cells |
US8174905B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Programming orders for reducing distortion in arrays of multi-level analog memory cells |
US8527819B2 (en) | 2007-10-19 | 2013-09-03 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cell arrays having erase failures |
KR101509836B1 (ko) | 2007-11-13 | 2015-04-06 | 애플 인크. | 멀티 유닛 메모리 디바이스에서의 메모리 유닛의 최적화된 선택 |
US8225181B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-07-17 | Apple Inc. | Efficient re-read operations from memory devices |
US8209588B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient interference cancellation in analog memory cell arrays |
US8156398B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-04-10 | Anobit Technologies Ltd. | Parameter estimation based on error correction code parity check equations |
US8230300B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Efficient readout from analog memory cells using data compression |
US8493783B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Memory device readout using multiple sense times |
US8400858B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-03-19 | Apple Inc. | Memory device with reduced sense time readout |
US7995388B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-08-09 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage using modified voltages |
US8169825B1 (en) | 2008-09-02 | 2012-05-01 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells subjected to long retention periods |
US8949684B1 (en) | 2008-09-02 | 2015-02-03 | Apple Inc. | Segmented data storage |
US8482978B1 (en) | 2008-09-14 | 2013-07-09 | Apple Inc. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US7768836B2 (en) * | 2008-10-10 | 2010-08-03 | Sandisk Corporation | Nonvolatile memory and method with reduced program verify by ignoring fastest and/or slowest programming bits |
US8239734B1 (en) | 2008-10-15 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Efficient data storage in storage device arrays |
US8045375B2 (en) * | 2008-10-24 | 2011-10-25 | Sandisk Technologies Inc. | Programming non-volatile memory with high resolution variable initial programming pulse |
US8261159B1 (en) | 2008-10-30 | 2012-09-04 | Apple, Inc. | Data scrambling schemes for memory devices |
US8208304B2 (en) | 2008-11-16 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Storage at M bits/cell density in N bits/cell analog memory cell devices, M>N |
KR101001446B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2010-12-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
US8595593B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-11-26 | Hynix Semiconductor Inc. | Nonvolatile memory device having a copy back operation and method of operating the same |
US8174857B1 (en) | 2008-12-31 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient readout schemes for analog memory cell devices using multiple read threshold sets |
US8248831B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-08-21 | Apple Inc. | Rejuvenation of analog memory cells |
US8924661B1 (en) | 2009-01-18 | 2014-12-30 | Apple Inc. | Memory system including a controller and processors associated with memory devices |
US8228701B2 (en) | 2009-03-01 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays |
US8832354B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-09-09 | Apple Inc. | Use of host system resources by memory controller |
US8259506B1 (en) | 2009-03-25 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Database of memory read thresholds |
US8238157B1 (en) | 2009-04-12 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Selective re-programming of analog memory cells |
US8054691B2 (en) | 2009-06-26 | 2011-11-08 | Sandisk Technologies Inc. | Detecting the completion of programming for non-volatile storage |
KR101039962B1 (ko) * | 2009-06-29 | 2011-06-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 불휘발성 메모리 소자 및 프로그램 방법 |
US8479080B1 (en) | 2009-07-12 | 2013-07-02 | Apple Inc. | Adaptive over-provisioning in memory systems |
US8495465B1 (en) | 2009-10-15 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Error correction coding over multiple memory pages |
US8677054B1 (en) | 2009-12-16 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Memory management schemes for non-volatile memory devices |
US8694814B1 (en) | 2010-01-10 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Reuse of host hibernation storage space by memory controller |
US8677203B1 (en) | 2010-01-11 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Redundant data storage schemes for multi-die memory systems |
US8694853B1 (en) | 2010-05-04 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read commands for reading interfering memory cells |
US8572423B1 (en) | 2010-06-22 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Reducing peak current in memory systems |
US8595591B1 (en) | 2010-07-11 | 2013-11-26 | Apple Inc. | Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells |
US9104580B1 (en) | 2010-07-27 | 2015-08-11 | Apple Inc. | Cache memory for hybrid disk drives |
US8645794B1 (en) | 2010-07-31 | 2014-02-04 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cells using a non-integer number of bits per cell |
US8856475B1 (en) | 2010-08-01 | 2014-10-07 | Apple Inc. | Efficient selection of memory blocks for compaction |
US8493781B1 (en) | 2010-08-12 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Interference mitigation using individual word line erasure operations |
US8694854B1 (en) | 2010-08-17 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read threshold setting based on soft readout statistics |
US9021181B1 (en) | 2010-09-27 | 2015-04-28 | Apple Inc. | Memory management for unifying memory cell conditions by using maximum time intervals |
US8374031B2 (en) | 2010-09-29 | 2013-02-12 | SanDisk Technologies, Inc. | Techniques for the fast settling of word lines in NAND flash memory |
KR101824068B1 (ko) * | 2011-07-28 | 2018-03-15 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 구동방법, 및 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템, 메모리 카드 및 휴대용 전자장치 |
US8842471B2 (en) | 2012-01-06 | 2014-09-23 | Sandisk Technologies Inc. | Charge cycling by equalizing and regulating the source, well, and bit line levels during write operations for NAND flash memory: program to verify transition |
US9213601B2 (en) | 2013-12-03 | 2015-12-15 | Sandisk Technologies Inc. | Adaptive data re-compaction after post-write read verification operations |
US9959059B2 (en) * | 2014-10-20 | 2018-05-01 | Sandisk Technologies Llc | Storage error management |
JP6542076B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2019-07-10 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
TWI732642B (zh) * | 2020-08-03 | 2021-07-01 | 群聯電子股份有限公司 | 資料寫入方法、記憶體控制電路單元以及記憶體儲存裝置 |
US11556416B2 (en) | 2021-05-05 | 2023-01-17 | Apple Inc. | Controlling memory readout reliability and throughput by adjusting distance between read thresholds |
US11847342B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-12-19 | Apple Inc. | Efficient transfer of hard data and confidence levels in reading a nonvolatile memory |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3178912B2 (ja) | 1992-10-14 | 2001-06-25 | 株式会社東芝 | 半導体メモリチップ |
US5974576A (en) * | 1996-05-10 | 1999-10-26 | Sun Microsystems, Inc. | On-line memory monitoring system and methods |
JPH10207726A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ディスク装置 |
JP2000173289A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | エラー訂正可能なフラッシュメモリシステム |
WO2001022232A1 (fr) * | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Hitachi, Ltd. | Memoire dans laquelle le nombre de corrections d'erreurs est enregistre |
US6345001B1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-02-05 | Sandisk Corporation | Compressed event counting technique and application to a flash memory system |
JP4323707B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2009-09-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | フラッシュメモリの欠陥管理方法 |
JP4250325B2 (ja) | 2000-11-01 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4073799B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-04-09 | 株式会社ルネサステクノロジ | メモリシステム |
JP4261462B2 (ja) | 2004-11-05 | 2009-04-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリシステム |
-
2004
- 2004-11-05 JP JP2004322718A patent/JP4261462B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-04 US US11/097,188 patent/US7434111B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4864006B2 (ja) * | 2006-04-06 | 2012-01-25 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および試験方法 |
WO2007119485A1 (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Advantest Corporation | 試験装置および試験方法 |
US7984345B2 (en) | 2006-04-06 | 2011-07-19 | Advantest Corporation | Test apparatus and test method |
JP2008198337A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2008287798A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Yokogawa Electric Corp | 半導体試験装置 |
JP2009070379A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 向上した信頼性を有するメモリシステム及びそのウェアレベリング方法 |
US9251015B2 (en) | 2007-09-13 | 2016-02-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system providing wear-leveling by allocating memory blocks among groups |
US9229805B2 (en) | 2007-09-13 | 2016-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and wear-leveling method thereof based on erasures and error correction data |
JP2009134849A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法 |
JP2011510428A (ja) * | 2008-01-22 | 2011-03-31 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | メモリプログラミング装置および方法 |
JP2010003401A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリシステムの動作方法並びにそれを含むメモリシステム及びメモリカード |
JP2010118104A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Yokogawa Electric Corp | リダンダンシ演算方法及び装置並びにメモリ試験装置 |
JP2013504836A (ja) * | 2009-09-11 | 2013-02-07 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 不揮発性記憶装置における危険状態データの識別 |
JP2013509668A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド | エラーを管理するための書き込み後読み出しおよび適応再書き込みを伴う不揮発性メモリおよび方法 |
JP2011123964A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US9530507B2 (en) | 2015-03-11 | 2016-12-27 | Powerchip Technology Corporation | Non-volatile memory apparatus and writing circuit and method for non-volatile memory apparatus |
JP6088675B1 (ja) * | 2016-02-02 | 2017-03-01 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
JP2017139037A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
TWI614602B (zh) * | 2016-02-02 | 2018-02-11 | 華邦電子股份有限公司 | 非揮發性半導體儲存裝置 |
US9947410B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-04-17 | Winbound Electronics Corp. | Non-volatile semiconductor memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4261462B2 (ja) | 2009-04-30 |
US20060117214A1 (en) | 2006-06-01 |
US7434111B2 (en) | 2008-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4261462B2 (ja) | 不揮発性メモリシステム | |
US7623379B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device and non-volatile memory system using the same | |
US7813186B2 (en) | Flash memory device and programming method thereof | |
JP5916155B2 (ja) | メモリシステムの動作方法並びにそれを含むメモリシステム及びメモリカード | |
US8125825B2 (en) | Memory system protected from errors due to read disturbance and reading method thereof | |
US8335118B2 (en) | Method of operating a flash memory device | |
US10496474B2 (en) | Semiconductor storage device and memory system having the same | |
KR101636248B1 (ko) | 플래시 메모리 장치, 이를 포함하는 플래시 메모리 시스템 및 이의 프로그램 방법 | |
US20080172521A1 (en) | Memory System Determining Storage Mode According to Host Provided Data Information | |
KR100837274B1 (ko) | 오토 멀티-페이지 카피백 기능을 갖는 플래시 메모리 장치및 그것의 블록 대체 방법 | |
KR20100093739A (ko) | 비휘발성 메모리 장치의 읽기 방법 | |
KR20100010746A (ko) | 읽기 전압 레벨이 설정가능한 플래시 메모리 시스템 및읽기 전압 레벨의 설정방법 | |
JP2009064440A (ja) | マルチ−ビットデータを格納するメモリシステム及びその読み出し方法 | |
KR20080053779A (ko) | 멀티 비트 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
US8347183B2 (en) | Flash memory device using ECC algorithm and method of operating the same | |
US10778256B2 (en) | Memory system and operating method thereof | |
US9472290B2 (en) | Semiconductor device and method of erasing the same | |
US20120147669A1 (en) | Non-volatile memory device and a method for operating the device | |
KR20160110774A (ko) | 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템 | |
JP2010128697A (ja) | メモリシステム | |
JP4637526B2 (ja) | メモリカードおよび不揮発性記憶装置 | |
JP2004030849A (ja) | データの一部書き換え機能を有する半導体不揮発性メモリ | |
TWI764569B (zh) | 半導體記憶裝置 | |
JP2008103076A (ja) | データの一部書き換え機能を有する半導体不揮発性メモリ | |
JP2010009132A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081028 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090203 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |