JP2006083458A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006083458A JP2006083458A JP2004272030A JP2004272030A JP2006083458A JP 2006083458 A JP2006083458 A JP 2006083458A JP 2004272030 A JP2004272030 A JP 2004272030A JP 2004272030 A JP2004272030 A JP 2004272030A JP 2006083458 A JP2006083458 A JP 2006083458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- yoke
- target
- magnetic field
- cathode
- magnetron sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】水平磁束密度の制御幅が広く、被処理基板への成膜における膜厚分布を向上させること。
【解決手段】処理チャンバ11の底面には、カソード12が配置されている。カソード12のターゲット載置部には、ターゲット13が載置されている。ターゲット13の下方には、永久磁石14が配置されている。永久磁石14の下側には、永久磁石14の両磁極と接触するように第1ヨーク15が配置されている。永久磁石14及び第1ヨーク15により、第1の磁気回路を構成している。処理チャンバ11の外側には、外部磁場手段であるソレノイドコイル16が配置されている。カソード12内であって第1ヨークよりも下側には、第2ヨーク17が埋設されている。ソレノイドコイル16及び第2ヨーク17により、第2の磁気回路を構成している。
【選択図】図1
【解決手段】処理チャンバ11の底面には、カソード12が配置されている。カソード12のターゲット載置部には、ターゲット13が載置されている。ターゲット13の下方には、永久磁石14が配置されている。永久磁石14の下側には、永久磁石14の両磁極と接触するように第1ヨーク15が配置されている。永久磁石14及び第1ヨーク15により、第1の磁気回路を構成している。処理チャンバ11の外側には、外部磁場手段であるソレノイドコイル16が配置されている。カソード12内であって第1ヨークよりも下側には、第2ヨーク17が埋設されている。ソレノイドコイル16及び第2ヨーク17により、第2の磁気回路を構成している。
【選択図】図1
Description
本発明はスパッタリング装置に関し、特に直流マグネトロン方式のスパッタリング装置に関する。
従来から、放電ガスとしてArガスなどの不活性ガスを用いたスパッタリング法が薄膜成膜法として利用されている。スパッタリング法の中でも磁場中で発生させたプラズマ(マグネトロンプラズマ)を利用した直流マグネトロン方式のスパッタリング法は、高速で成膜することができるので特に注目されている。
マグネトロン方式のスパッタリング装置(マグネトロンスパッタリング装置)は、プラズマを作るための磁場を発生させるために、永久磁石が使用される。この永久磁石は、ターゲットの下方に配置される(通常カソード内に埋設される)。また、この永久磁石の下には、ヨークが配置されている。永久磁石の作る磁場がターゲット上に漏洩し、この漏洩磁場の水平成分を利用して放電電子を運動させてイオン化を促進させる。さらに、本体の外側に外部磁場手段であるソレノイドコイルを配置し、これにより外部磁場を発生させ、この外部磁場により漏洩磁場を水平方向(ターゲット表面)に広げるスパッタリング装置もある(特許文献参照)。
しかしながら、上記マグネトロンスパッタリング装置においては、ソレノイドコイルを配置しない場合に比べて、永久磁石の漏洩磁場の水平方向(水平磁束密度)の制御はなされてはいるものの、未だその制御幅は狭く十分ではない。すなわち、ソレノイドコイルにより被処理基板上に成膜される膜の膜厚分布の均一性は改善されてはいるが、被処理基板の周縁部においてはその効果は充分とはいえない。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、水平磁束密度の制御幅が広く、被処理基板への成膜における膜厚分布の均一性をさらに向上させることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。
本発明のマグネトロンスパッタリング装置は、磁場中で発生させたプラズマを用いて被処理基板に対してスパッタリング処理を行うマグネトロンスパッタリング装置であって、装置本体と、前記装置本体の外側に配置され、前記装置本体に磁場を付与する外部磁場手段と、前記装置本体内に配置され、ターゲットを載置するカソードと、前記装置本体内に配置され、前記ターゲットと対向するように被処理基板を保持する基板保持手段と、前記カソード内に埋設され、一方の磁極が前記カソードの中心に位置し、他方の磁極が前記カソードの外周に位置するように配置された複数の磁石と、前記中心及び前記外周の両磁極と接触するように配置された前記複数の磁石用の第1ヨークと、前記第1ヨークと所定の間隔をおいて配置された前記外部磁場手段用の第2ヨークと、を具備することを特徴とする。
この構成によれば、カソード内の磁石及び第1ヨークの他にソレノイドコイルの外部磁界を制御する第2ヨークを備えているので、磁石によりターゲット上に漏洩する漏洩磁界の制御幅をより広くまで制御することが可能である。これにより、マグネトロンスパッタリングにおいて膜厚分布の均一性を向上させることができる。
本発明のマグネトロンスパッタリング装置においては、前記第2ヨークは、前記磁石及び前記第1ヨークで構成される第1の磁気回路に磁気的な影響を及ぼさない位置にあることが好ましい。
この構成によれば、第1の磁気回路と第2ヨークとが磁気的に独立することにより、第1の磁気回路による水平磁場の制御と、第2ヨークによる外部磁場の制御とを個別に行うことができ、スパッタリング処理における磁場の制御を正確に行うことが可能となる。
本発明のマグネトロンスパッタリング装置においては、前記ターゲットの使用経過に応じて前記第2ヨークの位置を変える位置変更手段を具備することが好ましい。
この構成によれば、ターゲットの使用経過に応じて第2ヨークの位置を変えることにより、ソレノイドコイルによる外部磁界の制御をより細かく行うことができ、スパッタリング処理においてより細かい膜厚制御などを行うことができる。
本発明のマグネトロンスパッタリング装置においては、前記第2ヨークが支持部を有する平板状であり、前記支持部が偏心しており、前記支持部について前記第2ヨークを回転させる回転手段を具備することが好ましい。
この構成によれば、回転により、ソレノイドコイルによる外部磁界の影響を回転面内で均等化でき、ターゲットのエロージョンが均等になる。その結果、スパッタリングにおける成膜の安定性が向上する。
本発明によれば、マグネトロンスパッタリング装置において、カソード内の磁石及び第1ヨークの他にソレノイドコイルの外部磁界を制御する第2ヨークを備えるので、水平磁束密度の制御幅が広く、被処理基板への成膜における膜厚分布の均一性を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。図1に示すマグネトロンスパッタリング装置は、装置本体である処理チャンバ11を備える。この処理チャンバ11は、略円筒形状を有する。処理チャンバ11の底面には、円盤状のターゲット載置部を有するカソード12が配置されている。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。図1に示すマグネトロンスパッタリング装置は、装置本体である処理チャンバ11を備える。この処理チャンバ11は、略円筒形状を有する。処理チャンバ11の底面には、円盤状のターゲット載置部を有するカソード12が配置されている。
カソード12のターゲット載置部(上面)には、ターゲット13が載置されている。また、ターゲット13の下方には、永久磁石14が配置されている。この永久磁石14は、カソード12内に埋設されている。この永久磁石14は、一対の磁極の一方の磁極(ここでは上側がN極で下側がS極)が中心に位置し、その周りに間隔をおいて他方の磁極(ここでは上側がS極で下側がN極)が環状に位置するようにカソード12内に埋設されている。永久磁石14の下側には、永久磁石14の両磁極と接触するように円盤状の第1ヨーク15が配置されている。永久磁石14及び第1ヨーク15により、第1の磁気回路を構成している。
処理チャンバ11の外側には、外部磁場手段であるソレノイドコイル16が配置されている。また、カソード12内であって第1ヨークよりも下側には、第2ヨーク17が埋設されている。この第2ヨーク17は、第1ヨーク15とほぼ同じ円盤形状を有する。ソレノイドコイル16及び第2ヨーク17により、第2の磁気回路を構成している。
第2ヨーク17は、第1ヨーク15と所定の間隔をおいて配置される。第2ヨーク17と第1ヨーク15との間の間隔は、第2ヨーク17と第1の磁気回路とが相互に影響を及ぼさず、磁気的に独立するように設定する。したがって、この間隔は、第1の磁気回路の磁場の強さに応じて適宜設定する。例えば、第1の磁気回路の磁場が1000ガウスである場合には、第2ヨーク17と第1ヨーク15との間の間隔は2cm以上であることが好ましい。このように、第1の磁気回路と第2ヨーク17とが磁気的に独立するように、第1ヨーク15と第2ヨーク17との間の間隔をおくことにより、第1の磁気回路による水平磁場の制御と、第2ヨーク17による外部磁場の制御とを個別に行うことができ、スパッタリング処理における磁場の制御を正確に行うことが可能となる。
処理チャンバ11の上面には、基板を保持する基板ホルダ18が設置されている。この基板ホルダ18には、ターゲット13と対向するように基板19が保持されている。また、処理チャンバ11の側面には、ガス導入部が形成されており、ガス源20からガス導入管21を通じてガスが導入されるようになっている。なお、図1においては、ガス源20は一つであるが、これに限定されず、複数のガス源から処理チャンバ11に複数のガスを混合して又は切り替えて導入できるような構成であっても良い。
上記構成を有するマグネトロンスパッタリング装置においては、まず、カソード12を陰極とし、基板ホルダ18を陽極として両者間に直流電圧を印加する。カソード12では、永久磁石14及び第1ヨーク15で構成される第1の磁気回路により、永久磁石14からターゲット13上に漏洩した漏洩磁界をターゲット13の表面に広げる機能が発揮される。この状態でソレノイドコイル16に直流又は交流の電圧を印加すると、ソレノイドコイル16及び第2ヨーク17で構成される第2の磁気回路により、永久磁石14からターゲット13上に漏洩した漏洩磁界をターゲット13の表面にさらに広げる機能が発揮される。すなわち、第2の磁気回路においては、ソレノイドコイル16による外部磁界が第2ヨーク17に集中する。このとき、第1の磁気回路がその影響を受けて、ターゲット13の漏洩磁界が変化する。その結果、漏洩磁界がターゲット13の表面にさらに広がる。このように、上記2つの機能が発揮されることにより、図1の矢印に示すように漏洩磁界の水平方向(水平磁束密度)の制御幅が広くなる。
ガス源20からガス導入管21を通して、不活性ガス、例えばArガスを処理チャンバ11に導入すると、印加電圧により不活性ガスがプラズマ化(イオン化)する。このプラズマ化したガスイオン、例えばAr+は、陰極であるターゲット13に引き寄せられ、ターゲット13をたたく。これにより、ターゲット原子がターゲット13から飛び出して基板19表面に被着する。このようにして、磁場中で発生させたプラズマを用いて基板19に対してスパッタリング処理を行う。
なお、図1に示すマグネトロンスパッタリング装置において、ソレノイドコイルに所定の方向の電流を流すと、基板19近傍にガスイオンが入ってくるので、基板19をガスイオンでたたきながら基板表面上の水分を飛ばしてスパッタリングを行う。この場合、基板19をガスイオンでたたきながらスパッタリングを行うので、基板温度が上昇する。一方、ソレノイドコイルに前記とは逆方向の電流を流すと、基板19近傍にガスイオンが入ってこないので、スパッタリング中に基板19をガスイオンでたたかない。したがって、プラスチック基板などのように温度を上げることができない場合、すなわち低温処理が必要な場合には、ソレノイドコイルに前記逆方向の電流を流す。
次に、上記構成を有するマグネトロンスパッタリング装置において、シリコン基板上に導電膜としてAl膜を形成する場合について説明する。まず、処理チャンバ11内のカソード12上にAlターゲットを置く。次いで、ガス源20からガス導入管21を通してArガスを処理チャンバ11内に導入する。その状態で、ソレノイドコイルに−200ATの電流を流した。なお、第1ヨーク15及び第2ヨーク17には、鉄材であるS45Cを用いた。このようにしてシリコン基板上にスパッタリングしたAl膜の膜厚分布を触針式段差計DEKTAK(ULVAK社製、商品名)により測定した。その結果を図3に示す。
また、従来例として図2に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いて、上記と同じ条件でシリコン基板上にAl膜を成膜し、その膜厚分布を同様に測定した。その結果も図3に併記する。さらに、参考例として、処理チャンバの外側にソレノイドコイルを有しないマグネトロンスパッタリング装置を用いて、上記と同じ条件でシリコン基板上にAl膜を成膜し、その膜厚分布を同様に測定した。その結果も図3に併記する。
なお、図2に示す従来のマグネトロンスパッタリング装置において、処理チャンバ101の底面には、カソード102が配置されており、カソード102の上面には、ターゲット103が載置されている。また、ターゲット103の下方には、永久磁石104が埋設されている。永久磁石104の下側には、永久磁石104の両磁極と接触するように第1ヨーク105が配置されている。処理チャンバ101の外側には、ソレノイドコイル106が配置されている。処理チャンバ101の上面には、基板ホルダ107が設置されており、基板ホルダ107には、ターゲット103と対向するように基板108が保持されている。また、処理チャンバ101の側面には、ガス導入部が形成されており、ガス源109からガス導入管110を通じてガスが導入されるようになっている。
図3から分かるように、本実施の形態に係るマグネトロンスパッタリング装置(実施例:実線)で成膜したAl膜は、シリコン基板の面内の膜厚分布の均一性が向上しており、基板の広い範囲で均一な膜厚が得られている。これは、第2の磁気回路によりソレノイドコイル16による外部磁界が第2ヨーク17に集中し、第1の磁気回路がその影響を受けて、ターゲット13の漏洩磁界が変化して、漏洩磁界がターゲット13の表面により広く(基板周縁部まで)広がったためである(漏洩磁界の制御幅が広い)と考えられる。
これに対して、従来のマグネトロンスパッタリング装置(従来例:点線)やソレノイドコイルを有しないマグネトロンスパッタリング装置(参考例:一点鎖線)では、シリコン基板の周縁部での膜厚は中央部と大きな差がある。これは、漏洩磁界の制御幅が狭いからであると考えられる。
このように、本実施の形態に係るマグネトロンスパッタリング装置では、カソード12内の永久磁石14及び第1ヨーク15の他にソレノイドコイル16の外部磁界を制御する第2ヨーク17を備えているので、永久磁石14によりターゲット13上に漏洩する漏洩磁界の制御幅をより広くまで制御することが可能である。これにより、マグネトロンスパッタリングにおいて膜厚分布の均一性を向上させることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態は、ターゲットの使用経過に応じて第2ヨーク17の位置を変える場合について説明する。図4は、本発明の実施の形態2に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。図4において、図1と同じ部分については図1と同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
本実施の形態は、ターゲットの使用経過に応じて第2ヨーク17の位置を変える場合について説明する。図4は、本発明の実施の形態2に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。図4において、図1と同じ部分については図1と同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図4に示すマグネトロンスパッタリング装置においては、第2ヨーク17の位置を変える、ここでは第2ヨーク17を昇降する昇降シャフト22を備えている。この昇降シャフト22は第2ヨーク17を載置する載置台22aと接続されている。また、昇降シャフト22は、第2ヨーク17の位置を制御する昇降制御部23と接続されている。具体的には、昇降シャフト22は昇降シャフト22を駆動する駆動手段(図示せず)を備えており、この駆動手段を昇降制御部23が制御するように構成されている。これら全体で位置変更手段を構成する。
上記構成を有するマグネトロンスパッタリング装置においては、スパッタリング処理中に、ターゲットの使用経過(主にしよう時間)に応じて第2ヨーク17の位置を変える、すなわち第2ヨーク17を下降して第1ヨーク15との間の距離を離す。このように、ターゲットの使用経過に応じて第2ヨーク17の位置を変えることにより、実施の形態1のようにマグネトロンスパッタリングにおいて膜厚分布の均一性を向上させることができる上に、ソレノイドコイル16による外部磁界の制御をより細かく行うことができ、スパッタリング処理においてより細かい膜厚制御などを行うことができる。
具体的に、ターゲットの使用時間が長くなるにつれて、外部磁界の制御を弱める、すなわち第2ヨーク17を第1ヨーク15から離す(第2ヨーク17の位置を下げる)場合、予めターゲットの使用時間と第1ヨーク−第2ヨーク間の最適間隔とを対応づけるテーブルを昇降制御部23に用意し、そのテーブルにしたがって昇降シャフト22を駆動して第2ヨーク17の位置を変える。あるいは、ターゲット13のエロージョンの状態をモニタリングし、その状態の変化に応じて昇降シャフト22を駆動して第2ヨーク17の位置を変えるようにしても良い。
(実施の形態3)
本実施の形態は、偏心した第2ヨークを回転させる場合について説明する。図5は、本発明の実施の形態3に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。図5において、図1と同じ部分については図1と同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
本実施の形態は、偏心した第2ヨークを回転させる場合について説明する。図5は、本発明の実施の形態3に係るマグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。図5において、図1と同じ部分については図1と同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図5に示すマグネトロンスパッタリング装置においては、図6に示すような支持部24aを有する平板状であり、支持部24aが偏心している第2ヨーク24を回転する回転シャフト25を備えている。この回転シャフト25は第2ヨーク24を支持する支持部24aに接続されている。また、回転シャフト25は、第2ヨーク24の回転を制御する回転制御部26と接続されている。具体的には、回転シャフト25は回転シャフト25を回転駆動する回転駆動手段(図示せず)を備えており、この回転駆動手段を回転制御部26が制御するように構成されている。これら全体で回転手段を構成する。
上記構成を有するマグネトロンスパッタリング装置においては、スパッタリング処理中に、偏心した第2ヨーク24を回転させる。このように、偏心した第2ヨーク24を回転させることにより、ソレノイドコイル16による外部磁界の影響が回転面内で均等化され、ターゲット13のエロージョンが均等になる。その結果、実施の形態1のようにマグネトロンスパッタリングにおいて膜厚分布の均一性を向上させることができる上に、スパッタリングにおける成膜の安定性が向上する。
本発明は上記実施の形態1〜3に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態で説明した数値や材質、各部材の形状については特に制限はなく、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。その他、マグネトロンスパッタリング装置の構成(カソードの位置や、ガス源の数や供給路の位置など)は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
11 処理チャンバ
12 カソード
13 ターゲット
14 永久磁石
15 第1ヨーク
16 ソレノイドコイル
17,24 第2ヨーク
18 基板ホルダ
19 基板
20 ガス源
21 ガス供給管
22 昇降シャフト
23 昇降制御部
25 回転シャフト
26 回転制御部
12 カソード
13 ターゲット
14 永久磁石
15 第1ヨーク
16 ソレノイドコイル
17,24 第2ヨーク
18 基板ホルダ
19 基板
20 ガス源
21 ガス供給管
22 昇降シャフト
23 昇降制御部
25 回転シャフト
26 回転制御部
Claims (4)
- 磁場中で発生させたプラズマを用いて被処理基板に対してスパッタリング処理を行うマグネトロンスパッタリング装置であって、
装置本体と、前記装置本体の外側に配置され、前記装置本体に磁場を付与する外部磁場手段と、前記装置本体内に配置され、ターゲットを載置するカソードと、前記装置本体内に配置され、前記ターゲットと対向するように被処理基板を保持する基板保持手段と、前記カソード内に埋設され、一方の磁極が前記カソードの中心に位置し、他方の磁極が前記カソードの外周に位置するように配置された複数の磁石と、前記中心及び前記外周の両磁極と接触するように配置された前記複数の磁石用の第1ヨークと、前記第1ヨークと所定の間隔をおいて配置された前記外部磁場手段用の第2ヨークと、を具備することを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。 - 前記第2ヨークは、前記磁石及び前記第1ヨークで構成される第1の磁気回路に磁気的な影響を及ぼさない位置にあることを特徴とする請求項1記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記ターゲットの使用経過に応じて前記第2ヨークの位置を変える位置変更手段を具備することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のマグネトロンスパッタリング装置。
- 前記第2ヨークが支持部を有する平板状であり、前記支持部が偏心しており、前記支持部について前記第2ヨークを回転させる回転手段を具備することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のマグネトロンスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004272030A JP2006083458A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004272030A JP2006083458A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006083458A true JP2006083458A (ja) | 2006-03-30 |
Family
ID=36162206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004272030A Withdrawn JP2006083458A (ja) | 2004-09-17 | 2004-09-17 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006083458A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103205711A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-17 | 温州职业技术学院 | 一种非平衡动态拱形兼容轴向导引磁场辅助离子镀装置 |
CN108149209A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-12 | 中国科学院电工研究所 | 一种复合式磁控溅射阴极 |
CN112739848A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-04-30 | 株式会社爱发科 | 磁控管溅射装置用磁铁单元 |
-
2004
- 2004-09-17 JP JP2004272030A patent/JP2006083458A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103205711A (zh) * | 2013-04-16 | 2013-07-17 | 温州职业技术学院 | 一种非平衡动态拱形兼容轴向导引磁场辅助离子镀装置 |
CN108149209A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-12 | 中国科学院电工研究所 | 一种复合式磁控溅射阴极 |
CN112739848A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-04-30 | 株式会社爱发科 | 磁控管溅射装置用磁铁单元 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2537210B2 (ja) | 高密度プラズマの発生装置 | |
US20180308670A1 (en) | Method and apparatus for controlling stress variation in a material layer formed via pulsed dc physcial vapor deposition | |
JP2007528939A (ja) | スパッタ被覆された基板を製造する方法、マグネトロン源、およびそのような源を有するスパッタリングチャンバ | |
JP4306958B2 (ja) | 真空スパッタ装置 | |
JPH0835064A (ja) | スパッタリング装置 | |
JPH07173625A (ja) | プラズマ形成マグネットリングを用いたスパッタリング | |
EP0544831B1 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method of improving ion flux distribution uniformity on a substrate | |
JP2013108100A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
JP2007529633A (ja) | 薄膜を製造するためのスパッタリング装置 | |
JP4992038B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
JPH11158625A (ja) | マグネトロンスパッタ成膜装置 | |
JP2006083458A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP3834111B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法、マグネトロンスパッタ装置及びそれに使用するマグネットユニット | |
JP3766762B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング方法および装置 | |
JP2835462B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JP2789251B2 (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 | |
JPH0660393B2 (ja) | プラズマ集中型高速スパツタ装置 | |
JPH04276069A (ja) | スパッタリング方法およびその装置 | |
JP2004124171A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
KR100963413B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
JP4056132B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法及び装置 | |
JPH02290971A (ja) | スパッタ装置 | |
JP2789252B2 (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 | |
JP2002069637A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JPS63307272A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |