JP2006108129A - 回路基板の製造方法及び回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板30−1の表面に樹脂含有型回路パターン40a−1を形成する工程と、転写部材60−1の転写面65−1にペースト中に存在する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターン70a−1を形成する工程と、樹脂含有型回路パターン40a−1と融着型回路パターン70a−1とを、予め樹脂含有型回路パターン40a−1上に形成した導電接着被膜90−1を介して積層する工程と、転写部材60−1を離すことで転写部材60−1の転写面65−1上の融着型回路パターン70a−1を絶縁基板30−1側に転写し、絶縁基板30−1上に樹脂含有型回路パターン40a−1と融着型回路パターン70a−1とを積層してなる回路パターンを形成する工程と、を具備する。
【選択図】図2
Description
(1)前記ペーストを焼成する際の加熱温度は、ペーストの材質に応じて140℃〜250℃程度ではあるが、好適な加熱温度は180℃程度以上必要なので、安価ではあるが耐熱性の低い合成樹脂フイルム(例えばポリエチレンテレフタレート(PET)フイルム等)を絶縁基板として使用することが困難となる場合があった。
〔第一実施形態〕
図1,図2は本発明の第一実施形態にかかる回路基板1−1の製造方法を示す要部拡大断面図、図3は完成した回路基板1−1の要部拡大断面図である。この回路基板(フレキシブル回路基板)1−1を製造するには、まず図1に示すように、可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フイルム(厚みは例えば50〜75μm)からなる絶縁基板30−1と、一方の表面を転写面65−1とした転写部材60−1とを用意する。
図5,図6は本発明の第二実施形態にかかる回路基板1−2の製造方法を示す要部拡大断面図、図7は完成した回路基板1−2の要部拡大断面図である。なおこの実施形態において、前記第一実施形態と同一又は相当部材には同一符号(但し、添え字のみ異ならせている)を付している。この実施形態においては、樹脂含有型導電性被膜からなる樹脂含有型回路パターン40a−2,40b−2,40c−2の樹脂含有導電ペーストとして、下記する樹脂を選択することで、第一実施形態に示す導電接着被膜90−1の形成を省略している。即ちこの回路基板1−2を製造するには、まず図5に示すように、可撓性を有する絶縁性の合成樹脂フイルム(厚みは例えば50〜75μm)からなる絶縁基板30−2と、一方の表面を転写面65−2とした転写部材60−2とを用意する。ここで絶縁基板30−2の材質と転写部材60−2の材質とは、第一実施形態と同じである。従って絶縁基板30−2はPETフイルム製(それ以外に、例えば、PPSフイルム、PIフイルム、PENフイルム、ポリエーテルイミドフイルム等でもよい。)であり、特に透明なものを使用している。
図8,図9は本発明の第三実施形態にかかる回路基板1−3の製造方法を示す要部拡大断面図、図10は完成した回路基板1−3の要部拡大断面図である。なおこの実施形態において、前記第一実施形態と同一又は相当部材には同一符号(但し、添え字のみ異ならせている)を付している。この実施形態においては、融着型回路パターン70a−3,70b−3と樹脂含有型回路パターン40a−3,40b−3,40c−3とを何れも転写部材60−3側に形成し、これら各パターンを絶縁基板30−3側に形成した接着被膜85−3に接着して転写するように構成している。即ちこの回路基板1−3を製造するには、まず図8に示すように、可撓性を有する絶縁性のPETフイルム(それ以外に、例えばPPSフイルム、PIフイルム、PENフイルム、ポリエーテルイミドフイルム等によって構成してもよい。)(厚みは例えば50〜75μm)からなる絶縁基板30−3と、一方の表面を転写面65−3とした転写部材60−3とを用意する。ここで絶縁基板30−3の材質と転写部材60−3の材質とは、第一実施形態と同じである。
図11〜図15は本発明の第四実施形態にかかる回路基板1−4の製造方法を示す要部拡大断面図、図16は完成した回路基板1−4の要部拡大断面図である。なおこの実施形態において、前記第一実施形態と同一又は相当部材には同一符号(但し、添え字のみ異ならせている)を付している。この実施形態においては、二枚の転写部材(第一,第二の転写部材60A−4,60B−4)を使用し、それぞれの転写部材60A−4,60B−4に形成した融着型回路パターン70a−4,70b−4と樹脂含有型回路パターン40a−4,40b−4,40c−4とを、それぞれ別々の転写工程によって絶縁基板30−4上に転写することとしている。即ちこの回路基板1−4を製造するには、まず図11に示す、可撓性を有する絶縁性のPETフイルム(それ以外に、例えばPPSフイルム、PIフイルム、PENフイルム、ポリエーテルイミドフイルム等によって構成してもよい。)(厚みは例えば50〜75μm)からなる絶縁基板30−4と、一方の表面を転写面65A−4とした第一の転写部材60A−4と、図14に示す、一方の表面を転写面65B−4とした第二の転写部材60B−4とを用意する。ここで絶縁基板30−4の材質と第一,第二の転写部材60A−4,60B−4の材質とは、第一実施形態の絶縁基板30−1と転写部材60−1と同じである。
30−1 絶縁基板
40a−1,40b−1,40c−1 樹脂含有型回路パターン
60−1 転写部材
61−1 硬質板
63−1 表面層
65−1 転写面
70a−1,70b−1 融着型回路パターン
80−1 第一回路パターン
81−1 第二回路パターン
90−1 導電接着被膜
1−2 回路基板
40a−2,40b−2,40c−2 樹脂含有型回路パターン
30−2 絶縁基板
65−2 転写面
60−2 転写部材
70a−2,70b−2 融着型回路パターン
1−3 フレキシブル回路基板(回路基板)
30−3 絶縁基板
40a−3,40b−3,40c−3 樹脂含有型回路パターン
60−3 転写部材
65−3 転写面
70a−3,70b−3 融着型回路パターン
85−3 接着被膜
1−4 フレキシブル回路基板(回路基板)
30−4 絶縁基板
40a−4,40b−4,40c−4 樹脂含有型回路パターン
60A−4 第一の転写部材
60B−4 第二の転写部材
65−4 転写面
70a−4,70b−4 融着型回路パターン
85−4 接着被膜
90−4 導電接着被膜
Claims (16)
- 表面を転写面とした転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記転写部材の転写面に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と転写部材とを積層することにより、前記樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを、予め融着型回路パターン又は樹脂含有型回路パターン上に形成した導電接着被膜を介して積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と転写部材から転写部材を離すことで転写部材の転写面上の融着型回路パターンを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層してなる回路パターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 表面を転写面とした転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記転写部材と絶縁基板とを対向させた際に、絶縁基板に形成した前記樹脂含有型回路パターンの内の一部の樹脂含有型回路パターンに対向する転写部材の転写面の位置に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
前記転写部材と絶縁基板とを積層することにより、前記一部の樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを、予め融着型回路パターン又は樹脂含有型回路パターン上に形成した導電接着被膜を介して積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と転写部材から転写部材を離すことで転写部材の転写面上の融着型回路パターンを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層してなる第一回路パターンと、樹脂含有型回路パターンからなる第二回路パターンとを混在して形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 表面を転写面とした転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記転写部材の転写面に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と転写部材とを積層することにより、前記樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と転写部材から転写部材を離すことで転写部材の転写面上の融着型回路パターンを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層してなる回路パターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 表面を転写面とした転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と転写部材とを対向させた際に、前記絶縁基板に形成した前記樹脂含有型回路パターンの内の一部の樹脂含有型回路パターンに対向する転写部材の転写面の位置に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と転写部材とを積層することにより前記一部の樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と転写部材から転写部材を離すことで転写部材の融着型回路パターンを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層してなる第一回路パターンと、樹脂含有型回路パターンからなる第二回路パターンとを混在して形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 表面を転写面とした転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、接着被膜を形成する工程と、
前記転写部材の転写面に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
前記融着型回路パターンの表面に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と転写部材とを積層することにより前記接着被膜と樹脂含有型回路パターンとを積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と転写部材から転写部材を離すことで転写部材の転写面に積層している融着型回路パターンと樹脂含有型回路パターンとを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層してなる回路パターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 表面を転写面とした転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、接着被膜を形成する工程と、
前記転写部材の転写面に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
前記融着型回路パターンの表面とそれ以外の転写部材の転写面の表面とに、それぞれ導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と転写部材とを積層することにより前記接着被膜と樹脂含有型回路パターンとを積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と転写部材から転写部材を離すことで転写部材の転写面上の融着型回路パターンと樹脂含有型回路パターンとを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを積層してなる第一回路パターンと、樹脂含有型回路パターンからなる第二回路パターンとを混在して形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 表面を転写面とした第一,第二の転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、接着被膜を形成する工程と、
第一の転写部材の転写面に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
第二の転写部材の転写面に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と第一の転写部材とを積層することにより、絶縁基板の接着被膜に第一の転写部材の融着型回路パターンを接着した後に、前記積層した絶縁基板と第一の転写部材から第一の転写部材を離すことで第一の転写部材の転写面上の融着型回路パターンを絶縁基板側に転写する工程と、
前記融着型回路パターンを転写した絶縁基板と第二の転写部材とを積層することにより、前記融着型回路パターンと樹脂含有型回路パターンとを、直接接触して積層するかあるいは予め融着型回路パターン若しくは樹脂含有型回路パターン上に形成した導電接着被膜を介して積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と第二の転写部材から第二の転写部材を離すことで第二の転写部材の転写面上の樹脂含有型回路パターンを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に融着型回路パターンと樹脂含有型回路パターンとを積層してなる回路パターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 表面を転写面とした第一,第二の転写部材と、絶縁基板とを用意し、
絶縁基板の表面に、接着被膜を形成する工程と、
第一の転写部材の転写面に、金属又は金属化合物を含有するペーストを塗布して140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させて融着型回路パターンを形成する工程と、
前記第一の転写部材と第二の転写部材とを対向させた際に、前記第一の転写部材の転写面に形成した前記融着型回路パターンに対向する第二の転写部材の位置及びそれ以外の第二の転写部材の位置に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストを塗布することによって樹脂含有型回路パターンを形成する工程と、
前記絶縁基板と第一の転写部材とを積層することにより、絶縁基板の接着被膜に第一の転写部材の融着型回路パターンを接着した後に、前記積層した絶縁基板と第一の転写部材から第一の転写部材を離すことで第一の転写部材の転写面上の融着型回路パターンを絶縁基板側に転写する工程と、
前記融着型回路パターンを転写した絶縁基板と第二の転写部材とを積層することにより、一部の樹脂含有型回路パターンと融着型回路パターンとを直接接触して積層するかあるいは予め融着型回路パターン若しくは樹脂含有型回路パターン上に形成した導電接着被膜を介して積層する工程と、
前記積層した絶縁基板と第二の転写部材から第二の転写部材を離すことで第二の転写部材の転写面上の樹脂含有型回路パターンを絶縁基板側に転写し、これによって絶縁基板上に融着型回路パターンと樹脂含有型回路パターンとを積層してなる第一回路パターンと、樹脂含有型回路パターンからなる第二回路パターンとを混在して形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンの上に導電接着被膜を介して、金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを積層することで構成されていることを特徴とする回路基板。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンの上に導電接着被膜を介して金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを積層してなる第一回路パターンと、樹脂含有型回路パターンからなる第二回路パターンとを混在して構成されていることを特徴とする回路基板。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンの上に、金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを積層することで構成されていることを特徴とする回路基板。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンの上に金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを積層してなる第一回路パターンと、樹脂含有型回路パターンからなる第二回路パターンとを混在して構成されていることを特徴とする回路基板。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、接着被膜上に、導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンを形成するとともに、前記樹脂含有型回路パターン上に金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを積層することで構成されていることを特徴とする回路基板。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、接着被膜上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンを形成するとともに、この樹脂含有型回路パターンの上に金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを積層してなる第一回路パターンと、樹脂含有型回路パターンを形成してなる第二回路パターンとを混在して構成されていることを特徴とする回路基板。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、接着被膜上に、金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを形成するとともに、この融着型回路パターン上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンを直接積層するか、あるいは導電接着被膜を介して積層することで構成されていることを特徴とする回路基板。 - 絶縁基板の表面に回路パターンを設けてなる回路基板において、
前記回路パターンは、接着被膜上に金属又は金属化合物を含有するペーストを140℃〜250℃の加熱温度で加熱することで前記ペースト中に存在する金属の微粒子若しくは前記金属化合物から析出する金属の微粒子を互いに融着させてなる融着型回路パターンを形成するとともに、この融着型回路パターン上に導電粉を樹脂バインダーに分散してなる樹脂含有導電ペーストからなる樹脂含有型回路パターンを直接積層するか、あるいは導電接着被膜を介して積層することで構成される第一回路パターンと、接着被膜上に樹脂含有型回路パターンを形成してなる第二回路パターンとを混在して構成されていることを特徴とする回路基板。
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