JP2006073655A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体モジュール1において、パワーMOSチップ5,7が、フリップチップボンディングにより実装部材3に実装されている。チップ5は、その表面にドレイン電極29及びゲート31が形成され、その裏面にソース電極33が形成されている。チップ7は、その表面にソース電極35及びゲート37が形成され、その裏面にドレイン電極39が形成されている。電気伝導兼放熱部材45は、チップ5のソース電極33とチップ7のドレイン電極39とを電気的に接続すると共にこれらのチップ5,7の裏面を覆うように配置されている。
【選択図】 図2
Description
本実施形態に係る半導体モジュールの構造について図1〜図3を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る半導体モジュール1の平面図である。図2は、図1のII(a)−II(b)線に沿った断面図であり、図3は、図1のIII(a)−III(b)線に沿った断面図である。
パワーMOSチップ5,7のそれぞれの構造を説明する。図4は、第1の半導体チップの一例であるパワーMOSチップ5の一部の断面図である。チップ5は、p+型のシリコン基板61(第1半導体基板の一例)及びこの上に形成されたエピタキシャル層であるp−型のベース領域63(第1半導体領域の一例)を備える。シリコン基板61はp+型のソース領域として機能する。シリコン基板61の裏面の全面は、ソース電極33(第2主電極の一例)とコンタクトしている。
次に、半導体モジュール1を含むDC−DCコンバータの回路構成及び動作について説明する。図6は、このDC−DCコンバータ91の回路図である。DC−DCコンバータ91は、同期整流方式の非絶縁型降圧式である。この回路が最も電力損失を低減し変換効率を高めることができる。
本実施形態の主な効果を、第1及び第2比較形態と比べることにより説明する。本実施形態は、第1比較形態と比べて半導体モジュールの放熱性の向上及び小型化を図れる。まず、これらについて詳細に説明する。図8は第1比較形態に係る半導体装置101の断面図である。半導体装置101は、半導体モジュール103及び半導体モジュール103が実装される実装基板105を備える。半導体モジュール103には、本実施形態と同様にパワーMOSチップ5,7及び図示しない駆動用ICチップが組み込まれている。但し、本実施形態と異なり、これらのチップは、ワイヤボンディングによりリードフレーム107に実装されている。
以上説明した本実施形態の構成について要約すると、次のようになる。
(1)実装部材と、
ドレイン電極及びゲートが形成された表面並びにソース電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第1の半導体チップと、
ソース電極及びゲートが形成された表面並びにドレイン電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップの前記ソース電極と前記第2の半導体チップの前記ドレイン電極とを電気的に接続すると共にこれらの半導体チップの前記裏面を覆うように配置された電気伝導兼放熱部材と、
前記第1及び第2の半導体チップを一つのパッケージとして封止する樹脂部材と、を備える
ことを特徴とする半導体モジュール。
(2)前記実装部材にフリップチップボンディングで実装されると共に前記第1及び第2の半導体チップの前記ゲートを駆動するための駆動用ICチップを備え、
前記樹脂部材により前記第1及び第2の半導体チップ並びに前記駆動用ICチップが一つのパッケージとして封止されている、
ことを特徴とする(1)に記載の半導体モジュール。
(3)前記電気伝導兼放熱部材が、前記駆動用ICチップと絶縁されて前記駆動用ICチップを覆っている、
ことを特徴とする(2)に記載の半導体モジュール。
(4)前記電気伝導兼放熱部材は、前記第1及び第2の半導体チップ並びに前記駆動用ICチップを覆う一枚の板である、
ことを特徴とする(3)に記載の半導体モジュール。
(5)前記実装部材は、その縁部に位置する外部端子領域と、この領域の内側に位置する実装領域と、を含み、
前記電気伝導兼放熱部材は前記実装領域の全体を覆っている、
ことを特徴とする(1)記載の半導体モジュール。
(6)前記電気伝導兼放熱部材は、前記第1及び第2の半導体チップの前記裏面と面する一方の面及びこれの反対側にある他方の面を有しており、
前記他方の面が前記半導体モジュールの外部に露出している、
ことを特徴とする(1)に記載の半導体モジュール。
(7)前記電気伝導兼放熱部材の全体が前記樹脂部材で覆われている、
ことを特徴とする(1)に記載の半導体モジュール。
(8)前記半導体モジュールの厚みは、(前記実装部材の厚み)+(前記第1及び第2の半導体チップの一方の厚み)+(前記電気伝導兼放熱部材の厚み)+(前記実装部材に前記一方の半導体チップを接続するバンプの高さ)+(前記一方の半導体チップに前記電気伝導兼放熱部材を接続する導電性ペースト材の厚み)の合計により規定される、
ことを特徴とする(1)に記載の半導体モジュール。
(9)前記第1及び第2の半導体チップは、パワーMOSチップである、
ことを特徴とする(1)に記載の半導体モジュール。
(10)実装部材と、
第1主電極及びゲートが形成された表面並びに第2主電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第1及び第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップの前記第2主電極と前記第2の半導体チップの前記第2主電極とを電気的に接続すると共にこれらの半導体チップの前記裏面を覆うように配置された電気伝導兼放熱部材と、
前記第1及び第2の半導体チップを一つのパッケージとして封止する樹脂部材と、を備え、
前記第1の半導体チップは、
前記第2主電極とコンタクトしている第1導電型の第1半導体基板と、
前記第1半導体基板上に位置する第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域に形成されると共に前記第1主電極とコンタクトしている第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域に形成されると共に前記ゲートにより形成されたチャネルを介して前記第2半導体領域と導通する第2導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域と前記第3半導体領域とをショートするショート電極と、を含み、
前記第2の半導体チップは、
前記第2主電極とコンタクトしている第2導電型の第2半導体基板と、
前記第2半導体基板上に位置すると共に該基板の表面に垂直な方向に電流経路を有する第2導電型の第4半導体領域と、
前記第1主電極とコンタクトしている第2導電型の第5半導体領域と、
前記第4半導体領域と前記第5半導体領域とを導通させるチャネルが前記ゲートにより形成される第1導電型の第6半導体領域と、を含む、
ことを特徴とする半導体モジュール。
(11)前記実装部材にフリップチップボンディングで実装されると共に前記第1及び第2の半導体チップの前記ゲートを駆動するための駆動用ICチップを備え、
前記樹脂部材により前記第1及び第2の半導体チップ並びに前記駆動用ICチップが一つのパッケージとして封止されている、
ことを特徴とする(10)に記載の半導体モジュール。
(12)前記電気伝導兼放熱部材が、前記駆動用ICチップと絶縁されて前記駆動用ICチップを覆っている、
ことを特徴とする(11)に記載の半導体モジュール。
(13)前記電気伝導兼放熱部材は、前記第1及び第2の半導体チップ並びに前記駆動用ICチップを覆う一枚の板である、
ことを特徴とする(12)に記載の半導体モジュール。
(14)前記実装部材は、その縁部に位置する外部端子領域と、この領域の内側に位置する実装領域と、を含み、
前記電気伝導兼放熱部材は前記実装領域の全体を覆っている、
ことを特徴とする(10)記載の半導体モジュール。
(15)前記電気伝導兼放熱部材は、前記第1及び第2の半導体チップの前記裏面と面する一方の面及びこれの反対側にある他方の面を有しており、
前記他方の面が前記半導体モジュールの外部に露出している、
ことを特徴とする(10)に記載の半導体モジュール。
(16)前記電気伝導兼放熱部材の全体が前記樹脂部材で覆われている、
ことを特徴とする(10)に記載の半導体モジュール。
(17)前記半導体モジュールの厚みは、(前記実装部材の厚み)+(前記第1及び第2の半導体チップの一方の厚み)+(前記電気伝導兼放熱部材の厚み)+(前記実装部材に前記一方の半導体チップを接続するバンプの高さ)+(前記一方の半導体チップに前記電気伝導兼放熱部材を接続する導電性ペースト材の厚み)の合計により規定される、
ことを特徴とする(10)に記載の半導体モジュール。
(18)前記第1及び第2の半導体チップは、パワーMOSチップである、
ことを特徴とする(10)に記載の半導体モジュール。
(19)半導体モジュールと、
前記半導体モジュールが、前記電気伝導兼放熱部材の配置側と反対側を向けて実装される実装基板と、
前記電気伝導兼放熱部材上にこれと絶縁されて配置され、前記電気伝導兼放熱部材より平面積が大きいヒートシンクと、を備え、
前記半導体モジュールは、
実装部材と、
ドレイン電極及びゲートが形成された表面並びにソース電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第1の半導体チップと、
ソース電極及びゲートが形成された表面並びにドレイン電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップの前記ソース電極と前記第2の半導体チップの前記ドレイン電極とを電気的に接続すると共にこれらの半導体チップの前記裏面を覆うように配置された電気伝導兼放熱部材と、
前記第1及び第2の半導体チップを一つのパッケージとして封止する樹脂部材と、を含む
ことを特徴とする半導体装置。
Claims (5)
- 実装部材と、
ドレイン電極及びゲートが形成された表面並びにソース電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第1の半導体チップと、
ソース電極及びゲートが形成された表面並びにドレイン電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップの前記ソース電極と前記第2の半導体チップの前記ドレイン電極とを電気的に接続すると共にこれらの半導体チップの前記裏面を覆うように配置された電気伝導兼放熱部材と、
前記第1及び第2の半導体チップを一つのパッケージとして封止する樹脂部材と、を備える
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 実装部材と、
第1主電極及びゲートが形成された表面並びに第2主電極が形成された裏面を有すると共に前記表面が前記実装部材と面するように前記実装部材にフリップチップボンディングで実装された第1及び第2の半導体チップと、
前記第1の半導体チップの前記第2主電極と前記第2の半導体チップの前記第2主電極とを電気的に接続すると共にこれらの半導体チップの前記裏面を覆うように配置された電気伝導兼放熱部材と、
前記第1及び第2の半導体チップを一つのパッケージとして封止する樹脂部材と、を備え、
前記第1の半導体チップは、
前記第2主電極とコンタクトしている第1導電型の第1半導体基板と、
前記第1半導体基板上に位置する第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域に形成されると共に前記第1主電極とコンタクトしている第2導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域に形成されると共に前記ゲートにより形成されたチャネルを介して前記第2半導体領域と導通する第2導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域と前記第3半導体領域とをショートするショート電極と、を含み、
前記第2の半導体チップは、
前記第2主電極とコンタクトしている第2導電型の第2半導体基板と、
前記第2半導体基板上に位置すると共に該基板の表面に垂直な方向に電流経路を有する第2導電型の第4半導体領域と、
前記第1主電極とコンタクトしている第2導電型の第5半導体領域と、
前記第4半導体領域と前記第5半導体領域とを導通させるチャネルが前記ゲートにより形成される第1導電型の第6半導体領域と、を含む、
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記電気伝導兼放熱部材は、前記第1及び第2の半導体チップの前記裏面と面する一方の面及びこれの反対側にある他方の面を有しており、
前記他方の面が前記半導体モジュールの外部に露出している、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。 - 前記実装部材にフリップチップボンディングで実装されると共に前記第1及び第2の半導体チップの前記ゲートを駆動するための駆動用ICチップを備え、
前記樹脂部材により前記第1及び第2の半導体チップ並びに前記駆動用ICチップが一つのパッケージとして封止されている、
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体モジュール。 - 前記電気伝導兼放熱部材は、前記第1及び第2の半導体チップ並びに前記駆動用ICチップを覆う一枚の板である、
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュール。
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