JP2006039258A - Layout pattern correction apparatus, layout pattern correction method, program, recording medium, reticle and semiconductor device - Google Patents
Layout pattern correction apparatus, layout pattern correction method, program, recording medium, reticle and semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006039258A JP2006039258A JP2004219894A JP2004219894A JP2006039258A JP 2006039258 A JP2006039258 A JP 2006039258A JP 2004219894 A JP2004219894 A JP 2004219894A JP 2004219894 A JP2004219894 A JP 2004219894A JP 2006039258 A JP2006039258 A JP 2006039258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction
- data
- pattern
- shape
- layout pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
本発明は、光近接効果を補正したレイアウトパターンデータを生成するレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置に関する。特に本発明は、精度よく光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a layout pattern correction apparatus, a layout pattern correction method, a program, a recording medium, a reticle, and a semiconductor device that generate layout pattern data in which an optical proximity effect is corrected. In particular, the present invention relates to a layout pattern correction apparatus, a layout pattern correction method, a program, a recording medium, a reticle, and a semiconductor device that can correct the optical proximity effect with high accuracy.
近年、半導体装置内部のレイアウトパターン（例えば配線パターン）が、レチクルのパターンをフォトレジスト膜に転写する時に用いられる光源の波長より細かくなってきている。このため、転写の解像度が低下することを防ぐために、変形照明技術のような特殊な転写技術が必要となる。しかし、このような特殊な転写技術を用いると、転写されたパターンに寸法変動等が生じる。 In recent years, a layout pattern (for example, a wiring pattern) inside a semiconductor device has become finer than the wavelength of a light source used when a reticle pattern is transferred to a photoresist film. For this reason, in order to prevent the transfer resolution from being lowered, a special transfer technique such as a modified illumination technique is required. However, when such a special transfer technique is used, a dimensional variation or the like occurs in the transferred pattern.
寸法変動等を防ぐための技術として、光近接効果補正（Optical Proximity Effect Correction：以下、ＯＰＣと記載）がある。ＯＰＣは、転写の際の寸法変動等を予め考慮して、設計レイアウトパターンを予め変形させておくことにより、転写後に所望のレイアウトパターンが得られるようにするものである。 There is optical proximity effect correction (hereinafter referred to as OPC) as a technique for preventing dimensional variation and the like. In the OPC, a design layout pattern is deformed in advance in consideration of a dimensional variation at the time of transfer in advance, so that a desired layout pattern can be obtained after transfer.
図１４の各図は、従来のＯＰＣの一例を示す図である。図１４（Ａ）に示すＯＰＣは、転写時にレイアウトパターン２００の幅が変わることを補正するために、レイアウトパターン２００の外郭線を平行にスライドさせるものである。これにより、幅に関する光近接効果が補正された補正後レイアウトパターン２００ａが形成される。
Each diagram in FIG. 14 is a diagram illustrating an example of conventional OPC. The OPC shown in FIG. 14A slides the outline of the
図１４（Ｂ）に示すＯＰＣは、レイアウトパターン２１０の端部２１２が転写時に後退することを補正するために、略長方形の端部２１２に、端部２１２より大きな略長方形のパターンであるハンマーヘッド２１２ａを付加するものである。これにより、端部に関する光近接効果が補正された補正後レイアウトパターンが形成される。
これに類似する技術が、下記特許文献１に記載されている。
A similar technique is described in Patent Document 1 below.
一般に、ＯＰＣは、予め定められたルールに基づいて行われる。このルールは、例えばパターン端の幅が基準値以下の場合にはハンマーヘッドを付加する、というものである。しかし、例えば幅に関する光近接効果を補正した後では、本来はハンマーヘッドを付加すべき幅のレイアウトパターンがハンマーヘッドを付加しなくてもよい幅に変わっている可能性がある。このため、幅に関する光近接効果を補正した後にハンマーヘッドを付加するためのルールを適用すると、精度が高いＯＰＣを行えない場合がある。また、ＯＰＣに必要な時間も長くなる。 In general, OPC is performed based on a predetermined rule. This rule is to add a hammer head when the width of the pattern edge is equal to or smaller than a reference value, for example. However, for example, after correcting the optical proximity effect related to the width, there is a possibility that the layout pattern of the width to which the hammer head is originally added has been changed to a width that does not require the hammer head. For this reason, if a rule for adding a hammer head after correcting the optical proximity effect related to the width is applied, OPC with high accuracy may not be performed. Moreover, the time required for OPC also becomes long.
このように、高精度かつ高速にＯＰＣを行うためには工夫が必要である。本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、精度よく光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、高速に光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置を提供することにある。 Thus, a device is required to perform OPC with high accuracy and high speed. The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a layout pattern correction device, a layout pattern correction method, a program, a recording medium, a reticle, And providing a semiconductor device. Another object of the present invention is to provide a layout pattern correction apparatus, a layout pattern correction method, a program, a recording medium, a reticle, and a semiconductor device that can correct the optical proximity effect at high speed.
上記課題を解決するため、本発明に係るレイアウトパターン補正装置は、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する補正部分データ生成部と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
光近接効果を補正するために前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備する。
In order to solve the above-described problem, a layout pattern correction apparatus according to the present invention includes:
Correction portion data generation for generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape is to be changed in order to correct the optical proximity effect, based on design pattern data indicating a layout pattern inside the semiconductor device at the design stage And
A pattern width correction unit that generates post-width correction pattern data that is data after correcting the optical proximity effect on the width by sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel;
A partial shape correction unit for generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion to correct the optical proximity effect based on the design pattern data;
After correction that generates all corrected pattern data indicating a layout pattern after correcting the optical proximity effect by synthesizing the correction shape data with the width corrected pattern data using the corrected partial data A pattern generator,
It comprises.
このレイアウトパターン補正装置によれば、設計レイアウトパターンに基づいて、補正用形状データを付加すべき補正部分を抽出している。このため、意図しない部分を補正部分として抽出することを抑制できる。また、幅補正後のレイアウトパターンに付加される補正用形状データは、設計レイアウトパターンに基づいて生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。 According to this layout pattern correction apparatus, a correction portion to which correction shape data is to be added is extracted based on the design layout pattern. For this reason, it can suppress extracting the part which is not intended as a correction | amendment part. Further, the correction shape data added to the layout pattern after the width correction is generated based on the design layout pattern. For this reason, the layout pattern correction apparatus can correct the optical proximity effect accurately.
パターン幅補正部は、補正部分データ生成部と並列に動作してもよい。このようにすると、補正に必要な処理時間を短くすることができる。 The pattern width correction unit may operate in parallel with the correction partial data generation unit. In this way, the processing time required for correction can be shortened.
本発明に係る他のレイアウトパターン補正装置は、
設計段階における半導体装置内部のレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、前記レイアウトパターンの幅に関する光近接効果を補正した後のパターンを示す幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
前記設計段階のレイアウトパターンの一部である補正部分における光近接効果を補正するために、該補正部分の形状を変形させる補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記幅補正後パターンデータに前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備する。
Another layout pattern correction apparatus according to the present invention is
A pattern width correction unit for generating pattern data after width correction indicating a pattern after correcting the optical proximity effect related to the width of the layout pattern by sliding the outline of the layout pattern inside the semiconductor device in the design stage in parallel; ,
A partial shape correction unit that generates correction shape data for deforming the shape of the correction portion based on the design pattern data in order to correct the optical proximity effect in the correction portion that is a part of the layout pattern at the design stage When,
A post-correction pattern generation unit that generates all post-correction pattern data indicating a layout pattern after correcting the optical proximity effect by combining the correction shape data with the width-corrected pattern data;
It comprises.
上記したレイアウトパターン補正装置において、補正部分は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、部分形状補正部は、屈曲している部分において外郭線を外側に膨らませるために、補正用形状データを生成してもよい。
例えば、外郭線が屈曲している部分において、レイアウトパターンを区切る方向に略９０°曲がっている場合、部分形状補正部は、屈曲している部分の角部に加えられる略長方形を、補正用形状データとして生成してもよい。
In the layout pattern correction apparatus described above, the correction portion is a portion where the outline of the layout pattern is bent, and the partial shape correction portion is used for correction in order to bulge the outline in the bent portion. Shape data may be generated.
For example, if the contour line is bent at approximately 90 ° in the direction to divide the layout pattern in the bent portion, the partial shape correction unit can change the substantially rectangular shape added to the corner of the bent portion to the correction shape. It may be generated as data.
補正部分は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、部分形状補正部は、屈曲している部分において外郭線を内側に凹ませるために、補正用形状データを生成してもよい。
例えば、外郭線が、屈曲している部分において、レイアウトパターンを広げる方向に略９０°曲がっている場合、部分形状補正部は、屈曲している部分の角部から除去される略長方形を、補正用形状データとして生成してもよい。
The correction portion is a portion where the outline of the layout pattern is bent, and the partial shape correction unit may generate correction shape data in order to dent the outline inward in the bent portion. .
For example, when the contour line is bent by approximately 90 ° in the direction of expanding the layout pattern in the bent portion, the partial shape correction unit corrects the substantially rectangular shape removed from the corner of the bent portion. It may be generated as shape data for use.
補正部分が、レイアウトパターンが有する略長方形の端部である場合、部分形状補正部は、補正用形状データとして、端部に加えられる、該端部より大きな略長方形を生成してもよい。
特に、レイアウトパターンが、端部から一定距離ほど内側までの領域が他の部分より細くなっている場合、略長方形が付加された後において、細くなった部分には、先端部分が補正用形状データによって太くなることにより凹部が形成される。補正後パターン生成部は、凹部の幅が基準値以下の場合に、該凹部を埋める処理を行ってもよい。
When the correction portion is an end portion of a substantially rectangular shape included in the layout pattern, the partial shape correction portion may generate a substantially rectangular shape larger than the end portion, which is added to the end portion as correction shape data.
In particular, when the layout pattern has an area extending from the edge to the inside by a certain distance, which is thinner than other parts, after the addition of a substantially rectangular shape, the tip part has a shape data for correction. Due to the thickening, a recess is formed. The post-correction pattern generation unit may perform a process of filling the concave part when the width of the concave part is equal to or smaller than a reference value.
本発明に係るレイアウトパターン補正方法は、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータを生成する。
The layout pattern correction method according to the present invention includes:
Based on design pattern data indicating a layout pattern inside the semiconductor device at the design stage, generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect among the layout patterns,
By sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel, the pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to the width, is generated,
In order to correct the optical proximity effect in the correction portion, generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data,
Using the corrected partial data, the corrected shape data is synthesized with the width-corrected pattern data to generate all corrected pattern data obtained by adding correction for the optical proximity effect to the design pattern data. .
本発明に係るプログラムは、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムであり、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する。
A program according to the present invention is a program that is executed by a computer and generates all corrected pattern data obtained by adding optical proximity correction to design pattern data indicating a layout pattern inside a semiconductor device at a design stage. ,
Based on the design pattern data, a function of generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect in the layout pattern;
A function of generating pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width, by sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel;
A function of generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data in order to correct the optical proximity effect in the correction portion;
A function of generating the all corrected pattern data by synthesizing the correction shape data with the width corrected pattern data using the corrected partial data;
It comprises.
本発明に係る記録媒体は、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムを格納しており、
前記プログラムは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する。
A recording medium according to the present invention is a program that is executed by a computer to generate all corrected pattern data obtained by adding optical proximity correction to design pattern data indicating a layout pattern inside a semiconductor device at a design stage. Storing and
The program is
Based on the design pattern data, a function of generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect in the layout pattern;
A function of generating pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width, by sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel;
A function of generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data in order to correct the optical proximity effect in the correction portion;
A function of generating the all corrected pattern data by synthesizing the correction shape data with the width corrected pattern data using the corrected partial data;
It comprises.
本発明に係るレチクルは、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータに基づいて形成され、
前記全補正後パターンデータは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により生成されている。
A reticle according to the present invention is formed based on all corrected pattern data obtained by adding correction for optical proximity effect to design pattern data indicating a layout pattern inside a semiconductor device at a design stage,
The pattern data after all correction is
Based on the design pattern data, generation of correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect in the layout pattern is generated, and the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data is parallel To generate pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width,
In order to correct the optical proximity effect in the correction portion, generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data,
The correction portion data is generated by synthesizing the correction shape data with the width corrected pattern data.
本発明に係る半導体装置は、レチクルが有するレイアウトパターンが転写された部分を有しており、
前記レチクルが有するレイアウトパターンは、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により形成されている。
The semiconductor device according to the present invention has a portion to which the layout pattern of the reticle is transferred,
The layout pattern of the reticle is
Based on the design pattern data indicating the layout pattern inside the semiconductor device at the design stage, correction part data for specifying a correction part whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect among the layout patterns is generated. By sliding the outline of the layout pattern shown in FIG. 2 in parallel, pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width, is generated,
In order to correct the optical proximity effect in the correction portion, generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data,
It is formed by synthesizing the correction shape data with the width-corrected pattern data using the correction partial data.
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係るレイアウトパターン補正装置の機能を示すブロック図である。本レイアウトパターン補正装置は、ＯＰＣルールデータベース（以下、ＯＰＣルールＤＢと記載）２０、設計パターンデータ取得部４０、パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０、部分形状補正部７０、及び補正後パターン生成部８０を備える。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing functions of a layout pattern correction apparatus according to an embodiment of the present invention. The layout pattern correction apparatus includes an OPC rule database (hereinafter referred to as an OPC rule DB) 20, a design pattern
ＯＰＣルールＤＢ２０は、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの条件、及びレイアウトパターンに対して行う補正を示す情報（補正量表）を、互いに対応して格納している。具体的には、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの幅を補正するためのＯＰＣルールとして、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの幅と、レイアウトパターンの外郭線をどの程度平行にスライドさせるかを示す情報とを対応付けて格納している。また、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの端部の形状を補正するためのＯＰＣルールとして、レイアウトパターンの端部の幅と、この端部に付加すべき略長方形のパターンであるハンマーヘッドの形状及び大きさを示す情報とを対応付けて格納している。また、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分を補正するためのＯＰＣルールとして、屈曲部分近傍のレイアウトパターンの形状と、この屈曲部分に付加すべきパターンであるポジセリフの形状、又はこの屈曲部分から除去すべきパターンであるネガセリフの形状を対応付けて格納している。なお、ＯＰＣルールＤＢ２０は、例示した以外の条件（例えばレイアウトパターンの一部分の形状）及び情報（例えばレイアウトパターンの一部部分の形状をどのように変形するか）も格納している。
The
設計パターンデータ取得部４０は、設計段階のレイアウトパターンを示す設計パターンデータを取得する。ここでのレイアウトパターンは、例えば半導体装置内部のポリシリコンパターン、又は配線パターン等である。なお、設計パターンデータ取得部４０は、設計パターンデータを、レイアウトパターン補正装置が有する記録媒体（例えばハードディスク）から取得してもよいし、外部の記録媒体から取得してもよい。
The design pattern
パターン幅補正部５０は、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて、設計パターンデータ取得部４０が取得した設計パターンデータに対し、幅に関するＯＰＣを行い、幅補正後パターンデータを生成する。
The pattern
補正部分データ生成部６０は、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて、設計パターンデータ取得部４０が取得した設計パターンデータから、形状を補正すべき部分である補正部分（例えばレイアウトパターンの端部）を抽出し、この補正部分を示すマークを設計パターンデータに付加する。
The correction portion data generation unit 60 is a correction portion (for example, a layout pattern) that is a portion whose shape should be corrected from the design pattern data acquired by the design pattern
部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分における光近接効果を補正するために、この補正部分を変形させるための補正用形状データを、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて生成する。
In the partial
補正後パターン生成部８０は、パターン幅補正部５０が補正した幅補正後パターンデータに対し、部分形状補正部７０が生成した補正用形状データを合成することにより、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する。このとき、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成した補正部分データを用いる。
The corrected
全補正後パターンデータが示すレイアウトパターンは、例えばフォトレジスト膜を露光するためのレチクルのパターンとして用いられる。このレチクルによって露光されたフォトレジスト膜は、現像されることにより、レチクルのパターンが転写されたレジストパターンとなる。このレジストパターンは、例えばポリシリコン膜、又はＡｌ合金膜をエッチングによりパターニングするときのマスクとして用いられる。パターニングされたポリシリコン膜には、レチクルのパターンが転写され、これにより半導体装置が有するＭＯＳトランジスタのゲート電極及びポリシリコン配線が形成される。また、パターニングされたＡｌ合金膜にも、レチクルのパターンが転写され、これにより半導体装置の配線が形成される。
このようにして、レイアウトパターン補正装置が生成したレイアウトパターンを用いて、半導体装置が製造される。
The layout pattern indicated by the all-corrected pattern data is used as a reticle pattern for exposing a photoresist film, for example. The photoresist film exposed by the reticle is developed to become a resist pattern to which the reticle pattern is transferred. This resist pattern is used as a mask when patterning, for example, a polysilicon film or an Al alloy film by etching. The pattern of the reticle is transferred to the patterned polysilicon film, whereby the gate electrode of the MOS transistor and the polysilicon wiring included in the semiconductor device are formed. The pattern of the reticle is also transferred to the patterned Al alloy film, thereby forming the wiring of the semiconductor device.
In this way, a semiconductor device is manufactured using the layout pattern generated by the layout pattern correction apparatus.
なお、本レイアウトパターン補正装置は、上記した機能を有するプログラムをコンピュータシステムにインストールすることにより、実現される。このプログラムは、例えば記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされる。プログラムを格納する記録媒体は、例えばフロッピーディスク（登録商標）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、及び半導体メモリー等のリムーバブルディスク、若しくはハードディスクであるが、これら以外であってもよい。また、このプログラムは、インターネット等の通信回線を介してダウンロードされることにより、コンピュータシステムにインストールされてもよい。 The layout pattern correction apparatus is realized by installing a program having the above functions in a computer system. This program is installed in the computer system via a recording medium, for example. The recording medium for storing the program is, for example, a floppy disk (registered trademark), a removable disk such as a CD-ROM, a CD-R, a CD-R / W, a DVD-RAM, an MO, and a semiconductor memory, or a hard disk. Other than these may be used. Further, this program may be installed in a computer system by being downloaded through a communication line such as the Internet.
次に、図２、図３及び図４を参照して、レイアウトパターン補正装置の第１の動作について説明する。図２は本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図３は本動作のフローチャートであり、図４の各図は、図３に示す処理を模式的に説明するための図である。 Next, the first operation of the layout pattern correction apparatus will be described with reference to FIG. 2, FIG. 3, and FIG. FIG. 2 is a diagram schematically showing design pattern data to be subjected to this operation. FIG. 3 is a flowchart of this operation, and each diagram of FIG. 4 is a diagram for schematically explaining the processing shown in FIG.
図２に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１００は、略長方形であり、角部１０２を示す外郭線がレイアウトパターンを区切る方向に略９０°湾曲している。このようなレイアウトパターン１００は、転写する際に、光近接効果により角部１０２が内側に凹む。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、角部１０２に、略長方形のポジセリフ（補正用形状データ）を付加する補正を行う。
As shown in FIG. 2, the
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計段階のレイアウトパターンを示す設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図３のＳ２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、セリフを付加すべき補正部分として、角部１０２を抽出する（図３のＳ４）。次いで、抽出した角部１０２に、補正部分である旨を示すマーク１０４ａ（補正部分データ）を付加する（図３のＳ６及び図４（Ａ））。
Each of the pattern
図４（Ａ）に示すように、マーク１０４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する幅補正後パターンデータにおいても、角部１０２を内側に含む程度の大きさを有する。
As shown in FIG. 4A, the
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ４及びＳ６で示した処理を行っている間に、図３のＳ８及びＳ１０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図３のＳ８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後のレイアウトパターンデータである幅補正後パターンデータを生成する（図３のＳ１０及び図４（Ｂ））。
On the other hand, the pattern
図４（Ｂ）に示すように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１００ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００の外郭線を内側に平行移動させたものである。これにより、角部１０２も内側にスライドし、角部１０２ａとなる。
As shown in FIG. 4B, the
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１０４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後パターンデータに重ねる（図３のＳ１２及び図４（Ｃ））。上述したように、補正後の角部１０２ａは補正前の角部１０２よりも内側に位置するが、マーク１０４ａは予め大きめに設定されているため、図４（Ｃ）に示すように、角部１０２ａは、マーク１０４ａによって囲まれる。
Next, the post-correction
なお、図３のＳ１０で説明したように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１００ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００に対して幅が変わっている。このため、補正後のレイアウトパターン１００ａをＯＰＣルールに適用した場合、角部１０２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。逆に、本来補正すべきでない部分が、補正部分として抽出されることもある。しかし本実施形態では、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００に対してＯＰＣルールを適用しているため、補正すべき部分のみを、補正部分として抽出することができる。
Note that, as described in S10 of FIG. 3, the width of the
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するために、ポジセリフを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ポジセリフを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１０４ａで囲まれている角部１０２ａに、部分形状補正部７０が生成したポジセリフ１０４を付加する（Ｓ１４及び図４（Ｄ））。付加されるポジセリフ１０４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
Next, the partial
In this way, all corrected pattern data indicating the layout pattern in which the optical proximity effect is corrected is generated.
このように、レイアウトパターン補正装置の第１の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンに付加されるポジセリフ１０４は、幅補正後のレイアウトパターンではなく、設計レイアウトパターンにＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
As described above, according to the first operation of the layout pattern correction apparatus, the
また、幅補正前のレイアウトパターン１００にＯＰＣルールを適用することにより、ポジセリフ１０４を付加すべき補正部分（本実施形態では角部１０２）を抽出している。このため、的確に補正部分のみを抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ポジセリフを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
Further, by applying the OPC rule to the
In addition, since the process of generating the pattern data after width correction is performed in parallel with the process of extracting the correction part to which the positive line should be added, the processing time can be shortened.
次に、図５、図６及び図７を参照して、レイアウトパターン補正装置の第２の動作について説明する。図５は、本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図６は本動作のフローチャートであり、図７の各図は、図６に示す処理を模式的に説明するための図である。 Next, the second operation of the layout pattern correction apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a diagram schematically showing design pattern data that is a target of this operation. FIG. 6 is a flowchart of this operation, and each diagram in FIG. 7 is a diagram for schematically explaining the processing shown in FIG.
図５に示すように、本動作の対象となる設計パターンデータが示すレイアウトパターン１１０は、角部１１２を示す外郭線が、レイアウトパターンを広げる方向に略９０°湾曲している。このようなレイアウトパターン１１０は、転写する際に、光近接効果により角部１０２が外側に凸になる。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、角部１１２から、略長方形のネガセリフ（補正用形状データ）を除去する補正を行う。
As shown in FIG. 5, in the
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図６のＳ２２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを除去すべき補正部分として、角部１１２を抽出する（図６のＳ２４）。次いで、抽出した角部１１２に、補正部分である旨を示すマーク１１４ａ（補正部分データ）を付加する（図６のＳ２６及び図７（Ａ））。
Each of the pattern
図７（Ａ）に示すように、マーク１１４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する幅補正後パターンデータにおいても、角部１１２を内側に含む程度の大きさを有する。
As shown in FIG. 7A, the
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ２４及びＳ２６で示した処理を行っている間に、図６のＳ２８及びＳ３０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図６のＳ２８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後パターンデータを生成する（図６のＳ３０及び図７（Ｂ））。
On the other hand, the pattern
図７（Ｂ）に示すように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１１０ａは、補正前のレイアウトパターン１１０の外郭線を内側に平行移動させたものである。これにより、角部１１２も内側にスライドし、角部１１２ａとなる。
As shown in FIG. 7B, the
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１１４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後パターンデータに重ねる（図６のＳ３２及び図７（Ｃ））。上述したように、補正後の角部１１２ａは補正前の角部１１２よりも内側に位置するが、マーク１１４ａは予め大きめに設定されているため、図７（Ｃ）に示すように、角部１１２ａは、マーク１１４ａによって囲まれる。
Next, the post-correction
なお、図６のＳ３０で説明したように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１１０ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１１０に対して幅が変わっている。このため、幅補正後のレイアウトパターン１１０ａをＯＰＣルールに適用した場合、角部１１２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。逆に、本来補正すべきでない部分が補正部分として抽出されることもある。しかし、本実施形態では、補正前のレイアウトパターン１１０に対してＯＰＣルールを適用しているため、補正すべき部分のみを、補正部分として抽出することができる。
Note that, as described in S30 of FIG. 6, the width of the
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するために、ネガセリフを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１１４ａで囲まれている角部１１２ａから、部分形状補正部７０が生成したネガセリフ１１４を除去する（Ｓ３４及び図７（Ｄ））。ネガセリフ１１４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
Next, the partial
In this way, all corrected pattern data indicating the layout pattern in which the optical proximity effect is corrected is generated.
このように、レイアウトパターン補正装置の第２の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンから除去されるネガセリフ１１４は、幅補正前のレイアウトパターン１１０にＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
As described above, according to the second operation of the layout pattern correction apparatus, the
また、幅補正前のレイアウトパターン１１０にＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを除去すべき補正部分（本実施形態では角部１１２）を抽出している。このため、的確に補正部分を抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ネガセリフを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
Further, by applying an OPC rule to the
In addition, since the process of generating the pattern data after width correction is performed in parallel with the process of extracting the correction portion to which the negative line should be added, the processing time can be shortened.
次に、図８、図９及び図１０を参照して、レイアウトパターン補正装置の第３の動作について説明する。図８は、本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図９は本動作のフローチャートであり、図１０の各図は、図９に示す処理を模式的に説明するための図である。 Next, a third operation of the layout pattern correction apparatus will be described with reference to FIGS. 8, 9, and 10. FIG. FIG. 8 is a diagram schematically showing design pattern data that is the target of this operation. FIG. 9 is a flowchart of this operation, and each diagram of FIG. 10 is a diagram for schematically explaining the processing shown in FIG.
図８に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１２０は、長手方向の端部１２２が、転写の際に、光近接効果により内側に凹になる。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、端部１２２に、端部１２２より大きい略長方形のハンマーヘッド（補正用形状データ）を付加する補正を行う。
As shown in FIG. 8, in the
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図９のＳ４２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッドを付加すべき補正部分として、端部１２２を抽出する（図９のＳ４４）。次いで、抽出した端部１２２に、補正部分である旨を示すマーク１２４ａ（補正部分データ）を付加する（図９のＳ４６及び図１０（Ａ））。
Each of the pattern
図１０（Ａ）に示すように、マーク１２４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する補正後パターンデータにおいても、端部１２２を内側に含む程度の大きさを有する。
As shown in FIG. 10A, the
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ４４及びＳ４６で示した処理を行っている間に、図９のＳ４８及びＳ５０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図９のＳ４８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後パターンデータを生成する（図９のＳ５０及び図１０（Ｂ））。
On the other hand, the pattern
図１０（Ｂ）に示すように、幅補正後のレイアウトパターン１１０ａは、補正前のレイアウトパターン１１０の外郭線を外側に平行移動させたものである。これにより、端部１２２の幅も広がり、端部１２２ａとなる。
As shown in FIG. 10B, the
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１２４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後のレイアウトパターンデータに重ねる（図９のＳ５２及び図１０（Ｃ））。上述したように、補正後の端部１２２ａは補正前の端部１２２よりも幅広であるが、マーク１２４ａは予め大きめに設定されているため、図１０（Ｃ）に示すように、端部１２２ａは、マーク１２４ａによって囲まれる。
Next, the post-correction
なお、端部１２２ａの幅が広がっているため、補正後のレイアウトパターン１１０ａをＯＰＣルールに適用した場合、端部１２２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。しかし本実施形態では、補正前のレイアウトパターン１１０に対してＯＰＣルールを適用しているため、確実に端部１２２を補正部分として抽出することができる。
Note that since the width of the
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するためのハンマーヘッドを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッドを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１２４ａで囲まれている端部１２２ａに対し、部分形状補正部７０が生成したハンマーヘッド１２４を付加する（Ｓ５４及び図１０（Ｄ））。ハンマーヘッド１２４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
Next, the partial
In this way, all corrected pattern data indicating the layout pattern in which the optical proximity effect is corrected is generated.
このように、レイアウトパターン補正装置の第３の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンに付加されるハンマーヘッド１２４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に、レイアウトパターン端部の光近接効果を補正することができる。
Thus, according to the third operation of the layout pattern correction apparatus, the
また、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッド１２４を付加すべき補正部分（本実施形態では端部１２２）を抽出している。このため、的確に補正部分を抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ハンマーヘッドを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
Further, by applying the OPC rule to the design pattern data, a correction portion (
In addition, since the process of generating the pattern data after width correction is performed in parallel with the process of extracting the correction portion to which the hammerhead is to be added, the processing time can be shortened.
次に、図１１、図１２及び図１３を参照して、レイアウトパターン補正装置の第４の動作について説明する。本動作は、第３の動作によって光近接効果が補正されたレイアウトパターンに対して処理を行うことにより、さらに的確に光近接効果が補正されたレイアウトパターンを生成するものである。 Next, a fourth operation of the layout pattern correction apparatus will be described with reference to FIGS. 11, 12, and 13. FIG. In this operation, the layout pattern in which the optical proximity effect is corrected by the third operation is processed to generate a layout pattern in which the optical proximity effect is more accurately corrected.
図１１は、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターンを示す図である。図１２は本動作のフローチャートであり、図１３の各図は、図１２に示す処理を模式的に説明するための図である。 FIG. 11 is a diagram showing a layout pattern at the design stage that is the target of this operation. FIG. 12 is a flowchart of this operation, and each diagram in FIG. 13 is a diagram for schematically explaining the processing shown in FIG.
図１１に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１２０は、端部１２２から一定距離ほど内側が他の部分より細くなった、先細部分１２６を有する。このため、第３の動作により、端部にハンマーヘッドを付加するのみでは、端部の形状が不必要に複雑になってしまう。これに対し、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明する補正を行う。
As shown in FIG. 11, the
図１２及び図１３に示すように、パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０、部分形状補正部７０、及び補正後パターン生成部８０は、上述した第３の動作を行う（図１２のＳ４２〜Ｓ５４）ことにより、幅補正後のレイアウトパターン１２０ａの端部１２２ａに、ハンマーヘッド１２４を付加する（図１２のＳ５６及び図１３（Ａ））。これにより、ハンマーヘッド１２４によって先細部分１２６の先端部が埋められ、凹部１２６ａが形成される。
As shown in FIGS. 12 and 13, the pattern
次いで、凹部１２６ａの幅Ｌが基準値以下の場合（Ｓ５６：Ｙｅｓ）、凹部１２６ａを埋める処理を行う（Ｓ５８及び図１３（Ｂ））。凹部１２６ａの幅Ｌが基準値より大きい場合（Ｓ５６：Ｎｏ）、処理を行わない。
このようにして、光近接効果を補正したレイアウトパターンが生成される。
Next, when the width L of the
In this way, a layout pattern in which the optical proximity effect is corrected is generated.
この第４の動作によれば、第３の動作と同一の効果を得ることができる。また、端部１２２にハンマーヘッド１２４を付加することによって微小な凹部１２６ａが形成され、端部１２２近傍の形状が不必要に複雑になってしまう場合には、該凹部１２６ａを埋める処理を行う。このため、さらに的確に光近接効果を補正することができる。
According to the fourth operation, the same effect as that of the third operation can be obtained. Further, when the
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
例えば、部分形状補正部７０の機能を補正部分データ生成部６０の機能が兼ねてもよい。この場合、補正部分を示すマークを生成する（Ｓ６、Ｓ２６、及びＳ４６）段階で、マークとともに、ポジセリフ、ネガセリフ又はハンマーヘッドを生成する。そして、ここで生成したポジセリフ、ネガセリフ又はハンマーヘッドを幅補正後パターンデータに付加することにより、全補正後パターンデータを生成する。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the function of the partial
２０…ＯＰＣルールデータベース、４０…設計パターンデータ取得部、６０…補正部分データ生成部、７０…部分形状補正部、８０…補正後パターン生成部、１００，１１０，１２０，２００，２１０…レイアウトパターン、１００ａ，１１０ａ，１２０ａ…幅補正後のレイアウトパターン、１０２，１０２ａ，１１２，１１２ａ…角部、１０４…ポジセリフ、１０４ａ，１１４ａ，１２４ａ…マーク、１１４…ネガセリフ、１２２，１２２ａ，２１２…端部、１２４，２１２ａ…ハンマーヘッド、１２６…先細部分、１２６ａ…凹部
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
光近接効果を補正するために前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。 Correction portion data generation for generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape is to be changed in order to correct the optical proximity effect, based on design pattern data indicating a layout pattern inside the semiconductor device at the design stage And
A pattern width correction unit that generates post-width correction pattern data that is data after correcting the optical proximity effect on the width by sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel;
A partial shape correction unit for generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion to correct the optical proximity effect based on the design pattern data;
After correction that generates all corrected pattern data indicating a layout pattern after correcting the optical proximity effect by synthesizing the correction shape data with the width corrected pattern data using the corrected partial data A pattern generator,
A layout pattern correction apparatus comprising:
前記設計段階のレイアウトパターンの一部である補正部分における光近接効果を補正するために、該補正部分の形状を変形させる補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記幅補正後パターンデータに前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。 A pattern width correction unit for generating pattern data after width correction indicating a pattern after correcting the optical proximity effect related to the width of the layout pattern by sliding the outline of the layout pattern inside the semiconductor device in the design stage in parallel; ,
A partial shape correction unit that generates correction shape data for deforming the shape of the correction portion based on the design pattern data in order to correct the optical proximity effect in the correction portion that is a part of the layout pattern at the design stage When,
A post-correction pattern generation unit that generates all post-correction pattern data indicating a layout pattern after correcting the optical proximity effect by combining the correction shape data with the width-corrected pattern data;
A layout pattern correction apparatus comprising:
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分において前記外郭線を外側に膨らませるために、前記補正用形状データを生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。 The correction portion is a portion where a contour line of the layout pattern is bent,
The layout pattern correction device according to any one of claims 1 to 3, wherein the partial shape correction unit generates the correction shape data in order to bulge the outer contour line outward in the bent portion. .
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分の角部に加えられる略長方形を、前記補正用形状データとして生成する請求項４に記載のレイアウトパターン補正装置。 The outline is bent by approximately 90 ° in the direction of dividing the layout pattern in the bent portion,
The layout pattern correction apparatus according to claim 4, wherein the partial shape correction unit generates a substantially rectangular shape added to a corner portion of the bent portion as the correction shape data.
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分において前記外郭線を内側に凹ませるために、前記補正用形状データを生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。 The correction portion is a portion where a contour line of the layout pattern is bent,
The layout pattern correction device according to any one of claims 1 to 3, wherein the partial shape correction unit generates the correction shape data in order to dent the contour line inward in the bent portion. .
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分の角部から除去される略長方形を、前記補正用形状データとして生成する請求項６に記載のレイアウトパターン補正装置。 The contour line is bent by approximately 90 ° in the direction of expanding the layout pattern in the bent portion,
The layout pattern correction apparatus according to claim 6, wherein the partial shape correction unit generates a substantially rectangular shape that is removed from a corner portion of the bent portion as the correction shape data.
前記部分形状補正部は、前記補正用形状データとして、前記端部に加えられる、該端部より大きな略長方形を生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。 The correction portion is a substantially rectangular end portion of the layout pattern,
The layout pattern correction apparatus according to claim 1, wherein the partial shape correction unit generates a substantially rectangular shape that is added to the end portion and is larger than the end portion as the correction shape data.
前記略長方形が付加された後において、前記細くなった部分は、先端部分が前記補正用形状データによって太くなることにより凹部を形成し、
前記補正後パターン生成部は、前記凹部の幅が基準値以下の場合には、該凹部を埋める処理を行う請求項８に記載のレイアウトパターン補正装置。 In the layout pattern, the region from the end to the inside by a certain distance is thinner than other parts,
After the substantially rectangular shape is added, the thinned portion forms a concave portion by the tip portion being thickened by the correction shape data,
The layout pattern correction apparatus according to claim 8, wherein the corrected pattern generation unit performs a process of filling the recess when the width of the recess is equal to or less than a reference value.
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータを生成する、レイアウトパターン補正方法。 Based on design pattern data indicating a layout pattern inside the semiconductor device at the design stage, generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect among the layout patterns,
By sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel, the pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to the width, is generated,
In order to correct the optical proximity effect in the correction portion, generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data,
Using the corrected partial data, the corrected shape data is synthesized with the width-corrected pattern data to generate all corrected pattern data obtained by adding correction for the optical proximity effect to the design pattern data. , Layout pattern correction method.
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備するプログラム。 A program that is executed by a computer and generates all corrected pattern data obtained by adding a correction of the optical proximity effect to design pattern data indicating a layout pattern inside a semiconductor device at a design stage,
Based on the design pattern data, a function of generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect in the layout pattern;
A function of generating pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width, by sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel;
A function of generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data in order to correct the optical proximity effect in the correction portion;
A function of generating the all corrected pattern data by synthesizing the correction shape data with the width corrected pattern data using the corrected partial data;
A program comprising:
前記プログラムは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する記録媒体。 A recording medium that is executed by a computer and stores a program for generating all corrected pattern data obtained by adding optical proximity correction to design pattern data indicating a layout pattern inside a semiconductor device at a design stage,
The program is
Based on the design pattern data, a function of generating correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect in the layout pattern;
A function of generating pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width, by sliding the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data in parallel;
A function of generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data in order to correct the optical proximity effect in the correction portion;
A function of generating the all corrected pattern data by synthesizing the correction shape data with the width corrected pattern data using the corrected partial data;
A recording medium comprising:
前記全補正後パターンデータは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により生成されているレチクル。 A reticle formed on the basis of all corrected pattern data obtained by adding correction for optical proximity effect to design pattern data indicating a layout pattern inside a semiconductor device at a design stage,
The pattern data after all correction is
Based on the design pattern data, generation of correction portion data for specifying a correction portion whose shape should be changed in order to correct the optical proximity effect in the layout pattern is generated, and the outline of the layout pattern indicated by the design pattern data is parallel To generate pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width,
In order to correct the optical proximity effect in the correction portion, generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data,
A reticle generated by synthesizing the correction shape data with the width-corrected pattern data using the correction partial data.
前記レチクルが有するレイアウトパターンは、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により形成されている、半導体装置。 A semiconductor device having a portion to which a layout pattern of a reticle is transferred,
The layout pattern of the reticle is
Based on the design pattern data indicating the layout pattern inside the semiconductor device at the design stage, correction part data for specifying a correction part whose shape is to be changed in order to correct the optical proximity effect among the layout patterns is generated. The design pattern data By sliding the outline of the layout pattern shown in FIG. 2 in parallel, pattern data after width correction, which is data after correcting the optical proximity effect related to width, is generated,
In order to correct the optical proximity effect in the correction portion, generating correction shape data for deforming the shape of the correction portion in the design pattern data,
A semiconductor device formed by synthesizing the correction shape data with the width-corrected pattern data using the correction partial data.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004219894A JP2006039258A (en) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | Layout pattern correction apparatus, layout pattern correction method, program, recording medium, reticle and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004219894A JP2006039258A (en) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | Layout pattern correction apparatus, layout pattern correction method, program, recording medium, reticle and semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006039258A true JP2006039258A (en) | 2006-02-09 |
Family
ID=35904312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004219894A Withdrawn JP2006039258A (en) | 2004-07-28 | 2004-07-28 | Layout pattern correction apparatus, layout pattern correction method, program, recording medium, reticle and semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006039258A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8021829B2 (en) | 2006-04-06 | 2011-09-20 | Tdk Corporation | Method of forming photoresist pattern and method of manufacturing perpendicular magnetic recording head |
| CN110023839A (en) * | 2016-12-01 | 2019-07-16 | Asml荷兰有限公司 | For patterning the method and system of configuration |
-
2004
- 2004-07-28 JP JP2004219894A patent/JP2006039258A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8021829B2 (en) | 2006-04-06 | 2011-09-20 | Tdk Corporation | Method of forming photoresist pattern and method of manufacturing perpendicular magnetic recording head |
| CN110023839A (en) * | 2016-12-01 | 2019-07-16 | Asml荷兰有限公司 | For patterning the method and system of configuration |
| US11176307B2 (en) | 2016-12-01 | 2021-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for pattern configuration |
| CN110023839B (en) * | 2016-12-01 | 2022-02-22 | Asml荷兰有限公司 | Method and system for patterning configuration |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7487490B2 (en) | System for simplifying layout processing | |
| JP4991729B2 (en) | Method and system for pattern generation based on multiple forms of design data | |
| US8365108B2 (en) | Generating cut mask for double-patterning process | |
| JP4104574B2 (en) | Improved method and apparatus for sub-micron IC design using edge fragment tagging to correct edge placement distortion | |
| JP2011059513A (en) | Pattern forming method, method for manufacturing mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR20030045632A (en) | Method for fabricating mask pattern, computer program product, method for manufacturing photomask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2010049268A (en) | Convergence technique for model-based optical proximity correction | |
| WO2008033879A2 (en) | Method for achieving compliant sub-resolution assist features | |
| US20050257188A1 (en) | Pattern correcting method, mask making method, method of manufacturing semiconductor device, pattern correction system, and computer-readable recording medium having pattern correction program recorded therein | |
| JP4316026B2 (en) | Mask pattern manufacturing method and photomask | |
| JP2005195787A (en) | Pattern lithography apparatus and method and its program, photomask and its manufacturing method, and integrated semiconductor circuit and its manufacturing method | |
| JP4543614B2 (en) | Photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method | |
| JP2002072441A (en) | Layout pattern data correction aperture and method of manufacturing semiconductor device using the same as well as medium recorded with layout pattern data correction program | |
| US6800428B2 (en) | Wavelength-independent exposure pattern generation method and exposure pattern generation system for lithography | |
| JP2006039258A (en) | Layout pattern correction apparatus, layout pattern correction method, program, recording medium, reticle and semiconductor device | |
| US9268208B2 (en) | Pattern generating method, pattern forming method, and pattern generating program | |
| JP4728042B2 (en) | How to create a mask pattern | |
| JP2008020734A (en) | Design pattern preparation method for semiconductor device, program, and method of manufacturing the semiconductor device | |
| JP2002006475A (en) | Method for designing mask pattern and mask formed by the method | |
| JP2013527981A (en) | Method of electron beam lithography with correction of corner rounding | |
| JP2010128441A (en) | Method for creating pattern data of photomask, device for creating pattern data of photomask, and program | |
| JP4843654B2 (en) | Drawing pattern generation method, photomask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP2007199256A (en) | Device and method for designing integrated circuit, and program | |
| JP2004341157A (en) | Mask for exposure, optical proximity correction apparatus, optical proximity correction method, method for manufacturing semiconductor device, and optical proximity correction program | |
| JP2001228599A (en) | Auxiliary pattern forming method and automatic forming method for semiconductor mask layout pattern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |