JP2006074067A

JP2006074067A - Plasma treatment apparatus and method

Info

Publication number: JP2006074067A
Application number: JP2005323794A
Authority: JP
Inventors: Akira Kagoshima; 昭鹿子嶋; Hideyuki Yamamoto; 秀之山本; Shiyouji Ikuhara; 祥二幾原; Toshio Masuda; 俊夫増田; Hiroyuki Kitsunai; 浩之橘内; Junichi Tanaka; 潤一田中; Natsuyo Morioka; なつよ森岡; Kenji Tamaoki; 研二玉置
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi Ltd; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2005-11-08
Filing date: 2005-11-08
Publication date: 2006-03-16

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma treatment apparatus and a plasma treatment method which are capable of suppressing influences due to disturbances. <P>SOLUTION: The plasma treatment apparatus has a plasma treatment apparatus 23 for performing treatment to a sample which is accommodated in a vacuum processing chamber, a sensor 24 for monitoring the amount of the process during the treatment, a machining result estimation model 25 for estimating a machining result on the basis of monitor output from the sensor and the prediction expression of a preset machining result, and an optimum recipe calculation model 26 for calculating the compensation value of treatment conditions so that the machining result reaches a target value, based on the estimation result of the estimation model of the machining result. The apparatus controls the plasma treatment apparatus 23, based on the recipe which is generated by the optimum recipe calculation model. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明はプラズマ処理装置および処理方法にかかり、特に外乱による影響を抑制するこ
とのできるプラズマ処理装置および処理方法に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus and a processing method, and more particularly to a plasma processing apparatus and a processing method capable of suppressing the influence of disturbance.

プラズマ処理装置は、例えば、真空処理室内にエッチングガスを導入し、減圧下でプラ
ズマ放電を発生させ、このプラズマ中に発生するラジカルあるいはイオンを、被処理物で
あるウエハ表面に反応させてエッチングをする装置が知られている。このような処理を行うドライエッチング装置は、レシピと呼ばれる製造条件（ガス流量、ガス圧力、投入電力、エッチング時間等）のもとにエッチング処理を行う。前記レシピは半導体デバイスの特定の製造工程（同一プロセス）においては、常に一定に保持されている。なお、前記１つのプロセスを数ステップに分割して各ステップ毎に製造条件を変更する場合もある。 The plasma processing apparatus, for example, introduces an etching gas into a vacuum processing chamber, generates a plasma discharge under reduced pressure, and reacts radicals or ions generated in the plasma with the surface of the wafer that is an object to be etched. Devices that do this are known. A dry etching apparatus that performs such a process performs an etching process under manufacturing conditions called a recipe (gas flow rate, gas pressure, input power, etching time, etc.). The recipe is always kept constant in a specific manufacturing process (same process) of the semiconductor device. Note that the manufacturing process may be changed for each step by dividing the one process into several steps.

半導体製造工程において、ドライエッチング装置があるプロセスを処理する場合、前述
のようにレシピと呼ばれる製造条件をウエハ処理毎に毎回一定に設定してウエハ加工を行
う。 In the semiconductor manufacturing process, when processing a process with a dry etching apparatus, the wafer processing is performed by setting a manufacturing condition called a recipe constant every time wafer processing as described above.

しかし、最近の微細化が進んだ状態でのドライエッチングプロセスでは、ウエハとエッ
チングガスの反応生成物が処理室内壁に堆積し、この堆積物からアウトガスと呼ばれる不
要なガスが発生し、このため処理室内の環境が経時変化する。さらに、処理室関連部品の
温度変化、部品の消耗によっても処理室内環境は変化する。このようにドライエッチング
装置には様々な外乱要因が存在する。 However, in the recent dry etching process with advanced miniaturization, a reaction product of the wafer and the etching gas is deposited on the inner wall of the processing chamber, and an unnecessary gas called outgas is generated from the deposit, and thus the processing is performed. The indoor environment changes over time. Furthermore, the processing chamber environment also changes due to temperature changes in the processing chamber-related components and wear of the components. Thus, there are various disturbance factors in the dry etching apparatus.

また、エッチングの前工程であるリソグラフィー工程で形成するマスクの形状寸法のば
らつきも、エッチング結果に重要な影響を与える。 In addition, variations in the shape of the mask formed in the lithography process, which is a pre-etching process, also have an important influence on the etching result.

すなわち、一定のレシピを用いてエッチング処理を行っても、種々の外乱により一定の
性能を得ることは困難である。本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたもので、特に外
乱による影響を抑制することのできるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。 That is, even if the etching process is performed using a certain recipe, it is difficult to obtain a certain performance due to various disturbances. The present invention has been made in view of these problems, and provides a plasma processing apparatus and a processing method that can particularly suppress the influence of disturbance.

本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。 In order to solve the above problems, the present invention employs the following means.

真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置と、該処理装置の処理中の
プロセス量をモニタするセンサと、該センサからのモニタ出力および予め設定した加工結
果の予測式をもとに加工結果を推定する加工結果推定モデルと、前記加工結果推定モデル
の推定結果をもとに加工結果が目標値となるように最適な処理条件を再計算する最適レシ
ピ計算モデルを備え、該最適レシピ計算モデルが生成したレシピをもとに前記プラズマ処
理装置２３を制御する。 Based on a plasma processing apparatus for processing a sample contained in a vacuum processing chamber, a sensor for monitoring a process amount during processing of the processing apparatus, a monitor output from the sensor and a prediction formula for a preset processing result A machining result estimation model for estimating a machining result; and an optimum recipe calculation model for recalculating optimum processing conditions so that the machining result becomes a target value based on the estimation result of the machining result estimation model. The plasma processing apparatus 23 is controlled based on the recipe generated by the calculation model.

また、真空処理室内に収容した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
該処理方法は、前記処理中のプロセス量をモニタするステップと、前記モニタ結果をもと
に加工結果を推定するステップと、前記加工結果の推定結果をもとに加工結果が目標値と
なるように処理条件の補正量を計算して最適レシピを生成するステップと、前記生成した
最適レシピをもとに前記プラズマ処理装置を制御するステップからなる。 Further, a plasma processing method for performing plasma processing on a sample accommodated in a vacuum processing chamber,
The processing method includes a step of monitoring a process amount being processed, a step of estimating a machining result based on the monitoring result, and a machining result based on the estimation result of the machining result so as to become a target value. And calculating a correction amount of processing conditions to generate an optimum recipe, and controlling the plasma processing apparatus based on the generated optimum recipe.

本発明によれば、外乱による影響を抑制することのできるプラズマ処理装置および処理
方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the plasma processing apparatus and processing method which can suppress the influence by disturbance can be provided.

図１は、本発明の実施形態にかかるドライエッチング装置の概要を示す図である。図に
おいて、１はプラズマ１ｃを生成するプラズマ処理室、１ｂは処理室内のウエハステージ
１ａ上に載置した被処理物であるウエハである。２は装置に供給するガス流量、ガス流量
、ガス圧力、投入電力等の処理中のプロセス量をモニタするためのセンサであり、これら
のセンサは通常ドライエッチング装置に標準装備される。３は付加センサであり、例えば
、プラズマ光のスペクトルを解析するための発光分光センサ（ＯＥＳ：Ｏｐｔｉｃａｌ
ＥｍｉｓｓｉｏｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）、プラズマ粒子の質量を分析するため
の４重極質量分析装置（ＱＭＳ：ＱｕａｄｒｕｐｏｌｅＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍ
ｅｔｒｙ）、４はレシピ６に従ってドライエッチング装置を制御するアクチュエータ、５
は処理中のプロセス量をレシピあるいは生産管理情報（ロット番号、ウエハＩＤ等）と結
合して保存するデータベースである。なお、前記レシピはウエハ処理中あるいはウエハ処
理毎に変更可能である。 FIG. 1 is a diagram showing an outline of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 denotes a plasma processing chamber for generating plasma 1c, and 1b denotes a wafer which is an object to be processed placed on a wafer stage 1a in the processing chamber. Reference numeral 2 denotes a sensor for monitoring a process amount during processing such as a gas flow rate, a gas flow rate, a gas pressure, and an input power supplied to the apparatus, and these sensors are usually provided as standard in a dry etching apparatus. Reference numeral 3 denotes an additional sensor, for example, an emission spectroscopic sensor (OES: Optical for analyzing the spectrum of plasma light).
Emission Spectroscopy, a quadrupole mass spectrometer (QMS) for analyzing the mass of plasma particles
etry), 4 is an actuator for controlling the dry etching apparatus according to Recipe 6, 5
Is a database for storing the process amount being processed in combination with recipe or production management information (lot number, wafer ID, etc.). The recipe can be changed during wafer processing or for each wafer processing.

図２は、本発明の第１の実施形態にかかるドライエッチング処理システムの全体構成を
示す図である。該装置はフィードバック（ＦＢ）制御系およびフィードフォワード（ＦＦ
）制御系を含む。 FIG. 2 is a diagram showing an overall configuration of the dry etching processing system according to the first embodiment of the present invention. The device includes a feedback (FB) control system and a feed forward (FF)
) Includes control system.

図において、２１はフォトリソグラフィ処理装置であり、例えば半導体基板上にレジス
トを塗布し、該レジストを、例えば目的とするＦＥＴのゲート部分に目的とする電極幅の
ゲート電極が得られるようにエッチング加工する。以下この電極幅の目標値あるいは加工
結果の値をＣＤ（ｃｒｔｉｃａｌｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）値と称する。２２は前記エッチ
ング後のレジストのＣＤ値を計測するＣＤ−ＳＥＭ等の計測機、２３はプラズマエッチン
グ処理装置（エッチャ）、２４はプラズマエッチング処理装置に供給するガス流量、ガス
圧力、投入電力、ＯＥＳ、ＱＭＳ等の処理中のプロセス量をモニタするためのセンサ（以
下Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサと称する）である。２５は加工結果推定モデルであり、前記Ｉｎ
−Ｓｉｔｕセンサのモニタ出力あるいは予め設定した加工結果の予測式を用いて加工結果
（例えば前記加工結果ＣＤ値）を推定する。なお、Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサはウエハ処理中
にウエハ毎にモニタ可能であるため、前記推定モデルはウエハ毎に加工結果を推定するこ
とができる。また、この推定モデルは後述する加工結果の測定機出力に基づき修正するこ
とができる。 In the figure, reference numeral 21 denotes a photolithography processing apparatus, for example, a resist is applied on a semiconductor substrate, and the resist is etched so that a gate electrode having a target electrode width can be obtained at a gate portion of a target FET, for example. To do. Hereinafter, the target value of the electrode width or the value of the processing result is referred to as a CD (Critical Dimension) value. 22 is a measuring instrument such as a CD-SEM for measuring the CD value of the resist after the etching, 23 is a plasma etching apparatus (etcher), 24 is a gas flow rate, gas pressure, input power, OES supplied to the plasma etching apparatus. , A sensor (hereinafter referred to as an In-Situ sensor) for monitoring a process amount during processing such as QMS. 25 is a machining result estimation model, and the In
-The machining result (for example, the machining result CD value) is estimated using the monitor output of the Situ sensor or a preset formula for predicting the machining result. Since the In-Situ sensor can be monitored for each wafer during wafer processing, the estimation model can estimate the processing result for each wafer. Moreover, this estimation model can be corrected based on the measuring machine output of the processing result mentioned later.

２６は最適レシピ計算モデルであり、前記加工結果の推定モデルの推定結果および目標
値２７をもとに最適レシピ計算モデルを、例えば図の例１または例２に示すように修正し
て最適レシピを生成する。また、この計算モデルは前記ＣＤ−ＳＥＭ等の計測機２２の出
力を例３に示すようにフィードフォワード制御入力として利用することができる。 Reference numeral 26 denotes an optimum recipe calculation model. Based on the estimation result of the estimation model of the processing result and the target value 27, the optimum recipe calculation model is modified as shown in, for example, Example 1 or Example 2 in the figure to obtain the optimum recipe. Generate. Further, this calculation model can use the output of the measuring instrument 22 such as the CD-SEM as a feedforward control input as shown in Example 3.

２８は使用可能レシピ選択手段であり、レシピサーバ２９に格納したレシピの中から最
適レシピ計算モデルが生成した最適レシピに最も近いレシピを選択して使用可能レシピと
して設定する。 28 is a usable recipe selection means, which selects a recipe closest to the optimum recipe generated by the optimum recipe calculation model from the recipes stored in the recipe server 29 and sets it as a usable recipe.

３０は加工結果のＣＤ値を測定するＣＤ−ＳＥＭ（寸法側長用走査形電子顕微鏡（Ｃｒ
ｉｔｉｃａｌＤｉｍｅｎｓｉｏｎ−ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ））、３１はその他の加工結果を測定するＸ−ＳＥＭ（断面測定用走査形電子
顕微鏡（ＣｒｏｓｓＳｅｃｔｉｏｎ−ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ））等の加工結果の測定機であり、加工結果をＣＤ値あるいはゲート形状信
号３２として出力する。なお、前記ＣＤ−ＳＥＭ３０およびＸ−ＳＥＭ３１等の測定機は
、前記プラズマエッチング処理装置の処理単位毎（ロット単位毎）にウエハをサンプリン
グして計測することになる。このため前記ＣＤ値あるいはゲート形状はロット毎に得られ
ることになる。 30 is a CD-SEM (scanning electron microscope for dimension side length (Cr
initial Dimension-Scanning Electron Micro
Scope)), 31 is an X-SEM for measuring other processing results (Cross Section-Scanning Electron Micror
oscopy)) and the like, and outputs the machining result as a CD value or a gate shape signal 32. Note that a measuring machine such as the CD-SEM 30 and the X-SEM 31 samples and measures a wafer for each processing unit (each lot unit) of the plasma etching processing apparatus. Therefore, the CD value or gate shape is obtained for each lot.

図３は、本実施形態のドライエッチング装置のフィードバック制御を説明する図である
。まずステップ１において、加工目標値（ＣＤ値）を設定する。ステップ２において最適
レシピ計算モデルは加工目標値から目標値を達成するのに最適なレシピを計算する。ステ
ップ３において、最適レシピに最も近い使用可能なレシピを選択し、ステップ４において
、該レシピをエッチング処理装置２３に設定する。ステップ５において、エッチングを開
始する。ステップ６において、エッチングを行っている間の装置の状態をＩｎ−Ｓｉｔｕ
センサによりモニタリングする。ステップ７において、１枚のウエハのエッチング処理が
終了すると、ステップ８において、加工結果推定モデルを用いて、前記Ｉｎ−Ｓｉｔｕセ
ンサの測定値をもとにウエハの加工結果を推定する。ステップ９において、前記推定した
加工結果と目標値をもとに、図４に示すように最適レシピ計算モデルを修正し、修正した
最適レシピをエッチング処理装置２３に設定する。次いでステップ２に進んで次のウエハ
を処理する。 FIG. 3 is a diagram for explaining feedback control of the dry etching apparatus of the present embodiment. First, in step 1, a machining target value (CD value) is set. In step 2, the optimum recipe calculation model calculates an optimum recipe for achieving the target value from the processing target value. In step 3, a usable recipe closest to the optimum recipe is selected, and in step 4, the recipe is set in the etching processing apparatus 23. In step 5, etching is started. In Step 6, the state of the apparatus during the etching is changed to In-Situ.
Monitor with sensors. In step 7, when the etching process for one wafer is completed, in step 8, using the processing result estimation model, the processing result of the wafer is estimated based on the measured value of the In-Situ sensor. In step 9, based on the estimated processing result and the target value, the optimum recipe calculation model is corrected as shown in FIG. 4, and the corrected optimum recipe is set in the etching processing device 23. Next, the process proceeds to step 2 to process the next wafer.

また、前述のように、各ロット毎にウエハを１枚ずつサンプリングして、ウエハの実寸
法をＣＤ−ＳＥＭ３０あるいはＸ−ＳＥＭ３１等の加工結果の測定機で測定し、該測定結
果に基づいて加工結果の推定モデルを精度よく修正することができる。また、この推定モ
デルの修正により、前記サンプリング検査のみによりウエハの全数検査に相当する精度の
よい検査を実行することができる。 Further, as described above, one wafer is sampled for each lot, and the actual dimension of the wafer is measured with a measuring machine such as a CD-SEM 30 or X-SEM 31 and processed based on the measurement result. The resulting estimation model can be corrected with high accuracy. In addition, by correcting the estimation model, it is possible to execute an inspection with high accuracy corresponding to the total inspection of wafers only by the sampling inspection.

このように本制御方式によれば、Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサの測定値を用いて加工結果を推
定し、フィードバック制御することができる。また、Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサの測定値を用
いるので、ウエハの実寸法をＣＤ−ＳＥＭ３０あるいはＸ−ＳＥＭ３１等の加工結果の測
定機のみで測定する方法（Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサを用いない方法）に比して、高速なフィ
ードバックループ（ウエハ毎のフィードバック制御ループ）構成することができ、不良ウ
エハの大量生産を抑制することができる。 As described above, according to this control method, it is possible to estimate the machining result using the measured value of the In-Situ sensor and perform feedback control. In addition, since the measured value of the In-Situ sensor is used, the actual size of the wafer is compared with a method of measuring only the processing result measuring machine such as CD-SEM30 or X-SEM31 (method without using the In-Situ sensor). Thus, a high-speed feedback loop (feedback control loop for each wafer) can be formed, and mass production of defective wafers can be suppressed.

次に、本実施形態のドライエッチング装置のフィードフォワード制御を説明する。フォ
トリソグラフィ処理装置２１により処理したウエハのレジスト加工寸法（例えばＣＤ値）
はＣＤ−ＳＥＭ等の測定機２２により測定する。最適レシピ計算モデル２６は、この測定
値と前記目標値２７とを比較し、ホトリソグラフィ工程におけるレジスト加工寸法の目標
値からの前記ずれを相殺する加工量（ＣＤシフト量）を見積もり（図中Ｙ）、この見積も
りをもとに最適レシピ計算モデルを用いて最適レシピを計算する。次いで、使用可能レシ
ピ選択手段２８はレシピサーバに格納したレシピの中から最適レシピ計算モデルが生成し
た最適レシピに最も近いレシピを選択して使用可能レシピとして設定する。 Next, feedforward control of the dry etching apparatus of this embodiment will be described. Resist processing dimensions (for example, CD value) of wafer processed by photolithography processing apparatus 21
Is measured by a measuring machine 22 such as a CD-SEM. The optimum recipe calculation model 26 compares this measured value with the target value 27 and estimates a processing amount (CD shift amount) that cancels the deviation from the target value of the resist processing dimension in the photolithography process (Y in the figure). ) Based on this estimate, the optimum recipe is calculated using the optimum recipe calculation model. Next, the usable recipe selection means 28 selects a recipe closest to the optimum recipe generated by the optimum recipe calculation model from the recipes stored in the recipe server and sets it as an available recipe.

図４においては、ホトリソグラフィ工程における加工結果が目標ＣＤ値よりも大の場合
の例を示している。このようなような場合は、レジストを目標ＣＤ値になるようにエッチ
ング処理で細くする（スリミング処理）か、あるいは、ＢＡＲＣ／ＨＬＤ（反射防止膜）
エッチング処理で目標ＣＤ値になるように調整する。次いで目標ＣＤ値となったレジスト
、あるいはＢＡＲＣ／ＨＬＤをマスクとしてエッチング処理する。この場合、目標とする
レジストのサイドエッチングによって生じるＣＤシフト量を見積り、この見積もりをもと
に、図５に示すように最適レシピ計算モデルにより最適レシピを計算する。次いで、計算
した最適レシピにもっとも近い、使用可能なレシピを選択し、レジストをエッチング処理
する。 FIG. 4 shows an example in which the processing result in the photolithography process is larger than the target CD value. In such a case, the resist is thinned by an etching process so as to have a target CD value (slimming process), or BARC / HLD (antireflection film).
The target CD value is adjusted by the etching process. Next, etching is performed using the resist having the target CD value or BARC / HLD as a mask. In this case, the CD shift amount generated by the target side etching of the resist is estimated, and based on this estimate, an optimum recipe is calculated by an optimum recipe calculation model as shown in FIG. Next, a usable recipe closest to the calculated optimum recipe is selected, and the resist is etched.

次に、同様に、前記レジストのＣＤ値をもとに、最適レシピ計算モデルにより最適レシ
ピを計算し、計算した最適レシピにもっとも近い使用可能なレシピを選択してウエハのエ
ッチング処理を行い、エッチング処理の工程を終了する図６は、本発明のドライエッチ
ング装置の他の例を示す図である。なお、図において図２に示される部分と同一部分につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。この例においては、図２に示す加工結果推
定モデルは使用しない。こうすることにより、フィードバックのループ速度は遅くなるが
、加工結果の測定機３０，３１，からの実データを用いたフィードバックを行うことがで
きる。このため、最適レシピ計算モデルをより正確に修正することができる。 Next, similarly, based on the CD value of the resist, an optimum recipe is calculated by an optimum recipe calculation model, a usable recipe closest to the calculated optimum recipe is selected, and the wafer is etched, and etching is performed. FIG. 6 is a diagram showing another example of the dry etching apparatus of the present invention. In the figure, the same parts as those shown in FIG. In this example, the machining result estimation model shown in FIG. 2 is not used. By doing so, the loop speed of the feedback is slowed down, but the feedback using the actual data from the measuring machines 30, 31 of the processing result can be performed. For this reason, the optimum recipe calculation model can be corrected more accurately.

図１６は、本発明のドライエッチング装置の他の例を示す図である。なお、図において
図２に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。この例
においては、図２に示すＣＤ−ＳＥＭ３０とＸ−ＳＥＭ３１、および加工結果３２は使用
しない。Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサ２４と加工結果推定モデル２５が高精度で維持できる場合
、ＣＤ−ＳＥＭ等からのモデル補正は不要となるためである。こうすることにより、ＣＤ
−ＳＥＭ、Ｘ−ＳＥＭ等の検査装置を必要としない処理方法が実現でき、半導体製造にお
いて検査工程を削減できる。 FIG. 16 is a diagram showing another example of the dry etching apparatus of the present invention. In the figure, the same parts as those shown in FIG. In this example, the CD-SEM 30 and X-SEM 31 and the processing result 32 shown in FIG. 2 are not used. This is because when the In-Situ sensor 24 and the machining result estimation model 25 can be maintained with high accuracy, model correction from a CD-SEM or the like is not necessary. By doing this, the CD
A processing method that does not require an inspection device such as SEM or X-SEM can be realized, and inspection steps can be reduced in semiconductor manufacturing.

図７は、本発明のドライエッチング装置のさらに他の例を示す図である。なお、図にお
いて図２に示される部分と同一部分については同一符号を付してその説明を省略する。こ
の例においては、図２に示すＩｎ−Ｓｉｔｕセンサ２４に代えて、光散乱形状推定手段（
Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ）を用いる。光散乱形状推定手段は、ウェハ上に設けた複数
の格子マークに、波長もしくは入射角をパラメータとして光を照射して反射率を測定する
。つぎに、予め理論計算によって作成しておいた特徴ライブラリと比較して一致度の良い
ライブラリ波形を探索し、さらに、形状パラメータを調整することにより複数の格子マー
クにより形成されるウエハの形状、寸法を推定することができる。 FIG. 7 is a view showing still another example of the dry etching apparatus of the present invention. In the figure, the same parts as those shown in FIG. In this example, instead of the In-Situ sensor 24 shown in FIG.
Scatterometry) is used. The light scattering shape estimation means measures the reflectance by irradiating a plurality of lattice marks provided on the wafer with light using a wavelength or an incident angle as a parameter. Next, search for a library waveform having a good degree of coincidence compared with a feature library created by theoretical calculation in advance, and further adjust the shape parameters to adjust the shape and dimensions of the wafer formed by a plurality of lattice marks. Can be estimated.

この光散乱形形状推定手段２４Ａを用いて、ロット毎にサンプルしたウエハの格子マー
クの加工形状を測定し、前記加工結果推定モデル２５を修正するようにすれば、Ｘ−ＳＥ
Ｍによる破壊検査を行うことなく形状推定精度を修正することができる（図１５）。 If the processing shape of the lattice mark of the wafer sampled for each lot is measured by using this light scattering shape estimation means 24A and the processing result estimation model 25 is corrected, X-SE
The shape estimation accuracy can be corrected without performing a destructive inspection with M (FIG. 15).

この光散乱推定手段２４Ａを、プロセス量をモニタするための測定装置（Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄＭｅｔｒｏｌｏｇｙ）としてエッチング処理装置２３に組み込み、エッチング
直後のウェハをエッチング装置内で計測し、寸法、形状を推定する。推定結果を基に最適
レシピ計算モデルを修正することは図２の場合と同様である。 This light scattering estimation means 24A is used as a measuring device (Integrr for monitoring the process amount).
The wafer is incorporated into the etching processing apparatus 23 as an attenuated metrology), and the wafer immediately after the etching is measured in the etching apparatus to estimate the size and shape. The correction of the optimum recipe calculation model based on the estimation result is the same as in the case of FIG.

図８は、Ｉｎ−ｓｉｔｕセンサを用いた加工結果推定と加工制御の効果を示す図である
。図では、Ｉｎ−ｓｉｔｕセンサの例として処理中のプラズマ発光を測定する例を示す。 FIG. 8 is a diagram illustrating the effect of machining result estimation and machining control using an in-situ sensor. In the figure, an example of measuring plasma emission during processing is shown as an example of an in-situ sensor.

プラズマ発光には、プロセスを支配するエッチャントやイオンの情報が含まれており、プ
ラズマ発光のピーク強度やスペクトル形状の変化から加工結果の変化を推定することがで
きる。 Plasma light emission includes information on etchants and ions that dominate the process, and changes in the processing result can be estimated from changes in the peak intensity and spectral shape of the plasma light emission.

なお、プラズマ発光の変化はわずかであるので、プラズマ発光に対してなんらかの数値
処理を施して発光スペクトルの変化成分を感度よく抽出することが望ましい。演算処理と
しては、たとえば標準スペクトルに対して比や差分をとる方法がある。あるいは統計解析
的な手法、たとえば主成分分析を用いれば、多くの発光ピークのなかから変化したピーク
成分のみをフィルタリングしてとりだすことができる。 Since the change in plasma emission is slight, it is desirable to perform some numerical processing on the plasma emission to extract the emission spectrum change component with high sensitivity. As the arithmetic processing, for example, there is a method of taking a ratio or a difference with respect to a standard spectrum. Alternatively, by using a statistical analysis method such as principal component analysis, it is possible to filter out only peak components that have changed from many emission peaks.

図８の左欄には、プラズマ発光に対して数値処理をほどこした結果を示している。図の
＊印は、側壁デポジットに影響を与える発光ピークの変化を示す。この発光ピークの分析
結果から、加工結果推定モデルにもとづいて加工結果が推定できる。この様子は図８の中
央部に示してあり、所定の形状（最上段に示す）に比べて、発光ピークの変化に対応して
側壁デポジットが増加してテーパ角が増加していることが推定される。 The left column of FIG. 8 shows the result of numerical processing applied to the plasma emission. The * mark in the figure indicates the change in the emission peak that affects the sidewall deposit. From the analysis result of the emission peak, the processing result can be estimated based on the processing result estimation model. This state is shown in the center of FIG. 8, and it is estimated that the side wall deposit increases and the taper angle increases in accordance with the change of the emission peak, compared to the predetermined shape (shown in the uppermost stage). Is done.

これらの結果にもとづいて、最適なレシピを計算して加工制御をおこなう。最適レシピ
計算は、処理レシピに対して補正をかけることで行う。加工目標値からのずれ量に応じて
、例えば、テーパ角が目標値に一致している場合は補正を加えずに、テーパ角が大きい場
合は補正量を大きくとる。これにより、図３の右欄に示すように、テーパ角を一定にたも
つことができる。この最適レシピ計算の方法は後述する。なお、ここではＩｎ−ｓｉｔｕ
センサとして、プラズマ発光をを検出するセンサ用いたが、これ以外にも、たとえば放電
電圧（Ｖｐｐ）やバイアス電圧（Ｖｄｃ）、あるいはインピーダンスモニタを用いること
もできる。 Based on these results, an optimum recipe is calculated and processing control is performed. The optimum recipe calculation is performed by correcting the processing recipe. Depending on the amount of deviation from the machining target value, for example, when the taper angle matches the target value, no correction is performed, and when the taper angle is large, the correction amount is increased. As a result, the taper angle can be kept constant as shown in the right column of FIG. A method for calculating the optimum recipe will be described later. Here, In-situ
As the sensor, a sensor for detecting plasma emission is used. However, for example, a discharge voltage (Vpp), a bias voltage (Vdc), or an impedance monitor can be used.

図９は、本実施形態にかかるドライエッチング装置のエッチング制御を説明するブロッ
ク図である。 FIG. 9 is a block diagram for explaining the etching control of the dry etching apparatus according to the present embodiment.

プロセス量をモニタし、さらに加工結果をモニタするセンサ９１としては、発光分光器
などの多数のデータを出力するセンサ、プラズマインピーダンスモニタのようにプラズマ
の状態に感度が高いセンサ、その他の圧力や温度や電圧、電力の入射、反射などの種々の
センサを備えることができる。また、発光分光器のように多数のデータを同時に取得でき
るセンサが一つあるだけでもよい。これらのセンサは一定時間毎、たとえば１秒毎に、装
置の状態を表す信号を出力する。この一回の出力あたりに、センサデータの数は数十個か
ら数千個である。 The sensor 91 that monitors the process amount and also monitors the processing result includes a sensor that outputs a large number of data such as an emission spectrometer, a sensor that is highly sensitive to the plasma state such as a plasma impedance monitor, and other pressures and temperatures. In addition, various sensors such as voltage, power incidence, and reflection can be provided. In addition, there may be only one sensor such as an emission spectrometer that can simultaneously acquire a large number of data. These sensors output a signal indicating the state of the apparatus at regular intervals, for example, every second. The number of sensor data is several tens to thousands per one output.

信号圧縮部９２はこれらの多数のデータを圧縮して装置状態信号を生成する。装置状態
信号の数は場合によって変わるが、数個から数十個の場合がある。この信号圧縮には主成
分分析などの統計的解析法を用いることができる。 The signal compression unit 92 generates a device status signal by compressing a large number of these data. The number of device status signals varies depending on the case, but may be several to several tens. A statistical analysis method such as principal component analysis can be used for the signal compression.

加工結果推定部９３は、前記装置状態信号の時間変化から、平均化や微分操作によって
、ウエハ毎の処理状態信号を生成する。 The processing result estimation unit 93 generates a processing state signal for each wafer from the time variation of the apparatus state signal by averaging or differentiation operation.

ここで、図の加工結果予測式９４は、前記生成したウエハ毎の処理状態信号から処理後
のウエハの加工結果を予測する予測式であり、予めデータベースに格納しておく。さらに
、前記加工結果推定部９３は前記処理状態信号および予測式を用いてウエハの加工形状を
予測する。なおウエハ内で加工形状のばらつきがあるときには、このばらつきも計算する
。 Here, the processing result prediction formula 94 in the figure is a prediction formula for predicting the processing result of the processed wafer from the generated processing state signal for each wafer, and is stored in advance in a database. Further, the processing result estimation unit 93 predicts the processing shape of the wafer using the processing state signal and the prediction formula. When there is a variation in the processing shape within the wafer, this variation is also calculated.

最適レシピ計算モデル９５は前記予測結果および処理の目標値９６を入力して、加工結
果が目標値になるように処理条件の補正量を計算する。この補正された処理条件（最適レ
シピ）を装置制御部９７に渡して、エッチング装置９８を制御して、次のウエハの処理を
行う。なお、前記加工結果予測式は、その予測精度の検定をＣＤ−ＳＥＭなどの加工形状
の測定機による実測結果と比較することにより行うことができる。 The optimum recipe calculation model 95 inputs the prediction result and the target value 96 of the process, and calculates the correction amount of the processing condition so that the processing result becomes the target value. The corrected processing condition (optimum recipe) is transferred to the apparatus control unit 97, and the etching apparatus 98 is controlled to process the next wafer. In addition, the said process result prediction formula can be performed by comparing the test of the prediction precision with the measurement result by the measuring machine of process shapes, such as CD-SEM.

図１０は、フィードバック制御あるいはフィードフォワード制御による安定化の効果を
示す図である。縦軸はＣＤゲインであり、ＣＤ値の加工による太り量を示す。生産管理上
、このＣＤゲインはわずかに正の値で一定に保たれることが理想的である。しかし、リア
クタ内壁面への反応生成物の堆積などにより、プラズマやケミストリの状態がわずかでは
あるが変化していくために加工に長期的な変動が生じる。これをこの図ではロット間変動
と名づけている。特にリアクタを大気開放して内部の堆積物を除去する全掃後から、リア
クタ内壁面の状態が安定するまでの間に変動がでる。また、ロット内においても、反応生
成物の堆積や内壁面の温度変化などにより短期的な変動（ロット内変動）が生じる。さら
に、ホト工程やエッチング工程の加工によるばらつき変動も生じる。 FIG. 10 is a diagram illustrating the effect of stabilization by feedback control or feedforward control. The vertical axis represents the CD gain, and indicates the amount of fat obtained by processing the CD value. In production management, this CD gain is ideally kept constant at a slightly positive value. However, due to deposition of reaction products on the inner wall of the reactor, the state of plasma and chemistry changes slightly, but long-term fluctuations occur in processing. This is termed lot-to-lot variation in this figure. In particular, the fluctuation occurs after the reactor is opened to the atmosphere to remove the internal deposits and until the reactor wall surface is stabilized. Even within a lot, short-term fluctuations (intra-lot fluctuations) occur due to deposition of reaction products and temperature changes on the inner wall surface. Furthermore, variation variation due to processing of the photo process and the etching process also occurs.

従来からこうした変動に対しては、内壁面の温度調整などのハード的な改善により、あ
るいは適当な間隔で（たとえばロットごとやウエハごとに）クリーニングをおこなって堆
積物を除去して、リアクタの状態を安定化させることによりデバイス加工のマージン以内
におさめている。しかしながら、デバイスの微細化にともない、加工マージンが小さくな
ると従来の方法では安定化の限界が生じている。これに対して本実施形態に示すようにフ
ィードバック制御あるいはフィードフォワード制御を施すことにより、図１０下段に示す
ようにロット間変動・ロット内変動・ばらつき変動をおさえてデバイス加工のマージン以
内におさめることが可能になる。 Conventionally, to prevent such fluctuations, it is possible to remove the deposits by hardware improvements such as adjusting the temperature of the inner wall surface, or by cleaning at appropriate intervals (for example, for each lot or wafer). By stabilizing the device, it is within the margin of device processing. However, if the processing margin is reduced with the miniaturization of the device, the conventional method has a limit of stabilization. On the other hand, by performing feedback control or feedforward control as shown in this embodiment, variation between lots, variation within lots, variation variation is suppressed within the margin of device processing as shown in the lower part of FIG. Is possible.

図１１は、図９に示す加工結果予測式を生成するための処理を説明する図である。まず
、ステップ１において、エッチング処理装置を用いて試料（ウエハ）の処理を行う。ステ
ップ２において、プロセス量をモニタするセンサのデータをデータ圧縮部において圧縮し
、ステップ３において圧縮したデータを処理状態信号データベースに格納する。ステップ
４において、前記処理の終了したウエハの加工形状を、例えばＣＤ−ＳＥＭなどで測定し
、ステップ５において、加工結果データベースに保存する。ステップ６において、前記実
測した加工形状と処理状態信号の相関関係式を重回帰分析により求め、加工結果予測式を
生成する。 FIG. 11 is a diagram illustrating a process for generating the machining result prediction formula illustrated in FIG. 9. First, in step 1, a sample (wafer) is processed using an etching processing apparatus. In step 2, the sensor data for monitoring the process amount is compressed in the data compression unit, and the compressed data in step 3 is stored in the processing state signal database. In step 4, the processed shape of the processed wafer is measured by, for example, a CD-SEM, and in step 5, stored in a processing result database. In step 6, a correlation equation between the actually measured machining shape and the processing state signal is obtained by multiple regression analysis, and a machining result prediction formula is generated.

図１２は、本発明のドライエッチング装置のさらに他の例を示す図である。この例では
、最適レシピ計算モデルのモデル化方法として統計処理に一般に用いられている応答曲面
モデルを利用した。また、図１３は最適レシピ計算モデル構築のための処理を示す図であ
る。 FIG. 12 is a view showing still another example of the dry etching apparatus of the present invention. In this example, a response surface model generally used for statistical processing is used as a method for modeling the optimum recipe calculation model. FIG. 13 is a diagram showing processing for constructing an optimum recipe calculation model.

まず、目標とするエッチング性能の項目をＡ，Ｂ，Ｃとし、エッチング装置へ設定する
レシピパラメータがａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆの６項目であるとする。Ａ，Ｂ，Ｃは、例え
ば選択比、サイドエッチング量、テーパー角度といったものであり、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ
，ｆは、例えばガス流量、圧力、電圧、電力、温度、時間といったものである。まず、ス
テップ１において、タグチメソッドを用いた評価実験を行い、ステップ２において、均一
性に影響を与えるレシピパラメータを選択し、制御可能なパラメータから除外する。これ
らのパラメータ（本図ではｄ，ｅ，ｆ）は固定レシピパラメータとして常時固定とするこ
とで、ウエハ毎のフィードバック制御（Ｒｕｎ−ｔｏ−Ｒｕｎ制御）により均一性が劣化
することを防ぐ。 First, it is assumed that target etching performance items are A, B, and C, and recipe parameters set to the etching apparatus are six items a, b, c, d, e, and f. A, B, and C are, for example, selectivity, side etching amount, taper angle, and a, b, c, d, and e.
, F are, for example, gas flow rate, pressure, voltage, power, temperature, and time. First, in step 1, an evaluation experiment using the Taguchi method is performed, and in step 2, recipe parameters that affect uniformity are selected and excluded from controllable parameters. These parameters (d, e, f in this figure) are always fixed as fixed recipe parameters, thereby preventing the uniformity from being deteriorated by feedback control (Run-to-Run control) for each wafer.

ステップ３において、実験計画法を用いてモデル化に必要なデータを取得し、ステップ
４において、最適レシピ計算モデルを作成する。図１１においては最適レシピ計算モデル
の概念を容易に理解できるようレシピパラメータａ，ｂ，ｃに対して、エッチ性能Ａ，Ｂ
、エッチ性能Ａ，Ｃ、およびエッチ性能Ｂ，Ｃのみがそれぞれ関与している３次元のモデ
ルを仮定した。実際には応答曲面法により生成される最適レシピ計算モデルは、エッチ性
能Ａ，Ｂ，Ｃを入力とし、レシピパラメータａ，ｂ，ｃを出力とするような多次元のモデ
ルである。本構築例においては、エッチング性能を変化させるためにモデルの傾斜を変化
させる方法をとった。このようにして修正されたモデルを用いて導かれる更新されたレシ
ピパラメータａ’，ｂ’，ｃ’と固定レシピパラメータｄ，ｅ，ｆを次のウエハの処理条
件として与える。ステップ５において、前記エッチング条件にしたがってエッチング処理
を実行する。 In step 3, data necessary for modeling is acquired using an experimental design, and in step 4, an optimum recipe calculation model is created. In FIG. 11, the etch performances A and B are set for the recipe parameters a, b, and c so that the concept of the optimum recipe calculation model can be easily understood.
A three-dimensional model in which only etch performances A and C and etch performances B and C are involved is assumed. Actually, the optimum recipe calculation model generated by the response surface method is a multi-dimensional model in which the etch performances A, B, and C are input and the recipe parameters a, b, and c are output. In this construction example, a method of changing the slope of the model was used to change the etching performance. The updated recipe parameters a ′, b ′, c ′ and fixed recipe parameters d, e, f derived using the model thus corrected are given as processing conditions for the next wafer. In step 5, an etching process is performed according to the etching conditions.

図１４は、使用可能レシピ選択手段の使用可能レシピ選択方法を説明する図である。あ
るプロセスにおいて、１枚目のウェハを処理する場合、まず、最適レシピ計算モデルによ
り、ＣＤシフト量およびＣＤテーパの目標値を元に、［１］（図では丸付数字で示してい
る）で示すレシピＮｏ．２０が算出されて、このレシピで処理が行われる。ここでは説明
を簡便にするために目標値を２変数としたが、２変数以上の場合も同様である。 FIG. 14 is a diagram for explaining a usable recipe selection method of the usable recipe selection means. When processing the first wafer in a certain process, first, according to the optimum recipe calculation model, [1] (indicated by circled numbers) based on the CD shift amount and the target value of the CD taper. Recipe No. shown 20 is calculated and processing is performed with this recipe. Here, in order to simplify the explanation, the target value is set to two variables. However, the same applies to the case where there are two or more variables.

１枚目のウェハのエッチング処理終了後、加工結果推定モデルあるいはＣＤ−ＳＥＭ等
の計測機により加工結果を測定する。この測定結果が［２］に示すように目標としていた
ものからずれていたとする。この場合は、当初の計算モデルが経時変化などにより変動し
ていると判断し、モデルを当初のレシピ（ここではレシピＮｏ．２０）が当該加工結果に
一致するように移動もしくは傾斜させ、モデル修正を行う（初期の最適レシピ計算モデル
を移動して修正後の最適レシピ計算モデル（１）とする）。 After the etching process of the first wafer is completed, the processing result is measured by a processing result estimation model or a measuring instrument such as a CD-SEM. It is assumed that the measurement result deviates from the target as shown in [2]. In this case, it is determined that the initial calculation model has fluctuated due to changes over time, etc., and the model is corrected by moving or tilting the model so that the original recipe (in this case, recipe No. 20) matches the processing result. (The initial optimum recipe calculation model is moved to the corrected optimum recipe calculation model (1)).

２枚目のウェハのエッチング処理時には、修正された最適レシピ計算モデル（１）を使
用し、目標値から最適レシピ（［４］に示す２枚目ウェハのレシピＮｏ．１０）を選択す
る。 At the time of etching the second wafer, the corrected optimum recipe calculation model (1) is used, and the optimum recipe (recipe No. 10 for the second wafer shown in [4]) is selected from the target values.

しかし、モデル修正後にモデルが図中に示している「修正後の最適レシピ計算モデル（
２）」になった場合は、目標値での最適レシピは存在しない。したがって、この場合は、
アラームを出し、エッチング処理は行わないことになる。これにより、装置が異常になっ
た場合、多くの不良を出すことを未然に防ぐことができる。また、このアラームは、前記
全掃といわれるメンテナンス処理の実行判断として使用することもできる。なお、以上の
説明ではプラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置を代表例として説明したが、本
発明はプラズマＣＶＤ装置等の他のプラズマ処理装置にも適用することができる。 However, after the model is modified, the model shows in the figure the “optimized recipe calculation model after modification (
2) ", there is no optimum recipe with the target value. So in this case,
An alarm is issued and the etching process is not performed. Thereby, when an apparatus becomes abnormal, it can prevent producing many defects beforehand. This alarm can also be used as an execution judgment for the maintenance process called the sweeping. In the above description, the plasma etching apparatus has been described as a typical example of the plasma processing apparatus, but the present invention can also be applied to other plasma processing apparatuses such as a plasma CVD apparatus.

以上説明したように、本実施形態によれば、プロセス量をモニタするためのセンサ出力
あるいは加工結果の測定機の測定結果を基にフィードバック制御あるいはフィードフォワ
ード制御を施すので、経時変化等に基づくロット間変動・ロット内変動およびばらつき変
動をおさえて精度のよいデバイス加工を実施することができる。 As described above, according to the present embodiment, feedback control or feedforward control is performed based on the sensor output for monitoring the process amount or the measurement result of the processing result measuring machine. Accurate device processing can be performed by suppressing inter-variation, intra-lot variation and variation variation.

本発明の実施形態にかかるドライエッチング装置の概要を示す図である。It is a figure which shows the outline | summary of the dry etching apparatus concerning embodiment of this invention. ドライエッチング装置の全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of a dry etching apparatus. ドライエッチング装置のフィードバック制御を説明する図である。It is a figure explaining the feedback control of a dry etching apparatus. 最適レシピ計算モデルの修正を説明する図である。It is a figure explaining correction of the optimal recipe calculation model. 最適レシピの計算を説明する図である。It is a figure explaining calculation of an optimal recipe. ドライエッチング装置の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a dry etching apparatus. ドライエッチング装置のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a dry etching apparatus. Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサセンサを用いた加工結果推定と加工制御の効果を示す図である。It is a figure which shows the effect of processing result estimation and processing control using an In-Situ sensor sensor. ドライエッチング装置のエッチング制御を説明する図である。It is a figure explaining the etching control of a dry etching apparatus. フィードバック制御あるいはフィードフォワード制御による安定化の効果を示す図である。It is a figure which shows the effect of stabilization by feedback control or feedforward control. 加工結果予測式を生成するための処理を説明する図である。It is a figure explaining the process for producing | generating a process result prediction formula. ドライエッチング装置のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a dry etching apparatus. 最適レシピ計算モデル構築のための処理を示す図である。It is a figure which shows the process for optimal recipe calculation model construction. 使用可能レシピ選択手段の使用可能レシピ選択方法を説明する図である。It is a figure explaining the usable recipe selection method of the usable recipe selection means. ドライエッチング装置のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a dry etching apparatus. ドライエッチング装置のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a dry etching apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１プラズマ処理室
１ａウエハステージ
１ｂウエハ
２センサ
３付加センサ
４アクチュエータ
５データベース
６レシピ
７生産管理情報
２１フォトリソグラフィ処理装置
２２ＣＤ−ＳＥＭ
２３プラズマエッチング処理装置
２４Ｉｎ−Ｓｉｔｕセンサ
２４Ａ光散乱式形状推定手段
２５加工結果推定モデル
２６最適レシピ計算モデル
２７目標値
２８使用可能レシピ選択手段
２９レシピサーバ
３０ＣＤ−ＳＥＭ
３１Ｘ−ＳＥＭ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma processing chamber 1a Wafer stage 1b Wafer 2 Sensor 3 Additional sensor 4 Actuator 5 Database 6 Recipe 7 Production management information 21 Photolithographic processing apparatus 22 CD-SEM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 23 Plasma etching processing apparatus 24 In-situ sensor 24A Light scattering type shape estimation means 25 Processing result estimation model 26 Optimal recipe calculation model 27 Target value 28 Usable recipe selection means 29 Recipe server 30 CD-SEM
31 X-SEM

Claims

真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置と、
該処理装置の処理中のプロセス量をモニタするセンサと、
該センサからのモニタ出力および予め設定した処理結果の予測式をもとに処理結果を推
定する処理結果推定モデルと、
前記処理結果推定モデルの推定結果をもとに処理結果が目標値となるように処理条件の
補正量を計算する最適レシピ計算モデルを備え、
該最適レシピ計算モデルが生成したレシピをもとに前記プラズマ処理を制御することを
特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 A plasma processing apparatus for processing a sample housed in a vacuum processing chamber;
A sensor for monitoring a process amount during processing of the processing device;
A processing result estimation model for estimating a processing result based on a monitor output from the sensor and a preset prediction formula of the processing result;
An optimum recipe calculation model for calculating a correction amount of the processing condition so that the processing result becomes a target value based on the estimation result of the processing result estimation model,
A plasma processing apparatus or system that controls the plasma processing based on a recipe generated by the optimum recipe calculation model.

請求項１の記載において、
前記プラズマ処理装置、またはシステムは、処理結果得られた前記試料の形状を測定す
る処理結果の測定機を備え、該測定機の測定結果に基づき前記処理結果推定モデルを修正
することを特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 In the description of claim 1,
The plasma processing apparatus or system includes a processing result measuring device that measures the shape of the sample obtained as a processing result, and corrects the processing result estimation model based on the measurement result of the measuring device. Plasma processing apparatus or system.

請求項１ないし請求項２の何れか１の記載において、前記最適レシピ計算モデルは、該モ
デルが計算した最適レシピの妥当性を判断して使用可能なレシピを選択する使用可能レシ
ピ選択手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 3. The optimum recipe calculation model according to claim 1, further comprising: a usable recipe selection unit that selects a usable recipe by judging validity of the optimum recipe calculated by the model. A plasma processing apparatus or system characterized by the above.

請求項３の記載において、前記使用可能レシピ選択手段は、予め格納したレシピの中から
、前記最適レシピ計算モデルが計算した最適レシピに最も近似するレシピを選択すること
を特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 4. The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the usable recipe selecting means selects a recipe that is closest to the optimum recipe calculated by the optimum recipe calculation model from prestored recipes. Or system.

請求項１ないし請求項４の何れか１の記載において、前記最適レシピ計算モデルは前記試
料の加工前形状を測定する測定機を備え、該測定機の測定結果に基づき前記最適レシピ計
算モデルを用いて処理結果が目標値となるように処理条件を計算するフィードフォワード
制御を最適レシピ計算処理に付加することを特徴とするプラズマ処理装置、またはシステ
ム。 5. The optimal recipe calculation model according to claim 1, wherein the optimal recipe calculation model includes a measuring instrument that measures a shape before processing of the sample, and the optimal recipe calculation model is used based on a measurement result of the measuring instrument. A plasma processing apparatus or system characterized by adding feed-forward control for calculating a processing condition so that a processing result becomes a target value to the optimum recipe calculation processing.

真空処理室内に収容した試料に処理を施すプラズマ処理装置と、
処理結果の測定機の測定結果および目標値をもとに最適レシピを計算する最適レシピ計
算モデルと、
前記最適レシピ計算モデルが計算した最適レシピの妥当性を判断して使用可能レシピを
選択する使用可能レシピ選択手段を備え、
該使用可能レシピ選択手段が選択したレシピをもとに前記プラズマ処理装置を制御する
ことを特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 A plasma processing apparatus for processing a sample housed in a vacuum processing chamber;
An optimal recipe calculation model that calculates the optimal recipe based on the measurement result and target value of the processing result measuring machine;
An available recipe selecting means for selecting an available recipe by judging the validity of the optimum recipe calculated by the optimum recipe calculation model;
A plasma processing apparatus or system for controlling the plasma processing apparatus based on a recipe selected by the usable recipe selecting means.

請求項６の記載において、前記最適レシピ計算モデルは前記試料の加工前形状を測定する
測定機を備え、該測定機の測定結果に基づき前記最適レシピ計算モデルを用いて処理結果
が目標値となるように処理条件を計算するフィードフォワード制御を最適レシピ解散処理
に付加することを特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 7. The optimum recipe calculation model according to claim 6, wherein the optimum recipe calculation model includes a measuring instrument that measures a shape before processing of the sample, and the processing result becomes a target value using the optimum recipe calculation model based on the measurement result of the measuring instrument. A plasma processing apparatus or system characterized by adding feed-forward control for calculating processing conditions to the optimal recipe dissolution processing.

請求項１ないし請求項７の何れか１の記載において、処理結果を推定する光散乱式の形状
推定手段を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 8. The plasma processing apparatus or system according to claim 1, further comprising a light scattering type shape estimation means for estimating a processing result.

請求項１ないし請求項８の何れか１の記載において、前記プラズマ処理装置はプラズマエ
ッチング処理装置であることを特徴とするプラズマ処理装置、またはシステム。 9. The plasma processing apparatus or system according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus is a plasma etching processing apparatus.

真空処理室内に収容した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
該処理方法は、前記処理中のプロセス量をモニタするステップと、
前記モニタ結果をもとに処理結果を推定するステップと、
前記処理結果の推定結果をもとに処理結果が目標値となるように処理条件の補正量を計
算して最適レシピを生成するステップと、
前記生成した最適レシピをもとに前記プラズマ処理装置を制御するステップからなるこ
とを特徴とするプラズマ処理方法。 A plasma processing method for performing plasma processing on a sample housed in a vacuum processing chamber,
The processing method includes a step of monitoring a process amount during the processing;
Estimating a processing result based on the monitoring result;
Generating an optimum recipe by calculating a correction amount of the processing condition so that the processing result becomes a target value based on the estimation result of the processing result;
A plasma processing method comprising the step of controlling the plasma processing apparatus based on the generated optimum recipe.

請求項１０の記載において、前記モニタ結果をもとに処理結果を推定するステップは推定
モデルを備え、処理結果得られた前記試料の形状の測定結果に基づき前記推定モデルを修
正するステップを備えたことを特徴とするプラズマ処理方法。 11. The step of estimating a processing result based on the monitoring result includes an estimation model, and the step of correcting the estimation model based on a measurement result of the shape of the sample obtained as a processing result. And a plasma processing method.

真空処理室内に収容した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
処理結果の測定機の測定結果および目標値をもとに最適レシピを計算するステップと、
前記最適レシピの妥当性を判断するステップと、
妥当性有りと判断したレシピをもとに前記プラズマ処理装置を制御することを特徴とす
るプラズマ処理方法。 A plasma processing method for performing plasma processing on a sample housed in a vacuum processing chamber,
Calculating an optimal recipe based on the measurement result and target value of the processing result measuring machine;
Determining the adequacy of the optimal recipe;
A plasma processing method, comprising: controlling the plasma processing apparatus based on a recipe determined to be valid.

請求項１ないし請求項９の何れか１の記載において、複数の項目からなる処理条件を、予
めウエハ面内の加工結果の均一性に影響を与える処理条件と均一性に影響を与えない処理
条件とに二分して、均一性に影響を与えない処理条件のみを用いて処理結果が目標値に一
致するように制御することを特徴とするプラズマ処理装置。 10. The processing condition according to claim 1, wherein the processing conditions comprising a plurality of items are processed in advance to affect the uniformity of the processing result in the wafer surface and to prevent the uniformity from being affected. The plasma processing apparatus is characterized in that control is performed so that the processing result matches a target value using only processing conditions that do not affect uniformity.

請求項１０ないし請求項１２の何れか１の記載において、該処理ステップの最初に、
複数の項目からなる処理条件を、予めウエハ面内の加工結果の均一性に影響を与える処
理条件と均一性に影響を与えない処理条件とに二分するステップと、
均一性に影響を与える処理条件を均一性の観点から最適化するステップと、
を付け加えたものであり、かつ最適レシピを生成するステップを、
均一性に影響を与えない処理条件のみを対象にして処理結果が目標値に一致するように
処理条件の補正量を計算して補正し、予め最適化しておいた均一性に影響を与える処理条
件と合わせて最適レシピとする、
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 The method according to any one of claims 10 to 12, wherein at the beginning of the processing step,
Bisecting the processing conditions comprising a plurality of items into processing conditions that affect the uniformity of the processing result in the wafer surface in advance and processing conditions that do not affect the uniformity;
Optimizing the processing conditions that affect uniformity from the perspective of uniformity,
And the step of generating the optimal recipe
Processing conditions that affect the uniformity that has been optimized in advance by calculating and correcting the correction amount of the processing conditions so that the processing result matches the target value only for processing conditions that do not affect the uniformity To make an optimal recipe
And a plasma processing method.

請求項８の記載において、光散乱形状推定手段を用いて、ロット毎にサンプルしたウエハ
の格子マークの加工形状を破壊検査を行うことなく測定し、前記処理結果推定モデルを修
正することを特徴とするプラズマ処理装置。 9. The processing result estimation model according to claim 8, wherein a processing shape of a lattice mark of a wafer sampled for each lot is measured without performing a destructive inspection by using a light scattering shape estimation unit, and the processing result estimation model is corrected. Plasma processing equipment.