JP2006086199A - 半導体光デバイス及び半導体光デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体光デバイス及び半導体光デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006086199A JP2006086199A JP2004267033A JP2004267033A JP2006086199A JP 2006086199 A JP2006086199 A JP 2006086199A JP 2004267033 A JP2004267033 A JP 2004267033A JP 2004267033 A JP2004267033 A JP 2004267033A JP 2006086199 A JP2006086199 A JP 2006086199A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type semiconductor
- semiconductor layer
- doped
- optical device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- -1 and for In Chemical compound 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/04—MOCVD or MOVPE
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2224—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semi-insulating semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】 少なくともn型の導電型を有するn型半導体層と、活性層と、p型半導体層と、p型半導体層の両側に形成され、Feがドーピングされた電流ブロック層とを備える半導体光デバイスにおいて、p型半導体層を形成する際には、FeとBeとが、同時にドーピングされる。このとき、p型半導体の正孔濃度は、約1.0×1018/cm3とし、Fe元素濃度が約2×1016〜8×1016/cm3となるように、各元素をドーピングする材料の流量を調整する。
【選択図】 図1
Description
このような方法の1つとして、例えば、Fe−InP電流ブロック層に接するp型半導体に、p型ドーパントと共に、Feを同時にドーピングする方法がある(例えば、特許文献1参照)。
また、Fe−InP電流ブロック層をRu−InP電流ブロック層とする方法も提案されている(例えば、非特許文献1参照)。
また、以下の実施の形態において各要素の個数、数量、量、範囲等の数に言及する場合、特に明示した場合や原理的に明らかにその数に特定される場合を除いて、その言及した数に限定されるものではない。また、実施の形態において説明する構造や、方法におけるステップ等は、特に明示した場合や明らかに原理的にそれに特定される場合を除いて、この発明に必ずしも必須のものではない。
図1は、FeとBeとを同時ドーピングした場合における、Beのドーピング遅れ量を表すグラフである。縦軸は、ドーピング遅れ量(μm)を表し、横軸は、Cp2Feモル流量(pmol/min)を表す。
また、図2は、Be及びFeの濃度分布を表すグラフである。図2(a)は、FeとBeとを同時ドーピングした場合であり、図2(b)は、Beのみをドーピングした場合を表す。また、図2(a)、(b)において、それぞれ、縦軸は、濃度(atmos/cc)を表し、横軸は、表面からの深さ(μm)を表す。
また、図3は、Be及びFeを、同時ドーピングした場合と、Beのみをドーピングした場合の、相互拡散の状態を説明するためのグラフである。図3(a)は、FeとBeとを同時ドーピングした場合であり、図3(b)は、Beのみをドーピングした場合である。また、図3(a)、(b)において、それぞれ、縦軸は、濃度(任意単位)を表し、横軸は、表面からの位置(μm)を表す。
従って、この発明では、このことを利用して、Beのドーピング遅れ量を、半導体光デバイス等の動作特性に悪影響を与えない範囲に抑えるように、(MeCp)2Beの流量を制御して、同時ドーピングを行うものである。
図4は、この発明の実施の形態1における半導体光デバイスを説明するための模式図である。
図4に示すように、実施の形態1における半導体光デバイスは、n−InP基板2上に、n−InGaAs層4、n−InP層6、n−InGaAsP層8が積層されている。n−InGaAs層4、n−InP層6、n−InGaAsP層8の膜厚は、それぞれ、500nm、1500nm、800nmである。
まず、MOCVD法における材料ガスとしては、H2S(硫化水素)、SiH4(シラン)、Si2H6(ジシラン)、V族の原子の原料として、Asに対しては、AsH3(アルシン)、Pに対してはPH3(フォスフィン)、また、有機金属として、Gaに対しては、TMG(トリメチルガリウム)あるいはTEG(トリエチルガリウム)、Inに対しては、TMI(トリメチルインジウム)あるいはTEI(トリエチルインジウム)等を用いる。また、p型ドーパントとしては、(MeCp)2Beを用いる。
例えば、図6に示す場合においては、Feの元素濃度を、2×1016〜8×1016/cm3の範囲内に保つように、成膜開始から、一定時間(t1)経過までは、約2.5pmol/min供給し、その後、成膜終了時(t0)まで、供給量を約2.0pmol/minに減らして、供給している。このように、Cp2Feの供給量は、正孔濃度を所定の範囲に保つ範囲で、変化させて供給するものであってもよい。なお、供給量は、2±1pmol/minの範囲であることが好ましい。
実施の形態2においても、Beをp型ドーパントに用いたコンタクト層14中のBe&Fe−InP層20の正孔濃度を、1×1018/cm3に保ちつつ、Feを同時ドーピングする。
また、このとき、Cp2Feの供給量Yは、次式(1)のように設定する。
Y=2+(n−1)±1 (pmol/min) ・・・・(1)
実施の形態3においても、p型ドーパントとしてBeを用い、コンタクト層14には、BeとFeとを同時に供給する。
但し、実施の形態3では、Beの正孔濃度を、m×1018/cm3とする場合について説明する。なお、この正孔濃度の値には、±0.3×1018/cm3程度の製造上の誤差は含んで考えるものとする。
する場合にも、p型半導体の正孔濃度を高くしてデバイス抵抗の低減が可能になる。
4 n−InGaAs層
6 n−InP層
8 n−InGaAsP層
10 InGaAs光吸収層
14 コンタクト層
16 Fe−InP電流ブロック層
18 Be&Fe−InGaAsP層
20 Be&Fe−InP層
22 Be&Fe−InGaAsP層
24 Be&Fe−InGaAs層
Claims (7)
- 少なくともn型の導電型を有するn型半導体層と、
活性層と、
p型の導電型を有するp型半導体層と、
前記p型半導体層の両側に形成され、Feがドーピングされた電流ブロック層と、
を備え、
前記p型半導体層には、FeとBeとがドーピングされ、かつ、正孔濃度が、約1.0×1018/cm3であり、Fe元素濃度が約2×1016〜8×1016/cm3であることを特徴とする半導体光デバイス。 - n型半導体層を形成するn型半導体層形成工程と、
前記n型半導体層上に活性層を形成する活性層形成工程と、
前記活性層上に、FeとBeとがドーピングされたp型半導体層を形成するp型半導体層形成工程と、
前記p型半導体層の両側に電流ブロック層を形成する電流ブロック層形成工程と、
を備え、
前記p型半導体層形成工程は、前記p型半導体層に含まれる層を成長する際に、Be元素をp型ドーパントとして用いて、BeとFeとを同時にドーピングすることを特徴とする半導体光デバイスの製造方法。 - 前記p型半導体層形成工程において、Be元素ドーピング材料の供給量を、前記Be元素ドーピング材料を単独でドーピングした時に、前記p型半導体層の正孔濃度を、約1×1018/cm3にできる量の、2n倍とするとき、
Fe元素ドーピング材料の供給量を、2+(n−1)±1pmol/minの範囲内とすることを特徴とする請求項2に記載の半導体光デバイスの製造方法。 - 前記p型半導体層形成工程において、
Fe元素ドーピング材料の供給量を、2±1pmol/minの範囲内とするとき、
前記p型半導体層の正孔濃度をm×1018/cm3とするため、Be元素ドーピング材料の供給量は、前記Be元素ドーピング材料を単独でドーピングした時に、前記p型半導体層の正孔濃度を、約1×1018/cm3にできる量の、2m倍とすることを特徴とする請求項2に記載の半導体光デバイスの製造方法。 - 前記p型半導体層形成工程において、前記Fe元素ドーピング材料は、前記p型半導体層の前記Fe元素の元素濃度が、2×1016〜8×1016/cm3の範囲内になる一定の供給量を継続して供給することを特徴とする請求項2から4の何れかに記載の半導体光デバイスの製造方法。
- 前記p型半導体層形成工程は、前記p型半導体層の前記Fe元素の元素濃度が、2×1016〜8×1016/cm3の所定の範囲内になるように、前記Fe元素ドーピング材料の供給量を調節することを特徴とする請求項2から4の何れかに記載の半導体光デバイスの製造方法。
- 前記Beのドーパント材料として、(MeCp)2Beを用いることを特徴とする請求項2から6の何れかに記載の半導体光デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004267033A JP2006086199A (ja) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | 半導体光デバイス及び半導体光デバイスの製造方法 |
US11/135,323 US7075119B2 (en) | 2004-09-14 | 2005-05-24 | Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004267033A JP2006086199A (ja) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | 半導体光デバイス及び半導体光デバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086199A true JP2006086199A (ja) | 2006-03-30 |
Family
ID=36032972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004267033A Pending JP2006086199A (ja) | 2004-09-14 | 2004-09-14 | 半導体光デバイス及び半導体光デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7075119B2 (ja) |
JP (1) | JP2006086199A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244264A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050141800A1 (en) * | 2002-09-17 | 2005-06-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide semiconductor optical device and process of fabricating the device |
GB201002088D0 (en) * | 2010-02-09 | 2010-03-24 | Ct For Integrated Photonics Th | Opto-electronic device |
US9395563B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-07-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electro-optic modulator and optic transmission modulator including the same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03257045A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-15 | Fujikawa Kenzai Kogyo Kk | 左官用混和材 |
JPH08102567A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | Beドーピング方法,エピタキシャル成長方法,半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 |
JPH0945954A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子,及び半導体素子の製造方法 |
JPH1041587A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Canon Inc | 利得優位な偏波モードの異なる複数種の活性層を持つ半導体光デバイス |
JPH10229249A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光素子 |
JP2000349394A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2003114407A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界吸収型光変調器 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3257045B2 (ja) | 1992-07-17 | 2002-02-18 | 富士通株式会社 | 半導体レーザ |
US5814534A (en) | 1994-08-05 | 1998-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of doping with beryllium and method of fabricating semiconductor optical element doped with beryllium |
JP2004047743A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光集積デバイス |
-
2004
- 2004-09-14 JP JP2004267033A patent/JP2006086199A/ja active Pending
-
2005
- 2005-05-24 US US11/135,323 patent/US7075119B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03257045A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-15 | Fujikawa Kenzai Kogyo Kk | 左官用混和材 |
JPH08102567A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | Beドーピング方法,エピタキシャル成長方法,半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 |
JPH0945954A (ja) * | 1995-07-31 | 1997-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子,及び半導体素子の製造方法 |
JPH1041587A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Canon Inc | 利得優位な偏波モードの異なる複数種の活性層を持つ半導体光デバイス |
JPH10229249A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光素子 |
JP2000349394A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2003114407A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界吸収型光変調器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244264A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Fujitsu Ltd | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7075119B2 (en) | 2006-07-11 |
US20060054916A1 (en) | 2006-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Sun et al. | Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si | |
JP3909605B2 (ja) | 窒化物半導体素子およびその製造方法 | |
JP5018433B2 (ja) | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子 | |
US20070170441A1 (en) | Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2007538410A (ja) | 長波長vcselのためのトンネル接合 | |
US10541511B2 (en) | Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device | |
Zhao et al. | AlGaN nanowires: Path to electrically injected semiconductor deep ultraviolet lasers | |
JP2007235100A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP2007227832A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
CN109087978B (zh) | 光半导体元件、光组件及光模块 | |
US7075119B2 (en) | Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device | |
JP2006253212A (ja) | 半導体レーザ | |
US9705287B2 (en) | Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon | |
JP6038630B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2009135333A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2011054787A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法 | |
JP2008172210A (ja) | 埋込型半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP6325276B2 (ja) | 半導体光素子及び半導体光素子の製造方法 | |
JP5573310B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP4325558B2 (ja) | 半導体レーザ、および半導体レーザを作製する方法 | |
JP2009141032A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP6487236B2 (ja) | 半導体光素子、及びその製造方法 | |
KR101996424B1 (ko) | 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
JP2005229055A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法および化合物半導体装置の製造方法 | |
JP3772794B2 (ja) | 化合物半導体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100720 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100720 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110802 |