JP2006010572A - Method of measuring electric characteristic of electronic component, and measuring instrument therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、被測定物に接触子を接触させ、所定の電流値の印加電流または所定の電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定方法およびその測定装置に関する。 In the present invention, a contact is brought into contact with an object to be measured, and an applied current having a predetermined current value or an applied voltage having a predetermined voltage value is applied to the object to be measured through the contact. The present invention relates to a method for measuring electrical characteristics of an electronic component for measuring electrical characteristics through the contact, and a measuring apparatus therefor.
半導体装置の検査の1つに、電気特性検査がある。電気特性検査を行う検査装置では、電気特性が検査されるべき被測定物である半導体装置の電極に接触子を接触させ、所定の電流値の印加電流または所定の電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して半導体装置に印加した状態で、半導体装置の電気特性を、前記接触子を介して測定する。このようにして、半導体装置の電気特性を測定した後、検査装置は、測定結果に基づいて、半導体装置の良否を判定する。このような検査装置では、接触子と半導体装置の電極との接触部で生じる接触抵抗によって、電気特性の測定精度が低下し、これによって誤判定が生じてしまうという問題がある。この問題を解決する技術として、後述の第1〜第3の従来の技術が周知である。 One of inspections of semiconductor devices is an electrical characteristic inspection. In an inspection apparatus that performs an electrical property inspection, a contact is brought into contact with an electrode of a semiconductor device that is an object to be inspected for electrical characteristics, and an applied current of a predetermined current value or an applied voltage of a predetermined voltage value is The electrical characteristics of the semiconductor device are measured through the contact while being applied to the semiconductor device through the contact. After measuring the electrical characteristics of the semiconductor device in this way, the inspection device determines the quality of the semiconductor device based on the measurement result. In such an inspection apparatus, there is a problem that measurement accuracy of electrical characteristics is lowered due to contact resistance generated at a contact portion between the contact and the electrode of the semiconductor device, thereby causing erroneous determination. As techniques for solving this problem, first to third conventional techniques described later are well known.
図13は、第1の従来の技術におけるケルビン接続を説明するための回路図であり、図14は電子部品1と各接触子2a〜2dとの接触状態を示す平面図である。第1の従来の技術は、特許文献1に記載されている。特許文献1の電子部品の測定装置は、電子部品1の電気特性を、ケルビン接続によって測定する。ケルビン接続では、電子部品1に印加する印加電圧を補正することによって、接触抵抗による電圧降下を吸収し、測定誤差を低減する。
FIG. 13 is a circuit diagram for explaining Kelvin connection in the first prior art, and FIG. 14 is a plan view showing a contact state between the
ケルビン接続では、電子部品1の各電極3a,3bに、印加電圧を印加するための印加用接触子2a,2bと、電子部品1にかかる電圧を検出するための検出用接触子2c,2dとを、それぞれ接触させる。電子部品1の電気特性を測定するにあたっては、定電圧電源4からの印加電圧を、前記印加用接触子2a,2bを介して電子部品1に供給し、電子部品1の電気特性を測定する。このとき、電子部品1の各電極3a,3b間の電圧を、前記検出用接触子2c,2dを介して検出し、検出結果に基づいて定電圧電源4からの印加電圧を補正する。これによって印加用接触子2a,2bと電子部品1の電極3a,3bとの接触部5a,5bの接触抵抗による電圧降下を吸収することができ、電子部品の電気特性を正確に測定することができる。
In Kelvin connection,
図15は、第2の従来の技術における半導体装置7と各接触子8a,8bとの接触状態を示す平面図であり、図16は半導体装置7と各接触子8a,8bとの接触状態の図15の下方から見た側面図である。第2の従来の技術では、接触子8a,8bを半導体装置7の電極9a,9bに押付ける押付力を大きくすることによって、接触抵抗を低下させ、測定誤差を低減する。
FIG. 15 is a plan view showing a contact state between the
詳細に述べると、接触子8a,8bの表面部および半導体装置7の電極9a,9bの表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような接触子8a,8bおよび電極9a,9bが接触する。それ故、微視的に見ると、接触子8a,8bおよび電極9a,9bの接触部10a,10bには、接触子8a,8bの表面部と電極9a,9bの表面部とが直接、接触している直接接触部分と、接触子8a,8bの表面部と電極9a,9bの表面部とが皮膜を介して接触している間接接触部分と、接触子8a,8bの表面部と電極9a,9bの表面部とが接触していない非接触部分とがある。
More specifically, the surface portions of the
各接触子8a,8bを半導体装置7に押付ける図15の矢符11a,11bの方向の押付力を大きくすると、直接接触部分が押し潰されて拡大するので、電流の集中による集中抵抗が低下し、接触子8a,8bと電極9a,9bとの間の接触抵抗が低下する。これによって電気特性の測定精度を向上することができる。
When the pressing force in the directions of arrows 11a and 11b in FIG. 15 that press the
図17は、第3の従来の技術における半導体装置13と各接触子14a,14bとの接触状態を示す側面図である。第3の従来の技術では、接触子14a,14bとして、その先端部15a,15bが先細状であるものを用いることによって、接触子14a,14bと半導体装置13の電極16a,16bとの接触部17a,17bを小さくする。これによって接触子14a,14bを電極16a,16bに押付ける押付力を大きくすることなく、接触子14a,14bと電極16a,16bとの間の接触面圧を大きくする。この第3の従来の技術では、前記第2の従来の技術と同様の原理で、接触抵抗を低下させ、測定誤差を低減する。
FIG. 17 is a side view showing a contact state between the
前記第1の従来の技術では、電子部品1の各電極3a,3bに、印加用接触子2a,2bおよび検出用接触子2c,2dをそれぞれ接触させる必要があるが、近年の小形化された半導体装置では、その半導体装置の各電極に、2つの接触子をそれぞれ接触させるのは困難であるという問題がある。
In the first prior art, it is necessary to contact the
前記第2の従来の技術では、接触子8a,8bを半導体装置7の電極9a,9bに押付ける押付力を大きくするので、半導体装置7を破損させてしまうという問題がある。特に、近年の小形化された半導体装置は、小形化に伴って脆弱化しており、したがって前記押付力は、できるだけ小さい方が好ましい。
In the second conventional technique, since the pressing force for pressing the
前記第3の従来の技術では、半導体装置13の配置、および半導体装置13の電極16a,16bの傾きなどによって、各接触子14a,14bの軸線と半導体装置13の中心軸線18とがずれたとき、半導体装置13を、各接触子14a,14bによって確実に挟むことができない。したがって接触子14a,14bと電極16a,16bとを安定した状態で接触させることが困難であるという問題がある。それ故、半導体装置13を落下させたり、接触不良が生じたりしてしまう。
In the third prior art, when the axis of each
本発明の目的は、小形化された被測定物の電気特性を、その被測定物を破損させることなく、容易かつ正確に、測定することができる電子部品の電気特性の測定方法およびその測定装置を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for measuring the electrical characteristics of an electronic component that can easily and accurately measure the electrical characteristics of a miniaturized measurement object without damaging the measurement object. Is to provide.
本発明は、被測定物に接触子を接触させ、予め定める第1電流値の印加電流または予め定める第1電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定方法であって、
前記第1電流値を超える予め定める第2電流値の印加電流または前記第1電圧値を超える予め定める第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する工程と、
前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第2電流値から第1電流値に連続的に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第2電圧値から第1電圧値に連続的に低下させる工程と、
前記第1電流値の印加電流または前記第1電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する工程とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定方法である。
In the present invention, the contact is brought into contact with the object to be measured, and the application current of the predetermined first current value or the application voltage of the predetermined first voltage value is applied to the object to be measured through the contact, A method for measuring electrical characteristics of an electronic component for measuring electrical characteristics of an object to be measured through the contact,
Applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured via the contact;
An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is continuously reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact, Continuously reducing the second voltage value to the first voltage value;
In a state where the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the measured object via the contact, the electrical characteristics of the measured object are measured via the contact. A method for measuring electrical characteristics of an electronic component.
また本発明は、被測定物に接触子を接触させ、予め定める第1電流値の印加電流または予め定める第1電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定装置であって、
印加電流または印加電圧を供給する供給手段と、
供給手段からの印加電流または印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する測定手段と、
前記第1電流値を超える予め定める第2電流値の印加電流または前記第1電圧値を超える予め定める第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後に、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第2電流値から第1電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第2電圧値から第1電圧値に低下させることができるように供給手段を制御するとともに、前記第1電流値の印加電流または前記第1電圧値の印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、前記測定手段による測定結果を取得する制御手段とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定装置である。
In the present invention, the contact is brought into contact with the object to be measured, and a predetermined applied current of the first current value or a predetermined applied voltage of the first voltage value is applied to the measured object through the contact. , An electrical property measuring device for an electronic component that measures electrical properties of an object to be measured through the contact,
Supply means for supplying an applied current or applied voltage;
A measuring means for measuring an electrical property of the object to be measured through the contact in a state where an applied current or an applied voltage from the supply means is applied to the object to be measured through the contact;
After applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured through the contact, An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact is the second voltage. The supply means is controlled so that the voltage can be lowered from the value to the first voltage value, and the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured via the contact. And a control unit that acquires a measurement result obtained by the measurement unit in an applied state.
また本発明は、前記第2電流値は、被測定物の最大定格電流値よりも小さく、かつ第1電流値をImとし、第2電流値をIoとしたとき、2Im≦Ioに選ばれ、
または前記第2電圧値は、被測定物の最大定格電圧値よりも小さく、かつ第1電圧値をVmとし、第2電圧値をVoとしたとき、1.1Vm≦Voに選ばれることを特徴とする。
In the present invention, when the second current value is smaller than the maximum rated current value of the object to be measured, the first current value is Im, and the second current value is Io, 2Im ≦ Io is selected,
Alternatively, when the second voltage value is smaller than the maximum rated voltage value of the object to be measured, the first voltage value is Vm, and the second voltage value is Vo, 1.1 Vm ≦ Vo is selected. And
また本発明は、前記供給手段は、印加電流を供給しているときに、被測定物にかかる電圧が被測定物の最大定格電圧値を超えないように、被測定物にかかる電圧を制限する電圧制限手段、または印加電圧を供給しているときに、被測定物に流れる電流が被測定物の最大定格電流値を超えないように、被測定物に流れる電流を制限する電流制限手段を含むことを特徴とする。 In the present invention, the supply means limits the voltage applied to the device under test so that the voltage applied to the device under test does not exceed the maximum rated voltage value of the device under test when supplying the applied current. Includes voltage limiting means, or current limiting means for limiting the current flowing through the device under test so that the current flowing through the device under test does not exceed the maximum rated current value of the device under test when the applied voltage is supplied. It is characterized by that.
また本発明は、供給手段からの印加電流または印加電圧は、電流波形または電圧波形がパルス状であり、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間または印加電圧の印加開始時における印加電圧の立ち上がり時間は、各立ち上がり時間をTr1,Tr2としたとき、0<Tr1≦1msecまたは0<Tr2≦1msecに選ばれることを特徴とする。 Further, according to the present invention, the applied current or applied voltage from the supply means is such that the current waveform or voltage waveform is pulsed, and the rise time of the applied current at the start of applying the applied current or the applied voltage at the start of applying the applied voltage. The rising time is characterized in that 0 <Tr1 ≦ 1 msec or 0 <Tr2 ≦ 1 msec, where Tr1 and Tr2 are the rising times.
本発明によれば、被測定物に接触子を接触させる。この状態で、予め定める第1電流値の印加電流または予め定める第1電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する。このときに、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する。 According to the present invention, the contact is brought into contact with the object to be measured. In this state, an applied current having a predetermined first current value or an applied voltage having a predetermined first voltage value is applied to the object to be measured through the contact. At this time, the electrical characteristics of the object to be measured are measured through the contact.
接触子の表面部および被測定物の表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような接触子および被測定物が接触する。それ故、微視的に見ると、接触子および被測定物の接触部には、接触子および被測定物が直接、接触している直接接触部分と、接触子および被測定物が皮膜を介して接触している間接接触部分と、接触子および被測定物が接触していない非接触部分とがある。接触子および被測定物の接触部は、微小な直接接触部分および微小な間接接触部分による多点接触状態となっている。 The surface portion of the contactor and the surface portion of the object to be measured are uneven when viewed microscopically and are covered with a film such as an oxide film. Such a contact and an object to be measured come into contact. Therefore, when viewed microscopically, the contact portion between the contactor and the object to be measured has a direct contact portion where the contactor and the object to be measured are in direct contact, and the contactor and the object to be measured are interposed through the film. There are indirect contact portions that are in contact with each other and non-contact portions where the contact and the object to be measured are not in contact. The contact portion and the contact portion of the object to be measured are in a multipoint contact state with a minute direct contact portion and a minute indirect contact portion.
このような接触子および被測定物の接触部では、電圧が印加されたときに、直接接触部分に、電流が集中し、集中抵抗が生じる。このようにして、接触子および被測定物の接触部では、集中抵抗を含む接触抵抗が生じる。 In such a contact portion and a contact portion of the object to be measured, when a voltage is applied, current concentrates directly on the contact portion, and concentrated resistance is generated. In this way, contact resistance including concentrated resistance is generated at the contact portion between the contact and the object to be measured.
本発明では、電気特性の測定にあたっては、まず、第1電流値を超える予め定める第2電流値の印加電流または第1電圧値を超える予め定める第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する。このとき、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかかるので、間接接触部分にも、電流が流れる。間接接触部分に、一旦、電流が流れると、この間接接触部分では、雪崩降伏現象が生じる。これによって接触子および被測定物の接触部では、導通面積が拡大し、集中抵抗が低下する。このようにして、接触子および被測定物の接触部では、集中抵抗を含む接触抵抗が低下する。 In the present invention, in measuring the electrical characteristics, first, an applied current having a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage having a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value is applied to the contactor. Applied to the object to be measured. At this time, since a high voltage is applied to the contact portion and the contact portion of the object to be measured, a current also flows to the indirect contact portion. Once a current flows through the indirect contact portion, an avalanche breakdown phenomenon occurs in the indirect contact portion. As a result, in the contact portion between the contact and the object to be measured, the conduction area is enlarged and the concentrated resistance is lowered. In this way, contact resistance including concentrated resistance is reduced at the contact portion between the contact and the object to be measured.
間接接触部分に、一旦、電流が流れ、この間接接触部分で、雪崩降伏現象が生じると、前述のようにして、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗は低下し、この接触抵抗が低下した状態は、電流の増減にかかわらず、電流が切断されるまで持続する。この現象を利用して、本発明では、第2電流値の印加電流または第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第2電流値から第1電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第2電圧値から第1電圧値に低下させる。そして前記第1電流値の印加電流または前記第1電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する。本発明では、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態で、被測定物の電気特性を測定するので、被測定物の電気特性を正確に測定することができる。 Once an electric current flows through the indirect contact portion and an avalanche breakdown occurs in the indirect contact portion, the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the object to be measured decreases as described above. The lowered state continues until the current is cut off regardless of the increase or decrease of the current. By utilizing this phenomenon, in the present invention, the applied current of the second current value or the applied voltage of the second voltage value is applied to the measurement object via the contact, and then measured via the contact. The applied current applied to the object is reduced from the second current value to the first current value, or the applied voltage applied to the object to be measured through the contact is changed from the second voltage value to the first voltage value. Reduce. Then, the electrical property of the object to be measured is measured via the contact while the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured via the contact. To do. In the present invention, since the electrical characteristics of the measurement object are measured in a state where the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the measurement object is lowered, the electrical characteristics of the measurement object can be accurately measured.
また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態で、被測定物の電気特性を測定するので、被測定物の電気特性を正確に測定するために、前記第1の従来の技術のように、多くの接触子を被測定物に接触させる必要がない。したがって小形化された被測定物の電気特性を、容易に測定することができる。 In addition, since the electrical characteristics of the object to be measured are measured with the contact resistance of the contact portion and the contact part of the object to be measured lowered as described above, in order to accurately measure the electrical characteristics of the object to be measured. As in the first prior art, it is not necessary to bring many contacts into contact with the object to be measured. Therefore, it is possible to easily measure the electrical characteristics of the object to be miniaturized.
また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、前記接触部の接触抵抗を低下させるために、前記第2の従来の技術のように、接触子を被測定物に押付ける押付力を大きくする必要がない。したがって小形化に伴って脆弱化した被測定物であっても、破損させることなく、電気特性を測定することができる。 In addition, since the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the object to be measured can be realized as described above, the second conventional method is used to reduce the contact resistance of the contact portion. Unlike the technology, there is no need to increase the pressing force for pressing the contact against the object to be measured. Therefore, even if the object to be measured is weakened with downsizing, the electrical characteristics can be measured without being damaged.
また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、接触子および被測定物の接触面圧を大きくして、接触部の接触抵抗を低下させるために、前記第3の従来の技術のように、接触子の先端部を先細状にして、接触子と被測定物との接触部を小さくする必要がない。したがって接触子および被測定物の接触部を大きくして、接触子と被測定物とを安定した状態で接触させることができ、電気特性を容易に測定することができる。 In addition, since the contact resistance of the contact portion between the contact and the object to be measured can be reduced as described above, the contact surface pressure of the contact and the object to be measured can be increased to increase the contact portion of the contact portion. In order to reduce the contact resistance, unlike the third prior art, it is not necessary to taper the tip of the contact and reduce the contact between the contact and the object to be measured. Therefore, the contact portion between the contact and the object to be measured can be enlarged so that the contact and the object to be measured can be brought into stable contact with each other, and the electrical characteristics can be easily measured.
また本発明によれば、被測定物には、接触子が接触される。この状態で、供給手段によって、印加電流または印加電圧が供給され、供給手段からの印加電流または印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加される。このときに、測定手段によって、被測定物の電気特性が、前記接触子を介して測定される。 According to the invention, the contact is brought into contact with the object to be measured. In this state, an applied current or applied voltage is supplied by the supplying means, and an applied current or applied voltage from the supplying means is applied to the object to be measured through the contact. At this time, the electrical characteristics of the object to be measured are measured by the measuring means through the contact.
接触子の表面部および被測定物の表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような接触子および被測定物が接触する。それ故、微視的に見ると、接触子および被測定物の接触部には、接触子および被測定物が直接、接触している直接接触部分と、接触子および被測定物が皮膜を介して接触している間接接触部分と、接触子および被測定物が接触していない非接触部分とがある。接触子および被測定物の接触部は、微小な直接接触部分および微小な間接接触部分による多点接触状態となっている。 The surface portion of the contactor and the surface portion of the object to be measured are uneven when viewed microscopically and are covered with a film such as an oxide film. Such a contact and an object to be measured come into contact. Therefore, when viewed microscopically, the contact portion between the contactor and the object to be measured has a direct contact portion where the contactor and the object to be measured are in direct contact, and the contactor and the object to be measured pass through the film. There are indirect contact portions that are in contact with each other and non-contact portions where the contact and the object to be measured are not in contact. The contact portion and the contact portion of the object to be measured are in a multipoint contact state with a minute direct contact portion and a minute indirect contact portion.
このような接触子および被測定物の接触部では、電圧が印加されたときに、直接接触部分に、電流が集中し、集中抵抗が生じる。このようにして、接触子および被測定物の接触部では、集中抵抗を含む接触抵抗が生じる。 In such a contact portion and a contact portion of the object to be measured, when a voltage is applied, current concentrates directly on the contact portion, and concentrated resistance is generated. In this way, contact resistance including concentrated resistance is generated at the contact portion between the contact and the object to be measured.
本発明では、電気特性の測定にあたっては、まず、制御手段は、測定用の第1電流値を超える予め定める第2電流値の印加電流または測定用の第1電圧値を超える予め定める第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加することができるように供給手段を制御する。このとき、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかかるので、間接接触部分にも、電流が流れる。間接接触部分に、一旦、電流が流れると、この間接接触部分では、雪崩降伏現象が生じる。これによって接触子および被測定物の接触部では、導通面積が拡大し、集中抵抗が低下する。このようにして、接触子および被測定物の接触部では、集中抵抗を含む接触抵抗が低下する。 In the present invention, in measuring the electrical characteristics, first, the control means applies an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value for measurement or a predetermined second voltage exceeding the first voltage value for measurement. The supply means is controlled so that a value applied voltage can be applied to the object to be measured via the contact. At this time, since a high voltage is applied to the contact portion and the contact portion of the object to be measured, a current also flows to the indirect contact portion. Once a current flows through the indirect contact portion, an avalanche breakdown phenomenon occurs in the indirect contact portion. As a result, in the contact portion between the contact and the object to be measured, the conduction area is enlarged and the concentrated resistance is lowered. In this way, contact resistance including concentrated resistance is reduced at the contact portion between the contact and the object to be measured.
間接接触部分に、一旦、電流が流れ、この間接接触部分で、雪崩降伏現象が生じると、前述のようにして、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗は低下し、この接触抵抗が低下した状態は、電流の増減にかかわらず、電流が切断されるまで持続する。この現象を利用して、本発明では、制御手段は、第2電流値の印加電流または第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後に、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第2電流値から第1電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第2電圧値から第1電圧値に低下させることができるように供給手段を制御する。そして制御手段は、前記第1電流値の印加電流または前記第1電圧値の印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加されているときに、前記測定手段による測定結果を取得する。本発明では、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態で、被測定物の電気特性を測定するので、被測定物の電気特性を正確に測定することができる。 Once an electric current flows through the indirect contact portion and an avalanche breakdown occurs in the indirect contact portion, the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the object to be measured decreases as described above. The lowered state continues until the current is cut off regardless of the increase or decrease of the current. By utilizing this phenomenon, in the present invention, the control means applies the second current value applied voltage or the second voltage value applied voltage to the object to be measured via the contact, and then the contactor An applied current to be applied to the object to be measured is reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact is changed from the second voltage value to the first current value. The supply means is controlled so that the voltage can be reduced to one voltage value. The control means acquires the measurement result by the measurement means when the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured through the contact. . In the present invention, since the electrical characteristics of the measurement object are measured in a state where the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the measurement object is lowered, the electrical characteristics of the measurement object can be accurately measured.
また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態で、被測定物の電気特性を測定するので、被測定物の電気特性を正確に測定するために、前記第1の従来の技術のように、多くの接触子を被測定物に接触させる必要がない。したがって小形化された被測定物の電気特性を、容易に測定することができる。 In addition, since the electrical characteristics of the object to be measured are measured with the contact resistance of the contact portion and the contact part of the object to be measured lowered as described above, in order to accurately measure the electrical characteristics of the object to be measured. As in the first prior art, it is not necessary to bring many contacts into contact with the object to be measured. Therefore, it is possible to easily measure the electrical characteristics of the object to be miniaturized.
また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、前記接触部の接触抵抗を低下させるために、前記第2の従来の技術のように、接触子を被測定物に押付ける押付力を大きくする必要がない。したがって小形化に伴って脆弱化した被測定物であっても、破損させることなく、電気特性を測定することができる。 In addition, since the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the object to be measured can be realized as described above, the second conventional method is used to reduce the contact resistance of the contact portion. Unlike the technology, there is no need to increase the pressing force for pressing the contact against the object to be measured. Therefore, even if the object to be measured is weakened with downsizing, the electrical characteristics can be measured without being damaged.
また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、接触子および被測定物の接触面圧を大きくして、接触部の接触抵抗を低下させるために、前記第3の従来の技術のように、接触子の先端部を先細状にして、接触子と被測定物との接触部を小さくする必要がない。したがって接触子および被測定物の接触部を大きくして、接触子と被測定物とを安定した状態で接触させることができ、電気特性を容易に測定することができる。 In addition, since the contact resistance of the contact portion between the contact and the object to be measured can be reduced as described above, the contact surface pressure of the contact and the object to be measured can be increased to increase the contact portion of the contact portion. In order to reduce the contact resistance, unlike the third prior art, it is not necessary to taper the tip of the contact and reduce the contact between the contact and the object to be measured. Therefore, the contact portion between the contact and the object to be measured can be enlarged so that the contact and the object to be measured can be brought into stable contact with each other, and the electrical characteristics can be easily measured.
また本発明によれば、供給手段からの印加電流が、前記接触子を介して被測定物に印加され、測定手段によって、被測定物にかかる電圧が測定される場合は、第2電流値は、被測定物の最大定格電流値よりも小さく、かつ2Im≦Ioに選ばれる。第2電流値が前記最大定格電流値よりも大きく選ばれると、被測定物の電気特性に対する信頼性が低下する。また第2電流値が第1電流値の2倍未満に選ばれると、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。 According to the invention, when the applied current from the supply means is applied to the object to be measured through the contact, and the voltage applied to the object to be measured is measured by the measuring means, the second current value is , Smaller than the maximum rated current value of the object to be measured and 2Im ≦ Io. When the second current value is selected to be larger than the maximum rated current value, the reliability of the measured object with respect to the electrical characteristics is lowered. If the second current value is selected to be less than twice the first current value, a high voltage is not applied to the contact portion of the contact and the object to be measured, and current does not easily flow to the indirect contact portion. Therefore, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently.
また供給手段からの印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加され、測定手段によって、被測定物に流れる電流が測定される場合は、第2電圧値は、被測定物の最大定格電圧値よりも小さく、かつ1.1Vm≦Voに選ばれる。第2電圧値が前記最大定格電圧値よりも大きく選ばれると、被測定物の電気特性に対する信頼性が低下する。また第2電圧値が第1電圧値の1.1倍未満に選ばれると、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。 When the applied voltage from the supply means is applied to the object to be measured via the contact and the current flowing through the object to be measured is measured by the measuring means, the second voltage value is the maximum of the object to be measured. It is smaller than the rated voltage value and 1.1Vm ≦ Vo. When the second voltage value is selected to be larger than the maximum rated voltage value, the reliability of the measured object with respect to the electrical characteristics is lowered. When the second voltage value is selected to be less than 1.1 times the first voltage value, a high voltage is not applied to the contact portion of the contactor and the object to be measured, and a current hardly flows to the indirect contact portion. . Therefore, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently.
また本発明によれば、電圧制限手段によって、印加電流を供給しているときに被測定物にかかる電圧が、被測定物の最大定格電圧値を超えないように制限され、または電流制限手段によって、印加電圧を供給しているときに被測定物に流れる電流が、被測定物の最大定格電流値を超えないように制限されるので、被測定物の電気特性に対する信頼性の低下を防止することができる。 According to the invention, the voltage applied to the device under test when the applied current is supplied is limited by the voltage limiting device so as not to exceed the maximum rated voltage value of the device under test, or by the current limiting device. The current flowing through the device under test when the applied voltage is supplied is limited so that it does not exceed the maximum rated current value of the device under test. This prevents a decrease in the reliability of the device under electrical characteristics. be able to.
また本発明によれば、供給手段からの印加電流または印加電圧は、電流波形または電圧波形がパルス状である。印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間または印加電圧の印加開始時における印加電圧の立ち上がり時間は、各立ち上がり時間をTr1,Tr2としたとき、0<Tr1≦1msecまたは0<Tr2≦1msecに選ばれる。前記各立ち上がり時間Tr1,Tr2が、1msec以下に選ばれることによって、接触抵抗の低下を効果的に達成することができる。前記各立ち上がり時間が1msecを超えると、接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。前記各立ち上がり時間は、短いほどよい。 According to the invention, the applied current or applied voltage from the supply means has a current waveform or voltage waveform in a pulse shape. The rise time of the applied current at the start of application of the applied current or the rise time of the applied voltage at the start of application of the applied voltage is 0 <Tr1 ≦ 1 msec or 0 <Tr2 ≦ 1 msec when the respective rise times are Tr1 and Tr2. To be elected. By selecting each of the rising times Tr1 and Tr2 to be 1 msec or less, it is possible to effectively reduce the contact resistance. If each of the rising times exceeds 1 msec, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently. The shorter the rise times, the better.
図1は、本発明の実施の一形態である電子部品の電気特性の測定装置21の電気的構成を示すブロック図である。電子部品の電気特性の測定装置(以下、単に「測定装置」という)21は、被測定物22に第1および第2接触子23a,23bを接触させ、予め定める第1電流値Imの印加電流を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加した状態で、被測定物22の電気特性を測定する。また測定装置21は、被測定物22に第1および第2接触子23a,23bを接触させ、予め定める第1電圧値Vmの印加電圧を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加した状態で、被測定物22の電気特性を測定する。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a measurement device 21 for electrical characteristics of an electronic component according to an embodiment of the present invention. A measuring device (hereinafter simply referred to as “measuring device”) 21 for measuring the electrical characteristics of an electronic component brings the first and
本実施の形態において、電気特性はDC特性であり、詳しくは電圧電流特性である。本実施の形態では、測定装置21は、被測定物22に各接触子23a,23bを接触させ、予め定める第1電流値Imの印加電流を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加した状態で、被測定物22にかかる電圧を、各接触子23a,23bを介して測定し、これによって電気特性を得る。また測定装置21は、被測定物22に各接触子23a,23bを接触させ、予め定める第1電圧値Vmの印加電圧を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加した状態で、被測定物22に流れる電流を、各接触子23a,23bを介して測定し、これによって電気特性を得る。
In the present embodiment, the electrical characteristics are DC characteristics, and more specifically voltage-current characteristics. In the present embodiment, the measuring apparatus 21 causes the
本実施の形態の測定装置21は、供給手段25と、測定手段26と、切換手段27と、制御手段であるテスタ制御部28とを含む。供給手段25は、印加電流として定電流を供給する定電流電源30と、印加電圧として定電圧を供給する定電圧電源31とを含む。測定手段26は、電圧計32と、電流計33とを含む。電圧計32は、定電流電源30からの印加電流が、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加された状態で、被測定物22にかかる電圧を、各接触子23a,23bを介して測定する。電流計33は、定電圧電源31からの印加電圧が、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加された状態で、被測定物22に流れる電流を、各接触子23a,23bを介して測定する。
The measuring apparatus 21 according to the present embodiment includes a supplying
切換手段27は、供給手段25および測定手段26と被測定物22との電気的な接続状態を、電流印加電圧測定状態と電圧印加電流測定状態とに切換える。電流印加電圧測定状態は、定電流電源30からの印加電流を被測定物22に印加した状態で、電圧計32によって、被測定物22にかかる電圧を測定することができる状態である。電圧印加電流測定状態は、定電圧電源31からの印加電圧を被測定物22に印加した状態で、電流計33によって、被測定物22に流れる電流を測定することができる状態である。切換手段27は、第1〜第4スイッチ27a〜27bを含む。
The switching
定電流電源30から延びるライン101は、第1接触子23aに接続され、このライン101には、第1スイッチ27aが介在される。定電圧電源31から延びるライン102は、第1接触子23aに接続され、このライン102には、第2スイッチ27bが介在される。第2接触子23bに接続されるライン103は、接地され、このライン103には、第3スイッチ27cが介在される。
The
電圧計32から延びる2つのライン104,105のうち、一方のライン104は、定電流電源30と第1スイッチ27aとの間のライン101の部分に接続され、他方のライン105は接地される。電流計33から延びる2つのライン106,107のうち、一方のライン106は、第2接触子23bと第3スイッチ27cとの間のライン103の部分に接続され、この一方のライン106には、第4スイッチ27dが介在される。電流計33から延びる2つのライン106,107のうち、他方のライン107は接地される。
Of the two
前記電流印加電圧測定状態は、第1および第3スイッチ27a,27cが閉じ、かつ第2および第4スイッチ27b,27dが開いた状態である。前記電圧印加電流測定状態は、第1および第3スイッチ27a,27cが開き、かつ第2および第4スイッチ27b,27dが閉じた状態である。
The current applied voltage measurement state is a state in which the first and
テスタ制御部28は、前記第1電流値Imを超える予め定める第2電流値Ioの印加電流を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加した後に、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加する印加電流を、前記第2電流値Ioから第1電流値Imに低下させることができるように定電流電源30を制御するとともに、前記第1電流値Imの印加電流が、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加されているときに、電圧計32による測定結果を取得する。
The
テスタ制御部28は、前記第1電圧値Vmを超える予め定める第2電圧値Voの印加電圧を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加した後に、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加する印加電圧を、前記第2電圧値Voから第1電圧値Vmに低下させることができるように定電圧電源31を制御するとともに、前記第1電圧値Vmの印加電圧が、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加されているときに、電流計33による測定結果を取得する。
The
またテスタ制御部28は、切換手段27によって、供給手段25および測定手段26と被測定物22との電気的な接続状態を、電流印加電圧測定状態と電圧印加電流測定状態とに切換える。さらにテスタ制御部28は、電圧計32による測定結果および電流計33による測定結果に基づいて、被測定物22の良否を判定し、検査結果を生成する。この検査結果は、後述のハンドラ制御部35に与えられる。このようなテスタ制御部28は、マイクロコンピュータなどの処理回路によって実現される。
Further, the
図2は、被測定物22の平面図であり、図3は被測定物22の図2の切断面線S3−S3から見た断面図である。被測定物22は、発光ダイオード(Light Emitting Diode、略称LED)などの半導体装置である。本実施の形態では、被測定物22は、1608サイズの発光ダイオードである。前記1608サイズは、日本工業規格によって規定される。被測定物22の電気特性の測定にあたって、被測定物22には、印加電流として順電流が印加され、印加電圧として順電圧が印加される。
2 is a plan view of the
被測定物22は、大略的に直方体形状であり、長さ寸法D1が1.6mmであり、幅寸法D2が0.8mmであり、厚み寸法D3が0.6mmである。被測定物22は、樹脂基板37と、アノード電極38と、カソード電極39と、LEDチップ40と、金ワイヤ41と、透明樹脂部分42とを含む。
The
樹脂基板37は、偏平な直方体形状である。アノード電極38およびカソード電極39は、前記樹脂基板37に形成される。アノード電極38は、樹脂基板37の長さ方向の一端面を介して、樹脂基板37の厚み方向の一表面から他表面にわたって、形成される。カソード電極39は、樹脂基板37の長さ方向の他端面を介して、樹脂基板37の一表面から他表面にわたって、形成される。アノード電極38およびカソード電極39は、樹脂基板37に銅箔を設け、この銅箔に、めっき法によって金めっき膜を形成することによって、実現される。
The
LEDチップ40は、樹脂基板37の一表面側で、前記カソード電極39に接合されて固定される。金ワイヤ41は、LEDチップ40と前記アノード電極38とを電気的に接続する。透明樹脂部分42は、樹脂基板37の一表面側から、LEDチップ40および金ワイヤ41を覆い、LEDチップ40および金ワイヤ41を保護する。
The
図4は、被測定物22および各接触子23a,23bの接触状態を示す平面図である。被測定物22には、各接触子23a,23bが接触する。詳しく述べると、第1接触子23aが、被測定物22の長さ方向の一側部に接触し、第2接触子23bが、被測定物22の長さ方向の他側部に接触する。さらに詳しく述べると、第1接触子23aが、被測定物22の樹脂基板37の前記一端面に形成される電極部分38aに接触し、第2接触子23bが、被測定物22の樹脂基板37の前記他端面に形成される電極部分39aに接触する。
FIG. 4 is a plan view showing a contact state between the
各接触子23a,23bは、導電材料から成る。各接触子23a,23bは、接触状態において、前記各電極部分38a,39aの表面を全体にわたってそれぞれ覆う。換言すると、各接触子23a,23bは、接触状態において、前記各電極部分38a,39aにそれぞれ面接触する。このように各接触子23a,23bが前記各電極部分38a,39aにそれぞれ面接触するので、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bは大きく、したがって各接触子23a,23bと被測定物22とを安定した状態で接触させることができる。
Each
また接触状態において、各接触子23a,23bの軸線45a,45bは一致している。第1接触子23aは、その軸線45aに沿う図4の矢符46aの方向の押付力を被測定物22に与える。第2接触子23bは、その軸線45bに沿う図4の矢符46bの方向の押付力を被測定物22に与える。図4の矢符46aの方向と図4の矢符46bの方向とは、相互に反対の方向である。前記各押付力の大きさは、相互に同一である。本実施の形態では、前記各押付力の大きさは、0.1〜2.0Nに選ばれる。
In the contact state, the
図5は、定電流電源30を詳細に示す図である。定電流電源30は、第1および第2増幅回路48,49と、第1電流検出抵抗50と、第1電流検出回路51と、第1および第2比較回路52,53とを含む。
FIG. 5 is a diagram showing the constant
第1増幅回路48のコレクタには、ライン111を介して、直流電源Vが接続される。第1増幅回路48のエミッタには、ライン112が接続され、このライン112には、第1電流検出抵抗50が介在される。
A DC power supply V is connected to the collector of the
第1電流検出回路51の2つの入力端のうち、一方の入力端に接続されるライン113は、第1増幅回路48のエミッタと第1電流検出抵抗50との間のライン112の部分に接続される。第1電流検出回路51の2つの入力端のうち、他方の入力端に接続されるライン114は、第1増幅回路48のエミッタに接続されるライン112の第1電流検出抵抗50よりも電流方向下流側の部分に接続される。
The
第1電流検出回路51の出力端には、ライン115が接続され、このライン115は、第1比較回路52の2つの入力端のうち、一方の入力端に接続される。第1比較回路52の2つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部28からのライン116が接続される。第1比較回路52の出力端には、ライン117が接続され、このライン117は、第1増幅回路48のベースに接続される。
A
第1増幅回路48、第1電流検出抵抗50、第1電流検出回路51および第1比較回路52を含んで、定電流回路55が構成される。第1電流検出回路51は、第1増幅回路48のエミッタに接続されるライン112に流れる電流を検出し、検出結果を出力する。第1比較回路52には、第1電流検出回路51からの検出結果と、テスタ制御部28からの印加電流設定基準とが入力される。第1比較回路52は、前記検出結果および印加電流設定基準を比較して、比較結果を第1増幅回路48に出力する。第1増幅回路48は、比較結果に応じて、第1増幅回路48のエミッタに接続されるライン112に流れる電流を制御する。このようにして、印加電流としての定電流が、第1増幅回路48のエミッタに接続されるライン112を介して、出力される。
A constant
第2増幅回路49のコレクタには、ライン121が接続され、このライン121は、第1比較回路52の出力端と第1増幅回路48のベースとの間のライン117に接続される。第2増幅回路49のエミッタには、ライン122が接続され、このライン122は、第1増幅回路48のエミッタと第1電流検出抵抗50との間のライン112の部分に接続される。
A
第2比較回路53の2つの入力端のうち、一方の入力端に接続されるライン123は、第1増幅回路48のエミッタに接続されるライン112の第1電流検出抵抗50よりも電流方向下流側の部分に接続される。第2比較回路53の2つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部28からのライン124が接続される。第2比較回路53の出力端には、ライン125が接続され、このライン125は、第2増幅回路49のベースに接続される。
Of the two input terminals of the
第2増幅回路49および第2比較回路53を含んで、電圧制限手段である電圧制限回路56が構成される。第2比較回路53には、第1増幅回路48のエミッタに接続されるライン112の第1電流検出抵抗50よりも電流方向下流側の部分の電圧と、テスタ制御部28からの制限電圧設定基準とが入力される。第2比較回路53は、前記電圧および制限電圧設定基準を比較して、比較結果を第2増幅回路49に出力する。第2増幅回路49は、比較結果に応じて、第1増幅回路48のエミッタに接続されるライン112の第1電流検出抵抗50よりも電流方向下流側の部分の電圧を制御する。
A voltage limiting circuit 56 which is a voltage limiting means is configured including the
電圧制限回路56は、印加電流を供給しているときに被測定物22にかかる電圧を、被測定物22の最大定格電圧値を超えないように制限する。定電流電源30は、前述のような電圧制限回路56を有するので、印加電流を供給しているときに被測定物22にかかる電圧が、被測定物22の最大定格電圧値を超えることがなく、したがって被測定物22の電気特性に対する信頼性の低下を防止することができる。
The voltage limiting circuit 56 limits the voltage applied to the device under
図6は、定電圧電源31を詳細に示す図である。定電圧電源31は、第3および第4増幅回路81,82と、第2電流検出抵抗83と、第2電流検出回路84と、第3および第4比較回路85,86とを含む。
FIG. 6 is a diagram showing the constant
第3増幅回路81のコレクタには、ライン131を介して、直流電源Vが接続される。第3増幅回路81のエミッタには、ライン132が接続され、このライン132には、第2電流検出抵抗83が介在される。
A DC power supply V is connected to the collector of the
第3比較回路85の2つの入力端のうち、一方の入力端には、ライン133が接続され、このライン133は、第3増幅回路81のエミッタに接続されるライン132の第2電流検出抵抗83よりも電流方向下流側の部分に接続される。第3比較回路85の2つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部28からのライン134が接続される。第3比較回路85の出力端には、ライン135が接続され、このライン135は、第3増幅回路81のベースに接続される。
A
第3増幅回路81、第2電流検出抵抗83および第3比較回路85を含んで、定電圧回路88が構成される。第3比較回路85には、第3増幅回路81のエミッタに接続されるライン132の第2電流検出抵抗83よりも電流方向下流側の部分の電圧と、テスタ制御部28からの印加電圧設定基準とが入力される。第3比較回路85は、前記電圧および印加電圧設定基準を比較して、比較結果を第3増幅回路81に出力する。第3増幅回路81は、比較結果に応じて、第3増幅回路81のエミッタに接続されるライン132の第2電流検出抵抗83よりも電流方向下流側の部分の電圧を制御する。このようにして、印加電圧としての定電圧が、第3増幅回路81のエミッタに接続されるライン132および第2電流検出抵抗83を介して、出力される。
A
第2電流検出回路84の2つの入力端のうち、一方の入力端に接続されるライン141は、第3増幅回路81のエミッタと第2電流検出抵抗83との間のライン132の部分に接続される。第2電流検出回路84の2つの入力端のうち、他方の入力端に接続されるライン142は、第3増幅回路81のエミッタに接続されるライン132の第2電流検出抵抗83よりも電流方向下流側の部分に接続される。
The
第2電流検出回路84の出力端には、ライン143が接続され、このライン143は、第4比較回路86の2つの入力端のうち、一方の入力端に接続される。第4比較回路86の2つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部28からのライン144が接続される。第4比較回路86の出力端には、ライン145が接続され、このライン145は、第4増幅回路82のベースに接続される。
A
第4増幅回路82のコレクタには、ライン146が接続され、このライン146は、第3比較回路85の出力端と第3増幅回路81のベースとの間のライン135に接続される。第4増幅回路82のエミッタには、ライン147が接続され、このライン147は、第3増幅回路81のエミッタと第2電流検出抵抗83との間のライン132の部分に接続される。
A
第4増幅回路82、第2電流検出回路84および第4比較回路86を含んで、電流制限手段である電流制限回路89が構成される。電流検出回路84は、第3増幅回路81のエミッタに接続されるライン132に流れる電流を検出し、検出結果を出力する。第4比較回路86には、第2電流検出回路84からの検出結果と、テスタ制御部28からの制限電流設定基準が入力される。第4比較回路86は、前記検出結果および制限電流設定基準を比較して、比較結果を第4増幅回路82に出力する。第4増幅回路82は、比較結果に応じて、第3増幅回路81のベースおよびエミッタ間の電圧を制御することによって、第3増幅回路81のエミッタに接続されるライン132を流れる電流を制御する。
A current limiting circuit 89 as current limiting means is configured including the
電流制限回路89は、印加電圧を供給しているときに被測定物22に流れる電流を、被測定物22の最大定格電流値を超えないように制限する。定電圧電源31は、前述のような電流制限回路89を有するので、印加電圧を供給しているときに被測定物22に流れる電流が、被測定物22の最大定格電流値を超えることがなく、したがって被測定物22の電気特性に対する信頼性の低下を防止することができる。
The current limiting circuit 89 limits the current flowing through the device under
図7は、測定装置21を備える検査装置61の構成を示すブロック図である。検査装置61は、前述の測定装置21と、ハンドラ62とを含む。測定装置21およびハンドラ62は、相互に通信可能に接続される。ハンドラ62は、供給部63と、測定部64と、分類収納部65と、分類部66と、前記各接触子23a,23bと、ハンドラ制御部35とを含む。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of an inspection apparatus 61 including the measurement apparatus 21. The inspection device 61 includes the measurement device 21 and the
供給部63は、被測定物22を測定部64に供給する。この供給部63は、複数の被測定物22を整列させて供給するパーツフィーダを含んで構成される。測定部64では、被測定物22の電気特性が測定装置21によって測定される。分類収納部65には、被測定物22が分類された状態で収納される。分類部66は、被測定物22を分類して、分類収納部65に収納する。この分類部66は、被測定物22を分類して、分類収納部65の指定された場所に収納するソータを含んで構成される。
The
ハンドラ制御部35は、各接触子23a,23bを移動させて、これらの各接触子23a,23bを、測定部64に供給された被測定物22に、図4に示すように接触させる。またハンドラ制御部35は、各接触子23a,23bを被測定物22に接触させた後、測定開始指令を測定装置21のテスタ制御部28に与える。またハンドラ制御部35は、測定装置21のテスタ制御部28から検査結果を取得し、この検査結果に基づいて、分類部66を制御する。
The
図8は、測定装置21によって実行される電気特性の測定方法を説明するためのフローチャートであり、図9は電流波形を模式的に示す波形図であり、図10は電圧波形を模式的に示す波形図である。まず、ハンドラ制御部35が、供給部63によって測定部64に供給された被測定物22の各電極部分38a,39aに、図4に示すように各接触子23a,23bをそれぞれ接触させる。この後、ハンドラ制御部35からテスタ制御部28に測定開始指令が与えられると、ステップa1で、テスタ制御部28は、電気特性の測定動作を開始する。
FIG. 8 is a flowchart for explaining an electrical characteristic measurement method executed by the measurement device 21, FIG. 9 is a waveform diagram schematically showing a current waveform, and FIG. 10 schematically shows a voltage waveform. It is a waveform diagram. First, the
次のステップa2では、テスタ制御部28は、切換手段27によって、供給手段25および測定手段26と被測定物22との電気的な接続状態を、電流印加電圧測定状態とする。
In the next step a2, the
次のステップa3では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電流を、0mAから第2電流値Ioに上昇させることができるように、定電流電源30を制御する。テスタ制御部28は、時刻t1において、第2電流値Ioに相当する印加電流設定基準の、定電流電源30への出力を開始する。時刻t1から所定の電流上昇時間W1を経過した時刻t2まで、印加電流の電流値は上昇する。
In the next step a3, the
次のステップa4では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電流を、第2電流値Ioに維持することができるように、定電流電源30を制御する。テスタ制御部28は、時刻t2から所定の第1電流維持時間W2を経過した時刻t3まで、第2電流値Ioに相当する印加電流設定基準の、定電流電源30への出力を継続する。
In the next step a4, the
次のステップa5では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電流を、第2電流値Ioから第1電流値Imに連続的に低下させることができるように、定電流電源30を制御する。テスタ制御部28は、時刻t3において、定電流電源30への出力を、第2電流値Ioに相当する印加電流設定基準から、第1電流値Imに相当する印加電流設定基準に変化させる。時刻t3から所定の電流低下時間W3を経過した時刻t4まで、印加電流の電流値は低下する。
In the next step a5, the
このステップa5において、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電流は、0mAにされることなく、第2電流値Ioから第1電流値Imに変化される。好ましくは、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電流は、図9に示すように、第2電流値Ioから第1電流値Imに到達するまで常に低下される。
In step a5, the applied current applied to the
次のステップa6では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電流を、第1電流値Imに維持することができるように、定電流電源30を制御するとともに、電圧計32による測定結果を取得する。テスタ制御部28は、時刻t4から所定の第2電流維持時間W4を経過した時刻t5まで、第1電流値Imに相当する印加電流設定基準の、定電流電源30への出力を継続する。テスタ制御部28は、時刻t4から時刻t5の間に、電圧計32による測定結果を取得する。
In the next step a6, the
次のステップa7では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電流を、第1電流値Imから0mAに低下させることができるように、定電流電源30を制御する。テスタ制御部28は、時刻t5において、定電流電源30への出力を、第1電流値Imに相当する印加電流設定基準から、0mVに相当する印加電流設定基準に変化させる。
In the next step a7, the
次のステップa8では、テスタ制御部28は、切換手段27によって、供給手段25および測定手段26と被測定物22との電気的な接続状態を、電圧印加電流測定状態とする。
In the next step a8, the
次のステップa9では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電圧を、0mVから第2電圧値Voに上昇することができるように、定電圧電源31を制御する。テスタ制御部28は、時刻t11において、第2電圧値Voに相当する印加電圧設定基準の、定電圧電源31への出力を開始する。時刻t11から所定の電圧上昇時間W11を経過した時刻t12まで、印加電圧の電圧値は上昇する。
In the next step a9, the
次のステップa10では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電圧を、第2電圧値Voに維持することができるように、定電圧電源31を制御する。テスタ制御部28は、時刻t12から所定の第1電圧維持時間W12を経過した時刻t13まで、第2電圧値Voに相当する印加電圧設定基準の、定電圧電源31への出力を継続する。
In the next step a10, the
次のステップa11では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電圧を、第2電圧値Voから第1電圧値Vmに連続的に低下させることができるように、定電圧電源31を制御する。テスタ制御部28は、時刻t13において、定電圧電源31への出力を、第2電圧値Voに相当する印加電圧設定基準から、第1電圧値Vmに相当する印加電圧設定基準に変化させる。時刻t13から所定の電圧低下時間W13を経過した時刻t14まで、印加電圧の電圧値は低下する。
In the next step a11, the
このステップa11において、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電圧は、0mVにされることなく、第2電圧値Voから第1電圧値Vmに変化される。好ましくは、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電圧は、図10に示すように、第2電圧値Voから第1電圧値Vmに到達するまで常に低下される。
In step a11, the applied voltage applied to the device under
次のステップa12では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電圧を、第1電圧値Vmに維持することができるように、定電圧電源31を制御するとともに、電流計33による測定結果を取得する。テスタ制御部28は、時刻t14から所定の第2電圧維持時間W14を経過した時刻t15まで、第1電圧値Vmに相当する印加電圧設定基準の、定電圧電源31への出力を継続する。テスタ制御部28は、時刻t14から時刻t15の間に、電流計33による測定結果を取得する。
In the next step a12, the
次のステップa13では、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加される印加電圧を、第1電圧値Vmから0mVに低下させることができるように、定電圧電源31を制御する。テスタ制御部28は、時刻t15において、定電圧電源31への出力を、第1電圧値Vmに相当する印加電圧設定基準から、0mVに相当する印加電圧設定基準に変化させる。
In the next step a13, the
次のステップa14では、テスタ制御部28は、前記ステップa6で取得した電圧計32による測定結果と前記ステップa12で取得した電流計33による測定結果とに基づいて、被測定物22の良否を判定し、検査結果を生成し、この検査結果を、ハンドラ制御部35に与える。そしてステップa15で、テスタ制御部28は、電気特性の測定動作を終了する。
In the next step a14, the
前記ステップa3〜ステップa7では、テスタ制御部28は、定電流電源30に制限電圧設定基準を出力する。前記ステップa9〜ステップa13では、テスタ制御部28は、定電圧電源31に制限電流設定基準を出力する。
In step a3 to step a7, the
本実施の形態では、前記第1電流値Imは、被測定物22の最大定格電流値の10〜50%に選ばれる。前記第2電流値Ioは、被測定物22の最大定格電流値よりも小さく、かつ2Im≦Ioに選ばれる。すなわち前記第2電流値Ioは、被測定物22の最大定格電流値よりも小さく、かつ第1電流値Imの2倍以上に選ばれる。
In the present embodiment, the first current value Im is selected to be 10 to 50% of the maximum rated current value of the
また本実施の形態では、前記第1電圧値Vmは、被測定物22の最大定格電流値の10〜50%に選ばれる。前記第2電圧値Voは、被測定物22の最大定格電圧値よりも小さく、かつ1.1Vm≦Voに選ばれる。前記第2電圧値Voは、被測定物22の最大定格電圧値よりも小さく、かつ第1電圧値Vmの1.1倍以上に選ばれる。
In the present embodiment, the first voltage value Vm is selected to be 10 to 50% of the maximum rated current value of the
また本実施の形態では、定電流電源30からの印加電流は、図9に示すように電流波形がパルス状であり、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、この立ち上がり時間をTr1としたとき、0<Tr1≦1msecに選ばれる。すなわち前記立ち上がり時間は、0より長く、かつ1msec以下に選ばれる。定電圧電源31からの印加電圧は、図10に示すように電圧波形がパルス状であり、印加電圧の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、この立ち上がり時間をTr2としたとき、0<Tr2≦1msecに選ばれる。すなわち前記立ち上がり時間は、0より長く、かつ1msec以下に選ばれる。
In the present embodiment, the applied current from the constant
本実施の形態において、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、0から第2電流値Ioまでの電流値幅における10%から90%まで、印加電流の電流値が上昇するのに要する時間である。印加電圧の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、0から第2電圧値Voまでの電圧値幅における10%から90%まで、印加電圧の電圧値が上昇するのに要する時間である。
図9および図10における各時間の一例は、表1のとおりである。
In the present embodiment, the rising time of the applied current at the start of applying the applied current is required for the current value of the applied current to rise from 10% to 90% in the current value range from 0 to the second current value Io. It's time. The rising time of the applied current at the start of application of the applied voltage is the time required for the voltage value of the applied voltage to rise from 10% to 90% in the voltage value range from 0 to the second voltage value Vo.
An example of each time in FIGS. 9 and 10 is shown in Table 1.
図11は、第2電流値Ioの印加電流または第2電圧値Voの印加電圧を被測定物22に印加した後に第1電流値Imの印加電圧または第1電圧値Vmの印加電圧を被測定物22に印加した場合の第1接触子23aおよび電極部分38aの接触部43aの導通状態を模式的に示す図であり、図12は第2電流値Ioの印加電流および第2電圧値Voの印加電圧を被測定物22に印加することなく第1電流値Imの印加電流または第1電圧値Vmの印加電圧を被測定物22に印加した場合の第1接触子23aおよび電極部分38aの接触部43aの導通状態を模式的に示す図である。
FIG. 11 shows the measurement of the applied voltage of the first current value Im or the applied voltage of the first voltage value Vm after applying the applied current of the second current value Io or the applied voltage of the second voltage value Vo to the device under
図11および図12では、第1接触子23aおよび電極部分38aの接触部43aの前記図4の仮想線70で囲まれる部分を拡大して示している。図11および図12において、矢符71,72の位置は、電流が流れる導通部分の位置を示す。また矢符71,72の幅は、導通面積を示し、幅が大きいほど導通面積が大きい。
In FIG. 11 and FIG. 12, the part surrounded by the
各接触子23a,23bの表面部および被測定物22の各電極部分38a,39aの表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような各接触子23a,23bおよび被測定物22が接触する。それ故、微視的に見ると、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bには、各接触子23a,23bおよび被測定物22が直接、接触している直接接触部分と、各接触子23a,23bおよび被測定物22が皮膜を介して接触している間接接触部分と、各接触子23a,23bおよび被測定物22が接触していない非接触部分とがある。各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bは、微小な直接接触部分および微小な間接接触部分による多点接触状態となっている。
When viewed microscopically, the surface portions of the
このような各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bでは、電圧が印加されたときに、直接接触部分に、電流が集中し、集中抵抗が生じる。このようにして、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bでは、集中抵抗を含む接触抵抗が生じる。
In each of the
各接触子23a,23bを介して被測定物22に、第2電流値Ioの印加電流および第2電圧値Voの印加電圧を印加することなく、第1電流値Imの印加電流または第1電圧値Vmの印加電圧を被測定物22に印加した場合は、図12に示すように、導通面積が小さく、したがって大きな集中抵抗が生じる。
The applied current or the first voltage of the first current value Im without applying the applied current of the second current value Io and the applied voltage of the second voltage value Vo to the object to be measured 22 via each
本実施の形態では、電気特性の測定にあたっては、ステップa4で、テスタ制御部28は、第1電流値Imを超える第2電流値Ioの印加電流を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加することができるように定電流電源30を制御する。またステップa10で、テスタ制御部28は、第1電圧値Vmを超える第2電圧値Voの印加電圧を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加することができるように定電圧電源31を制御する。
In the present embodiment, in measuring the electrical characteristics, in step a4, the
第2電流値Ioの印加電流を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加したとき、および第2電圧値Voの印加電圧を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加したとき、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bには、高い電圧がかかるので、間接接触部分にも、電流が流れる。間接接触部分に、一旦、電流が流れると、この間接接触部分では、雪崩降伏現象が生じる。これによって各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bでは、図11に示すように、導通面積が拡大し、集中抵抗が低下する。このようにして、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bでは、集中抵抗を含む接触抵抗が低下する。
When the applied current of the second current value Io is applied to the device under
間接接触部分に、一旦、電流が流れ、この間接接触部分で、雪崩降伏現象が生じると、前述のようにして、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bの接触抵抗は低下し、この接触抵抗が低下した状態は、電流の増減にかかわらず、電流が切断されるまで持続する。
Once an electric current flows through the indirect contact portion and an avalanche breakdown phenomenon occurs in the indirect contact portion, the contact resistance of the
この現象を利用して、本実施の形態では、ステップa5で、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加する印加電流を、前記第2電流値Ioから第1電流値Imに連続的に低下させることができるように定電流電源30を制御する。そしてステップa6で、テスタ制御部28は、前記第1電流値Imの印加電流が、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加された状態で、電圧計32による測定結果を取得する。またステップa11で、テスタ制御部28は、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加する印加電圧を、前記第2電圧値Voから第1電圧値Vmに連続的に低下させることができるように定電圧電源31を制御する。そしてステップa12で、テスタ制御部28は、前記第1電圧値Vmの印加電圧が、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加された状態で、電流計33による測定結果を取得する。
Using this phenomenon, in the present embodiment, in step a5, the
このように本実施の形態によれば、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bの接触抵抗を低下させた状態で、被測定物22の電気特性を測定するので、被測定物22の電気特性を正確に測定することができる。
As described above, according to the present embodiment, the electrical characteristics of the device under
また、前述のようにして各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bの接触抵抗を低下させた状態で、被測定物22の電気特性を測定するので、被測定物22の電気特性を正確に測定するために、前記第1の従来の技術のように、多くの接触子を被測定物22に接触させる必要がない。したがって小形化された被測定物22の電気特性を、容易に測定することができる。
In addition, since the electrical characteristics of the device under
また、前述のようにして各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bの接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、前記接触部43a,43bの接触抵抗を低下させるために、前記第2の従来の技術のように、各接触子23a,23bを被測定物22に押付ける押付力を大きくする必要がない。したがって小形化に伴って脆弱化した被測定物22であっても、破損させることなく、電気特性を測定することができる。
Further, as described above, a state in which the contact resistances of the
また、前述のようにして各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bの接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触面圧を大きくして、接触部43a,43bの接触抵抗を低下させるために、前記第3の従来の技術のように、各接触子23a,23bの先端部を先細状にして、各接触子23a,23bと被測定物22との接触部43a,43bを小さくする必要がない。したがって各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bを大きくして、各接触子23a,23bと被測定物22とを安定した状態で接触させることができ、電気特性を容易に測定することができる。
In addition, since the contact resistances of the
また、前述のように各接触子23a,23bと被測定物22とを安定した状態で接触させることができるので、電気特性の測定に対する信頼性の向上を図ることができる。また、小形化の進む発光ダイオードなどの被測定物22の電気特性の測定にあたって、前記第3の従来の技術のように、精密接触技術を必要としないので、測定装置21の低価格化を図ることができる。
Further, as described above, since the
また本実施の形態によれば、第2電流値Ioは、被測定物22の最大定格電流値よりも小さく、かつ2Im≦Ioに選ばれる。第2電流値Ioが前記最大定格電流値よりも大きく選ばれると、被測定物22の電気特性に対する信頼性が低下する。また第2電流値Ioが第1電流値Imの2倍未満に選ばれると、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bには、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。
Further, according to the present embodiment, the second current value Io is selected to be smaller than the maximum rated current value of the
また第2電圧値Voは、被測定物22の最大定格電圧値よりも小さく、かつ1.1Vm≦Voに選ばれる。第2電圧値Voが前記最大定格電圧値よりも大きく選ばれると、被測定物22の電気特性に対する信頼性が低下する。また第2電圧値Voが第1電圧値Vmの1.1倍未満に選ばれると、各接触子23a,23bおよび被測定物22の接触部43a,43bには、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。
The second voltage value Vo is selected to be smaller than the maximum rated voltage value of the
また本実施の形態によれば、定電流電源30からの印加電流は、電流波形がパルス状であり、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、この立ち上がり時間をTr1としたとき、0<Tr1≦1msecに選ばれる。また定電圧電源31からの印加電圧は、電圧波形がパルス状であり、この立ち上がり時間をTr2としたとき、0<Tr2≦1msecに選ばれる。このように前記各立ち上がり時間Tr1,Tr2が、1msec以下に選ばれることによって、接触抵抗の低下を効果的に達成することができる。前記各立ち上がり時間Tr1、Tr2が1msecを超えると、接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。前記各立ち上がり時間Tr1,Tr2は、短いほどよい。
In addition, according to the present embodiment, the applied current from the constant
本実施の形態では、第2電流値Ioの印加電流を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加することによる測定時間の延長、および第2電圧値Voの印加電圧を、各接触子23a,23bを介して被測定物22に印加することによる測定時間の延長は、それぞれ数msec〜10msec程度であり、測定装置21の処理能力に大きな影響を与えるものではない。
In the present embodiment, the application time of the second current value Io is applied to the
前述の実施の形態は、本発明の例示に過ぎず、本発明の範囲内において構成を変更することができる。前述の実施の形態では、測定装置21が測定する電気特性は電圧電流特性であるが、測定装置21は、電圧電流特性以外の種々の電気特性をも測定することができるように構成してもよい。 The above-described embodiment is merely an example of the present invention, and the configuration can be changed within the scope of the present invention. In the above-described embodiment, the electrical characteristic measured by the measuring device 21 is a voltage-current characteristic. However, the measuring device 21 may be configured to measure various electrical characteristics other than the voltage-current characteristic. Good.
測定装置21は、発光ダイオードだけに限らず、半導体レーザ装置およびトランジスタなどの種々の電子部品の電気特性の測定に用いてもよい。また測定装置21は、テーピング機の極性チェッカとして用いてもよい。テーピング機の極性チェッカとして用いられる場合、測定装置21には、前述のように測定結果に基づいて検査結果を生成して被測定物22を分類する分類機能は必要ない。 The measuring device 21 is not limited to the light emitting diode but may be used for measuring electrical characteristics of various electronic components such as a semiconductor laser device and a transistor. Moreover, you may use the measuring apparatus 21 as a polarity checker of a taping machine. When used as a polarity checker of a taping machine, the measuring device 21 does not need a classification function for generating the inspection result based on the measurement result and classifying the object to be measured 22 as described above.
21 測定装置
22 被測定物
23a,23b 接触子
25 供給手段
26 測定手段
27 切換手段
28 テスタ制御部
30 定電流電源
31 定電圧電源
32 電圧計
33 電流計
35 ハンドラ制御部
55 定電流回路
56 電圧制限回路
61 検査装置
62 ハンドラ
63 供給部
64 測定部
65 分類収納部
66 分類部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21
Claims (5)
前記第1電流値を超える予め定める第2電流値の印加電流または前記第1電圧値を超える予め定める第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する工程と、
前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第2電流値から第1電流値に連続的に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第2電圧値から第1電圧値に連続的に低下させる工程と、
前記第1電流値の印加電流または前記第1電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する工程とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定方法。 The contact is brought into contact with the object to be measured, and the applied current of the predetermined first current value or the applied voltage of the predetermined first voltage value is applied to the measured object through the contact, A method of measuring electrical characteristics of an electronic component that measures electrical characteristics through the contact,
Applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured via the contact;
An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is continuously reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact, Continuously reducing the second voltage value to the first voltage value;
In a state where the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the measured object via the contact, the electrical characteristics of the measured object are measured via the contact. And a method for measuring electrical characteristics of the electronic component.
印加電流または印加電圧を供給する供給手段と、
供給手段からの印加電流または印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する測定手段と、
前記第1電流値を超える予め定める第2電流値の印加電流または前記第1電圧値を超える予め定める第2電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後に、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第2電流値から第1電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第2電圧値から第1電圧値に低下させることができるように供給手段を制御するとともに、前記第1電流値の印加電流または前記第1電圧値の印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、前記測定手段による測定結果を取得する制御手段とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定装置。 The contact is brought into contact with the object to be measured, and the applied current of the predetermined first current value or the applied voltage of the predetermined first voltage value is applied to the measured object through the contact, An apparatus for measuring electrical characteristics of an electronic component that measures electrical characteristics through the contact,
Supply means for supplying an applied current or applied voltage;
A measuring means for measuring an electrical property of the object to be measured through the contact in a state where an applied current or an applied voltage from the supply means is applied to the object to be measured through the contact;
After applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured through the contact, An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact is the second voltage. The supply means is controlled so that the voltage can be lowered from the value to the first voltage value, and the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured via the contact. And a control unit that acquires a measurement result obtained by the measurement unit in an applied state.
または前記第2電圧値は、被測定物の最大定格電圧値よりも小さく、かつ第1電圧値をVmとし、第2電圧値をVoとしたとき、1.1Vm≦Voに選ばれることを特徴とする請求項2記載の電子部品の電気特性の測定装置。 When the second current value is smaller than the maximum rated current value of the object to be measured, the first current value is Im, and the second current value is Io, 2Im ≦ Io is selected.
Alternatively, when the second voltage value is smaller than the maximum rated voltage value of the object to be measured, the first voltage value is Vm, and the second voltage value is Vo, 1.1 Vm ≦ Vo is selected. The apparatus for measuring electrical characteristics of an electronic component according to claim 2.
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