JP2006086392A - Semiconductor manufacturing system and its maintenance method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing system in which there exists no possibility that processing chambers are polluted by exhaust gas from another exhaust path even when another exhaust path is simultaneously exhausted together with the processing chambers of each kind such as a film-forming chamber, and to provide a maintenance method of the semiconductor manufacturing system as the case may be. <P>SOLUTION: The semiconductor manufacturing system 100 includes a processing chamber 130 to which gas is supplied; a main exhaust path 140A connected to the processing chamber; another exhaust path 140C which is different from the main exhaust path; an exhaust system 145 in which the main exhaust path; and another exhaust path are connected in parallel so that the gas may be exhausted; and control means 100X, 100W, 141 which establish at least either of a gas flow rate supplied to the processing chamber or a pressure in the processing chamber, so that the pressure P1 in the processing chamber may not be substantially changed by existence or nonexistence of exhaust from another exhaust path, for a period in which the main exhaust path and another exhaust path are simultaneously exhausted by the exhaust system. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は半導体製造装置及びそのメンテナンス方法に係り、特に、液体有機金属若しくは有機金属溶液を供給する原料供給部を備えた成膜装置に適用する場合に好適な装置構造及びメンテナンス技術に関する。   The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a maintenance method thereof, and more particularly, to an apparatus structure and a maintenance technique suitable for application to a film forming apparatus provided with a raw material supply unit for supplying a liquid organometallic or organometallic solution.

一般に、液体有機金属や有機金属溶液などの液体原料を気化する液体原料気化供給系を用いたＣＶＤ成膜装置においては、液体原料を含む原料容器から液体原料を気化器に供給し、気化器で液体原料を気化して原料ガスを成膜室に導き、成膜室の内部にて基板上に薄膜を形成するように構成されている。この種の装置は例えば以下の特許文献１に記載されている。   In general, in a CVD film forming apparatus using a liquid source vaporization supply system that vaporizes a liquid source such as a liquid organic metal or an organometallic solution, the liquid source is supplied from a source container containing the liquid source to the vaporizer, and the vaporizer The liquid source is vaporized, the source gas is guided to the film formation chamber, and a thin film is formed on the substrate inside the film formation chamber. This type of apparatus is described, for example, in Patent Document 1 below.

図１１は、上記の成膜装置の構成例を示す概略構成図である。この成膜装置２００は、原料供給部２１０と、この原料供給部２１０により原料供給ライン２１０Ｓを介して供給される液体原料（キャリアガスとともに気液混合状態で供給される場合もある。）を気化する気化器２２０と、を備えている。気化器２２０から導出される原料ガス供給ライン２２０Ｓは、気化器２２０によって生成される原料ガスを用いて成膜を行う成膜室２３０に原料ガス導入弁２２１を介して接続されている。成膜室２３０にはガス導入部２３１が設けられ、このガス導入部２３１には、上記原料ガス供給ライン２２０Ｓが接続されるとともに、反応ガスライン２２２を介して酸化性ガスなどの反応ガスが導入され、また、キャリアガスライン２２３を介して不活性ガスなどのキャリアガスが導入されている。すなわち、成膜室２３０内には上記ガス導入部２３１を通して原料ガス、反応ガス及びキャリアガスが供給されるように構成されている。さらに、成膜室２３０の内部には、このガス導入部２３１に対向配置されるサセプタ２３２が設けられ、このサセプタ２３２上に載置される基板Ｗ上に成膜が行われるように構成されている。   FIG. 11 is a schematic configuration diagram showing a configuration example of the film forming apparatus. The film forming apparatus 200 vaporizes a raw material supply unit 210 and a liquid raw material (may be supplied in a gas-liquid mixed state together with a carrier gas) supplied from the raw material supply unit 210 via a raw material supply line 210S. And a vaporizer 220. A source gas supply line 220 </ b> S led out from the vaporizer 220 is connected via a source gas introduction valve 221 to a film formation chamber 230 that performs film formation using the source gas generated by the vaporizer 220. The film formation chamber 230 is provided with a gas introduction part 231, and the source gas supply line 220 </ b> S is connected to the gas introduction part 231, and a reactive gas such as an oxidizing gas is introduced through the reaction gas line 222. In addition, a carrier gas such as an inert gas is introduced through the carrier gas line 223. In other words, the source gas, the reaction gas, and the carrier gas are supplied into the film formation chamber 230 through the gas introduction part 231. Furthermore, a susceptor 232 is provided inside the film forming chamber 230 so as to be opposed to the gas introducing portion 231, and is configured to perform film formation on the substrate W placed on the susceptor 232. Yes.

また、この成膜装置２００においては、上記原料供給部２１０と、成膜室２３０を並列に排気するための排気部２４０を備えている。排気部２４０は、成膜室２３０の内部を排気する主排気ライン２４０Ａと、上記原料ガス供給ライン２２０Ｓに接続されたバイパス排気ライン２４０Ｂと、上記原料供給部２１０に接続された原料供給部排気ライン２４０Ｃと、これらの主排気ライン２４０Ａ、バイパス排気ライン２４０Ｂ及び原料供給部排気ライン２４０Ｃとを排気する排気装置２４５とを有する。主排気ライン２４０Ａには、成膜室２３０側から排気装置２４５に向けて順に圧力調整弁２４１、第１排気弁２４２、排気トラップ２４３、及び、第２排気弁２４４が介挿されている。また、バイパス排気ライン２４０Ｂには、気化器２２０側から主排気ライン２４０Ａに向けて順に第１バイパス弁２４６、及び、排気トラップ２４７が介挿されている。バイパス排気ライン２４０Ｂは主排気ライン２４０Ａに合流し、その下流側にて上記原料供給部排気ライン２４０Ｃが主排気ライン２４０Ａと合流している。そして、この合流した排気ラインには排気装置２４５が接続されている。すなわち、排気装置２４５は、主排気ライン２４０Ａと原料供給部排気ライン２４０Ｃとを並列に排気するものとなっている。この排気装置２４５は２段直列構成の排気装置として構成されている。この排気装置２４５は、例えば、メカニカルブースターポンプを初段部分２４５Ａとし、ドライポンプを次段部分２４５Ｂとする構成を有する。   Further, the film forming apparatus 200 includes the raw material supply unit 210 and an exhaust unit 240 for exhausting the film forming chamber 230 in parallel. The exhaust unit 240 includes a main exhaust line 240A that exhausts the inside of the film forming chamber 230, a bypass exhaust line 240B connected to the source gas supply line 220S, and a source supply unit exhaust line connected to the source supply unit 210. 240C and an exhaust device 245 for exhausting the main exhaust line 240A, the bypass exhaust line 240B, and the raw material supply unit exhaust line 240C. In the main exhaust line 240A, a pressure adjustment valve 241, a first exhaust valve 242, an exhaust trap 243, and a second exhaust valve 244 are sequentially inserted from the film formation chamber 230 side toward the exhaust device 245. Further, a first bypass valve 246 and an exhaust trap 247 are sequentially inserted from the carburetor 220 side toward the main exhaust line 240A in the bypass exhaust line 240B. The bypass exhaust line 240B joins the main exhaust line 240A, and the raw material supply section exhaust line 240C joins the main exhaust line 240A on the downstream side thereof. An exhaust device 245 is connected to the joined exhaust line. That is, the exhaust device 245 exhausts the main exhaust line 240A and the raw material supply unit exhaust line 240C in parallel. The exhaust device 245 is configured as an exhaust device having a two-stage series configuration. The exhaust device 245 has, for example, a configuration in which a mechanical booster pump is a first stage portion 245A and a dry pump is a next stage portion 245B.

この成膜装置２００では、主排気ライン２４０Ａを介して排気装置２４５により、成膜室２３０内を排気し、圧力計Ｐ１と連動して動作する圧力調整弁２４１によって構成される自動圧力調整手段により原料ガス等が導入される成膜室２３０の内部を所定の圧力に保持しつつ成膜が行われる。また、上記バイパス排気ライン２４０Ｂは気化器２２０から供給される原料ガスのバイパス経路であり、原料供給部排気ライン２４０Ｃは、原料供給部２１０のメンテナンス時（例えば、液体原料を収容する原料容器の交換作業時など）において配管のパージ処理などに用いる排気経路である。なお、上記原料供給部２１０の具体的な構成としては、以下の特許文献２に示す構成が挙げられる。
特開２０００−２６０７６６号公報 特開２００２−０９５９５５号公報 In the film forming apparatus 200, the inside of the film forming chamber 230 is exhausted by the exhaust device 245 through the main exhaust line 240A, and the automatic pressure adjusting means configured by the pressure adjusting valve 241 operating in conjunction with the pressure gauge P1. Film formation is performed while the inside of the film formation chamber 230 into which the source gas or the like is introduced is maintained at a predetermined pressure. The bypass exhaust line 240B is a bypass path for the raw material gas supplied from the vaporizer 220, and the raw material supply unit exhaust line 240C is used during maintenance of the raw material supply unit 210 (for example, replacement of a raw material container containing a liquid raw material). This is an exhaust path used for, for example, a purging process of piping during operation. In addition, as a specific structure of the said raw material supply part 210, the structure shown in the following patent documents 2 is mentioned.
JP 2000-260766 A JP 2002-095955 A

しかしながら、前述の成膜装置２００では、共通の排気装置２４５によって原料供給部２１０と成膜室２３０とを並列に排気する構成を有するため、主排気ライン２４０Ａを介して成膜室２３０の排気のみを行う場合には特に問題はないが、原料供給部２１０のメンテナンス時、例えば、原料供給部２１０の原料容器の交換や液体原料の補充などの作業を行う場合には、原料供給部２１０の配管系の内部を不活性ガスなどで置換する際などにおいて、原料供給部排気ライン２４０Ｃを介して大量のパージガスが排気装置２４５に流れ込む。この場合、上記の原料供給部排気ライン２４０Ｃから流れ込んだパージガスの一部が主排気ライン２４０Ａを逆流し、これにより成膜室２３０が汚染されるという問題点がある。   However, since the film formation apparatus 200 described above has a configuration in which the material supply unit 210 and the film formation chamber 230 are exhausted in parallel by the common exhaust device 245, only the exhaust of the film formation chamber 230 is performed via the main exhaust line 240A. There is no particular problem when performing the operation, but when performing maintenance of the raw material supply unit 210, for example, when performing work such as replacement of the raw material container of the raw material supply unit 210 or replenishment of liquid raw material, the piping of the raw material supply unit 210 When replacing the inside of the system with an inert gas or the like, a large amount of purge gas flows into the exhaust device 245 via the raw material supply unit exhaust line 240C. In this case, there is a problem that a part of the purge gas flowing from the raw material supply unit exhaust line 240C flows backward through the main exhaust line 240A, thereby contaminating the film forming chamber 230.

上記の問題点を解決するには、主排気ライン２４０Ａを排気する排気装置２４５とは別に、原料供給部排気ライン２４０Ｃを排気する他の排気装置を用意することが考えられる。しかし、このように原料供給部２１０のメンテナンス時にのみ使用する専用の排気系を追加して設けると、成膜装置２００の製造コストが上昇し、装置が大型化するという問題点を招く。   In order to solve the above problem, it is conceivable to prepare another exhaust device for exhausting the raw material supply unit exhaust line 240C, in addition to the exhaust device 245 for exhausting the main exhaust line 240A. However, if a dedicated exhaust system that is used only during maintenance of the raw material supply unit 210 is additionally provided as described above, the manufacturing cost of the film forming apparatus 200 increases and the apparatus becomes large.

また、原料供給部２１０から大量のパージガスが排気装置２４５に流入する期間において成膜室２３０へのガスの導入を停止するとともに、第１排気弁２４２又は第２排気弁２４４を閉じることなどによって成膜室２３０の排気を停止することも考えられる。しかし、成膜室２３０の排気を中断すると、成膜室２３０や配管の内部にて脱ガスなどに起因する汚染が生ずるという問題点がある。このとき、サセプタ２３２を外部に設置したランプで石英窓を介してランプ加熱する場合には、脱ガスによって石英窓が曇ってしまう恐れもある。また、この場合には、成膜室２３０内の成膜コンディション、特に温度分布が変化してしまうため、成膜時の既定のコンディションになるようにするのに時間を要することになる。   Further, the introduction of the gas into the film formation chamber 230 is stopped and the first exhaust valve 242 or the second exhaust valve 244 is closed while the large amount of purge gas flows from the raw material supply unit 210 into the exhaust device 245. It is also conceivable to stop the exhaust of the membrane chamber 230. However, when the exhaust of the film formation chamber 230 is interrupted, there is a problem that contamination due to degassing occurs in the film formation chamber 230 and the inside of the piping. At this time, when the lamp is heated through the quartz window with a lamp having the susceptor 232 installed outside, the quartz window may become fogged due to degassing. In this case, since the film formation condition in the film formation chamber 230, particularly the temperature distribution, changes, it takes time to achieve the predetermined condition during film formation.

そこで、本発明の目的は、上記成膜室などの各種の処理室とともに他の排気経路を同時に排気する場合でも、他の排気経路からの排気ガスによって処理室が汚染される恐れのない半導体製造装置、或いは、半導体製造装置のメンテナンス方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、成膜室とともに原料供給部の排気経路を同時に排気する場合でも、他の排気経路からの排気ガスによって成膜室が汚染される恐れのない成膜装置、或いは、成膜装置のメンテナンス方法を提供することにある。   Therefore, an object of the present invention is to manufacture a semiconductor in which the processing chamber is not contaminated by exhaust gas from other exhaust paths even when other exhaust paths are exhausted simultaneously with various processing chambers such as the film forming chamber. An object of the present invention is to provide a maintenance method for an apparatus or a semiconductor manufacturing apparatus. Another object of the present invention is to form a film forming apparatus in which the film forming chamber is not contaminated by exhaust gas from other exhaust paths, even when the exhaust path of the raw material supply unit is exhausted together with the film forming chamber. Alternatively, it is to provide a maintenance method for a film forming apparatus.

斯かる実情に鑑み、本発明の半導体製造装置は、ガスが供給される処理室と、前記処理室に接続された主排気経路と、前記主排気経路とは別の他の排気経路と、前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置と、前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間において、前記他の排気経路からの排気の有無によって前記処理室の圧力が実質的に変化しないように、前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を設定する制御手段と、を具備することを特徴とする。   In view of such circumstances, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a processing chamber to which a gas is supplied, a main exhaust path connected to the processing chamber, another exhaust path different from the main exhaust path, In the exhaust system in which the main exhaust path and the other exhaust path are connected so as to be able to exhaust in parallel, and in the period in which the main exhaust path and the other exhaust path are simultaneously exhausted by the exhaust apparatus, the other exhaust path Control means for setting at least one of the flow rate of the gas supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber so that the pressure of the processing chamber does not substantially change depending on the presence or absence of exhaust from It is characterized by that.

この発明によれば、主排気経路と他の排気経路とを同時に排気する期間においては、制御手段により、処理室に供給されるガス流量と処理室の圧力の少なくともいずれか一方が、他の排気経路からの排気の有無によって処理室の圧力が実質的に変化しないように設定される。このように他の排気経路からの排気の有無によって処理室の圧力が実質的に変化しないことにより、処理室から他の排気経路の合流点までの排気状態が他の排気経路からの排気による影響を実質的に受けていない状態とされるため、他の排気経路からの排気の一部が処理室の内部に逆流することが防止される。   According to the present invention, during the period in which the main exhaust passage and the other exhaust passage are exhausted simultaneously, at least one of the flow rate of the gas supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber is controlled by the control means. The pressure in the processing chamber is set so as not to change substantially depending on the presence or absence of exhaust from the path. As described above, since the pressure in the processing chamber does not substantially change depending on whether or not there is exhaust from another exhaust path, the exhaust state from the processing chamber to the junction of the other exhaust path is affected by the exhaust from the other exhaust path. Therefore, a part of the exhaust from the other exhaust path is prevented from flowing back into the processing chamber.

特に、上記期間においては、ガス流量と処理室の圧力の少なくともいずれか一方を上記期間の前後の値とは異なる値に設定することが望ましい。上記期間において前後とは異なる値を設定することによって、無駄なガスを流したり、無駄に処理室の圧力を高めたりする必要がなくなり、他の排気経路からの排気の逆流の防止を効率的に行うことが可能になる。   In particular, in the period, it is desirable to set at least one of the gas flow rate and the pressure in the processing chamber to a value different from the values before and after the period. By setting a value different from before and after in the above period, it is not necessary to flow waste gas or wastefully increase the pressure in the processing chamber, and it is possible to efficiently prevent back flow of exhaust from other exhaust paths. It becomes possible to do.

本発明において、前記制御手段は、前記期間において前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の双方を設定するように構成されていることが好ましい。これによれば、制御手段の制御対象が処理室に供給されるガス流量と処理室の圧力の双方であることにより、ガス流量を過大に増加させなくても、或いは、処理室の圧力を過大に上昇させなくても、他の排気経路の排気の有無により処理室の圧力が変化しない状態とすることができるため、当該状態をより容易に実現できるとともに、ガス流量や圧力を高めるための装置構成上の制約を低減することができ、さらに、他の排気経路からの排気量がより大きい場合でも対応可能になる。   In this invention, it is preferable that the said control means is comprised so that both the gas flow volume supplied to the said process chamber and the pressure of the said process chamber may be set in the said period. According to this, since the control object of the control means is both the gas flow rate supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber, the gas flow rate does not increase excessively or the processing chamber pressure is excessively increased. Even if it is not raised, the pressure in the processing chamber can be kept unchanged by the presence or absence of exhaust in another exhaust path, so that the state can be realized more easily and the apparatus for increasing the gas flow rate and pressure The restriction on the configuration can be reduced, and furthermore, it is possible to cope with the case where the exhaust amount from other exhaust paths is larger.

次に、本発明の別の半導体製造装置は、ガスが供給される処理室と、前記処理室に接続された主排気経路と、前記主排気経路とは別の他の排気経路と、前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置と、前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間において、前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を増加させる制御手段と、を具備することを特徴とする。   Next, another semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a processing chamber to which a gas is supplied, a main exhaust path connected to the processing chamber, another exhaust path different from the main exhaust path, and the main exhaust path. The exhaust path is connected to the processing chamber in a period in which the exhaust path and the other exhaust path are connected so as to be capable of being exhausted in parallel, and the main exhaust path and the other exhaust path are simultaneously exhausted by the exhaust apparatus. And a control means for increasing at least one of a gas flow rate and a pressure in the processing chamber.

この発明によれば、主排気経路と他の排気経路とを同時に排気する期間においては、制御手段により、処理室に供給されるガス流量と処理室の圧力の少なくともいずれか一方が増加される。このように処理室に供給されるガス流量と処理室の圧力の少なくともいずれか一方が増加されることにより、処理室から他の排気経路の合流点までの排気状態が他の排気経路からの排気による影響を受けにくくなるため、他の排気経路からの排気の一部が処理室の内部に逆流することが抑制される。   According to the present invention, during the period in which the main exhaust path and the other exhaust path are exhausted simultaneously, at least one of the flow rate of the gas supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber is increased by the control means. By increasing at least one of the flow rate of the gas supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber in this way, the exhaust state from the processing chamber to the junction of the other exhaust path becomes the exhaust from the other exhaust path. Therefore, a part of the exhaust from the other exhaust path is prevented from flowing back into the processing chamber.

本発明において、前記制御手段は、前記期間において前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の双方を増加させるように構成されていることが好ましい。これによれば、処理室に供給されるガス流量と処理室の圧力の双方が増加されることにより、ガス流量を過大に増加させなくても、或いは、処理室の圧力を過大に上昇させなくても、他の排気経路の排気による処理室への影響を低減することができるため、他の排気経路の排気の処理室への逆流の抑制をより容易に実現できるとともに、上記逆流をより多く削減でき、また、ガス流量や圧力を高めるための装置構成上の制約を低減することができ、さらに、他の排気経路からの排気量がより大きい場合でも対応可能になる。   In this invention, it is preferable that the said control means is comprised so that both the gas flow rate supplied to the said process chamber and the pressure of the said process chamber may be increased in the said period. According to this, both the gas flow rate supplied to the processing chamber and the pressure in the processing chamber are increased, so that the gas flow rate does not increase excessively or the processing chamber pressure does not increase excessively. However, since the influence on the processing chamber due to the exhaust of the other exhaust path can be reduced, the backflow of the exhaust of the other exhaust path to the processing chamber can be more easily realized, and the backflow can be increased more. In addition, it is possible to reduce the restrictions on the device configuration for increasing the gas flow rate and pressure, and it is possible to cope with the case where the exhaust amount from other exhaust paths is larger.

本発明において、前記処理室の圧力制御を行うための、前記処理室より下流側で前記他の排気経路の合流点より上流側に設けられた圧力調整弁を具備することが好ましい。処理室の下流側に圧力調整弁が設けられていることにより、圧力調整弁の弁開度に応じて処理室の圧力を調整することができるとともに、圧力調整弁によって主排気経路のコンダクタンスを低下させるとともにその上流側と下流側との間に圧力差を生じさせることができるため、他の排気経路の排気が逆流することをさらに確実に防止できる。   In the present invention, it is preferable to provide a pressure regulating valve provided downstream of the processing chamber and upstream of the confluence of the other exhaust paths for controlling the pressure of the processing chamber. By providing a pressure regulating valve on the downstream side of the processing chamber, the pressure in the processing chamber can be adjusted according to the valve opening of the pressure regulating valve, and the conductance of the main exhaust path is reduced by the pressure regulating valve. In addition, since a pressure difference can be generated between the upstream side and the downstream side, it is possible to more reliably prevent the exhaust in the other exhaust path from flowing backward.

本発明において、前記処理室から前記他の排気経路の合流点までの前記主排気経路のコンダクタンスが、前記合流点から前記排気装置までの排気経路のコンダクタンスの１０分の１以下であることが好ましい。これによれば、処理室から他の排気経路の合流点までのコンダクタンスが、合流点から排気装置までのコンダクタンスの１０分の１以下であることによって、他の排気経路から流入した排気が合流点から処理室へ向かって逆流しにくくなる。   In the present invention, the conductance of the main exhaust path from the processing chamber to the junction of the other exhaust path is preferably 1/10 or less of the conductance of the exhaust path from the junction to the exhaust device. . According to this, since the conductance from the processing chamber to the confluence of the other exhaust path is 1/10 or less of the conductance from the confluence to the exhaust device, the exhaust gas flowing in from the other exhaust path is merged. It becomes difficult to flow backward from the process toward the processing chamber.

本発明において、前記排気装置は複数段直列構成の排気装置で構成され、前記他の排気経路が上流段部分と下流段部分の間に接続されていることが好ましい。複数段直列構成の排気装置の場合、他の排気経路が上流段部分と下流段部分の間に接続されることにより、他の排気経路からの排気が合流点から上流段部分を越えて逆流することを防止できる。ここで、排気装置は３段以上の直列構成を有していても構わないが、初段部分と次段部分の２段直列構成とすることが望ましい。この場合、他の排気経路は初段部分と次段部分の間に接続される。   In the present invention, it is preferable that the exhaust device is composed of an exhaust device having a multi-stage serial configuration, and the other exhaust path is connected between the upstream stage portion and the downstream stage portion. In the case of an exhaust system having a multi-stage serial configuration, the other exhaust path is connected between the upstream stage part and the downstream stage part, so that the exhaust from the other exhaust path flows backward from the confluence to the upstream stage part. Can be prevented. Here, the exhaust device may have a three-stage or more series configuration, but it is desirable to adopt a two-stage series configuration of a first stage portion and a next stage portion. In this case, the other exhaust path is connected between the first stage part and the next stage part.

本発明において、前記処理室は供給される原料ガスに基づいて成膜を行う成膜室であり、前記原料ガスを供給するための液体原料気化供給系を有し、前記他の排気経路は、前記液体原料気化供給系に接続されたものであることが好ましい。これによれば、液体原料気化供給系（特に、液体原料を供給する後述する原料供給部）では、液体原料の交換や補充を行うために系内のパージ処理が必要になるため、他の排気経路を介して大量のパージガスが排気される。したがって、このような構成では、大量のパージガスによる成膜室への逆流が発生しやすく、成膜室が汚染されやすいため、本発明を適用することでより大きな効果が得られる。   In the present invention, the processing chamber is a film forming chamber for forming a film based on the supplied source gas, has a liquid source vaporization supply system for supplying the source gas, and the other exhaust path is It is preferably connected to the liquid raw material vaporization supply system. According to this, in the liquid raw material vaporization supply system (particularly, a raw material supply unit to be described later for supplying the liquid raw material), a purge process in the system is required to replace or replenish the liquid raw material. A large amount of purge gas is exhausted through the path. Therefore, in such a configuration, a back flow to the film formation chamber due to a large amount of purge gas is likely to occur, and the film formation chamber is likely to be contaminated. Therefore, a greater effect can be obtained by applying the present invention.

次に、本発明の半導体製造装置のメンテナンス方法は、ガスが供給される処理室と、前記処理室に接続された主排気経路と、前記主排気経路とは別の他の排気経路と、前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置とを具備する半導体製造装置のメンテナンス方法であって、前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間を設け、当該期間において、前記他の排気経路からの排気の有無によって前記処理室の圧力が実質的に変化しないように、前記処理室に供給されるガス流量と、前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を制御することを特徴とする。ここで、前記期間において前記処理室に供給される流量と前記処理室の圧力の双方を制御することが好ましい。   Next, the maintenance method of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a processing chamber to which a gas is supplied, a main exhaust path connected to the processing chamber, another exhaust path different from the main exhaust path, A maintenance method of a semiconductor manufacturing apparatus comprising an exhaust device in which a main exhaust path and the other exhaust path are connected in parallel so as to be capable of exhausting, wherein the main exhaust path and the other exhaust path are A period for simultaneously exhausting the gas, and during the period, the flow rate of the gas supplied to the processing chamber and the processing so that the pressure in the processing chamber does not substantially change depending on the presence or absence of exhaust from the other exhaust path. It is characterized in that at least one of the pressures in the chamber is controlled. Here, it is preferable to control both the flow rate supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber during the period.

また、本発明の別の半導体製造装置のメンテナンス方法は、ガスが供給される処理室と、前記処理室に接続された主排気経路と、前記主排気経路とは別の他の排気経路と、前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置とを具備する半導体製造装置のメンテナンス方法であって、前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間を設け、当該期間において、前記処理室に供給されるガス流量と、前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を増加させることを特徴とする。ここで、前記期間において前記処理室に供給される流量と前記処理室の圧力の双方を増加させることが好ましい。   In addition, another semiconductor manufacturing apparatus maintenance method of the present invention includes a processing chamber to which a gas is supplied, a main exhaust path connected to the processing chamber, another exhaust path different from the main exhaust path, A maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: an exhaust apparatus in which the main exhaust path and the other exhaust path are connected so as to be capable of being exhausted in parallel, wherein the main exhaust path and the other exhaust path are provided by the exhaust apparatus. And at least one of the flow rate of the gas supplied to the process chamber and the pressure of the process chamber is increased during the period. Here, it is preferable to increase both the flow rate supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber during the period.

本発明においては、前記処理室の圧力制御を、前記処理室より下流側で前記他の排気経路の合流点より上流側に設けられた圧力調整弁により行うことが好ましい。また、前記処理室から前記他の排気経路の合流点までの前記主排気経路のコンダクタンスを、前記合流点から前記排気装置までの排気経路のコンダクタンスの１０分の１以下とすることが好ましい。さらに、前記排気装置は複数段直列構成の排気装置で構成され、前記他の排気経路が上流段部分と下流段部分の間に接続されることが好ましい。また、前記処理室は供給される原料ガスに基づいて成膜を行う成膜室であり、前記原料ガスを供給するための液体原料気化供給系を有し、前記他の排気経路は、前記液体原料気化供給系に接続されたものであることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the pressure control of the processing chamber is performed by a pressure regulating valve provided on the downstream side of the processing chamber and on the upstream side of the junction of the other exhaust paths. Moreover, it is preferable that the conductance of the main exhaust path from the processing chamber to the merging point of the other exhaust path is 1/10 or less of the conductance of the exhaust path from the merging point to the exhaust device. Further, it is preferable that the exhaust device is constituted by an exhaust device having a multi-stage serial configuration, and the other exhaust path is connected between the upstream stage portion and the downstream stage portion. The processing chamber is a film forming chamber for forming a film based on the supplied source gas, and has a liquid source vaporization supply system for supplying the source gas, and the other exhaust path is the liquid It is preferably connected to a raw material vaporization supply system.

本発明によれば、上記成膜室などの各種の処理室とともに他の排気経路を同時に排気する場合でも、他の排気経路からの排気ガスによる処理室の汚染を低減できる半導体製造装置、或いは、半導体製造装置のメンテナンス方法を提供することができる。特に、成膜室とともに原料供給部の排気経路を同時に排気する場合でも、他の排気経路からの排気ガスによる成膜室の汚染を低減できる成膜装置、或いは、成膜装置のメンテナンス方法を提供することができる。   According to the present invention, even when exhausting other exhaust paths together with various processing chambers such as the film forming chamber, the semiconductor manufacturing apparatus capable of reducing contamination of the processing chambers by exhaust gases from other exhaust paths, or A maintenance method of a semiconductor manufacturing apparatus can be provided. In particular, even when the exhaust path of the raw material supply unit is exhausted together with the film forming chamber, a film forming apparatus that can reduce contamination of the film forming chamber due to exhaust gas from other exhaust paths, or a maintenance method for the film forming apparatus is provided. can do.

［第１実施形態］
以下、本発明に係る半導体製造装置及びそのメンテナンス方法の実施の形態を図示例と共に説明する。図１は、本実施形態の半導体製造装置の第１実施形態である成膜装置１００の全体構成を示す概略構成図である。この成膜装置１００は、液体有機金属若しくは有機金属溶液を原料とし、この液体原料を気化して供給する液体原料気化供給系を備えたＭＯＣＶＤ装置である。ただし、本発明の半導体製造装置としては、ＭＯＣＶＤ装置以外の各種の成膜装置、例えば、有機金属原料以外の原料を用いた各種のＣＶＤ装置、蒸着装置やスパッタリング装置などの物理的成膜装置などにも適用できるものであり、また、成膜装置以外の各種の処理を処理室内にて行うように構成された処理装置、例えば、ドライエッチング装置、熱処理装置などにも適用できるものである。 [First Embodiment]
Embodiments of a semiconductor manufacturing apparatus and maintenance method thereof according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an overall configuration of a film forming apparatus 100 which is a first embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present embodiment. The film forming apparatus 100 is an MOCVD apparatus provided with a liquid source vaporization supply system using a liquid organic metal or an organic metal solution as a raw material and vaporizing and supplying the liquid raw material. However, as the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, various film forming apparatuses other than the MOCVD apparatus, for example, various CVD apparatuses using raw materials other than organometallic raw materials, physical film forming apparatuses such as vapor deposition apparatuses and sputtering apparatuses, etc. The present invention is also applicable to a processing apparatus configured to perform various processes other than the film forming apparatus in the processing chamber, such as a dry etching apparatus and a heat treatment apparatus.

［装置構成］
成膜装置１００は、液体有機金属や有機金属溶液などの液体原料を供給する原料供給部１１０と、原料供給部１１０から供給された液体原料を気化して原料ガスを生成する気化器１２０と、気化器１２０から供給された原料ガスに基づいて成膜を行う成膜室１３０と、成膜室１３０と原料供給部１１０を排気するための排気部１４０とを備えている。ここで、原料供給部１１０と気化器１２０は、上記の液体原料気化供給系を構成する。 [Device configuration]
The film forming apparatus 100 includes a raw material supply unit 110 that supplies a liquid raw material such as a liquid organic metal or an organic metal solution, a vaporizer 120 that vaporizes the liquid raw material supplied from the raw material supply unit 110 and generates a raw material gas, A film forming chamber 130 for forming a film based on the raw material gas supplied from the vaporizer 120 and an exhaust unit 140 for exhausting the film forming chamber 130 and the raw material supplying unit 110 are provided. Here, the raw material supply unit 110 and the vaporizer 120 constitute the liquid raw material vaporization supply system.

原料供給部１１０の構成例は、図２に示されている。この原料供給部１１０では、溶媒容器Ｘｂに対して不活性ガスなどの加圧ガスを供給する加圧ラインＸａ、有機溶媒を収容する溶媒容器Ｘｂ、及び、溶媒容器Ｘｂから有機溶媒を供給する供給ライン１１０Ｘを含む溶媒供給部と、同様の加圧ラインＡａ、液体原料（液体有機原料若しくは有機原料溶液）を収容する原料容器Ａｂ、及び、原料容器Ａｂから液体原料を供給する供給ライン１１０Ａを含むＡ原料供給部と、同様の加圧ラインＢａ、液体原料（液体有機原料若しくは有機原料溶液）を収容する原料容器Ｂｂ、及び、原料容器Ｂｂから液体原料を供給する供給ライン１１０Ｂを含むＢ原料供給部と、同様の加圧ラインＣａ、液体原料（液体有機原料若しくは有機原料溶液）を収容する原料容器Ｃｂ、及び、原料容器Ｃｂから液体原料を供給する供給ライン１１０Ｃを含むＣ原料供給部とを備えている。   A configuration example of the raw material supply unit 110 is shown in FIG. In the raw material supply unit 110, a pressurized line Xa that supplies a pressurized gas such as an inert gas to the solvent container Xb, a solvent container Xb that contains the organic solvent, and a supply that supplies the organic solvent from the solvent container Xb. A solvent supply unit including a line 110X, a similar pressurization line Aa, a raw material container Ab containing a liquid raw material (a liquid organic raw material or an organic raw material solution), and a supply line 110A for supplying a liquid raw material from the raw material container Ab are included. A raw material supply unit, including the same pressure line Ba, a raw material container Bb containing a liquid raw material (liquid organic raw material or organic raw material solution), and a supply line 110B for supplying a liquid raw material from the raw material container Bb Part, the same pressure line Ca, the raw material container Cb containing the liquid raw material (liquid organic raw material or organic raw material solution), and the liquid raw material from the raw material container Cb And a C material supply unit comprising a supply line 110C for supplying.

ここで、ＰＺＴ（Ｐｂ［Ｚｒ１−ｘＴｉｘ］Ｏ３）の誘電薄膜を成膜する場合には、上記有機溶媒として酢酸ブチルなどを用いることができ、上記Ａ原料供給部が供給する液体原料としてはＰｂ（ＤＰＭ）２などの有機Ｐｂ原料を用いることができ、上記Ｂ原料供給部が供給する液体原料としてはＺｒ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）４などの有機Ｚｒ原料を用いることができ、上記Ｃ原料供給部が供給する液体原料としてはＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４などの有機Ｔｉ原料を用いることができる。 Here, when forming a dielectric thin film of PZT (Pb [Zr 1-x Ti x ] O 3 ), butyl acetate or the like can be used as the organic solvent, and the liquid supplied from the A raw material supply unit An organic Pb raw material such as Pb (DPM) 2 can be used as the raw material, and an organic Zr raw material such as Zr (Ot-Bu) 4 can be used as the liquid raw material supplied by the B raw material supply unit. As the liquid raw material supplied by the C raw material supply unit, an organic Ti raw material such as Ti (Oi-Pr) 4 can be used.

上記の溶媒供給部、Ａ原料供給部、Ｂ原料供給部及びＣ原料供給部においては、それぞれ、上記供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃに開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ，Ｃｈ、開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉ、フィルタＸｊ，Ａｊ，Ｂｊ，Ｃｊ、マスフローメータ及び流量制御弁などで構成される流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃ、並びに、開閉弁Ｘｄ，Ａｄ，Ｂｄ，Ｃｄがそれぞれ下流側に向けて順に設けられ、原料混合部１１３に接続されている。また、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａには、逆止弁Ｘｅ，Ａｅ，Ｂｅ，Ｃｅ、開閉弁Ｘｆ，Ａｆ，Ｂｆ，Ｃｆ、及び、開閉弁Ｘｇ，Ａｇ，Ｂｇ，Ｃｇが下流側に向けて順に設けられている。   In the solvent supply unit, the A raw material supply unit, the B raw material supply unit, and the C raw material supply unit, the supply lines 110X, 110A, 110B, and 110C are connected to the open / close valves Xh, Ah, Bh, Ch, and the open / close valves Xi, respectively. Ai, Bi, Ci, filters Xj, Aj, Bj, Cj, flow controllers Xc, Ac, Bc, Cc composed of a mass flow meter and a flow control valve, and on-off valves Xd, Ad, Bd, Cd are respectively provided. It is provided in order toward the downstream side, and is connected to the raw material mixing unit 113. Further, check valves Xe, Ae, Be, Ce, on-off valves Xf, Af, Bf, Cf, and on-off valves Xg, Ag, Bg, Cg are downstream of the pressurization lines Xa, Aa, Ba, Ca. It is provided in order toward the side.

また、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａにおける上記開閉弁Ｘｆ，Ａｆ，Ｂｆ，Ｃｆと開閉弁Ｘｇ，Ａｇ，Ｂｇ，Ｃｇとの間の部分と、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃにおける上記開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉと上記開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ，Ｃｈとの間の部分とは、開閉弁Ｘｋ，Ａｋ，Ｂｋ，Ｃｋを介して接続されている。さらに、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃにおける上記開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉと上記開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ，Ｃｈとの間の部分は、それぞれ開閉弁Ｘｌ，Ａｌ，Ｂｌ，Ｃｌを介して排気ライン１１０Ｄに接続されている。   Further, portions of the pressurization lines Xa, Aa, Ba, Ca between the on-off valves Xf, Af, Bf, Cf and the on-off valves Xg, Ag, Bg, Cg, and supply lines 110X, 110A, 110B, 110C. The parts between the on-off valves Xi, Ai, Bi, Ci and the on-off valves Xh, Ah, Bh, Ch are connected via the on-off valves Xk, Ak, Bk, Ck. Further, portions of the supply lines 110X, 110A, 110B, and 110C between the on-off valves Xi, Ai, Bi, and Ci and the on-off valves Xh, Ah, Bh, and Ch are on-off valves Xl, Al, Bl, and Cl, respectively. Is connected to the exhaust line 110D.

そして、供給ライン１１０Ｘにおける上記フィルタＸｊと上記流量制御器Ｘｃとの間の部分は、開閉弁Ｘｍ，Ａｎ，Ｂｎ，Ｃｎを介して加圧ラインＡａ，Ｂａ，Ｃａに接続され、また、開閉弁Ｘｍ，Ａｏ，Ｂｏ，Ｃｏを介して供給ライン１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃに接続されている。   A portion of the supply line 110X between the filter Xj and the flow rate controller Xc is connected to the pressurization lines Aa, Ba, and Ca via the on-off valves Xm, An, Bn, and Cn. It is connected to supply lines 110A, 110B, and 110C via Xm, Ao, Bo, and Co.

上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａの上流部は相互に連結され、開閉弁１１５を介して不活性ガスなどの加圧ガス源に接続されている。また、開閉弁１１５の下流側には圧力計Ｐ２が接続されている。さらに、上記排気ライン１１０Ｄはバイパスライン１１６に接続され、開閉弁１１７を介して原料混合部１１３に接続されている。この原料混合部１１３の下流端は開閉弁１１４を介して気化器１２０に導入される原料供給ライン１１０Ｓに接続されている。また、この原料混合部１１３の上流端は、開閉弁１１１及び流量制御器１１２を介して不活性ガスなどのキャリアガス源に接続されている。さらに、排気ライン１１０Ｄは、開閉弁１１８を介してドレンタンクＤに接続され、このドレンタンクは開閉弁１１９を介して原料供給部排気ライン１４０Ｃに接続されている。   Upstream portions of the pressurization lines Xa, Aa, Ba, and Ca are connected to each other and connected to a pressurization gas source such as an inert gas via an on-off valve 115. A pressure gauge P2 is connected to the downstream side of the on-off valve 115. Further, the exhaust line 110 </ b> D is connected to the bypass line 116 and is connected to the raw material mixing unit 113 via the on-off valve 117. The downstream end of the raw material mixing unit 113 is connected to a raw material supply line 110 </ b> S introduced into the vaporizer 120 via an on-off valve 114. In addition, the upstream end of the raw material mixing unit 113 is connected to a carrier gas source such as an inert gas via an on-off valve 111 and a flow rate controller 112. Further, the exhaust line 110D is connected to the drain tank D through the on-off valve 118, and this drain tank is connected to the raw material supply unit exhaust line 140C through the on-off valve 119.

図１に示すように、気化器１２０は、原料供給部１１０から導出された原料供給ライン１１０Ｓと、不活性ガスなどのキャリアガスを供給するキャリア供給ライン１２０Ｅとが接続された噴霧ノズル１２０Ｆを有し、この噴霧ノズル１２０Ｆで液体原料のミストを加熱された気化器１２０の内部に噴霧することで、液体原料を気化し、原料ガスを生成するように構成されている。気化器１２０は原料ガス供給ライン１２０Ｓに接続され、原料ガス供給ライン１２０Ｓは、ガス導入弁１２１を介して成膜室１３０に接続されている。この原料ガス供給ライン１２０Ｓには、不活性ガスなどのキャリアガスを供給するキャリア供給ライン１２３が接続され、原料ガス供給ライン１２０Ｓを介して成膜室１３０にキャリアガスを導入できるようになっている。   As shown in FIG. 1, the vaporizer 120 has a spray nozzle 120F to which a raw material supply line 110S derived from the raw material supply unit 110 and a carrier supply line 120E for supplying a carrier gas such as an inert gas are connected. The mist of the liquid raw material is sprayed into the heated vaporizer 120 by the spray nozzle 120F, thereby vaporizing the liquid raw material and generating the raw material gas. The vaporizer 120 is connected to a source gas supply line 120 </ b> S, and the source gas supply line 120 </ b> S is connected to the film forming chamber 130 via a gas introduction valve 121. A carrier supply line 123 for supplying a carrier gas such as an inert gas is connected to the source gas supply line 120S, and the carrier gas can be introduced into the film forming chamber 130 via the source gas supply line 120S. .

成膜室１３０は、気密な密閉容器によって構成され、上記原料ガス供給ライン１２０Ｓと、Ｏ２，Ｏ３，ＮＯ２などの酸化性の反応ガスを供給する反応ガスライン１２２とが接続されたガス導入部１３１を備えている。このガス導入部１３１は、原料ガス及び反応ガスを微細な細孔から成膜室１３０の内部に導入するシャワーヘッド構造を備えている。また、成膜室１３０の内部には、上記ガス導入部１３１に対向配置されたサセプタ１３２が設けられ、このサセプタ１３２上に処理対象となる基板Ｗを載置できるように構成されている。なお、圧力計Ｐ１は成膜室１３０の内部の圧力を計測するものである。 The film forming chamber 130 is constituted by an airtight sealed container, and is a gas in which the source gas supply line 120S is connected to a reaction gas line 122 for supplying an oxidizing reaction gas such as O 2 , O 3 , NO 2. An introduction part 131 is provided. The gas introduction part 131 has a shower head structure that introduces a source gas and a reaction gas into the film forming chamber 130 through fine pores. In addition, a susceptor 132 is provided inside the film forming chamber 130 so as to be opposed to the gas introduction part 131, and the substrate W to be processed can be placed on the susceptor 132. The pressure gauge P1 measures the pressure inside the film forming chamber 130.

排気部１４０は、成膜室１３０に接続された主排気ライン１４０Ａを備えている。この主排気ライン１４０Ａには、下流側に向けて、圧力調整弁１４１、開閉弁１４２、排気トラップ１４３、開閉弁１４４が順次に設けられている。圧力調整弁１４１はその弁開度によって成膜室１３０の内部の圧力を調整する機能を有し、上記圧力計Ｐ１の検出圧力に応じて圧力調整弁１４１の弁開度を制御し、成膜室１３０の内部の圧力を自動的に設定値に調整する自動圧力調整手段（後述する自動圧力調整部１００Ｗを含む。）を構成している。   The exhaust unit 140 includes a main exhaust line 140 </ b> A connected to the film forming chamber 130. In the main exhaust line 140A, a pressure regulating valve 141, an on-off valve 142, an exhaust trap 143, and an on-off valve 144 are sequentially provided toward the downstream side. The pressure adjusting valve 141 has a function of adjusting the pressure inside the film forming chamber 130 based on the valve opening degree, and controls the valve opening degree of the pressure adjusting valve 141 according to the detected pressure of the pressure gauge P1 to form a film. An automatic pressure adjusting means (including an automatic pressure adjusting unit 100W described later) that automatically adjusts the pressure inside the chamber 130 to a set value is configured.

また、排気部１４０には、成膜室１３０を迂回するように、上記原料ガス供給ライン１２０Ｓと、主排気ライン１４０Ａとの間に接続されたバイパス排気ライン１４０Ｂが設けられている。このバイパス排気ライン１４０Ｂの上流端は、気化器１２０とガス導入弁１２１との間に接続され、その下流端は、排気トラップ１４３と開閉弁１４４との間に接続されている。バイパス排気ライン１４０Ｂには、下流側に向けて、開閉弁１４６、排気トラップ１４７が順次に設けられている。   The exhaust unit 140 is provided with a bypass exhaust line 140B connected between the source gas supply line 120S and the main exhaust line 140A so as to bypass the film forming chamber 130. The bypass exhaust line 140B has an upstream end connected between the vaporizer 120 and the gas introduction valve 121, and a downstream end connected between the exhaust trap 143 and the on-off valve 144. The bypass exhaust line 140B is sequentially provided with an on-off valve 146 and an exhaust trap 147 toward the downstream side.

排気部１４０には、上記原料供給部１１０から導出される原料供給部排気ライン１４０Ｃが設けられている。この原料供給部排気ライン１４０Ｃは、上記主排気ライン１４０Ａの開閉弁１４４と、排気装置１４５との間に接続されている。排気装置１４５は２段直列構成を有し、例えば、初段部分１４５Ａがメカニカルブースターポンプ、次段部分１４５Ｂがドライポンプで構成される。このように、排気装置１４５を２段直列構成とすることで排気装置１４５の排気性能が向上し、成膜質１３０の到達真空度（成膜室１３０にガスを流さない状態での真空度）を低く、例えば１Ｐａ以下に維持することができる。ここで、初段部分１４５Ａをターボ分子ポンプ若しくはドラッグポンプとしてもよいなど、適宜の構成とすることができる。もちろん、可能であれば、３段以上の直列構成としても構わない。   The exhaust unit 140 is provided with a raw material supply unit exhaust line 140 </ b> C derived from the raw material supply unit 110. The raw material supply unit exhaust line 140C is connected between the on-off valve 144 of the main exhaust line 140A and the exhaust device 145. The exhaust device 145 has a two-stage serial configuration. For example, the first stage portion 145A is a mechanical booster pump, and the next stage portion 145B is a dry pump. As described above, the exhaust device 145 has a two-stage serial configuration, so that the exhaust performance of the exhaust device 145 is improved, and the ultimate vacuum of the film formation quality 130 (the degree of vacuum in a state where no gas flows into the film formation chamber 130). For example, 1 Pa or less. Here, the first stage portion 145A may be an appropriate configuration such as a turbo molecular pump or a drug pump. Of course, if possible, a three-stage or more series configuration may be used.

本実施形態では、原料供給部排気ライン１４０Ｃと主排気ライン１４０Ａとの合流点Ｊを排気装置１４５の近傍に設けてある。例えば、改善前の主排気ライン１４０Ａ（成膜室１３０から合流点Ｊまで）は内径６５ｍｍφで長さ１．９ｍのモジュール内配管と、内径１２０ｍｍφで長さ５．４ｍのモジュール外配管とで構成されているのに対して、合流点Ｊから排気装置１４５までは、内径１２０ｍｍφで長さ６．３ｍの配管で構成されていた。しかし、本実施形態では、上記モジュール内配管は上記と同じであるが、例えば、モジュール外配管を内径１２０ｍｍφで長さ１０．９ｍとし、合流点Ｊから排気装置１４５までを内径１２０ｍｍφで長さ０．８ｍの配管で構成した。ここで、合流点Ｊを排気装置１４５の排気口に設定することが最も望ましい。   In the present embodiment, a junction J between the raw material supply unit exhaust line 140C and the main exhaust line 140A is provided in the vicinity of the exhaust device 145. For example, the main exhaust line 140A (from the film forming chamber 130 to the junction point J) before improvement is composed of an internal module pipe having an inner diameter of 65 mmφ and a length of 1.9 m, and an outer module pipe having an inner diameter of 120 mmφ and a length of 5.4 m. On the other hand, from the junction J to the exhaust device 145, it was constituted by a pipe having an inner diameter of 120 mmφ and a length of 6.3 m. However, in the present embodiment, the internal piping of the module is the same as described above. For example, the external piping of the module is 10.9 m in length with an inner diameter of 120 mmφ, and the length from the junction J to the exhaust device 145 is 0 mm with an inner diameter of 120 mmφ. .8m piping. Here, it is most desirable to set the junction point J to the exhaust port of the exhaust device 145.

上記のように合流点Ｊを排気装置１４５の近傍に設けることにより、主排気ライン１４０Ａにおける成膜室１３０から合流点Ｊまでの排気コンダクタンスは、合流点Ｊから排気装置１４５までの排気コンダクタンスの１０分の１以下になることが好ましく、２０分の１以下であることが更に望ましい。本実施形態では、３０分の１以下になるように構成されている。排気コンダクタンスは、粘性流領域では平均圧力に比例し、分子流領域では平均圧力に依存しないが、本明細書でいうコンダクタンスの大小関係は、平均圧力が一定（同じ）であると仮定したときの大小関係を言うものとする。このコンダクタンスは、排気ラインの長さに反比例し、排気ラインの内径の３乗（分子流領域）若しくは４乗（粘性流領域）或いは３〜４乗（中間領域）に比例する。   By providing the junction point J in the vicinity of the exhaust device 145 as described above, the exhaust conductance from the film formation chamber 130 to the junction point J in the main exhaust line 140A is 10 of the exhaust conductance from the junction point J to the exhaust device 145. It is preferably 1/20 or less, more preferably 1/20 or less. In this embodiment, it is comprised so that it may become 1/30 or less. Exhaust conductance is proportional to the average pressure in the viscous flow region and does not depend on the average pressure in the molecular flow region, but the magnitude relationship of conductance in this specification is based on the assumption that the average pressure is constant (same). Let's say a big-small relationship. This conductance is inversely proportional to the length of the exhaust line, and is proportional to the third power (molecular flow region), fourth power (viscous flow region), or third to fourth power (intermediate region) of the inner diameter of the exhaust line.

本実施形態では、成膜装置１００の全体を制御する制御部１００Ｘを有し、この制御部１００Ｘには、装置の各所の流量制御器を制御する流量制御部１００Ｙと、装置の各所の開閉弁を駆動する開閉弁制御部１００Ｚと、上記自動圧力調整手段を構成し、圧力計Ｐ１の検出圧力に応じて圧力調整弁１４１の弁開度を制御する自動圧力調整部１００Ｗと、装置に対する各種の操作を行うための操作部１００Ｐとが接続されている。   In the present embodiment, a control unit 100X that controls the entire film forming apparatus 100 is provided. The control unit 100X includes a flow rate control unit 100Y that controls flow rate controllers at various locations in the device, and on-off valves at various locations in the device. The on-off valve control unit 100Z that drives the automatic pressure adjusting unit 100W, the automatic pressure adjusting unit 100W that controls the valve opening degree of the pressure adjusting valve 141 according to the detected pressure of the pressure gauge P1, and various devices for the device An operation unit 100P for performing operations is connected.

制御部１００Ｘは、ＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）などで構成され、操作部１００Ｐに対する操作に応じて上記流量制御部１００Ｙ、開閉弁制御部１００Ｚ、自動圧力調整部１００Ｗを介して装置全体を制御するように構成されている。この場合、制御部１００Ｘは、予め設定された動作手順に従って自動的に装置各部を制御するように構成されていることが好ましい。また、この場合、上記動作手順の各種パラメータ、例えば、動作手順の各ステップの動作態様及びステップの時間などを操作部１００Ｐにおいて適宜に設定できるように構成されていることが望ましい。例えば、上記制御部１００ＸがＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）で構成される場合、装置全体の動作を制御する動作プログラムを予めメモリ内に格納しておき、操作部１００Ｐに対する操作によって当該動作プログラムの動作パラメータの設定を行うことができ、かつ、操作部１００Ｐに対する操作に基づいて動作プログラムを制御部１００Ｘにて実行させることができるように構成する。   The control unit 100X is configured by an MPU (microprocessor unit) or the like, and controls the entire apparatus via the flow rate control unit 100Y, the on-off valve control unit 100Z, and the automatic pressure adjustment unit 100W in accordance with an operation on the operation unit 100P. It is configured. In this case, it is preferable that the control unit 100X is configured to automatically control each unit of the apparatus in accordance with a preset operation procedure. In this case, it is desirable that the operation unit 100P can appropriately set various parameters of the operation procedure, for example, the operation mode of each step of the operation procedure and the time of the step. For example, when the control unit 100X is composed of an MPU (microprocessor unit), an operation program for controlling the operation of the entire apparatus is stored in a memory in advance, and an operation parameter of the operation program is determined by an operation on the operation unit 100P. And the operation program can be executed by the control unit 100X based on an operation on the operation unit 100P.

［成膜装置の動作］
次に、以上説明した成膜装置１００の動作について説明する。この動作は、上記のように設定された動作パラメータに応じて実行される動作プログラムによって行われるが、操作部１００Ｐに対する操作によって手動で行うようにしても構わない。 [Operation of deposition system]
Next, the operation of the film forming apparatus 100 described above will be described. This operation is performed by an operation program executed according to the operation parameter set as described above, but may be manually performed by an operation on the operation unit 100P.

最初に、通常の成膜処理を行う場合の装置動作の概略について説明する。通常の成膜処理では、図２に示す原料供給部１１０において、開閉弁Ｘｋ，Ｘｌ，Ｘｍ，Ａｋ，Ａｌ，Ａｎ，Ａｏ，Ｂｋ，Ｂｌ，Ｂｎ，Ｂｏ，Ｃｋ，Ｃｌ，Ｃｎ，Ｃｏ，１１７，１１８，１１９を閉鎖し、他の弁を全て開放し、加圧ガスラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａを介して溶媒容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂ内を加圧し、これによって溶媒や原料を供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１００Ｃに送り出し、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃによって制御された所定量がそれぞれ原料混合部１１３に導入される。原料混合部１１３では、キャリアガスが流量制御器１１２によって制御されて送られてくるため、原料混合部１１３では原料がキャリアガスによって搬送され、気液混合状態で原料供給ライン１１０Ｓに送り出される。このようにして原料供給ライン１１０Ｓに送り出された原料は気化器１２０の噴霧ノズル１２０Ｆで噴霧され、気化器１２０の内部で気化されることにより原料ガスが生成され、この原料ガスは原料ガス供給ライン１２０Ｓに送り出される。   First, an outline of the operation of the apparatus when performing a normal film forming process will be described. In a normal film forming process, the on-off valves Xk, Xl, Xm, Ak, Al, An, Ao, Bk, Bl, Bn, Bo, Ck, Cl, Cn, Co, 117 are used in the raw material supply unit 110 shown in FIG. , 118, 119 are closed, all other valves are opened, and the insides of the solvent containers Xb, Ab, Bb, Cb are pressurized via the pressurized gas lines Xa, Aa, Ba, Ca, whereby the solvent and the raw material are removed. The predetermined amounts controlled by the flow rate controllers Xc, Ac, Bc, and Cc are introduced into the raw material mixing unit 113, respectively, sent to the supply lines 110X, 110A, 110B, and 100C. In the raw material mixing unit 113, the carrier gas is controlled and sent by the flow rate controller 112. Therefore, in the raw material mixing unit 113, the raw material is conveyed by the carrier gas and sent out to the raw material supply line 110S in a gas-liquid mixed state. The raw material sent to the raw material supply line 110S in this way is sprayed by the spray nozzle 120F of the vaporizer 120, and is vaporized inside the vaporizer 120 to generate a raw material gas. The raw material gas is supplied to the raw material gas supply line. Sent to 120S.

成膜前（待機期間）においては、上記の原料ガスは原料ガス供給ライン１２０Ｓからバイパス排気ライン１４０Ｂを経て排気装置１４５へ排気される。原料ガスの生成状態が安定する（或いは成膜室１３０の準備が完了する）と、バイパス排気ライン１４０Ｂが閉鎖され、ガス導入弁１２１が開いて成膜室１３０に原料ガスが導入される（成膜期間）。成膜室１３０では、予めキャリアライン１２３からその後導入されるべき原料ガスに対応する量のキャリアガスが導入された状態で上記自動圧力調整手段によって所定の圧力に設定されており、原料ガスが導入された時点でキャリアガスが停止若しくはその流量が低減されることで、成膜室１３０内の圧力も維持されるようになっている。この原料ガスは、必要に応じて導入される反応ガス（上記反応ガスライン１２２によって供給されるガス）とともにガス導入部１３１からサセプタ１３２上の基板Ｗに向けて流れ、所定の反応によって基板Ｗ上において成膜が行われる。   Before film formation (standby period), the source gas is exhausted from the source gas supply line 120S to the exhaust device 145 via the bypass exhaust line 140B. When the generation state of the source gas is stabilized (or the preparation of the film formation chamber 130 is completed), the bypass exhaust line 140B is closed, the gas introduction valve 121 is opened, and the source gas is introduced into the film formation chamber 130 (the formation gas). Membrane period). In the film forming chamber 130, a predetermined pressure is set by the automatic pressure adjusting means in a state where a carrier gas in an amount corresponding to a raw material gas to be introduced from the carrier line 123 is introduced in advance, and the raw material gas is introduced. At this point, the carrier gas is stopped or its flow rate is reduced, so that the pressure in the film forming chamber 130 is also maintained. This source gas flows from the gas introduction part 131 toward the substrate W on the susceptor 132 together with the reaction gas introduced as necessary (the gas supplied by the reaction gas line 122), and on the substrate W by a predetermined reaction. Film formation is performed in step (b).

基板Ｗに対する成膜処理が完了すると、原料ガス及び反応ガスを停止し、成膜室１３０内を排気して（待機期間）、成膜室１３０からの基板Ｗの搬出が行われる。その後、成膜室１３０に新たな基板の搬入が行われ、成膜室１３０の内圧が所定の圧力に設定されると、再び上記と同様の手順で成膜処理が行われる。   When the film formation process for the substrate W is completed, the source gas and the reaction gas are stopped, the inside of the film formation chamber 130 is exhausted (standby period), and the substrate W is carried out of the film formation chamber 130. Thereafter, when a new substrate is carried into the film forming chamber 130 and the internal pressure of the film forming chamber 130 is set to a predetermined pressure, the film forming process is performed again in the same procedure as described above.

なお、上記のように原料ガスが成膜室１３０又はバイパス排気ライン１４０Ｂに供給されている期間以外の期間（原料供給停止期間）においても、本実施形態では、原料ガス供給ライン１２０Ｓや成膜室１３０の清浄性を維持し、原料ガス供給ライン１２０Ｓや成膜室１３０における脱ガス等による汚染を防止し、或いは、成膜室１３０内のコンディションを維持するために、原料ガス供給ライン１２０Ｓや成膜室１３０に不活性ガス（キャリアガス）を流し、主排気ライン１４０Ａやバイパス排気ライン１４０Ｂを介して排気装置１４５により排気を続ける。このときの不活性ガス（キャリアガス）は、キャリアライン１２０Ｅや１２３などから供給される。   In the present embodiment, the source gas supply line 120S and the film forming chamber are also used in a period other than the period in which the source gas is supplied to the film forming chamber 130 or the bypass exhaust line 140B (the raw material supply stop period) as described above. In order to maintain the cleanliness of 130, prevent contamination due to degassing in the source gas supply line 120S and the film formation chamber 130, or maintain the condition in the film formation chamber 130, the source gas supply line 120S An inert gas (carrier gas) is allowed to flow through the membrane chamber 130, and exhaust is continued by the exhaust device 145 via the main exhaust line 140A and the bypass exhaust line 140B. The inert gas (carrier gas) at this time is supplied from the carrier lines 120E and 123.

一方、この装置では、定期的に、或いは、不定期に、原料供給部１１０のメンテナンス作業を行う必要がある。このメンテナンス作業では、主に溶媒や原料の交換や補充、及び、配管の洗浄などを行う。メンテナンス作業においては、上記のメンテナンス目的を達成するために、原料供給部１１０の真空引き工程、ガスパージ工程、及び、溶剤洗浄工程が、適宜の組合せで行われる。例えば、真空引き工程後にガスパージ工程を行って配管系を開放可能としたり、配管系の開放後に真空引き工程とガスパージ工程とを交互に繰り返して大気を排除したり、或いは、溶剤洗浄後にガスパージ工程を行って溶剤を排除したり、といった具合である。   On the other hand, in this apparatus, it is necessary to perform maintenance work of the raw material supply unit 110 regularly or irregularly. In this maintenance work, mainly replacement and replenishment of solvents and raw materials, cleaning of piping, and the like are performed. In the maintenance work, in order to achieve the above maintenance purpose, the evacuation process, the gas purge process, and the solvent cleaning process of the raw material supply unit 110 are performed in an appropriate combination. For example, it is possible to open the piping system by performing a gas purging process after the evacuation process, to eliminate the atmosphere by alternately repeating the evacuation process and the gas purging process after opening the piping system, or to perform the gas purging process after solvent cleaning. And so on to eliminate solvents.

真空引き工程では、例えば、開閉弁１１５、Ｘｇ，Ｘｈ，Ａｇ，Ａｈ，Ａｏ，Ｂｇ，Ｂｈ，Ｂｏ，Ｃｇ，Ｃｈ，Ｃｏ，１１１及び１１４を閉鎖し、他の弁を全て開放して、加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａ、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ及び原料混合部１１３を、排気ライン１１０Ｄ及びバイパスライン１１６を経た後にドレンタンクＤ及び原料供給部排気ライン１４０Ｃを介して排気装置１４５により排気する。   In the evacuation process, for example, the on-off valve 115, Xg, Xh, Ag, Ah, Ao, Bg, Bh, Bo, Cg, Ch, Co, 111, and 114 are closed, and all other valves are opened, and the addition is performed. The pressure lines Xa, Aa, Ba, Ca, the supply lines 110X, 110A, 110B, 110C and the raw material mixing part 113 are exhausted through the drain tank D and the raw material supply part exhaust line 140C after passing through the exhaust line 110D and the bypass line 116. Exhaust by device 145.

ガスパージ工程では、例えば、開閉弁Ｘｇ，Ｘｈ，Ａｇ，Ａｈ，Ａｏ，Ｂｇ，Ｂｈ，Ｂｏ，Ｃｇ，Ｃｈ，Ｃｏ，１１１及び１１４を閉鎖し、他の弁を全て開放して、開閉弁１１５を介して加圧ガスを加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａから供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃへ送り、供給ラインから排気ライン１１０Ｄを経る経路と、供給ラインから原料混合部１１３及びバイパスライン１１６を経る経路の双方に加圧ガスを流し、ドレンタンクＤ及び原料供給部排気ライン１４０Ｃを介して排気装置１４５により排気する。   In the gas purge process, for example, the on-off valves Xg, Xh, Ag, Ah, Ao, Bg, Bh, Bo, Cg, Ch, Co, 111 and 114 are closed, all other valves are opened, and the on-off valve 115 is opened. Through the pressurized lines Xa, Aa, Ba, and Ca to the supply lines 110X, 110A, 110B, and 110C, the path from the supply line through the exhaust line 110D, and the raw material mixing unit 113 and the bypass line from the supply line The pressurized gas is supplied to both the paths passing through 116 and exhausted by the exhaust device 145 via the drain tank D and the raw material supply unit exhaust line 140C.

溶剤洗浄工程では、例えば、開閉弁Ｘｋ，Ｘｌ，Ａｆ，Ａｇ，Ａｈ，Ａｌ，Ａｏ，Ｂｆ，Ｂｇ，Ｂｈ，Ｂｌ，Ｂｏ，Ｃｆ，Ｃｇ，Ｃｈ，Ｃｌ，Ｃｏ，１１１及び１１４を閉鎖し、他の弁を全て開放して、加圧ラインＸａから溶媒容器Ｘｂに加圧ガスを供給し、溶媒容器Ｘｂから有機溶媒を供給ライン１１０Ｘ並びに加圧ラインＡａ，Ｂａ，Ｃａ及び供給ライン１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃに流し、さらに、これらから原料混合部１１３、及び、バイパスライン１１６を経てドレンタンクＤに流すようにする。   In the solvent cleaning step, for example, the on-off valves Xk, Xl, Af, Ag, Ah, Al, Ao, Bf, Bg, Bh, Bl, Bo, Cf, Cg, Ch, Cl, Co, 111 and 114 are closed, All other valves are opened, pressurized gas is supplied from the pressurization line Xa to the solvent container Xb, organic solvent is supplied from the solvent container Xb to the supply line 110X, pressurization lines Aa, Ba, Ca and supply lines 110A, 110B. , 110C, and from there through the raw material mixing section 113 and the bypass line 116, the liquid is allowed to flow into the drain tank D.

また、上記のように配管系が真空引きされたり、ガスパージされたり、有機溶媒により洗浄されたりした状態から供給ライン及び原料混合部を液体で満たすための液置換工程を行う場合がある。この液置換工程では、例えば、Ｘｋ，Ｘｌ，Ｘｍ，Ａｋ，Ａｌ，Ａｎ，Ａｏ，Ｂｋ，Ｂｌ，Ｂｎ，Ｂｏ，Ｃｋ，Ｃｌ，Ｃｎ，Ｃｏ，１１１及び１１４を閉鎖し、他の弁を全て開放して、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ及び原料混合部１１３に有機溶媒及び液体原料を供給し、バイパスライン１１６を介してドレンタンクＤへ流すことで、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃ及び原料混合部１１３を有機溶媒及び液体原料で満たす。   Further, there is a case where a liquid replacement step for filling the supply line and the raw material mixing section with a liquid is performed from a state where the piping system is evacuated, gas purged, or washed with an organic solvent as described above. In this liquid replacement step, for example, Xk, Xl, Xm, Ak, Al, An, Ao, Bk, Bl, Bn, Bo, Ck, Cl, Cn, Co, 111 and 114 are closed, and all other valves are closed. The organic solvent and the liquid raw material are supplied to the supply lines 110X, 110A, 110B, and 110C and the raw material mixing unit 113, and are supplied to the drain tank D through the bypass line 116, thereby supplying the supply lines 110X, 110A, 110B, 110C and the raw material mixing part 113 are filled with an organic solvent and a liquid raw material.

上記のような原料供給部１１０のメンテナンス作業時においては、特に、上述のガスパージ工程において大量のパージガスが原料供給部排気ライン１４０Ｃを経て排気装置１４５に流れ込む。このとき、本実施形態では、上記の原料停止期間においても成膜室１３０への不活性ガス（キャリアガス）の供給及び主排気ライン１４０Ａを介した排気が行われている。したがって、この大量のパージガスの一部が主排気ライン１４０Ａ（及びバイパス排気ライン１４０Ｂ）を逆流し、成膜室１３０（及び気化器１２０）を汚染する可能性がある。特に、主排気ライン１４０Ａ（及びバイパス排気ライン１４０Ｂ）には排気トラップ１４３（及び１４７）が設けられているので、排気トラップ１４３（及び１４７）にトラップされた堆積物の一部が巻き上げられ、パージガスとともに逆流して成膜室１３０（及び気化器１２０）の内部にパーティクルとして混入する可能性がある。このような汚染は、成膜室１３０で行われる成膜処理における膜質の低下や均一性の悪化をもたらす。   During the maintenance operation of the raw material supply unit 110 as described above, a large amount of purge gas flows into the exhaust device 145 through the raw material supply unit exhaust line 140C, particularly in the gas purge process described above. At this time, in the present embodiment, the supply of the inert gas (carrier gas) to the film forming chamber 130 and the exhaust through the main exhaust line 140A are performed even during the raw material stop period. Therefore, a part of this large amount of purge gas may flow back through the main exhaust line 140A (and the bypass exhaust line 140B) and contaminate the film forming chamber 130 (and the vaporizer 120). Particularly, since the main exhaust line 140A (and the bypass exhaust line 140B) is provided with the exhaust trap 143 (and 147), a part of the deposit trapped in the exhaust trap 143 (and 147) is rolled up, and the purge gas At the same time, it may flow backward and be mixed as particles inside the film forming chamber 130 (and the vaporizer 120). Such contamination results in deterioration of film quality and deterioration of uniformity in the film forming process performed in the film forming chamber 130.

上記メンテナンス作業時或いはそのガスパージ工程を行う期間（ガスパージ工程のうちの或る程度以上の大量のパージガスが原料供給部排気ライン１４０Ｃに流れる期間のみであってもよい。）は、共通の排気装置１４５が、主排気ライン１４０Ａを介して成膜室１３０を排気するとともに、原料供給部排気ライン１４０Ｃを介して原料供給部１１０を排気する期間であるので、以下、「並行排気期間」という。本実施形態では、上記の逆流現象を防止或いは低減するために、上記の並行排気期間において、成膜室１３０に流れるガス流量と、成膜室１３０の内圧の少なくとも一方を所定の値に設定するようにしている。具体的には、成膜室１３０へ流れるガス流量を増加させるか、或いは、成膜室１３０の圧力を増大させる。   The common exhaust device 145 is used for the maintenance operation or the period during which the gas purge process is performed (only a period during which a large amount of purge gas of a certain amount or more in the gas purge process flows in the raw material supply unit exhaust line 140C). However, since this is a period in which the film forming chamber 130 is exhausted through the main exhaust line 140A and the raw material supply unit 110 is exhausted through the raw material supply unit exhaust line 140C, this is hereinafter referred to as a “parallel exhaust period”. In the present embodiment, in order to prevent or reduce the backflow phenomenon, at least one of the flow rate of gas flowing into the film forming chamber 130 and the internal pressure of the film forming chamber 130 is set to a predetermined value during the parallel exhaust period. I am doing so. Specifically, the flow rate of gas flowing into the film formation chamber 130 is increased, or the pressure in the film formation chamber 130 is increased.

本実施形態では、上述の並行排気期間において、成膜室１３０へ供給されるガス流量と、成膜室１３０の内圧のうちの少なくともいずれか一方を、原料供給部排気ライン１４０Ｃを通して排気されるパージガスの有無によって成膜室１３０の内圧が実質的に変化しないように設定或いは制御することが望ましい。もちろん、後述するように、上記ガス流量と内圧の双方を設定或いは制御することがさらに望ましい。具体的には、並行排気期間の前の値よりもガス流量と内圧のいずれか一方の設定値を高める。すなわち、ガス流量を増大させるか、成膜室１３０の内圧を増大させるか、双方を増大させるか、或いは、成膜室１３０の内圧が上記パージガスの有無にも拘らず実質的に一定になるように上記自動圧力調整手段などにより制御する。ただし、成膜室１３０の内圧を制御しようとする場合には、ガス流量及びパージガス量と排気装置１４５の排気能力との関係により、当該内圧設定値が或る程度高くないと圧力調整弁１４１が全開状態となり、後述するように実際には成膜室１３０の圧力を制御することができなくなるケースがある。   In the present embodiment, during the above-described parallel exhaust period, at least one of the gas flow rate supplied to the film forming chamber 130 and the internal pressure of the film forming chamber 130 is purged gas exhausted through the raw material supply unit exhaust line 140C. It is desirable to set or control so that the internal pressure of the film forming chamber 130 does not substantially change depending on the presence or absence of the film. Of course, as described later, it is more desirable to set or control both the gas flow rate and the internal pressure. Specifically, the set value of either the gas flow rate or the internal pressure is set higher than the value before the parallel exhaust period. That is, the gas flow rate is increased, the internal pressure of the film formation chamber 130 is increased, or both are increased, or the internal pressure of the film formation chamber 130 is substantially constant regardless of the presence or absence of the purge gas. Control is performed by the automatic pressure adjusting means. However, when the internal pressure of the film forming chamber 130 is to be controlled, the pressure regulating valve 141 must be set so that the internal pressure set value is not high to some extent due to the relationship between the gas flow rate and purge gas amount and the exhaust capacity of the exhaust device 145. In some cases, the pressure in the film forming chamber 130 cannot be controlled as described later.

なお、本発明では、上記のように原料供給部排気ライン１４０Ｃを通して排気されるパージガスの有無によって成膜室１３０の内圧が実質的に変化しないように設定或いは制御されていなくても、パージガスの成膜室１３０への逆流を防止することが可能である。この場合には、上記のガス流量と内圧の少なくとも一方に関して予めパージガスの逆流が起こらない条件を調べておき、この条件を満たすようにガス流量と内圧の少なくとも一方を設定したり制御したりする。   In the present invention, the purge gas can be generated even if the internal pressure of the film forming chamber 130 is not set or controlled so as not to substantially change depending on the presence or absence of the purge gas exhausted through the raw material supply unit exhaust line 140C as described above. It is possible to prevent backflow into the membrane chamber 130. In this case, the conditions under which the backflow of the purge gas does not occur in advance with respect to at least one of the gas flow rate and the internal pressure are examined in advance, and at least one of the gas flow rate and the internal pressure is set or controlled to satisfy this condition.

上記ガス流量と圧力の設定或いは制御は、例えば、上記動作プログラムの動作パラメータを設定しておくことで、並行排気期間において自動的に装置により行われるように構成されることが好ましい。ただし、現場において作業者が適宜に上記ガス流量と圧力の少なくとも一方を設定するようにしてもよく、或いは、上記動作プログラム等により、制御部１００Ｘが自動的にパージガスの逆流が起こらない条件（好ましくはパージガスの有無で成膜室１３０の圧力が実質的に変動しない条件）で上記ガス流量と圧力の少なくとも一方の設定値を求める（算出する）ことができるように構成されていてもよい。   The setting or control of the gas flow rate and pressure is preferably configured to be automatically performed by the apparatus during the parallel exhaust period, for example, by setting operation parameters of the operation program. However, an operator may appropriately set at least one of the gas flow rate and the pressure at the site, or the control unit 100X may automatically set a purge gas backflow condition (preferably by the operation program or the like). May be configured such that the set value of at least one of the gas flow rate and the pressure can be obtained (calculated) under the condition that the pressure in the film forming chamber 130 does not substantially vary with or without the purge gas.

なお、本実施形態において、成膜室１３０へ供給されるガス流量を増加させるために、上記バイパス排気ライン１４０Ｂを遮断しておくことが好ましい。ただし、バイパス排気ライン１４０Ｂのコンダクタンスが成膜室１３０を経由するルートに較べて小さい場合には、バイパス排気ライン１４０Ｂを開放しておいても構わない。いずれの場合でも、本実施形態では、成膜室１３０へのパージガスの逆流を抑制し、成膜室１３０の汚染を防止できる。また、本実施形態の気化器１２０においても、上記と同様の汚染を防止することができる。   In the present embodiment, it is preferable to shut off the bypass exhaust line 140B in order to increase the flow rate of the gas supplied to the film forming chamber 130. However, when the conductance of the bypass exhaust line 140B is smaller than that of the route passing through the film forming chamber 130, the bypass exhaust line 140B may be opened. In any case, in this embodiment, the backflow of the purge gas to the film forming chamber 130 can be suppressed, and contamination of the film forming chamber 130 can be prevented. Moreover, also in the vaporizer | carburetor 120 of this embodiment, the same contamination as the above can be prevented.

［実施例］
図３は、上記並行排気期間において、圧力調整弁１４１の制御を行わず、その弁開度を全開にした状態（自動圧力調整手段の圧力設定値を０にした状態）で行った、原料供給部１１０の排気（Ｈｅガス）の逆流量の検出実験の結果を示すグラフである。ここで、成膜室１３０にはキャリアガスとしてＡｒを流し、原料供給部１１０からはパージガスとしてＨｅを流し、成膜室１３０と圧力調整弁１４１の間にＨｅリークディテクタを接続して、Ｈｅリーク量を検出した。なお、並行排気期間（ガスパージ工程）においては、図２に示す圧力計Ｐ２の検出値（Ｈｅ圧力値）は約２４０ｋＰａとなっていた。ガスパージ量は１００〜１０００ｓｃｃｍ程度である。また、排気装置１４５の排気能力は１００００Ｌ／分であった。図３の横軸は成膜室１３０へ流したＡｒガスの総流量を示し、縦軸はＨｅリークディテクタのＨｅ検出値を示している。図中黒丸が並行排気期間のデータであり、図中白丸はメンテナンス作業時以外の原料停止期間（アイドリング期間）のデータである。 [Example]
FIG. 3 shows the raw material supply performed in a state where the pressure adjustment valve 141 is not controlled and the valve opening degree is fully opened (the pressure setting value of the automatic pressure adjustment means is 0) during the parallel exhaust period. 6 is a graph showing a result of an experiment for detecting a reverse flow rate of exhaust gas (He gas) of a section 110. Here, Ar is supplied as a carrier gas to the film forming chamber 130, He is supplied as a purge gas from the raw material supply unit 110, and a He leak detector is connected between the film forming chamber 130 and the pressure regulating valve 141. The amount was detected. In the parallel exhaust period (gas purge process), the detected value (He pressure value) of the pressure gauge P2 shown in FIG. 2 was about 240 kPa. The gas purge amount is about 100 to 1000 sccm. The exhaust capacity of the exhaust device 145 was 10,000 L / min. The horizontal axis in FIG. 3 represents the total flow rate of Ar gas flowing into the film forming chamber 130, and the vertical axis represents the He detection value of the He leak detector. Black circles in the figure are data for the parallel exhaust period, and white circles in the figure are data for the raw material stop period (idling period) other than during maintenance work.

本実施形態では、上記原料停止期間における成膜室１３０へのＡｒガスの流量は５００ｓｃｃｍであるが、並行排気期間では、そのガス流量を増加させた。このとき、ガス流量が１８００ｓｃｃｍを越えるとＨｅリーク量はほとんど測定されなくなった。このように、本実施形態では、成膜室１３０に流れるガス流量を増大させることで、原料供給部排気ライン１４０Ｃの排気の逆流を抑制できる。   In this embodiment, the flow rate of Ar gas into the film forming chamber 130 during the raw material stop period is 500 sccm, but during the parallel exhaust period, the gas flow rate is increased. At this time, when the gas flow rate exceeded 1800 sccm, the amount of He leak was hardly measured. As described above, in the present embodiment, the backflow of the exhaust gas in the raw material supply unit exhaust line 140C can be suppressed by increasing the flow rate of the gas flowing into the film forming chamber 130.

図４は、図３に示す測定時における成膜室１３０の内圧と、Ａｒガスの流量との関係を示すグラフである。ここでも、図中黒丸が並行排気期間のデータであり、図中白丸はメンテナンス作業時以外の原料停止期間のデータである。このように、並行排気期間における成膜室１３０の圧力は、当該期間以外の期間、すなわち、原料供給部排気ライン１４０Ｃに大量のパージガスが流れていない期間よりも大幅に増大している。これは、上記パージガスの存在により排気装置１４５の排気能力が限界にきていることを示す。つまり、上記のように成膜室１３０へ流れるガス流量を増加させると、パージガスの逆流を抑制することは可能であるものの、排気装置１４５の排気能力への負担が増大する。したがって、成膜室１３０の汚染を防止するためには、排気装置１４５の排気能力を増大させることが必要になるとともに、成膜室１３０へ大量のキャリアガスを供給する必要があるため、現実には必ずしも容易ではない。   FIG. 4 is a graph showing the relationship between the internal pressure of the film forming chamber 130 and the flow rate of Ar gas during the measurement shown in FIG. Again, the black circles in the figure are data for the parallel exhaust period, and the white circles in the figure are data for the raw material stop period other than during maintenance work. As described above, the pressure in the film forming chamber 130 during the parallel exhaust period is significantly higher than the period other than the period, that is, the period when a large amount of purge gas does not flow through the raw material supply unit exhaust line 140C. This indicates that the exhaust capability of the exhaust device 145 has reached its limit due to the presence of the purge gas. That is, when the flow rate of the gas flowing into the film formation chamber 130 is increased as described above, the backflow of the purge gas can be suppressed, but the burden on the exhaust capability of the exhaust device 145 increases. Therefore, in order to prevent the film formation chamber 130 from being contaminated, it is necessary to increase the exhaust capacity of the exhaust device 145 and to supply a large amount of carrier gas to the film formation chamber 130. Is not always easy.

図５は、成膜室１３０へのガス流量を８００ｓｃｃｍで固定し、成膜室１３０の内圧に関する自動圧力調整手段の圧力設定値を変えて上記と同様の実験を行った場合の、原料供給部排気ライン１４０Ｃに流れるパージガスの有無によるＨｅ検出値の差を示す。ここで、他の条件は図３に示すものと同様である。これによれば、成膜室１３０の設定圧力が５３３Ｐａ（このときの測定圧力は６６３Ｐａ）以上でパージガスの有無によるＨｅ検出値の差がなくなっている。したがって、この範囲では、少なくともパージガスの逆流は発生していないものと考えられる。   FIG. 5 shows a raw material supply unit when an experiment similar to the above is performed by fixing the gas flow rate to the film forming chamber 130 at 800 sccm and changing the pressure setting value of the automatic pressure adjusting means related to the internal pressure of the film forming chamber 130. The difference of the He detection value by the presence or absence of the purge gas which flows into the exhaust line 140C is shown. Here, other conditions are the same as those shown in FIG. According to this, when the set pressure of the film forming chamber 130 is 533 Pa (measured pressure at this time is 663 Pa) or more, there is no difference in the He detection value depending on the presence or absence of the purge gas. Therefore, in this range, it is considered that at least the backflow of the purge gas is not generated.

図６は、パージガスの有無別に成膜室１３０の内圧を示す。このグラフでわかるように、設定圧力が６５０Ｐａ以上では、パージガスの有無による成膜室１３０の圧力差が発生していないため、自動圧力調整手段による圧力制御が行われている。このように、圧力調整弁１４１による成膜室１３０の内圧の制御が行われている範囲、すなわち、成膜室１３０の内圧を６５０Ｐａ以上に設定しているときには、上記のようにパージガスの逆流は発生していない。ただし、成膜室１３０の内圧の経時変化やパージガス量の時間変動を考慮すると、成膜室１３０の内圧を７５２Ｐａ以上とすることがより望ましい。なお、図５に示すように設定圧力が４００Ｐａでは上記Ｈｅ検出値の差が生じているが、図６に示すように、パージガスが下流側において原料供給部排気ライン１４０Ｃから流入している際には設定圧力よりも成膜室１３０の内圧が大幅に高くなっているため、Ｈｅリークディテクタの検出値の差がパージガスの逆流に起因するものではなく、ディテクタ検出部の圧力上昇に起因している可能性がある。   FIG. 6 shows the internal pressure of the film forming chamber 130 depending on the presence or absence of the purge gas. As can be seen from this graph, when the set pressure is 650 Pa or higher, there is no pressure difference in the film forming chamber 130 due to the presence or absence of the purge gas, and therefore pressure control is performed by the automatic pressure adjusting means. Thus, when the internal pressure of the film formation chamber 130 is controlled by the pressure regulating valve 141, that is, when the internal pressure of the film formation chamber 130 is set to 650 Pa or more, the reverse flow of the purge gas is as described above. It has not occurred. However, it is more desirable to set the internal pressure of the film formation chamber 130 to 752 Pa or higher in consideration of the change over time in the internal pressure of the film formation chamber 130 and the time variation of the purge gas amount. As shown in FIG. 5, the difference in the He detection value occurs when the set pressure is 400 Pa. However, as shown in FIG. 6, when the purge gas flows from the raw material supply unit exhaust line 140C on the downstream side. Since the internal pressure of the film forming chamber 130 is significantly higher than the set pressure, the difference in the detection value of the He leak detector is not caused by the backflow of the purge gas, but is caused by an increase in the pressure of the detector detection unit. there is a possibility.

図７は、自動圧力調整手段により圧力調整弁１４１の弁開度を制御し、成膜室１３０の内圧を８００Ｐａに設定した状態で、上記と同様の実験を行ったときの原料供給部排気ライン１４０Ｃに流れるパージガスの有無によるＨｅ検出値の差を示す。ここで、他の条件は図３に示すものと同様である。この例では、ガス流量を８００ｓｃｃｍに高めるだけで、パージガスの逆流は全く検出されなくなっている。このように成膜室１３０の内圧を高く設定する（圧力調整弁１４１の弁開度を小さくする）と、成膜室１３０に供給されるガス流量が比較的低くても、パージガスの逆流を完全に防止できることがわかる。   FIG. 7 shows the raw material supply section exhaust line when an experiment similar to the above is performed in a state where the opening degree of the pressure regulating valve 141 is controlled by the automatic pressure regulating means and the internal pressure of the film forming chamber 130 is set to 800 Pa. The difference of the He detection value by the presence or absence of the purge gas which flows into 140C is shown. Here, other conditions are the same as those shown in FIG. In this example, the reverse flow of the purge gas is not detected at all by simply increasing the gas flow rate to 800 sccm. As described above, when the internal pressure of the film forming chamber 130 is set high (the valve opening degree of the pressure adjusting valve 141 is reduced), the backflow of the purge gas is completely prevented even if the gas flow rate supplied to the film forming chamber 130 is relatively low. It can be seen that it can be prevented.

図８は、図７に示す実験における成膜室１３０の内圧とガス流量との関係を示す。このグラフからわかるように、パージガスの逆流が防止されている領域では、原料供給部排気ライン１４０Ｃのパージガスがあってもなくても、成膜室１３０の内圧が実質的に変化していないことがわかる。これは、成膜室１３０の排気状態が、下流側で原料供給部排気ライン１４０Ｃから流入するパージガスの有無によって影響を受けていないことを示している。したがって、このような状態にあれば、成膜室１３０へのパージガスの逆流は全く発生しない。   FIG. 8 shows the relationship between the internal pressure of the film forming chamber 130 and the gas flow rate in the experiment shown in FIG. As can be seen from this graph, in the region where the backflow of the purge gas is prevented, the internal pressure of the film forming chamber 130 is not substantially changed regardless of the presence of the purge gas in the raw material supply unit exhaust line 140C. Recognize. This indicates that the exhaust state of the film forming chamber 130 is not affected by the presence or absence of purge gas flowing from the raw material supply unit exhaust line 140C on the downstream side. Therefore, in such a state, the backflow of the purge gas to the film forming chamber 130 does not occur at all.

図９は、原料供給部１１０のメンテナンス期間における成膜室１３０の内圧の経時変化を示すグラフである。本実施例では、自動圧力調整手段により成膜室１３０の内圧を１０６７Ｐａに設定し、成膜室１３０へ流れるガス流量を１６００ｓｃｃｍとした。これによると、メンテナンス作業による成膜室１３０の内圧の変動は全く存在せず、原料供給部排気ライン１４０Ｃからのパージガスの流入が影響を与えていないことがわかる。一方、自動圧力調整手段による制御を行わず、圧力調整弁１４１を全開とし、成膜室１３０へのガス流量を５００ｓｃｃｍに設定した比較例では、メンテナンス期間において成膜室１３０の内圧が大きく変動することがわかる。ここで、上記メンテナンス期間のうち、図示のピークの現れている期間が原料供給部排気ライン１４０Ｃを介して大量のパージガスが排気されている期間（ガスパージ期間或いは上記の並行排気期間）に相当する。なお、図９では、メンテナンス期間以外（前後）の期間においても成膜室の圧力がメンテナンス期間と同じであるが、図示点線で示すように、メンテナンス期間以外の期間では比較例と同様にするなど、圧力を低下させることが好ましい。また、成膜室へ供給されるガス流量に関しても、メンテナンス期間以外（前後）の期間の流量をメンテナンス期間の流量よりも低下させることが好ましい。   FIG. 9 is a graph showing the change over time in the internal pressure of the film forming chamber 130 during the maintenance period of the raw material supply unit 110. In this embodiment, the internal pressure of the film forming chamber 130 is set to 1067 Pa by the automatic pressure adjusting means, and the flow rate of the gas flowing into the film forming chamber 130 is 1600 sccm. According to this, it can be seen that there is no fluctuation in the internal pressure of the film forming chamber 130 due to the maintenance work, and the inflow of the purge gas from the raw material supply unit exhaust line 140C has no influence. On the other hand, in the comparative example in which the pressure control valve 141 is fully opened and the gas flow rate to the film forming chamber 130 is set to 500 sccm without performing control by the automatic pressure adjusting means, the internal pressure of the film forming chamber 130 varies greatly during the maintenance period. I understand that. Here, in the maintenance period, the period in which the peak is shown corresponds to the period during which a large amount of purge gas is exhausted through the raw material supply unit exhaust line 140C (gas purge period or the above-described parallel exhaust period). In FIG. 9, the pressure in the film forming chamber is the same as that in the maintenance period in the periods other than the maintenance period (before and after), but as shown by the dotted line in the drawing, the pressure is the same as that in the comparative example in the periods other than the maintenance period. It is preferable to reduce the pressure. Further, regarding the flow rate of the gas supplied to the film formation chamber, it is preferable that the flow rate during the periods other than the maintenance period (before and after) be lower than the flow rate during the maintenance period.

［第２実施形態］
次に、図１０を参照して、本発明に係る半導体製造装置（成膜装置）及びそのメンテナンス方法の第２実施形態について説明する。この実施形態では、上記第１実施形態と基本的に同様の装置及びメンテナンス方法を用いるので、図１０において同様の部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus (film forming apparatus) and the maintenance method thereof according to the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, since the same apparatus and maintenance method as those in the first embodiment are used, the same reference numerals are given to the same parts in FIG. 10 and their descriptions are omitted.

この実施形態では、排気部１４０′において、原料供給部排気ライン１４０Ｃ′が主排気ライン１４０Ａに合流するのではなく、２段直列構成の排気装置１４５における初段部分１４５Ａと次段部分１４５Ｂの間に接続される点で、上記第１実施形態と異なる。このように構成すると、原料供給部排気ライン１４０Ｃ′から流れ込むパージガスが直接主排気ライン１４０Ａに逆流することがなくなるので、主排気ライン１４０Ａへのパージガスの逆流をより抑制することができる。原料供給部排気ライン１４０Ｃ′から流入するパージガスは基本的に次段部分１４５Ｂによって排気され、初段部分１４５Ａの下流側の圧力が上昇するため、排気装置１４５の排気能力が低下する可能性はあるが、パージガスの逆流に関しては第１実施形態よりもさらに抑制されると考えられる。   In this embodiment, in the exhaust part 140 ′, the raw material supply part exhaust line 140C ′ does not merge with the main exhaust line 140A, but between the first stage part 145A and the next stage part 145B in the exhaust device 145 having a two-stage series configuration. It is different from the first embodiment in that it is connected. With this configuration, the purge gas flowing from the raw material supply unit exhaust line 140C ′ does not directly flow back to the main exhaust line 140A, so that the backflow of the purge gas to the main exhaust line 140A can be further suppressed. The purge gas flowing in from the raw material supply section exhaust line 140C ′ is basically exhausted by the next stage portion 145B, and the pressure on the downstream side of the first stage portion 145A is increased, so that the exhaust capacity of the exhaust device 145 may be reduced. It is considered that the backflow of the purge gas is further suppressed as compared with the first embodiment.

尚、本発明の半導体製造装置及びそのメンテナンス方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。   The semiconductor manufacturing apparatus and the maintenance method thereof according to the present invention are not limited to the illustrated examples described above, and it is needless to say that various changes can be made without departing from the gist of the present invention.

本発明に係る第１実施形態の半導体製造装置（成膜装置）の全体構成を示す概略構成図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic block diagram which shows the whole structure of the semiconductor manufacturing apparatus (film-forming apparatus) of 1st Embodiment which concerns on this invention. 第１実施形態の原料供給部の内部構成例を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the internal structural example of the raw material supply part of 1st Embodiment. 第１実施形態におけるＨｅ検出値と、成膜室へのガス流量との関係をパージガスの有無で比較して示すグラフ。The graph which shows the relationship between the He detection value in 1st Embodiment, and the gas flow rate to the film-forming chamber by comparing with the presence or absence of purge gas. 第１実施形態における成膜室の内圧と、成膜質へのガス流量との関係をパージガスの有無で比較して示すグラフ。The graph which shows the relationship between the internal pressure of the film-forming chamber in 1st Embodiment, and the gas flow rate to film-forming quality by the presence or absence of purge gas. 第１実施形態におけるＨｅ検出値のパージガスの有無による差と、自動圧力調整手段による設定圧力との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the difference by the presence or absence of purge gas of He detection value in 1st Embodiment, and the setting pressure by an automatic pressure adjustment means. 第１実施形態における成膜室の内圧と、自動圧力調整手段による設定圧力との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the internal pressure of the film-forming chamber in 1st Embodiment, and the setting pressure by an automatic pressure adjustment means. 第１実施形態におけるＨｅ検出値のパージガスの有無による差と、成膜室へのガス流量との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the difference by the presence or absence of the purge gas of He detection value in 1st Embodiment, and the gas flow rate to the film-forming chamber. 第１実施形態における成膜室の内圧と、成膜室へのガス流量との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the internal pressure of the film-forming chamber in 1st Embodiment, and the gas flow rate to the film-forming chamber. 第１実施形態におけるメンテナンス期間の成膜室の内圧変化を比較例とともに示すグラフ。The graph which shows the internal pressure change of the film-forming chamber of the maintenance period in 1st Embodiment with a comparative example. 第２実施形態の半導体製造装置（成膜装置）の全体構成を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the whole structure of the semiconductor manufacturing apparatus (film-forming apparatus) of 2nd Embodiment. 従来の半導体製造装置（成膜装置）の全体構成を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the whole structure of the conventional semiconductor manufacturing apparatus (film-forming apparatus).

符号の説明Explanation of symbols

１００…成膜装置、１００Ｘ…制御部、１００Ｙ…流量制御部、１００Ｚ…開閉弁制御部、１００Ｐ…操作部、１００Ｗ…自動圧力調整部、１１０…原料供給部、１２０…気化器、１３０…成膜室、１４０…排気部、１４０Ａ…主排気ライン、１４０Ｂ…バイパス排気ライン、１４０Ｃ…原料供給部排気ライン、１４５…排気装置、１４５Ａ…初段部分、１４５Ｂ…次段部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Film-forming apparatus, 100X ... Control part, 100Y ... Flow control part, 100Z ... On-off valve control part, 100P ... Operation part, 100W ... Automatic pressure adjustment part, 110 ... Raw material supply part, 120 ... Vaporizer, 130 ... Formation Membrane chamber, 140 ... exhaust part, 140A ... main exhaust line, 140B ... bypass exhaust line, 140C ... raw material supply part exhaust line, 145 ... exhaust device, 145A ... first stage part, 145B ... next stage part

Claims (14)

ガスが供給される処理室と、
前記処理室に接続された主排気経路と、
前記主排気経路とは別の他の排気経路と、
前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置と、
前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間において、前記他の排気経路からの排気の有無によって前記処理室の圧力が実質的に変化しないように、前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を設定する制御手段と、
を具備することを特徴とする半導体製造装置。 A processing chamber to which gas is supplied;
A main exhaust path connected to the processing chamber;
Another exhaust path different from the main exhaust path,
An exhaust device in which the main exhaust path and the other exhaust path are connected to be able to exhaust in parallel;
In the period in which the main exhaust path and the other exhaust path are exhausted simultaneously by the exhaust device, the processing chamber pressure is not substantially changed by the presence or absence of exhaust from the other exhaust path. Control means for setting at least one of the flow rate of gas supplied to the chamber and the pressure of the processing chamber;
A semiconductor manufacturing apparatus comprising: 前記制御手段は、前記期間において前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の双方を設定するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。   The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the control unit is configured to set both a flow rate of gas supplied to the processing chamber and a pressure of the processing chamber during the period. ガスが供給される処理室と、
前記処理室に接続された主排気経路と、
前記主排気経路とは別の他の排気経路と、
前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置と、
前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間において、前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を増加させる制御手段と、
を具備することを特徴とする半導体製造装置。 A processing chamber to which gas is supplied;
A main exhaust path connected to the processing chamber;
Another exhaust path different from the main exhaust path,
An exhaust device in which the main exhaust path and the other exhaust path are connected to be able to exhaust in parallel;
Control means for increasing at least one of the flow rate of gas supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber in a period in which the main exhaust path and the other exhaust path are simultaneously exhausted by the exhaust device;
A semiconductor manufacturing apparatus comprising: 前記制御手段は、前記期間において前記処理室に供給されるガス流量と前記処理室の圧力の双方を増加させることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。   4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, wherein the control unit increases both the flow rate of gas supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber during the period. 前記処理室の圧力制御を行うための、前記処理室より下流側で前記他の排気経路の合流点より上流側に設けられた圧力調整弁を具備することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体製造装置。   The pressure control valve provided for the pressure control of the said process chamber in the downstream from the said process chamber and the upstream from the confluence | merging point of the said other exhaust path is provided. The semiconductor manufacturing apparatus as described in any one. 前記排気装置は複数段直列構成の排気装置で構成され、前記他の排気経路が上流段部分と下流段部分の間に接続されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体製造装置。   6. The exhaust system according to claim 1, wherein the exhaust system is configured of a multi-stage exhaust system, and the other exhaust path is connected between an upstream stage part and a downstream stage part. The semiconductor manufacturing apparatus described in 1. 前記処理室は供給される原料ガスに基づいて成膜を行う成膜室であり、前記原料ガスを供給するための液体原料気化供給系を有し、前記他の排気経路は、前記液体原料気化供給系に接続されたものであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体製造装置。   The processing chamber is a film forming chamber for forming a film based on the supplied source gas, and has a liquid source vaporization supply system for supplying the source gas, and the other exhaust path is the liquid source vaporization The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is connected to a supply system. ガスが供給される処理室と、前記処理室に接続された主排気経路と、前記主排気経路とは別の他の排気経路と、前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置とを具備する半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間を設け、当該期間において、前記他の排気経路からの排気の有無によって前記処理室の圧力が実質的に変化しないように、前記処理室に供給されるガス流量と、前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を制御することを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。 A processing chamber to which gas is supplied, a main exhaust path connected to the processing chamber, another exhaust path other than the main exhaust path, and the main exhaust path and the other exhaust path are exhausted in parallel. A maintenance method of a semiconductor manufacturing apparatus comprising an exhaust device connected in a possible manner,
A period for exhausting the main exhaust path and the other exhaust path at the same time is provided by the exhaust device, and the pressure in the processing chamber does not substantially change depending on the presence or absence of exhaust from the other exhaust path during the period. In addition, a maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus, wherein at least one of a flow rate of gas supplied to the processing chamber and a pressure of the processing chamber is controlled. 前記期間において前記処理室に供給される流量と前記処理室の圧力の双方を制御することを特徴とする請求項８に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。   9. The maintenance method for a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 8, wherein both the flow rate supplied to the processing chamber and the pressure in the processing chamber are controlled during the period. ガスが供給される処理室と、前記処理室に接続された主排気経路と、前記主排気経路とは別の他の排気経路と、前記主排気経路と前記他の排気経路とが並列に排気可能に接続された排気装置とを具備する半導体製造装置のメンテナンス方法であって、
前記排気装置により前記主排気経路と前記他の排気経路とを同時に排気する期間を設け、当該期間において、前記処理室に供給されるガス流量と、前記処理室の圧力の少なくともいずれか一方を増加させることを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス方法。 A processing chamber to which gas is supplied, a main exhaust path connected to the processing chamber, another exhaust path other than the main exhaust path, and the main exhaust path and the other exhaust path are exhausted in parallel. A maintenance method of a semiconductor manufacturing apparatus comprising an exhaust device connected in a possible manner,
A period for exhausting the main exhaust path and the other exhaust path at the same time by the exhaust device is provided, and during this period, at least one of the flow rate of gas supplied to the processing chamber and the pressure of the processing chamber is increased. A method for maintaining a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: 前記期間において前記処理室に供給される流量と前記処理室の圧力の双方を増加させることを特徴とする請求項１０に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。   11. The semiconductor manufacturing apparatus maintenance method according to claim 10, wherein both the flow rate supplied to the processing chamber and the pressure in the processing chamber are increased during the period. 前記処理室の圧力制御を、前記処理室より下流側で前記他の排気経路の合流点より上流側に設けられた圧力調整弁により行うことを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。   12. The pressure control of the processing chamber is performed by a pressure regulating valve provided on the downstream side of the processing chamber and on the upstream side of the confluence of the other exhaust passages. The maintenance method of the semiconductor manufacturing apparatus of description. 前記排気装置は複数段直列構成の排気装置で構成され、前記他の排気経路が上流段部分と下流段部分の間に接続されることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。   13. The exhaust system according to claim 8, wherein the exhaust system is composed of a multi-stage exhaust system, and the other exhaust path is connected between an upstream stage part and a downstream stage part. The maintenance method of the semiconductor manufacturing apparatus of description. 前記処理室は供給される原料ガスに基づいて成膜を行う成膜室であり、前記原料ガスを供給するための液体原料気化供給系を有し、前記他の排気経路は、前記液体原料気化供給系に接続されたものであることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の半導体製造装置のメンテナンス方法。
The processing chamber is a film forming chamber for forming a film based on the supplied source gas, and has a liquid source vaporization supply system for supplying the source gas, and the other exhaust path is the liquid source vaporization 14. The semiconductor manufacturing apparatus maintenance method according to claim 8, wherein the maintenance method is connected to a supply system.
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