JP2006093204A

JP2006093204A - Method of manufacturing semiconductor device

Info

Publication number: JP2006093204A
Application number: JP2004273271A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Tsutsuguchi; 和典筒口
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2004-09-21
Filing date: 2004-09-21
Publication date: 2006-04-06

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the effect of heat radiation on a wafer transfer machine from a boat when the hot boat is unloaded from a process furnace. <P>SOLUTION: A plurality of wafers are transferred to a boat by a wafer transfer machine (step 301), and the boat is loaded into the process furnace (step 303). After the boat is loaded, the wafer placed on the boat is processed in the process furnace at a high temperature (step 304). Before the boat is carried out from the process furnace, the wafer transfer machine is reoriented so that the wafer transfer machine is moved to an escape position which is least affected by the radiation heat from the boat (step 305). After the wafer transfer machine is escaped, the hot boat is carried out from the process furnace (step 308). <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、移載機を用いて基板保持具に移載した基板に処理を施す半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device for processing a substrate transferred to a substrate holder using a transfer machine.

従来の半導体製造装置は、図５（ａ）に示すように、基板を収容するポッド１０９と、ポッド１０９から基板を取り出すウェハ移載機１１２と、ウェハ移載機１１２によって基板を載置される基板保持具としてのボート２１７と、ボート２１７に載置された基板を処理する処理炉（図示せず）とを備える。ウェハ移載機は、基板の移載を行うために、昇降、旋回、及びツィーザ３１の進退移動を行えるようになっている。 In the conventional semiconductor manufacturing apparatus, as shown in FIG. 5A, a pod 109 that accommodates a substrate, a wafer transfer device 112 that takes out the substrate from the pod 109, and a substrate are mounted by the wafer transfer device 112. A boat 217 serving as a substrate holder and a processing furnace (not shown) for processing a substrate placed on the boat 217 are provided. The wafer transfer machine can move up and down, turn, and move the tweezer 31 back and forth to transfer the substrate.

図８に、そのような従来の半導体製造装置によるウェハ処理時の動作シーケンスを示す。
ウェハ移載機１１２でポッド１０９からボート２１７にウェハを搬送し（ステップ３０１）、搬送後、ウェハ移載機１１２をホーム位置に移動し（ステップ３０２）、移動後、処理炉にボート２１７を搬入（ボートロード処理）する（ステップ３０３）。ボートロード後、処理炉でボート２１７に載置された基板を成膜処理し（ステップ３０４）、処理後、処理炉からボート２１７を搬出する（ボートアンロード処理）（ステップ３０６）。ボートアンロード後、アンロード位置でボート２１７及びウェハの冷却処理を行い（ステップ３０７）、冷却処理後、ウェハ移載機１１２でボート２１７からポッド１０９に処理済みのウェハを搬送する（ステップ３０８）。 FIG. 8 shows an operation sequence during wafer processing by such a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
Wafers are transferred from the pod 109 to the boat 217 by the wafer transfer device 112 (step 301). After the transfer, the wafer transfer device 112 is moved to the home position (step 302). After the movement, the boat 217 is loaded into the processing furnace. (Boat loading processing) is performed (step 303). After the boat loading, the substrate placed on the boat 217 is subjected to film formation processing in the processing furnace (step 304). After the processing, the boat 217 is unloaded from the processing furnace (boat unloading processing) (step 306). After the boat unloading, the boat 217 and the wafer are cooled at the unload position (step 307). After the cooling process, the wafer transfer device 112 transports the processed wafer from the boat 217 to the pod 109 (step 308). .

上述したステップ３０４で成膜処理された後のボート２１７は高温になっている。したがって、ボート２１７は高温の状態でアンロードされる。ウェハ移載機１１２は、この高温状態のボート２１７に晒されるため、アンロード後すぐにウェハ移載機１１２によるウェハ移載工程（ステップ３０８）に入ると、ウェハ移載機１１２がダメージを受ける。ウェハ移載機１１２には、特に耐熱温度の低い部品３４が、ツィーザカバー３２のツィーザ３１の反対側背面に取り付けられており、これらの部品３４が故障するおそれがあるためである。このためステップ３０７でボート２１７及びウェハの冷却処理を行い、冷却処理後にウェハを移載する処理（ステップ３０８）を行っている。 The boat 217 after the film formation process in step 304 described above is at a high temperature. Therefore, the boat 217 is unloaded in a high temperature state. Since the wafer transfer device 112 is exposed to the boat 217 in a high temperature state, if the wafer transfer process (step 308) by the wafer transfer device 112 is started immediately after unloading, the wafer transfer device 112 is damaged. . This is because, in the wafer transfer machine 112, parts 34 having a particularly low heat-resistant temperature are attached to the rear surface of the tweezer cover 32 opposite to the tweezers 31, and these parts 34 may break down. Therefore, in step 307, the boat 217 and the wafer are cooled, and the wafer is transferred after the cooling process (step 308).

ここで、ボートロード処理前に行う移載機移動ステップ３０２におけるウェハ移載機のホーム位置は、図５（ａ）に示すように、ツイーザ３１の方向が、ウェハ移載機１１２の旋回中心とボート２１７とを結ぶ線に対して反時計方向に４５°〜９０°を向く位置である。また、ボードアンロード時のウェハ移載機１１２の位置は、特に位置指定されておらず、ウェハ移載機の取り付け方法によって決められるが、通常は、上記ホーム位置が指定される。 Here, as shown in FIG. 5A, the home position of the wafer transfer machine in the transfer machine moving step 302 performed before the boat loading process is such that the direction of the tweezer 31 is the center of rotation of the wafer transfer machine 112. It is a position that faces 45 ° to 90 ° counterclockwise with respect to the line connecting the boat 217. Further, the position of the wafer transfer device 112 at the time of board unloading is not particularly specified and is determined by the mounting method of the wafer transfer device, but usually the home position is specified.

上述したように従来の半導体製造方法では、処理炉から基板保持具を搬出するときの移載機の位置は、特に位置指定されておらず、移載機の取り付け方法によって決められ、通常はホーム位置となる。このため、基板保持具搬出時から冷却終了時までの間、移載機付属の熱に弱い部品が、長時間高温になっている基板保持具に向いている状態になり、高温のボートからの輻射熱により、部品が故障してしまうことがあった。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、基板保持具を処理炉から搬出する際は、移載機に対する基板保持具の熱による影響を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。 As described above, in the conventional semiconductor manufacturing method, the position of the transfer machine when unloading the substrate holder from the processing furnace is not particularly specified, and is determined by the mounting method of the transfer machine. Position. For this reason, from the time the board holder is unloaded to the end of cooling, the heat-sensitive parts attached to the transfer machine are facing the board holder that has been hot for a long time. Parts may be damaged by radiant heat.
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and to reduce the influence of the heat of the substrate holder on the transfer machine when the substrate holder is carried out of the processing furnace. It is in providing the manufacturing method of.

第１の発明は、移載機により基板保持具に複数の基板を載置する移載工程と、前記基板保持具を処理炉に搬入する搬入工程と、前記基板保持具に載置された基板を処理する処理工程と、前記基板保持具を前記処理炉から搬出する搬出工程と、前記移載工程終了後であって、前記搬出工程前に前記移載機を退避位置に移動させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
移載機を退避位置に移動させるので、退避位置以外に移載機が存在する場合に発生し得る移載機の故障を防止することができる。 The first invention includes a transfer step of placing a plurality of substrates on a substrate holder by a transfer machine, a carrying-in step of carrying the substrate holder into a processing furnace, and a substrate placed on the substrate holder A processing step of processing the substrate, a carrying-out step of carrying out the substrate holder from the processing furnace, and a step of moving the transfer machine to a retreat position after the transfer step and before the carrying-out step. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
Since the transfer machine is moved to the retracted position, it is possible to prevent a failure of the transfer machine that may occur when the transfer machine exists in a position other than the retracted position.

第２の発明は、移載機により複数の基板が載置された基板保持具を処理炉に搬入し、前記基板に所定の処理を施す基板処理装置において、前記基板保持具を搬出する前に、前記移載機を退避位置に移動させる制御手段を有することを特徴とする基板処理装置である。
基板保持具を搬出する前に、制御手段により移載機を退避位置に移動させるので、基板保持部の熱から移載機を保護することができ、移載機の故障を防止することができる。 According to a second aspect of the present invention, in a substrate processing apparatus for carrying in a predetermined process on a substrate holding tool on which a plurality of substrates are placed by a transfer machine, and before carrying out the substrate holding tool. A substrate processing apparatus comprising control means for moving the transfer machine to a retracted position.
Since the transfer device is moved to the retracted position by the control means before the substrate holder is carried out, the transfer device can be protected from the heat of the substrate holding portion, and failure of the transfer device can be prevented. .

本発明により、基板保持具を処理炉から搬出する前に、移載機を退避位置に移動するようにしたので、基板保持具の熱から移載機を保護し、移載機の故障を防止することができる。 According to the present invention, since the transfer device is moved to the retracted position before the substrate holder is carried out of the processing furnace, the transfer device is protected from the heat of the substrate holder and the failure of the transfer device is prevented. can do.

以下に本発明の半導体装置の製造方法を実施するための基板処理装置の構成を図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、基板処理装置として半導体基板に拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に基板処理装置という）を適用した場合について述べる。図６は、本発明に適用される基板処理装置の外観斜視図である。なお、この図は透視図として描かれている。また、図７は図６に示す基板処理装置の側面図である。 A configuration of a substrate processing apparatus for carrying out a semiconductor device manufacturing method of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, a case where a vertical apparatus (hereinafter simply referred to as a substrate processing apparatus) that performs diffusion processing, CVD processing, or the like is applied to a semiconductor substrate as the substrate processing apparatus will be described. FIG. 6 is an external perspective view of a substrate processing apparatus applied to the present invention. This figure is drawn as a perspective view. FIG. 7 is a side view of the substrate processing apparatus shown in FIG.

本発明の基板処理装置は、シリコン等からなるウェハ（基板）２００を収納したポッド（基板収納容器）１００を、外部から筐体１０１内へ挿入するため、及びその逆に筐体１０１内から外部へ払出すためのＩ／Ｏステージ（保持具授受部材）１０５が筐体１０１の前面に付設され、筐体１０１内には挿入されたポッド１００を保管するためのカセット棚（載置手段）１０９が敷設されている。また、ウェハ２００の搬送エリアであり、後述のボート（基板保持具）２１７のローディング、アンローディング空間となるＮ2パージ室（気密室）１０２が設けられている。ウェハ２００に処理を行うときのＮ2パージ室１０２の内部は、ウェハ２００の自然酸化膜を防止するためにＮ2ガスなどの不活性ガスが充満されるように、Ｎ2パージ室１０２は密閉容器となっている。 The substrate processing apparatus of the present invention is for inserting a pod (substrate storage container) 100 containing a wafer (substrate) 200 made of silicon or the like into the housing 101 from the outside, and vice versa. An I / O stage (holder holding member) 105 for paying out is attached to the front surface of the housing 101, and a cassette shelf (mounting means) 109 for storing the inserted pod 100 in the housing 101. Is laid. In addition, an N 2 purge chamber (airtight chamber) 102 serving as a loading / unloading space for a boat (substrate holder) 217, which will be described later, is provided as a transfer area for the wafer 200. The N2 purge chamber 102 becomes a sealed container so that the inside of the N2 purge chamber 102 when processing the wafer 200 is filled with an inert gas such as N2 gas in order to prevent a natural oxide film on the wafer 200. ing.

上述したポッド１００としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、ポッド１００の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気からウェハ２００を隔離して搬送でき、蓋体を取り去ることでポッド１００内へウェハ２００を入出させることができる。このポッド１００の蓋体を取外し、ポッド内の雰囲気とＮ2パージ室１０２の雰囲気とを連通させるために、Ｎ2パージ室１０２の前面側には、ポッドオープナ（開閉手段）１０８が設けられている。ポッドオープナ１０８、カセット棚１０９、及びＩ／Ｏステージ１０５間のポッド１００の搬送は、カセット移載機１１４によって行われる。このカセット移載機１１４によるポッド１００の搬送空間には、筐体１０１に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせるようにしている。 As the pod 100 described above, the FOUP type is currently mainly used, and the opening provided on one side of the pod 100 is closed with a lid (not shown) to isolate the wafer 200 from the atmosphere. The wafer 200 can be transferred into and out of the pod 100 by removing the lid. A pod opener (opening / closing means) 108 is provided on the front side of the N2 purge chamber 102 in order to remove the lid of the pod 100 and to communicate the atmosphere in the pod with the atmosphere of the N2 purge chamber 102. The pod 100 is transported between the pod opener 108, the cassette shelf 109, and the I / O stage 105 by a cassette transfer machine 114. Air that has been cleaned by a clean unit (not shown) provided in the casing 101 is caused to flow in the transport space of the pod 100 by the cassette transfer device 114.

Ｎ2パージ室１０２の内部には、複数のウェハ２００を多段に積載するボート２１７と、ウェハ２００のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置１０６と、ポッドオープナ１０８上のポッド１００と基板位置合わせ装置１０６とボート２１７との間でウェハ２００の搬送を行うウェハ移載機１１２とが設けられている。また、Ｎ2パージ室１０２の上部にはウェハ２００を処理するための処理炉２０２が設けられており、ボート２１７はボートエレベータ（昇降手段）１１５によって処理炉２０２へローディング、又は処理炉２０２からアンローディングすることができる。 Inside the N 2 purge chamber 102, a boat 217 for loading a plurality of wafers 200 in multiple stages, a substrate alignment device 106 for adjusting the position of the notch (or orientation flat) of the wafer 200 to an arbitrary position, and a pod opener 108 A wafer transfer device 112 that transfers the wafer 200 between the pod 100, the substrate alignment device 106, and the boat 217 is provided. A processing furnace 202 for processing the wafers 200 is provided above the N 2 purge chamber 102, and the boat 217 is loaded into the processing furnace 202 by the boat elevator (elevating means) 115 or unloaded from the processing furnace 202. can do.

次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。
まず、ＡＧＶやＯＨＴなどにより筐体１０１の外部から搬送されてきたポッド１００は、Ｉ／Ｏステージ１０５に載置される。Ｉ／Ｏステージ１０５に載置されたポッド１００は、カセット移載機１１４によって、直接ポッドオープナ１０８上に搬送されるか、又は、一旦カセット棚１０９にストックされた後にポッドオープナ１０８上に搬送される。ポッドオープナ１０８上に搬送されたポッド１００は、ポッドオープナ１０８によってポッド１００の蓋体を取外され、ポッド１００の内部雰囲気がＮ2パージ室１０２の雰囲気と連通される。 Next, the operation of the substrate processing apparatus of the present invention will be described.
First, the pod 100 that has been transported from the outside of the housing 101 by AGV, OHT, or the like is placed on the I / O stage 105. The pod 100 placed on the I / O stage 105 is directly transported onto the pod opener 108 by the cassette transfer device 114, or once stocked on the cassette shelf 109 and then transported onto the pod opener 108. The After the pod 100 is transferred onto the pod opener 108, the lid of the pod 100 is removed by the pod opener 108, and the internal atmosphere of the pod 100 is communicated with the atmosphere of the N2 purge chamber 102.

次に、ウェハ移載機１１２によって、Ｎ2パージ室１０２の雰囲気と連通した状態のポッド１００内からウェハ２００を取出す。取出されたウェハ２００は、基板位置合わせ装置１０６によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合わせが行われ、位置合わせ後、ボート２１７へ搬送される。 Next, the wafer 200 is taken out from the pod 100 in communication with the atmosphere of the N 2 purge chamber 102 by the wafer transfer device 112. The extracted wafer 200 is aligned so that a notch is determined at an arbitrary position by the substrate alignment apparatus 106, and is transferred to the boat 217 after alignment.

ボート２１７へのウェハ２００の搬送が完了したならば、処理室２０１の炉口シャッタ１１６を開けて、ボートエレベータ１１５によりウェハ２００を搭載したボート２１７をローディングする。ローディング後は、処理炉２０２にてウェハ２００に任意の処理が実施される。処理後は上述の逆の手順で、アンローディングされ、ウェハ２００及びポッド１００は筐体１０１の外部へ払出される。 When the transfer of the wafer 200 to the boat 217 is completed, the furnace port shutter 116 of the processing chamber 201 is opened, and the boat 217 loaded with the wafer 200 is loaded by the boat elevator 115. After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the wafer 200 and the pod 100 are unloaded by the reverse procedure described above, and the wafer 200 and the pod 100 are discharged to the outside of the housing 101.

次に図４を用いて、処理炉の下方に設けられるＮ2パージ室１０２のウェハ移載機１１２について説明する。
Ｎ2パージ室１０２は処理炉とともに筐体内に形成される。Ｎ2パージ室１０２内にはウェハ移載機１１２とボート２１７とが主に設けられている。ウェハ移載機１１２は３次元に動き、複数のウェハ２００をボート２１７に形成した複数の溝３５に搬送するように構成されている。そのためにウェハ移載機１１２は、上下方向移動機構２２、旋回方向移動機構２３、及び半径方向移動機構２４を備える。矢印Ａが上下方向、矢印Ｂが旋回方向、矢印Ｃが半径方向である。また、ウェハ移載機１１２は、一枚だけでなく複数枚のウェハ２００を一括して保持することができるツィーザ３１、及びツィーザ３１の基部を覆うツィーザカバー３２を備えている。各機構２２、２３、２４のモータはモータ制御ボード３３により制御される。 Next, the wafer transfer machine 112 in the N2 purge chamber 102 provided below the processing furnace will be described with reference to FIG.
The N2 purge chamber 102 is formed in the casing together with the processing furnace. A wafer transfer device 112 and a boat 217 are mainly provided in the N 2 purge chamber 102. The wafer transfer device 112 moves three-dimensionally and is configured to transfer the plurality of wafers 200 to the plurality of grooves 35 formed in the boat 217. For this purpose, the wafer transfer device 112 includes a vertical movement mechanism 22, a turning movement mechanism 23, and a radial movement mechanism 24. Arrow A is the vertical direction, arrow B is the turning direction, and arrow C is the radial direction. Further, the wafer transfer device 112 includes a tweezer 31 that can hold not only one wafer but also a plurality of wafers 200 and a tweezer cover 32 that covers the base of the tweezer 31. The motors of the mechanisms 22, 23 and 24 are controlled by a motor control board 33.

また、ウェハ移載機１１２のアクセス可能な位置にボート２１７が設けられる。ボート２１７は、柱３０−１、３０−２、３０−３を構成要素にもつ。柱３０−１、３０−２、３０−３には、ウェハ２００を多数枚水平に保持するための溝３５が複数設けられている。なお、ボート２１７の真上に前述した処理炉が配設される。 Further, a boat 217 is provided at an accessible position of the wafer transfer device 112. The boat 217 has columns 30-1, 30-2, and 30-3 as components. The pillars 30-1, 30-2, 30-3 are provided with a plurality of grooves 35 for holding a number of wafers 200 horizontally. Note that the above-described processing furnace is disposed directly above the boat 217.

上述したウェハ移載機１１２は、基板処理装置に設けたコントローラ（通常メカコントローラと呼ばれる）によって制御される。また、上述したボートエレベータ１１５なども、同じコントローラによって制御される。 The wafer transfer machine 112 described above is controlled by a controller (usually called a mechanical controller) provided in the substrate processing apparatus. The boat elevator 115 described above is also controlled by the same controller.

図３は、そのようなコントローラ系のブロック図である。図３に示すように、コントローラ系は、上位コンピュータ２や操作部（操作手段）３から出力された信号が主制御部４及びコントローラ５のデータ送受信部１６を介してＣＰＵ（制御手段）７に入力されるようになっている。ＣＰＵ７は、ＲＯＭ１３やＲＡＭ１２から読み出したデータと操作部３やハンディーターミナル２１等からの入力信号に基づいて、ウェハ移載機１１２のモータ駆動部１４ａ、カセット移載機１１４のモータ駆動部１５ａ、及びボートエレベータ１６のモータ駆動部１６ａに、動作制御部１９を介して作動制御信号をそれぞれ出力するようになっている。 FIG. 3 is a block diagram of such a controller system. As shown in FIG. 3, the controller system receives signals output from the host computer 2 and the operation unit (operation unit) 3 to the CPU (control unit) 7 via the main control unit 4 and the data transmission / reception unit 16 of the controller 5. It is supposed to be entered. Based on the data read from the ROM 13 and the RAM 12 and the input signal from the operation unit 3, the handy terminal 21, etc., the CPU 7 performs the motor driving unit 14a of the wafer transfer unit 112, the motor driving unit 15a of the cassette transfer unit 114, and An operation control signal is output to the motor drive unit 16 a of the boat elevator 16 via the operation control unit 19.

なお、上記コントローラ５の他に、熱電対でヒータ温度を測定してヒータへの供給電力を制御する温度コントローラ、圧力センサで炉内圧力を測定して圧力弁を制御する圧力コントローラ、マスフローモニタで流量を測定してマスフローを制御するマスフローコントローラ、プロセスモニタ、画面出力、キー操作などを制御する操作部コントローラなどがある。 In addition to the controller 5, a temperature controller that measures the heater temperature with a thermocouple and controls the power supplied to the heater, a pressure controller that measures the pressure inside the furnace with a pressure sensor and controls the pressure valve, and a mass flow monitor There are a mass flow controller that measures a flow rate and controls a mass flow, a process monitor, a screen output, an operation unit controller that controls key operations, and the like.

また、ＣＰＵ７は、データ入出力部１７を介してソレノイド１８やセンサ２０に接続されており、センサ２０からの測定信号を取り込み、ソレノイド１８に制御信号を出力するようになっている。更に、ＣＰＵ７は、ハンディーターミナル２１にも接続され、ハンディーターミナル２１からの出力信号が入力されるようになっている。 The CPU 7 is connected to the solenoid 18 and the sensor 20 via the data input / output unit 17, takes in a measurement signal from the sensor 20, and outputs a control signal to the solenoid 18. Further, the CPU 7 is also connected to the handy terminal 21 so that an output signal from the handy terminal 21 is inputted.

図５に示すように、ウェハ移載機１１２のツィーザカバー３２のツイーザ３１と反対側に、通常、耐熱温度の低い部品３４が取り付けられている。この部品３４は、例えばウェハ位置を測定するウェハ位置測定センサであり、アンプはウェハ位置測定センサの測定信号を増幅するセンサアンプである。これらのセンサやアンプは、図３に示すセンサ２０の一部分を構成し、ウェハ位置測定センサにより検出した信号を増幅し、増幅された検出信号はデータ入出力部１７を介してＣＰＵ７へ送られる。 As shown in FIG. 5, a component 34 having a low heat-resistant temperature is usually attached to the opposite side of the tweezer cover 32 of the wafer transfer device 112 from the tweezer 31. The component 34 is, for example, a wafer position measurement sensor that measures the wafer position, and the amplifier is a sensor amplifier that amplifies the measurement signal of the wafer position measurement sensor. These sensors and amplifiers constitute a part of the sensor 20 shown in FIG. 3, amplifies the signal detected by the wafer position measurement sensor, and the amplified detection signal is sent to the CPU 7 via the data input / output unit 17.

図１に、上述した実施の形態によるウェハ移載機１１２及びボートエレベータ１１５の動作シーケンスを示す。上述したようにウェハ移載機１１２は、昇降、旋回、及び進退自在に設けられる。特に、旋回によって部品３４を取り付けたツィーザカバー３２の向きを変えることができる。ウェハ移載機１１２の向きは、待機状態では、平面視でホーム位置（図５（ａ）に示す位置）と退避位置（図５（ｂ）に示す位置）を取り得る。 FIG. 1 shows an operation sequence of the wafer transfer machine 112 and the boat elevator 115 according to the above-described embodiment. As described above, the wafer transfer device 112 is provided so as to be movable up and down, swiveled, and advanced and retracted. In particular, the orientation of the tweezer cover 32 to which the component 34 is attached can be changed by turning. The orientation of the wafer transfer device 112 can take a home position (position shown in FIG. 5A) and a retracted position (position shown in FIG. 5B) in a plan view in the standby state.

動作シーケンスでは、動作開始前に、ウェハ移載機１１２の退避位置を、操作部３から主制御部４を介してＣＰＵ７に登録しておく。ここでの退避位置は、センサやアンプなどの耐熱温度の低い部品３４がボート２１７から最も遠くなる位置である。具体的には、図５（ｂ）に示すように、ツイーザ３１の基部を覆うツィーザカバー３２の、ツイーザ３１とは反対側に取り付けられた部品３４が、ツイーザ３１を挟んでボート２１７とは反対側に来る位置である。 In the operation sequence, the retracted position of the wafer transfer device 112 is registered in the CPU 7 from the operation unit 3 via the main control unit 4 before the operation starts. The retreat position here is a position where the component 34 having a low heat-resistant temperature such as a sensor or an amplifier is farthest from the boat 217. Specifically, as shown in FIG. 5B, the component 34 attached to the opposite side of the tweezer 31 of the tweezer cover 32 that covers the base of the tweezer 31 is opposite to the boat 217 across the tweezer 31. Is the position to come to.

まず、ＣＰＵ７はウェハ移載機１１２のモータ駆動部１４ａにウェハ移載指令を出して、ウェハ移載機１１２に、ポッド１００からボート２１７へ複数のウェハ２００を載置させる（ステップ３０１）（移載工程）。
移載工程が終了したら、ＣＰＵ７は、ウェハ移載機１１２のモータ駆動部１４ａにホーム位置移動指令を出して、ウェハ移載機１１２を旋回させてホーム位置（図５（ａ））に移動させる（ステップ３０２）。 First, the CPU 7 issues a wafer transfer command to the motor drive unit 14a of the wafer transfer device 112, and causes the wafer transfer device 112 to place a plurality of wafers 200 from the pod 100 to the boat 217 (step 301) (transfer) Loading process).
When the transfer process is completed, the CPU 7 issues a home position movement command to the motor drive unit 14a of the wafer transfer device 112, and rotates the wafer transfer device 112 to move it to the home position (FIG. 5A). (Step 302).

ホーム位置移動後、ＣＰＵ７は、動作制御部１７を介してボートエレベータ１１５のモータ駆動部１６ａにボートロード指令を出して、複数のウェハ２００が載置されたボート２１７をボートエレベータ１１５により処理炉２０２にロードさせる（ステップ３０３）（搬入工程）。
搬入工程後、ＣＰＵ７は、温度コントローラ、圧力コントローラ、マスフローコントローラなどを制御して、ボート２１７に載置されたウェハ２００上に成膜処理を行わせる（ステップ３０４）（処理工程）。 After moving the home position, the CPU 7 issues a boat load command to the motor drive unit 16 a of the boat elevator 115 via the operation control unit 17, and the boat 217 on which the plurality of wafers 200 are placed is processed by the boat elevator 115 with the processing furnace 202. (Step 303) (carry-in process).
After the carry-in process, the CPU 7 controls the temperature controller, the pressure controller, the mass flow controller, and the like to perform the film forming process on the wafers 200 placed on the boat 217 (step 304) (processing process).

処理工程後、ＣＰＵ７は、ボードアンロード動作開始前に、ウェハ移載機１１２のモータ駆動部１４ａに退避移動指令を出して、ウェハ移載機１１２を旋回させて、その向きを退避位置（図５（ｂ））に移動させる（ステップ３０５）（移動工程）。
移動工程後、ＣＰＵ７は、ボートエレベータ１１５のモータ駆動部１６ａにアンロード指令を出して、高温のボート２１７を処理炉２０２からアンロードさせる（ステップ３０６）（搬出工程）。 After the processing step, before starting the board unloading operation, the CPU 7 issues a retreat movement command to the motor driving unit 14a of the wafer transfer device 112, turns the wafer transfer device 112, and changes its direction to the retreat position (see FIG. 5 (b)) (step 305) (movement process).
After the moving process, the CPU 7 issues an unload command to the motor drive unit 16a of the boat elevator 115 to unload the hot boat 217 from the processing furnace 202 (step 306) (unloading process).

搬出工程後、ＣＰＵ７は、Ｎ2パージ室１０２のボート下降位置（図５に示す位置）で、ボート２１７及びウェハ２００の冷却処理を行わせる（ステップ３０７）（冷却工程）。
冷却処理は、自然冷却でも良いが、ＣＰＵ７がマスフローコントローラ等に冷却指令を出して、Ｎ2ガスなどの不活性ガスをＮ2パージ室１０２内に流すことによって行ってもよい。
冷却工程後、ＣＰＵ７は、ウェハ移載機１１２のモータ駆動部１４ａにウェハ搬出指令を出して、ウェハ移載機１１２にボート２１７からポッド１００に処理済みのウェハ２００を搬送させる（ステップ３０８）。 After the unloading process, the CPU 7 causes the boat 217 and the wafer 200 to be cooled at the boat lowering position (position shown in FIG. 5) of the N2 purge chamber 102 (step 307) (cooling process).
The cooling process may be natural cooling, but may be performed by the CPU 7 issuing a cooling command to the mass flow controller or the like and flowing an inert gas such as N2 gas into the N2 purge chamber 102.
After the cooling process, the CPU 7 issues a wafer carry-out command to the motor drive unit 14a of the wafer transfer device 112, and causes the wafer transfer device 112 to transfer the processed wafer 200 from the boat 217 to the pod 100 (step 308).

図２に示すように、上述した退避工程ステップ３０５は、ＣＰＵ７によって次のように実行される。ＣＰＵ７は、成膜処理が終了したか否かの判断を、成膜処理が終了するまで繰り返す（ステップ３０５ａ）。ＣＰＵ７が成膜処理の終了を判断すると、ＣＰＵ７は、動作制御部１９を介してウェハ移載機１１２のモータ駆動部１４ａに退避位置移動指令を出して、ウェハ移載機１１２を退避位置へ移動させる（ステップ３０５ｂ）。ＣＰＵ７は移動が終了したか否かの判断を、移動が終了するまで繰り返す（３０５ｃ）。 As shown in FIG. 2, the saving process step 305 described above is executed by the CPU 7 as follows. The CPU 7 repeats the determination as to whether or not the film forming process is completed until the film forming process is completed (step 305a). When the CPU 7 determines the end of the film forming process, the CPU 7 issues a retreat position movement command to the motor drive unit 14a of the wafer transfer device 112 via the operation control unit 19, and moves the wafer transfer device 112 to the retreat position. (Step 305b). The CPU 7 repeats the determination of whether or not the movement is completed until the movement is completed (305c).

上述したように、実施の形態によれば、ボートアンロード時、ウェハ移載機１１２の向きを変更して、ウェハ移載機１１２に搭載された部品３４を、ボート２１７からの輻射熱の影響の最も少ない位置に退避させるようにしたので、ウェハ移載機１１２に搭載された熱に弱い部品３４をボート２１７の熱から有効に保護することができる。したがって、ウェハ移載機１１２の故障を防止することができる。
尚、本実施の形態によれば、成膜処理終了後、移載機を退避位置に移動させているが、特にこの期間に限定されず、ホーム位置移動後、更にいえば、ウェハ移載工程後であれば、成膜処理終了前であっても構わない。そうすると、本実施の形態と比較して、ウェハ移載機を退避位置へ移動させる工程分の時間を持つことなく、ボートアンロード処理が行える。又アンロード開始直後であってもウェハ移載機に搭載された熱に弱い部品（センサ）が熱の影響を受けなければ、移載機を退避位置に移載させても構わない。つまり、上記熱に弱い部品が熱による影響を受けない期間であれば、実際にアンロード開始後であっても実質的にアンロード工程前に移載機を移動させるのと同じことである。更に、退避位置は本実施の形態に限定されず、例えば、退避室のように、別に部屋を設けても良い。 As described above, according to the embodiment, when the boat is unloaded, the orientation of the wafer transfer device 112 is changed, and the component 34 mounted on the wafer transfer device 112 is affected by the influence of radiant heat from the boat 217. Since it is retracted to the smallest position, the heat-sensitive component 34 mounted on the wafer transfer device 112 can be effectively protected from the heat of the boat 217. Therefore, failure of the wafer transfer device 112 can be prevented.
According to the present embodiment, the transfer machine is moved to the retracted position after the film formation process is completed, but the present invention is not particularly limited to this period. After the home position is moved, more specifically, the wafer transfer process. If it is after, it may be before the film forming process is completed. Then, compared with the present embodiment, the boat unloading process can be performed without having time for the process of moving the wafer transfer device to the retracted position. Further, even immediately after the start of unloading, if the heat-sensitive component (sensor) mounted on the wafer transfer device is not affected by the heat, the transfer device may be transferred to the retracted position. That is, as long as the heat-sensitive component is not affected by the heat, it is substantially the same as moving the transfer machine before the unloading process even after actually starting the unloading. Furthermore, the retreat position is not limited to the present embodiment, and for example, a separate room may be provided such as a retreat room.

なお、上述した実施の形態では、基板として半導体基板を用いた場合の半導体製造方法について説明したが、本発明方法はこれに限らず、例えばガラス基板など、他の基板の場合についても適用できる。また、処理炉内の処理はＣＶＤ成膜に限定されず、酸化、拡散、アニール等、基板処理であればいずれの処理に対しても適用できる。 In the above-described embodiment, the semiconductor manufacturing method in the case where a semiconductor substrate is used as the substrate has been described. However, the method of the present invention is not limited to this, and can be applied to other substrates such as a glass substrate. Further, the processing in the processing furnace is not limited to CVD film formation, and can be applied to any processing as long as it is a substrate processing such as oxidation, diffusion, annealing, and the like.

実施の形態による半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。3 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment. 実施の形態による半導体装置の製造方法の要部を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the principal part of the manufacturing method of the semiconductor device by embodiment. 実施の形態による半導体装置の製造方法を実施する半導体製造装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor manufacturing apparatus which enforces the manufacturing method of the semiconductor device by embodiment. 実施の形態による半導体製造装置を構成するＮ2パージ室内の斜視図である。It is a perspective view in the N2 purge chamber which comprises the semiconductor manufacturing apparatus by embodiment. 実施の形態によるウェハ移載機のホーム位置と退避位置を説明するＮ2パージ室内の概略平面図である。It is a schematic plan view in the N2 purge chamber for explaining a home position and a retracted position of the wafer transfer device according to the embodiment. 実施の形態による透視図として描かれた半導体製造装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a semiconductor manufacturing apparatus drawn as a perspective view according to an embodiment. 実施の形態による半導体製造装置の側面図である。1 is a side view of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment. 従来例による半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the manufacturing method of the semiconductor device by a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

３１ツィーザ
３２ツィーザカバー
３４耐熱温度の低い部品
１１２ウェハ移載機
２１７ボート（基板保持具）
２０２処理炉 31 Tweezer 32 Tweezer Cover 34 Parts with Low Heat Resistance Temperature 112 Wafer Transfer Machine 217 Boat (Substrate Holder)
202 Processing furnace

Claims

移載機により基板保持具に複数の基板を載置する移載工程と、
前記基板保持具を処理炉に搬入する搬入工程と、
前記基板保持具に載置された基板を処理する処理工程と、
前記基板保持具を前記処理炉から搬出する搬出工程と、
前記移載工程終了後であって、前記搬出工程前に前記移載機を退避位置に移動させる工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A transfer step of placing a plurality of substrates on a substrate holder by a transfer machine;
A loading step of loading the substrate holder into a processing furnace;
A processing step of processing a substrate placed on the substrate holder;
An unloading step of unloading the substrate holder from the processing furnace;
And a step of moving the transfer machine to a retracted position after the transfer step and before the unloading step.