JP2006060986A - 電力変換装置の導体構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路や装置を特に大型化することなく、IGBTなどの半導体スイッチング素子のスイッチングによる放射ノイズを低減する。
【解決手段】図1(a)のようにシンプル化した従来導体Cに対し、この発明では図1(b)または(c)(前者は斜視図、後者は上面図)のように、導体Cの側面部にスリットSLを形成することにより、導体Cの高周波抵抗分を大きくし、放射ノイズの低減効果を増大させるようにする。スリットの他に、表皮効果を利用する例なども開示されている。
【選択図】図1
【解決手段】図1(a)のようにシンプル化した従来導体Cに対し、この発明では図1(b)または(c)(前者は斜視図、後者は上面図)のように、導体Cの側面部にスリットSLを形成することにより、導体Cの高周波抵抗分を大きくし、放射ノイズの低減効果を増大させるようにする。スリットの他に、表皮効果を利用する例なども開示されている。
【選択図】図1
Description
この発明は、電力変換装置の配線に使用する導体構造に関する。
図4に、電力変換装置を代表するインバータ主回路を示す。
1は直流電源回路、2はモータなどの負荷、3は電力用半導体素子で構成されるインバータ部で、電圧と周波数の可変出力が可能である。ただし、直流電源回路1は通常、図示されない交流電源とダイオード整流器を介して、大容量の直流平滑用電解コンデンサで構成されるのが普通である。また、インバータ部3のうちの符号4がIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等の電力用半導体素子、5は逆並列に接続されたダイオードであり、これらが6回路で構成されている。電力用半導体モジュール6a〜6cは通常、上下アーム2素子分を1組とする。
1は直流電源回路、2はモータなどの負荷、3は電力用半導体素子で構成されるインバータ部で、電圧と周波数の可変出力が可能である。ただし、直流電源回路1は通常、図示されない交流電源とダイオード整流器を介して、大容量の直流平滑用電解コンデンサで構成されるのが普通である。また、インバータ部3のうちの符号4がIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等の電力用半導体素子、5は逆並列に接続されたダイオードであり、これらが6回路で構成されている。電力用半導体モジュール6a〜6cは通常、上下アーム2素子分を1組とする。
図5にIGBTモジュールの外観図、図6にその内部配線構造の概略図を示す。
図5の符号7は正側直流出力端子(P端子)、同8は負側直流出力端子(N端子)、同9は交流出力端子(U端子)である。また、図6の10,11,12はそれぞれモジュール内部の正側直流出力用配線導体,負側直流出力用配線導体,交流出力用配線導体で、モジュールの外部にて端子7,8,9となる。この配線導体は一般に、概ね1mm厚さ、1cm幅の導体であることが一般的である。
図5の符号7は正側直流出力端子(P端子)、同8は負側直流出力端子(N端子)、同9は交流出力端子(U端子)である。また、図6の10,11,12はそれぞれモジュール内部の正側直流出力用配線導体,負側直流出力用配線導体,交流出力用配線導体で、モジュールの外部にて端子7,8,9となる。この配線導体は一般に、概ね1mm厚さ、1cm幅の導体であることが一般的である。
また、図6(a)のように、銅ベース13上の14が絶縁基板で、この基板14上に上アーム側IGBTチップ15、下アーム側IGBTチップ16や、上アーム側FWD(フリーホイールドダイオード)チップ17、下アーム側FWDチップ18が搭載され、また各電位の銅はくパターンに19〜21により図示されない導体10〜12と配線がなされる。この銅はくパターンは0.1mmオーダの厚さであることが一般的である。図6(b)の22〜25はワイヤで、半導体チップと銅はくパターン間を配線する。図7に図6の配線構造に基づくモジュール内部の等価回路図を示す。点線で示す各インダクタンスは、配線導体,銅はくパターンおよびワイヤの各インダクタンスを表している。
また、図4のIGBTモジュールのP端子7とN端子8間に接続されている26a〜26cはスナバコンデンサで、IGBTがスイッチングする際、直流電源回路1とIGBTモジュール6a〜6c間の配線インダクタンス27の電流エネルギ吸収用(サージ電圧の抑制用)として、各IGBTモジュール毎に接続されており、或る程度の容量以上の装置には必須である。
図8にスナバコンデンサの外観図を、図9にIGBTモジュールとスナバコンデンサを接続した配線構造例を示す。図9のように、スナバコンデンサ26a〜26cは通常、IGBTモジュール6a〜6c上に設置される。また、図10にスナバコンデンサ内部の等価回路図を示す。主に出力端子28,29のインダクタンス分30,31とフィルムエレメント部の容量32から構成される。IGBTモジュールの内部構造については、例えば特許文献1に開示されている。
IGBTやFWDがスイッチングする際、上下アームに接続されているIGBT(FWD)の中間電位33の変動(図11のIGBT16のターンオンに伴い、電位33がP側電位からN側電位に変動)に伴い、IGBT15とFWD17の出力容量34,35を充電する電流36が、主にスナバコンデンサ26より流れる。その電流の周波数は、上記半導体チップの出力容量とスナバコンデンサ間の配線インダクタンス(スナバコンデンサやモジュール内部の配線)による共振現象(通常10MHz以上)により、概ね決まる。この電流36をiとした場合、下式(1)に示すような電界E(放射ノイズ)が周囲に放射される。
E=1.32・10-14・f2・i・S/r …(1)
f:周波数
i:電流
S:電流iが流れる経路の面積
r:ノイズ源からの距離
f:周波数
i:電流
S:電流iが流れる経路の面積
r:ノイズ源からの距離
通常、CISPR(国際無線障害特別委員会)規約などに規定されている装置に対する放射ノイズ規格は、30MHz以上である。そのため、上記チップとスナバコンデンサ間に流れる電流の共振周波数(上記(1)式において電流iが最も大きくなる周波数)が、上記規格の最低周波数30MHzとほぼ一致し、この周波数帯で高いレベルの放射ノイズが発生する。そのため、上記規格を大幅にオーバーすることも多く、本周波数帯でのノイズ低減が課題となる。
一般的な対策として、ノイズシールド材を用いたり、IGBTやFWDのスイッチング時のdv/dtを緩やかにしたりすることが行なわれる。ただし、これらの場合、コストアップやIGBTのスイッチング損失が大きくなるため、放熱器の大型化などの問題が発生する。また、一般的にはスナバコンデンサやIGBTモジュール自身がノイズ源となるアンテナとなり、周辺回路や装置が誤動作するなどの問題も発生する。
したがって、この発明の課題は、回路や装置を大型化することなく、IGBTなどの電力用半導体素子のスイッチングによる放射ノイズを低減することにある。
このような課題を解決するために、請求項1の発明では、電力変換装置で用いる電力用半導体モジュール内部の配線導体または銅はくパターンにおいて、
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする電力変換装置の導体構造。
請求項2の発明では、電力変換装置で用いる電力用半導体モジュールとその直流中間部に接続されるコンデンサとの間の配線導体において、
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする。
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする電力変換装置の導体構造。
請求項2の発明では、電力変換装置で用いる電力用半導体モジュールとその直流中間部に接続されるコンデンサとの間の配線導体において、
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする。
請求項3の発明では、電力変換装置で用いるサージ電圧抑制用スナバコンデンサの引き出し用導体において、
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする。
上記請求項1〜3のいずれかの発明においては、前記導体に形成される切り込みまたは突起もしくは窪みを、不規則に形成することができ(請求項4の発明)、または、前記導体に形成される突起または窪みを、導体の少なくとも一方の面に形成することができる(請求項5の発明)。
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする。
上記請求項1〜3のいずれかの発明においては、前記導体に形成される切り込みまたは突起もしくは窪みを、不規則に形成することができ(請求項4の発明)、または、前記導体に形成される突起または窪みを、導体の少なくとも一方の面に形成することができる(請求項5の発明)。
この発明によれば、IGBTなどの電力用半導体素子がスイッチングする際の不要な放射ノイズを低減できるので、ノイズシールド材が不要になるだけでなく、放射ノイズ規格に容易に適合させることが可能となる。周辺回路を誤動作させることがないので、信頼性が向上する。
図1はこの発明の第1の実施の形態を説明する説明図である。
図1(a)に導体を簡素化した従来形状の導体Cを示し、これに対する提案形状を、図1(b)または図1(c)に示す。なお、図1(b)は斜視図、図1(c)は上面図である。
すなわち、従来形状に対して全体の形状はほぼ同じで、その側面部にスリットSLを入れて構成する。こうすることで、特に図1(c)の点線のように導体内を流れる電流の経路長が、単なる平板の場合よりも長くなるため、その分抵抗値を増加させることができる。
図1(a)に導体を簡素化した従来形状の導体Cを示し、これに対する提案形状を、図1(b)または図1(c)に示す。なお、図1(b)は斜視図、図1(c)は上面図である。
すなわち、従来形状に対して全体の形状はほぼ同じで、その側面部にスリットSLを入れて構成する。こうすることで、特に図1(c)の点線のように導体内を流れる電流の経路長が、単なる平板の場合よりも長くなるため、その分抵抗値を増加させることができる。
図2はこの発明の第2の実施の形態を説明する説明図である。
これは、正側電位用導体と負側電位用導体とを絶縁帯Iを挟んで近接させ、低インダクタンス化を図る形状例である。図2(a)の従来形状では、両導体Cがほぼ直線状に近接配置されているのに対し、図2(b)は波型の形状Wを互い違いにして近接させた例、図2(c)はスリットSLを設けて構成した例である。こうすることにより、導体内を流れる電流は、両導体C間の負の相互インダクタンスが大きくなるように、絶縁帯Iを挟んで波型の形状WまたはスリットSLに沿って流れるため、結果として経路長が長くなり、その分従来のものより抵抗値が増加する。
これは、正側電位用導体と負側電位用導体とを絶縁帯Iを挟んで近接させ、低インダクタンス化を図る形状例である。図2(a)の従来形状では、両導体Cがほぼ直線状に近接配置されているのに対し、図2(b)は波型の形状Wを互い違いにして近接させた例、図2(c)はスリットSLを設けて構成した例である。こうすることにより、導体内を流れる電流は、両導体C間の負の相互インダクタンスが大きくなるように、絶縁帯Iを挟んで波型の形状WまたはスリットSLに沿って流れるため、結果として経路長が長くなり、その分従来のものより抵抗値が増加する。
図3はこの発明の第3の実施の形態を説明する説明図である。
図3(a)は櫛歯状(凸状)の突起物Tを形成したもの、図3(b)は凹状のスリットSLを設けたもの、図3(c)は凸状の突起物Bを設けたもの、図3(d)は凹状の窪みHを形成したものである。
以上のようにすることで、いずれも放射ノイズの原因となる高周波電流は導体Cに形成された突起物T,BやスリットSL,窪みHの表皮効果によって電流の経路長が長くなり、その結果導体の抵抗分が増加する。なお、これらの突起物やスリット,窪みは導体Cの片面のみでなく両面に形成することができる。
図3(a)は櫛歯状(凸状)の突起物Tを形成したもの、図3(b)は凹状のスリットSLを設けたもの、図3(c)は凸状の突起物Bを設けたもの、図3(d)は凹状の窪みHを形成したものである。
以上のようにすることで、いずれも放射ノイズの原因となる高周波電流は導体Cに形成された突起物T,BやスリットSL,窪みHの表皮効果によって電流の経路長が長くなり、その結果導体の抵抗分が増加する。なお、これらの突起物やスリット,窪みは導体Cの片面のみでなく両面に形成することができる。
なお、図1〜3で説明した導体は、下記の各場合にそれぞれ適用することができる。
1)IGBTモジュール内部の銅パターン
2)IGBTモジュール内部の配線導体
3)IGBTモジュールとスナバコンデンサ間の配線導体
4)スナバコンデンサ自身の出力導体や内部配線導体
5)IGBTモジュールと直流電源回路間(直流中間コンデンサ間)の配線導体
1)IGBTモジュール内部の銅パターン
2)IGBTモジュール内部の配線導体
3)IGBTモジュールとスナバコンデンサ間の配線導体
4)スナバコンデンサ自身の出力導体や内部配線導体
5)IGBTモジュールと直流電源回路間(直流中間コンデンサ間)の配線導体
C…導体、SL…スリット、W…波型の形状、I…絶縁帯、T…櫛歯状突起物、B…凸状突起物、H…凹状窪み。
Claims (5)
- 電力変換装置で用いる電力用半導体モジュール内部の配線導体または銅はくパターンにおいて、
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする電力変換装置の導体構造。 - 電力変換装置で用いる電力用半導体モジュールとその直流中間部に接続されるコンデンサとの間の配線導体において、
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする電力変換装置の導体構造。 - 電力変換装置で用いるサージ電圧抑制用スナバコンデンサの引き出し用導体において、
その抵抗値を増大させるように、切り込みまたは突起もしくは窪みを形成することを特徴とする電力変換装置の導体構造。 - 前記導体に形成される切り込みまたは突起もしくは窪みを、不規則に形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電力変換装置の導体構造。
- 前記導体に形成される突起または窪みを、導体の少なくとも一方の面に形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電力変換装置の導体構造。
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