JP2006108662A - 変換層を有するルミネセンスダイオードチップ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電磁一次放射を放出するのに適した半導体層列5と、半導体層列5の少なくとも1つの主面11上に設けられ、一次放射の一部分を一次放射に比し少なくとも部分的に異なる波長領域を有する二次放射に変換するのに適した少なくとも1つの発光物質を有する変換層2とを備え、二次放射の少なくとも一部分と変換されない一次放射の少なくとも一部分とが結果として生じる色位置を有する混合色に重なり、変換層2が結果として生じる色位置の観察角との関係を調整することを目標として構造化されている。
【選択図】図2
Description
・放射を発生するエピタキシー層列の支持体要素に向く第1の主面に反射する層が設けられるか形成され、この層はエピタキシー層列内に発生された電磁放射の少なくとも一部をこの層へ反射して戻す。
・エピタキシー層列は、20μm又はそれ以下の範囲、特に10μm又はそれ以下の範囲の厚さを有する。さらに、
・エピタキシー層列は、混ぜ合わせ構造を有する少なくとも1つの面を持った少なくとも1つの半導体層を含み、この混ぜ合わせ構造は理想的な場合にはエピタキシャルなエピタキシー層列において光のほぼエルゴード分布(ミクロカノニカル分布)を導く。即ちこの構造はできるだけエルゴードに確率的な散乱の振舞いを有する。
2 変換層
5 半導体層列
6 切離し層
11 主面
12 切離し構造
13 プリズム状要素
22 構造
23 幅
61 切離し構造
62 プリズム状要素
Claims (15)
- 電磁一次放射を放出するのに適した半導体層列と、半導体層列の少なくとも1つの主面上に設けられ、一次放射の一部分を一次放射に比し少なくとも部分的に異なる波長領域を有する二次放射に変換するのに適した少なくとも1つの発光物質を有する変換層とを備え、二次放射の少なくとも一部分と変換されない一次放射の少なくとも一部分とが結果として生じる色位置を有する混合色に重なるルミネセンスダイオードチップにおいて、変換層が結果として生じる色位置と観察角との関係を調整することを目標として構造化されていることを特徴とするルミネセンスダイオードチップ。
- 変換層が、結果として生じる色位置と観察角との関係が構造化されない変換層に比し減ぜられるように構造化されていることを特徴とする請求項1記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 変換層がルミネセンスダイオードチップの少なくとも縁部において構造化されていることを特徴とする請求項1又は2記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 主面がストライプを有するように変換層が構造化され、このストライプはルミネセンスダイオードチップの縁部に沿って延びかつ変換層を持たないか、又はこのストライプにおいて変換層が主面上に配置された変換層の残りの領域に対し減ぜられた厚さを有することを特徴とする請求項3記載のルミネセンスダイオードチップ。
- ストライプがルミネセンスダイオードチップの辺の長さの最大で10分の1の幅を有することを特徴とする請求項4記載のルミネセンスダイオードチップ。
- ルミネセンスダイオードチップが薄膜ルミネセンスダイオードチップであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 変換層がシリコーンを有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 変換層の厚さが0μmより大きく最大で50μmであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 半導体層列中に、一次放射の強度と観察角との関係を調整するため切離し構造が形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 変換層上に切離し層が配置され、この切離し層中に混合放射の強度と観察角との関係を調整するため切離し構造が形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 切離し構造がプリズム状要素を含むことを特徴とする請求項9又は10記載のルミネセンスダイオードチップ。
- 電磁一次放射を放出するのに適した半導体層列と、半導体層列の少なくとも1つの主面上に設けられ、一次放射の一部分を変換されない一次放射に比し少なくとも部分的に異なる波長領域を有する二次放射に変換するのに適した少なくとも1つの発光物質を有する変換層とを備え、二次放射の少なくとも一部分と変換されない一次放射の少なくとも一部分とが結果として生じる色位置を有する混合色に重なるルミネセンスダイオードチップの製造方法において、半導体層列が準備され、半導体層列の主面に変換層が設けられ、この変換層が結果として生じる色位置と観察角との関係の調整のために構造化されることを特徴とするルミネセンスダイオードチップの製造方法。
- 変換層がスクリーン印刷法を用いて構造化されるように設けられることことを特徴とする請求項12記載の方法。
- 変換層が主面上に設けられ、次いで構造化されることを特徴とする請求項12記載の方法。
- 変換層がリソグラフィ・プロセスを用いて構造化されることを特徴とする請求項14記載の方法。
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