JP2006128916A - 電力増幅回路および電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 NチャンネルFET1のソースとNチャンネルFET2のドレインを共通接続し、この接続点に負荷3を接続するとともに、NチャンネルFET1のドレインに正極性電源、NチャンネルFET2のソースに負極性電源を接続したものであって、NチャンネルFET1のソースとNチャンネルFET2のドレインの接続点の負荷3への出力を基準として、NチャンネルFET1のゲートを制御する第1の駆動回路17と、負極性電源を基準として、NチャンネルFET2のゲートを制御する第2の駆動回路18を有する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる電力増幅回路の概略構成を示している。
次に、第2の実施の形態を説明する。
1a、2a…抵抗、3…負荷
4、5…電流源、
6、7…PNPトランジスタ
8、9,10…抵抗、
11…第1の電圧−電流変換回路
12…第2の電圧−電流変換回路
13…第1のAB級信号発生回路
14…第2のAB級信号発生回路
15…第1の電流−電圧変換回路
15a…OPアンプ、15b…抵抗
16…第2の電流−電圧変換回路
16a…OPアンプ、16b…抵抗
17…第1の駆動回路、17a…OPアンプ
18…第2の駆動回路、18a…OPアンプ
19…信号源、21、22…NPNトランジスタ
23…負荷、24…信号源
25…駆動波形生成回路
26…第1のレベルシフト回路
27…第2のレベルシフト回路
28…第1の駆動回路
29…第2の駆動回路
Claims (5)
- 第1のNチャンネルFETのソースと第2のNチャンネルFETのドレインを共通接続し、この接続点に負荷を接続するとともに、第1のNチャンネルFETのドレインに電源正極、第2のNチャンネルFETのソースに電源負極を接続してなる増幅回路であって、
前記第1のNチャンネルFETのソースと第2のNチャンネルFETのドレインの接続点の負荷への出力を基準として、前記第1のNチャンネルFETのゲートを制御する第1の駆動手段と、
前記電源負極を基準として、前記第2のNチャンネルFETのゲートを制御する第2の駆動手段と、
を具備したことを特徴とする電力増幅回路。 - 第1のNPNトランジスタのエミッタと第2のNPNトランジスタのコレクタを共通接続し、この接続点に負荷を接続するとともに、第1のNPNトランジスタのコレクタに電源正極、第2のNPNトランジスタのエミッタに電源負極を接続してなる増幅回路であって、
前記第1のNPNトランジスタのソースと第2のNPNトランジスタのコレクタの接続点の負荷への出力を基準として、前記第1のNPNトランジスタのベースを制御する第1の駆動手段と、
前記電源負極を基準として、前記第2のNPNトランジスタのベースを制御する第2の駆動手段と、
を具備したことを特徴とする電力増幅回路。 - 第1のNチャンネルIGBTのエミッタと第2のNチャンネルIGBTのコレクタを共通接続し、この接続点に負荷を接続するとともに、第1のNチャンネルIGBTのコレクタに電源正極、第2のNチャンネルIGBTのエミッタに電源負極を接続してなる増幅回路であって、
前記第1のNチャンネルIGBTのエミッタと第2のNチャンネルIGBTのコレクタの接続点の負荷への出力を基準として、前記第1のNチャンネルIGBTのゲートを制御する第1の駆動手段と、
前記電源負極を基準として、前記第2のNチャンネルIGBTのゲートを制御する第2の駆動手段と、
を具備したことを特徴とする電力増幅回路。 - さらにクロスオーバ歪を抑制するクロスオーバ歪抑制手段を有し、前記第1および第2の駆動手段は、前記クロスオーバ歪抑制手段の出力を適用してゲートもしくはベースを制御することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電力増幅回路。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の電力増幅回路を適用したことを特徴とする電力増幅器。
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