JP2006030603A - 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)水不溶性かつアルカリ可溶性である樹脂、および(B)溶剤を含有し、且つ金属不純物の含有量が100ppb以下であることを特徴とする液浸露光用保護膜形成組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。
【選択図】 なし
Description
(解像力)=k1・(λ/NA)
(焦点深度)=±k2・λ/NA2
ここでλは露光光源の波長、NAは投影レンズの開口数、k1及びk2はプロセスに関係する係数である。
この「液浸の効果」はλ0を露光光の空気中での波長とし、nを空気に対する液浸液の屈折率、θを光線の収束半角としNA0=sinθとすると、液浸した場合、前述の解像力及び焦点深度は次式で表すことができる。
(解像力)=k1・(λ0/n)/NA0
(焦点深度)=±k2・(λ0/n)/NA0 2
すなわち、液浸の効果は波長が1/nの露光波長を使用するのと等価である。言い換えれば、同じNAの投影光学系の場合、液浸により、焦点深度をn倍にすることができる。
これは、あらゆるパターン形状に対して有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることが可能である。
特許文献3(特開平10−303114号公報)には、液浸液の屈折率変化が露光機の波面収差による投影像の劣化を引き起こすため液浸液の屈折率制御が重要であることが指摘され、液浸液の屈折率の温度係数をある範囲に制御することや、好適な液浸液として、表面張力を下げる、または、界面活性度を増加させるような添加剤を添加した水が開示されている。しかしながら、添加剤の開示や液浸露光技術に適するレジストに関してはやはり論じてはいない。
F2エキシマレーザーを光源とする場合は、157nmにおける透過率と屈折率のバランスからフッ素を含有する溶液が検討されているが、環境安全性の観点や屈折率の点で十分な物は未だ見出されていない。液浸の効果の度合いとレジストの完成度から液浸露光技術はArF露光機に最も早く搭載されると考えられている。
液浸露光においては、レジスト膜と光学レンズの間を浸漬液(液浸液ともいう)で満たした状態で、フォトマスクを通して露光し、フォトマスクのパターンをレジスト膜に転写する。このとき、液浸液がレジスト膜内部に浸透することにより、結像しなくなる場合がある(非特許文献3)。また、レジスト膜中から液浸液へ有機物等が溶出することにより、液浸液中に不純物が混入し、レンズや露光装置を汚染するため、露光の妨げになることが予想される。
トップコートに用いられる素材としてどのようなものが良いか未だ明確になっていないが、本発明者らが検討を行った所、トップコートの素材によっては、レジスト膜上における塗布均一性が悪く、また経時保存後にパーティクルの発生が起こることがあり、改良が必要であった。また、下層のレジスト膜の感度についても改良の余地があった。
(2) 鉄の含有量が20ppb以下であることを特徴とする上記(1)に記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
(3) 更に(C)界面活性剤を含有することを特徴とする、上記(1)もしくは(2)に記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
(4) (B)溶剤が、少なくとも2種の異なる化合物からなる混合溶剤であることを含有することを特徴とする、上記(1)〜(3)の何れかに記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
(5) (A)樹脂に含有される残留単量体が5重量%以下であることを特徴とする、上記(1)〜(4)の何れかに記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
(6) 上記(1)〜(5)に記載の液浸露光用保護膜形成組成物の製造方法に於いて、(A)樹脂を含む溶液をイオン交換フィルターにより濾過する工程を含むことを特徴とする、液浸露光用保護膜形成組成物の製造方法。
(7) 基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜上に上記(1)〜(6)のいずれかに記載の保護膜形成組成物により保護膜を形成し、該レジスト膜を液浸露光し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
本発明の液浸露光用保護膜形成組成物は、水不溶性かつアルカリ可溶性である樹脂(以下、樹脂(A)ともいう)を含有する。
また、樹脂(A)がアルカリ可溶性であることで、保護膜の剥離工程を別段設けることなく、アルカリ現像にて容易に保護膜を溶解除去することが可能となる。
酸解離定数pKaは、化学便覧(II)(改訂4版、1993年、日本化学会編、丸善株式会社)に記載のものであり、モノマーのpKaの値は、無限希釈溶媒を用いて25℃で測定した値を示す。
樹脂(A)に含有される酸性モノマーがpKa 8未満の、比較的酸性度が強いものの場合には、樹脂(A)の酸価が1.0〜5.0となるよう含有させることが好ましく、2.0〜4.5となるよう含有させるのがより好ましい。
また、樹脂(A)に含有される酸性モノマーがpKa 8以上の、比較的酸性度が弱いものの場合には、樹脂(A)の酸価が3.0〜7.0となるよう含有させることが好ましく、3.5〜5.5となるよう含有させるのがより好ましい。
また、樹脂(A)を構成する酸性モノマーユニットとして、pKa 8未満の比較的酸性度が強いモノマーと、pKa 8以上の、比較的酸性度が弱いモノマーとを両方含んでいても良い。この場合、樹脂(A)の酸価が2.0〜5.0となるよう適宜調整することが好ましく、2.5〜4.5とすることがより好ましい。
例えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括であるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのような本発明の組成物を溶解する溶媒に溶解させ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は通常20質量%以上であり、好ましくは30質量%以上、さらに好ましくは40質量%以上である。反応温度は通常10℃〜150℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好ましくは50〜100℃である。
その他、市販の各種樹脂も利用可能である。
樹脂(A)中、残留単量体は5質量%以下であることが溶出物阻止の点などから好ましい。より好ましくは、残留単量体は3質量%以下である。樹脂(A)中に含有される残留単量体は、ゲル濾過クロマトグラフィ(GPC)、高速液体クロマトグラフィ(HPLC)ガスクロマトグラフィ(GC)などの分析手段で低了することが可能である。
樹脂(A)中の残留単量体の量を上記範囲とすることは、たとえば、合成語の樹脂(A)を残留単量体が良く溶解する溶媒中で再結晶化させたり、シリカゲルカラム・アルミナカラムを通すことによって行うことができる。
本発明の液浸露光用保護膜形成組成物は、通常、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して調製する。溶剤は、レジストとの混和を避けるため、レジストで使用する有機溶剤とは異なることが好ましい。また、液浸液への溶出防止の観点からは、非水溶性であることが好ましい。また、沸点100℃〜200℃の溶剤が好ましい。
・ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、p−メンタン、デカリン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキセン、シクロペンタン、ジペンテン、ナフタレン、ジメチルナフタレン、シメン、テトラリン、ビフェニル、メシチレン等の炭化水素系溶剤;
・塩化メチレン、塩化ヘキシル、クロロベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素溶剤;
・アミルアルコール、イソアミルアルコール、ブタノール、ヘキサノール、3−ヘプタノール、i−ブチルアルコール、2−エチルブタノール、2−エチルヘキサノール、オクタノール、ノナノール、ネオペンチルアルコール、シクロヘキサノール、テトラヒドロフルフリルアルコール等のアルコール;
・アセトニトリル、イソプロパノールアミン、エチルへキシルアミン、N−エチルモルホリン、ジイソプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ジ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリプロピルアミン等の含窒素溶剤;
・蟻酸、酢酸、酪酸、イソ酪酸、イタコン酸、プロピオン酸等のカルボン酸系溶剤;
・無水酢酸、無水プロピオン酸、無水イタコン酸等の酸無水物系溶剤;
・その他、アニソール、ジオキサン、ジオキソラン、ジブチルエーテル、エチル−n−ブチルケトン、ジアセトンアルコール、ジイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−n−ブチルケトン、エチレングリコール、ジグリシジルエーテル、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、メトキシブタノール、テトラヒドロフラン、エチルエトキシプロピオネート、酢酸ブチル、N,N−ジメチルアセトアミド。
・炭化水素系溶剤:ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、p−メンタン、デカリン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキセン、シクロペンタン、ジペンテン、ナフタレン、ジメチルナフタレン、シメン、テトラリン、ビフェニル、メシチレン等。
・ハロゲン化炭化水素溶剤:クロロホルム、塩化ヘキシル、エチレンジクロリド、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン等。
・含フッ素無極性溶剤:1,4−ジフルオロベンゼン、1,1,2,2−テトラクロロジフルオロエタン、パーフルオロヘプタン、ヘキサフルオロベンゼン、パーフルオロブチルテトラヒドロフラン等。
・アルコール系溶剤:アミルアルコール、イソアミルアルコール、ブタノール、ヘキサノール、3−ヘプタノール、i−ブチルアルコール、2−エチルブタノール、2−エチルヘキサノール、オクタノール、ノナノール、ネオペンチルアルコール、シクロヘキサノール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、テトラフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、パーフルオロブチルエタノール、ペンタフルオロプロパノール、フルオロフェノール等。
・エーテル系溶剤:アニソール、ジオキサン、ジオキソラン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン等。
・含窒素溶剤:アセトニトリル、イソプロパノールアミン、エチルへキシルアミン、N−エチルモルホリン、ジイソプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ジ−n−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリプロピルアミン等。
・カルボン酸系溶剤:蟻酸、酢酸、酪酸、イソ酪酸、イタコン酸、プロピオン酸等。
・酸無水物系溶剤:無水酢酸、無水プロピオン酸、無水イタコン酸等。
・エステル系溶剤:酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、γ−ブチロラクトン等。
・ケトン系溶剤:エチル−n−ブチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−n−ブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、メチルエチルケトン等。
・その他の極性溶剤:エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、メトキシブタノール、エチルエトキシプロピオネート、N,N−ジメチルアセトアミド等。
本発明の保護膜形成組成物は、更に界面活性剤を含有することができる。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、感度、解像度、密着性、現像欠陥の抑制などの性能向上、特に塗布均一性の向上に寄与する。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと
(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。
(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体などを挙げることができる。
本発明の液浸露光用保護膜形成組成物は、レジスト膜上に塗布されるなどして保護膜を形成し、レジスト膜内部への液浸液の浸透、および、レジスト膜成分の液浸液への溶出を防ぐものである。
イオン交換フィルターによる濾過速度は、500〜10000cc/min/m2とすることが好ましい。
保護膜は、露光光源に対して透明であることが好ましいという観点から、薄膜の方が好ましく、通常1nm〜300nm、好ましくは10nm〜150nmの厚さで形成される。具体的には、膜の露光光透過率が好ましくは50%〜80%、より好ましくは60%〜70%となる膜厚であることが好ましい。露光光透過率は、樹脂の重合成分を調節するなどで調整できる。たとえば、樹脂が含有する芳香環の量を減らすことで、ArF光の透過率を高めることができる。
また、保護膜からの溶出物により液浸液やレンズが汚染されることを防ぐため、保護膜からの溶出物が無いことが好ましい。保護膜は、溶出物を防ぐ点で、低分子量の化合物(たとえば分子量1000以下の化合物)の含量は少ない方が好ましい。
保護膜の屈折率は、解像性の観点からレジスト膜の屈折率に近いことが好ましい。屈折率の調整は、保護膜形成組成物の成分、とくに樹脂の組成、繰り返し単位の比率を制御することで行うことができる。
保護膜形成組成物は、保護膜を形成する際に均一に塗布できるものが好ましい。塗布性(塗布均一性)は、溶剤の種類や、界面活性剤等や他の添加剤を適宜選択し、その添加量を調整することで改善できる。
本発明の液浸露光用保護膜形成組成物は、通常、上記の成分を溶剤に溶解し、基板上のレジスト膜上に塗布して用いる。
すなわち、液浸露光用レジスト組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により、任意の厚み(通常50〜500nm)で塗布する。この際、基板上に適宜反射防止膜を設けた上でレジスト膜を形成することも好ましい。塗布後、スピンまたはベークにより乾燥し、レジスト膜を形成する。
さらに、レジスト組成物と同様に、レジスト膜上にスピナー、コーター等を用いて液浸露光用保護膜形成組成物を塗布、スピンまたはベークにより乾燥し、保護膜を形成する。
露光後はベークを行うことが好ましく、ベーク温度は、通常30〜300℃である。露光から現像処理までの引き置き時間(PED)の変動によるレジストパターンの線幅変化の観点から、露光からベーク工程までの時間は短いほうがよい。
ここで露光光としては、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下の波長の遠紫外線である。具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線等が挙げられる。
また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、ARC25、シプレー社製のAC−2、AC−3、AR19、AR20等を使用することもできる。
液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー(波長;193nm)である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。
水の電気抵抗は、18.3Mオーム・cm以上であることが望ましく、TOC(有機物濃度)は、20ppb以下であることが望ましい。また、脱気処理をしてあることが望ましい。
さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
アルカリ現像液のpHは、通常10.0〜15.0である。
リンス液としては、純水、または純水に界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
4−[ビス(トリフルオロメチル)ヒドロキシメチル]スチレン 8.11g(0.03モル)およびテトラヒドロ−5−オキソフラン−3−イル アクリレート 10.93g(0.07モル)をプロピレングリコールモノメチルエーテル250mlに溶解し、重合開始剤として2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業(株)製;商品名V−65)0.25gを加えた。この溶液を窒素気流下、70℃にて4時間攪拌した。その後、反応液をヘキサン1L中に激しく攪拌しながら投入。析出した樹脂をイオン交換水にて水洗し、濾別、真空下乾燥することにより、白色の樹脂15gを得た。GPC測定により、重量平均分子量(ポリスチレン標準)が4,800であり、樹脂中の残留単量体の含有割合が1%であることを確認した。
以下、同様にして樹脂(2)〜(9)を得た。
以下に樹脂(1)〜(9)の構造及び重量平均分子量、分散度、および残留単量体の含有割合をまとめて示す。
下記表1に示すように、樹脂を溶剤に溶解させ、TC−2、3、4および6〜15についてはイオン交換フィルター(日本ポール社製イオンクリーン、孔径0.1μm)による濾過を2回行い、TC−1、5については濾過を1回だけ行った。またTC−16、17についてはイオン交換フィルターによる濾過を行わなかった。続いて界面活性剤を加え、ポリテトラフルオロエチレンフィルター(日本ポール社製エンフロン、孔径0.1μm)で濾過し、固形分濃度4.5質量%とした保護膜形成組成物TC−1〜17を調製した。
上述の手順で得られた保護膜形成組成物に含有される金属不純物の含有量(単位ppb)を偏光ゼーマン原子吸光分光光度計(日立製、Z−9000)を用いてNa、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mnの7元素について測定を実施した。その結果も合わせて下記表1に示す。
W−1;メガファックF176(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素系)
W−2;メガファックR08(大日本インキ化学工業(株)製)(フッ素およびシリコン系)
SL−1;2−エチルブタノール
SL−2;パーフルオロブチルテトラヒドロフラン
<経時保存後のパーティクル増加数>
上記表1に示す保護膜形成組成物について、調液直後(パーティクル初期値)と、40℃で1週間保存した後(経時後のパーティクル数)の液中のパーティクル数を、リオン社製、パーティクルカウンターにてカウントした。(経時後のパーティクル数)−(パーティクル初期値)で計算されるパーティクル増加数を評価した。尚、パーティクルは、レジスト液1ml中の0.2μm以上のパーティクルの数をカウントした。
スピンコーターによりシリコン基板上に反射防止膜(ARC29A、ブリューワサイエンス社製)を膜厚720オングストロームで均一に塗布し、205℃、60秒間乾燥を行った。次に、下記表2に示す各ポジ型レジスト組成物をスピンコーターにより塗布し、ウエハーを115℃で60秒間加熱乾燥して0.25μmのレジスト膜を形成させた。続いて、上記レジスト膜上に表2に示す保護膜形成組成物をスピンコーターにより塗布し、ウェハーを115℃60秒加熱乾燥して0.05μmの保護膜を形成させた。この時にレジスト膜上に形成された保護膜の塗布ムラを観察し、塗布ムラ無く均一に塗布されているものを○、若干の塗布ムラが見られるものを△、塗布ムラの発生が酷いものを×とした。
<下層レジストの感度評価>
スピンコーターによりシリコン基板上に反射防止膜(ARC29A、ブリューワサイエンス社製)を膜厚720オングストロームで均一に塗布し、205℃、60秒間乾燥を行った。次に、下記表2に示す各ポジ型レジスト組成物をスピンコーターにより塗布し、ウエハーを115℃で60秒間加熱乾燥して0.25μmのレジスト膜を形成させた。続いて、上記レジスト膜上に表2に示す保護膜形成組成物をスピンコーターにより塗布し、ウェハーを115℃60秒加熱乾燥して0.05μmのトップコート層を形成させた。続いて、液浸用露光・溶解挙動解析装置MODEL IMES-5500(リソテックジャパン製)を用いて上記レジスト膜を193nm露光による液浸感度を評価した。
ここでいう感度とは、露光後のウエハーを120℃で90秒間加熱乾燥した後、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて23℃で30秒間現像を行い、純水で30秒間リンスし乾燥させた後に膜厚測定を行った場合、膜厚がゼロになる最小の露光量を指す。
PR1:特開2000−275845号公報の実施例1に記載のレジスト組成物、すなわち、下記樹脂P−1(重量平均分子量約1万)10部、酸発生剤(トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート(みどり化学社製"TPS-109"))0.2部、塩基性化合物(2,6-ジイソプロピルアニリン)0.015部、溶剤(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート47.5部とγ-ブチロラクトン2.5部)を含有するレジスト組成物。
Claims (7)
- (A)水不溶性かつアルカリ可溶性である樹脂、および(B)溶剤を含有し、且つ金属不純物の含有量が100ppb以下であることを特徴とする液浸露光用保護膜形成組成物。
- 鉄の含有量が20ppb以下であることを特徴とする請求項1に記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
- 更に、(C)界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
- (B)溶剤が、少なくとも2種の異なる化合物からなる混合溶剤であることを含有することを特徴とする、請求項1〜3の何れかに記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
- (A)樹脂に含有される残留単量体が5重量%以下であることを特徴とする、請求項1〜4の何れかに記載の液浸露光用保護膜形成組成物。
- 請求項1〜5に記載の液浸露光用保護膜形成組成物の製造方法に於いて、(A)樹脂を含む溶液をイオン交換フィルターにより濾過する工程を含むことを特徴とする、液浸露光用保護膜形成組成物の製造方法。
- 基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜上に請求項1〜6のいずれかに記載の保護膜形成組成物により保護膜を形成し、該レジスト膜を液浸露光し、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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