JP2006094457A

JP2006094457A - 不平衡−平衡入出力構造のｆｂａｒフィルター

Info

Publication number: JP2006094457A
Application number: JP2005026547A
Authority: JP
Inventors: Sang Chul Sul; 相哲薛
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2004-09-23
Filing date: 2005-02-02
Publication date: 2006-04-06
Also published as: KR100649497B1; DE102005003834B4; DE102005003834A1; KR20060027506A; US7196596B2; US20060061435A1

Abstract

【課題】
本発明はフィルター回路とバラン回路を単一チップ上に具現しながら現に量産可能な不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターに関するものである。
【解決手段】
上述した目的を成し遂げるための構成手段として、本発明は不平衡入力信号の入力を受け所定帯域にフィルタリングした後、フィルタリングした信号を平衡出力信号で出力する不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいて、基板；上記基板上部の所定領域に形成される多数のＦＢＡＲ共振器から成るフィルター回路部；及び、相互電気的に連結されバラン回路を具現する多層の金属層と上記多数の金属層間に具備される多数の誘電層とで成り、上記基板の所定領域の上部に上記フィルター回路部と電気的に連結するよう形成されるバラン回路部を含んで成る。
【選択図】図３

Description

本発明は不平衡−平衡（ｕｎｂａｌａｎｃｅｄ−ｂａｌａｎｃｅｄ）入出力構造を有するＦＢＡＲフィルターに関するもので、より詳しくは不平衡信号と平衡信号間の変換を行うバラン回路部と入力信号に対してフィルタリングを行うフィルター回路部を単一チップ上に一層単純な工程で具現できながら量産性を有する不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターに関するものである。

現在ＣＤＭＡ、ＧＳＭシステムなどの無線送受信装置に具備されるＲＸフィルターの場合、ＲＸフィルターの入力端と連結されるアンテナ端は不平衡構造で、ＲＸフィルターの出力端と連結される受信端は平衡信号が要されるので、不平衡−平衡入出力構造が必要となる。

こうした条件に適したＲＸフィルターとして、音響結合されたＳＡＷ共振器から成るＳＡＷフィルターが汎用されており、上記ＳＡＷフィルターは平衡入出力、不平衡入出力または平衡−不平衡入出力構造への具現が容易である。

しかし、最近は無線通信の使用が極大化するにつれながら、ＭＭＩＣ化が容易で、超高周波（１５ＧＨｚ）において動作可能で、超軽量、超小型化可能なフィルム体積弾性共振（Ｆｉｌｍｂｕｌｋａｃｏｕｓｔｉｃｒｅｓｏｎａｔｏｒ、以下ＦＢＡＲという）フィルターが次世代素子として研究されている。

ＦＢＡＲはシリコン（Ｓｉ、ＧａＡｓＷａｆｅｒ）基板上に圧電体であるＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）や、ＡｌＮ（ＡｌｕｍｉｎｕｍＮｉｔｒｉｄｅ）をＲＦＭａｇｎｅｔｒｏｎＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇ（高周波スパッタリング）法で蒸着し圧電現象を発生させ、一定の周波数帯域で共振を発生させるものとして、上部または下部電極に入力が与えられると圧電効果によりＢＡＷ（ＢｕｌｋＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ）が発生し、上記ＢＡＷ周波数と入力された電気信号の周波数とが同じになると共振現象が起こる。そして、この共振現象を利用した共振器らを電気的にカップリング化してＦＢＡＲフィルター、ひいてはＦＢＡＲデュープレキサまで具現することができる。

上記ＦＢＡＲを利用したＲＦ素子には、国際標準化規格のＩＭＴ−２０００帯域用フィルターばかりでなくブルートゥース用近距離通信用フィルター（２ＧＨｚ）、ＧＰＳ通信用フィルターまで多様な周波数帯域のフィルター製作が可能で、最大使用周波数帯域を１５ＧＨｚまで拡張でき、従来の半導体ウェーハを使用することにより他能動素子らとの統合が可能で周波数制御回路を完全にＭＭＩＣ化できるなど様々な利点を有する。但し、ＦＢＡＲフィルターは、通常不平衡入力−不平衡出力構造を有するラダー（ｌａｄｄｅｒ）タイプまたは平衡入力−平衡出力構造を有するラティス（ｌａｔｔｉｃｅ）タイプのフィルターにて製作され、不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターの具現が困難な欠点があった。

したがって、こうしたＦＢＡＲフィルターをアンテナ端と受信端の間に具備されるＲＸフィルターに用いるためには、不平衡信号と平衡信号間の変換を行うバラン（ｂａｌｕｎ）トランスが具備されるべきであり、それと共に小型化のためにこうしたバラントランスとＦＢＡＲフィルターとを単一チップに集積化する様々な研究が進んでいる。

こうした研究の一例としてＫ．Ｍ．Ｌａｋｉｎ氏は、厚さ方向に積層された２個のＦＢＡＲ共振器とその間に音響結合調節用に挿入された結合層とで成るカップル共振フィルター（Ｃｏｕｐｌｅｄｒｅｓｏｎａｔｏｒｆｉｌｔｅｒ、ＣＲＦ）において、ＣＲＦの入出力を電気的に分離する場合バランとすることができることを提示し、米国特許番号６，６７０，８６６号（特許文献１）には上記方法を利用したＦＢＡＲバランが開示されている。

図１は米国特許番号６，６７０，８６６号に提案されたＦＢＡＲバランの構造を示した断面図であって、図示したように従来提案されたＦＢＡＲバランは平衡信号出力端（１１ｃ）に連結される第１電極（１２ａ）、上記第１電極（１２ａ）の上部に形成される第１圧電層（１３ａ）、上記第１圧電層（１３ａ）の上部に形成され接地される第２電極（１２ｂ）、上記第２電極（１２ｂ）の上部に形成される誘電層（１４）、上記誘電層（１４）の上部に形成され平衡信号出力端（１１ｂ）に連結される第３電極（１２ｃ）、上記第３電極（１２ｃ）の上部に形成される第２圧電層（１３ｂ）、及び上記第２圧電層（１３ｂ）の上部に形成され不平衡信号入力端（１１ａ）に連結される第４電極（１２ｄ）から成る。

上述したように、従来のＦＢＡＲバランは第１電極（１２ａ）、第１圧電層（１３ａ）、及び第２電極（１２ｂ）から成る第１共振器（１６）と、第３電極（１２ｃ）、第２圧電層（１３ｂ）、及び第４電極（１２ｄ）から成る第２共振器（１７）が誘電層（１４）を挟んで連続的に積層された構造となる。これに加えて、不平等な或いは不均等な寄生特性を改善するために、上記第２電極（１２ｂ）と第４電極（１２ｄ）間に補償キャパシター（１５ａ）を連結し、両共振器（１６、１７）間の帯域幅を広げるために、上記第１、２電極（１２ａ、１２ｂ）間にカップルインダクタ（１５ｂ）を具備し、第３電極（１２ｃ）と第４電極（１２ｄ）間にカップルインダクタ（１５ｃ）を連結する。

また、上記ＦＢＡＲバラン（１０）は図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ラダータイプのＦＢＡＲフィルター（２４）またはラティスタイプのＦＢＡＲフィルター（２５）と結合され、単一チップ上に具現されることができる。したがって、不平衡−平衡入出力構造のフィルター具現において、工程を単純化させながらサイズを大幅に減少させる効果を奏することができる。

しかし、上述したＦＢＡＲバランは決定的に所望レベルの収率を確保し難く、量産性が極めて希薄であるという致命的な欠点がある。より具体的に説明すると、一般的にＦＢＡＲ共振器は電極層／圧電層／電極層のサンドイッチ構造から成り、動作周波数は各層の厚さにより決定される。したがって、ＦＢＡＲ共振器において目標とする収率を確保するためにはウェーハ内（ｉｎ−ｗａｆｅｒ）及びウェーハ対ウェーハ（ｗａｆｅｒ−ｔｏ−ｗａｆｅｒ）で各層の厚さ均一性が確保されなければならない。しかし、現在の成膜設備の技術レベルでは各層の厚さ均一性を確保しがたいので、目標とするレベルの収率を得られない。これを改善するためＦＢＡＲ共振器の製作時、素子製作後周波数調節工程を通して周波数収率を向上させるが、上記多層膜構造のＦＢＡＲバランは２個の圧電層、４個の電極層１個の誘電層から成る大変複雑な構造を有するので、上記周波数調節工程が追加されても各層別に目標レベルまでの厚さ均一性を得るのはほぼ不可能といえる。したがって、上記提示された２層構造のＦＢＡＲバランの量産性または事業性を得られる程度の目標収率を成し遂げることは現実的に不可能である。

さらに、上述したＦＢＡＲバランは多層化による応力制御の問題、第２圧電層（１３ｂ）の配向性確保の問題、第１、２圧電層の低成膜速度による生産量低下などの問題を抱えている。
米国特許番号第６，６７０，８６６号公報

本発明は上述した従来の問題を解決するためのもので、その目的は入力信号をフィルタリングするフィルター回路と不平衡信号を平衡信号に変換するバラン回路を単一チップ上に具現しながら量産性が高い不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターを提供することにある。

上述した目的を成し遂げるための構成手段として、本発明は不平衡入力信号の入力を受け所定帯域にフィルタリングした後、フィルタリングした信号を平衡出力信号で出力する不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいて、基板；上記基板上部の所定領域に形成される多数のＦＢＡＲ共振器から成るフィルター回路部；及び、相互電気的に連結されバラン回路を具現する多層の金属層と上記多数の金属層間に具備される多数の誘電層とで成り、上記基板の所定領域上部に上記フィルター回路部と電気的に連結されるよう形成されるバラン回路部から成ることを特徴とする。

さらに、本発明の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいて、上記フィルター回路部はラダー（ｌａｄｄｅｒ）タイプフィルターであることができ、さらにラティス（ｌａｔｔｉｃｅ）タイプのフィルター回路で具現されることができる。

また、本発明による不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいて、上記バラン回路部は２以上のストリップラインを含む伝送線路タイプのバラン回路、またはＲ、Ｌ、Ｃ受動素子の組合から成るｌｕｍｐｅｄｅｌｅｍｅｎｔ（集中素子）タイプのバラン回路であることを特徴とする。

また、本発明による不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいて、上記フィルター回路部は所定高さのの側壁と、上記側壁の上部に結合される上部カバーとで成るキャップ構造でハーメチックシーリング（ｈｅｒｍｅｔｉｃｓｅａｌｉｎｇ）することを特徴とする。

さらに、上記本発明による不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいて、上記バラン回路部は上記基板上に形成される第１金属層、上記第１金属層の上部に形成され上記フィルター回路部の側壁と同一な高さから成る第１誘電層、上記第１誘電層の上部に形成された第２金属層、上記第２金属層の上部に形成され上記フィルター回路部の上部カバーと同一な高さを有する第２誘電層、上記第２誘電層の上部に形成される第３金属層から成ることを特徴とする。

上記構造において、上記フィルター回路部の側壁及び上部カバーと上記バルン回路部の誘電層は同一物質から成るもので、ポリマー或いはドライフィルムで形成されることができる。

上述したように、本発明による不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターは単一基板上にフィルター回路とバラン回路を具現でき単一チップ化が可能で、フィルター回路の製造工程とバラン回路の製造工程上で一部工程を単一化させることにより、工程の単純化が図れ、またバラン回路具現時ＩＰＤ（受動集積デバイス）バラン構造を利用することにより、素子の量産性を向上させる優れた効果を奏する。

以下、本発明の好ましい実施例を添付の図を参照しながら詳しく説明する。下記説明及び添付の図において本発明の旨を不要に曇らせかねない周知の機能及び構成に対する詳しい説明は省略する。

図３は本発明による不平衡−平衡入出力構造ＦＢＡＲフィルターの構造を示す断面図である。

上記図３によると、本発明による不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターは、Ｓｉなどで具現される基板（３０）上にフィルター回路部（３１）とバラン回路部（３２）を同時に形成するのに特徴がある。

上記フィルター回路部（３１）は多数（複数）のＦＢＡＲ共振器（３１ａ）の組合から成り、上記ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）は基板（３０）の上部に下部電極層／圧電層／上部電極層が順次に積層されるサンドイッチ構造から成る。上記フィルター回路部（３１）はこうした共振器（３１ａ）を信号ラインに直列で連結される１つ以上のシリーズ（ｓｅｒｉｅｓ）共振器と信号ラインと接地ライン間に具備される１つ以上のシャント（ｓｈｕｎｔ）共振器に形成した後回路連結することにより具現されるが、この際回路結合はラダー（ｌａｄｄｅｒ）タイプ、ラティス（ｌａｔｔｉｃｅ）タイプなどから成る。こうした具体的な回路具現は通常知られている。

さらに、図３には示されないが、各ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）らの下部にはエアギャップ（ａｉｒ−ｇａｐ）或いはブラッグ（ｂｒａｇｇ）反射層などのように、ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）から発生した音波が基板（３０）の他領域に伝わるのを防止する構造が含まれる。

そして、上記フィルター回路部（３１）はドライフィルム或いは他ポリマーなどのような誘電物質などを通してキャップ構造でハーメチックシーリング（ｈｅｒｍｅｔｉｃｓｅａｌｉｎｇ）される。より具体的に、上記キャップ構造はＦＢＡＲ共振器（３１ａ）の周辺に所定の高さで設けられた側壁（３１ｂ）と、上記ＦＢＡＲ共振器（３１ａ）の上部所定高さに位置して側壁（３１ｂ）と結合され内部を密封させる上部カバー（３１ｃ）から成る。ここで、上記側壁（３１ｂ）及び上部カバー（３１ｃ）を成す物質はバラン（３２）の誘電層にも使用できる物質でさえあれば、ドライフィルムに限らず、様々なポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）などのような上記条件を満足する如何なる物質を用いてもよい。

次に、上記バラン回路部（３２）は多数（複数）の金属層上に形成される受動集積素子（ＩＰＤ）（３２ａ〜３２ｄ）と上記多数金属層間に具備される多数（複数）の誘電層（３３ａ、３３ｂ）とで成る。

とりわけ、上記バラン回路部（３２）は上記フィルター回路部（３１）のキャップ構造物と単一工程により形成されるよう、ＭＭＩＣ（ＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＭｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）化できるＩＰＤ（ＩｎｔｅｒｇｒａｔｅＰａｓｓｉｖｅＤｅｖｉｃｅ）バランで具現されるものとして、受動素子、例えばλ／４ストリップライン、Ｒ、Ｌ、Ｃなどが分かれて形成される複数例えば３個の金属層と、上記金属層間に具備される第１、２誘電層（３３ａ、３３ｂ）とで成る。

上記バラン回路部（３２）を具現するＩＰＤバランとしては、λ／４伝送線路で形成される伝送線路タイプのマーチャントバラン（ｍａｒｃｈａｎｄｂａｌｕｎ）と、多数（複数）のインダクタ及びキャパシタで具現されたｌｕｍｐｅｄｅｌｅｍｅｎｔ（集中定数素子）ｔｙｐｅバラン好ましい。これらＩＰＤバランは多層セラミック基板上に具現されたＬＴＣＣ（低温度焼成多層セラミック基板）バランに比して優れた挿入損失とスリム化が可能な利点がある。一般にＩＰＤバランは高抵抗のＳｉ基板上に多層構造でＲ、Ｌ、Ｃ回路を構成して集積化した構造から成る。この際、抵抗（Ｒ）の材料にはＮｉＣｒ、キャパシタ（Ｃ）の誘電材料にはＳｉＮ、インダクタ（Ｌ）の電極材料は蒸着法或いはメッキ法により成る１〜２０μｍ厚さのＡｕ、Ｃｕなどが使用される。即ち、本発明の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいては、バラン回路部（３２）は上記フィルター回路部（３１）の側壁（３１ｂ）及び上部カバー（３１ｃ）と同時に形成される第１、２誘電層（３３ａ、３３ｂ）の上下面にこうしたＲ、Ｌ、Ｃ回路を３層構造で形成したものである。

例えば、図３に示したバラン回路部（３２）は伝送線路タイプのバラン回路で具現されたものとして、基板（３０）の上部面上に形成される第１金属層にはλ／４ストリップライン（３２ａ）が形成され、第１誘電層（３３ａ）と第２誘電層（３３ｂ）の間に位置した第２金属層にはインダクタ（３２ｂ）とキャパシター（３２ｄ）の一部が形成され、上記第２誘電層（３３ｂ）の上部面に形成される第３金属層にはλ／４ストリップライン（３２ｃ）とキャパシター（３２ｄ）の残りの部分が形成される。上記においてλ／４ストリップライン（３２ａ、３２ｃ）は素子サイズの減少のために、螺旋型或いはメアンダーライン（ｍｅａｎｄｅｒｌｉｎｅ）形状で具現されることが好ましい。上記構造はバラン回路部（３２）の設計に応じて様々な形態に変形されることができる。

上記フィルター回路部（３１）とバラン回路部（３２）はフィルター回路部（３１）の回路タイプに応じて様々な電気的結合を成すことができる。

次の図４−１（ａ）ないし図４−２（ｄ）は上記図３のような構造で具現された本発明によるＦＢＡＲフィルターの回路構成例を示すものである。

図４−１（ａ）によると、本発明の不平衡−平衡入出力構造を有するＦＢＡＲフィルターは不平衡入力端（４１１）に連結され入力信号をフィルタリングするラダータイプのフィルター回路部（４２１）と、上記ラダータイプのフィルター回路部（４２１）の出力側にその不平衡端子が結合され、その平衡端子は平衡信号出力端（４１２、４１３）に結合される伝送線路タイプのバラン回路部（４２２）とで成ることができる。

また、図４−１（ｂ）によると、本発明の不平衡−平衡入出力構造を有するＦＢＡＲフィルターは不平衡入力端（４１１）に連結され、入力された不平衡信号を平衡信号に変換する伝送線路タイプのバラン回路部（４２３）と、上記バラン回路部（４２３）の平衡端子にその入力端が連結され、出力端は平衡出力端（４１２、４１３）に連結されるラティスタイプのフィルター回路部（４２４）との結合から成る。

そして、図４−２（ｃ）において、本発明の不平衡−平衡入出力構造を有するＦＢＡＲフィルターは不平衡入力端（４１１）に連結され入力信号をフィルタリングするラダータイプのフィルター回路部（４２５）と、上記ラダータイプのフィルター回路部（４２５）の出力側にその不平衡端子が結合され、その平衡端子は平衡信号出力端（４１２、４１３）に結合されるｌｕｍｐｅｄｅｌｅｍｅｎｔ（集中素子）タイプのバラン回路部（４２６）の結合とで成る。

さらに、図４−２（ｄ）において、本発明の不平衡−平衡入出力構造を有するＦＢＡＲフィルターは不平衡入力端（４１１）に連結され入力された不平衡信号を平衡信号に変換するｌｕｍｐｅｄｅｌｅｍｅｎｔタイプのバラン回路部（４２７）と、上記バラン（４２７）の平衡端子にその入力端が連結され、出力端は平衡出力端（４１２、４１３）に連結されるラティスタイプのフィルター回路部（４２８）の結合とで成る。

上記図４−１（ａ）と図４−２（ｃ）のような回路具現の場合、上記フィルター回路部（４２１、４２５）の入力端と、バラン回路部（４２２、４２６）の平衡端子はバイヤホール（ｖｉａｈｏｌｅ）を通して基板（３０）下部の外部電極（またはボンディングパッドなど）と電気的に連結され、上記フィルター回路部（４２１、４２５）の出力端と上記バラン回路部（４２２、４２６）の不平衡端子は基板上で電気的に結合される。

逆に、上記図４−１（ｂ）と図４−２（ｄ）のような回路具現の場合、上記フィルター回路部（４２４、４２８）の出力端と、バラン回路部（４２３、４２７）の不平衡端子はバイヤホールを通して基板（３０）下部の外部電極（またはボンディングパッドなど）と電気的に連結され、上記フィルター回路部（４２４、４２８）の出力端と上記バラン回路部（４２３、４２７）の不平衡端子は基板上で電気的に結合される。

上記図３に示した単一チップで具現した不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターの工程順序は次のように行うことができる。

先ず、基板（３０）上に上記フィルター回路部（３１）の共振器（３１ａ）及びバラン回路部（３２）の第１金属層を同時にまたは順次に形成する。次いで、上記フィルター回路部（３１）の側壁（３１ｂ）とバラン回路部（３２）の第１誘電層（３３ａ）を同一物質を利用して同一厚さで形成する。そして、第１誘電層（３３ａ）の上部にバラン回路部（３２）の第２金属層を形成する。次いで、上記フィルター回路部（３１）の上部カバー（３１ｃ）と第２誘電層（３３ｂ）を同一物質を利用して同一厚さで形成する。最後に、上記第２誘電層（３３ｂ）の上部にバラン回路部（３２）の第３金属層を形成する。以上のように、本発明のＦＢＡＲフィルターは、フィルター回路部（３１）とバラン回路部（３２）を形成する各々の工程中一部工程、即ちキャップ構造物を形成する工程と、誘電層を形成する工程とを単一工程で具現できるので、工程を簡素化させることができる。さらに、不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターを具現するにおいて、優れた量産性が立証されたＩＰＤバランを利用することにより、ＦＢＡＲフィルター自体の歩留まりを向上させることができる。

以上の本発明の説明においては具体的な実施例に係わり説明したが、上記に限定されず様々な変形が本発明の技術的要旨を外れない範囲内において可能である。

従来のＦＢＡＲバラントランスの構造図である。（ａ）、（ｂ）は図１のＦＢＡＲバラントランスで具現された不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターの構成図である。本発明による不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターの構造を示した断面図である。（ａ）及び（ｂ）はいずれも図３に示したＦＢＡＲフィルターの回路構成例を示す回路図である。（ｃ）及び（ｄ）はいずれも図３に示したＦＢＡＲフィルターの他の回路構成例を示す回路図である。

符号の説明

３０基板
３１フィルター回路部
３１ａＦＢＡＲ共振器
３１ｂ側壁
３１ｃ上部カバー
３２バラン（ｂａｌｕｎ）回路部
３２ａ、３２ｃストリップライン
３２ｂインダクタ
３２ｃキャパシター
３３ａ、３３ｂ第１、２誘電層

Claims

不平衡入力信号の入力を受け所定帯域にフィルタリングし、フィルタリングされた信号を平衡出力信号で出力する不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルターにおいて、
基板；
上記基板上部の所定領域に形成される多数のＦＢＡＲ共振器から成るフィルター回路部；及び
相互電気的に連結されバラン回路を具現する多層の金属層と、上記多数の金属層間に具備される多数の誘電層とで成り、上記基板の所定領域上部に上記フィルター回路部と電気的に連結されるよう形成されるバラン回路部、
から成ることを特徴とする不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記フィルター回路部はラダー（ｌａｄｄｅｒ）タイプで具現されることを特徴とする請求項１に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記フィルター回路部はラティス（ｌａｔｔｉｃｅ）タイプで具現されることを特徴とする請求項１に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記バラン回路部は二つ以上のストリップラインを含む伝送線路タイプのバラン回路であることを特徴とする請求項１に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記バラン回路部はＲ、Ｌ、Ｃ受動素子の組合から成るｌｕｍｐｅｄｅｌｅｍｅｎｔタイプのバラン回路であることを特徴とする請求項１に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記フィルター回路部は所定高さの側壁と、上記側壁の上部に結合される上部カバーとで成るキャップ構造でハーメチックシーリング（ｈｅｒｍｅｔｉｃｓｅａｌｉｎｇ）することを特徴とする請求項１に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記バラン回路部は上記基板上に形成される第１金属層、上記第１金属層の上部に形成され上記フィルター回路部の側壁と同一な高さの第１誘電層、上記第１誘電層の上部に形成された第２金属層、上記第２金属層の上部に形成され上記フィルター回路部の上部カバーと同一な高さの第２誘電層、上記第２誘電層の上部に形成される第３金属層から成ることを特徴とする請求項６に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記フィルター回路部の側壁及び上部カバーと、上記バラン回路部の誘電層らは同一物質から成ることを特徴とする請求項６に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記フィルター回路部の側壁及び上部カバーと、バラン回路部の誘電層はポリマーで形成されることを特徴とする請求項６に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。
上記フィルター回路部の側壁及び上部カバーと、バラン回路部の誘電層はドライフィルムで形成されることを特徴とする請求項６に記載の不平衡−平衡入出力構造のＦＢＡＲフィルター。