JP2006100043A

JP2006100043A - Display device and manufacturing method for display device

Info

Publication number: JP2006100043A
Application number: JP2004282664A
Authority: JP
Inventors: Muneharu Akiyoshi; 宗治秋吉
Original assignee: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2004-09-28
Filing date: 2004-09-28
Publication date: 2006-04-13

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a good display device with improved display performance and an excellent manufacturing yield, and to provide a manufacturing method for the display device. SOLUTION: This display device is provided with a first electrode 60 formed in an independent island shape for every pixel, a second electrode 66 arranged facing to the first electrode 60 and formed commonly to all the pixels, an organic active layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66, a partition wall 116 arranged between a waveguide layer 130 comprising the first electrode 60 and the organic active layer 64 and a substrate 101 and dividing each pixel, and a high refractive index layer 115 arranged inside of an area surrounded by the partition wall 116 and containing a high refractive index material having a refractive index higher than that of the waveguide layer 130 on the substrate. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、複数の自発光性素子によって構成された表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device, and more particularly to a method for manufacturing a display device including a plurality of self-luminous elements.

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。 In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device is a self-luminous element, it has a wide viewing angle, can be thinned without requiring a backlight, has low power consumption, and has a high response speed. ing.

これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板として陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成される。 Because of these characteristics, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that can replace liquid crystal display devices. Such an organic EL display device is configured by arranging organic EL elements having an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function between an anode and a cathode as an array substrate in a matrix.

カラー表示可能な有機ＥＬ表示装置を実現するための代表的な方法として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色にそれぞれ発光する色画素を配置する方法が挙げられる。しかしながら、有機ＥＬ素子内で発生した光のうち、２０％程度の光しか外部に取り出すことができないといった問題がある。このため、十分な輝度を得ようとするならば、有機ＥＬ素子内に大電流を供給する必要があり、有機ＥＬ素子の劣化を早めてしまうことにつながる。 As a typical method for realizing an organic EL display device capable of color display, there is a method of arranging color pixels that emit light in three colors of red (R), green (G), and blue (B). However, there is a problem that only about 20% of the light generated in the organic EL element can be extracted outside. For this reason, if sufficient luminance is to be obtained, it is necessary to supply a large current into the organic EL element, leading to a rapid deterioration of the organic EL element.

そこで、有機ＥＬ素子内で発生した光の取出効率を向上するために、光散乱層を配置する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−１２７９４２号公報 Therefore, a technique for arranging a light scattering layer has been proposed in order to improve the extraction efficiency of light generated in the organic EL element (see, for example, Patent Document 1).
JP 2004-127842 A

上述した特許文献１によれば、光散乱層は、スピン塗布、ブレード塗布、スクリーン印刷などの塗布技術を用いて形成される。しかしながら、光散乱層のパターンを形成する通常のフォトリソグラフィプロセスにおいて、塗布した直後から硬化するまでの間に周囲に拡散してしまう、あるいは、現像時に膜厚が減少してしまう、などの理由により所望する膜厚の光拡散層を得ることが困難である。このため、光取出効率を十分に向上することができないといった課題が生じ得る。 According to Patent Document 1 described above, the light scattering layer is formed using a coating technique such as spin coating, blade coating, or screen printing. However, in a normal photolithography process for forming the pattern of the light scattering layer, it diffuses to the periphery immediately after being applied until it is cured, or the film thickness decreases during development. It is difficult to obtain a light diffusion layer having a desired film thickness. For this reason, the subject that light extraction efficiency cannot fully be improved may arise.

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a display device and a display device manufacturing method that can improve display performance and have a good manufacturing yield. is there.

この発明の第１の様態による表示装置は、
基板上において、画素毎に独立島状に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、
前記第１電極及び前記有機活性層を含む導波層と前記基板との間に配置され、各画素を区画する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた内側に配置され、前記導波層より高い屈折率を有する高屈折率材料を含む高屈折率層と、
を備えたことを特徴とする。 A display device according to a first aspect of the present invention includes:
A first electrode formed in an independent island shape for each pixel on the substrate;
A second electrode disposed opposite to the first electrode and formed in common for all pixels;
An organic active layer held between the first electrode and the second electrode;
A partition wall disposed between a waveguide layer including the first electrode and the organic active layer and the substrate, and partitions each pixel;
A high refractive index layer including a high refractive index material disposed on the inner side surrounded by the partition wall and having a higher refractive index than the waveguide layer;
It is provided with.

この発明の第２の様態による表示装置の製造方法は、
画素毎に表示素子を備えた表示装置の製造方法であって、
絶縁層を備えた基板を用意する工程と、
前記絶縁層の表面に各画素を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で囲まれた内側に高屈折率材料を含む高屈折率層を形成する工程と、
前記高屈折率層上に前記高屈折率材料より低い屈折率を有する導波層を含む表示素子を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。 The manufacturing method of the display device according to the second aspect of the present invention is as follows:
A manufacturing method of a display device provided with a display element for each pixel,
Preparing a substrate with an insulating layer;
Forming a partition partitioning each pixel on the surface of the insulating layer;
Forming a high refractive index layer containing a high refractive index material on the inner side surrounded by the partition;
Forming a display element including a waveguide layer having a refractive index lower than that of the high refractive index material on the high refractive index layer;
It is provided with.

この発明によれば、表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a display device with improved display performance and a good manufacturing yield, and a method for manufacturing the display device.

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。 Hereinafter, a display device and a method of manufacturing the display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device such as an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the display device.

有機ＥＬ表示装置は、図１及び図２に示すように、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００と、アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２を密封する封止体２００とを備えて構成されている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the organic EL display device includes an array substrate 100 having a display area 102 for displaying an image, and a sealing body 200 for sealing at least the display area 102 of the array substrate 100. Has been. The display area 102 includes a plurality of pixels PX (R, G, B) arranged in a matrix.

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを備えている。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。 Each pixel PX (R, G, B) is supplied via the pixel switch 10, which has a function of electrically separating the ON pixel and the OFF pixel and holding a video signal to the ON pixel. The driving transistor 20 supplies a desired driving current to the display element based on the video signal to be displayed, and the storage capacitor element 30 that holds the gate-source potential of the driving transistor 20 for a predetermined period. The pixel switch 10 and the driving transistor 20 are constituted by, for example, thin film transistors, and here, polysilicon is used for a semiconductor layer.

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、表示素子としての有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。 Each pixel PX (R, G, B) includes an organic EL element 40 (R, G, B) as a display element. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that emits light corresponding to the red wavelength. The green pixel PXG includes an organic EL element 40G that emits light corresponding to the green wavelength. The blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that emits light corresponding to the blue wavelength.

各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、画素毎ＰＸに独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、によって構成される。 The various organic EL elements 40 (R, G, B) have basically the same configuration, and are arranged to face the first electrode 60 and the first electrode 60 formed in an independent island shape for each pixel PX. The second electrode 66 is formed in common with the pixel PX, and the organic active layer 64 is held between the first electrode 60 and the second electrode 66.

また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７と、信号線Ｘｎに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。 Further, the array substrate 100 has a plurality of scanning lines Ym (m = 1, 2,...) Arranged along the row direction of the pixels PX (that is, the Y direction in FIG. 1) and a direction substantially orthogonal to the scanning lines Ym. In other words, a plurality of signal lines Xn (n = 1, 2,...) Arranged along (the X direction in FIG. 1) and a power supply line for supplying power to the first electrode 60 side of the organic EL element 40. P. Further, the array substrate 100 includes a scanning line driving circuit 107 that supplies a scanning signal to the scanning line Ym and a signal line driving circuit 108 that supplies a video signal to the signal line Xn in the peripheral area 104 along the outer periphery of the display area 102. And.

すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。画素スイッチ１０は、ここでは走査線Ｙｍと信号線Ｘｎとの交差部近傍に配置されている。駆動トランジスタ２０は、有機ＥＬ素子４０と直列に接続されている。蓄積容量素子３０は、画素スイッチ１０と直列に、且つ駆動トランジスタ２０と並列に接続されており、蓄積容量素子３０の両電極は、駆動トランジスタ２０のゲート電極及びソース電極にそれぞれ接続されている。 All the scanning lines Ym are connected to the scanning line driving circuit 107. All signal lines Xn are connected to the signal line driving circuit 108. Here, the pixel switch 10 is disposed in the vicinity of the intersection between the scanning line Ym and the signal line Xn. The drive transistor 20 is connected in series with the organic EL element 40. The storage capacitor element 30 is connected in series with the pixel switch 10 and in parallel with the drive transistor 20, and both electrodes of the storage capacitor element 30 are connected to the gate electrode and the source electrode of the drive transistor 20, respectively.

電源供給線Ｐは、表示エリア１０２の周囲に配置された図示しない第１電極電源線に接続されている。有機ＥＬ素子４０の第２電極６６側端は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。 The power supply line P is connected to a first electrode power line (not shown) arranged around the display area 102. The second electrode 66 side end of the organic EL element 40 is connected to a second electrode power supply line (not shown) that is arranged around the display area 102 and supplies a common potential, here, a ground potential.

また、画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍに接続され、ソース電極は信号線Ｘｎに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０の一端及び駆動トランジスタ２０のゲート電極２０Ｇに接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極２０Ｓは蓄積容量素子３０の他端及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極２０Ｄは有機ＥＬ素子４０の第１電極６０に接続されている。 The gate electrode of the pixel switch 10 is connected to the scanning line Ym, the source electrode is connected to the signal line Xn, and the drain electrode is connected to one end of the storage capacitor 30 and the gate electrode 20G of the drive transistor 20. The source electrode 20S of the drive transistor 20 is connected to the other end of the storage capacitor element 30 and the power supply line P, and the drain electrode 20D is connected to the first electrode 60 of the organic EL element 40.

アレイ基板１００は、図２に示すように、配線基板１２０上に配置された有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。 As shown in FIG. 2, the array substrate 100 includes an organic EL element 40 disposed on the wiring substrate 120. Note that the wiring substrate 120 is formed on an insulating support substrate such as a glass substrate or a plastic sheet, the pixel switch 10, the driving transistor 20, the storage capacitor element 30, the scanning line driving circuit 107, the signal line driving circuit 108, and various wirings (scanning). Line, signal line, power supply line, etc.).

有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置される。この第１電極６０は、ここではＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ：インジウム・ティン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）などの光透過性を有する導電部材によって形成され、陽極として機能する。 The first electrode 60 constituting the organic EL element 40 is disposed on the insulating film on the surface of the wiring substrate 120. Here, the first electrode 60 is formed of a light-transmitting conductive member such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), and functions as an anode.

有機活性層６４は、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色画素に形成される有機発光層を含む多層積層で構成されても良く、機能的に複合された２層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成される。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。この発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成される。 The organic active layer 64 may be composed of a multilayer stack including a hole buffer layer formed in common for each color, an electron buffer layer, and an organic light emitting layer formed in each color pixel. It may be composed of a single layer. For example, the hole buffer layer is disposed between the anode and the organic light emitting layer, and is formed of a thin film such as an aromatic amine derivative, a polythiophene derivative, or a polyaniline derivative. The light-emitting layer is formed of an organic compound having a light-emitting function that emits red, green, or blue light. For example, when a polymer-based light emitting material is used, the light emitting layer is formed of a thin film such as PPV (polyparaphenylene vinylene), a polyfluorene derivative, or a precursor thereof.

第２電極６６は、有機活性層６４上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置される。この第２電極６６は、例えばＣａ（カルシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｇ（銀）、Ｙｂ（イッテルビウム）などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第２電極６６は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した２層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。 The second electrode 66 is disposed on the organic active layer 64 in common with each organic EL element 40. The second electrode 66 is formed of a metal film having an electron injection function such as Ca (calcium), Al (aluminum), Ba (barium), Ag (silver), Yb (ytterbium), and functions as a cathode. Yes. The second electrode 66 may have a two-layer structure in which the surface of a metal film functioning as a cathode is covered with a cover metal. The cover metal is made of aluminum, for example.

また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、各画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、第１電極６０の周縁に沿って格子状またはストライプ状に配置されている。 Further, the array substrate 100 includes a partition wall 70 that separates the pixels RX (R, G, B) in the display area 102. The partition walls 70 are arranged in a lattice shape or a stripe shape along the periphery of the first electrode 60.

このように構成された有機ＥＬ素子４０では、第１電極６０と第２電極６６との間に挟持された有機活性層６４に電子及びホールを注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このＥＬ発光は、アレイ基板１００の下面側すなわち第１電極６０側から出射される。 In the organic EL element 40 configured in this way, electrons and holes are injected into the organic active layer 64 sandwiched between the first electrode 60 and the second electrode 66, and these are recombined to thereby generate excitons. It emits light by light emission having a predetermined wavelength that is generated when the exciton is deactivated. Here, the EL light emission is emitted from the lower surface side of the array substrate 100, that is, the first electrode 60 side.

ところで、有機ＥＬ素子４０は自発光性素子であるため、ＥＬ発光の出射方向は全方位に及ぶ。ディスプレイデバイスとして、効率よくＥＬ発光を取り出すためには、反射や屈折を利用して観察方向に及ばないＥＬ発光（有機ＥＬ素子内に捕捉されたＥＬ発光も含む）も観察方向に取り出す技術が必要不可欠である。 By the way, since the organic EL element 40 is a self-luminous element, the emission direction of EL light emission extends in all directions. In order to efficiently extract EL light emission as a display device, a technique for taking out EL light emission (including EL light emission trapped in an organic EL element) in the observation direction using reflection and refraction is necessary. It is essential.

そこで、この実施の形態では、第１電極６０及び有機活性層６４を含む導波層の上に配置される（換言すると、導波層に接するように積層される）とともに、導波層より高い屈折率を有する高屈折率材料を含む高屈折率層を採用し、ある頻度でＥＬ発光を屈折及び反射させて観察方向に取り出している。この高屈折率層は、いわゆる光散乱層と同等の機能を有している。 Therefore, in this embodiment, the first electrode 60 and the organic active layer 64 are disposed on the waveguide layer (in other words, stacked so as to be in contact with the waveguide layer) and higher than the waveguide layer. A high refractive index layer containing a high refractive index material having a refractive index is employed, and EL light is refracted and reflected at a certain frequency and taken out in the observation direction. This high refractive index layer has a function equivalent to a so-called light scattering layer.

この実施の形態では、配線基板１２０は、支持基板１０１上に配置された絶縁層１１０、及び、絶縁層１１０と有機ＥＬ素子４０との間に配置された高屈折率層１１５及び隔壁１１６を備えている。 In this embodiment, the wiring board 120 includes an insulating layer 110 disposed on the support substrate 101, a high refractive index layer 115 and a partition wall 116 disposed between the insulating layer 110 and the organic EL element 40. ing.

すなわち、隔壁１１６は、絶縁層１１０上において各画素を区画するように配置されている。この隔壁１１６は、絶縁性を有した材料、例えばシリコン酸化膜などの無機系材料や、熱硬化型、光硬化型などの樹脂材料によって形成されている。高屈折率層１１５は、隔壁１１６によって囲まれた内側に配置されている。図２に示した例では、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０及び有機活性層６４が導波層１３０として機能するものとする。つまり、高屈折率層１１５及び隔壁１１６は、導波層１３０と支持基板１０１との間に配置され、しかも、導波層１３０に接するように積層配置されている。 That is, the partition wall 116 is disposed on the insulating layer 110 so as to partition each pixel. The partition 116 is formed of an insulating material, for example, an inorganic material such as a silicon oxide film, or a resin material such as a thermosetting type or a photosetting type. The high refractive index layer 115 is disposed on the inner side surrounded by the partition walls 116. In the example illustrated in FIG. 2, the first electrode 60 and the organic active layer 64 of the organic EL element 40 function as the waveguide layer 130. That is, the high refractive index layer 115 and the partition wall 116 are disposed between the waveguide layer 130 and the support substrate 101, and are stacked so as to be in contact with the waveguide layer 130.

また、この実施の形態では、絶縁層１１０は、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、及び、平坦化層１１４を含むものとする。アンダーコート層１１１は、支持基板１０１上に配置され、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）などで形成されている。ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１上に配置され、駆動トランジスタ２０の半導体層２１を覆う酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）などで形成されている。層間絶縁膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２上に配置され、駆動トランジスタ２０のゲート電極２０Ｇを覆う酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）などで形成されている。平坦化層１１４は、層間絶縁膜１１３上に配置されたハード・レジン・コート（ＨＲＣ）層である。 In this embodiment, the insulating layer 110 includes an undercoat layer 111, a gate insulating film 112, an interlayer insulating film 113, and a planarizing layer 114. The undercoat layer 111 is disposed on the support substrate 101 and is formed of a silicon nitride film (SiN) or the like. The gate insulating film 112 is disposed on the undercoat layer 111 and is formed of a silicon oxide film (SiO ₂ ) or the like that covers the semiconductor layer 21 of the driving transistor 20. The interlayer insulating film 113 is disposed on the gate insulating film 112 and is formed of a silicon oxide film (SiO ₂ ) or the like that covers the gate electrode 20G of the driving transistor 20. The planarization layer 114 is a hard resin coat (HRC) layer disposed on the interlayer insulating film 113.

高屈折率層１１５は、第１屈折率ｎａを有する樹脂材料１１５Ａ、及び、この樹脂材料１１５Ａに分散され第１屈折率ｎａとは異なる第２屈折率ｎｂを有する微粒子１１５Ｂによって形成されている（ｎｂ≠ｎａ）。ここでは、第２屈折率ｎｂは、第１屈折率ｎａよりも高く設定されている（ｎｂ＞ｎａ）。樹脂材料１１５Ａは、熱硬化型、光硬化型などの塗布後に重合して硬化する材料であっても良いし、非感光性の液状のポリマーであっても良い。微粒子１１５Ｂは、チタン酸化物、アンチモン酸化物、カルシウム酸化物、インジウム酸化物などを選択可能である。 The high refractive index layer 115 is formed of a resin material 115A having a first refractive index na and fine particles 115B having a second refractive index nb dispersed in the resin material 115A and different from the first refractive index na ( nb ≠ na). Here, the second refractive index nb is set higher than the first refractive index na (nb> na). The resin material 115A may be a material that is polymerized and cured after application, such as a thermosetting type or a photocuring type, or may be a non-photosensitive liquid polymer. The fine particles 115B can be selected from titanium oxide, antimony oxide, calcium oxide, indium oxide, and the like.

微粒子１１５Ｂの第２屈折率ｎｂは、導波層１３０の屈折率よりも高い。ここで、導波層１３０として機能する層の平均屈折率ｎ_１３０は１．５乃至２．０である。このとき、微粒子１１５Ｂの屈折率ｎｂは、少なくとも高屈折率層１１５に接する第１電極６０の屈折率ｎ_６０より高くなるように設定されていれば良い。また、光取出効率を考慮すると、高屈折率層１１５の屈折率（少なくとも微粒子１１５Ｂの屈折率ｎｂ）が導波層１３０の屈折率（少なくとも高屈折率層に接する層の屈折率）の１．２倍以上であることが望ましい。 The second refractive index nb of the fine particles 115 B is higher than the refractive index of the waveguide layer 130. Here, the average refractive index n ₁₃₀ of the layer functioning as the waveguide layer ₁₃₀ is 1.5 to 2.0. At this time, the refractive index nb of the fine particles 115B may be set to be higher than at least the refractive index n ₆₀ of the first electrode 60 in contact with the high refractive index layer 115. In consideration of the light extraction efficiency, the refractive index of the high refractive index layer 115 (at least the refractive index nb of the fine particles 115B) is 1 of the refractive index of the waveguide layer 130 (at least the refractive index of the layer in contact with the high refractive index layer). It is desirable that it is twice or more.

微粒子１１５Ｂは、高屈折率層１１５内に規則的または不規則的に凹凸を形成し、ある頻度で視角方向以外の光を反射または屈折させて視角方向に導く機能を有している。効率良く視角方向に光を取り出すためには、凹凸を平坦化し、高屈折率層１１５の表面を滑らかに形成することが望ましい。また、凹凸面と導波層との間に不必要な厚みの平坦化層を配置することは、取出効率の低下を招く。このため、高屈折率層１１５の膜厚は、高屈折率層１１５内に凹凸を形成する微粒子１１５Ｂの粒径と実質的に同一であることが望ましい。つまり、高屈折率層１１５は、樹脂材料１１５Ａの膜厚が微粒子１１５Ｂの粒径と同等になるように形成される。 The fine particles 115B have a function of forming irregularities regularly or irregularly in the high refractive index layer 115 and reflecting or refracting light other than the viewing angle direction at a certain frequency to guide it in the viewing angle direction. In order to efficiently extract light in the viewing angle direction, it is desirable to flatten the unevenness and form the surface of the high refractive index layer 115 smoothly. In addition, disposing a planarizing layer having an unnecessary thickness between the concavo-convex surface and the waveguide layer causes a reduction in extraction efficiency. For this reason, it is desirable that the film thickness of the high refractive index layer 115 is substantially the same as the particle diameter of the fine particles 115B forming irregularities in the high refractive index layer 115. That is, the high refractive index layer 115 is formed so that the film thickness of the resin material 115A is equal to the particle diameter of the fine particles 115B.

このような高屈折率層１１５は、例えば、微粒子１１５Ｂを含有した感光性を有する樹脂材料１１５Ａをスピンコートして成膜した後、フォトリソグラフィプロセスを経て形成される。このような高屈折率層１１５の形成過程においては、成膜直後から硬化するまでの間に感光性樹脂材料１１５Ａが周囲に拡散してしまう、あるいは、現像時に感光性樹脂材料１１５Ａの膜厚が減少してしまうことがある。このため、樹脂材料１１５Ａの膜厚が微粒子１１５Ｂの粒径より小さくなってしまい、高屈折率層１１５の表面に凹凸が形成されてしまう。 Such a high refractive index layer 115 is formed through, for example, a photolithography process after spin-coating a photosensitive resin material 115A containing fine particles 115B. In the formation process of such a high refractive index layer 115, the photosensitive resin material 115A diffuses to the periphery immediately after film formation until it is cured, or the film thickness of the photosensitive resin material 115A is increased during development. May decrease. For this reason, the film thickness of the resin material 115 A becomes smaller than the particle diameter of the fine particles 115 B, and irregularities are formed on the surface of the high refractive index layer 115.

そこで、この実施の形態においては、成膜した樹脂材料の拡散を防止するために、各画素を区画するように隔壁１１６を配置している。また、この隔壁１１６の高さ１１６Ｈは、微粒子１１５Ｂの粒径と実質的に同等となるように設定され、例えば５０乃至３００ｎｍの範囲に設定される。このような隔壁１１６によって囲まれた内側に、インクジェット方式により微粒子１１５Ｂを含有した樹脂材料１１５Ａを塗布することで高屈折率層を形成することが可能となる。このインクジェット方式では、主に粘度を調整しさえすればどのような材料でもと不可能である。このため、非感光性の材料を塗布しても何ら差し支えない。したがって、現像時に樹脂材料１１５Ａの膜厚が減少するといった課題も解消できる。つまり、樹脂材料１１５Ａの膜厚は、隔壁１１６の高さ１１６Ｈによって規制され、微粒子１１５Ｂの粒径と同等となるため、高屈折率層１１５の表面を平坦化することが可能となる。これにより、光取出効率を改善することができ、表示性能を向上することができる。 Therefore, in this embodiment, in order to prevent diffusion of the formed resin material, the partition walls 116 are arranged so as to partition each pixel. The height 116H of the partition wall 116 is set so as to be substantially equal to the particle size of the fine particles 115B, and is set in a range of, for example, 50 to 300 nm. A high refractive index layer can be formed by applying the resin material 115A containing the fine particles 115B to the inner side surrounded by the partition wall 116 by an inkjet method. In this ink jet system, it is impossible to use any material mainly by adjusting the viscosity. For this reason, there is no problem even if a non-photosensitive material is applied. Therefore, the problem that the film thickness of the resin material 115A decreases during development can be solved. That is, the thickness of the resin material 115A is regulated by the height 116H of the partition wall 116 and is equal to the particle size of the fine particles 115B, so that the surface of the high refractive index layer 115 can be planarized. Thereby, light extraction efficiency can be improved and display performance can be improved.

ここで、微粒子１１５Ｂを含有した樹脂材料１１５Ａを塗布するためのインクジェット方式の塗布装置について説明する。例えば、図３に示すように、塗布装置１１３０は、ワークＷとしての基板（すなわち絶縁層１１０上に隔壁１１６まで形成済みの配線基板１２０）が載置されるステージ１１３１を備えている。このステージ１１３１の上方には、インクジェットヘッド１１３２が配置されている。ステージ１１３１の下方には、レール１１３３及び１１３４が互いに略直交するように配置されている。ステージ１１３１は、図示しない駆動機構によって、レール１１３３上をそれが延在する方向（Ｘ方向）に沿って移動可能である。また、レール１１３３は、ステージ１１３１とともに、図示しない駆動機構によって、レール１１３４上をそれが延在する方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。このような構成により、ステージ１１３１に載置されたワークＷが、インクジェットヘッド１１３２に対して、互いに略直交するＸ方向及びＹ方向の双方に相対移動可能である。 Here, an ink jet type coating apparatus for applying the resin material 115A containing the fine particles 115B will be described. For example, as shown in FIG. 3, the coating apparatus 1130 includes a stage 1131 on which a substrate as a workpiece W (that is, the wiring substrate 120 formed up to the partition wall 116 on the insulating layer 110) is placed. An inkjet head 1132 is disposed above the stage 1131. Below the stage 1131, rails 1133 and 1134 are arranged so as to be substantially orthogonal to each other. The stage 1131 can be moved on the rail 1133 along the direction (X direction) in which the stage 1131 extends by a driving mechanism (not shown). The rail 1133 can be moved along with the stage 1131 along the direction (Y direction) in which the rail 1133 extends on the rail 1134 by a driving mechanism (not shown). With such a configuration, the workpiece W placed on the stage 1131 can move relative to the inkjet head 1132 in both the X direction and the Y direction substantially orthogonal to each other.

次に、上述したような構成の表示装置の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the display device having the above-described configuration will be described.

まず、図４Ａに示すように、絶縁層１１０を備えた基板５００を用意する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、絶縁性の支持基板１０１上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、信号線Ｘｎ、走査線Ｙｍ、電源供給線Ｐ等の各種配線の他に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、及び、平坦化層１１４を含む絶縁層１１０を形成した、縦４８０画素、横６４０×３（Ｒ、Ｇ、Ｂ）画素の合計９２万画素を有した基板５００を用意する。 First, as shown in FIG. 4A, a substrate 500 including an insulating layer 110 is prepared. That is, processes such as film formation and patterning of a metal film and an insulating film are repeated, and the pixel switch 10, the driving transistor 20, the storage capacitor element 30, the scanning line driving circuit 107, and the signal line driving circuit are formed on the insulating support substrate 101. 108, in addition to various wiring such as signal lines Xn, scanning lines Ym, and power supply lines P, an insulating layer 110 including an undercoat layer 111, a gate insulating film 112, an interlayer insulating film 113, and a planarizing layer 114 is formed. Then, a substrate 500 having a total of 920,000 pixels of vertical 480 pixels and horizontal 640 × 3 (R, G, B) pixels is prepared.

続いて、図４Ｂに示すように、絶縁層１１０の表面に各画素を区画する隔壁１１６を形成する。すなわち、基板５００上の一主面すなわち絶縁層１１０上に絶縁膜５０１を成膜する。ここでは、絶縁膜５０１としてスパッタリングにより酸化シリコン膜を成膜する。その後、フォトリソグラフィプロセスにより、高屈折率層１１５を配置すべき領域の周辺を囲むように絶縁膜５０１をパターン化し、隔壁１１６を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 4B, a partition wall 116 that partitions each pixel is formed on the surface of the insulating layer 110. That is, the insulating film 501 is formed on one main surface of the substrate 500, that is, on the insulating layer 110. Here, a silicon oxide film is formed as the insulating film 501 by sputtering. Thereafter, the insulating film 501 is patterned by a photolithography process so as to surround the periphery of the region where the high refractive index layer 115 is to be disposed, and the partition wall 116 is formed.

続いて、図４Ｃに示すように、隔壁１１６で囲まれた内側に高屈折率材料を含む高屈折率層１１５を形成する。すなわち、隔壁１１６を備えた基板５００は、塗布装置１１３０のステージ１１３１上に載置される。そして、インクジェットヘッド１１３２を介して、絶縁層１１０上に、微粒子１１５Ｂを含有した樹脂材料１１５Ａをインクジェット方式により塗布する。その後、基板５００を加熱処理する。このようにして形成された高屈折率層１１５の表面を観察したところ、ほとんど凹凸がなく、十分に平坦化されていた。 Subsequently, as shown in FIG. 4C, a high refractive index layer 115 containing a high refractive index material is formed inside surrounded by the partition wall 116. That is, the substrate 500 including the partition wall 116 is placed on the stage 1131 of the coating apparatus 1130. Then, the resin material 115 A containing the fine particles 115 B is applied onto the insulating layer 110 through the inkjet head 1132 by an inkjet method. Thereafter, the substrate 500 is subjected to heat treatment. When the surface of the high refractive index layer 115 thus formed was observed, there was almost no unevenness and the surface was sufficiently flattened.

続いて、図４Ｄに示すように、高屈折率層１１５の上に高屈折率材料よりも低い屈折率を有する導波層を含む表示素子を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 4D, a display element including a waveguide layer having a refractive index lower than that of the high refractive index material is formed on the high refractive index layer 115.

ここでは、まず、各画素に有機ＥＬ素子４０を構成するＩＴＯからなる第１電極６０を高屈折率層１１５の上に形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。 Here, first, the first electrode 60 made of ITO constituting the organic EL element 40 is formed on the high refractive index layer 115 in each pixel. The first electrode 60 may be generally formed by a photolithography process or may be formed by a mask sputtering method.

その後、隔壁７０を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジスト用いて一般的なフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングすることにより、隔壁７０を形成する。 Thereafter, the partition wall 70 is formed. That is, the partition wall 70 is formed by patterning with a general photolithography process using a photosensitive resin material such as an acrylic type positive tone resist.

その後、各画素内に、有機発光層の他にホールバッファ層などを含む有機活性層６４を成膜する。すなわち、ホールバッファ層や有機発光層などを形成する高分子系発光ポリマー材料の２．０ｗｔ％重量溶液を、隔壁７０によって区画された画素内に向けて噴射し、第１電極６０上に塗布する。この溶液の塗布は、ピエゾ式インクジェットノズルを用いて行い、発光ポリマー材料の供給量が０．０５ｍｌ／ｍｉｎの条件下で行われる。 Thereafter, an organic active layer 64 including a hole buffer layer in addition to the organic light emitting layer is formed in each pixel. That is, a 2.0 wt% weight solution of a high-molecular light-emitting polymer material that forms a hole buffer layer, an organic light-emitting layer, or the like is sprayed into the pixels partitioned by the partition walls 70 and applied onto the first electrode 60. . The application of the solution is performed using a piezo ink jet nozzle under the condition that the supply amount of the light emitting polymer material is 0.05 ml / min.

そして、１００℃の高温下で１５秒間の乾燥処理を行うことで、溶液に含まれる溶媒を除去する。このようにして形成された各画素の有機活性層６４は、溶媒除去後に均一な膜厚に形成され、ここでは約１５００オングストロームの膜厚に形成される。このため、後に形成される第２電極６６と第１電極６０との間が確実に電気的に絶縁され、ショートの発生を防止することができる。 And the solvent contained in a solution is removed by performing the drying process for 15 second under high temperature of 100 degreeC. The organic active layer 64 of each pixel formed in this way is formed with a uniform film thickness after the solvent is removed, and is formed with a film thickness of about 1500 angstroms here. For this reason, the second electrode 66 and the first electrode 60 to be formed later are reliably electrically insulated, and the occurrence of a short circuit can be prevented.

その後、有機活性層６４上に第２電極６６を形成する。すなわち、陰極として機能する金属膜としてバリウム（Ｂａ）を１０^−７Ｐａの真空度において６００オングストロームの膜厚に蒸着し、続けて、カバーメタルとして機能する金属膜としてアルミニウム（Ａｌ）を１５００乃至３０００オングストロームの膜厚で蒸着する。これにより、有機ＥＬ素子４０が形成される。 Thereafter, the second electrode 66 is formed on the organic active layer 64. That is, barium (Ba) is vapor-deposited as a metal film functioning as a cathode to a thickness of 600 angstrom at a vacuum degree of 10 ⁻⁷ Pa, and subsequently aluminum (Al) as a metal film functioning as a cover metal is 1500 to 3000. Vapor deposition with angstrom thickness. Thereby, the organic EL element 40 is formed.

一方で、アレイ基板１００上の表示エリア１０２を封止するために、封止体２００の外周に沿って紫外線硬化型のシール材４００を塗布し、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中において、アレイ基板１００と封止体２００とを貼り合わせる。これにより、有機ＥＬ素子４０は、不活性ガス雰囲気の密閉空間内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール材３００を硬化させる。 On the other hand, in order to seal the display area 102 on the array substrate 100, an ultraviolet curable sealant 400 is applied along the outer periphery of the sealing body 200, and in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or argon gas. , The array substrate 100 and the sealing body 200 are bonded together. Thereby, the organic EL element 40 is enclosed in the sealed space of an inert gas atmosphere. Thereafter, the sealing material 300 is cured by irradiating ultraviolet rays.

このようにして形成したカラー表示型アクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置では、従来方式と比較して４倍近い輝度を得ることができ、良好な表示性能が実現できた。また、輝度を向上するために素子に大電流を供給する必要がなく、素子の劣化を抑制できるため、長期間にわたって製品として十分な性能を維持することが可能となる。 In the color display type active matrix organic EL display device formed in this way, it was possible to obtain luminance nearly four times that of the conventional method, and good display performance was realized. In addition, it is not necessary to supply a large current to the element in order to improve luminance, and deterioration of the element can be suppressed, so that sufficient performance as a product can be maintained over a long period of time.

また、高屈折率層１１５１１５を形成するための材料及び有機活性層６４の形成にインクジェット方式を採用しているため、材料の使用効率は８０％程度と高く、材料の供給系に残留したもの以外は全て有効に成膜に用いられたことが確認できた。これにより、製造歩留まりを向上することができる。 In addition, since the ink-jet method is used to form the material for forming the high refractive index layer 115115 and the organic active layer 64, the use efficiency of the material is as high as about 80%, and those other than those remaining in the material supply system It was confirmed that all were effectively used for film formation. Thereby, a manufacturing yield can be improved.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the components without departing from the gist of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

例えば、この発明において適用可能な有機ＥＬ素子の構造はその機能を発揮するものであればいかなるものでもかまわない。すなわち、低分子系材料を用いて蒸着パターニング方式で有機活性層を形成したデバイスであっても、高分子系材料を用いてインクジェット方式で有機活性層を形成したデバイスであってもかまわない。 For example, the structure of the organic EL element applicable in the present invention may be anything as long as it exhibits its function. That is, a device in which an organic active layer is formed by a vapor deposition patterning method using a low molecular material or a device in which an organic active layer is formed by an ink jet method using a high molecular material may be used.

また、高屈折率層１１５を囲む隔壁１１６は、絶縁層１１０とは別体に形成したが、絶縁層１１０と一体的に形成しても良い。例えば、図５に示すように、絶縁層１１０の導波層１３０に最も近い表面層（ここでは平坦化層１１４）をパターン化することによって隔壁１１６を形成しても良い。この場合、平坦化層１１４を形成した後に、フォトリソグラフィプロセスなどを適用して、高屈折率層１１５を配置すべき領域にくぼみを形成することにより、その周囲に隔壁１１６として機能する凸部が形成される。このような構造を採用することにより、積層数を減らすことができる。これは、材料使用量の低減及び製造工程数の削減が可能となり、製造歩留まりを向上することが可能となる。 Further, the partition wall 116 surrounding the high refractive index layer 115 is formed separately from the insulating layer 110, but may be formed integrally with the insulating layer 110. For example, as illustrated in FIG. 5, the partition wall 116 may be formed by patterning the surface layer (here, the planarization layer 114) closest to the waveguide layer 130 of the insulating layer 110. In this case, after the planarization layer 114 is formed, a photolithography process or the like is applied to form a depression in a region where the high refractive index layer 115 is to be disposed, so that a convex portion functioning as a partition wall 116 is formed around the depression. It is formed. By adopting such a structure, the number of stacked layers can be reduced. This makes it possible to reduce the amount of material used and the number of manufacturing steps, and improve the manufacturing yield.

さらに、高屈折率層１１５は、導波層１３０に接するように配置されていれば良く、有機活性層６４、第１電極６０、及び、平坦化層１１４が導波層１３０として機能するものとしたとき、高屈折率層１１５は、層間絶縁膜１１３と平坦化層１１４との間に配置しても良い。また、有機活性層６４、第１電極６０、平坦化層１１４、及び、層間絶縁膜１１３が導波層１３０として機能するものとしたとき、高屈折率層１１５は、層間絶縁膜１１３とゲート絶縁膜１１２との間に配置しても良い。 Further, the high refractive index layer 115 may be disposed so as to be in contact with the waveguide layer 130, and the organic active layer 64, the first electrode 60, and the planarization layer 114 function as the waveguide layer 130. In this case, the high refractive index layer 115 may be disposed between the interlayer insulating film 113 and the planarization layer 114. In addition, when the organic active layer 64, the first electrode 60, the planarization layer 114, and the interlayer insulating film 113 function as the waveguide layer 130, the high refractive index layer 115 includes the interlayer insulating film 113 and the gate insulating film. It may be arranged between the film 112.

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of one pixel of the organic EL display device shown in FIG. 図３は、高屈折率層を形成するためのインクジェット装置の構造を概略的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing the structure of an ink jet apparatus for forming a high refractive index layer. 図４Ａは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。FIG. 4A is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL display device. 図４Ｂは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。FIG. 4B is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL display device. 図４Ｃは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。FIG. 4C is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL display device. 図４Ｄは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。FIG. 4D is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL display device. 図５は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の他の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing another structure of one pixel of the organic EL display device shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６４…有機活性層、６６…第２電極、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１１０…絶縁層、１１５…高屈折率層、１１５Ａ…樹脂材料、１１５Ｂ…微粒子、１１６…隔壁、２００…封止体、ＰＸ…画素、１１３０…インクジェット装置、１１３２…インクジェットヘッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display apparatus, 10 ... Pixel switch, 20 ... Drive transistor, 30 ... Storage capacitor element, 40 ... Organic EL element, 60 ... 1st electrode, 64 ... Organic active layer, 66 ... 2nd electrode, 70 ... Partition , 100 ... Array substrate, 110 ... Insulating layer, 115 ... High refractive index layer, 115A ... Resin material, 115B ... Fine particles, 116 ... Partition, 200 ... Sealed body, PX ... Pixel, 1130 ... Inkjet device, 1132 ... Inkjet head

Claims

基板上において、画素毎に独立島状に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、
前記第１電極及び前記有機活性層を含む導波層と前記基板との間に配置され、各画素を区画する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた内側に配置され、前記導波層より高い屈折率を有する高屈折率材料を含む高屈折率層と、
を備えたことを特徴とする表示装置。 A first electrode formed in an independent island shape for each pixel on the substrate;
A second electrode disposed opposite to the first electrode and formed in common for all pixels;
An organic active layer held between the first electrode and the second electrode;
A partition wall disposed between a waveguide layer including the first electrode and the organic active layer and the substrate, and partitions each pixel;
A high refractive index layer including a high refractive index material disposed on the inner side surrounded by the partition wall and having a higher refractive index than the waveguide layer;
A display device comprising:

前記高屈折率層は、第１屈折率を有する樹脂材料と、この樹脂材料に分散され第１屈折率よりも高い第２屈折率を有する微粒子と、からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 The high refractive index layer is composed of a resin material having a first refractive index and fine particles dispersed in the resin material and having a second refractive index higher than the first refractive index. The display device described.

前記高屈折率層に含まれる前記微粒子の粒径は、前記隔壁の高さと実質的に同等であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。 The display device according to claim 2, wherein a particle diameter of the fine particles contained in the high refractive index layer is substantially equal to a height of the partition wall.

前記隔壁は、前記導波層と前記基板との間に配置された絶縁層と一体的に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the partition wall is formed integrally with an insulating layer disposed between the waveguide layer and the substrate.

画素毎に表示素子を備えた表示装置の製造方法であって、
絶縁層を備えた基板を用意する工程と、
前記絶縁層の表面に各画素を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で囲まれた内側に高屈折率材料を含む高屈折率層を形成する工程と、
前記高屈折率層上に前記高屈折率材料より低い屈折率を有する導波層を含む表示素子を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。 A manufacturing method of a display device provided with a display element for each pixel,
Preparing a substrate with an insulating layer;
Forming a partition partitioning each pixel on the surface of the insulating layer;
Forming a high refractive index layer containing a high refractive index material on the inner side surrounded by the partition;
Forming a display element including a waveguide layer having a refractive index lower than that of the high refractive index material on the high refractive index layer;
A method for manufacturing a display device, comprising:

前記高屈折率層は、高屈折率材料をインクジェット方式により塗布することによって形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 5, wherein the high refractive index layer is formed by applying a high refractive index material by an inkjet method.

前記高屈折率層は、第１屈折率を有する樹脂材料と、この樹脂材料に分散され第１屈折率よりも高い第２屈折率を有する微粒子と、からなることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。 7. The high refractive index layer is composed of a resin material having a first refractive index and fine particles having a second refractive index higher than the first refractive index dispersed in the resin material. The manufacturing method of the display apparatus of description.

前記隔壁は、絶縁性を有した無機系材料によって形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 5, wherein the partition wall is formed of an insulating inorganic material.

前記隔壁は、樹脂材料によって形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。 The method of manufacturing a display device according to claim 5, wherein the partition wall is formed of a resin material.

前記隔壁は、前記絶縁層の表面をパターン化することによって形成する請求項５に記載の表示装置の製造方法。 The method for manufacturing a display device according to claim 5, wherein the partition wall is formed by patterning a surface of the insulating layer.