JP2006088006A - Surface treatment apparatus - Google Patents

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Yoshiro Toda
義朗 戸田
Kikuo Maeda
菊男 前田
Koji Fukazawa
孝二 深沢
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treatment apparatus in which the stability of surface treatment is ensured by removing the dust generated by the contact of a moving body with an electrode to restrain the dust from being accumulated on the surface of the electrode and contamination of the inside of the surface treatment apparatus. <P>SOLUTION: This surface treatment apparatus is provided with: a pair of electrodes which are arranged so that the discharge surfaces of the electrodes are opposed to each other to form a discharge space and with which a high-frequency electric field is generated in the discharge space; a holding mechanism for holding the moving body so that the moving body is moved relatively in the discharge space while being stuck closely to at least one of electrodes; and a cleaning means for removing the dust on the surface of the moving body on the side of the moving body-stuck electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表面処理装置に係り、特に、大気圧プラズマ放電処理を用いて基材の表面の処理を施す表面処理装置に関する。   The present invention relates to a surface treatment apparatus, and more particularly, to a surface treatment apparatus for treating a surface of a substrate using atmospheric pressure plasma discharge treatment.

従来、ＬＳＩ、半導体、表示デバイス、磁気記録デバイス、光電変換デバイス、太陽電池、ジョセフソンデバイス、光熱変換デバイス等の各種製品には、基材上に高性能性の薄膜を設けた材料が用いられている。薄膜を基材上に形成する手法には、塗布に代表される湿式製膜方法や、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に代表される乾式表面処理方法、あるいは大気圧プラズマ放電処理を利用した大気圧プラズマ表面処理方法等が挙げられる。
大気圧プラズマ表面処理方法が適用される表面処理装置であると、例えば特許文献１に記載されるような薄膜形成装置のように、真空装置が必要でないために、設備コストを抑制でき、さらにはオンライン処理ラインに組み込めるために生産性を飛躍的に向上させることが可能である。 Conventionally, various products such as LSIs, semiconductors, display devices, magnetic recording devices, photoelectric conversion devices, solar cells, Josephson devices, and photothermal conversion devices have been made of materials with high-performance thin films on substrates. ing. Methods for forming a thin film on a substrate include wet film formation methods represented by coating, dry surface treatment methods represented by sputtering, vacuum deposition, ion plating, etc., or atmospheric pressure plasma discharge treatment. And an atmospheric pressure plasma surface treatment method using the above.
The surface treatment apparatus to which the atmospheric pressure plasma surface treatment method is applied can suppress equipment costs because a vacuum apparatus is not required, as in a thin film forming apparatus described in Patent Document 1, for example. Productivity can be dramatically improved for incorporation into online processing lines.

大気圧プラズマ表面処理方法には、エッチング・アッシング処理や表面改質処理を基材に施すものや、基材上に薄膜を形成するものもあるが、エッチング・アッシング処理であると被処理物からの飛散物が電極表面に付着したり、表面改質処理であると電極表面に改質層が形成されたりすることで、電極表面にも薄膜が形成されることになる。このように電極表面に薄膜が形成されて汚れてしまうと、均一な放電が維持できなかったり、グロー放電がアーク放電に移行してしまったり、経時で処理度合いが変化してしまったりして、安定した表面処理若しくは製膜を阻害させる要因となっていた。
このために、真空系の装置で良く用いられるエッチング等のクリーニング手段を、大気圧プラズマ表面処理用の表面処理装置にも適用することが考えられるが、エッチングに要する時間や、メンテナンスサイクルの時間を考慮すると、歩留まりが悪く、大気圧プラズマ表面処理方法としての利点を発揮できない。 Atmospheric pressure plasma surface treatment methods include those that apply etching / ashing treatment and surface modification treatment to the base material, and those that form a thin film on the base material. If the scattered matter adheres to the electrode surface, or if the surface modification treatment is performed, a modified layer is formed on the electrode surface, so that a thin film is also formed on the electrode surface. When a thin film is formed on the electrode surface and becomes dirty like this, uniform discharge cannot be maintained, glow discharge shifts to arc discharge, or the degree of treatment changes over time, It was a factor that hindered stable surface treatment or film formation.
For this reason, it is conceivable to apply a cleaning means such as etching, which is often used in a vacuum system apparatus, to a surface treatment apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment. Considering it, the yield is poor, and the advantage as the atmospheric pressure plasma surface treatment method cannot be exhibited.

一方、エッチングなどのクリーニング手段を用いなくとも安定して表面処理するために、以下の方式の大気圧プラズマ表面処理方法が考えられている（例えば特許文献２参照）。この大気圧プラズマ表面処理方法では、対向する一対の電極双方に基材を密着させながら搬送することで、電極表面に汚れが付着することが防止されている。しかしながら、この方式では、基材と電極とが擦られるために基材に擦り傷が発生し、製品として成り立たない。また、別の方式では、対向する一対の電極を回転自在なロール電極として、電極双方に基材を密着させて搬送させればロール電極が従動するので摩擦力を低減でき、結果擦り傷の発生を抑制する方式が考えられている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、この方式では一対の電極がロール電極であるために、放電空間内に間隔の違いが生じてしまう。例えば間隔が広いところでは狭いところよりも放電が粗く基材にダメージを与えてしまったり、薄膜形成時に粉を発生させてしまったりしていた。ガス条件を異ならせることで間隔の狭いところに放電範囲を絞り込むことも可能であるが、薄膜の形成される範囲が大幅に狭くなってしまい、実質生産性を低下させてしまう。   On the other hand, in order to stably perform surface treatment without using a cleaning means such as etching, an atmospheric pressure plasma surface treatment method of the following method has been considered (for example, see Patent Document 2). In this atmospheric pressure plasma surface treatment method, contamination is prevented from adhering to the electrode surface by carrying the substrate while bringing the substrate into close contact with both of the pair of electrodes facing each other. However, in this system, since the base material and the electrode are rubbed, scratches are generated on the base material, and the product is not realized. In another method, if a pair of electrodes facing each other is a rotatable roll electrode and the base material is brought into close contact with both electrodes and conveyed, the roll electrode is driven and the frictional force can be reduced, resulting in generation of scratches. A suppression method has been considered (see, for example, Patent Document 3). However, in this method, since the pair of electrodes are roll electrodes, a difference in spacing occurs in the discharge space. For example, when the interval is wide, the discharge is coarser than that of the narrow portion, causing damage to the base material, or generating powder when forming a thin film. Although it is possible to narrow the discharge range to a narrow interval by changing the gas conditions, the range in which the thin film is formed is significantly narrowed, and the substantial productivity is lowered.

これに対し、本発明者らは、電極に密着するように基材と電極との間に配置された支持体を基材に対して相対的に搬送する搬送機構を備えた表面処理装置としての薄膜形成装置を開発した。これにより、基材が削られることを防止でき、薄膜形成の運転時間を大幅に向上させることができた。
特開平２−４８６２６号公報 特開２０００−２１２７５３号公報 特開２００１−２７９４５７号公報 On the other hand, the present inventors as a surface treatment apparatus provided with a transport mechanism for transporting a support disposed between a base material and an electrode so as to be in close contact with the electrode relative to the base material. A thin film forming device was developed. As a result, it was possible to prevent the base material from being scraped, and to significantly improve the operation time for forming the thin film.
JP-A-2-48626 JP 2000-212753 A JP 2001-279457 A

しかしながら、支持体であっても電極に密着して相対的に搬送されるために、電極との摩擦によりゴミが発生し、電極表面に堆積してしまうことが分かった。堆積量が多くなると、結局放電の均一性を妨げるために結果として表面処理の安定性が阻害されるおそれがある。また、発生したゴミにより装置内部が汚染される可能性も高い。   However, it was found that even the support was transported relatively in close contact with the electrode, so that dust was generated due to friction with the electrode and deposited on the electrode surface. When the amount of deposition increases, the uniformity of discharge is eventually hindered, and as a result, the stability of the surface treatment may be hindered. There is also a high possibility that the inside of the apparatus will be contaminated by the generated dust.

本発明の課題は、電極との接触によって発生したゴミを除去することで、電極表面への堆積量及び装置内部への汚染を抑制し、表面処理の安定性を確保することである。   An object of the present invention is to remove dust generated by contact with an electrode, thereby suppressing the amount of deposition on the electrode surface and contamination inside the apparatus and ensuring the stability of the surface treatment.

請求項１記載の発明は、薄膜形成若しくは表面処理を施す表面処理装置において、
互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、前記放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、
前記放電空間内で前記一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に密着しながら相対的に移動されるように移動体を保持する保持機構と、
前記移動体の前記電極側表面上のゴミを除去するクリーニング手段とを備えることを特徴としている。 The invention according to claim 1 is a surface treatment apparatus for performing thin film formation or surface treatment.
A pair of electrodes arranged to form a discharge space with the discharge surfaces facing each other, and generating a high-frequency electric field in the discharge space;
A holding mechanism that holds the moving body so as to be relatively moved while closely contacting at least one of the pair of electrodes in the discharge space;
And cleaning means for removing dust on the electrode-side surface of the moving body.

請求項１記載の発明によれば、クリーニング手段が移動体の電極側表面上のゴミを除去するので、当該ゴミが電極表面で堆積することや装置内部へ舞い散ることを防止できる。したがって、電極表面へのゴミの堆積量及び装置内部への汚染を抑制でき、結果として表面処理の安定性を確保できる。   According to the first aspect of the present invention, since the cleaning means removes dust on the electrode-side surface of the moving body, it is possible to prevent the dust from accumulating on the electrode surface and scattering inside the apparatus. Therefore, the amount of dust accumulated on the electrode surface and the contamination inside the apparatus can be suppressed, and as a result, the stability of the surface treatment can be ensured.

請求項２記載の発明は、請求項１記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体の前記電極側表面に接触することで、前記電極側表面上のゴミを粘着除去する粘着手段を備えることを特徴としている。 The invention according to claim 2 is the surface treatment apparatus according to claim 1,
The cleaning means includes
It is characterized by comprising an adhesive means for removing dust on the electrode side surface by contacting the electrode side surface of the moving body.

請求項２記載の発明によれば、粘着手段が移動体の電極側表面上のゴミを粘着除去するので、当該ゴミが電極表面で堆積することや装置内部へ舞い散ることを防止できる。   According to the second aspect of the present invention, since the adhesion means removes the dust on the electrode-side surface of the moving body by adhesion, it is possible to prevent the dust from being deposited on the electrode surface and scattered inside the apparatus.

請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面を摺擦することで、前記電極側表面上のゴミを掻き取り除去するブレードを備えることを特徴としている。 Invention of Claim 3 is the surface treatment apparatus of Claim 1 or 2,
The cleaning means includes
A blade is provided for scraping and removing dust on the electrode-side surface by rubbing the electrode-side surface of the movable body.

請求項３記載の発明によれば、ブレードが移動体の電極側表面上のゴミを掻き取り除去するので、当該ゴミが電極表面で堆積することや装置内部へ舞い散ることを防止できる。   According to the third aspect of the present invention, since the blade scrapes and removes dust on the electrode side surface of the moving body, it is possible to prevent the dust from being deposited on the electrode surface and scattered inside the apparatus.

請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面を掃くことで、前記電極側表面上のゴミを掃き取り除去するブラシを備えることを特徴としている。 Invention of Claim 4 is the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-3,
The cleaning means includes
A brush that sweeps and removes dust on the electrode-side surface by sweeping the electrode-side surface of the movable body is provided.

請求項４記載の発明によれば、ブラシが移動体の電極側表面上のゴミを掃き取り除去するので、当該ゴミが電極表面で堆積することを防止できる。   According to the fourth aspect of the present invention, since the brush sweeps and removes dust on the electrode side surface of the moving body, it is possible to prevent the dust from accumulating on the electrode surface.

請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面にクリーニング用ガスを噴出することで、前記電極側表面上のゴミを吹き飛ばし除去するガス噴出手段を備えることを特徴としている。 Invention of Claim 5 is the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-4,
The cleaning means includes
It is characterized by comprising gas jetting means for blowing off and removing dust on the electrode side surface by jetting cleaning gas onto the electrode side surface of the moving body.

請求項５記載の発明によれば、ガス噴出手段が移動体の電極側表面上のゴミを吹き飛ばし除去するので、当該ゴミが電極表面で堆積することを防止できる。   According to the fifth aspect of the present invention, since the gas jetting means blows and removes dust on the electrode side surface of the moving body, it is possible to prevent the dust from accumulating on the electrode surface.

請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体に対して超音波を付与することで、前記電極側表面上のゴミを除去する超音波発生器を備えることを特徴としている。 Invention of Claim 6 is the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-5,
The cleaning means includes
An ultrasonic generator for removing dust on the electrode side surface by applying ultrasonic waves to the moving body is provided.

請求項６記載の発明によれば、超音波発生器が移動体の電極側表面上のゴミを除去するので、当該ゴミが電極表面で堆積することや装置内部へ舞い散ることを防止できる。   According to the sixth aspect of the invention, since the ultrasonic generator removes dust on the electrode-side surface of the moving body, it is possible to prevent the dust from accumulating on the electrode surface and scattering inside the apparatus.

請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体の前記電極側表面の少なくとも一部で前記電極表面に粘着する粘着層を備えることを特徴としている。 The invention according to claim 7 is the surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The cleaning means includes
An adhesive layer that adheres to the electrode surface is provided on at least a part of the electrode-side surface of the movable body.

請求項７記載の発明によれば、粘着層が電極表面に粘着するので、電極表面上に付着しているゴミを除去することができる。したがって、電極表面にゴミが堆積することを確実に防止できる。   According to the seventh aspect of the present invention, since the adhesive layer adheres to the electrode surface, dust adhering to the electrode surface can be removed. Therefore, it is possible to reliably prevent dust from accumulating on the electrode surface.

請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面近傍を吸引することで、前記電極側表面上及び前記電極側表面近傍のゴミを吸引除去する吸引手段を備えることを特徴としている。 Invention of Claim 8 is the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-7,
The cleaning means includes
A suction means for sucking and removing dust on the electrode-side surface and in the vicinity of the electrode-side surface by sucking the vicinity of the electrode-side surface of the moving body is provided.

請求項８記載の発明によれば、吸引手段が移動体の電極側表面上のゴミ及び前記電極側表面近傍のゴミを吸引除去するので、電極側表面上のゴミだけでなく、装置内を舞っているゴミをも除去することができる。特に、吸引手段が、ブレード、ブラシ、ガス噴出手段、超音波発生器の少なくとも１つと併用されている場合には、ブレード、ブラシ、ガス噴出手段、超音波発生器のゴミ除去時に装置内に舞ったゴミを吸引除去することができ、装置内の汚染や、ゴミの再付着等を防止できる。   According to the eighth aspect of the present invention, the suction means sucks and removes dust on the electrode-side surface of the moving body and dust near the electrode-side surface. You can also remove the garbage. In particular, when the suction means is used in combination with at least one of a blade, a brush, a gas ejection means, and an ultrasonic generator, the suction means moves into the apparatus when dust is removed from the blade, brush, gas ejection means, and ultrasonic generator. The dust can be removed by suction, preventing contamination in the apparatus and reattachment of dust.

請求項９記載の発明は、請求項１〜８のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記保持機構は、前記移動体の移動方向を逆転させて移動させることを特徴としている。 Invention of Claim 9 is the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-8,
The holding mechanism is characterized in that the moving body is moved by reversing the moving direction.

請求項９記載の発明によれば、保持機構が移動体の移動方向を逆転させて移動させるので、移動方向を正転、逆転させれば移動体と電極表面との間に存在するゴミを掻き出すことができる。したがって、電極表面でのゴミの堆積をより確実に防止することができる。   According to the ninth aspect of the invention, since the holding mechanism moves the moving body by reversing the moving direction, the dust existing between the moving body and the electrode surface is scraped if the moving direction is rotated forward and reverse. be able to. Therefore, accumulation of dust on the electrode surface can be prevented more reliably.

本発明によれば、移動体から発生したゴミが電極表面で堆積することや装置内部へ舞い散ることをクリーニング手段によって防止できる。したがって、電極表面へのゴミの堆積量及び装置内部への汚染を抑制でき、結果として表面処理の安定性を確保できる。   According to the present invention, it is possible to prevent the dust generated from the moving body from being accumulated on the electrode surface and scattered inside the apparatus by the cleaning means. Therefore, the amount of dust accumulated on the electrode surface and the contamination inside the apparatus can be suppressed, and as a result, the stability of the surface treatment can be ensured.

［第１の実施の形態］
以下、添付図面を参照しつつ本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、本実施形態の表面処理装置としての薄膜形成装置１の概略構成を表す正面図である。 [First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a front view illustrating a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1 as a surface treatment apparatus of the present embodiment.

この薄膜形成装置１は、大気圧又は大気圧近傍の圧力下で、放電プラズマを発生させることによって基材上に薄膜を形成する薄膜形成装置である。薄膜形成装置１には、図１に示す通り、放電プラズマを発生させるための一対の電極２，３が間隔を空けて対向するように配置されている。この一対の電極２，３の間隔が放電空間Ｈとなる。
ここで、一対の電極２，３のうち、上方に位置する一方の電極２は回転自在なロール電極２１であり、下方に位置する他方の電極３は略角柱状の棒電極３１となっている。 The thin film forming apparatus 1 is a thin film forming apparatus that forms a thin film on a substrate by generating discharge plasma under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure. In the thin film forming apparatus 1, as shown in FIG. 1, a pair of electrodes 2 and 3 for generating discharge plasma are arranged so as to face each other with a gap therebetween. The distance between the pair of electrodes 2 and 3 is a discharge space H.
Here, of the pair of electrodes 2 and 3, one electrode 2 positioned above is a rotatable roll electrode 21, and the other electrode 3 positioned below is a rod electrode 31 having a substantially prismatic shape. .

薄膜形成装置１には、放電空間Ｈを通過するように基材４をロール電極２１に密着させながら搬送する基材用搬送装置５と、放電空間Ｈを通過するようにクリーニングフィルム６を棒電極３１に密着させながら搬送するフィルム用搬送装置７とが設けられている。   The thin film forming apparatus 1 includes a base material transport device 5 for transporting the base material 4 in close contact with the roll electrode 21 so as to pass through the discharge space H, and a cleaning film 6 so as to pass through the discharge space H. A film transport device 7 that transports the film while adhering to 31 is provided.

基材用搬送装置５には、ロール電極２１の一側方（図１では右側）に配置されて基材４の元巻４１を保持する基材用保持ローラ５１が設けられているとともに、ロール電極２１の他側方（図１では左側）に配置されて基材４を巻き取る基材用巻取ローラ５２が設けられている。基材用巻取ローラ５２が基材４を巻き取るように回転駆動すれば、これにより引き出された基材４によって基材用保持ローラ５１が回転するようになっている。この基材４の搬送時には基材４がロール電極２１に密着しているために、ロール電極２１は基材４の搬送に伴って回転するようになっている。   The substrate transport device 5 is provided with a substrate holding roller 51 that is disposed on one side (right side in FIG. 1) of the roll electrode 21 and holds the original winding 41 of the substrate 4. A substrate take-up roller 52 that is disposed on the other side of the electrode 21 (on the left side in FIG. 1) and winds the substrate 4 is provided. When the substrate take-up roller 52 is driven to rotate so as to take up the substrate 4, the substrate holding roller 51 is rotated by the substrate 4 drawn out. Since the base material 4 is in close contact with the roll electrode 21 during the transport of the base material 4, the roll electrode 21 rotates with the transport of the base material 4.

フィルム用搬送装置７には、棒電極３１における一側方の下方に配置されて、クリーニングフィルム６の元巻６１を保持するフィルム用保持ローラ７１が設けられているとともに、棒電極３１における他側方の下方に配置されて、クリーニングフィルム６を巻き取るフィルム用巻取ローラ７２が設けられている。これらのフィルム用保持ローラ７１及びフィルム用巻取ローラ７２は、薄膜形成時であると、クリーニングフィルム６を巻き取るようにフィルム用巻取ローラ７２が回転駆動し、これにより引き出されたクリーニングフィルム６によってフィルム用保持ローラ７１が回転するようになっている。一方、メンテナンス時であると、フィルム用巻取ローラ７２に巻き付いているクリーニングフィルム６を巻き取るようにフィルム用保持ローラ７１が回転駆動し、これにより引き出されたクリーニングフィルム６によってフィルム用巻取ローラ７２が回転するようになっている。つまり、薄膜形成時とメンテナンス時ではフィルム用保持ローラ７１、フィルム用巻取ローラ７２の回転方向が逆転するようになっている。   The film transport device 7 is provided with a film holding roller 71 that is disposed below one side of the bar electrode 31 and holds the original winding 61 of the cleaning film 6, and the other side of the bar electrode 31. A film take-up roller 72 is provided on the lower side to wind up the cleaning film 6. When the film holding roller 71 and the film take-up roller 72 are in the state of forming a thin film, the film take-up roller 72 is rotationally driven so as to wind up the cleaning film 6, and the cleaning film 6 drawn out thereby. By this, the film holding roller 71 is rotated. On the other hand, during maintenance, the film holding roller 71 is rotationally driven so as to wind up the cleaning film 6 wound around the film winding roller 72, and the film winding roller is drawn by the cleaning film 6 drawn out thereby. 72 is configured to rotate. That is, the rotation direction of the film holding roller 71 and the film take-up roller 72 is reversed during thin film formation and maintenance.

ここで、クリーニングフィルム６がフィルム用搬送装置７によって搬送される際には、棒電極３１に密着しながら相対的に移動されるために、このクリーニングフィルム６が本発明に係る移動体であり、フィルム用搬送装置７が本発明に係る保持機構である。そして、搬送時においてはクリーニングフィルム６の表面が放電空間Ｈ側を向き、裏面が棒電極３１側を向くことになるので、クリーニングフィルム６の裏面が、本発明に係る電極側表面である。   Here, when the cleaning film 6 is transported by the film transport device 7, the cleaning film 6 is a moving body according to the present invention because it is relatively moved while being in close contact with the rod electrode 31. The film transport device 7 is a holding mechanism according to the present invention. And since the surface of the cleaning film 6 faces the discharge space H side and the back surface faces the rod electrode 31 side at the time of conveyance, the back surface of the cleaning film 6 is the electrode side surface according to the present invention.

また、フィルム用搬送装置７には、クリーニングフィルム６の裏面に接触し、前記裏面のゴミを粘着除去する粘着手段としての一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂが、棒電極３１を挟むように設けられている。粘着ローラ７３ａ，７３ｂは回転自在であり、常にクリーニングフィルム６の裏面に接触しているので、クリーニングフィルム６の搬送よって回転し、その全周面で裏面上のゴミを粘着除去するようになっている。   Also, the film transport device 7 is provided with a pair of adhesive rollers 73 a and 73 b as adhesive means for contacting and removing the dust on the rear surface of the cleaning film 6 so as to sandwich the bar electrode 31 therebetween. Yes. Since the adhesive rollers 73a and 73b are rotatable and are always in contact with the back surface of the cleaning film 6, they are rotated by the conveyance of the cleaning film 6 so that the dust on the back surface is removed by sticking on the entire circumferential surface. Yes.

また、放電空間Ｈの一側方には、ガスを放電空間Ｈ内に供給するガス供給部８が設けられている。また、放電空間Ｈの他側方には、放電空間Ｈから流出した放電空間ガスを吸引するガス吸引部９が設けられている。   A gas supply unit 8 that supplies gas into the discharge space H is provided on one side of the discharge space H. Further, on the other side of the discharge space H, a gas suction unit 9 that sucks the discharge space gas flowing out from the discharge space H is provided.

図２は、薄膜形成装置１における主制御構成を表すブロック図である。この図２に示すように、薄膜形成装置１には、各駆動部を制御する制御装置１０が設けられている。制御装置１０には、ロール電極２１及び棒電極３１の電源１１と、基材用巻取ローラ５２、フィルム用保持ローラ７１及びフィルム用巻取ローラ７２の各駆動源５３，７４，７５と、ガス供給部８と、ガス吸引部９、記憶部１２とが電気的に接続されている。なお、制御装置１０には、これら以外にも薄膜形成装置１の各駆動部などが接続されている。そして、制御装置１０は、記憶部１２中に書き込まれている制御プログラムや制御データに従い各種機器を制御するようになっている。   FIG. 2 is a block diagram showing a main control configuration in the thin film forming apparatus 1. As shown in FIG. 2, the thin film forming apparatus 1 is provided with a control device 10 that controls each drive unit. The control device 10 includes a power source 11 for the roll electrode 21 and the rod electrode 31, driving sources 53, 74, and 75 for the substrate winding roller 52, the film holding roller 71 and the film winding roller 72, and gas The supply unit 8, the gas suction unit 9, and the storage unit 12 are electrically connected. In addition to the above, each drive unit of the thin film forming apparatus 1 is connected to the control device 10. And the control apparatus 10 controls various apparatuses according to the control program and control data which are written in the memory | storage part 12. FIG.

次に、ガス供給部８から供給されるガスについて説明する。
この薄膜形成ガスとは、薄膜形成可能なグロー放電を起こすことのできる放電ガスと、薄膜の原料を含有する薄膜形成ガスとが混合されたものである。
放電ガスとしては、窒素、希ガス、空気、水素ガス、酸素などがあり、これらを単独で放電ガスとして用いても、混合して用いてもかまわない。本実施形態では、比較的安価な窒素を用いている。ここで薄膜形成ガスと混合した際に、窒素の濃度が５０％以上になることが好ましい。さらに窒素に混合させるガスとして希ガスを使用した場合には、放電ガスの５０％未満を含有させることが好ましい。 Next, the gas supplied from the gas supply unit 8 will be described.
The thin film forming gas is a mixture of a discharge gas capable of causing glow discharge capable of forming a thin film and a thin film forming gas containing a raw material for the thin film.
Examples of the discharge gas include nitrogen, rare gas, air, hydrogen gas, oxygen, and the like. These may be used alone as a discharge gas or may be mixed. In this embodiment, relatively inexpensive nitrogen is used. Here, the nitrogen concentration is preferably 50% or more when mixed with the thin film forming gas. Further, when a rare gas is used as a gas to be mixed with nitrogen, it is preferable to contain less than 50% of the discharge gas.

薄膜形成ガスに含まれる原料としては、例えば、有機金属化合物、ハロゲン金属化合物、金属水素化合物等が挙げられる。
有機金属化合物としては、以下の一般式（Ｉ）で示すものが好ましい。
一般式（Ｉ） Ｒ１ｘＭＲ２ｙＲ３ｚ式中、Ｍは金属、Ｒ１はアルキル基、Ｒ２はアルコキシ基、Ｒ３はβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基であり、金属Ｍの価数をｍとした場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝ｍであり、ｘ＝０〜ｍ、またはｘ＝０〜ｍ−１であり、ｙ＝０〜ｍ、ｚ＝０〜ｍで、いずれも０または正の整数である。Ｒ１のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。Ｒ２のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、３，３，３−トリフルオロプロポキシ基等が挙げられる。またアルキル基の水素原子をフッ素原子に置換したものでもよい。Ｒ３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基としては、β−ジケトン錯体基として、例えば、２，４−ペンタンジオン（アセチルアセトンあるいはアセトアセトンともいう）、１，１，１，５，５，５−ヘキサメチル−２，４−ペンタンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン等が挙げられ、β−ケトカルボン酸エステル錯体基として、例えば、アセト酢酸メチルエステル、アセト酢酸エチルエステル、アセト酢酸プロピルエステル、トリメチルアセト酢酸エチル、トリフルオロアセト酢酸メチル等が挙げられ、β−ケトカルボン酸として、例えば、アセト酢酸、トリメチルアセト酢酸等が挙げられ、またケトオキシとして、例えば、アセトオキシ基（またはアセトキシ基）、プロピオニルオキシ基、ブチリロキシ基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等が挙げられる。これらの基の炭素原子数は、上記例有機金属化合物を含んで、１８以下が好ましい。また例示にもあるように直鎖または分岐のもの、また水素原子をフッ素原子に置換したものでもよい。 Examples of the raw material contained in the thin film forming gas include organic metal compounds, halogen metal compounds, and metal hydrogen compounds.
As the organometallic compound, those represented by the following general formula (I) are preferable.
General formula (I) R1xMR2yR3z In the formula, M is a metal, R1 is an alkyl group, R2 is an alkoxy group, R3 is a β-diketone complex group, a β-ketocarboxylic acid ester complex group, a β-ketocarboxylic acid complex group, and a ketooxy group (ketooxy group) Complex group), and when the valence of the metal M is m, x + y + z = m, x = 0 to m, or x = 0 to m−1, y = 0 to m, z = 0 to m, each of which is 0 or a positive integer. Examples of the alkyl group for R1 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group. Examples of the alkoxy group for R2 include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, and a 3,3,3-trifluoropropoxy group. Further, a hydrogen atom in the alkyl group may be substituted with a fluorine atom. Examples of the group selected from the β-diketone complex group, the β-ketocarboxylic acid ester complex group, the β-ketocarboxylic acid complex group, and the ketooxy group (ketooxy complex group) of R3 include a β-diketone complex group such as 2,4- Pentanedione (also referred to as acetylacetone or acetoacetone), 1,1,1,5,5,5-hexamethyl-2,4-pentanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, 1,1,1-trifluoro-2,4-pentanedione and the like, and β-ketocarboxylic acid ester complex groups include, for example, acetoacetic acid methyl ester, acetoacetic acid ethyl ester, acetoacetic acid propyl ester, trimethylacetoacetic acid ethyl , Methyl trifluoroacetoacetate and the like, and as β-ketocarboxylic acid, for example, acetoacetate , And triethylene methyl acetoacetate and the like, and as Ketookishi, for example, acetoxy group (or an acetoxy group), a propionyloxy group, Buchirirokishi group, acryloyloxy group, methacryloyloxy group, and the like. The number of carbon atoms of these groups is preferably 18 or less, including the above-mentioned organometallic compounds. Further, as illustrated, it may be linear or branched, or a hydrogen atom substituted with a fluorine atom.

本発明において取り扱いの問題から、爆発の危険性の少ない有機金属化合物が好ましく、分子内に少なくとも１つ以上の酸素を有する有機金属化合物が好ましい。このようなものとしてＲ２のアルコキシ基を少なくとも１つを含有する有機金属化合物、またＲ３のβ−ジケトン錯体基、β−ケトカルボン酸エステル錯体基、β−ケトカルボン酸錯体基及びケトオキシ基（ケトオキシ錯体基）から選ばれる基を少なくとも一つ有する有機金属化合物が好ましい。   In the present invention, an organometallic compound having a low risk of explosion is preferred from the viewpoint of handling, and an organometallic compound having at least one oxygen in the molecule is preferred. As such, an organometallic compound containing at least one alkoxy group of R2, a β-diketone complex group, a β-ketocarboxylic acid ester complex group, a β-ketocarboxylic acid complex group and a ketooxy group (ketooxy complex group) of R3 An organometallic compound having at least one group selected from:

また、薄膜形成ガスに使用する有機金属化合物、ハロゲン金属化合物、金属水素化合物の金属として、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等が挙げられる。   Further, as the metal of the organometallic compound, halogen metal compound, and metal hydride compound used for the thin film forming gas, for example, Li, Be, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr , Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Cd, In, Ir, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Hf, Ta, W , Tl, Pb, Bi, Ce, Pr, Nd, Pm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu and the like.

次に、基材４について説明する。基材４としては、板状、シート状またはフィルム状の平面形状のもの等の薄膜をその表面に形成できるものであれば特に限定はない。基材４が静置状態でも移送状態でもプラズマ状態のガスに晒され、均一の薄膜が形成されるものであれば基材４の形態または材質には制限ない。材質的には、例えばガラス、樹脂、陶器、金属、非金属等様々のものを使用できる。具体的には、ガラス板や、樹脂フィルム、樹脂シート、樹脂板等が挙げられる。なお、本実施形態では、基材４はロール電極２１に密着しながら搬送されるために、ロール電極２１による湾曲に耐えうるだけの可撓性を有している必要がある。   Next, the base material 4 will be described. The substrate 4 is not particularly limited as long as a thin film such as a plate-like, sheet-like, or film-like planar shape can be formed on the surface thereof. There is no limitation on the form or material of the base material 4 as long as the base material 4 is exposed to a plasma state gas in a stationary state or a transported state to form a uniform thin film. For example, various materials such as glass, resin, ceramics, metal, and nonmetal can be used. Specifically, a glass plate, a resin film, a resin sheet, a resin plate, etc. are mentioned. In the present embodiment, since the base material 4 is conveyed while being in close contact with the roll electrode 21, the base material 4 needs to have enough flexibility to withstand bending by the roll electrode 21.

樹脂フィルムは本発明に係る薄膜形成装置１の電極間または電極の近傍を連続的に移送させて透明導電膜を形成することができるので、スパッタリングのような真空系のバッチ式でない、大量生産に向き、連続的な生産性の高い生産方式として好適である。   Since the resin film can form a transparent conductive film by continuously transferring between or in the vicinity of the electrodes of the thin film forming apparatus 1 according to the present invention, it is not a batch system of a vacuum system such as sputtering, for mass production. It is suitable as a production method with high orientation and continuous productivity.

樹脂からなる基材４の材質としては、例えば、セルローストリアセテート、セルロースジアセテート、セルロースアセテートプロピオネートまたはセルロースアセテートブチレートのようなセルロースエステル、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコールコポリマー、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ポリメチルアクリレート、アクリレートコポリマー等が挙げられる。   Examples of the material of the substrate 4 made of resin include cellulose esters such as cellulose triacetate, cellulose diacetate, cellulose acetate propionate, and cellulose acetate butyrate, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyethylene, and polypropylene. Polyolefin, polyvinylidene chloride, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, ethylene vinyl alcohol copolymer, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide, polyether sulfone, polysulfone, polyether Imido, polyamide, fluororesin, polymethyl acrylate, acrylate copolymer, etc. It is below.

また、本発明に用いられる基材４は、厚さが１０〜１０００μｍ、より好ましくは４０〜２００μｍのフィルム状のものが使用されている   Moreover, the base material 4 used in the present invention is a film having a thickness of 10 to 1000 μm, more preferably 40 to 200 μm.

クリーニングフィルム６としては、棒電極３１の表面に密着しながら搬送されるようにフィルム状に形成されたものが使用される。   As the cleaning film 6, a film formed so as to be conveyed while being in close contact with the surface of the rod electrode 31 is used.

次に、本実施形態の薄膜形成装置１の作用について説明する。
先ず、薄膜形成の開始に伴って、制御装置１０は、ガス吸引部９を駆動させてから、ガス供給部８を制御して、放電空間Ｈ内にガスを供給する。放電空間Ｈにガスが供給されると、制御装置１０は、基材用巻取ローラ５２の駆動源５３と、フィルム用巻取ローラ７２の駆動源７４とを制御して、基材４及びクリーニングフィルム６を搬送させる。 Next, the operation of the thin film forming apparatus 1 of this embodiment will be described.
First, with the start of thin film formation, the control device 10 drives the gas suction unit 9 and then controls the gas supply unit 8 to supply gas into the discharge space H. When the gas is supplied to the discharge space H, the control device 10 controls the drive source 53 of the substrate winding roller 52 and the drive source 74 of the film winding roller 72 to control the substrate 4 and the cleaning. The film 6 is conveyed.

基材４及びクリーニングフィルム６の搬送が開始されると、制御装置１０は、電源１１をＯＮにする。これにより、ロール電極２１には、周波数ω１、電界強度Ｖ１、電流Ｉ１の第１高周波電界が印加され、棒電極３１には、周波数ω２、電界強度Ｖ２、電流Ｉ２の第２高周波電界が印加される。ここで、周波数ω１より周波数ω２の方が高く設定されている。   When conveyance of the base material 4 and the cleaning film 6 is started, the control device 10 turns on the power supply 11. As a result, a first high-frequency electric field having a frequency ω1, an electric field strength V1, and a current I1 is applied to the roll electrode 21, and a second high-frequency electric field having a frequency ω2, an electric field strength V2, and a current I2 is applied to the rod electrode 31. The Here, the frequency ω2 is set higher than the frequency ω1.

具体的には、周波数ω１は、２００ｋＨｚ以下であることが好ましく、下限は１ｋＨｚである。この電界波形としては、連続波でもパルス波でもよい。一方、周波数ω２は、８００ｋＨｚ以上であることが好ましく、高ければ高いほどプラズマ密度が高くなるものの、上限は２００ＭＨｚ程度である。   Specifically, the frequency ω1 is preferably 200 kHz or less, and the lower limit is 1 kHz. The electric field waveform may be a continuous wave or a pulse wave. On the other hand, the frequency ω2 is preferably 800 kHz or more, and the higher the frequency, the higher the plasma density, but the upper limit is about 200 MHz.

また、電極間にガスを供給し、この電極間の電界強度を増大させていき、放電が始まる電界強度を放電開始電界強度ＩＶと定義すると、電界強度Ｖ１、Ｖ２及び放電開始電界強度ＩＶの関係は、Ｖ１≧ＩＶ＞Ｖ２又はＶ１＞ＩＶ≧Ｖ２を満たすように設定されている。例えば、放電ガスを窒素とした場合には、その放電開始電界強度ＩＶは３．７ｋＶ／ｍｍ程度であるので、上記の関係により電界強度Ｖ１を、Ｖ１≧３．７ｋＶ／ｍｍ、電界強度Ｖ２を、Ｖ２＜３．７ｋＶ／ｍｍとして印加すると、窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることができる。   Further, when a gas is supplied between the electrodes to increase the electric field strength between the electrodes, and the electric field strength at which discharge starts is defined as the discharge starting electric field strength IV, the relationship between the electric field strengths V1 and V2 and the discharge starting electric field strength IV. Is set so as to satisfy V1 ≧ IV> V2 or V1> IV ≧ V2. For example, when the discharge gas is nitrogen, the discharge starting electric field strength IV is about 3.7 kV / mm. Therefore, the electric field strength V1 is set to V1 ≧ 3.7 kV / mm and the electric field strength V2 is set according to the above relationship. When applied as V2 <3.7 kV / mm, the nitrogen gas can be excited to be in a plasma state.

そして、電流Ｉ１、Ｉ２の関係はＩ１＜Ｉ２となることが好ましい。第１高周波電界の電流Ｉ１は、好ましくは０．３ｍＡ／ｃｍ2〜２０ｍＡ／ｃｍ2、さらに好ましくは１．０ｍＡ／ｃｍ2〜２０ｍＡ／ｃｍ2である。また、第２高周波電界の電流Ｉ２は、好ましくは１０ｍＡ／ｃｍ2〜１００ｍＡ／ｃｍ2、さらに好ましくは２０ｍＡ／ｃｍ2〜１００ｍＡ／ｃｍ2である。 The relationship between the currents I1 and I2 is preferably I1 <I2. Current I1 of the first high-frequency electric field is preferably 0.3mA / cm 2 ~20mA / cm 2 , more preferably at 1.0mA / cm 2 ~20mA / cm 2 . Furthermore, current I2 of the second high frequency electric field is preferably 10mA / cm 2 ~100mA / cm 2 , more preferably 20mA / cm 2 ~100mA / cm 2 .

このように、ロール電極２１による第１高周波電界及び棒電極３１による第２高周波電界が発生されると、放電空間Ｈには、第１高周波電解と第２高周波電界とが重畳された高周波電界が発生して、ガスと反応し放電プラズマが発生する。この放電プラズマ内を基材４が通過することで基材４の表面上には薄膜が形成される。   Thus, when the first high-frequency electric field by the roll electrode 21 and the second high-frequency electric field by the rod electrode 31 are generated, a high-frequency electric field in which the first high-frequency electrolysis and the second high-frequency electric field are superimposed is generated in the discharge space H. Generates and reacts with gas to generate discharge plasma. A thin film is formed on the surface of the substrate 4 as the substrate 4 passes through the discharge plasma.

そして、薄膜が形成された基材４は、基材用巻取ローラ５２によって巻き取られ、クリーニングフィルム６もフィルム用巻取ローラ７２によって巻き取られる。薄膜形成時には、クリーニングフィルム６はフィルム用保持ローラ７１側からフィルム用巻取ローラ７２側に向けて搬送されている（図１中の矢印Ａの方向：第１移動方向）。第１移動方向にクリーニングフィルム６が搬送されていると、一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂのうち、第１移動方向の上流側の粘着ローラ７３ｂは放電空間Ｈの通過以前におけるクリーニングフィルム６の裏面のゴミを粘着除去し、下流側の粘着ローラ７３ａは放電空間Ｈの通過後におけるクリーニングフィルム６の裏面のゴミを粘着除去する。つまり、棒電極３１表面上に付着しているゴミはクリーニングフィルム６によって掻き出されて下流側の粘着ローラ７３ａに付着することになる。   Then, the base material 4 on which the thin film is formed is taken up by the base take-up roller 52, and the cleaning film 6 is also taken up by the film take-up roller 72. When the thin film is formed, the cleaning film 6 is conveyed from the film holding roller 71 side toward the film take-up roller 72 side (direction of arrow A in FIG. 1: first moving direction). When the cleaning film 6 is conveyed in the first movement direction, the upstream-side adhesion roller 73b in the first movement direction of the pair of adhesion rollers 73a and 73b is on the back surface of the cleaning film 6 before passing through the discharge space H. The dust is adhered and removed, and the downstream adhesive roller 73a removes the dust on the back surface of the cleaning film 6 after passing through the discharge space H. That is, the dust adhering to the surface of the rod electrode 31 is scraped out by the cleaning film 6 and adheres to the downstream adhesive roller 73a.

ここで、棒電極３１により削られてクリーニングフィルム６から発生するゴミは、クリーニングフィルム６が棒電極３１に接触して折れ曲がる部分（図１におけるＣ，Ｄ）にたまりやすい。クリーニングフィルム６が第１移動方向に搬送されている場合には、棒電極３１の下流側のＣ地点にたまりそうなゴミは、クリーニングフィルム６により掻き出されて下流側の粘着ローラ７３ａに粘着除去されるが、上流側のＤ地点にはゴミが堆積してしまう。このＤ地点に堆積したゴミを除去するために、制御装置１０はメンテナンスタイミングになると、クリーニングフィルム６の移動方向を逆転させて（図１中の矢印Ｂの方向：第２移動方向）、フィルム用巻取ローラ７２に巻き付いているクリーニングフィルム６を巻き取るようにフィルム用保持ローラ７１を回転駆動させる。この際、制御装置１０は、電源１１をＯＦＦにしてロール電極２１，棒電極３１への電力供給を停止して薄膜形成を中断している。そして、このメンテナンス時においては、制御装置１０はクリーニングフィルム６にかかる張力が薄膜形成時よりも小さくなるようにフィルム用保持ローラ７１を回転駆動させている。これにより、クリーニングフィルム６がＤ地点に堆積するゴミを掻き出すだけでなく、棒電極３１表面に付着しているゴミをも掻き出すことが可能となる。クリーニングフィルム６により掻き出されたゴミは、第２移動方向の下流側の粘着ローラ７３ｂに粘着除去される。   Here, the dust generated by the cleaning film 6 by being scraped by the bar electrode 31 tends to accumulate in the portions (C and D in FIG. 1) where the cleaning film 6 comes into contact with the bar electrode 31 and bends. When the cleaning film 6 is conveyed in the first movement direction, the dust that is likely to collect at the point C on the downstream side of the rod electrode 31 is scraped off by the cleaning film 6 and is removed from the adhesive roller 73a on the downstream side. However, dust accumulates at point D on the upstream side. In order to remove the dust accumulated at the point D, the control device 10 reverses the moving direction of the cleaning film 6 at the maintenance timing (in the direction of arrow B in FIG. 1: second moving direction) for film use. The film holding roller 71 is driven to rotate so as to wind up the cleaning film 6 wound around the winding roller 72. At this time, the control device 10 turns off the power supply 11 to stop the power supply to the roll electrode 21 and the bar electrode 31 to interrupt thin film formation. At the time of this maintenance, the control device 10 rotates the film holding roller 71 so that the tension applied to the cleaning film 6 is smaller than that at the time of forming the thin film. Thereby, the cleaning film 6 can scrape not only dust accumulated at the point D but also dust adhering to the surface of the bar electrode 31. The dust scraped by the cleaning film 6 is removed by adhesion to the adhesive roller 73b on the downstream side in the second moving direction.

以上のように、第１の実施の形態の薄膜形成装置１によれば、一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂがクリーニングフィルム６の裏面上のゴミを除去するので、当該ゴミが棒電極３１表面で堆積することや装置内部へ舞い散ることを防止できる。したがって、棒電極３１表面へのゴミの堆積量及び装置内部への汚染を抑制でき、結果として製膜の安定性を確保できる。
そして、フィルム用搬送装置７がクリーニングフィルム６の移動方向を逆転させて移動させるので、移動方向を正転、逆転させればクリーニングフィルム６と棒電極３１表面との間に存在するゴミを掻き出すことができる。したがって、棒電極３１表面でのゴミの堆積をより確実に防止することができる。 As described above, according to the thin film forming apparatus 1 of the first embodiment, since the pair of adhesive rollers 73a and 73b removes dust on the back surface of the cleaning film 6, the dust accumulates on the surface of the rod electrode 31. Can be prevented and scattered inside the device. Accordingly, the amount of dust accumulated on the surface of the rod electrode 31 and the contamination inside the apparatus can be suppressed, and as a result, the stability of film formation can be ensured.
Since the film transport device 7 moves the cleaning film 6 in the reverse direction, the dust existing between the cleaning film 6 and the surface of the bar electrode 31 is scraped off when the moving direction is forward and reverse. Can do. Therefore, it is possible to more reliably prevent dust from being accumulated on the surface of the rod electrode 31.

また、本実施形態では、一対の電極２，３がロール電極２１、棒電極３１となっているために、一対の電極がともにロール電極である場合よりも、放電空間Ｈ内の間隔を均一にすることができる。これにより、一対の電極がともにロール電極である場合に比べて基材４に与えるダメージを低減でき、結果として製膜の安定性を確保できる。   Further, in the present embodiment, since the pair of electrodes 2 and 3 are the roll electrode 21 and the rod electrode 31, the interval in the discharge space H is made uniform compared to the case where both the pair of electrodes are roll electrodes. can do. Thereby, compared with the case where both of a pair of electrodes are roll electrodes, the damage given to the base material 4 can be reduced, and as a result, the stability of film formation can be ensured.

なお、本発明は上記第１の実施の形態に限らず適宜変更可能であるのは勿論である。
例えば、本実施形態では、クリーニングフィルム６が棒電極３１により擦られて裏面にゴミが発生しやすいために、クリーニング手段をクリーニングフィルム６の裏面上のゴミを除去するように配置した場合を例示して説明したが、基材４の裏面上のゴミを除去するようにクリーニング手段を配置してもよい。基材４が搬送される際には、基材４の搬送に伴ってロール電極２１が回転するために、クリーニングフィルム６と比べれば基材４の裏面が削られてしまう可能性は低い。しかしながら、可能性としては０ではなく、さらには装置内の埃などのゴミが基材４の裏面に付着する場合もある。このようにクリーニングフィルム６と比較すれば僅かではあるものの、基材４の裏面にゴミが付着し、徐々にではあるがロール電極２１であってもゴミが堆積してしまう。このロール電極２１へのゴミの堆積を抑制するために、基材４の裏面上のゴミを除去するようにクリーニング手段を配置することが製膜の安定性を考えても好ましい。この場合、基材４が本発明に係る移動体であり、ロール電極２１に密着する基材４の裏面が電極側表面となる。
また、本実施形態では、粘着手段として粘着ローラ７３ａ，７３ｂを例示して説明したが、粘着手段はロール形状でなくともよく、ベルト状、多角形状などであってもよい。
さらに、本実施形態では、表面処理装置として薄膜形成装置１を例示し説明したが、表面処理には基材４上に製膜を行う薄膜形成以外にも、エッチング・アッシング処理や表面改質処理を基材に施すものがあるために、これらの表面処理を行う表面処理装置に対しても本発明を適用することは可能である。こうした場合、製膜以外の表面処理であっても安定性を確保できる。 Of course, the present invention is not limited to the first embodiment but can be modified as appropriate.
For example, in the present embodiment, since the cleaning film 6 is rubbed by the bar electrode 31 and dust is easily generated on the back surface, the cleaning unit is exemplified to remove dust on the back surface of the cleaning film 6. As described above, the cleaning means may be arranged so as to remove dust on the back surface of the base material 4. When the base material 4 is transported, the roll electrode 21 rotates as the base material 4 is transported, so that the back surface of the base material 4 is less likely to be scraped than the cleaning film 6. However, the possibility is not zero, and dust such as dust in the apparatus may adhere to the back surface of the substrate 4. As described above, although it is a little compared with the cleaning film 6, dust adheres to the back surface of the substrate 4, and even if it is the roll electrode 21, dust is deposited gradually. In order to suppress the accumulation of dust on the roll electrode 21, it is preferable in view of the stability of film formation to dispose the cleaning means so as to remove the dust on the back surface of the substrate 4. In this case, the base material 4 is a moving body according to the present invention, and the back surface of the base material 4 that is in close contact with the roll electrode 21 is the electrode-side surface.
In the present embodiment, the adhesive rollers 73a and 73b are exemplified as the adhesive means. However, the adhesive means may not be a roll shape, and may be a belt shape, a polygonal shape, or the like.
Furthermore, in the present embodiment, the thin film forming apparatus 1 is exemplified and described as the surface treatment apparatus. However, the surface treatment includes etching / ashing treatment and surface modification treatment in addition to the thin film formation for forming the film on the substrate 4. Therefore, the present invention can be applied to a surface treatment apparatus that performs these surface treatments. In such a case, stability can be ensured even by surface treatment other than film formation.

［第２の実施の形態］
以下、第２の実施の形態に係る薄膜形成装置について図３〜図８を参照に説明する。第１の実施の形態では、クリーニング手段として粘着手段（粘着ローラ７３ａ，７３ｂ）を備えた薄膜形成装置１を例示した場合を説明したが、この第２の実施の形態ではクリーニング手段の変形例を例示して説明する。なお、以下の説明において、第１の実施の形態の薄膜形成装置１と同一部分においては同一符号を付してその説明を省略する。 [Second Embodiment]
The thin film forming apparatus according to the second embodiment will be described below with reference to FIGS. In the first embodiment, the case where the thin film forming apparatus 1 including the adhesive means (adhesive rollers 73a and 73b) is exemplified as the cleaning means has been described. However, in the second embodiment, a modification of the cleaning means is described. An example will be described. In the following description, the same parts as those of the thin film forming apparatus 1 of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図３は、クリーニング手段としてブレードを備えた薄膜形成装置１Ａの概略構成を示す正面図である。この図３に示すように薄膜形成装置１Ａには、クリーニングフィルム６の裏面に接触し、前記裏面のゴミを掻き取り除去する一対のブレード７６ａ，７６ｂが、棒電極３１を挟むように設けられている。このブレード７６ａ，７６ｂは、クリーニングフィルム６の搬送に伴って、クリーニングフィルム６の裏面上のゴミを掻き取るようになっているが、少なくともクリーニングフィルム６を削らない程度の硬度であることが好ましい。このように、一対のブレード７６ａ，７６ｂがクリーニングフィルム６の裏面のゴミを掻き取り除去すれば、当該ゴミが棒電極３１の表面で堆積することや装置内部へ舞い散ることを防止できる。   FIG. 3 is a front view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1A provided with a blade as a cleaning means. As shown in FIG. 3, in the thin film forming apparatus 1 </ b> A, a pair of blades 76 a and 76 b that come into contact with the back surface of the cleaning film 6 and scrape and remove dust on the back surface are provided so as to sandwich the bar electrode 31. Yes. The blades 76a and 76b scrape off dust on the back surface of the cleaning film 6 as the cleaning film 6 is conveyed. However, it is preferable that the blades 76a and 76b have a hardness that does not scrape the cleaning film 6. Thus, if the pair of blades 76a and 76b scrape and remove the dust on the back surface of the cleaning film 6, the dust can be prevented from accumulating on the surface of the bar electrode 31 and splashing into the apparatus.

図４はクリーニング手段としてブラシを備えた薄膜形成装置１Ｂの概略構成を示す正面図である。この図４に示すように薄膜形成装置１Ｂには、クリーニングフィルム６の裏面に接触し、前記裏面のゴミを掃き取り除去する一対のブラシ７７ａ，７７ｂが、棒電極３１を挟むように設けられている。このブラシ７７ａ，７７ｂは、例えば回転自在なロール形状となっていて、クリーニングフィルム６の搬送に伴って、回転しながらクリーニングフィルム６の裏面上のゴミを掃き取るようになっている。このように、一対のブラシ７７ａ，７７ｂがクリーニングフィルム６の裏面上のゴミを掃き取り除去するので、当該ゴミが棒電極３１の表面で堆積することを防止できる。   FIG. 4 is a front view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1B provided with a brush as a cleaning means. As shown in FIG. 4, the thin film forming apparatus 1 </ b> B is provided with a pair of brushes 77 a and 77 b that are in contact with the back surface of the cleaning film 6 and sweep and remove dust on the back surface so as to sandwich the bar electrode 31. Yes. The brushes 77a and 77b have, for example, a rotatable roll shape, and sweep the dust on the back surface of the cleaning film 6 while rotating as the cleaning film 6 is conveyed. In this way, the pair of brushes 77 a and 77 b sweeps and removes dust on the back surface of the cleaning film 6, so that dust can be prevented from accumulating on the surface of the bar electrode 31.

図５はクリーニング手段としてガス噴出部（ガス噴出手段）を備えた薄膜形成装置１Ｃの概略構成を示す正面図である。この図５に示すように薄膜形成装置１Ｃには、クリーニングフィルム６の裏面に向けてクリーニング用のガスを噴出するガス噴出部７８が設けられている。このガス噴出部７８には、棒電極３１を挟むように配置された一対のガス噴出口７９ａ，７９ｂと、ガス噴出口７９ａ，７９ｂにクリーニング用のガスを供給するクリーニング用ガス供給部８０とが設けられている。クリーニング用ガス供給部８０は制御装置１０に電気的に接続されていて、制御装置１０の制御に基づいてクリーニング用のガスをガス噴出口７９ａ，７９ｂに供給するようになっている。このようにクリーニング用のガスが供給されれば、ガス噴出口７９ａ，７９ｂからクリーニング用のガスがクリーニングフィルム６の裏面に向けて噴出されて、前記裏面上のゴミが吹き飛ばされ除去される。したがって当該ゴミが棒電極３１表面で堆積することを防止できる。
特に、ガス噴出部７８であれば非接触でクリーニングフィルム６の裏面上のゴミを除去できるので、クリーニングフィルム６自体を傷つけることもなく、さらには移動方向が逆転しなくともその噴出力によってＣ，Ｄ地点のゴミを除去できる。 FIG. 5 is a front view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1C provided with a gas ejection portion (gas ejection means) as a cleaning means. As shown in FIG. 5, the thin film forming apparatus 1 </ b> C is provided with a gas ejection portion 78 that ejects a cleaning gas toward the back surface of the cleaning film 6. The gas ejection part 78 includes a pair of gas ejection ports 79a and 79b arranged so as to sandwich the rod electrode 31, and a cleaning gas supply unit 80 for supplying a cleaning gas to the gas ejection ports 79a and 79b. Is provided. The cleaning gas supply unit 80 is electrically connected to the control device 10, and supplies a cleaning gas to the gas ejection ports 79 a and 79 b based on the control of the control device 10. When the cleaning gas is supplied in this way, the cleaning gas is ejected from the gas ejection ports 79a and 79b toward the back surface of the cleaning film 6, and the dust on the back surface is blown off and removed. Therefore, the dust can be prevented from accumulating on the surface of the rod electrode 31.
In particular, the gas ejection part 78 can remove dust on the back surface of the cleaning film 6 in a non-contact manner, so that the cleaning film 6 itself is not damaged, and even if the moving direction is not reversed, the ejection force C, The dust at point D can be removed.

図６はクリーニング手段として超音波発生器を備えた薄膜形成装置１Ｄの概略構成を表す正面図である。この図６に示すように薄膜形成装置１Ｄには、クリーニングフィルム６に対して超音波を付与することで、クリーニングフィルム６のゴミを除去する一対の超音波発生器８１ａ，８１ｂが、棒電極３１を挟むように設けられている。このように、一対の超音波発生器８１ａ，８１ｂがクリーニングフィルム６のゴミを除去するので、当該ゴミが棒電極３１の表面で堆積することを防止できる。   FIG. 6 is a front view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1D provided with an ultrasonic generator as a cleaning means. As shown in FIG. 6, the thin film forming apparatus 1 </ b> D includes a pair of ultrasonic generators 81 a and 81 b that removes dust from the cleaning film 6 by applying ultrasonic waves to the cleaning film 6. It is provided so that it may be inserted. In this way, since the pair of ultrasonic generators 81 a and 81 b remove the dust on the cleaning film 6, it is possible to prevent the dust from accumulating on the surface of the bar electrode 31.

図７はクリーニング手段として粘着層を有するクリーニングフィルム６を備えた薄膜形成装置１Ｅの概略構成を表す正面図である。この図７に示すように薄膜形成装置１Ｅで用いられるクリーニングフィルム６には、少なくとも裏面の一部に粘着層６２が設けられている。フィルム用搬送装置７によりクリーニングフィルム６が搬送されて粘着層６２が棒電極３１に粘着すると、棒電極３１表面のゴミが粘着層６２により粘着除去されるため、棒電極３１表面にゴミが堆積することを確実に防止できる。なお、粘着層６２が棒電極３１に接触する際には電源１１をＯＦＦにして薄膜形成を停止しておくことが好ましい。   FIG. 7 is a front view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1E provided with a cleaning film 6 having an adhesive layer as a cleaning means. As shown in FIG. 7, the cleaning film 6 used in the thin film forming apparatus 1E is provided with an adhesive layer 62 on at least a part of the back surface. When the cleaning film 6 is transported by the film transport device 7 and the adhesive layer 62 adheres to the rod electrode 31, the dust on the surface of the rod electrode 31 is removed by the adhesive layer 62, so that the dust accumulates on the surface of the rod electrode 31. Can be surely prevented. When the adhesive layer 62 comes into contact with the rod electrode 31, it is preferable to turn off the power supply 11 and stop the thin film formation.

図８はクリーニング手段として吸引部（吸引手段）を備えた薄膜形成装置１Ｆの概略構成を示す正面図である。この図８に示すように薄膜形成装置１Ｆには、クリーニングフィルム６の裏面近傍を吸引する吸引部８２が設けられている。この吸引部８２には、棒電極３１を挟むように配置された一対の吸引口８３ａ，８３ｂと、吸引口８３ａ，８３ｂに吸引力を与える吸引ポンプ８４とが設けられている。吸引ポンプ８４は制御装置１０に電気的に接続されていて、制御装置１０の制御に基づいて吸引口８３ａ，８３ｂに吸引力を付与するようになっている。このように吸引口８３ａ，８３ｂに吸引力が付与されれば、吸引口８３ａ，８３ｂから棒電極３１の裏面及び裏面近傍のゴミが吸い込まれて除去される。したがって当該ゴミが棒電極３１表面で堆積することを防止できる。
特に、吸引部８２であれば非接触でクリーニングフィルム６の裏面上のゴミを除去できるので、クリーニングフィルム６自体を傷つけることもなく、さらには移動方向が逆転しなくともその吸引力によってＣ，Ｄ地点のゴミを除去できる。 FIG. 8 is a front view showing a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1F provided with a suction portion (suction means) as a cleaning means. As shown in FIG. 8, the thin film forming apparatus 1 </ b> F is provided with a suction portion 82 that sucks the vicinity of the back surface of the cleaning film 6. The suction portion 82 is provided with a pair of suction ports 83a and 83b disposed so as to sandwich the rod electrode 31, and a suction pump 84 that applies suction force to the suction ports 83a and 83b. The suction pump 84 is electrically connected to the control device 10, and applies suction force to the suction ports 83a and 83b based on the control of the control device 10. When suction force is applied to the suction ports 83a and 83b in this way, dust on the back surface and the vicinity of the back surface of the rod electrode 31 is sucked and removed from the suction ports 83a and 83b. Therefore, the dust can be prevented from accumulating on the surface of the rod electrode 31.
In particular, since the dust on the back surface of the cleaning film 6 can be removed without contact with the suction portion 82, the cleaning film 6 itself is not damaged, and even if the moving direction is not reversed, the suction force C, D The garbage at the spot can be removed.

［第３の実施の形態］
以下、第３の実施の形態に係る薄膜形成装置について図９を参照に説明する。図９は第３の実施の形態の薄膜形成装置１Ｇの概略構成を表す正面図である。第１の実施の形態及び第２の実施の形態では、粘着ローラ７３ａ，７３ｂ、ブレード７６ａ，７６ｂ、ブラシ７７ａ，７７ｂ、ガス噴出部７８、超音波発生器８１ａ，８１ｂ、粘着層６２、吸引部８２の１つからなるクリーニング手段を例示して説明したが、これらを併用すればさらに棒電極３１のゴミの堆積を防止することができる。このため、この第３の実施の形態では、粘着ローラ７３ａ，７３ｂ及び吸引部８２とを併用した場合について説明する。なお、粘着ローラ７３ａ，７３ｂ、ブレード７６ａ，７６ｂ、ブラシ７７ａ，７７ｂ、ガス噴出部７８、超音波発生器８１ａ，８１ｂ、粘着層６２、吸引部８２のうち少なくとも２つが併用されていればよく、併用する組み合わせは粘着ローラ７３ａ，７３ｂ及び吸引部８２に限定されるものではない。また、以下の説明において、第１の実施の形態及び第２の実施の形態の薄膜形成装置と同一部分においては同一符号を付してその説明を省略する。 [Third Embodiment]
Hereinafter, a thin film forming apparatus according to a third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a front view illustrating a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1G according to the third embodiment. In the first and second embodiments, the adhesive rollers 73a and 73b, the blades 76a and 76b, the brushes 77a and 77b, the gas ejection part 78, the ultrasonic generators 81a and 81b, the adhesive layer 62, and the suction part. Although the cleaning means consisting of one of 82 has been described as an example, if these are used together, dust accumulation on the rod electrode 31 can be further prevented. Therefore, in the third embodiment, a case where the adhesive rollers 73a and 73b and the suction unit 82 are used in combination will be described. It should be noted that at least two of the adhesive rollers 73a and 73b, the blades 76a and 76b, the brushes 77a and 77b, the gas ejection part 78, the ultrasonic generators 81a and 81b, the adhesive layer 62, and the suction part 82 may be used in combination. The combination to be used in combination is not limited to the adhesive rollers 73a and 73b and the suction unit 82. Moreover, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected in the same part as the thin film forming apparatus of 1st Embodiment and 2nd Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

図９に示すように薄膜形成装置１Ｇには、一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂと棒電極３１との双方の間に、吸引部８２の吸引口８３ａ，８３ｂがそれぞれ配置されている。これにより、クリーニングフィルム６の裏面上のゴミを粘着ローラ７３ａ，７３ｂが直接除去するとともに、クリーニングフィルム６の裏面近傍に舞うゴミを吸引部８２が吸引除去することになる。
これは、吸引部８２と粘着ローラ７３ａ，７３ｂとの併用に限るものではなく、吸引部８２が、ブレード７６ａ，７６ｂ、ブラシ７７ａ，７７ｂ、ガス噴出部７８、超音波発生器８１ａ，８１ｂの少なくとも１つと併用されている場合には、ブレード７６ａ，７６ｂ、ブラシ７７ａ，７７ｂ、ガス噴出部７８、超音波発生器８１ａ，８１ｂのゴミ除去時に装置内に舞ったゴミを吸引除去することができ、装置内の汚染や、ゴミの再付着等を防止できる。 As shown in FIG. 9, in the thin film forming apparatus 1G, suction ports 83a and 83b of the suction portion 82 are disposed between the pair of adhesive rollers 73a and 73b and the rod electrode 31, respectively. As a result, dust on the back surface of the cleaning film 6 is directly removed by the adhesive rollers 73a and 73b, and dust flowing near the back surface of the cleaning film 6 is suctioned and removed.
This is not limited to the combined use of the suction unit 82 and the adhesive rollers 73a and 73b, and the suction unit 82 includes at least the blades 76a and 76b, the brushes 77a and 77b, the gas ejection unit 78, and the ultrasonic generators 81a and 81b. When it is used in combination with one, the dust that has flowed into the apparatus at the time of dust removal of the blades 76a and 76b, the brushes 77a and 77b, the gas ejection part 78, and the ultrasonic generators 81a and 81b can be removed by suction. It is possible to prevent contamination in the apparatus and reattachment of dust.

［第４の実施の形態］
以下、第４の実施の形態に係る薄膜形成装置について図１０を参照に説明する。図１０は第４の実施の形態の薄膜形成装置１Ｈの概略構成を表す正面図である。上記の第１〜第３の実施の形態では、一対の電極２，３がロール電極２１、棒電極３１である場合について例示したが、この第４の実施の形態では一対の電極２，３がともの棒電極２２，３１である場合について説明する。なお、以下の説明においても、第１〜第３の実施の形態と同一部分においては同一符号を付しその説明を省略する。 [Fourth Embodiment]
Hereinafter, a thin film forming apparatus according to a fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a front view illustrating a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1H according to the fourth embodiment. In the first to third embodiments described above, the case where the pair of electrodes 2 and 3 are the roll electrode 21 and the rod electrode 31 has been illustrated. However, in the fourth embodiment, the pair of electrodes 2 and 3 includes The case of the rod electrodes 22 and 31 will be described. In the following description, the same parts as those in the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図１０に示すように、薄膜形成装置１Ｈには棒電極２２，３１からなる一対の電極２，３が、放電空間Ｈとなる間隔を空けて対向配置されている。この薄膜形成装置１Ｈには、棒電極２２，３１のそれぞれに沿わせながら放電空間Ｈを通過するように基材４を搬送する基材用搬送装置（図示省略）が、各棒電極２２，３１毎に設けられている。また、薄膜形成装置１Ｈには、基材４を支持しながら基材４の切り傷等を防止する環状の支持体２０を棒電極２２，３１と基材４との間に介在させて、棒電極２２，３１のそれぞれに密着させながら搬送する支持体用搬送装置９０が各棒電極２２，３１毎に設けられている。つまり、支持体２０が本発明に係る移動体であり、棒電極２２，３１に密着するその裏面が本発明に係る電極側表面である。さらに、支持体用搬送装置９０が支持体２０を棒電極２２，３１に密着させながら相対的に移動させるために、この支持体用搬送装置９０が本発明に係る保持機構である。   As shown in FIG. 10, in the thin film forming apparatus 1H, a pair of electrodes 2 and 3 composed of rod electrodes 22 and 31 are arranged to face each other with an interval serving as a discharge space H. The thin film forming apparatus 1H includes a base material transport device (not shown) for transporting the base material 4 so as to pass through the discharge space H along the rod electrodes 22 and 31, respectively. It is provided for each. In addition, in the thin film forming apparatus 1H, an annular support 20 that supports the base material 4 and prevents cuts or the like of the base material 4 is interposed between the bar electrodes 22 and 31 and the base material 4, so that the bar electrode A support transport device 90 is provided for each of the rod electrodes 22, 31 for transporting while being in close contact with each of 22, 31. That is, the support 20 is a moving body according to the present invention, and the back surface thereof that is in close contact with the rod electrodes 22 and 31 is the electrode-side surface according to the present invention. Further, the support transport device 90 is a holding mechanism according to the present invention so that the support transport device 90 moves relatively while keeping the support 20 in close contact with the rod electrodes 22 and 31.

支持体用搬送装置９０には、棒電極２２，３１における放電空間Ｈの外側で左右方向に配列されて、支持体２０を張設する一対の張設ローラ９１，９２が設けられている。ここで、一対の張設ローラ９１，９２のうち、一方の張設ローラ９１が回転駆動して、他方の張設ローラ９２が回転自在であるために、張設ローラ９１の回転駆動に伴って、支持体２０及び張設ローラ９２が回転することになる。この回転に伴って、基材４が放電空間Ｈを通過するように搬送される。   The support transport device 90 is provided with a pair of stretching rollers 91 and 92 that are arranged in the left-right direction outside the discharge space H in the rod electrodes 22 and 31 and stretch the support 20. Here, of the pair of tensioning rollers 91 and 92, one tensioning roller 91 is rotationally driven and the other tensioning roller 92 is freely rotatable. The support body 20 and the tension roller 92 are rotated. With this rotation, the substrate 4 is conveyed so as to pass through the discharge space H.

支持体用搬送装置９０には、支持体２０の裏面に接触し、前記裏面のゴミを粘着除去する粘着手段としての一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂが、棒電極２２，３１のそれぞれを挟むように設けられている。粘着ローラ７３ａ，７３ｂは回転自在であり、常に支持体２０の裏面に接触しているので、支持体２０の搬送よって回転し、その全周面で裏面上のゴミを粘着除去するようになっている。   A pair of adhesive rollers 73a and 73b, which are in contact with the back surface of the support 20 and adhere to remove dust on the back surface, are sandwiched between the bar electrodes 22 and 31 in the support transport device 90. Is provided. Since the adhesive rollers 73a and 73b are freely rotatable and are always in contact with the back surface of the support 20, they are rotated by the conveyance of the support 20, and the dust on the back surface is removed by sticking on the entire circumference. Yes.

［第５の実施の形態］
以下、第５の実施の形態に係る薄膜形成装置について図１１を参照に説明する。図１１は第５の実施の形態に係る薄膜形成装置１Ｉの概略構成を表す正面図である。上記した第１〜第４の実施の形態に係る薄膜形成装置においては、フィルム状の基材４に対して製膜を行う場合を例示して説明したが、この第５の実施の形態では、板状の基材に対して製膜を行う場合について説明する。以下の説明において、第１〜４の実施の形態と同一部分においては同一符号を付してその説明を省略する。 [Fifth Embodiment]
A thin film forming apparatus according to the fifth embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 11 is a front view illustrating a schematic configuration of a thin film forming apparatus 1I according to the fifth embodiment. In the thin film forming apparatus according to the first to fourth embodiments described above, the case where film formation is performed on the film-like base material 4 is described as an example, but in the fifth embodiment, A case where film formation is performed on a plate-like substrate will be described. In the following description, the same parts as those in the first to fourth embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

この第４の実施の形態に係る薄膜形成装置１Ｉは、図１１に示すように、ガス供給部８に対して相対的に左右方向に移動する一対の電極２，３としての棒電極２２，３１が所定の間隔を空けて配置されている。また、棒電極２２，３１の両側方には、一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂが棒電極２２，３１を挟むように配置されている。これら一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂも棒電極２２，３１と同様にガス供給部８に対して相対的に左右方向に移動するようになっている。   In the thin film forming apparatus 1I according to the fourth embodiment, as shown in FIG. 11, rod electrodes 22, 31 as a pair of electrodes 2, 3 that move in the left-right direction relative to the gas supply unit 8. Are arranged at a predetermined interval. A pair of adhesive rollers 73 a and 73 b are arranged on both sides of the rod electrodes 22 and 31 so as to sandwich the rod electrodes 22 and 31. The pair of adhesive rollers 73 a and 73 b are also moved in the left-right direction relative to the gas supply unit 8 in the same manner as the rod electrodes 22 and 31.

そして、ガス供給部８における棒電極２２，３１を挟んで反対側には、ガス吸引部９が配置されている。また、薄膜形成装置１Ｉには、棒電極２２，３１からなる放電空間Ｈ内で、例えば、ガラスからなる板状の基材４Ａを、少なくとも一方の棒電極２２，３１に沿うように保持する保持機構（図示省略）が設けられている。   And the gas suction part 9 is arrange | positioned on the opposite side across the rod electrodes 22 and 31 in the gas supply part 8. FIG. Further, the thin film forming apparatus 1 </ b> I holds a plate-like base material 4 </ b> A made of glass, for example, along the at least one of the rod electrodes 22 and 31 in the discharge space H made up of the rod electrodes 22 and 31. A mechanism (not shown) is provided.

保持機構は、例えば養生シートからなる板状の支持体２０Ａを、基材４Ａ及び棒電極２２，３１に密着させるように基材４Ａ及び棒電極２２，３１の間に介在させて、基材４Ａと一緒に保持するようになっている。
ここで、保持機構は、基材４Ａ及び支持体２０を、ガス供給部８に対して相対的に移動しないように保持している。つまり、棒電極２２，３１及び一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂが支持体２０Ａに接触した状態で左右に移動すると、基材４Ａ及び支持体２０Ａに対して相対的に左右に移動することになり、それに伴って放電空間Ｈも左右方向に移動する。ガス供給部８からガスを供給させながら、棒電極２２，３１に電界を印加させて、棒電極２２，３１を基材４の右端から左端まで移動させれば、基材４Ａの全面にわたって薄膜を形成することができる。この際、一対の粘着ローラ７３ａ，７３ｂも支持体２０Ａの裏面に接触しながら右端から左端まで移動して、前記裏面のゴミを粘着除去することになる。 The holding mechanism is configured such that a plate-like support 20A made of, for example, a curing sheet is interposed between the base material 4A and the rod electrodes 22 and 31 so as to be in close contact with the base material 4A and the rod electrodes 22 and 31. To hold together.
Here, the holding mechanism holds the base 4 </ b> A and the support 20 so as not to move relative to the gas supply unit 8. That is, when the rod electrodes 22 and 31 and the pair of adhesive rollers 73a and 73b are moved to the left and right in contact with the support 20A, they are moved to the left and right relative to the base 4A and the support 20A. Accordingly, the discharge space H also moves in the left-right direction. If an electric field is applied to the rod electrodes 22 and 31 while the gas is supplied from the gas supply unit 8 and the rod electrodes 22 and 31 are moved from the right end to the left end of the substrate 4, a thin film is formed over the entire surface of the substrate 4A. Can be formed. At this time, the pair of adhesive rollers 73a and 73b are also moved from the right end to the left end while being in contact with the back surface of the support 20A to remove the dust on the back surface.

第１の実施の形態に係る表面処理装置としての薄膜形成装置の概略構成を表す正面図である。It is a front view showing schematic structure of the thin film forming apparatus as a surface treatment apparatus concerning a 1st embodiment. 図１の薄膜形成装置における主制御構成を表すブロック図である。It is a block diagram showing the main control structure in the thin film forming apparatus of FIG. 第２の実施の形態に係る表面処理装置としての薄膜形成装置の一例を示す正面図である。It is a front view which shows an example of the thin film formation apparatus as a surface treatment apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 図３の薄膜形成装置の変形例を示す正面図である。It is a front view which shows the modification of the thin film forming apparatus of FIG. 図３の薄膜形成装置の変形例を示す正面図である。It is a front view which shows the modification of the thin film forming apparatus of FIG. 図３の薄膜形成装置の変形例を示す正面図である。It is a front view which shows the modification of the thin film forming apparatus of FIG. 図３の薄膜形成装置の変形例を示す正面図である。It is a front view which shows the modification of the thin film forming apparatus of FIG. 図３の薄膜形成装置の変形例を示す正面図である。It is a front view which shows the modification of the thin film forming apparatus of FIG. 第３の実施の形態に係る表面処理装置としての薄膜形成装置の概略構成を表す正面図である。It is a front view showing schematic structure of the thin film forming apparatus as a surface treatment apparatus concerning 3rd Embodiment. 第４の実施の形態に係る表面処理装置としての薄膜形成装置の概略構成を表す正面図である。It is a front view showing schematic structure of the thin film formation apparatus as a surface treatment apparatus concerning 4th Embodiment. 第５の実施の形態に係る表面処理装置としての薄膜形成装置の概略構成を表す正面図である。It is a front view showing schematic structure of the thin film forming apparatus as a surface treatment apparatus concerning 5th Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 薄膜形成装置（表面処理装置）
２，３ 一対の電極
７ フィルム用搬送装置（保持機構）
７３ａ，７３ｂ 粘着ローラ（粘着手段，クリーニング手段） 1 Thin film forming equipment (surface treatment equipment)
2,3 Pair of electrodes 7 Film transport device (holding mechanism)
73a, 73b Adhesive roller (adhesive means, cleaning means)

Claims (9)

薄膜形成若しくは表面処理を施す表面処理装置において、
互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、前記放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、
前記放電空間内で前記一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に密着しながら相対的に移動されるように移動体を保持する保持機構と、
前記移動体の前記電極側表面上のゴミを除去するクリーニング手段とを備えることを特徴とする表面処理装置。 In surface treatment equipment for thin film formation or surface treatment,
A pair of electrodes arranged to form a discharge space with the discharge surfaces facing each other, and generating a high-frequency electric field in the discharge space;
A holding mechanism that holds the moving body so as to be relatively moved while closely contacting at least one of the pair of electrodes in the discharge space;
A surface treatment apparatus comprising: cleaning means for removing dust on the electrode side surface of the movable body. 請求項１記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体の前記電極側表面に接触することで、前記電極側表面上のゴミを粘着除去する粘着手段を備えることを特徴とする表面処理装置。 The surface treatment apparatus according to claim 1,
The cleaning means includes
An apparatus for treating a surface, comprising: an adhesion unit configured to adhere and remove dust on the electrode side surface by contacting the electrode side surface of the movable body. 請求項１又は２記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面を摺擦することで、前記電極側表面上のゴミを掻き取り除去するブレードを備えることを特徴とする表面処理装置。 In the surface treatment apparatus according to claim 1 or 2,
The cleaning means includes
A surface treatment apparatus comprising a blade for scraping and removing dust on the electrode side surface by rubbing the electrode side surface of the movable body. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面を掃くことで、前記電極側表面上のゴミを掃き取り除去するブラシを備えることを特徴とする表面処理装置。 In the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-3,
The cleaning means includes
A surface treatment apparatus comprising a brush that sweeps and removes dust on the electrode-side surface by sweeping the electrode-side surface of the movable body. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面にクリーニング用ガスを噴出することで、前記電極側表面上のゴミを吹き飛ばし除去するガス噴出手段を備えることを特徴とする表面処理装置。 In the surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The cleaning means includes
A surface treatment apparatus comprising gas jetting means for blowing off and removing dust on the electrode side surface by jetting a cleaning gas to the electrode side surface of the movable body. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体に対して超音波を付与することで、前記電極側表面上のゴミを除去する超音波発生器を備えることを特徴とする表面処理装置。 In the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-5,
The cleaning means includes
A surface treatment apparatus comprising an ultrasonic generator that removes dust on the electrode-side surface by applying ultrasonic waves to the moving body. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体の前記電極側表面の少なくとも一部で前記電極表面に粘着する粘着層を備えることを特徴とする表面処理装置。 In the surface treatment apparatus as described in any one of Claims 1-6,
The cleaning means includes
A surface treatment apparatus comprising an adhesive layer that adheres to the electrode surface at least at a part of the electrode-side surface of the movable body. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記クリーニング手段は、
前記移動体における前記電極側表面近傍を吸引することで、前記電極側表面上及び前記電極側表面近傍のゴミを吸引除去する吸引手段を備えることを特徴とする表面処理装置。 In the surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 7,
The cleaning means includes
A surface treatment apparatus comprising suction means for sucking and removing dust on the electrode side surface and in the vicinity of the electrode side surface by sucking the vicinity of the electrode side surface of the movable body. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の表面処理装置において、
前記保持機構は、前記移動体の移動方向を逆転させて移動させることを特徴とする表面処理装置。 In the surface treatment apparatus according to any one of claims 1 to 8,
The surface treatment apparatus, wherein the holding mechanism moves the moving body by reversing the moving direction.
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