JP2006071262A - Liquid heating apparatus, cleaning apparatus and cleaning method - Google Patents

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裕一 三由
Hisashi Sugano
恒 菅野
Yasuo Sato
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid heating apparatus and liquid heating method for effectively heating pure water or cleaning fluid without contaminating it, and to provide a cleaning device and cleaning method using the heating method. <P>SOLUTION: Microwaves are applied to pure water stored in a sealed pure water tank 5 storing the pure water from at least one of the top section thereof, the side sections thereof and the bottom section thereof, thereby heating the pure water in a non-contact manner. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、温められた洗浄液を供給するための液体加熱装置、温められた洗浄液で半導体基板などの対象物を洗浄するための洗浄装置、およびこれを用いた洗浄方法に関する。   The present invention relates to a liquid heating apparatus for supplying a warmed cleaning liquid, a cleaning apparatus for cleaning an object such as a semiconductor substrate with a warmed cleaning liquid, and a cleaning method using the same.

半導体製造プロセスでは、半導体基板上に付着したパーティクルや金属不純物による歩留まり低下が従来からの大きな課題である。そのため、これらパーティクルや金属不純物を除去するために洗浄液を使って半導体基板を洗浄する工程は、半導体装置の製造にとって不可欠でかつ重要な工程となっている。   In semiconductor manufacturing processes, yield reduction due to particles and metal impurities adhering to a semiconductor substrate has been a major problem from the past. Therefore, the process of cleaning the semiconductor substrate using a cleaning liquid in order to remove these particles and metal impurities is an indispensable and important process for manufacturing a semiconductor device.

半導体基板を洗浄するための洗浄液としては、アンモニア水などのアルカリ系薬液、あるいは硫酸や塩酸などの酸系薬液、過酸化水素水やオゾン水などの酸化剤系の薬液、および純水の内から選ばれた２種もしくは３種の薬液を所定の混合比率で調合したものが一般的に使用される。さらに、これら洗浄液をヒーターにより加熱して洗浄液を所定の温度に上げることにより、洗浄液の洗浄効果を上げて、より短時間で効果的にパーティクル、あるいは金属不純物による汚染を除去することが一般的に行われる。   Cleaning liquids for cleaning semiconductor substrates include alkaline chemicals such as ammonia water, acidic chemicals such as sulfuric acid and hydrochloric acid, oxidizing chemicals such as hydrogen peroxide and ozone water, and pure water. In general, a mixture of two or three selected chemicals in a predetermined mixing ratio is used. Furthermore, it is general to improve the cleaning effect of the cleaning liquid by heating these cleaning liquids with a heater to raise the cleaning liquid to a predetermined temperature, and to effectively remove contamination by particles or metal impurities in a shorter time. Done.

洗浄液や薬液を加熱するための加熱装置や純水を加熱するための温水製造装置の従来例が、例えば、特許文献１や特許文献２などに開示されている。これらの従来技術は、洗浄液や薬液、あるいは純水を入れた槽に投げ込み式のヒーター管を入れて洗浄液や薬液、あるいは純水を加熱するものであり、周知となっている。   Conventional examples of a heating device for heating a cleaning solution and a chemical solution and a hot water production device for heating pure water are disclosed in, for example, Patent Literature 1 and Patent Literature 2. These prior arts are well known in that they throw a heater tube into a tank containing cleaning liquid, chemical liquid, or pure water to heat the cleaning liquid, chemical liquid, or pure water.

洗浄液や薬液、あるいは純水の加熱方法、洗浄液や薬液の加熱装置、温水製造装置についての従来技術の一例として、特に純水におけるその加熱方法と温水製造装置を、以下図面を使って説明する。なお、薬液や純水を混合後に洗浄液を加熱する場合も同様の構成である。   As an example of conventional techniques for a cleaning liquid or chemical liquid or pure water heating method, a cleaning liquid or chemical liquid heating apparatus, and a hot water production apparatus, the heating method and hot water production apparatus in pure water will be described below with reference to the drawings. The same configuration is applied when the cleaning liquid is heated after mixing the chemical liquid or pure water.

図１２は、純水を加熱するための従来の温水製造装置を示す概略図である。図１２に示す第１の従来例に係る温水製造装置は、純水を貯留できる純水槽１０５と、純水を純水槽１０５に供給するための供給配管１０７と、純水を排水するための排水配管１０８と、純水槽１０５の上部に設けられた蓋１１４と、純水槽１０５内に設置されたヒーター管１１２と、ケーブルによりヒーター電源１０３に接続され、ヒーター管１１２の内部に設置されたヒーター線１１３と、純水槽１０５内の液面を検知するための液面検知センサー１０９と、純水槽１０５内の純水の温度を測定するための温度測定センサー１１０とを備えている。   FIG. 12 is a schematic view showing a conventional hot water producing apparatus for heating pure water. The hot water producing apparatus according to the first conventional example shown in FIG. 12 includes a pure water tank 105 that can store pure water, a supply pipe 107 that supplies pure water to the pure water tank 105, and a drain that drains pure water. A pipe 108, a lid 114 provided at the upper part of the pure water tank 105, a heater pipe 112 installed in the pure water tank 105, and a heater wire connected to the heater power supply 103 by a cable and installed in the heater pipe 112. 113, a liquid level detection sensor 109 for detecting the liquid level in the pure water tank 105, and a temperature measurement sensor 110 for measuring the temperature of pure water in the pure water tank 105.

図１２に示す従来の温水製造装置では、純水槽１０５に純水を供給配管１０７から供給し、純水が所定量溜まったところで、純水の供給を止める。この際には、純水槽１０５内に溜まる純水を液面検知センサー１０９で検知することで、純水の供給量を調節する。なお、図１２で示す液面検知センサー１０９は、窒素（Ｎ2）を配管から吹き出し、Ｎ2吹き出し口が純水に浸ってＮ2圧が変動することを感知することにより、液面を検知する方式であるが、この他に静電容量による検知方式や光散乱による検知方式のものであってもよい。 In the conventional hot water producing apparatus shown in FIG. 12, pure water is supplied to the pure water tank 105 from the supply pipe 107, and when a predetermined amount of pure water has accumulated, the supply of pure water is stopped. At this time, the amount of pure water supplied is adjusted by detecting the pure water accumulated in the pure water tank 105 by the liquid level detection sensor 109. The liquid level detection sensor 109 shown in FIG. 12 detects the liquid level by blowing out nitrogen (N 2 ) from the pipe and detecting that the N 2 blowing port is immersed in pure water and the N 2 pressure fluctuates. However, other than this, a detection method using capacitance or a detection method using light scattering may be used.

純水槽１０５内に純水が所定量溜まった後、ヒーター電源１０３をＯＮにしてヒーター線１１３を加熱し、ヒーター管１１２を通じて純水へ熱を伝導させ、純水を所定温度まで加熱する。ヒーター線１１３は純水と直接接触して導通するのを避けるため、ヒーター管１１２の中に封入されている。ヒーター線１１３にはニクロム線やカンタル線などの金属抵抗線が用いられ、また、ヒーター管１１２には汚染の発生しにくい石英が用いられることが多い。純水槽１０５内の純水の温度は温度測定センサー１１０を使って測定する。   After a predetermined amount of pure water accumulates in the pure water tank 105, the heater power supply 103 is turned on to heat the heater wire 113, heat is conducted to the pure water through the heater tube 112, and the pure water is heated to a predetermined temperature. The heater wire 113 is enclosed in the heater tube 112 to avoid direct contact with pure water and conduction. A metal resistance wire such as a nichrome wire or a Kanthal wire is used for the heater wire 113, and quartz that hardly causes contamination is often used for the heater tube 112. The temperature of pure water in the pure water tank 105 is measured using a temperature measurement sensor 110.

純水槽１０５内の純水の温度が所定温度に到達した後は、ヒーター電源１０３の出力を制御し、純水槽１０５内の温水が所定温度を維持するようにコントロールする。洗浄液を調合する際には、排水配管１０８から純水を排水し、別置の調合槽あるいは洗浄槽に薬液とともに温まった純水を入れて洗浄液を所定混合比率にて調合する。その後、この洗浄液が入った洗浄槽内に半導体基板を入れて、所定時間浸漬させることにより、半導体基板を洗浄する。   After the temperature of the pure water in the pure water tank 105 reaches a predetermined temperature, the output of the heater power source 103 is controlled so that the hot water in the pure water tank 105 is maintained at the predetermined temperature. When the cleaning liquid is prepared, pure water is drained from the drain pipe 108, and the pure water warmed together with the chemical solution is put into a separate preparation tank or cleaning tank, and the cleaning liquid is prepared at a predetermined mixing ratio. Thereafter, the semiconductor substrate is put into a cleaning tank containing the cleaning liquid and immersed for a predetermined time to clean the semiconductor substrate.

また、その他の従来技術（第２の従来技術）として、例えば特許文献３などに開示されているものもある。これは、洗浄液や薬液、純水を加熱する方式としてハロゲンランプなどの赤外線照射装置を用いる方式、あるいは赤外線照射装置を備えた加熱装置である。この加熱装置は、図１２に示した加熱装置において、加熱するためのヒーター線１１３およびヒーター管１１２をハロゲンランプに置き換えたものであり、その他の構成は図１２に示す従来の加熱装置と同様である。   In addition, as another conventional technique (second conventional technique), there is one disclosed in Patent Document 3, for example. This is a method using an infrared irradiation device such as a halogen lamp as a method for heating a cleaning solution, a chemical solution, or pure water, or a heating device equipped with an infrared irradiation device. This heating device is the same as the conventional heating device shown in FIG. 12, except that the heater wire 113 and the heater tube 112 for heating are replaced with halogen lamps in the heating device shown in FIG. is there.

さらに、別の従来技術（第３の従来技術）として、例えば特許文献４に開示されているものもある。これは、洗浄液が流れるパイプの外部からマイクロ波を照射し洗浄液を加熱する、という構成の加熱装置である。
特開平０５−１９０５２３号公報 特開平０５−０７４７５５号公報 特開平０７−３０２７７８号公報 実開昭５７−１４８８４６号公報 Furthermore, another prior art (third prior art) is disclosed in, for example, Patent Document 4. This is a heating device configured to irradiate microwaves from outside the pipe through which the cleaning liquid flows to heat the cleaning liquid.
JP 05-190523 A Japanese Patent Laid-Open No. 05-074755 Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-302778 Japanese Utility Model Publication No. 57-148846

図１２に示すような、純水槽１０５内にヒーター管１１２で囲まれたヒーター線１１３を入れる方式の加熱装置では、ヒーター管１１２にピンホールが生じた場合、ヒーター管１１２内に純水が浸入しヒーター線１１３が純水と接触することにより、ヒーター線１１３の金属材料成分が純水に溶出する、もしくは漏電や異常加熱が発生しヒーター線１１３やヒーター管１１２が破損する、という不具合があった。また、ヒーター線１１３自体の経年劣化によっても、ヒーター線１１３の異常加熱や断線による破損と、これと同時に起こるヒーター管１１２の破損が生じることがあり、ヒーター線１１３と純水とが接触してヒーター線１１３の金属材料成分が純水に溶出するおそれがあった。加えて、ヒーター線１１３およびヒーター管１１２のメンテナンス時や交換時には、純水槽１０５の蓋１１４を開けて作業する必要があり、作業に手間がかかる上、作業の際にパーティクルや金属の汚染物質が純水槽１０５内に混入したり、新品のヒーター管１１２の外面に付着するパーティクルや金属汚染物質が純水槽１０５内に混入するおそれがあった。   As shown in FIG. 12, in a heating apparatus in which the heater wire 113 surrounded by the heater pipe 112 is placed in the pure water tank 105, when a pinhole is generated in the heater pipe 112, pure water enters the heater pipe 112. However, when the heater wire 113 comes into contact with pure water, the metal material component of the heater wire 113 is eluted into the pure water, or there is a problem that the heater wire 113 or the heater tube 112 is damaged due to electric leakage or abnormal heating. It was. In addition, due to aged deterioration of the heater wire 113 itself, the heater wire 113 may be damaged due to abnormal heating or disconnection, and the heater tube 112 may be damaged at the same time. There was a possibility that the metal material component of the heater wire 113 was eluted into pure water. In addition, when maintenance or replacement of the heater wire 113 and the heater tube 112 is performed, it is necessary to open the lid 114 of the pure water tank 105, which takes time and labor, and particles and metal contaminants are generated during the work. There is a possibility that particles or metal contaminants mixed in the pure water tank 105 or adhering to the outer surface of the new heater tube 112 may be mixed in the pure water tank 105.

また、ハロゲンランプなどの赤外線を照射する第２の従来技術に係る方式では、純水槽内の純水のみならず周囲の空気などの周辺雰囲気までも加熱してしまうため、発熱効率が低下するという不具合があった。また、揮発しやすい薬液を扱っている洗浄装置内に加熱装置を設置することができず、加熱装置を洗浄装置の外部に設置することになるため省スペース化を図ることができなかった。   Further, in the method according to the second prior art that irradiates infrared rays such as a halogen lamp, not only the pure water in the pure water tank but also the surrounding atmosphere such as the surrounding air is heated, so that the heat generation efficiency is reduced. There was a bug. In addition, a heating device cannot be installed in a cleaning device that handles a volatile chemical solution, and the heating device is installed outside the cleaning device, so that space saving cannot be achieved.

さらに、第３の従来技術である、洗浄液が流れるパイプの外周からマイクロ波を照射して洗浄液を加熱する方式では、液が流れているために室温から例えば８０℃程度の高温にまで加熱することが難しかった。この方式で、半導体基板の洗浄に十分な高温にまで加熱するためには洗浄液の流量を下げることが考えられるが、洗浄装置の処理能力が低下するため洗浄液の流量を下げることは困難である。また別の手段として、高出力のマイクロ波を照射することが考えられるが、高出力のマイクロ波加熱装置は非常に高額であるため、これを採用することは実用上困難である。   Furthermore, in the third prior art method in which the cleaning liquid is heated by irradiating the microwave from the outer periphery of the pipe through which the cleaning liquid flows, the liquid flows, so that the heating is performed from room temperature to a high temperature of about 80 ° C., for example. It was difficult. In this method, it is conceivable to reduce the flow rate of the cleaning liquid in order to heat the semiconductor substrate to a high temperature sufficient for cleaning, but it is difficult to reduce the flow rate of the cleaning liquid because the processing capability of the cleaning apparatus is reduced. As another means, it is conceivable to irradiate a high-power microwave, but since a high-power microwave heating device is very expensive, it is practically difficult to adopt this.

以上のことから、本発明は、純水もしくは洗浄液を汚染することなく効果的に加熱する液体加熱装置および液体の加熱方法と、この加熱方法を利用した洗浄装置および洗浄方法を提供することを目的とする。   In view of the above, the present invention has an object to provide a liquid heating apparatus and a liquid heating method that effectively heat pure water or a cleaning liquid without contaminating, and a cleaning apparatus and a cleaning method using the heating method. And

本発明は、貯留槽に溜めた液体に貯留槽の外部から非接触でマイクロ波を照射し、液体を加熱することを特徴としている。   The present invention is characterized in that the liquid stored in the storage tank is irradiated with microwaves from the outside of the storage tank in a non-contact manner to heat the liquid.

すなわち、本発明の液体加熱装置は、第１の液体を貯留するための第１の貯留槽と、前記第１の貯留槽に前記第１の液体を供給するための供給路と、前記第１の貯留槽から前記第１の液体を排出するための排水路と、前記第１の液体を加熱できるマイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、前記マイクロ波を前記第１の貯留槽まで送波し、前記第１の貯留槽越しに前記第１の液体に照射するための導波管と、前記第１の貯留槽からマイクロ波が漏洩することを防止するマイクロ波遮断手段とを備えている。   That is, the liquid heating apparatus of the present invention includes a first storage tank for storing a first liquid, a supply path for supplying the first liquid to the first storage tank, and the first A drainage channel for discharging the first liquid from the storage tank, a microwave oscillator that oscillates a microwave that can heat the first liquid, and a microwave that is sent to the first storage tank And a waveguide for irradiating the first liquid through the first storage tank, and a microwave blocking means for preventing leakage of microwaves from the first storage tank.

これにより、第１の液体を加熱手段と接触させることなく加熱することができるので、ヒーターなどの熱伝導型の加熱手段を用いる場合に比べて加熱手段からの汚染物質の混入を防止することができ、高い効率で第１の液体を加熱することができる。さらに、マイクロ波を印加する瞬間から加熱を開始でき、マイクロ波の印加を停止する瞬間から加熱を停止できるため、熱伝導式の加熱方法に比べて応答性良く加熱することができる。また、非接触で第１の液体を加熱できるので、第１の貯留槽を密閉構造にすることができ、第１の液体の汚染のリスクをさらに小さくすることもできる。また、赤外線ランプを用いる方法などに比べて第１の貯留槽周辺での発熱が低減できるので、半導体基板の洗浄装置内に置くことも可能となる。そのため、本発明の液体加熱装置を用いれば、洗浄装置の小型化を図ることが可能になる。   Thereby, since the first liquid can be heated without being brought into contact with the heating means, it is possible to prevent contamination of the contaminants from the heating means as compared with the case where a heat conduction type heating means such as a heater is used. And the first liquid can be heated with high efficiency. Furthermore, since heating can be started from the moment when the microwave is applied and heating can be stopped from the moment when the application of the microwave is stopped, heating can be performed with higher responsiveness compared to the heat conduction heating method. In addition, since the first liquid can be heated in a non-contact manner, the first storage tank can have a sealed structure, and the risk of contamination of the first liquid can be further reduced. In addition, since heat generation around the first storage tank can be reduced as compared with a method using an infrared lamp, it can be placed in a semiconductor substrate cleaning apparatus. Therefore, if the liquid heating device of the present invention is used, it is possible to reduce the size of the cleaning device.

前記供給路と前記第１の貯留槽との接続部、および前記排水路と前記第１の貯留槽との接続部のうち少なくとも一方に設けられ、前記マイクロ波の漏れを防止するチョーク管をさらに備えていることにより、供給路あるいは排水路から漏れるマイクロ波を低減することができる。   A choke tube that is provided in at least one of a connection portion between the supply path and the first storage tank and a connection section between the drainage path and the first storage tank, and prevents leakage of the microwave; By providing, the microwave which leaks from a supply channel or a drainage channel can be reduced.

前記供給路および前記排水路のうち少なくとも一方は、前記第１の貯留槽との接続部において複数の分岐路を有しており、前記複数の分岐路の各径は、前記マイクロ波の波長の１／４以下であることにより、供給路あるいは排水路からのマイクロ波の漏れを防止することができる。   At least one of the supply channel and the drain channel has a plurality of branch channels at a connection portion with the first storage tank, and each diameter of the plurality of branch channels has a wavelength of the microwave. By being 1/4 or less, leakage of microwaves from the supply channel or the drainage channel can be prevented.

前記導波管のマイクロ波照射口に設けられ、耐薬品性材料からなり、薬品が前記導波管に侵入することを防止する薬品侵入防止手段をさらに備えていることにより、気化した薬品が導波管を介してマイクロ波発振器に達するのを防ぎ、マイクロ波発振器の故障を防止することができる。   The vaporized chemical is introduced by further comprising a chemical intrusion prevention means provided at the microwave irradiation port of the waveguide, made of a chemical resistant material and preventing the chemical from entering the waveguide. It is possible to prevent the microwave oscillator from reaching through the wave tube, and to prevent a failure of the microwave oscillator.

前記導波管のマイクロ波照射口に設けられ、前記第１の貯留槽に照射する前記マイクロ波を散乱させるためのスターラーをさらに備えていることにより、より広範囲にマイクロ波を照射できるので、効率よく液体を加熱することができるようになる。   Since the microwave irradiation port of the waveguide is further provided with a stirrer for scattering the microwave irradiated to the first storage tank, the microwave can be irradiated in a wider range. The liquid can be heated well.

前記導波管の内面および外面は耐薬品性物質によってコーティングされていることにより、薬液によって導波管の内面および外面が腐食されるのを防ぐことができる。   Since the inner and outer surfaces of the waveguide are coated with a chemical-resistant substance, it is possible to prevent the inner and outer surfaces of the waveguide from being corroded by the chemical solution.

前記マイクロ波遮断手段は、耐薬品性物質によってコーティングされていることにより、マイクロ波遮断手段が薬液によって腐食されるのを防ぐことができる。   Since the microwave blocking means is coated with a chemical resistant substance, the microwave blocking means can be prevented from being corroded by the chemical solution.

前記導波管に気体導入管が設けられ、その前記気体導入管から気体を導入し前記導波管内部を陽圧にすることにより、気化した薬品が前記導波管の接続部の隙間から前記導波管内部に侵入することを防止でき、気化した薬品による導波管の腐食やマイクロ波発振器の故障を防止することができる。   A gas introduction tube is provided in the waveguide, and a gas is introduced from the gas introduction tube to make the inside of the waveguide positive pressure, whereby vaporized chemicals are released from the gap in the connection portion of the waveguide. Intrusion into the waveguide can be prevented, and corrosion of the waveguide due to vaporized chemicals and failure of the microwave oscillator can be prevented.

前記気体導入管から導入する気体として、不活性ガスを用いることが好ましい。   It is preferable to use an inert gas as the gas introduced from the gas introduction pipe.

第２の液体を貯留するための第２の貯留槽と、前記導波管から分岐し、前記マイクロ波発振器で発振された前記マイクロ波を前記第２の貯留槽まで送波し、前記第２の貯留槽越しに前記第２の液体に照射するための分岐導波管と、前記導波管と前記分岐導波管との分岐部分に設けられ、前記マイクロ波を反射する材料で構成された可動式のマイクロ波反射手段とをさらに備えていることにより、第１の貯留槽で加熱を行わない期間にマイクロ波を用いて第２の貯留槽の加熱を行うことができるので、効率よく液体の加熱を行うことができる。また、導波管を数十ｍにまで延長してもマイクロ波を減衰することなく導波できるので、他の加熱方式の加熱装置よりも複数の貯留槽を有する洗浄装置と組み合わせて用いるのに適している。   A second storage tank for storing a second liquid; and the microwave branched from the waveguide and oscillated by the microwave oscillator is transmitted to the second storage tank; And a branching waveguide for irradiating the second liquid through the storage tank, and a branching portion between the waveguide and the branching waveguide, and made of a material that reflects the microwave Since the movable microwave reflecting means is further provided, the second storage tank can be heated using microwaves during a period in which the first storage tank is not heated, so that the liquid can be efficiently used. Can be heated. In addition, even if the waveguide is extended to several tens of meters, the microwave can be guided without being attenuated, so that it can be used in combination with a cleaning device having a plurality of storage tanks rather than a heating device of another heating method. Is suitable.

前記導波管は、金属材料で構成されていることが好ましい。   The waveguide is preferably made of a metal material.

前記マイクロ波遮断手段は、金属材料で構成されていることが好ましい。   The microwave blocking means is preferably made of a metal material.

前記第１の貯留槽は、フッ素系樹脂または石英で構成されていることが好ましい。   The first storage tank is preferably made of a fluororesin or quartz.

前記薬品遮断板は、フッ素系樹脂で構成されていることが特に好ましい。   The chemical blocking plate is particularly preferably made of a fluorine resin.

前記導波管は、前記貯留槽の下面に接続されていることにより、対流により第１の液体が攪拌されつつ加熱されるので、ムラなく第１の液体を加熱することができる。従って、第１の液体の温度分布を均一化することができる。   Since the waveguide is connected to the lower surface of the storage tank, the first liquid is heated while being agitated by convection, so that the first liquid can be heated without unevenness. Therefore, the temperature distribution of the first liquid can be made uniform.

本発明の洗浄装置は、液体を加熱するための液体加熱手段と、洗浄液を貯留するための洗浄槽を有する洗浄手段とを備えた洗浄装置であって、前記液体加熱手段は、前記洗浄手段内に配置され、液体を貯留するための貯留槽と、前記貯留槽に前記液体を供給するための供給路と、前記貯留槽から前記液体を排出するための排水路と、前記液体を加熱できるマイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、前記マイクロ波を前記貯留槽まで送波し、前記貯留槽越しに前記液体に照射するための導波管とを有している。   The cleaning apparatus of the present invention is a cleaning apparatus including a liquid heating means for heating a liquid and a cleaning means having a cleaning tank for storing a cleaning liquid, wherein the liquid heating means is provided in the cleaning means. A storage tank for storing the liquid, a supply path for supplying the liquid to the storage tank, a drain path for discharging the liquid from the storage tank, and a micro that can heat the liquid A microwave oscillator for oscillating a wave; and a waveguide for transmitting the microwave to the storage tank and irradiating the liquid through the storage tank.

これにより、液体を加熱手段と接触させることなく加熱することができるので、ヒーターなどの熱伝導型の加熱手段を用いる場合に比べて加熱手段からの汚染物質の混入を防止することができ、高い効率で液体を加熱することができる。そのため、例えば半導体基板などを温めた洗浄液を用いて洗浄することができる。さらに、マイクロ波を印加する瞬間から加熱を開始でき、マイクロ波の印加を停止する瞬間から加熱を停止できるため、熱伝導式の加熱方法に比べて応答性良く加熱することができる。また、マイクロ波発振器やその電源などが洗浄手段の外部に配置されている場合には、洗浄装置の配置についての自由度が向上する。   As a result, since the liquid can be heated without being brought into contact with the heating means, it is possible to prevent contamination from the heating means compared with the case where a heat conduction type heating means such as a heater is used, which is high. The liquid can be heated with efficiency. Therefore, for example, the semiconductor substrate or the like can be cleaned using a warmed cleaning solution. Furthermore, since heating can be started from the moment when the microwave is applied and heating can be stopped from the moment when the application of the microwave is stopped, heating can be performed with higher responsiveness compared to the heat conduction heating method. In addition, when a microwave oscillator, its power source, etc. are arranged outside the cleaning means, the degree of freedom regarding the arrangement of the cleaning device is improved.

また、前記液体加熱手段全体が前記洗浄手段内に配置されていれば、洗浄装置が小型化できるので、好ましい。   In addition, it is preferable that the entire liquid heating unit is disposed in the cleaning unit because the cleaning device can be downsized.

前記貯留槽に貯留される前記液体は純水、薬液、前記洗浄液のうちから選ばれた１つであることによって種々の方式により温かい洗浄液を作成することができる。例えば、温めた純水を薬液と混合して洗浄液を調製したり、あらかじめ調製した洗浄液を温めたりすることができる。   When the liquid stored in the storage tank is one selected from pure water, chemical liquid, and cleaning liquid, warm cleaning liquid can be prepared by various methods. For example, warm pure water can be mixed with a chemical to prepare a cleaning liquid, or a previously prepared cleaning liquid can be warmed.

前記洗浄槽に接続され、前記洗浄槽内の前記洗浄液を循環するための循環ラインをさらに備えており、前記貯留槽は前記循環ライン上に設置されていると共に、前記循環ラインによって循環される前記洗浄液を貯留することにより、循環ライン中で液体を加熱する方式に比べて液体の流速が下がるので、液体の加熱を効率よく行うことができる。そのため、マイクロ波発振器の出力を比較的小さくでき、半導体基板の洗浄設備に要する費用を低減することができる。   The cleaning tank is connected to the cleaning tank and further includes a circulation line for circulating the cleaning liquid in the cleaning tank, and the storage tank is installed on the circulation line and is circulated by the circulation line. By storing the cleaning liquid, the liquid flow rate is reduced as compared with the method in which the liquid is heated in the circulation line, so that the liquid can be heated efficiently. For this reason, the output of the microwave oscillator can be made relatively small, and the cost required for the cleaning equipment for the semiconductor substrate can be reduced.

本発明の洗浄方法は、液体を貯留するための貯留槽と、洗浄液を貯留するための洗浄槽とを有する洗浄手段と、前記液体を加熱できる第１のマイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、前記第１のマイクロ波を前記貯留槽まで送波し、前記貯留槽越しに前記液体に照射するための導波管とを備えた洗浄装置を用いた洗浄方法であって、前記貯留槽に前記液体を溜める工程（ａ）と、前記貯留槽内の前記液体に前記第１のマイクロ波を照射して加熱する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）で加熱した前記液体を前記洗浄槽に送る工程（ｃ）と、前記洗浄槽に前記液体を含む前記洗浄液を貯留し、対象物の洗浄を行う工程（ｄ）とを備えている。   The cleaning method of the present invention includes a cleaning tank having a storage tank for storing a liquid, a cleaning tank for storing a cleaning liquid, a microwave oscillator for oscillating a first microwave capable of heating the liquid, A cleaning method using a cleaning device including a waveguide for transmitting the first microwave to the storage tank and irradiating the liquid through the storage tank, A step (a) of storing liquid, a step (b) of heating the liquid in the storage tank by irradiating the first microwave, and the liquid heated in the step (b) in the cleaning tank A step (c) of sending, and a step (d) of cleaning the object by storing the cleaning liquid containing the liquid in the cleaning tank.

この方法により、液体を加熱手段と接触させることなく加熱することができるので、ヒーターなどの熱伝導型の加熱手段を用いる場合に比べて加熱手段からの汚染物質の混入を防止することができ、高い効率で液体を加熱することができる。   By this method, since the liquid can be heated without being brought into contact with the heating means, it is possible to prevent contamination of contaminants from the heating means compared to the case of using a heat conduction type heating means such as a heater, The liquid can be heated with high efficiency.

循環ラインに貯留槽を設ける場合、洗浄槽から送られる洗浄液は既に所望の処理温度に設定されているため、比較的安価なマイクロ波発振器を用いて効果的に温めた洗浄液を供給することができる。   When the storage tank is provided in the circulation line, since the cleaning liquid sent from the cleaning tank is already set to a desired processing temperature, it is possible to supply the cleaning liquid warmed effectively using a relatively inexpensive microwave oscillator. .

洗浄槽の前に貯留槽を設置する場合、前記洗浄装置は第１の調合槽をさらに備えており、前記工程（ａ）の前に、前記洗浄液を前記第１の調合槽で調合し、前記洗浄液を前記貯留槽に送る工程をさらに備えていてもよい。   When installing a storage tank in front of the cleaning tank, the cleaning device further includes a first preparation tank, and before the step (a), the cleaning liquid is prepared in the first preparation tank, You may further provide the process of sending a washing | cleaning liquid to the said storage tank.

あるいは、前記工程（ａ）において、純水と薬液とを前記貯留槽に供給する工程をさらに備えていれば、貯留槽内では洗浄に用いる洗浄液そのものを所望の温度に過熱することできるので、洗浄液の温度制御を高精度に行うことができる。   Alternatively, in the step (a), if the method further includes a step of supplying pure water and a chemical solution to the storage tank, the cleaning liquid itself used for cleaning can be heated to a desired temperature in the storage tank. Temperature control can be performed with high accuracy.

この場合、前記洗浄装置は第１の調合槽をさらに備えており、前記工程（ａ）の前に、前記洗浄液を前記第１の調合槽で調合し、前記洗浄液を前記貯留槽に送る工程をさらに備えていてもよい。   In this case, the cleaning device further includes a first preparation tank, and before the step (a), the cleaning liquid is prepared in the first preparation tank, and the cleaning liquid is sent to the storage tank. Furthermore, you may provide.

前記貯留槽に貯留される前記液体は純水であり、前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）との間に、前記洗浄槽内で前記純水と薬液とを混合して前記洗浄液を調合する工程（ｅ）をさらに備えていてもよい。   The liquid stored in the storage tank is pure water, and the cleaning liquid is prepared by mixing the pure water and the chemical liquid in the cleaning tank between the step (c) and the step (d). The process (e) to perform may be further provided.

前記洗浄装置は第２の調合槽をさらに備えており、前記貯留槽に貯留される前記液体は純水であり、前記工程（ｂ）の次に、加熱した前記純水を前記第２の調合槽へ送る工程（ｆ）と前記第２の調合槽内で前記純水と薬液とを混合して前記洗浄液を調合する工程（ｇ）と、前記工程（ｇ）で調合された前記洗浄液を前記洗浄槽に送る工程（ｈ）とをさらに備えていてもよい。   The cleaning device further includes a second preparation tank, and the liquid stored in the storage tank is pure water. After the step (b), the heated pure water is added to the second preparation tank. The step (f) for sending to the tank, the step (g) for mixing the pure water and the chemical solution in the second preparation tank to prepare the cleaning liquid, and the cleaning liquid prepared in the step (g) And a step (h) of sending to the washing tank.

前記工程（ｂ）では、前記第１のマイクロ波と周波数の異なる第２のマイクロ波を前記貯留槽内の前記液体に照射することにより、大容量の液体を加熱したり、液体を高速に加熱したりすることができる。なお、第１のマイクロ波と第２のマイクロ波の周波数をずらすことで、２つのマイクロ波が互いに打ち消されることが防がれる。   In the step (b), by irradiating the liquid in the storage tank with a second microwave having a frequency different from that of the first microwave, a large volume of liquid is heated or the liquid is heated at high speed. You can do it. Note that the two microwaves can be prevented from canceling each other by shifting the frequencies of the first microwave and the second microwave.

本発明の液体加熱装置および洗浄装置によれば、純水、薬液、洗浄液などの液体を貯留する貯留槽にマイクロ波を照射して非接触でこれら液体を温めることができるので、加熱手段からの汚染を防ぎ、効率良く液体を加熱できる。温められた洗浄液は、例えば半導体基板の洗浄液として用いられる。   According to the liquid heating device and the cleaning device of the present invention, microwaves can be irradiated to a storage tank that stores liquids such as pure water, chemicals, and cleaning liquids to heat these liquids in a non-contact manner. Prevents contamination and heats the liquid efficiently. The warmed cleaning liquid is used as a cleaning liquid for a semiconductor substrate, for example.

本発明の液体加熱装置（温水製造装置／洗浄液加熱装置）、洗浄装置あるいは洗浄方法は、槽に貯留した液体をマイクロ波を用いて間接的に加熱することを特徴としている。以下、本発明の各実施形態に係る液体加熱装置（温水製造装置）および洗浄装置あるいは洗浄方法について、図面を参照しながら説明する。   The liquid heating apparatus (warm water production apparatus / cleaning liquid heating apparatus), cleaning apparatus or cleaning method of the present invention is characterized in that the liquid stored in the tank is indirectly heated using microwaves. Hereinafter, a liquid heating apparatus (hot water production apparatus) and a cleaning apparatus or a cleaning method according to each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る温水製造装置の一例を示す概略図である。この温水製造装置は、例えば高温の半導体装置用洗浄液を調製するための温水の製造に用いられる。 (First embodiment)
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a hot water production apparatus according to the first embodiment of the present invention. This hot water manufacturing apparatus is used, for example, for manufacturing hot water for preparing a high-temperature cleaning liquid for semiconductor devices.

同図に示すように、本実施形態の温水製造装置（液体加熱装置）は、純水（液体）を貯留するための純水槽（貯留槽）５と、純水を純水槽５に供給するための供給配管（供給路）７と、純水を排水するための排水配管（排水路）８と、電源３と、ケーブルによって電源３に接続され、マイクロ波を発振するマグネトロン２を有するマイクロ波発振器１と、マイクロ波発振器１から発振されたマイクロ波を送波して純水槽５に照射する導波管４と、純水槽５の全面を囲み、マイクロ波の漏れを防止するためのマイクロ波遮断板（マイクロ波遮断手段）６と、純水槽５内の液面を検知するための液面検知センサー９と、純水槽５内の純水の温度を測定するための温度測定センサー１０と、供給配管７と純水槽５との接続部および排水配管８と純水槽５との接続部に設けられ、マイクロ波の漏れを防止するためのチョーク管１１とを備えている。装置を構成する各部分の機能や詳細な構造は以下で順次説明する。   As shown in the figure, the hot water production apparatus (liquid heating apparatus) of this embodiment is for supplying a pure water tank (storage tank) 5 for storing pure water (liquid) and pure water to the pure water tank 5. Supply pipe (supply path) 7, drainage pipe (drainage path) 8 for draining pure water, a power source 3, and a microwave oscillator having a magnetron 2 connected to the power source 3 by a cable and oscillating microwaves 1, a waveguide 4 for transmitting the microwave oscillated from the microwave oscillator 1 and irradiating the pure water tank 5, and a microwave cutoff for enclosing the entire surface of the pure water tank 5 and preventing microwave leakage A plate (microwave blocking means) 6, a liquid level detection sensor 9 for detecting the liquid level in the pure water tank 5, a temperature measurement sensor 10 for measuring the temperature of pure water in the pure water tank 5, and a supply Connection between pipe 7 and pure water tank 5 and drain pipe 8 and pure water Provided at the connection between the 5, and a choke tube 11 for preventing leakage of microwaves. The function and detailed structure of each part constituting the apparatus will be sequentially described below.

温水を製造する際には、図１に示す純水槽５に純水を供給配管７から供給し、純水槽５内に溜まる純水を液面検知センサー９で検知し、純水が所定量溜まったところで、純水の供給を止める。液面検知センサー９はＮ2を吹き出す配管を有しており、配管のＮ2吹き出し口が純水に浸る際にＮ2圧が変動することを感知することにより、液面を検知する方式を採用している。このＮ2配管部からのマイクロ波漏れを防止するために、このＮ2配管径はマイクロ波の波長の４分の１以下とすることが望ましい。マイクロ波は法規制（２．４〜２．５ＧＨｚ）範囲内である２．４５ＧＨｚ（波長１２ｃｍ）を一般的に使用するので、Ｎ2配管径は３ｃｍ以下とする。 When producing hot water, pure water is supplied to the pure water tank 5 shown in FIG. 1 from the supply pipe 7, and the pure water accumulated in the pure water tank 5 is detected by the liquid level detection sensor 9, and a predetermined amount of pure water is accumulated. By the way, stop the supply of pure water. The liquid level detection sensor 9 has a pipe that blows out N 2, and detects the liquid level by detecting that the N 2 pressure fluctuates when the N 2 outlet of the pipe is immersed in pure water. Adopted. In order to prevent microwave leakage from the N 2 pipe portion, it is desirable that the diameter of the N 2 pipe is not more than a quarter of the wavelength of the microwave. Since microwaves generally use 2.45 GHz (wavelength 12 cm), which is within the legal regulations (2.4 to 2.5 GHz), the N 2 pipe diameter is 3 cm or less.

図２は、本実施形態の温水製造装置において液面検知センサーを別方式に変更した例を示す概略図である。同図に示すように、Ｎ2吹き出し式の代わりに静電容量による検知方式や光散乱による検知方式の液面検知センサ−を設けてもよい。この場合、図２に示すように、マイクロ波による影響を避ける目的で、純水槽５から液面検知のための純水配管１５をマイクロ波遮断板６の外へ引き出して、そこで静電容量方式や光散乱方式の液面検知センサーを取り付けて液面検知すればよい。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example in which the liquid level detection sensor is changed to another method in the hot water manufacturing apparatus of the present embodiment. As shown in the figure, instead of the N 2 blowing method, a liquid level detection sensor of a detection method based on capacitance or a detection method based on light scattering may be provided. In this case, as shown in FIG. 2, for the purpose of avoiding the influence of the microwave, the pure water pipe 15 for detecting the liquid level is drawn out of the microwave blocking plate 6 from the pure water tank 5, and the capacitance method is used there. Or a light scattering type liquid level detection sensor may be attached to detect the liquid level.

また、純水槽５に接続された供給配管７や排水配管８は、より短時間で槽内の純水を貯めたり排出させたりするために通常数１０Ｌ／ｍｉｎの流量が必要とされることから、その配管径を大口径化される。従って、これらの配管の直径を、マイクロ波を遮断できるサイズであるマイクロ波波長の４分の１以下にすることは困難である。このため、本実施形態の温水製造装置では、供給配管７や排水配管８からのマイクロ波の漏洩を低減させるために、チョーク管１１を設けて供給配管７や排水配管８に進入するマイクロ波を反射させ、マイクロ波の漏れを低減させている。   In addition, the supply pipe 7 and the drain pipe 8 connected to the pure water tank 5 usually require a flow rate of several tens of L / min in order to store and discharge pure water in the tank in a shorter time. The pipe diameter is increased. Therefore, it is difficult to reduce the diameters of these pipes to ¼ or less of the microwave wavelength that is a size capable of blocking the microwave. For this reason, in the hot water production apparatus of the present embodiment, in order to reduce leakage of microwaves from the supply pipe 7 and the drain pipe 8, the microwave entering the supply pipe 7 and the drain pipe 8 by providing the choke pipe 11 is provided. Reflected to reduce microwave leakage.

図３は、チョーク管１１の具体的構造を示す部分拡大図である。同図に示すように、チョーク管１１は、マイクロ波を反射する金属などの材料で構成され、管壁の端部が内側（供給配管７に接する側）に折り込まれた形状を有している。この構造により、供給配管７あるいは排水配管８を通してチョーク管１１に漏れてきたマイクロ波がチョーク管１１の折り返し部分で純水槽５の方向に反射されるので、マイクロ波が外部に漏れにくくなる。   FIG. 3 is a partially enlarged view showing a specific structure of the choke tube 11. As shown in the figure, the choke tube 11 is made of a material such as a metal that reflects microwaves and has a shape in which the end of the tube wall is folded inward (side contacting the supply pipe 7). . With this structure, the microwave leaking into the choke pipe 11 through the supply pipe 7 or the drain pipe 8 is reflected in the direction of the pure water tank 5 at the folded portion of the choke pipe 11, so that the microwave is difficult to leak to the outside.

図４は、本実施形態の温水製造装置において、供給配管および排水配管の形状を変化させた例を示す概略図である。供給配管７や排水配管８からのマイクロ波の漏洩をより完全に遮断するために、図４に示すように、供給配管７や排水配管８を純水槽５に接続する直前で少なくとも２本以上の配管１６に分岐させ、この分岐された配管１６の配管径を、純水槽５に照射されるマイクロ波の波長の４分の１以下としてもよい。純水槽５に複数の分岐した配管１６を接続することで、十分な純水の供給量および排水量を確保しながらマイクロ波の漏れをより完全に遮断できる。   FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example in which the shapes of the supply pipe and the drain pipe are changed in the hot water manufacturing apparatus of the present embodiment. In order to cut off microwave leakage from the supply pipe 7 and the drain pipe 8 more completely, as shown in FIG. 4, at least two or more pipes immediately before connecting the supply pipe 7 and the drain pipe 8 to the pure water tank 5 are used. The pipe 16 may be branched, and the pipe diameter of the branched pipe 16 may be equal to or less than ¼ of the wavelength of the microwave irradiated to the pure water tank 5. By connecting a plurality of branched pipes 16 to the pure water tank 5, leakage of microwaves can be more completely blocked while ensuring a sufficient supply amount and drainage amount of pure water.

純水槽５内に純水を所定量溜めた後、電源３をＯＮにしてマイクロ波発振器１を動作させ、マグネトロン２からマイクロ波を発振させる。発振されたマイクロ波は導波管４内を反射しながら進み、導波管４の出口から純水槽５に照射される。照射されたマイクロ波は純水槽５を透過して純水に吸収され、純水の水分子を振動させる。その結果、純水は加熱される。純水槽５内の純水の温度は温度測定センサー１０を使って測定される。純水槽５は、純水槽５から外部へのマイクロ波の漏れを防止するために、その全面がマイクロ波遮断板６で囲まれている。   After a predetermined amount of pure water is stored in the pure water tank 5, the power source 3 is turned on to operate the microwave oscillator 1, and the microwave is oscillated from the magnetron 2. The oscillated microwave travels while reflecting inside the waveguide 4, and is irradiated to the pure water tank 5 from the outlet of the waveguide 4. The irradiated microwave passes through the pure water tank 5 and is absorbed by the pure water, and vibrates the water molecules of the pure water. As a result, pure water is heated. The temperature of pure water in the pure water tank 5 is measured using a temperature measuring sensor 10. The pure water tank 5 is surrounded by a microwave blocking plate 6 in order to prevent leakage of microwaves from the pure water tank 5 to the outside.

導波管４は、マイクロ波を透過も吸収もせず、反射する材料で構成されている。マイクロ波遮断板６も導波管４と同様に、マイクロ波を透過せずに反射する材料で構成されている。一般的にマイクロ波を反射する材料としては金属材料が用いられるが、導波管４やマイクロ波遮断板６の構成材料としてはアルミニウムや銅を使用することが特に好ましい。ただし、温水製造装置を半導体装置の洗浄装置内に置く場合、金属材料を使用すると、洗浄装置内の薬品雰囲気により金属材料が腐食するおそれがある。そのため、図５に示すように、導波管４やマイクロ波遮断板６の内外面にマイクロ波を透過し耐薬品性のある材料からなるコーティング１７を施すことにより、金属材料の腐食を防ぐことができる。   The waveguide 4 is made of a material that does not transmit or absorb microwaves but reflects the microwaves. Similarly to the waveguide 4, the microwave blocking plate 6 is also made of a material that reflects the microwave without transmitting. In general, a metal material is used as a material that reflects microwaves, but it is particularly preferable to use aluminum or copper as a constituent material of the waveguide 4 or the microwave blocking plate 6. However, when the hot water manufacturing apparatus is placed in the cleaning apparatus of the semiconductor device, if a metal material is used, the metal material may be corroded by the chemical atmosphere in the cleaning apparatus. Therefore, as shown in FIG. 5, the coating 17 made of a material having chemical resistance and transmitting microwaves is applied to the inner and outer surfaces of the waveguide 4 and the microwave blocking plate 6 to prevent corrosion of the metal material. Can do.

ここで、図５は、本実施形態の温水製造装置において、純水槽５に純水が貯留された状態での導波管４のマイクロ波出口付近の断面を示す拡大図である。同図に示すように、導波管４の内部もしくは導波管４のマイクロ波出口面にマイクロ波を透過し耐薬品性のある材料からなる薬品雰囲気遮断板（薬品遮断板）１８が設けられている。これにより、洗浄装置内で気化した薬品が導波管４を通ってマグネトロン２へまで拡散し、マグネトロン２を腐食するのを防止することができる。上述のコーティング１７や薬品雰囲気遮断板１８に適した、マイクロ波を透過し、且つ耐薬品性のある材料としては、例えばフッ素系樹脂（ＰＦＡやＰＴＦＥなど）がある。なお、図５に示すように、導波管４のマイクロ波出口は純水槽５の壁面に接している必要はないが、マイクロ波の漏洩を防ぐために薬品雰囲気遮断板１８の内側（純水槽５に近い側）にあることが必要である。   Here, FIG. 5 is an enlarged view showing a cross section near the microwave outlet of the waveguide 4 in a state where pure water is stored in the pure water tank 5 in the hot water producing apparatus of the present embodiment. As shown in the figure, a chemical atmosphere blocking plate (chemical blocking plate) 18 made of a material that transmits microwaves and has chemical resistance is provided inside the waveguide 4 or on the microwave exit surface of the waveguide 4. ing. Thereby, it is possible to prevent chemicals vaporized in the cleaning apparatus from diffusing to the magnetron 2 through the waveguide 4 and corroding the magnetron 2. As a material that transmits microwaves and has chemical resistance suitable for the coating 17 and the chemical atmosphere shielding plate 18 described above, there are, for example, fluorine-based resins (PFA, PTFE, etc.). As shown in FIG. 5, the microwave outlet of the waveguide 4 does not need to be in contact with the wall surface of the pure water tank 5, but in order to prevent leakage of the microwave, the inside of the chemical atmosphere blocking plate 18 (pure water tank 5). Must be on the side close to

また洗浄装置内の薬品雰囲気が導波管４内へ侵入するのを防止する方法として、図６に示すように、マイクロ波波長の１／４以下の配管径にした気体導入管２９を導波管４に設け、この気体導入管２９から空気など気体を導入し導波管４内を陽圧にすることにより、さらに効果的に薬品雰囲気の導波管４内への侵入防止を行うことが可能である。導波管４内に導入する気体は１Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で十分であり、これにより導波管４の接続部などの隙間から気体が抜けるため、この隙間からの薬品雰囲気の侵入が防止できる。なお、導波管４の外面への耐薬品性コーティングに比べ、導波管４内面に耐薬品性コーティングを施すことは比較的困難な作業であるが、この導波管４内に気体を導入する方法を用いれば、導波管４内に薬品雰囲気が侵入することがほとんどなくなるため、導波管４内面への耐薬品性コーティングは行わなくても構わない。   As a method for preventing the chemical atmosphere in the cleaning apparatus from entering the waveguide 4, as shown in FIG. 6, a gas is introduced through a gas introduction tube 29 having a pipe diameter of ¼ or less of the microwave wavelength. By providing a gas such as air from the gas introduction tube 29 and making the inside of the waveguide 4 a positive pressure by providing it in the tube 4, it is possible to more effectively prevent the chemical atmosphere from entering the waveguide 4. Is possible. As the gas introduced into the waveguide 4, a flow rate of about 1 L / min is sufficient. As a result, the gas escapes from a gap such as a connection portion of the waveguide 4, so that the entry of a chemical atmosphere from this gap can be prevented. . It should be noted that it is relatively difficult to apply a chemical resistant coating to the inner surface of the waveguide 4 as compared to a chemical resistant coating to the outer surface of the waveguide 4, but gas is introduced into the waveguide 4. If this method is used, the chemical atmosphere hardly penetrates into the waveguide 4, so that the chemical-resistant coating on the inner surface of the waveguide 4 may not be performed.

また、気体導入管２９に導入する気体として、窒素などの不活性ガスを用いると、導波管４内部や、マグネトロン２を薬品雰囲気に触れさせないばかりでなく、導入する気体による導波管４内部の腐食をも防ぐことが可能になるため、導波管４に適用する金属の選択の幅が広がる。   Further, when an inert gas such as nitrogen is used as the gas introduced into the gas introduction tube 29, the inside of the waveguide 4 and the inside of the waveguide 4 due to the introduced gas are not only prevented from being exposed to the chemical atmosphere. Therefore, the range of selection of the metal applied to the waveguide 4 is widened.

マイクロ波遮断板６は、板状の形状としても良いが、図１に示したようにパンチング形状とすると純水槽５内部の様子を目視可能になるために、より望ましい。ただし、この場合、パンチングの径はマイクロ波を遮断できるとするマイクロ波波長の４分の１以下の大きさにする。   Although the microwave blocking plate 6 may have a plate shape, it is more desirable to have a punching shape as shown in FIG. 1 because the inside of the pure water tank 5 can be visually observed. However, in this case, the diameter of punching is set to a size equal to or smaller than a quarter of the microwave wavelength at which the microwave can be cut off.

また、純水槽５の材料としては、マイクロ波を透過し、内部に貯留する液体を汚染することがない材料を採用する。これは、半導体装置の洗浄液を調製するためには非常に高い純度の純水が必要であるからである。純水槽５の代表的な材料としては、石英やフッ素系樹脂（ＰＦＡやＰＴＦＥなど）が挙げられる。どちらの材料もマイクロ波は透過されるが、純水槽５の材料として石英を使用すると純水のみならずフッ酸を除くほとんどの酸やアルカリの洗浄液を使用でき、その透明性から純水槽５内部の状態を目視で確認することができるのに対し、純水槽５にフッ素系樹脂を使用するとフッ酸を含めてほとんどの酸やアルカリの洗浄液が使用できる、というようにそれぞれで特徴が異なるため使用する目的に応じて純水槽５の材料を選択すればよい。   Further, as the material of the pure water tank 5, a material that transmits microwaves and does not contaminate the liquid stored therein is adopted. This is because pure water with very high purity is required to prepare the cleaning liquid for the semiconductor device. Typical materials for the pure water tank 5 include quartz and fluorine resin (PFA, PTFE, etc.). Both materials transmit microwaves, but if quartz is used as the material of the pure water tank 5, not only pure water but also most acid and alkali cleaning liquids except hydrofluoric acid can be used. It can be confirmed visually, but when using a fluorine-based resin in the pure water tank 5, it can be used for most acid and alkali cleaning liquids including hydrofluoric acid. What is necessary is just to select the material of the pure water tank 5 according to the objective to do.

純水槽５の上面部は供給配管７や各種センサー類を通すための穴を除いて密閉した構造とする。密閉構造とするには、蓋を設けても良いし、上面部に貫通穴を開けた上で配管やセンサーとの接触部を溶接しても良い。また、導波管４の出口は純水槽５の上面部或いは側面部或いは下面部のうち少なくとも１つの近傍に設置する。これにより、純水槽５の上面部越し、或いは純水槽５の側面部越し、或いは純水槽５の下面部越し、の少なくとも１面部を挟んでマイクロ波を照射することにより、純水槽５内の純水を非接触に加熱する。   The upper surface of the pure water tank 5 has a sealed structure except for holes for passing the supply pipe 7 and various sensors. In order to obtain a sealed structure, a lid may be provided, or a contact hole with a pipe or a sensor may be welded after a through hole is formed in the upper surface portion. Further, the outlet of the waveguide 4 is installed in the vicinity of at least one of the upper surface portion, the side surface portion, or the lower surface portion of the pure water tank 5. Accordingly, by irradiating at least one surface portion of the pure water tank 5 over the upper surface part, over the side surface part of the pure water tank 5, or over the lower surface part of the pure water tank 5, the pure water in the pure water tank 5 is obtained. Heat water non-contact.

図７は、純水槽の下面部越しにマイクロ波を照射する場合の本実施形態の温水製造装置を示す概略図である。同図に示すように、純水槽５の下面部越しにマイクロ波を照射すると、下面部付近の純水が加熱により比重が小さくなって純水槽５の上方へ移動するため、自動的に純水槽５内に純水の対流１９が生じ、均一に純水槽５内の純水の加温が可能となる効果を得ることができる。この他に、導波管４を複数設けて純水槽５の二つ以上の部分越しにマイクロ波を照射することもできる。この構成は純水槽５の容量が大きい場合や高速に温水を製造したい場合に特に有効であり、例えば二つ以上の方向からマイクロ波を照射する場合、マイクロ波の周波数を２．４４ＧＨｚと２．４６ＧＨｚとする。ここで、互いに異なる周波数のマイクロ波を用いるのは、複数のマイクロ波が互いの干渉によって打ち消されるのを防ぐためである。   FIG. 7 is a schematic view showing the hot water producing apparatus of the present embodiment when the microwave is irradiated through the lower surface of the pure water tank. As shown in the figure, when the microwave is irradiated over the lower surface portion of the pure water tank 5, the pure water near the lower surface portion is reduced in specific gravity by heating and moves upward of the pure water tank 5, so that the pure water tank is automatically used. As a result, convection 19 of pure water is generated in 5, and the effect of uniformly heating pure water in pure water tank 5 can be obtained. In addition, a plurality of waveguides 4 can be provided to irradiate microwaves through two or more portions of the pure water tank 5. This configuration is particularly effective when the capacity of the pure water tank 5 is large or when it is desired to produce hot water at high speed. For example, when microwaves are irradiated from two or more directions, the frequencies of the microwaves are 2.44 GHz and 2.44 GHz. 46 GHz. Here, the microwaves having different frequencies are used in order to prevent a plurality of microwaves from being canceled by mutual interference.

また、図８は、本実施形態の温水製造装置において、導波管４の出口にマイクロ波散乱用のスターラーを設けた場合の断面を示す拡大図である。同図に示すように、導波管４の出口には、図８に示すように、マイクロ波を散乱させるためのスターラー２０を設置してもよい。このスターラー２０は、マイクロ波を反射するアルミニウム、ＳＵＳ（Stainless Used Steel）、銅などの材料で構成されており、軸を中心として回転できる。このような構成により、導波管４の出口から出てくるマイクロ波がスターラー２０によって散乱されて純水槽５内の純水に照射される。その結果、加熱される純水の領域が広がり、より均一に純水槽５内の純水を加温することが可能となる。なお、図７ではスターラー２０の回転軸が導波管４の中心線上にある例を示しているが、スターラー２０の回転軸を導波管４の中心からずらしてもよい。これによってスターラー２０の操作が容易となる。   FIG. 8 is an enlarged view showing a cross section when a microwave scattering stirrer is provided at the outlet of the waveguide 4 in the hot water producing apparatus of the present embodiment. As shown in the figure, a stirrer 20 for scattering microwaves may be installed at the outlet of the waveguide 4 as shown in FIG. The stirrer 20 is made of a material such as aluminum, SUS (Stainless Used Steel), or copper that reflects microwaves, and can be rotated about an axis. With such a configuration, the microwave coming out from the outlet of the waveguide 4 is scattered by the stirrer 20 and irradiated to the pure water in the pure water tank 5. As a result, the area of pure water to be heated is expanded, and the pure water in the pure water tank 5 can be heated more uniformly. Although FIG. 7 shows an example in which the rotation axis of the stirrer 20 is on the center line of the waveguide 4, the rotation axis of the stirrer 20 may be shifted from the center of the waveguide 4. This facilitates the operation of the stirrer 20.

８インチサイズの半導体基板を洗浄するための洗浄装置では、一般的に３５Ｌ程度の洗浄液量が要求されることから、温水を製造するための純水槽５も約３５Ｌの純水を加熱することになる。また、一般的に洗浄液は７０℃程度の温度に加熱したものを使用する。このことから、洗浄液を調合するための温水としては約８０〜８５℃のものが必要となる。例えば、純水を室温（２５℃）から８５℃にまで加熱するためには、６０℃（＝８５−２５）の温度上昇させることになるので、４．１８ｃａｌ／ｇ℃×６０℃×３５０００ｇ＝８７７８ｋｃａｌの熱量を与える必要がある。これを３０分間で加熱するとした場合、８７７８ｋｃａｌ／（３０×６０ｓｅｃ）＝４．８８ｋＷと算出することができ、この場合の温水製造に必要なマイクロ波発振器１およびマグネトロン２はその出力が４．８８ｋＷ以上のもの、例えば６ｋＷ品と求めることができる。数式として記述すると次式として表される。
Ｐ＝４．１８×Ｗ×Ｃ×ΔＴ／ｔ ［Ｗａｔｔ］
Ｐ：温水製造に必要なマグネトロン出力、Ｗ：純水重量［ｇ］、
Ｃ：純水の比熱［ｃａｌ／ｇ℃］、ΔＴ：昇温温度［℃］、ｔ：昇温時間［ｓｅｃ］
純水槽５内の純水の温度が所定温度に到達後は、マイクロ波発振器１の出力を制御し、純水槽５内の温水が所定温度を維持するようにコントロールする。例えば、３５Ｌの温水を最大で０．５℃を６０ｓｅｃの間隔で温度制御するためには１．２ｋＷの出力と算出でき、６ｋＷ品を使用している場合１．２ｋＷ／６ｋＷ＝２０％の出力で十分温度制御できることが分かる。 Since a cleaning apparatus for cleaning an 8-inch semiconductor substrate generally requires a cleaning liquid amount of about 35 L, the pure water tank 5 for producing hot water also heats about 35 L of pure water. Become. In general, a cleaning liquid heated to a temperature of about 70 ° C. is used. From this, about 80-85 degreeC is needed as warm water for preparing a washing | cleaning liquid. For example, in order to heat pure water from room temperature (25 ° C.) to 85 ° C., the temperature is increased by 60 ° C. (= 85-25), so 4.18 cal / g ° C. × 60 ° C. × 35000 g = It is necessary to give an amount of heat of 8778 kcal. When this is heated for 30 minutes, it can be calculated as 8778 kcal / (30 × 60 sec) = 4.88 kW, and the output of the microwave oscillator 1 and the magnetron 2 necessary for hot water production in this case is 4.88 kW. The above can be obtained, for example, a 6 kW product. When described as an equation, it is expressed as:
P = 4.18 × W × C × ΔT / t [Watt]
P: magnetron output required for hot water production, W: pure water weight [g],
C: specific heat of pure water [cal / g ° C.], ΔT: temperature rise temperature [° C.], t: temperature rise time [sec]
After the temperature of the pure water in the pure water tank 5 reaches a predetermined temperature, the output of the microwave oscillator 1 is controlled so that the hot water in the pure water tank 5 is maintained at the predetermined temperature. For example, in order to control the temperature of 35 L of hot water at a maximum of 0.5 ° C. at intervals of 60 seconds, it can be calculated as 1.2 kW output, and when using 6 kW products, 1.2 kW / 6 kW = 20% output It can be seen that the temperature can be sufficiently controlled.

所定温度に加熱した温水用いて温かい洗浄液を調製する際には、排水配管８から排出した温水を別置の調合槽あるいは洗浄槽に薬液と共に入れ、所定混合比率で混合する。その後、この洗浄液が入った洗浄槽内に半導体基板を入れて、所定時間浸漬させることにより、半導体基板を洗浄する。   When preparing a warm cleaning liquid using hot water heated to a predetermined temperature, the hot water discharged from the drain pipe 8 is put into a separate preparation tank or cleaning tank together with the chemical solution and mixed at a predetermined mixing ratio. Thereafter, the semiconductor substrate is put into a cleaning tank containing the cleaning liquid and immersed for a predetermined time to clean the semiconductor substrate.

以上、図１〜図８に示す本実施形態の温水製造装置では、純水を貯めた槽にマイクロ波を照射して純水を加熱し温水を製造することにより、熱伝導方式を使わずに非接触に純水中の水分子を直接加熱するため、ヒーターからの金属汚染の混入を防止でき、且つ加熱効率を従来の方法よりも高めることができる。さらに、赤外線ランプを用いる場合に比べて純水槽５周辺の発熱を低減できることから、純水槽５または純水槽５を含む温水製造装置全体を半導体基板の洗浄装置内に組み込むことが可能になる。そのため、本実施形態の温水製造装置によれば、洗浄装置全体の省スペース化を図ることができる。   As mentioned above, in the hot water manufacturing apparatus of this embodiment shown in FIGS. 1-8, by heating a pure water by irradiating the microwave which stored the pure water, and manufacturing a hot water, it does not use a heat conduction system. Since water molecules in pure water are directly heated in a non-contact manner, metal contamination from the heater can be prevented, and the heating efficiency can be increased as compared with the conventional method. Furthermore, since the heat generation around the pure water tank 5 can be reduced as compared with the case where an infrared lamp is used, the pure water tank 5 or the entire hot water production apparatus including the pure water tank 5 can be incorporated in the semiconductor substrate cleaning apparatus. Therefore, according to the hot water manufacturing apparatus of this embodiment, space saving of the whole washing | cleaning apparatus can be achieved.

また、本実施形態の温水製造装置では、マイクロ波の瞬時起動・瞬時停止などの操作を行えるので、熱伝導を用いる加熱方式の加熱装置に比べて応答性良く加熱することができ、温度制御性を高めることができる。さらに、マグネトロンのメンテナンスや交換時に純水槽を開放する必要がないので、作業が容易になり、且つ作業による汚染物質の混入を防止することが可能となる。   In addition, since the hot water production apparatus of this embodiment can perform operations such as instantaneous start / stop of microwaves, it can be heated with higher responsiveness than a heating type heating apparatus using heat conduction, and temperature controllability can be achieved. Can be increased. Furthermore, since it is not necessary to open the pure water tank at the time of maintenance or replacement of the magnetron, the operation is facilitated and contamination of contaminants due to the operation can be prevented.

なお、本実施形態では純水を加熱して温水を製造する場合について説明したが、これと同様の構成を用いて調合槽に貯留された調合済みの洗浄液を加熱することも可能である。
また、本実施形態の純水槽で加熱後の純水を調合槽で薬液や複数種類の洗浄液と混合して洗浄液を調製してからその洗浄液を洗浄槽に送ってもよい。 In addition, although this embodiment demonstrated the case where warm water was manufactured by heating pure water, it is also possible to heat the washing | cleaning liquid which has been prepared and stored in the preparation tank using the same structure as this.
Moreover, after mixing the pure water after heating with the pure water tank of this embodiment with a chemical | medical solution and multiple types of cleaning liquid in a preparation tank, you may send the cleaning liquid to a cleaning tank.

ここで、洗浄装置では、温められた洗浄液を得る方法として、温めた純水に薬液を混合する方法、純水に薬液を混ぜて洗浄液を調合した後に、該洗浄液を温める方法、温めた純水に温めた薬液を混ぜて洗浄液を調合する方法などがある。以上で説明したマイクロ波によって非接触で液体を加熱する装置構成は、薬液、洗浄液、純水のいずれを加熱する際にも応用できる。   Here, in the cleaning apparatus, as a method of obtaining a warmed cleaning solution, a method of mixing a chemical solution with warm pure water, a method of mixing a chemical solution with pure water and preparing a cleaning solution, and then warming the cleaning solution, warm pure water There is a method of preparing a cleaning solution by mixing warmed chemicals. The above-described apparatus configuration for heating a liquid in a non-contact manner using microwaves can be applied to heating any of a chemical solution, a cleaning solution, and pure water.

（第２の実施形態）
図９は、本発明の第２の実施形態に係る洗浄装置および温水製造装置の一例を示す概略図である。 (Second Embodiment)
FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an example of a cleaning device and a hot water production device according to the second embodiment of the present invention.

図９に示す温水製造装置は、図１に示す第１の実施形態の温水製造装置と同じものであるが、マイクロ波発振器１および電源３と導波管４の一部が半導体装置を洗浄するための洗浄装置２１の外部に設けられていることを特徴としている。   The hot water manufacturing apparatus shown in FIG. 9 is the same as the hot water manufacturing apparatus of the first embodiment shown in FIG. 1, but the microwave oscillator 1, the power source 3, and a part of the waveguide 4 clean the semiconductor device. It is characterized in that it is provided outside the cleaning device 21 for this purpose.

すなわち、本実施形態の温水製造装置は、純水槽５と、電源３と、ケーブルによって電源３に接続され、マイクロ波を発振するマグネトロン２を有するマイクロ波発振器１と、マイクロ波発振器１から発振されたマイクロ波を送波して純水槽５に照射する導波管４と、純水槽５の全面を囲み、マイクロ波の漏れを防止するためのマイクロ波遮断板６とを備えている。なお、供給配管７と、排水配管８、液面検知センサー９、温度測定センサー１０およびチョーク管１１などの部材は図示を省略している。   That is, the hot water production apparatus of this embodiment is oscillated from a microwave oscillator 1 having a magnetron 2 that oscillates microwaves, and is connected to the power supply 3 by a pure water tank 5, a power supply 3, and a cable. A waveguide 4 for transmitting microwaves to irradiate the pure water tank 5 and a microwave blocking plate 6 for enclosing the entire surface of the pure water tank 5 and preventing leakage of the microwaves. Note that members such as the supply pipe 7, the drain pipe 8, the liquid level detection sensor 9, the temperature measurement sensor 10, and the choke pipe 11 are not shown.

本実施形態の温水製造装置において、純水槽５とマイクロ波遮断板６とは洗浄装置２１内に設置され、マグネトロン２を有するマイクロ波発振器１と電源３とは洗浄装置２１外に設置されている。マイクロ波発振器１（マグネトロン２）と純水槽５とは導波管４で接続されている。   In the hot water production apparatus of the present embodiment, the pure water tank 5 and the microwave blocking plate 6 are installed in the cleaning device 21, and the microwave oscillator 1 having the magnetron 2 and the power source 3 are installed outside the cleaning device 21. . The microwave oscillator 1 (magnetron 2) and the pure water tank 5 are connected by a waveguide 4.

純水槽５に溜めた純水を加熱する際は、洗浄装置２１外に設置した電源３をＯＮにし、マイクロ波発振器１を動作させてマグネトロン２からマイクロ波を発振させる。すると、マイクロ波は導波管４内を通って洗浄装置２１内に設置した純水槽５にまで送られ、純水槽５内の純水に向けて照射される。これにより、純水は非接触に加熱される。その他の基本的な動作は本発明の第１の実施形態にて説明したものと同様である。   When heating the pure water stored in the pure water tank 5, the power supply 3 installed outside the cleaning device 21 is turned on, and the microwave oscillator 1 is operated to oscillate microwaves from the magnetron 2. Then, the microwave passes through the waveguide 4 to the pure water tank 5 installed in the cleaning device 21 and is irradiated toward the pure water in the pure water tank 5. Thereby, pure water is heated in a non-contact manner. Other basic operations are the same as those described in the first embodiment of the present invention.

以上のように、本実施形態の温水製造装置および洗浄装置では、純水槽５とマイクロ波遮断板６を洗浄装置２１内に設置し、マグネトロン２を有するマイクロ波発振器１と電源３とを洗浄装置２１外に設置し、マイクロ波発振器１と純水槽５とを導波管でつないでいる。これにより、必要最低限の部材のみが洗浄装置２１内に設置されることとなり、洗浄装置２１自体をコンパクトにすることができ、洗浄装置２１をクリーンルーム内に設置する際の設計の自由度を向上させることができる。   As described above, in the hot water production apparatus and the cleaning apparatus of the present embodiment, the pure water tank 5 and the microwave blocking plate 6 are installed in the cleaning apparatus 21, and the microwave oscillator 1 having the magnetron 2 and the power source 3 are cleaned. The microwave oscillator 1 and the pure water tank 5 are connected by a waveguide. As a result, only the minimum necessary members are installed in the cleaning device 21, the cleaning device 21 itself can be made compact, and the degree of design freedom when installing the cleaning device 21 in the clean room is improved. Can be made.

（第３の実施形態）
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る温水製造装置の一例を示す概略図である。 (Third embodiment)
FIG. 10 is a schematic view showing an example of a hot water production apparatus according to the third embodiment of the present invention.

同図に示すように、本実施形態の温水製造装置は、第１の純水槽５ａと、第２の純水槽５ｂと、電源３と、ケーブルによって電源３に接続され、マイクロ波を発振するマグネトロン２を有するマイクロ波発振器１と、マイクロ波発振器１から発振されたマイクロ波を送波して第１の純水槽５ａおよび第２の純水槽５ｂに照射する導波管４と、導波管４の分岐部分内に設けられ、マイクロ波を反射する材料からなる反射板（マイクロ波反射手段）２２と、第１の純水槽５ａおよび第２の純水槽５ｂの全面を囲み、マイクロ波の漏れを防止するためのマイクロ波遮断板６とを備えている。本実施形態の温水製造装置は、１つのマグネトロン２で生成したマイクロ波を２つ以上の純水槽に照射することを特徴としている。   As shown in the figure, the hot water producing apparatus of the present embodiment includes a first pure water tank 5a, a second pure water tank 5b, a power source 3, and a magnetron that is connected to the power source 3 by a cable and oscillates microwaves. 2, a waveguide 4 that transmits the microwave oscillated from the microwave oscillator 1 and irradiates the first pure water tank 5 a and the second pure water tank 5 b, and the waveguide 4 The reflection plate (microwave reflection means) 22 made of a material that reflects microwaves and the entire surfaces of the first pure water tank 5a and the second pure water tank 5b are provided in the branch portion of A microwave blocking plate 6 is provided for prevention. The hot water production apparatus of this embodiment is characterized by irradiating two or more pure water tanks with microwaves generated by one magnetron 2.

本実施形態の温水製造装置において、第１の純水槽５ａに貯めた純水を加熱するには、電源３をＯＮにし、マイクロ波発振器１を動作させてマグネトロン２からマイクロ波を発振させる。次いで、導波管４内に設置した反射板２２を第１の純水槽５ａ側と反対向きに反転させることにより、マイクロ波を反射させて第１の純水槽５ａに向かってマイクロ波を送波させる。すると、第１の純水槽５ａ側の導波管４の出口から、第１の純水槽５ａに向かって照射され、第１の純水槽５ａ内の純水を非接触に加熱することができる。   In the hot water producing apparatus of the present embodiment, to heat the pure water stored in the first pure water tank 5a, the power source 3 is turned on and the microwave oscillator 1 is operated to oscillate microwaves from the magnetron 2. Next, the reflection plate 22 installed in the waveguide 4 is inverted in the direction opposite to the first pure water tank 5a side, thereby reflecting the microwave and transmitting the microwave toward the first pure water tank 5a. Let Then, it is irradiated toward the first pure water tank 5a from the outlet of the waveguide 4 on the first pure water tank 5a side, and the pure water in the first pure water tank 5a can be heated in a non-contact manner.

第１の純水槽５ａ内の純水が所定温度に加熱された後、第２の純水槽５ｂに溜めた純水を加熱するために、導波管４内に設置した反射板２２を第２の純水槽５ｂ側と反対向きに反転させる。これにより、反射板２２で反射されるマイクロ波の送波方向が切り替り、第２の純水槽５ｂに向かって送波されることになる。すると、マイクロ波は、第２の純水槽５ｂに面した導波管４の出口から、第２の純水槽５ｂに向かって照射されることとなり、第２の純水槽５ｂ内の純水は非接触で加熱される。   After the pure water in the first pure water tank 5a is heated to a predetermined temperature, in order to heat the pure water stored in the second pure water tank 5b, the reflector 22 installed in the waveguide 4 is a second one. Is reversed in the opposite direction to the pure water tank 5b side. Thereby, the transmission direction of the microwave reflected by the reflecting plate 22 is switched, and the microwave is transmitted toward the second pure water tank 5b. Then, the microwave is irradiated from the outlet of the waveguide 4 facing the second pure water tank 5b toward the second pure water tank 5b, and the pure water in the second pure water tank 5b is not. Heated by contact.

第２の純水槽５ｂ内の純水の加熱中においても、第１の純水槽５ａ内の温水の温度制御を行うために、導波管４内に設置した反射板２２を必要に応じて動作させて、第１の純水槽５ａに向けてマイクロ波を照射する。このようにして、マイクロ波の進行方向を切り替えながら照射することにより、第１の純水槽５ａと第２の純水槽５ｂを同時あるいは時間差を付けて加熱したり、同時に温度制御することが可能にできる。   Even during heating of pure water in the second pure water tank 5b, the reflector 22 installed in the waveguide 4 is operated as necessary to control the temperature of the hot water in the first pure water tank 5a. Then, the microwave is irradiated toward the first pure water tank 5a. In this way, by irradiating while switching the traveling direction of the microwave, it is possible to heat the first pure water tank 5a and the second pure water tank 5b simultaneously or with a time difference, and to control the temperature simultaneously. it can.

なお、本実施形態の温水製造装置では、純水槽が２つの場合にて説明したが、２つ以上の場合であっても同様にして加熱することが可能である。また、その他の基本的な動作や構成は本発明の第１の実施形態にて説明したものと同様である。   In addition, although the hot water manufacturing apparatus of this embodiment demonstrated the case where there were two pure water tanks, even if it is a case where it is two or more, it can heat similarly. Other basic operations and configurations are the same as those described in the first embodiment of the present invention.

以上、図１０に示す本実施形態の温水製造装置では、１機のマグネトロン２が発振するマイクロ波を反射板２２で切り替えて２台以上の純水槽に照射することにより、マグネトロンと発振機、電源の数を少なくすることができ、温水製造装置の投資費用やメンテナンス費用を削減することができる。また、温水製造装置の占有スペースを削減することが可能になる。   As described above, in the hot water production apparatus of the present embodiment shown in FIG. 10, the microwaves oscillated by one magnetron 2 are switched by the reflector 22 and irradiated to two or more pure water tanks. Can be reduced, and the investment cost and maintenance cost of the hot water production apparatus can be reduced. In addition, the space occupied by the hot water production apparatus can be reduced.

なお、導波管４の長さを数十ｍ（例えば３０ｍ）としてもマイクロ波はほとんど減衰しないので、導波管４の引き回しが可能であり、温水製造装置を設置する際の自由度は高くなっている。   Even if the length of the waveguide 4 is set to several tens of meters (for example, 30 m), the microwave is hardly attenuated. Therefore, the waveguide 4 can be routed, and the degree of freedom in installing the hot water production apparatus is high. It has become.

なお、以上では純水を加熱して温水を製造する装置について説明したが、洗浄装置において、調合槽内で調合済みの洗浄液や薬液を加熱する場合も上記説明と同様に行うことが可能である。   In addition, although the apparatus which heats pure water and manufactures warm water was demonstrated above, in the washing | cleaning apparatus, also when heating the washing | cleaning liquid and chemical | medical solution which were already prepared in the preparation tank, it is possible to carry out similarly to the said description. .

（第４の実施形態）
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る洗浄液加熱装置および洗浄装置の一例を示す概略図である。本実施形態の洗浄液加熱装置および洗浄装置は、洗浄槽中の洗浄液を加熱槽２３を含む循環ラインにおいて加熱することを特徴としている。 (Fourth embodiment)
FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an example of the cleaning liquid heating apparatus and the cleaning apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. The cleaning liquid heating apparatus and the cleaning apparatus according to the present embodiment are characterized in that the cleaning liquid in the cleaning tank is heated in a circulation line including the heating tank 23.

図１１に示す本実施形態の洗浄装置は、洗浄液２８を貯留するための洗浄槽２７と、洗浄槽２７に貯留された洗浄液２８を循環するための循環ライン（配管）２６と、循環ライン２６中に設けられ、洗浄液２８を加熱するための加熱槽２３を含む洗浄液加熱装置と、循環ライン２６中に設置され、洗浄液２８を送液するための循環ポンプ２４と、循環ライン２６中に設置され、洗浄液２８中の微粒子を除去するためのフィルター２５とを備えている。洗浄槽２７は、例えば内槽と外槽とに分かれている。   The cleaning apparatus of this embodiment shown in FIG. 11 includes a cleaning tank 27 for storing the cleaning liquid 28, a circulation line (pipe) 26 for circulating the cleaning liquid 28 stored in the cleaning tank 27, and a circulation line 26. A cleaning liquid heating apparatus including a heating tank 23 for heating the cleaning liquid 28, a circulation pump 24 installed in the circulation line 26, a circulation pump 24 for feeding the cleaning liquid 28, and a circulation line 26. And a filter 25 for removing fine particles in the cleaning liquid 28. The cleaning tank 27 is divided into, for example, an inner tank and an outer tank.

また、洗浄液加熱装置は、図１に示す温水製造装置の純水槽を加熱槽２３に換えたものであり、加熱槽２３の他、電源３と、ケーブルによって電源３に接続され、マイクロ波を発振するマグネトロン２を有するマイクロ波発振器１と、マイクロ波発振器１から発振されたマイクロ波を送波して純水槽５に照射する導波管４と、純水槽５の全面を囲み、マイクロ波の漏れを防止するためのマイクロ波遮断板６と、加熱槽２３と循環ライン２６との接続部に取り付けられたマイクロ波漏れ防止用のチョーク管１１とを有している。マイクロ波発振器１、電源３および導波管４は洗浄装置の内部に設けてあってもよいし、洗浄装置の外部に設けてあってもよい。   Further, the cleaning liquid heating apparatus is obtained by replacing the pure water tank of the hot water production apparatus shown in FIG. A microwave oscillator 1 having a magnetron 2 to be transmitted, a waveguide 4 for transmitting the microwave oscillated from the microwave oscillator 1 and irradiating the pure water tank 5, and surrounding the entire surface of the pure water tank 5, leakage of microwaves And a choke tube 11 for preventing microwave leakage attached to a connecting portion between the heating tank 23 and the circulation line 26. The microwave oscillator 1, the power source 3, and the waveguide 4 may be provided inside the cleaning device, or may be provided outside the cleaning device.

本実施形態の洗浄装置において、洗浄液２８は洗浄槽２７の外槽から循環ライン２６へと流れ、次いで循環ポンプ２４を通り、さらに洗浄液加熱装置内の加熱槽２３へと送られる。加熱槽２３内では、マイクロ波発振器１内のマグネトロン２から発振されたマイクロ波が導波管４内を通り加熱槽２３を透過して洗浄液２８に照射され、これにより洗浄液２８は加熱される。加熱された洗浄液２８は加熱槽２３から循環ライン２６へと流れ、フィルター２５によって液中の微粒子が除去された後、洗浄槽２７の内槽へと戻る。これが繰り返されることにより、洗浄液２８は循環しながら加熱される。洗浄液２８は設定温度を維持するように、マイクロ波の発振出力を制御して、洗浄液２８の温度制御を行う。   In the cleaning apparatus of this embodiment, the cleaning liquid 28 flows from the outer tank of the cleaning tank 27 to the circulation line 26, then passes through the circulation pump 24, and is further sent to the heating tank 23 in the cleaning liquid heating apparatus. In the heating tank 23, the microwave oscillated from the magnetron 2 in the microwave oscillator 1 passes through the waveguide 4 and passes through the heating tank 23 and is irradiated to the cleaning liquid 28, whereby the cleaning liquid 28 is heated. The heated cleaning liquid 28 flows from the heating tank 23 to the circulation line 26, and after the fine particles in the liquid are removed by the filter 25, the cleaning liquid 28 returns to the inner tank of the cleaning tank 27. By repeating this, the cleaning liquid 28 is heated while circulating. The temperature of the cleaning liquid 28 is controlled by controlling the microwave oscillation output so that the cleaning liquid 28 maintains the set temperature.

半導体基板を洗浄するための洗浄液２８としては、アンモニア水などのアルカリ系薬液、あるいは硫酸や塩酸などの酸系薬液、過酸化水素水やオゾン水などの酸化剤系の薬液、および純水の内、２種もしくは３種のものを所定の混合比率で調合したものを使用するが、ほとんどの場合、アルカリや酸の市販薬液は水溶液であるため、洗浄液２８も水溶液となる。このため、マイクロ波が洗浄液２８に照射されると、洗浄液２８中の水分子が振動し発熱するので、洗浄液２８は加熱されることとなる。   The cleaning liquid 28 for cleaning the semiconductor substrate includes an alkaline chemical solution such as ammonia water, an acid chemical solution such as sulfuric acid and hydrochloric acid, an oxidizing chemical solution such as hydrogen peroxide water and ozone water, and pure water. A mixture prepared by mixing two or three kinds at a predetermined mixing ratio is used, but in most cases, since a commercially available chemical solution of alkali or acid is an aqueous solution, the cleaning liquid 28 is also an aqueous solution. For this reason, when the cleaning liquid 28 is irradiated with microwaves, the water molecules in the cleaning liquid 28 vibrate and generate heat, so that the cleaning liquid 28 is heated.

洗浄液の洗浄効率を上げてより短時間で効果的にパーティクルや金属不純物などの汚染物質を半導体基板上から除去するために、洗浄液は所定温度、例えば７０℃に加温して使用する。この際、洗浄液の加熱にかかる時間を短縮するため、事前に調合槽で加熱した洗浄液、もしくは事前加熱した温水および薬液を洗浄槽に供給するのが一般的である。このため、洗浄槽における洗浄液加熱は、温度制御するための加温、すなわち２〜３℃程度だけ液温を上昇させるための加温、もしくは洗浄液供給時の温度から１０℃程度温度上昇させるための加温を行うことが多い。よって、マイクロ波発振器は高出力のものは必要なく、例えば数ＫＷ程度の低出力のもので十分加温可能である。   In order to increase the cleaning efficiency of the cleaning liquid and effectively remove contaminants such as particles and metal impurities from the semiconductor substrate in a shorter time, the cleaning liquid is heated to a predetermined temperature, for example, 70 ° C., and used. At this time, in order to shorten the time required for heating the cleaning liquid, it is common to supply the cleaning liquid heated in the preparation tank in advance, or the preheated warm water and the chemical liquid to the cleaning tank. For this reason, the cleaning liquid heating in the cleaning tank is for heating to control the temperature, that is, for increasing the liquid temperature by about 2 to 3 ° C., or for increasing the temperature by about 10 ° C. from the temperature at the time of supplying the cleaning liquid. Heating is often performed. Therefore, the microwave oscillator is not required to have a high output, and can be sufficiently heated with a low output of, for example, several KW.

特に本発明の洗浄装置では、循環ラインの配管越しに洗浄液２８にマイクロ波を照射するのではなく、加熱槽２３に一旦貯めた洗浄液２８にマイクロ波を照射するので、より効率良く洗浄液２８を加熱することができ、より低出力で安価なマイクロ波発振器１で洗浄液を加熱することができる。循環ライン２６の配管越しにマイクロ波を照射すると洗浄液２８の流速が速すぎるため、マイクロ波が照射される場所での洗浄液２８の滞在時間が短くなり、マイクロ波の出力を上げなければ洗浄液を所望の温度に上げることが難しくなる。この結果、従来の加熱方法では高出力でかつ高価格のマイクロ波発振器が必要になるのに対し、本発明の、加熱方法では、加熱槽２３で一旦洗浄液２８を溜めることにより、加熱槽２３内での洗浄液２８の流速が激減するため、洗浄液２８にマイクロ波が照射される時間が長くなり、より低出力で安価なマイクロ波発振器で洗浄液を加熱することができることとなる。   In particular, in the cleaning apparatus of the present invention, the cleaning liquid 28 is not irradiated with microwaves through the piping of the circulation line, but is irradiated with the microwaves once stored in the heating tank 23, so that the cleaning liquid 28 is heated more efficiently. Therefore, the cleaning liquid can be heated by the microwave oscillator 1 with lower output and lower cost. When the microwave is irradiated through the piping of the circulation line 26, the flow rate of the cleaning liquid 28 is too high. Therefore, the staying time of the cleaning liquid 28 at the place where the microwave is irradiated is shortened. It will be difficult to raise the temperature. As a result, the conventional heating method requires a high-power and high-price microwave oscillator, whereas in the heating method of the present invention, the cleaning liquid 28 is temporarily stored in the heating tank 23, so Since the flow rate of the cleaning liquid 28 at this time is drastically reduced, the time during which the cleaning liquid 28 is irradiated with microwaves becomes longer, and the cleaning liquid can be heated with a lower-power and inexpensive microwave oscillator.

加熱槽２３に接続された洗浄液２８の循環ライン２６の配管は、通常１０〜２０Ｌ／ｍｉｎの流量が必要となることから、その配管径を、マイクロ波を遮断できるとするマイクロ波波長の４分の１以下にすることは困難である。このため、循環ライン２６の配管接続部にチョーク管１１を設けて、この接続部からのマイクロ波の漏れを低減させている。   Since the piping of the circulation line 26 of the cleaning liquid 28 connected to the heating tank 23 usually requires a flow rate of 10 to 20 L / min, the diameter of the piping is 4 minutes of the microwave wavelength that can cut off the microwave. It is difficult to make it 1 or less. For this reason, the choke pipe 11 is provided in the pipe connection part of the circulation line 26, and the leakage of the microwave from this connection part is reduced.

また、導波管４は、既述のように、マイクロ波を透過も吸収もせず、反射する材料で構成されなければならない。マイクロ波遮断板６も導波管４と同様に、マイクロ波を透過および吸収せずに、反射する材料で構成されなければならない。そのため、導波管４およびマイクロ波遮断板６の材料として金属を使用するが、洗浄装置内の薬液雰囲気による腐食を防止するために導波管４やマイクロ波遮断板６の内外面に、マイクロ波を透過し、且つ耐薬品性のある材料（例えばフッ素系樹脂）からなるコーティングを施すことが好ましい。   Further, as described above, the waveguide 4 must be made of a material that does not transmit or absorb microwaves but reflects the microwaves. Similarly to the waveguide 4, the microwave blocking plate 6 must be made of a material that reflects and does not transmit and absorb microwaves. For this reason, metal is used as the material of the waveguide 4 and the microwave blocking plate 6, but in order to prevent corrosion due to the chemical atmosphere in the cleaning device, the waveguide 4 and the microwave blocking plate 6 have micro- It is preferable to apply a coating made of a material that transmits waves and has chemical resistance (for example, a fluororesin).

加熱槽２３は、マイクロ波を透過し、且つ洗浄液に汚染物質を溶出したり洗浄液と反応することがなく、半導体基板の洗浄用途として使用することができるほどの高清浄度を得ることができる材料（例えば石英やフッ素系樹脂）を採用する。また、加熱槽２３へのマイクロ波の照射は、加熱槽２３の上方、側方、下方のうちの少なくとも一方から行う。洗浄液２８の流れ方向に対向する面（加熱層２３の上面）からマイクロ波を照射するとより効率的に加熱を行うことができる。   The heating bath 23 is a material that can transmit microwaves and does not elute contaminants in the cleaning liquid or react with the cleaning liquid, and can obtain a high cleanliness that can be used for cleaning semiconductor substrates. (For example, quartz or fluorine resin) is employed. Moreover, the microwave irradiation to the heating tank 23 is performed from at least one of the upper side, the side, and the lower side of the heating tank 23. When microwaves are irradiated from the surface (the upper surface of the heating layer 23) facing the flow direction of the cleaning liquid 28, heating can be performed more efficiently.

なお、図１１では、半導体基板を洗浄槽２７内に入れない状態を示しているが、本発明は洗浄液２８を加熱することが目的であることから、半導体基板を洗浄槽２７内に浸漬して半導体基板を洗浄中においても洗浄液２８を加熱し、洗浄液２８を温度制御できることは言うまでもない。   FIG. 11 shows a state in which the semiconductor substrate is not put into the cleaning tank 27. However, since the present invention aims to heat the cleaning liquid 28, the semiconductor substrate is immersed in the cleaning tank 27. Needless to say, the temperature of the cleaning liquid 28 can be controlled by heating the cleaning liquid 28 even during the cleaning of the semiconductor substrate.

以上のように、図１１に示す本実施形態の洗浄装置では、洗浄液２８の循環ライン２６にて洗浄液２８を一旦加熱槽２３に溜めてマイクロ波を照射し、洗浄液２８を加熱する。これにより、洗浄液２８の流速が落ちるので、洗浄液へのマイクロ波の照射時間が長くなり、低出力で安価なマイクロ波発振器１でも効率よく洗浄液２８を加熱することができる。   As described above, in the cleaning apparatus of the present embodiment shown in FIG. 11, the cleaning liquid 28 is temporarily accumulated in the heating tank 23 in the circulation line 26 of the cleaning liquid 28, and the cleaning liquid 28 is heated by irradiation with microwaves. As a result, the flow rate of the cleaning liquid 28 decreases, so that the time for microwave irradiation to the cleaning liquid becomes long, and the cleaning liquid 28 can be efficiently heated even by the low-power and inexpensive microwave oscillator 1.

また、非接触加熱のためヒーターからの金属汚染の混入を防止でき、且つ高い加熱効率を得ることができる。さらに、加熱槽２３の周辺での発熱が低減できることから、洗浄液加熱装置を洗浄装置内に置くことができるため、洗浄装置の省スペース化を図ることができる。これに加えてマイクロ波の起動や停止に伴って加熱の開始や停止が瞬時に行えるので、熱伝導を用いた加熱方法に比べて加熱動作の応答性が良く、温度制御性を向上させることができる。また、マグネトロン２のメンテナンスや交換時に循環ライン２６を開放する必要がないので、作業が容易であると共に、作業による汚染混入を防止することが可能になる。   Further, because of non-contact heating, mixing of metal contamination from the heater can be prevented, and high heating efficiency can be obtained. Furthermore, since the heat generation around the heating tank 23 can be reduced, the cleaning liquid heating device can be placed in the cleaning device, so that the space for the cleaning device can be saved. In addition to this, heating can be started and stopped instantaneously with the start and stop of the microwave, so the responsiveness of the heating operation is better than the heating method using heat conduction and the temperature controllability can be improved. it can. Further, since there is no need to open the circulation line 26 during maintenance or replacement of the magnetron 2, the work is easy and contamination due to the work can be prevented.

以上説明したように、本発明の液体加熱装置は、温められた半導体基板の洗浄液などを供給するために用いられる他、水を含む液体を温める際に広く用いられる。   As described above, the liquid heating apparatus of the present invention is used not only for supplying a warmed cleaning solution for a semiconductor substrate but also widely used for warming a liquid containing water.

本発明の第１の実施形態に係る温水製造装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the hot water manufacturing apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 第１の実施形態に係る温水製造装置において液面検知センサーを別方式に変更した例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example which changed the liquid level detection sensor into another system in the hot water manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る温水製造装置におけるチョーク管の具体的構造を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the specific structure of the chalk pipe in the hot water manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る温水製造装置において、供給配管および排水配管の形状を変化させた例を示す概略図である。It is the schematic which shows the example which changed the shape of supply piping and drainage piping in the hot water manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る温水製造装置において、導波管のマイクロ波出口付近の断面を示す拡大図である。In the warm water manufacturing apparatus concerning a 1st embodiment, it is an enlarged view showing the section near the microwave exit of a waveguide. 第１の実施形態に係る温水製造装置において、導波管に気体を導入する例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the example which introduce | transduces gas into a waveguide in the hot water manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 純水槽の下面部越しにマイクロ波を照射する場合の第１の実施形態に係る温水製造装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the warm water manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment in the case of irradiating a microwave over the lower surface part of a pure water tank. 第１の実施形態に係る温水製造装置において、導波管の出口にマイクロ波散乱用のスターラーを設けた場合の断面を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the cross section at the time of providing the stirrer for microwave scattering in the exit of a waveguide in the hot water manufacturing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 本発明の第２の実施形態に係る温水製造装置および洗浄装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the hot water manufacturing apparatus and washing | cleaning apparatus which concern on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態に係る温水製造装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the hot water manufacturing apparatus which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態に係る洗浄液加熱装置および洗浄装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the washing | cleaning liquid heating apparatus and washing | cleaning apparatus which concern on the 4th Embodiment of this invention. 純水を加熱するための従来の温水製造装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the conventional warm water manufacturing apparatus for heating pure water.

符号の説明Explanation of symbols

１ マイクロ波発振器
２ マグネトロン
３ 電源
４ 導波管
５ 純水槽
５ａ 第１の純水槽
５ｂ 第２の純水槽
６ マイクロ波遮断板
７ 供給配管
８ 排水配管
９ 液面検知センサー
１０ 温度測定センサー
１１ チョーク管
１５ 純水配管
１６ 配管
１７ コーティング
１８ 薬品雰囲気遮断板
１９ 対流
２０ スターラー
２１ 洗浄装置
２２ 反射板
２３ 加熱槽
２４ 循環ポンプ
２５ フィルター
２６ 循環ライン
２７ 洗浄槽
２８ 洗浄液
２９ 気体導入管 1 Microwave Oscillator 2 Magnetron 3 Power Supply 4 Waveguide 5 Pure Water Tank 5a First Pure Water Tank 5b Second Pure Water Tank 6 Microwave Blocking Plate 7 Supply Pipe 8 Drain Pipe 9 Liquid Level Detection Sensor 10 Temperature Measurement Sensor 11 Choke Pipe 15 Pure water piping 16 Piping 17 Coating 18 Chemical atmosphere blocker 19 Convection 20 Stirrer 21 Cleaning device 22 Reflector 23 Heating tank 24 Circulating pump 25 Filter 26 Circulating line 27 Cleaning tank 28 Cleaning liquid 29 Gas introduction pipe

Claims (26)

第１の液体を貯留するための第１の貯留槽と、
前記第１の貯留槽に前記第１の液体を供給するための供給路と、
前記第１の貯留槽から前記第１の液体を排出するための排水路と、
前記第１の液体を加熱できるマイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、
前記マイクロ波を前記第１の貯留槽まで送波し、前記第１の貯留槽越しに前記第１の液体に照射するための導波管と、
前記第１の貯留槽からマイクロ波が漏洩することを防止するマイクロ波遮断手段とを備えていることを特徴とする液体加熱装置。 A first storage tank for storing the first liquid;
A supply path for supplying the first liquid to the first storage tank;
A drainage channel for discharging the first liquid from the first storage tank;
A microwave oscillator that oscillates a microwave capable of heating the first liquid;
A waveguide for transmitting the microwave to the first storage tank and irradiating the first liquid through the first storage tank;
A liquid heating apparatus comprising: a microwave blocking unit that prevents leakage of microwaves from the first storage tank. 前記供給路と前記第１の貯留槽との接続部、および前記排水路と前記第１の貯留槽との接続部のうち少なくとも一方に設けられ、前記マイクロ波の漏れを防止するチョーク管をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   A choke tube that is provided in at least one of a connection portion between the supply path and the first storage tank and a connection section between the drainage path and the first storage tank, and prevents leakage of the microwave; The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein the liquid heating apparatus is provided. 前記供給路および前記排水路のうち少なくとも一方は、前記第１の貯留槽との接続部において複数の分岐路を有しており、前記複数の分岐路の各径は、前記マイクロ波の波長の１／４以下であることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   At least one of the supply channel and the drain channel has a plurality of branch channels at a connection portion with the first storage tank, and each diameter of the plurality of branch channels has a wavelength of the microwave. The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein the liquid heating apparatus is ¼ or less. 前記導波管のマイクロ波照射口に設けられ、耐薬品性材料からなり、薬品が前記導波管に侵入することを防止する薬品侵入防止手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の液体加熱装置。   2. A chemical intrusion prevention means, which is provided at a microwave irradiation port of the waveguide and is made of a chemical resistant material and prevents chemicals from entering the waveguide. The liquid heating apparatus according to any one of? 前記導波管のマイクロ波照射口に設けられ、前記第１の貯留槽に照射する前記マイクロ波を散乱させるためのスターラーをさらに備えていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の液体加熱装置。   5. A stirrer provided at a microwave irradiation port of the waveguide and further for scattering the microwave irradiated to the first storage tank. 2. A liquid heating apparatus according to item 1. 前記導波管の内面および外面は耐薬品性物質によってコーティングされていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein an inner surface and an outer surface of the waveguide are coated with a chemical resistant material. 前記導波管には気体導入管が設けられ、前記気体導入管から気体を導入し前記導波管内部を陽圧にすることを特徴とした請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の液体加熱装置。   7. The waveguide according to claim 1, wherein a gas introduction pipe is provided in the waveguide, and a gas is introduced from the gas introduction pipe to make the inside of the waveguide have a positive pressure. Liquid heating device. 前記気体は不活性ガスであることを特徴とする請求項７に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 7, wherein the gas is an inert gas. 前記マイクロ波遮断手段は、耐薬品性物質によってコーティングされていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein the microwave blocking means is coated with a chemical-resistant substance. 第２の液体を貯留するための第２の貯留槽と、
前記導波管から分岐し、前記マイクロ波発振器で発振された前記マイクロ波を前記第２の貯留槽まで送波し、前記第２の貯留槽越しに前記第２の液体に照射するための分岐導波管と、
前記導波管と前記分岐導波管との分岐部分に設けられ、前記マイクロ波を反射する材料で構成された可動式のマイクロ波反射手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。 A second storage tank for storing the second liquid;
Branch for branching from the waveguide, transmitting the microwave oscillated by the microwave oscillator to the second storage tank, and irradiating the second liquid through the second storage tank A waveguide;
2. A movable microwave reflecting means provided at a branch portion between the waveguide and the branch waveguide and made of a material that reflects the microwave is further provided. The liquid heating apparatus described in 1. 前記導波管は、金属材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein the waveguide is made of a metal material. 前記マイクロ波遮断手段は、金属材料で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein the microwave blocking means is made of a metal material. 前記第１の貯留槽は、フッ素系樹脂または石英で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein the first storage tank is made of a fluorine-based resin or quartz. 前記薬品遮断板は、フッ素系樹脂で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 4, wherein the chemical blocking plate is made of a fluorine-based resin. 前記導波管は、前記貯留槽の下面に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液体加熱装置。   The liquid heating apparatus according to claim 1, wherein the waveguide is connected to a lower surface of the storage tank. 液体を加熱するための液体加熱手段と、洗浄液を貯留するための洗浄槽を有する洗浄手段とを備えた洗浄装置であって、
前記液体加熱手段は、
前記洗浄手段内に配置され、液体を貯留するための貯留槽と、
前記貯留槽に前記液体を供給するための供給路と、
前記貯留槽から前記液体を排出するための排水路と、
前記液体を加熱できるマイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、
前記マイクロ波を前記貯留槽まで送波し、前記貯留槽越しに前記液体に照射するための導波管とを有していることを特徴とする洗浄装置。 A cleaning apparatus comprising a liquid heating means for heating a liquid and a cleaning means having a cleaning tank for storing a cleaning liquid,
The liquid heating means includes
A storage tank disposed in the cleaning means for storing liquid;
A supply path for supplying the liquid to the storage tank;
A drainage channel for discharging the liquid from the storage tank;
A microwave oscillator that oscillates a microwave capable of heating the liquid;
A cleaning apparatus, comprising: a waveguide for transmitting the microwave to the storage tank and irradiating the liquid through the storage tank. 前記液体加熱手段全体が前記洗浄手段内に配置されていることを特徴とする請求項１６に記載の洗浄装置。   The cleaning apparatus according to claim 16, wherein the entire liquid heating means is disposed in the cleaning means. 前記貯留槽に貯留される前記液体は純水、薬液、前記洗浄液のうちから選ばれた１つであることを特徴とする請求項１６に記載の洗浄装置。   The cleaning device according to claim 16, wherein the liquid stored in the storage tank is one selected from pure water, a chemical solution, and the cleaning solution. 前記洗浄槽に接続され、前記洗浄槽内の前記洗浄液を循環するための循環ラインをさらに備えており、
前記貯留槽は前記循環ライン上に設置されていると共に、前記循環ラインによって循環される前記洗浄液を貯留することを特徴とする請求項１６に記載の洗浄装置。 Connected to the cleaning tank, further comprising a circulation line for circulating the cleaning liquid in the cleaning tank;
The cleaning apparatus according to claim 16, wherein the storage tank is installed on the circulation line and stores the cleaning liquid circulated by the circulation line. 液体を貯留するための貯留槽と、洗浄液を貯留するための洗浄槽とを有する洗浄手段と、前記液体を加熱できる第１のマイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、前記第１のマイクロ波を前記貯留槽まで送波し、前記貯留槽越しに前記液体に照射するための導波管とを備えた洗浄装置を用いた洗浄方法であって、
前記貯留槽に前記液体を溜める工程（ａ）と、
前記貯留槽内の前記液体に前記第１のマイクロ波を照射して加熱する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）で加熱した前記液体を前記洗浄槽に送る工程（ｃ）と、
前記洗浄槽に前記液体を含む前記洗浄液を貯留し、対象物の洗浄を行う工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする洗浄方法。 Cleaning means having a storage tank for storing a liquid and a cleaning tank for storing a cleaning liquid, a microwave oscillator for oscillating a first microwave capable of heating the liquid, and the first microwave A cleaning method using a cleaning device including a waveguide for transmitting to the storage tank and irradiating the liquid through the storage tank,
A step (a) of storing the liquid in the storage tank;
(B) heating the liquid in the storage tank by irradiating the first microwave;
A step (c) of sending the liquid heated in the step (b) to the washing tank;
And (d) cleaning the target object by storing the cleaning liquid containing the liquid in the cleaning tank. 前記貯留槽に貯留される液体は前記洗浄液であり、且つ、前記貯留槽内の洗浄液は前記貯留槽を介した循環ラインにより循環されることを特徴とする請求項２０に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 20, wherein the liquid stored in the storage tank is the cleaning liquid, and the cleaning liquid in the storage tank is circulated by a circulation line through the storage tank. 前記洗浄装置は第１の調合槽をさらに備えており、
前記工程（ａ）の前に、前記洗浄液を前記第１の調合槽で調合し、前記洗浄液を前記貯留槽に送る工程をさらに備えていることを特徴とする請求項２０に記載の洗浄方法。 The cleaning apparatus further includes a first mixing tank,
The cleaning method according to claim 20, further comprising a step of preparing the cleaning liquid in the first preparation tank and sending the cleaning liquid to the storage tank before the step (a). 前記工程（ａ）は、純水と薬液を貯留槽に供給する工程を含み、貯留槽内で純水と薬液を混合し洗浄液を調合することを特徴とする請求項２０に記載の洗浄方法。   21. The cleaning method according to claim 20, wherein the step (a) includes a step of supplying pure water and a chemical liquid to a storage tank, and mixing the pure water and the chemical liquid in the storage tank to prepare a cleaning liquid. 前記貯留槽に貯留される前記液体は純水であり、
前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）との間に、前記洗浄槽内で前記純水と薬液とを混合して前記洗浄液を調合する工程（ｅ）をさらに備えていることを特徴とする請求項２０に記載の洗浄方法。 The liquid stored in the storage tank is pure water,
Between the step (c) and the step (d), the method further comprises a step (e) of mixing the pure water and the chemical liquid in the cleaning tank to prepare the cleaning liquid. The cleaning method according to claim 20. 前記洗浄装置は第２の調合槽をさらに備えており、
前記貯留槽に貯留される前記液体は純水であり、
前記工程（ｂ）の次に、加熱した前記純水を前記第２の調合槽へ送る工程（ｆ）と前記第２の調合槽内で前記純水と薬液とを混合して前記洗浄液を調合する工程（ｇ）と、
前記工程（ｇ）で調合された前記洗浄液を前記洗浄槽に送る工程（ｈ）とをさらに備えていることを特徴とする請求項２０に記載の洗浄方法。 The cleaning device further includes a second preparation tank,
The liquid stored in the storage tank is pure water,
After the step (b), the purified water is prepared by mixing the pure water and the chemical in the step (f) of sending the heated pure water to the second preparation tank and the second preparation tank. A step (g) of
The cleaning method according to claim 20, further comprising a step (h) of sending the cleaning liquid prepared in the step (g) to the cleaning tank. 前記工程（ｂ）では、前記第１のマイクロ波と周波数の異なる第２のマイクロ波を前記貯留槽内の前記液体に照射することを特徴とする請求項２０に記載の洗浄方法。   21. The cleaning method according to claim 20, wherein, in the step (b), the liquid in the storage tank is irradiated with a second microwave having a frequency different from that of the first microwave.
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