JP2006131949A - 電子部品、及びめっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミック素体6の表面に形成された導電部7上に2層構造のNi−P皮膜8が形成され、さらに該Ni−P皮膜8の表面にAu皮膜9が形成されている。そして、Ni−P皮膜8のうち、第1層10は、P含有率が3重量%以上6重量%以下であり、第2層11は、P含有率が6重量%を超えかつ9重量%以下であってその厚みは、0.1μm以上1.0μm以下である。
【選択図】図2
Description
この特許文献1では、下地層であるNi層と表面層であるAu層との間に中間層としてのPd層を介在させることにより、Au皮膜を薄層緻密化しなくても下地層であるNi層が大気に触れるのを避けることができ、したがってNi層が酸化するのを抑制することができ、これによりNi層の耐熱性が確保され、はんだ濡れ性が劣化するのを回避できる。
本実施の形態では、微細なクラックの発生を回避する必要性から、P含有率が6重量%以下のNi−P皮膜を第1層10として導電部7上に形成している。
本実施の形態では、Au皮膜9を緻密化させるために、P含有率が6重量%を超えるNi−P皮膜を第2層11として第1層10上に形成している。
微細なクラックを防止する観点からは、第2層11の膜厚は極力薄いのがよく、そのためにはめっき条件を調整して第2層11の膜厚を1.0μm以下とするのが望ましい。しかしながら、第2層11の膜厚を0.1μm未満にすると、十分に緻密な薄層のAu皮膜9を形成することができず、はんだ濡れ性の低下を招く。
次に、浴温が35〜70℃に調製された上記金めっき液に被めっき物を浸漬し、金めっきを施す。
硫酸ニッケル 0.1×103mol/m3
グルタミン酸ナトリウム 0.25×103mol/m3
ホスフィン酸ナトリウム 0.2×103mol/m3
重金属安定剤 1.0×10-4重量%
ポリエチレングリコール(分子量:2000) 5.0×10-7kg/m3
pH 7.7
浴温 75℃
次いで、下記組成を有する第2の無電解Niめっき液を使用して無電解めっき(自己触媒めっき)を行い、これによりP含有率が6.5〜9.0重量%であって膜厚が0.5μmの第2層のNi−P皮膜を形成した。
硫酸ニッケル 0.08〜0.1×103mol/m3
グルタミン酸ナトリウム 0.3〜0.5×103mol/m3
ホスフィン酸ナトリウム 0.2〜0.25×103mol/m3
重金属安定剤 1.0×10-4重量%
ポリエチレングリコール(分子量:2000) 5.0×10-7kg/m3
pH 7.3
浴温 75℃
次に、下記組成を有する無電解Auめっき液として奥野製薬社製「ムデンノーブルAu」(pH:7.0、浴温:65℃)を用意し、Au皮膜の膜厚が0.07μmとなるように、9〜13分間、無電解めっき(置換めっき)を行い、これにより実施例1〜3のセラミック多層基板を作製した。
硫酸ニッケル 0.1〜0.12×103mol/m3
グルタミン酸ナトリウム 0.2〜0.3×103mol/m3
ホスフィン酸ナトリウム 0.2〜0.25×103mol/m3
重金属安定剤 1.0×10-4重量%
ポリエチレングリコール(分子量:2000) 5.0×10-7kg/m3
pH 7.7
浴温 75℃
次いで、下記組成を有する第2の無電解Niめっき液を使用して無電解めっき(自己触媒めっき)を行い、これによりP含有率が7.5重量%であって膜厚が0.5μmの第2層のNi−P皮膜を形成した。
硫酸ニッケル 0.1×103mol/m3
グルタミン酸ナトリウム 0.4×103mol/m3
ホスフィン酸ナトリウム 0.2×103mol/m3
(重金属安定剤) 1.0×10-4重量%
ポリエチレングリコール(分子量:2000) 5.0×10-7kg/m3
pH 7.3
浴温 75℃
次に、〔実施例1〕と同様の組成を有する無電解Auめっき液を使用し、Au皮膜の膜厚が0.07μmとなるように、10分間、無電解めっき(置換めっき)を行い、これにより実施例21〜24のセラミック多層基板を作製した。
7 導電部
8 Ni−P皮膜(第1の金属皮膜)
9 Au皮膜(第2の金属皮膜)
10 第1層
11 第2層
Claims (7)
- 部品素体の表面に形成された導電部上にNi−Pからなる第1の金属皮膜とAuを主成分とする第2の金属皮膜とが順次形成された電子部品において、
前記第1の金属皮膜が第1層と第2層とからなる2層構造とされ、
前記第1層は、P含有率が3重量%以上6重量%以下とされて前記導電部と接合され、前記第2層は、P含有率が6重量%を超えかつ9重量%以下とされて前記第2の金属皮膜に接合され、
かつ、前記第2層は、厚みが0.1μm以上1.0μm以下であることを特徴とする電子部品。 - 前記導電部は、Cu及びAgのうちのいずれか一方の成分を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記導電部は、導電性材料を含有した厚膜電極形成用導電性ペーストが焼結されてなることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の電子部品。
- 部品素体は、セラミック材料で形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子部品。
- 前記第1の金属皮膜は、還元剤を含有した無電解めっき液に浸漬されてめっき形成されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電子部品。
- 金属膜上にNi−Pからなる第1の金属皮膜をめっき形成し、その後、第1の金属皮膜上にAuを主成分とする第2の金属皮膜をめっき形成するめっき方法において、
前記第1の金属皮膜中のP含有率が3重量%以上6重量%以下となるような第1のNiめっき液を作製すると共に、前記第1の金属皮膜中のP含有率が6重量%を超え9重量%以下となるような第2のNiめっき液を作製し、
前記第1のNiめっき液を使用して前記金属膜の表面に第1層の第1の金属皮膜を形成し、次いで前記第2のめっき液を使用して第2層の第1の金属皮膜を形成することを特徴とするめっき方法。 - 前記金属膜は、Cu及びAgのうちのいずれか一方の成分を主成分とすることを特徴とする請求項6記載のめっき方法。
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