JP2006010572A

JP2006010572A - Method of measuring electric characteristic of electronic component, and measuring instrument therefor

Info

Publication number: JP2006010572A
Application number: JP2004189900A
Authority: JP
Inventors: Shinichiro Nakatani; 信一郎中谷
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2004-06-28
Filing date: 2004-06-28
Publication date: 2006-01-12

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of measuring an electric characteristic of an electronic component capable of measuring easily and accurately the electric characteristic of a small-sized measured object, without damaging the measured object, and a measuring instrument therefor. <P>SOLUTION: The measured object 22 is brought into contact with the first and second contacts 23a, 23b. When measuring the electric characteristic, a tester control part 28 controls a constant-current electric power source 30 to bring an impression current impressed to the measured object 22 via the contacts 23a, 23b at first to the second current value Io exceeding the first current value Im for measurement, and to be thereafter lowered continuously from the second current value Io to the first current value Im. The tester control part 28 acquires a measuring result by a voltmeter 32, under the condition where the impression current of the first current value Im is impressed to the measured object 22 via the contacts 23a, 23b. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、被測定物に接触子を接触させ、所定の電流値の印加電流または所定の電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定方法およびその測定装置に関する。 In the present invention, a contact is brought into contact with an object to be measured, and an applied current having a predetermined current value or an applied voltage having a predetermined voltage value is applied to the object to be measured through the contact. The present invention relates to a method for measuring electrical characteristics of an electronic component for measuring electrical characteristics through the contact, and a measuring apparatus therefor.

半導体装置の検査の１つに、電気特性検査がある。電気特性検査を行う検査装置では、電気特性が検査されるべき被測定物である半導体装置の電極に接触子を接触させ、所定の電流値の印加電流または所定の電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して半導体装置に印加した状態で、半導体装置の電気特性を、前記接触子を介して測定する。このようにして、半導体装置の電気特性を測定した後、検査装置は、測定結果に基づいて、半導体装置の良否を判定する。このような検査装置では、接触子と半導体装置の電極との接触部で生じる接触抵抗によって、電気特性の測定精度が低下し、これによって誤判定が生じてしまうという問題がある。この問題を解決する技術として、後述の第１〜第３の従来の技術が周知である。 One of inspections of semiconductor devices is an electrical characteristic inspection. In an inspection apparatus that performs an electrical property inspection, a contact is brought into contact with an electrode of a semiconductor device that is an object to be inspected for electrical characteristics, and an applied current of a predetermined current value or an applied voltage of a predetermined voltage value is The electrical characteristics of the semiconductor device are measured through the contact while being applied to the semiconductor device through the contact. After measuring the electrical characteristics of the semiconductor device in this way, the inspection device determines the quality of the semiconductor device based on the measurement result. In such an inspection apparatus, there is a problem that measurement accuracy of electrical characteristics is lowered due to contact resistance generated at a contact portion between the contact and the electrode of the semiconductor device, thereby causing erroneous determination. As techniques for solving this problem, first to third conventional techniques described later are well known.

図１３は、第１の従来の技術におけるケルビン接続を説明するための回路図であり、図１４は電子部品１と各接触子２ａ〜２ｄとの接触状態を示す平面図である。第１の従来の技術は、特許文献１に記載されている。特許文献１の電子部品の測定装置は、電子部品１の電気特性を、ケルビン接続によって測定する。ケルビン接続では、電子部品１に印加する印加電圧を補正することによって、接触抵抗による電圧降下を吸収し、測定誤差を低減する。 FIG. 13 is a circuit diagram for explaining Kelvin connection in the first prior art, and FIG. 14 is a plan view showing a contact state between the electronic component 1 and each of the contacts 2a to 2d. The first conventional technique is described in Patent Document 1. The electronic component measuring apparatus of Patent Document 1 measures the electrical characteristics of the electronic component 1 by Kelvin connection. In the Kelvin connection, the voltage drop due to the contact resistance is absorbed by correcting the applied voltage applied to the electronic component 1, and the measurement error is reduced.

ケルビン接続では、電子部品１の各電極３ａ，３ｂに、印加電圧を印加するための印加用接触子２ａ，２ｂと、電子部品１にかかる電圧を検出するための検出用接触子２ｃ，２ｄとを、それぞれ接触させる。電子部品１の電気特性を測定するにあたっては、定電圧電源４からの印加電圧を、前記印加用接触子２ａ，２ｂを介して電子部品１に供給し、電子部品１の電気特性を測定する。このとき、電子部品１の各電極３ａ，３ｂ間の電圧を、前記検出用接触子２ｃ，２ｄを介して検出し、検出結果に基づいて定電圧電源４からの印加電圧を補正する。これによって印加用接触子２ａ，２ｂと電子部品１の電極３ａ，３ｂとの接触部５ａ，５ｂの接触抵抗による電圧降下を吸収することができ、電子部品の電気特性を正確に測定することができる。 In Kelvin connection, application contacts 2a and 2b for applying an applied voltage to the electrodes 3a and 3b of the electronic component 1, and detection contacts 2c and 2d for detecting a voltage applied to the electronic component 1 are provided. Are brought into contact with each other. In measuring the electrical characteristics of the electronic component 1, the applied voltage from the constant voltage power supply 4 is supplied to the electronic component 1 through the application contacts 2 a and 2 b, and the electrical characteristics of the electronic component 1 are measured. At this time, the voltage between the electrodes 3a and 3b of the electronic component 1 is detected via the detection contacts 2c and 2d, and the applied voltage from the constant voltage power source 4 is corrected based on the detection result. As a result, the voltage drop due to the contact resistance of the contact portions 5a and 5b between the application contacts 2a and 2b and the electrodes 3a and 3b of the electronic component 1 can be absorbed, and the electrical characteristics of the electronic component can be accurately measured. it can.

図１５は、第２の従来の技術における半導体装置７と各接触子８ａ，８ｂとの接触状態を示す平面図であり、図１６は半導体装置７と各接触子８ａ，８ｂとの接触状態の図１５の下方から見た側面図である。第２の従来の技術では、接触子８ａ，８ｂを半導体装置７の電極９ａ，９ｂに押付ける押付力を大きくすることによって、接触抵抗を低下させ、測定誤差を低減する。 FIG. 15 is a plan view showing a contact state between the semiconductor device 7 and each contact 8a, 8b in the second prior art, and FIG. 16 shows a contact state between the semiconductor device 7 and each contact 8a, 8b. It is the side view seen from the downward direction of FIG. In the second conventional technique, by increasing the pressing force for pressing the contacts 8a, 8b against the electrodes 9a, 9b of the semiconductor device 7, the contact resistance is reduced and the measurement error is reduced.

詳細に述べると、接触子８ａ，８ｂの表面部および半導体装置７の電極９ａ，９ｂの表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような接触子８ａ，８ｂおよび電極９ａ，９ｂが接触する。それ故、微視的に見ると、接触子８ａ，８ｂおよび電極９ａ，９ｂの接触部１０ａ，１０ｂには、接触子８ａ，８ｂの表面部と電極９ａ，９ｂの表面部とが直接、接触している直接接触部分と、接触子８ａ，８ｂの表面部と電極９ａ，９ｂの表面部とが皮膜を介して接触している間接接触部分と、接触子８ａ，８ｂの表面部と電極９ａ，９ｂの表面部とが接触していない非接触部分とがある。 More specifically, the surface portions of the contacts 8a and 8b and the surface portions of the electrodes 9a and 9b of the semiconductor device 7 are uneven when viewed microscopically and are covered with a film such as an oxide film. Such contacts 8a and 8b and electrodes 9a and 9b come into contact. Therefore, when viewed microscopically, the surface portions of the contacts 8a and 8b and the surface portions of the electrodes 9a and 9b are in direct contact with the contact portions 10a and 10b of the contacts 8a and 8b and the electrodes 9a and 9b. The direct contact portion, the indirect contact portion where the surface portions of the contacts 8a and 8b and the surface portions of the electrodes 9a and 9b are in contact with each other through the film, the surface portion of the contacts 8a and 8b and the electrode 9a , 9b and a non-contact portion that is not in contact with the surface portion.

各接触子８ａ，８ｂを半導体装置７に押付ける図１５の矢符１１ａ，１１ｂの方向の押付力を大きくすると、直接接触部分が押し潰されて拡大するので、電流の集中による集中抵抗が低下し、接触子８ａ，８ｂと電極９ａ，９ｂとの間の接触抵抗が低下する。これによって電気特性の測定精度を向上することができる。 When the pressing force in the directions of arrows 11a and 11b in FIG. 15 that press the contacts 8a and 8b against the semiconductor device 7 is increased, the direct contact portion is crushed and expanded, so that the concentrated resistance due to current concentration is reduced. In addition, the contact resistance between the contacts 8a and 8b and the electrodes 9a and 9b decreases. As a result, the measurement accuracy of electrical characteristics can be improved.

図１７は、第３の従来の技術における半導体装置１３と各接触子１４ａ，１４ｂとの接触状態を示す側面図である。第３の従来の技術では、接触子１４ａ，１４ｂとして、その先端部１５ａ，１５ｂが先細状であるものを用いることによって、接触子１４ａ，１４ｂと半導体装置１３の電極１６ａ，１６ｂとの接触部１７ａ，１７ｂを小さくする。これによって接触子１４ａ，１４ｂを電極１６ａ，１６ｂに押付ける押付力を大きくすることなく、接触子１４ａ，１４ｂと電極１６ａ，１６ｂとの間の接触面圧を大きくする。この第３の従来の技術では、前記第２の従来の技術と同様の原理で、接触抵抗を低下させ、測定誤差を低減する。 FIG. 17 is a side view showing a contact state between the semiconductor device 13 and the contacts 14a and 14b in the third prior art. In the third prior art, contact portions between the contacts 14a and 14b and the electrodes 16a and 16b of the semiconductor device 13 are used as the contacts 14a and 14b by using tapered tips 15a and 15b. 17a and 17b are made small. This increases the contact surface pressure between the contacts 14a, 14b and the electrodes 16a, 16b without increasing the pressing force pressing the contacts 14a, 14b against the electrodes 16a, 16b. In the third conventional technique, the contact resistance is lowered and the measurement error is reduced based on the same principle as the second conventional technique.

実開昭６３−６０９６７号公報Japanese Utility Model Publication No. 63-60967

前記第１の従来の技術では、電子部品１の各電極３ａ，３ｂに、印加用接触子２ａ，２ｂおよび検出用接触子２ｃ，２ｄをそれぞれ接触させる必要があるが、近年の小形化された半導体装置では、その半導体装置の各電極に、２つの接触子をそれぞれ接触させるのは困難であるという問題がある。 In the first prior art, it is necessary to contact the application contacts 2a and 2b and the detection contacts 2c and 2d with the electrodes 3a and 3b of the electronic component 1, respectively. In a semiconductor device, there is a problem that it is difficult to bring two contacts into contact with each electrode of the semiconductor device.

前記第２の従来の技術では、接触子８ａ，８ｂを半導体装置７の電極９ａ，９ｂに押付ける押付力を大きくするので、半導体装置７を破損させてしまうという問題がある。特に、近年の小形化された半導体装置は、小形化に伴って脆弱化しており、したがって前記押付力は、できるだけ小さい方が好ましい。 In the second conventional technique, since the pressing force for pressing the contacts 8a, 8b against the electrodes 9a, 9b of the semiconductor device 7 is increased, there is a problem that the semiconductor device 7 is damaged. In particular, recent miniaturized semiconductor devices are becoming weaker with downsizing, and therefore the pressing force is preferably as small as possible.

前記第３の従来の技術では、半導体装置１３の配置、および半導体装置１３の電極１６ａ，１６ｂの傾きなどによって、各接触子１４ａ，１４ｂの軸線と半導体装置１３の中心軸線１８とがずれたとき、半導体装置１３を、各接触子１４ａ，１４ｂによって確実に挟むことができない。したがって接触子１４ａ，１４ｂと電極１６ａ，１６ｂとを安定した状態で接触させることが困難であるという問題がある。それ故、半導体装置１３を落下させたり、接触不良が生じたりしてしまう。 In the third prior art, when the axis of each contactor 14a, 14b and the center axis 18 of the semiconductor device 13 are shifted due to the arrangement of the semiconductor device 13 and the inclination of the electrodes 16a, 16b of the semiconductor device 13, etc. The semiconductor device 13 cannot be reliably sandwiched between the contacts 14a and 14b. Therefore, there is a problem that it is difficult to contact the contacts 14a, 14b and the electrodes 16a, 16b in a stable state. Therefore, the semiconductor device 13 is dropped or contact failure occurs.

本発明の目的は、小形化された被測定物の電気特性を、その被測定物を破損させることなく、容易かつ正確に、測定することができる電子部品の電気特性の測定方法およびその測定装置を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for measuring the electrical characteristics of an electronic component that can easily and accurately measure the electrical characteristics of a miniaturized measurement object without damaging the measurement object. Is to provide.

本発明は、被測定物に接触子を接触させ、予め定める第１電流値の印加電流または予め定める第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定方法であって、
前記第１電流値を超える予め定める第２電流値の印加電流または前記第１電圧値を超える予め定める第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する工程と、
前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第２電流値から第１電流値に連続的に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第２電圧値から第１電圧値に連続的に低下させる工程と、
前記第１電流値の印加電流または前記第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する工程とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定方法である。 In the present invention, the contact is brought into contact with the object to be measured, and the application current of the predetermined first current value or the application voltage of the predetermined first voltage value is applied to the object to be measured through the contact, A method for measuring electrical characteristics of an electronic component for measuring electrical characteristics of an object to be measured through the contact,
Applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured via the contact;
An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is continuously reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact, Continuously reducing the second voltage value to the first voltage value;
In a state where the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the measured object via the contact, the electrical characteristics of the measured object are measured via the contact. A method for measuring electrical characteristics of an electronic component.

また本発明は、被測定物に接触子を接触させ、予め定める第１電流値の印加電流または予め定める第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定装置であって、
印加電流または印加電圧を供給する供給手段と、
供給手段からの印加電流または印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する測定手段と、
前記第１電流値を超える予め定める第２電流値の印加電流または前記第１電圧値を超える予め定める第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後に、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第２電流値から第１電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第２電圧値から第１電圧値に低下させることができるように供給手段を制御するとともに、前記第１電流値の印加電流または前記第１電圧値の印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、前記測定手段による測定結果を取得する制御手段とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定装置である。 In the present invention, the contact is brought into contact with the object to be measured, and a predetermined applied current of the first current value or a predetermined applied voltage of the first voltage value is applied to the measured object through the contact. , An electrical property measuring device for an electronic component that measures electrical properties of an object to be measured through the contact,
Supply means for supplying an applied current or applied voltage;
A measuring means for measuring an electrical property of the object to be measured through the contact in a state where an applied current or an applied voltage from the supply means is applied to the object to be measured through the contact;
After applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured through the contact, An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact is the second voltage. The supply means is controlled so that the voltage can be lowered from the value to the first voltage value, and the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured via the contact. And a control unit that acquires a measurement result obtained by the measurement unit in an applied state.

また本発明は、前記第２電流値は、被測定物の最大定格電流値よりも小さく、かつ第１電流値をＩｍとし、第２電流値をＩｏとしたとき、２Ｉｍ≦Ｉｏに選ばれ、
または前記第２電圧値は、被測定物の最大定格電圧値よりも小さく、かつ第１電圧値をＶｍとし、第２電圧値をＶｏとしたとき、１．１Ｖｍ≦Ｖｏに選ばれることを特徴とする。 In the present invention, when the second current value is smaller than the maximum rated current value of the object to be measured, the first current value is Im, and the second current value is Io, 2Im ≦ Io is selected,
Alternatively, when the second voltage value is smaller than the maximum rated voltage value of the object to be measured, the first voltage value is Vm, and the second voltage value is Vo, 1.1 Vm ≦ Vo is selected. And

また本発明は、前記供給手段は、印加電流を供給しているときに、被測定物にかかる電圧が被測定物の最大定格電圧値を超えないように、被測定物にかかる電圧を制限する電圧制限手段、または印加電圧を供給しているときに、被測定物に流れる電流が被測定物の最大定格電流値を超えないように、被測定物に流れる電流を制限する電流制限手段を含むことを特徴とする。 In the present invention, the supply means limits the voltage applied to the device under test so that the voltage applied to the device under test does not exceed the maximum rated voltage value of the device under test when supplying the applied current. Includes voltage limiting means, or current limiting means for limiting the current flowing through the device under test so that the current flowing through the device under test does not exceed the maximum rated current value of the device under test when the applied voltage is supplied. It is characterized by that.

また本発明は、供給手段からの印加電流または印加電圧は、電流波形または電圧波形がパルス状であり、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間または印加電圧の印加開始時における印加電圧の立ち上がり時間は、各立ち上がり時間をＴｒ１，Ｔｒ２としたとき、０＜Ｔｒ１≦１ｍｓｅｃまたは０＜Ｔｒ２≦１ｍｓｅｃに選ばれることを特徴とする。 Further, according to the present invention, the applied current or applied voltage from the supply means is such that the current waveform or voltage waveform is pulsed, and the rise time of the applied current at the start of applying the applied current or the applied voltage at the start of applying the applied voltage. The rising time is characterized in that 0 <Tr1 ≦ 1 msec or 0 <Tr2 ≦ 1 msec, where Tr1 and Tr2 are the rising times.

本発明によれば、被測定物に接触子を接触させる。この状態で、予め定める第１電流値の印加電流または予め定める第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する。このときに、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する。 According to the present invention, the contact is brought into contact with the object to be measured. In this state, an applied current having a predetermined first current value or an applied voltage having a predetermined first voltage value is applied to the object to be measured through the contact. At this time, the electrical characteristics of the object to be measured are measured through the contact.

接触子の表面部および被測定物の表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような接触子および被測定物が接触する。それ故、微視的に見ると、接触子および被測定物の接触部には、接触子および被測定物が直接、接触している直接接触部分と、接触子および被測定物が皮膜を介して接触している間接接触部分と、接触子および被測定物が接触していない非接触部分とがある。接触子および被測定物の接触部は、微小な直接接触部分および微小な間接接触部分による多点接触状態となっている。 The surface portion of the contactor and the surface portion of the object to be measured are uneven when viewed microscopically and are covered with a film such as an oxide film. Such a contact and an object to be measured come into contact. Therefore, when viewed microscopically, the contact portion between the contactor and the object to be measured has a direct contact portion where the contactor and the object to be measured are in direct contact, and the contactor and the object to be measured are interposed through the film. There are indirect contact portions that are in contact with each other and non-contact portions where the contact and the object to be measured are not in contact. The contact portion and the contact portion of the object to be measured are in a multipoint contact state with a minute direct contact portion and a minute indirect contact portion.

このような接触子および被測定物の接触部では、電圧が印加されたときに、直接接触部分に、電流が集中し、集中抵抗が生じる。このようにして、接触子および被測定物の接触部では、集中抵抗を含む接触抵抗が生じる。 In such a contact portion and a contact portion of the object to be measured, when a voltage is applied, current concentrates directly on the contact portion, and concentrated resistance is generated. In this way, contact resistance including concentrated resistance is generated at the contact portion between the contact and the object to be measured.

本発明では、電気特性の測定にあたっては、まず、第１電流値を超える予め定める第２電流値の印加電流または第１電圧値を超える予め定める第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する。このとき、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかかるので、間接接触部分にも、電流が流れる。間接接触部分に、一旦、電流が流れると、この間接接触部分では、雪崩降伏現象が生じる。これによって接触子および被測定物の接触部では、導通面積が拡大し、集中抵抗が低下する。このようにして、接触子および被測定物の接触部では、集中抵抗を含む接触抵抗が低下する。 In the present invention, in measuring the electrical characteristics, first, an applied current having a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage having a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value is applied to the contactor. Applied to the object to be measured. At this time, since a high voltage is applied to the contact portion and the contact portion of the object to be measured, a current also flows to the indirect contact portion. Once a current flows through the indirect contact portion, an avalanche breakdown phenomenon occurs in the indirect contact portion. As a result, in the contact portion between the contact and the object to be measured, the conduction area is enlarged and the concentrated resistance is lowered. In this way, contact resistance including concentrated resistance is reduced at the contact portion between the contact and the object to be measured.

間接接触部分に、一旦、電流が流れ、この間接接触部分で、雪崩降伏現象が生じると、前述のようにして、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗は低下し、この接触抵抗が低下した状態は、電流の増減にかかわらず、電流が切断されるまで持続する。この現象を利用して、本発明では、第２電流値の印加電流または第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第２電流値から第１電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第２電圧値から第１電圧値に低下させる。そして前記第１電流値の印加電流または前記第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する。本発明では、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態で、被測定物の電気特性を測定するので、被測定物の電気特性を正確に測定することができる。 Once an electric current flows through the indirect contact portion and an avalanche breakdown occurs in the indirect contact portion, the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the object to be measured decreases as described above. The lowered state continues until the current is cut off regardless of the increase or decrease of the current. By utilizing this phenomenon, in the present invention, the applied current of the second current value or the applied voltage of the second voltage value is applied to the measurement object via the contact, and then measured via the contact. The applied current applied to the object is reduced from the second current value to the first current value, or the applied voltage applied to the object to be measured through the contact is changed from the second voltage value to the first voltage value. Reduce. Then, the electrical property of the object to be measured is measured via the contact while the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured via the contact. To do. In the present invention, since the electrical characteristics of the measurement object are measured in a state where the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the measurement object is lowered, the electrical characteristics of the measurement object can be accurately measured.

また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態で、被測定物の電気特性を測定するので、被測定物の電気特性を正確に測定するために、前記第１の従来の技術のように、多くの接触子を被測定物に接触させる必要がない。したがって小形化された被測定物の電気特性を、容易に測定することができる。 In addition, since the electrical characteristics of the object to be measured are measured with the contact resistance of the contact portion and the contact part of the object to be measured lowered as described above, in order to accurately measure the electrical characteristics of the object to be measured. As in the first prior art, it is not necessary to bring many contacts into contact with the object to be measured. Therefore, it is possible to easily measure the electrical characteristics of the object to be miniaturized.

また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、前記接触部の接触抵抗を低下させるために、前記第２の従来の技術のように、接触子を被測定物に押付ける押付力を大きくする必要がない。したがって小形化に伴って脆弱化した被測定物であっても、破損させることなく、電気特性を測定することができる。 In addition, since the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the object to be measured can be realized as described above, the second conventional method is used to reduce the contact resistance of the contact portion. Unlike the technology, there is no need to increase the pressing force for pressing the contact against the object to be measured. Therefore, even if the object to be measured is weakened with downsizing, the electrical characteristics can be measured without being damaged.

また、前述のようにして接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、接触子および被測定物の接触面圧を大きくして、接触部の接触抵抗を低下させるために、前記第３の従来の技術のように、接触子の先端部を先細状にして、接触子と被測定物との接触部を小さくする必要がない。したがって接触子および被測定物の接触部を大きくして、接触子と被測定物とを安定した状態で接触させることができ、電気特性を容易に測定することができる。 In addition, since the contact resistance of the contact portion between the contact and the object to be measured can be reduced as described above, the contact surface pressure of the contact and the object to be measured can be increased to increase the contact portion of the contact portion. In order to reduce the contact resistance, unlike the third prior art, it is not necessary to taper the tip of the contact and reduce the contact between the contact and the object to be measured. Therefore, the contact portion between the contact and the object to be measured can be enlarged so that the contact and the object to be measured can be brought into stable contact with each other, and the electrical characteristics can be easily measured.

また本発明によれば、被測定物には、接触子が接触される。この状態で、供給手段によって、印加電流または印加電圧が供給され、供給手段からの印加電流または印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加される。このときに、測定手段によって、被測定物の電気特性が、前記接触子を介して測定される。 According to the invention, the contact is brought into contact with the object to be measured. In this state, an applied current or applied voltage is supplied by the supplying means, and an applied current or applied voltage from the supplying means is applied to the object to be measured through the contact. At this time, the electrical characteristics of the object to be measured are measured by the measuring means through the contact.

接触子の表面部および被測定物の表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような接触子および被測定物が接触する。それ故、微視的に見ると、接触子および被測定物の接触部には、接触子および被測定物が直接、接触している直接接触部分と、接触子および被測定物が皮膜を介して接触している間接接触部分と、接触子および被測定物が接触していない非接触部分とがある。接触子および被測定物の接触部は、微小な直接接触部分および微小な間接接触部分による多点接触状態となっている。 The surface portion of the contactor and the surface portion of the object to be measured are uneven when viewed microscopically and are covered with a film such as an oxide film. Such a contact and an object to be measured come into contact. Therefore, when viewed microscopically, the contact portion between the contactor and the object to be measured has a direct contact portion where the contactor and the object to be measured are in direct contact, and the contactor and the object to be measured pass through the film. There are indirect contact portions that are in contact with each other and non-contact portions where the contact and the object to be measured are not in contact. The contact portion and the contact portion of the object to be measured are in a multipoint contact state with a minute direct contact portion and a minute indirect contact portion.

本発明では、電気特性の測定にあたっては、まず、制御手段は、測定用の第１電流値を超える予め定める第２電流値の印加電流または測定用の第１電圧値を超える予め定める第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加することができるように供給手段を制御する。このとき、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかかるので、間接接触部分にも、電流が流れる。間接接触部分に、一旦、電流が流れると、この間接接触部分では、雪崩降伏現象が生じる。これによって接触子および被測定物の接触部では、導通面積が拡大し、集中抵抗が低下する。このようにして、接触子および被測定物の接触部では、集中抵抗を含む接触抵抗が低下する。 In the present invention, in measuring the electrical characteristics, first, the control means applies an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value for measurement or a predetermined second voltage exceeding the first voltage value for measurement. The supply means is controlled so that a value applied voltage can be applied to the object to be measured via the contact. At this time, since a high voltage is applied to the contact portion and the contact portion of the object to be measured, a current also flows to the indirect contact portion. Once a current flows through the indirect contact portion, an avalanche breakdown phenomenon occurs in the indirect contact portion. As a result, in the contact portion between the contact and the object to be measured, the conduction area is enlarged and the concentrated resistance is lowered. In this way, contact resistance including concentrated resistance is reduced at the contact portion between the contact and the object to be measured.

間接接触部分に、一旦、電流が流れ、この間接接触部分で、雪崩降伏現象が生じると、前述のようにして、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗は低下し、この接触抵抗が低下した状態は、電流の増減にかかわらず、電流が切断されるまで持続する。この現象を利用して、本発明では、制御手段は、第２電流値の印加電流または第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後に、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第２電流値から第１電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第２電圧値から第１電圧値に低下させることができるように供給手段を制御する。そして制御手段は、前記第１電流値の印加電流または前記第１電圧値の印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加されているときに、前記測定手段による測定結果を取得する。本発明では、接触子および被測定物の接触部の接触抵抗を低下させた状態で、被測定物の電気特性を測定するので、被測定物の電気特性を正確に測定することができる。 Once an electric current flows through the indirect contact portion and an avalanche breakdown occurs in the indirect contact portion, the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the object to be measured decreases as described above. The lowered state continues until the current is cut off regardless of the increase or decrease of the current. By utilizing this phenomenon, in the present invention, the control means applies the second current value applied voltage or the second voltage value applied voltage to the object to be measured via the contact, and then the contactor An applied current to be applied to the object to be measured is reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact is changed from the second voltage value to the first current value. The supply means is controlled so that the voltage can be reduced to one voltage value. The control means acquires the measurement result by the measurement means when the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured through the contact. . In the present invention, since the electrical characteristics of the measurement object are measured in a state where the contact resistance of the contact portion and the contact portion of the measurement object is lowered, the electrical characteristics of the measurement object can be accurately measured.

また本発明によれば、供給手段からの印加電流が、前記接触子を介して被測定物に印加され、測定手段によって、被測定物にかかる電圧が測定される場合は、第２電流値は、被測定物の最大定格電流値よりも小さく、かつ２Ｉｍ≦Ｉｏに選ばれる。第２電流値が前記最大定格電流値よりも大きく選ばれると、被測定物の電気特性に対する信頼性が低下する。また第２電流値が第１電流値の２倍未満に選ばれると、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。 According to the invention, when the applied current from the supply means is applied to the object to be measured through the contact, and the voltage applied to the object to be measured is measured by the measuring means, the second current value is , Smaller than the maximum rated current value of the object to be measured and 2Im ≦ Io. When the second current value is selected to be larger than the maximum rated current value, the reliability of the measured object with respect to the electrical characteristics is lowered. If the second current value is selected to be less than twice the first current value, a high voltage is not applied to the contact portion of the contact and the object to be measured, and current does not easily flow to the indirect contact portion. Therefore, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently.

また供給手段からの印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加され、測定手段によって、被測定物に流れる電流が測定される場合は、第２電圧値は、被測定物の最大定格電圧値よりも小さく、かつ１．１Ｖｍ≦Ｖｏに選ばれる。第２電圧値が前記最大定格電圧値よりも大きく選ばれると、被測定物の電気特性に対する信頼性が低下する。また第２電圧値が第１電圧値の１．１倍未満に選ばれると、接触子および被測定物の接触部には、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。 When the applied voltage from the supply means is applied to the object to be measured via the contact and the current flowing through the object to be measured is measured by the measuring means, the second voltage value is the maximum of the object to be measured. It is smaller than the rated voltage value and 1.1Vm ≦ Vo. When the second voltage value is selected to be larger than the maximum rated voltage value, the reliability of the measured object with respect to the electrical characteristics is lowered. When the second voltage value is selected to be less than 1.1 times the first voltage value, a high voltage is not applied to the contact portion of the contactor and the object to be measured, and a current hardly flows to the indirect contact portion. . Therefore, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently.

また本発明によれば、電圧制限手段によって、印加電流を供給しているときに被測定物にかかる電圧が、被測定物の最大定格電圧値を超えないように制限され、または電流制限手段によって、印加電圧を供給しているときに被測定物に流れる電流が、被測定物の最大定格電流値を超えないように制限されるので、被測定物の電気特性に対する信頼性の低下を防止することができる。 According to the invention, the voltage applied to the device under test when the applied current is supplied is limited by the voltage limiting device so as not to exceed the maximum rated voltage value of the device under test, or by the current limiting device. The current flowing through the device under test when the applied voltage is supplied is limited so that it does not exceed the maximum rated current value of the device under test. This prevents a decrease in the reliability of the device under electrical characteristics. be able to.

また本発明によれば、供給手段からの印加電流または印加電圧は、電流波形または電圧波形がパルス状である。印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間または印加電圧の印加開始時における印加電圧の立ち上がり時間は、各立ち上がり時間をＴｒ１，Ｔｒ２としたとき、０＜Ｔｒ１≦１ｍｓｅｃまたは０＜Ｔｒ２≦１ｍｓｅｃに選ばれる。前記各立ち上がり時間Ｔｒ１，Ｔｒ２が、１ｍｓｅｃ以下に選ばれることによって、接触抵抗の低下を効果的に達成することができる。前記各立ち上がり時間が１ｍｓｅｃを超えると、接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。前記各立ち上がり時間は、短いほどよい。 According to the invention, the applied current or applied voltage from the supply means has a current waveform or voltage waveform in a pulse shape. The rise time of the applied current at the start of application of the applied current or the rise time of the applied voltage at the start of application of the applied voltage is 0 <Tr1 ≦ 1 msec or 0 <Tr2 ≦ 1 msec when the respective rise times are Tr1 and Tr2. To be elected. By selecting each of the rising times Tr1 and Tr2 to be 1 msec or less, it is possible to effectively reduce the contact resistance. If each of the rising times exceeds 1 msec, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently. The shorter the rise times, the better.

図１は、本発明の実施の一形態である電子部品の電気特性の測定装置２１の電気的構成を示すブロック図である。電子部品の電気特性の測定装置（以下、単に「測定装置」という）２１は、被測定物２２に第１および第２接触子２３ａ，２３ｂを接触させ、予め定める第１電流値Ｉｍの印加電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加した状態で、被測定物２２の電気特性を測定する。また測定装置２１は、被測定物２２に第１および第２接触子２３ａ，２３ｂを接触させ、予め定める第１電圧値Ｖｍの印加電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加した状態で、被測定物２２の電気特性を測定する。 FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of a measurement device 21 for electrical characteristics of an electronic component according to an embodiment of the present invention. A measuring device (hereinafter simply referred to as “measuring device”) 21 for measuring the electrical characteristics of an electronic component brings the first and second contacts 23a and 23b into contact with the object 22 to be measured, and an applied current having a predetermined first current value Im. Is applied to the device under test 22 via the contacts 23a, 23b, and the electrical characteristics of the device under test 22 are measured. Further, the measuring device 21 brings the first and second contacts 23a and 23b into contact with the object 22 to be measured, and applies a predetermined applied voltage of the first voltage value Vm through the contacts 23a and 23b. The electrical characteristics of the object to be measured 22 are measured in a state where it is applied to.

本実施の形態において、電気特性はＤＣ特性であり、詳しくは電圧電流特性である。本実施の形態では、測定装置２１は、被測定物２２に各接触子２３ａ，２３ｂを接触させ、予め定める第１電流値Ｉｍの印加電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加した状態で、被測定物２２にかかる電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して測定し、これによって電気特性を得る。また測定装置２１は、被測定物２２に各接触子２３ａ，２３ｂを接触させ、予め定める第１電圧値Ｖｍの印加電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加した状態で、被測定物２２に流れる電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して測定し、これによって電気特性を得る。 In the present embodiment, the electrical characteristics are DC characteristics, and more specifically voltage-current characteristics. In the present embodiment, the measuring apparatus 21 causes the contacts 23a and 23b to contact the object to be measured 22, and applies a predetermined applied current of the first current value Im via the contacts 23a and 23b. The voltage applied to the object to be measured 22 is measured through the contactors 23a and 23b in a state where the voltage is applied to the device 22, thereby obtaining electrical characteristics. In addition, the measuring device 21 brings the contacts 23a and 23b into contact with the object 22 to be measured, and applies a predetermined applied voltage of the first voltage value Vm to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b. Thus, the current flowing through the object to be measured 22 is measured via each contact 23a, 23b, and thereby the electrical characteristics are obtained.

本実施の形態の測定装置２１は、供給手段２５と、測定手段２６と、切換手段２７と、制御手段であるテスタ制御部２８とを含む。供給手段２５は、印加電流として定電流を供給する定電流電源３０と、印加電圧として定電圧を供給する定電圧電源３１とを含む。測定手段２６は、電圧計３２と、電流計３３とを含む。電圧計３２は、定電流電源３０からの印加電流が、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加された状態で、被測定物２２にかかる電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して測定する。電流計３３は、定電圧電源３１からの印加電圧が、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加された状態で、被測定物２２に流れる電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して測定する。 The measuring apparatus 21 according to the present embodiment includes a supplying unit 25, a measuring unit 26, a switching unit 27, and a tester control unit 28 that is a control unit. The supply means 25 includes a constant current power source 30 that supplies a constant current as an applied current, and a constant voltage power source 31 that supplies a constant voltage as an applied voltage. Measuring means 26 includes a voltmeter 32 and an ammeter 33. The voltmeter 32 converts the voltage applied to the device under test 22 with the current applied from the constant current power supply 30 being applied to the device under test 22 via each contact 23a, 23b. Measure through. The ammeter 33 is configured so that the current flowing through the device under test 22 is applied to the device under test 22 while the applied voltage from the constant voltage power supply 31 is applied to the device under test 22 through the contacts 23a and 23b. Measure through.

切換手段２７は、供給手段２５および測定手段２６と被測定物２２との電気的な接続状態を、電流印加電圧測定状態と電圧印加電流測定状態とに切換える。電流印加電圧測定状態は、定電流電源３０からの印加電流を被測定物２２に印加した状態で、電圧計３２によって、被測定物２２にかかる電圧を測定することができる状態である。電圧印加電流測定状態は、定電圧電源３１からの印加電圧を被測定物２２に印加した状態で、電流計３３によって、被測定物２２に流れる電流を測定することができる状態である。切換手段２７は、第１〜第４スイッチ２７ａ〜２７ｂを含む。 The switching unit 27 switches the electrical connection state between the supply unit 25 and the measurement unit 26 and the DUT 22 between a current application voltage measurement state and a voltage application current measurement state. The current applied voltage measurement state is a state in which the voltage applied to the device under test 22 can be measured by the voltmeter 32 with the current applied from the constant current power supply 30 applied to the device under test 22. The voltage application current measurement state is a state in which the current flowing through the device under test 22 can be measured by the ammeter 33 while the voltage applied from the constant voltage power supply 31 is applied to the device under test 22. The switching means 27 includes first to fourth switches 27a to 27b.

定電流電源３０から延びるライン１０１は、第１接触子２３ａに接続され、このライン１０１には、第１スイッチ２７ａが介在される。定電圧電源３１から延びるライン１０２は、第１接触子２３ａに接続され、このライン１０２には、第２スイッチ２７ｂが介在される。第２接触子２３ｂに接続されるライン１０３は、接地され、このライン１０３には、第３スイッチ２７ｃが介在される。 The line 101 extending from the constant current power supply 30 is connected to the first contactor 23a, and the first switch 27a is interposed in the line 101. A line 102 extending from the constant voltage power supply 31 is connected to the first contactor 23a, and a second switch 27b is interposed in the line 102. The line 103 connected to the second contact 23 b is grounded, and the third switch 27 c is interposed in the line 103.

電圧計３２から延びる２つのライン１０４，１０５のうち、一方のライン１０４は、定電流電源３０と第１スイッチ２７ａとの間のライン１０１の部分に接続され、他方のライン１０５は接地される。電流計３３から延びる２つのライン１０６，１０７のうち、一方のライン１０６は、第２接触子２３ｂと第３スイッチ２７ｃとの間のライン１０３の部分に接続され、この一方のライン１０６には、第４スイッチ２７ｄが介在される。電流計３３から延びる２つのライン１０６，１０７のうち、他方のライン１０７は接地される。 Of the two lines 104 and 105 extending from the voltmeter 32, one line 104 is connected to the portion of the line 101 between the constant current power supply 30 and the first switch 27a, and the other line 105 is grounded. Of the two lines 106 and 107 extending from the ammeter 33, one line 106 is connected to the portion of the line 103 between the second contactor 23b and the third switch 27c, and this one line 106 includes A fourth switch 27d is interposed. Of the two lines 106 and 107 extending from the ammeter 33, the other line 107 is grounded.

前記電流印加電圧測定状態は、第１および第３スイッチ２７ａ，２７ｃが閉じ、かつ第２および第４スイッチ２７ｂ，２７ｄが開いた状態である。前記電圧印加電流測定状態は、第１および第３スイッチ２７ａ，２７ｃが開き、かつ第２および第４スイッチ２７ｂ，２７ｄが閉じた状態である。 The current applied voltage measurement state is a state in which the first and third switches 27a and 27c are closed and the second and fourth switches 27b and 27d are opened. The voltage application current measurement state is a state in which the first and third switches 27a and 27c are opened and the second and fourth switches 27b and 27d are closed.

テスタ制御部２８は、前記第１電流値Ｉｍを超える予め定める第２電流値Ｉｏの印加電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加した後に、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加する印加電流を、前記第２電流値Ｉｏから第１電流値Ｉｍに低下させることができるように定電流電源３０を制御するとともに、前記第１電流値Ｉｍの印加電流が、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加されているときに、電圧計３２による測定結果を取得する。 The tester control unit 28 applies a predetermined second current value Io exceeding the first current value Im to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b, and then contacts each of the contacts 23a and 23b. The constant current power source 30 is controlled so that the applied current applied to the device under test 22 can be reduced from the second current value Io to the first current value Im, and the first current value Im When the applied current is applied to the device under test 22 via the contacts 23a and 23b, the measurement result by the voltmeter 32 is acquired.

テスタ制御部２８は、前記第１電圧値Ｖｍを超える予め定める第２電圧値Ｖｏの印加電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加した後に、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加する印加電圧を、前記第２電圧値Ｖｏから第１電圧値Ｖｍに低下させることができるように定電圧電源３１を制御するとともに、前記第１電圧値Ｖｍの印加電圧が、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加されているときに、電流計３３による測定結果を取得する。 The tester control unit 28 applies a predetermined applied voltage of the second voltage value Vo exceeding the first voltage value Vm to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b, and then contacts the contacts 23a and 23b. The constant voltage power supply 31 is controlled so that the applied voltage applied to the device under test 22 can be reduced from the second voltage value Vo to the first voltage value Vm, and the first voltage value Vm When the applied voltage is applied to the device under test 22 via each contact 23a, 23b, the measurement result by the ammeter 33 is acquired.

またテスタ制御部２８は、切換手段２７によって、供給手段２５および測定手段２６と被測定物２２との電気的な接続状態を、電流印加電圧測定状態と電圧印加電流測定状態とに切換える。さらにテスタ制御部２８は、電圧計３２による測定結果および電流計３３による測定結果に基づいて、被測定物２２の良否を判定し、検査結果を生成する。この検査結果は、後述のハンドラ制御部３５に与えられる。このようなテスタ制御部２８は、マイクロコンピュータなどの処理回路によって実現される。 Further, the tester control unit 28 switches the electrical connection state of the supply unit 25 and the measurement unit 26 and the device under test 22 between the current application voltage measurement state and the voltage application current measurement state by the switching unit 27. Further, the tester control unit 28 determines pass / fail of the DUT 22 based on the measurement result by the voltmeter 32 and the measurement result by the ammeter 33, and generates an inspection result. This inspection result is given to the handler control unit 35 described later. Such a tester control unit 28 is realized by a processing circuit such as a microcomputer.

図２は、被測定物２２の平面図であり、図３は被測定物２２の図２の切断面線Ｓ３−Ｓ３から見た断面図である。被測定物２２は、発光ダイオード（Light Emitting Diode、略称ＬＥＤ）などの半導体装置である。本実施の形態では、被測定物２２は、１６０８サイズの発光ダイオードである。前記１６０８サイズは、日本工業規格によって規定される。被測定物２２の電気特性の測定にあたって、被測定物２２には、印加電流として順電流が印加され、印加電圧として順電圧が印加される。 2 is a plan view of the DUT 22 and FIG. 3 is a cross-sectional view of the DUT 22 as viewed from the section line S3-S3 in FIG. The DUT 22 is a semiconductor device such as a light emitting diode (abbreviated as LED). In the present embodiment, the DUT 22 is a 1608 size light emitting diode. The 1608 size is defined by Japanese Industrial Standard. In measuring the electrical characteristics of the DUT 22, a forward current is applied to the DUT 22 as an applied current, and a forward voltage is applied as the applied voltage.

被測定物２２は、大略的に直方体形状であり、長さ寸法Ｄ１が１．６ｍｍであり、幅寸法Ｄ２が０．８ｍｍであり、厚み寸法Ｄ３が０．６ｍｍである。被測定物２２は、樹脂基板３７と、アノード電極３８と、カソード電極３９と、ＬＥＤチップ４０と、金ワイヤ４１と、透明樹脂部分４２とを含む。 The DUT 22 has a substantially rectangular parallelepiped shape, the length dimension D1 is 1.6 mm, the width dimension D2 is 0.8 mm, and the thickness dimension D3 is 0.6 mm. The DUT 22 includes a resin substrate 37, an anode electrode 38, a cathode electrode 39, an LED chip 40, a gold wire 41, and a transparent resin portion 42.

樹脂基板３７は、偏平な直方体形状である。アノード電極３８およびカソード電極３９は、前記樹脂基板３７に形成される。アノード電極３８は、樹脂基板３７の長さ方向の一端面を介して、樹脂基板３７の厚み方向の一表面から他表面にわたって、形成される。カソード電極３９は、樹脂基板３７の長さ方向の他端面を介して、樹脂基板３７の一表面から他表面にわたって、形成される。アノード電極３８およびカソード電極３９は、樹脂基板３７に銅箔を設け、この銅箔に、めっき法によって金めっき膜を形成することによって、実現される。 The resin substrate 37 has a flat rectangular parallelepiped shape. The anode electrode 38 and the cathode electrode 39 are formed on the resin substrate 37. The anode electrode 38 is formed from one surface in the thickness direction of the resin substrate 37 to the other surface through one end surface in the length direction of the resin substrate 37. The cathode electrode 39 is formed from one surface of the resin substrate 37 to the other surface through the other end surface in the length direction of the resin substrate 37. The anode electrode 38 and the cathode electrode 39 are realized by providing a copper foil on the resin substrate 37 and forming a gold plating film on the copper foil by a plating method.

ＬＥＤチップ４０は、樹脂基板３７の一表面側で、前記カソード電極３９に接合されて固定される。金ワイヤ４１は、ＬＥＤチップ４０と前記アノード電極３８とを電気的に接続する。透明樹脂部分４２は、樹脂基板３７の一表面側から、ＬＥＤチップ４０および金ワイヤ４１を覆い、ＬＥＤチップ４０および金ワイヤ４１を保護する。 The LED chip 40 is bonded and fixed to the cathode electrode 39 on one surface side of the resin substrate 37. The gold wire 41 electrically connects the LED chip 40 and the anode electrode 38. The transparent resin portion 42 covers the LED chip 40 and the gold wire 41 from one surface side of the resin substrate 37 and protects the LED chip 40 and the gold wire 41.

図４は、被測定物２２および各接触子２３ａ，２３ｂの接触状態を示す平面図である。被測定物２２には、各接触子２３ａ，２３ｂが接触する。詳しく述べると、第１接触子２３ａが、被測定物２２の長さ方向の一側部に接触し、第２接触子２３ｂが、被測定物２２の長さ方向の他側部に接触する。さらに詳しく述べると、第１接触子２３ａが、被測定物２２の樹脂基板３７の前記一端面に形成される電極部分３８ａに接触し、第２接触子２３ｂが、被測定物２２の樹脂基板３７の前記他端面に形成される電極部分３９ａに接触する。 FIG. 4 is a plan view showing a contact state between the DUT 22 and the contacts 23a and 23b. The contacts 23a and 23b are in contact with the device under test 22. More specifically, the first contact 23 a comes into contact with one side in the length direction of the object 22 to be measured, and the second contact 23 b comes into contact with the other side in the length direction of the object 22 to be measured. More specifically, the first contact 23 a contacts the electrode portion 38 a formed on the one end surface of the resin substrate 37 of the object 22 to be measured, and the second contact 23 b has the resin substrate 37 of the object 22 to be measured. In contact with the electrode portion 39a formed on the other end surface.

各接触子２３ａ，２３ｂは、導電材料から成る。各接触子２３ａ，２３ｂは、接触状態において、前記各電極部分３８ａ，３９ａの表面を全体にわたってそれぞれ覆う。換言すると、各接触子２３ａ，２３ｂは、接触状態において、前記各電極部分３８ａ，３９ａにそれぞれ面接触する。このように各接触子２３ａ，２３ｂが前記各電極部分３８ａ，３９ａにそれぞれ面接触するので、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂは大きく、したがって各接触子２３ａ，２３ｂと被測定物２２とを安定した状態で接触させることができる。 Each contact 23a, 23b is made of a conductive material. Each contact 23a, 23b covers the entire surface of each electrode portion 38a, 39a in the contact state. In other words, the contacts 23a and 23b are in surface contact with the electrode portions 38a and 39a, respectively, in the contact state. As described above, since the contacts 23a and 23b are in surface contact with the electrode portions 38a and 39a, the contact portions 43a and 43b of the contacts 23a and 23b and the measured object 22 are large. 23b and the DUT 22 can be brought into contact in a stable state.

また接触状態において、各接触子２３ａ，２３ｂの軸線４５ａ，４５ｂは一致している。第１接触子２３ａは、その軸線４５ａに沿う図４の矢符４６ａの方向の押付力を被測定物２２に与える。第２接触子２３ｂは、その軸線４５ｂに沿う図４の矢符４６ｂの方向の押付力を被測定物２２に与える。図４の矢符４６ａの方向と図４の矢符４６ｂの方向とは、相互に反対の方向である。前記各押付力の大きさは、相互に同一である。本実施の形態では、前記各押付力の大きさは、０．１〜２．０Ｎに選ばれる。 In the contact state, the axes 45a and 45b of the contacts 23a and 23b coincide with each other. The first contactor 23a applies a pressing force in the direction of the arrow 46a in FIG. 4 along the axis 45a to the DUT 22. The second contactor 23b applies a pressing force in the direction of the arrow 46b in FIG. 4 along the axis 45b to the DUT 22. The direction of the arrow 46a in FIG. 4 and the direction of the arrow 46b in FIG. 4 are directions opposite to each other. The magnitudes of the pressing forces are the same as each other. In the present embodiment, the magnitude of each pressing force is selected to be 0.1 to 2.0N.

図５は、定電流電源３０を詳細に示す図である。定電流電源３０は、第１および第２増幅回路４８，４９と、第１電流検出抵抗５０と、第１電流検出回路５１と、第１および第２比較回路５２，５３とを含む。 FIG. 5 is a diagram showing the constant current power supply 30 in detail. The constant current power source 30 includes first and second amplifier circuits 48 and 49, a first current detection resistor 50, a first current detection circuit 51, and first and second comparison circuits 52 and 53.

第１増幅回路４８のコレクタには、ライン１１１を介して、直流電源Ｖが接続される。第１増幅回路４８のエミッタには、ライン１１２が接続され、このライン１１２には、第１電流検出抵抗５０が介在される。 A DC power supply V is connected to the collector of the first amplifier circuit 48 via a line 111. A line 112 is connected to the emitter of the first amplifier circuit 48, and the first current detection resistor 50 is interposed in the line 112.

第１電流検出回路５１の２つの入力端のうち、一方の入力端に接続されるライン１１３は、第１増幅回路４８のエミッタと第１電流検出抵抗５０との間のライン１１２の部分に接続される。第１電流検出回路５１の２つの入力端のうち、他方の入力端に接続されるライン１１４は、第１増幅回路４８のエミッタに接続されるライン１１２の第１電流検出抵抗５０よりも電流方向下流側の部分に接続される。 The line 113 connected to one of the two input ends of the first current detection circuit 51 is connected to the portion of the line 112 between the emitter of the first amplifier circuit 48 and the first current detection resistor 50. Is done. Of the two input ends of the first current detection circuit 51, the line 114 connected to the other input end is in a current direction more than the first current detection resistor 50 of the line 112 connected to the emitter of the first amplifier circuit 48. Connected to the downstream part.

第１電流検出回路５１の出力端には、ライン１１５が接続され、このライン１１５は、第１比較回路５２の２つの入力端のうち、一方の入力端に接続される。第１比較回路５２の２つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部２８からのライン１１６が接続される。第１比較回路５２の出力端には、ライン１１７が接続され、このライン１１７は、第１増幅回路４８のベースに接続される。 A line 115 is connected to the output terminal of the first current detection circuit 51, and the line 115 is connected to one of the two input terminals of the first comparison circuit 52. The line 116 from the tester control unit 28 is connected to the other input end of the two input ends of the first comparison circuit 52. A line 117 is connected to the output terminal of the first comparison circuit 52, and this line 117 is connected to the base of the first amplifier circuit 48.

第１増幅回路４８、第１電流検出抵抗５０、第１電流検出回路５１および第１比較回路５２を含んで、定電流回路５５が構成される。第１電流検出回路５１は、第１増幅回路４８のエミッタに接続されるライン１１２に流れる電流を検出し、検出結果を出力する。第１比較回路５２には、第１電流検出回路５１からの検出結果と、テスタ制御部２８からの印加電流設定基準とが入力される。第１比較回路５２は、前記検出結果および印加電流設定基準を比較して、比較結果を第１増幅回路４８に出力する。第１増幅回路４８は、比較結果に応じて、第１増幅回路４８のエミッタに接続されるライン１１２に流れる電流を制御する。このようにして、印加電流としての定電流が、第１増幅回路４８のエミッタに接続されるライン１１２を介して、出力される。 A constant current circuit 55 is configured including the first amplifier circuit 48, the first current detection resistor 50, the first current detection circuit 51, and the first comparison circuit 52. The first current detection circuit 51 detects the current flowing through the line 112 connected to the emitter of the first amplification circuit 48 and outputs the detection result. The detection result from the first current detection circuit 51 and the applied current setting reference from the tester control unit 28 are input to the first comparison circuit 52. The first comparison circuit 52 compares the detection result with the applied current setting reference, and outputs the comparison result to the first amplifier circuit 48. The first amplifier circuit 48 controls the current flowing through the line 112 connected to the emitter of the first amplifier circuit 48 according to the comparison result. In this way, a constant current as an applied current is output via the line 112 connected to the emitter of the first amplifier circuit 48.

第２増幅回路４９のコレクタには、ライン１２１が接続され、このライン１２１は、第１比較回路５２の出力端と第１増幅回路４８のベースとの間のライン１１７に接続される。第２増幅回路４９のエミッタには、ライン１２２が接続され、このライン１２２は、第１増幅回路４８のエミッタと第１電流検出抵抗５０との間のライン１１２の部分に接続される。 A line 121 is connected to the collector of the second amplifier circuit 49, and this line 121 is connected to a line 117 between the output terminal of the first comparison circuit 52 and the base of the first amplifier circuit 48. A line 122 is connected to the emitter of the second amplifier circuit 49, and this line 122 is connected to a portion of the line 112 between the emitter of the first amplifier circuit 48 and the first current detection resistor 50.

第２比較回路５３の２つの入力端のうち、一方の入力端に接続されるライン１２３は、第１増幅回路４８のエミッタに接続されるライン１１２の第１電流検出抵抗５０よりも電流方向下流側の部分に接続される。第２比較回路５３の２つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部２８からのライン１２４が接続される。第２比較回路５３の出力端には、ライン１２５が接続され、このライン１２５は、第２増幅回路４９のベースに接続される。 Of the two input terminals of the second comparison circuit 53, the line 123 connected to one input terminal is downstream in the current direction from the first current detection resistor 50 of the line 112 connected to the emitter of the first amplifier circuit 48. Connected to the side part. The line 124 from the tester control unit 28 is connected to the other input terminal of the two input terminals of the second comparison circuit 53. A line 125 is connected to the output terminal of the second comparison circuit 53, and this line 125 is connected to the base of the second amplifier circuit 49.

第２増幅回路４９および第２比較回路５３を含んで、電圧制限手段である電圧制限回路５６が構成される。第２比較回路５３には、第１増幅回路４８のエミッタに接続されるライン１１２の第１電流検出抵抗５０よりも電流方向下流側の部分の電圧と、テスタ制御部２８からの制限電圧設定基準とが入力される。第２比較回路５３は、前記電圧および制限電圧設定基準を比較して、比較結果を第２増幅回路４９に出力する。第２増幅回路４９は、比較結果に応じて、第１増幅回路４８のエミッタに接続されるライン１１２の第１電流検出抵抗５０よりも電流方向下流側の部分の電圧を制御する。 A voltage limiting circuit 56 which is a voltage limiting means is configured including the second amplifier circuit 49 and the second comparison circuit 53. The second comparison circuit 53 includes a voltage at a portion downstream of the first current detection resistor 50 in the current direction of the line 112 connected to the emitter of the first amplifier circuit 48, and a limit voltage setting reference from the tester control unit 28. Are entered. The second comparison circuit 53 compares the voltage and the limit voltage setting reference and outputs the comparison result to the second amplification circuit 49. The second amplifying circuit 49 controls the voltage of the downstream portion in the current direction of the line 112 connected to the emitter of the first amplifying circuit 48 according to the comparison result.

電圧制限回路５６は、印加電流を供給しているときに被測定物２２にかかる電圧を、被測定物２２の最大定格電圧値を超えないように制限する。定電流電源３０は、前述のような電圧制限回路５６を有するので、印加電流を供給しているときに被測定物２２にかかる電圧が、被測定物２２の最大定格電圧値を超えることがなく、したがって被測定物２２の電気特性に対する信頼性の低下を防止することができる。 The voltage limiting circuit 56 limits the voltage applied to the device under test 22 while supplying the applied current so as not to exceed the maximum rated voltage value of the device under test 22. Since the constant current power supply 30 includes the voltage limiting circuit 56 as described above, the voltage applied to the device under test 22 when the applied current is being supplied does not exceed the maximum rated voltage value of the device under test 22. Therefore, it is possible to prevent a decrease in reliability with respect to the electrical characteristics of the DUT 22.

図６は、定電圧電源３１を詳細に示す図である。定電圧電源３１は、第３および第４増幅回路８１，８２と、第２電流検出抵抗８３と、第２電流検出回路８４と、第３および第４比較回路８５，８６とを含む。 FIG. 6 is a diagram showing the constant voltage power supply 31 in detail. Constant voltage power supply 31 includes third and fourth amplifier circuits 81 and 82, second current detection resistor 83, second current detection circuit 84, and third and fourth comparison circuits 85 and 86.

第３増幅回路８１のコレクタには、ライン１３１を介して、直流電源Ｖが接続される。第３増幅回路８１のエミッタには、ライン１３２が接続され、このライン１３２には、第２電流検出抵抗８３が介在される。 A DC power supply V is connected to the collector of the third amplifier circuit 81 via a line 131. A line 132 is connected to the emitter of the third amplifier circuit 81, and a second current detection resistor 83 is interposed in the line 132.

第３比較回路８５の２つの入力端のうち、一方の入力端には、ライン１３３が接続され、このライン１３３は、第３増幅回路８１のエミッタに接続されるライン１３２の第２電流検出抵抗８３よりも電流方向下流側の部分に接続される。第３比較回路８５の２つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部２８からのライン１３４が接続される。第３比較回路８５の出力端には、ライン１３５が接続され、このライン１３５は、第３増幅回路８１のベースに接続される。 A line 133 is connected to one of the two input terminals of the third comparison circuit 85, and this line 133 is the second current detection resistor of the line 132 connected to the emitter of the third amplifier circuit 81. It is connected to the part downstream in the current direction from 83. The line 134 from the tester control unit 28 is connected to the other input terminal of the two input terminals of the third comparison circuit 85. A line 135 is connected to the output terminal of the third comparison circuit 85, and this line 135 is connected to the base of the third amplifier circuit 81.

第３増幅回路８１、第２電流検出抵抗８３および第３比較回路８５を含んで、定電圧回路８８が構成される。第３比較回路８５には、第３増幅回路８１のエミッタに接続されるライン１３２の第２電流検出抵抗８３よりも電流方向下流側の部分の電圧と、テスタ制御部２８からの印加電圧設定基準とが入力される。第３比較回路８５は、前記電圧および印加電圧設定基準を比較して、比較結果を第３増幅回路８１に出力する。第３増幅回路８１は、比較結果に応じて、第３増幅回路８１のエミッタに接続されるライン１３２の第２電流検出抵抗８３よりも電流方向下流側の部分の電圧を制御する。このようにして、印加電圧としての定電圧が、第３増幅回路８１のエミッタに接続されるライン１３２および第２電流検出抵抗８３を介して、出力される。 A constant voltage circuit 88 is configured including the third amplifier circuit 81, the second current detection resistor 83, and the third comparison circuit 85. The third comparison circuit 85 includes a voltage at a portion downstream of the second current detection resistor 83 in the current direction of the line 132 connected to the emitter of the third amplifier circuit 81 and an applied voltage setting reference from the tester control unit 28. Are entered. The third comparison circuit 85 compares the voltage and the applied voltage setting reference, and outputs the comparison result to the third amplification circuit 81. The third amplifying circuit 81 controls the voltage of the downstream portion in the current direction from the second current detection resistor 83 of the line 132 connected to the emitter of the third amplifying circuit 81 according to the comparison result. In this way, a constant voltage as the applied voltage is output via the line 132 connected to the emitter of the third amplifier circuit 81 and the second current detection resistor 83.

第２電流検出回路８４の２つの入力端のうち、一方の入力端に接続されるライン１４１は、第３増幅回路８１のエミッタと第２電流検出抵抗８３との間のライン１３２の部分に接続される。第２電流検出回路８４の２つの入力端のうち、他方の入力端に接続されるライン１４２は、第３増幅回路８１のエミッタに接続されるライン１３２の第２電流検出抵抗８３よりも電流方向下流側の部分に接続される。 The line 141 connected to one of the two input ends of the second current detection circuit 84 is connected to the portion of the line 132 between the emitter of the third amplifier circuit 81 and the second current detection resistor 83. Is done. Of the two input terminals of the second current detection circuit 84, the line 142 connected to the other input terminal is in a current direction more than the second current detection resistor 83 of the line 132 connected to the emitter of the third amplifier circuit 81. Connected to the downstream part.

第２電流検出回路８４の出力端には、ライン１４３が接続され、このライン１４３は、第４比較回路８６の２つの入力端のうち、一方の入力端に接続される。第４比較回路８６の２つの入力端のうち、他方の入力端には、テスタ制御部２８からのライン１４４が接続される。第４比較回路８６の出力端には、ライン１４５が接続され、このライン１４５は、第４増幅回路８２のベースに接続される。 A line 143 is connected to the output terminal of the second current detection circuit 84, and the line 143 is connected to one of the two input terminals of the fourth comparison circuit 86. The line 144 from the tester control unit 28 is connected to the other input terminal of the two input terminals of the fourth comparison circuit 86. A line 145 is connected to the output terminal of the fourth comparison circuit 86, and this line 145 is connected to the base of the fourth amplifier circuit 82.

第４増幅回路８２のコレクタには、ライン１４６が接続され、このライン１４６は、第３比較回路８５の出力端と第３増幅回路８１のベースとの間のライン１３５に接続される。第４増幅回路８２のエミッタには、ライン１４７が接続され、このライン１４７は、第３増幅回路８１のエミッタと第２電流検出抵抗８３との間のライン１３２の部分に接続される。 A line 146 is connected to the collector of the fourth amplifier circuit 82, and this line 146 is connected to a line 135 between the output terminal of the third comparison circuit 85 and the base of the third amplifier circuit 81. A line 147 is connected to the emitter of the fourth amplifier circuit 82, and this line 147 is connected to a portion of the line 132 between the emitter of the third amplifier circuit 81 and the second current detection resistor 83.

第４増幅回路８２、第２電流検出回路８４および第４比較回路８６を含んで、電流制限手段である電流制限回路８９が構成される。電流検出回路８４は、第３増幅回路８１のエミッタに接続されるライン１３２に流れる電流を検出し、検出結果を出力する。第４比較回路８６には、第２電流検出回路８４からの検出結果と、テスタ制御部２８からの制限電流設定基準が入力される。第４比較回路８６は、前記検出結果および制限電流設定基準を比較して、比較結果を第４増幅回路８２に出力する。第４増幅回路８２は、比較結果に応じて、第３増幅回路８１のベースおよびエミッタ間の電圧を制御することによって、第３増幅回路８１のエミッタに接続されるライン１３２を流れる電流を制御する。 A current limiting circuit 89 as current limiting means is configured including the fourth amplifier circuit 82, the second current detection circuit 84, and the fourth comparison circuit 86. The current detection circuit 84 detects the current flowing through the line 132 connected to the emitter of the third amplification circuit 81 and outputs the detection result. The detection result from the second current detection circuit 84 and the limit current setting reference from the tester control unit 28 are input to the fourth comparison circuit 86. The fourth comparison circuit 86 compares the detection result and the limit current setting reference, and outputs the comparison result to the fourth amplifier circuit 82. The fourth amplifier circuit 82 controls the current flowing through the line 132 connected to the emitter of the third amplifier circuit 81 by controlling the voltage between the base and the emitter of the third amplifier circuit 81 according to the comparison result. .

電流制限回路８９は、印加電圧を供給しているときに被測定物２２に流れる電流を、被測定物２２の最大定格電流値を超えないように制限する。定電圧電源３１は、前述のような電流制限回路８９を有するので、印加電圧を供給しているときに被測定物２２に流れる電流が、被測定物２２の最大定格電流値を超えることがなく、したがって被測定物２２の電気特性に対する信頼性の低下を防止することができる。 The current limiting circuit 89 limits the current flowing through the device under test 22 while supplying the applied voltage so as not to exceed the maximum rated current value of the device under test 22. Since the constant voltage power supply 31 includes the current limiting circuit 89 as described above, the current flowing through the device under test 22 when the applied voltage is supplied does not exceed the maximum rated current value of the device under test 22. Therefore, it is possible to prevent a decrease in reliability with respect to the electrical characteristics of the DUT 22.

図７は、測定装置２１を備える検査装置６１の構成を示すブロック図である。検査装置６１は、前述の測定装置２１と、ハンドラ６２とを含む。測定装置２１およびハンドラ６２は、相互に通信可能に接続される。ハンドラ６２は、供給部６３と、測定部６４と、分類収納部６５と、分類部６６と、前記各接触子２３ａ，２３ｂと、ハンドラ制御部３５とを含む。 FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of an inspection apparatus 61 including the measurement apparatus 21. The inspection device 61 includes the measurement device 21 and the handler 62 described above. The measuring device 21 and the handler 62 are connected so that they can communicate with each other. The handler 62 includes a supply unit 63, a measurement unit 64, a classification storage unit 65, a classification unit 66, the contacts 23 a and 23 b, and a handler control unit 35.

供給部６３は、被測定物２２を測定部６４に供給する。この供給部６３は、複数の被測定物２２を整列させて供給するパーツフィーダを含んで構成される。測定部６４では、被測定物２２の電気特性が測定装置２１によって測定される。分類収納部６５には、被測定物２２が分類された状態で収納される。分類部６６は、被測定物２２を分類して、分類収納部６５に収納する。この分類部６６は、被測定物２２を分類して、分類収納部６５の指定された場所に収納するソータを含んで構成される。 The supply unit 63 supplies the device under test 22 to the measurement unit 64. The supply unit 63 includes a parts feeder that supplies a plurality of objects to be measured 22 in alignment. In the measurement unit 64, the electrical characteristics of the DUT 22 are measured by the measurement device 21. In the classification storage unit 65, the DUT 22 is stored in a classified state. The classification unit 66 classifies the DUT 22 and stores it in the classification storage unit 65. The classification unit 66 includes a sorter that classifies the DUT 22 and stores it in a designated place of the classification storage unit 65.

ハンドラ制御部３５は、各接触子２３ａ，２３ｂを移動させて、これらの各接触子２３ａ，２３ｂを、測定部６４に供給された被測定物２２に、図４に示すように接触させる。またハンドラ制御部３５は、各接触子２３ａ，２３ｂを被測定物２２に接触させた後、測定開始指令を測定装置２１のテスタ制御部２８に与える。またハンドラ制御部３５は、測定装置２１のテスタ制御部２８から検査結果を取得し、この検査結果に基づいて、分類部６６を制御する。 The handler control unit 35 moves the contacts 23a and 23b to bring the contacts 23a and 23b into contact with the object 22 to be measured supplied to the measuring unit 64 as shown in FIG. Further, the handler control unit 35 brings the contactors 23 a and 23 b into contact with the device under test 22, and then gives a measurement start command to the tester control unit 28 of the measuring device 21. Further, the handler control unit 35 acquires the inspection result from the tester control unit 28 of the measuring device 21 and controls the classification unit 66 based on the inspection result.

図８は、測定装置２１によって実行される電気特性の測定方法を説明するためのフローチャートであり、図９は電流波形を模式的に示す波形図であり、図１０は電圧波形を模式的に示す波形図である。まず、ハンドラ制御部３５が、供給部６３によって測定部６４に供給された被測定物２２の各電極部分３８ａ，３９ａに、図４に示すように各接触子２３ａ，２３ｂをそれぞれ接触させる。この後、ハンドラ制御部３５からテスタ制御部２８に測定開始指令が与えられると、ステップａ１で、テスタ制御部２８は、電気特性の測定動作を開始する。 FIG. 8 is a flowchart for explaining an electrical characteristic measurement method executed by the measurement device 21, FIG. 9 is a waveform diagram schematically showing a current waveform, and FIG. 10 schematically shows a voltage waveform. It is a waveform diagram. First, the handler controller 35 brings the contactors 23a and 23b into contact with the electrode portions 38a and 39a of the DUT 22 supplied to the measuring unit 64 by the supply unit 63, as shown in FIG. Thereafter, when a measurement start command is given from the handler control unit 35 to the tester control unit 28, the tester control unit 28 starts an operation of measuring electrical characteristics in step a1.

次のステップａ２では、テスタ制御部２８は、切換手段２７によって、供給手段２５および測定手段２６と被測定物２２との電気的な接続状態を、電流印加電圧測定状態とする。 In the next step a2, the tester control unit 28 causes the switching unit 27 to set the electrical connection state of the supply unit 25, the measurement unit 26, and the device under test 22 to the current applied voltage measurement state.

次のステップａ３では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電流を、０ｍＡから第２電流値Ｉｏに上昇させることができるように、定電流電源３０を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ１において、第２電流値Ｉｏに相当する印加電流設定基準の、定電流電源３０への出力を開始する。時刻ｔ１から所定の電流上昇時間Ｗ１を経過した時刻ｔ２まで、印加電流の電流値は上昇する。 In the next step a3, the tester control unit 28 determines the applied current applied to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b from 0 mA to the second current value Io. The current power supply 30 is controlled. The tester control unit 28 starts outputting the applied current setting reference corresponding to the second current value Io to the constant current power supply 30 at time t1. The current value of the applied current rises from time t1 to time t2 when a predetermined current rise time W1 has elapsed.

次のステップａ４では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電流を、第２電流値Ｉｏに維持することができるように、定電流電源３０を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ２から所定の第１電流維持時間Ｗ２を経過した時刻ｔ３まで、第２電流値Ｉｏに相当する印加電流設定基準の、定電流電源３０への出力を継続する。 In the next step a4, the tester control unit 28 keeps the applied current applied to the device under test 22 via the contacts 23a, 23b at the second current value Io. 30 is controlled. The tester control unit 28 continues to output the applied current setting reference corresponding to the second current value Io to the constant current power supply 30 from time t2 to time t3 when a predetermined first current maintaining time W2 has elapsed.

次のステップａ５では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電流を、第２電流値Ｉｏから第１電流値Ｉｍに連続的に低下させることができるように、定電流電源３０を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ３において、定電流電源３０への出力を、第２電流値Ｉｏに相当する印加電流設定基準から、第１電流値Ｉｍに相当する印加電流設定基準に変化させる。時刻ｔ３から所定の電流低下時間Ｗ３を経過した時刻ｔ４まで、印加電流の電流値は低下する。 In the next step a5, the tester control unit 28 continuously decreases the applied current applied to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b from the second current value Io to the first current value Im. The constant current power supply 30 is controlled so that it is possible. The tester control unit 28 changes the output to the constant current power supply 30 from the applied current setting reference corresponding to the second current value Io to the applied current setting reference corresponding to the first current value Im at time t3. The current value of the applied current decreases from time t3 until time t4 when a predetermined current decrease time W3 has elapsed.

このステップａ５において、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電流は、０ｍＡにされることなく、第２電流値Ｉｏから第１電流値Ｉｍに変化される。好ましくは、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電流は、図９に示すように、第２電流値Ｉｏから第１電流値Ｉｍに到達するまで常に低下される。 In step a5, the applied current applied to the DUT 22 via the contacts 23a and 23b is changed from the second current value Io to the first current value Im without being set to 0 mA. Preferably, the applied current applied to the object to be measured 22 via each contact 23a, 23b is always reduced from the second current value Io to the first current value Im as shown in FIG. .

次のステップａ６では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電流を、第１電流値Ｉｍに維持することができるように、定電流電源３０を制御するとともに、電圧計３２による測定結果を取得する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ４から所定の第２電流維持時間Ｗ４を経過した時刻ｔ５まで、第１電流値Ｉｍに相当する印加電流設定基準の、定電流電源３０への出力を継続する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ４から時刻ｔ５の間に、電圧計３２による測定結果を取得する。 In the next step a6, the tester control unit 28 maintains a constant current power supply so that the applied current applied to the DUT 22 via each contact 23a, 23b can be maintained at the first current value Im. 30 is controlled, and the measurement result by the voltmeter 32 is acquired. The tester control unit 28 continues to output the applied current setting reference corresponding to the first current value Im to the constant current power supply 30 from time t4 to time t5 when a predetermined second current maintaining time W4 has elapsed. The tester control unit 28 acquires the measurement result by the voltmeter 32 between time t4 and time t5.

次のステップａ７では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電流を、第１電流値Ｉｍから０ｍＡに低下させることができるように、定電流電源３０を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ５において、定電流電源３０への出力を、第１電流値Ｉｍに相当する印加電流設定基準から、０ｍＶに相当する印加電流設定基準に変化させる。 In the next step a7, the tester control unit 28 determines the applied current applied to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b from the first current value Im to 0 mA. The current power supply 30 is controlled. At time t5, the tester control unit 28 changes the output to the constant current power supply 30 from the applied current setting reference corresponding to the first current value Im to the applied current setting reference corresponding to 0 mV.

次のステップａ８では、テスタ制御部２８は、切換手段２７によって、供給手段２５および測定手段２６と被測定物２２との電気的な接続状態を、電圧印加電流測定状態とする。 In the next step a8, the tester control unit 28 causes the switching unit 27 to change the electrical connection state of the supply unit 25, the measurement unit 26, and the device under test 22 to the voltage application current measurement state.

次のステップａ９では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電圧を、０ｍＶから第２電圧値Ｖｏに上昇することができるように、定電圧電源３１を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ１１において、第２電圧値Ｖｏに相当する印加電圧設定基準の、定電圧電源３１への出力を開始する。時刻ｔ１１から所定の電圧上昇時間Ｗ１１を経過した時刻ｔ１２まで、印加電圧の電圧値は上昇する。 In the next step a9, the tester control unit 28 determines the applied voltage applied to the device under test 22 via each contact 23a, 23b so as to increase from 0 mV to the second voltage value Vo. The voltage power supply 31 is controlled. The tester control unit 28 starts outputting the applied voltage setting reference corresponding to the second voltage value Vo to the constant voltage power supply 31 at time t11. The voltage value of the applied voltage rises from time t11 to time t12 when a predetermined voltage rise time W11 has elapsed.

次のステップａ１０では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電圧を、第２電圧値Ｖｏに維持することができるように、定電圧電源３１を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ１２から所定の第１電圧維持時間Ｗ１２を経過した時刻ｔ１３まで、第２電圧値Ｖｏに相当する印加電圧設定基準の、定電圧電源３１への出力を継続する。 In the next step a10, the tester control unit 28 keeps the applied voltage applied to the DUT 22 via the contacts 23a and 23b at the second voltage value Vo so that the constant voltage power supply can be maintained. 31 is controlled. The tester control unit 28 continues to output the applied voltage setting reference corresponding to the second voltage value Vo to the constant voltage power supply 31 from time t12 to time t13 when the predetermined first voltage maintaining time W12 has elapsed.

次のステップａ１１では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電圧を、第２電圧値Ｖｏから第１電圧値Ｖｍに連続的に低下させることができるように、定電圧電源３１を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ１３において、定電圧電源３１への出力を、第２電圧値Ｖｏに相当する印加電圧設定基準から、第１電圧値Ｖｍに相当する印加電圧設定基準に変化させる。時刻ｔ１３から所定の電圧低下時間Ｗ１３を経過した時刻ｔ１４まで、印加電圧の電圧値は低下する。 In the next step a11, the tester control unit 28 continuously decreases the applied voltage applied to the device under test 22 via the contacts 23a and 23b from the second voltage value Vo to the first voltage value Vm. The constant voltage power supply 31 is controlled so that it can be performed. At time t13, the tester control unit 28 changes the output to the constant voltage power supply 31 from the applied voltage setting reference corresponding to the second voltage value Vo to the applied voltage setting reference corresponding to the first voltage value Vm. The voltage value of the applied voltage decreases from time t13 to time t14 when a predetermined voltage decrease time W13 has elapsed.

このステップａ１１において、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電圧は、０ｍＶにされることなく、第２電圧値Ｖｏから第１電圧値Ｖｍに変化される。好ましくは、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電圧は、図１０に示すように、第２電圧値Ｖｏから第１電圧値Ｖｍに到達するまで常に低下される。 In step a11, the applied voltage applied to the device under test 22 via the contacts 23a, 23b is changed from the second voltage value Vo to the first voltage value Vm without being set to 0 mV. Preferably, the applied voltage applied to the device under test 22 via each contact 23a, 23b is constantly reduced from the second voltage value Vo to the first voltage value Vm as shown in FIG. .

次のステップａ１２では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電圧を、第１電圧値Ｖｍに維持することができるように、定電圧電源３１を制御するとともに、電流計３３による測定結果を取得する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ１４から所定の第２電圧維持時間Ｗ１４を経過した時刻ｔ１５まで、第１電圧値Ｖｍに相当する印加電圧設定基準の、定電圧電源３１への出力を継続する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ１４から時刻ｔ１５の間に、電流計３３による測定結果を取得する。 In the next step a12, the tester control unit 28 keeps the applied voltage applied to the DUT 22 via the contacts 23a and 23b at the first voltage value Vm so that the constant voltage power supply can be maintained. 31 and the measurement result by the ammeter 33 is acquired. The tester control unit 28 continues to output the applied voltage setting reference corresponding to the first voltage value Vm to the constant voltage power supply 31 from time t14 to time t15 when the predetermined second voltage maintaining time W14 has elapsed. The tester control unit 28 acquires the measurement result by the ammeter 33 between time t14 and time t15.

次のステップａ１３では、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加される印加電圧を、第１電圧値Ｖｍから０ｍＶに低下させることができるように、定電圧電源３１を制御する。テスタ制御部２８は、時刻ｔ１５において、定電圧電源３１への出力を、第１電圧値Ｖｍに相当する印加電圧設定基準から、０ｍＶに相当する印加電圧設定基準に変化させる。 In the next step a13, the tester control unit 28 determines the applied voltage applied to the device under test 22 via the contacts 23a and 23b so that the applied voltage can be lowered from the first voltage value Vm to 0 mV. The voltage power supply 31 is controlled. At time t15, the tester control unit 28 changes the output to the constant voltage power supply 31 from the applied voltage setting reference corresponding to the first voltage value Vm to the applied voltage setting reference corresponding to 0 mV.

次のステップａ１４では、テスタ制御部２８は、前記ステップａ６で取得した電圧計３２による測定結果と前記ステップａ１２で取得した電流計３３による測定結果とに基づいて、被測定物２２の良否を判定し、検査結果を生成し、この検査結果を、ハンドラ制御部３５に与える。そしてステップａ１５で、テスタ制御部２８は、電気特性の測定動作を終了する。 In the next step a14, the tester control unit 28 determines pass / fail of the DUT 22 based on the measurement result obtained by the voltmeter 32 obtained in step a6 and the measurement result obtained by the ammeter 33 obtained in step a12. Then, an inspection result is generated, and this inspection result is given to the handler control unit 35. In step a15, the tester control unit 28 ends the measurement operation of the electrical characteristics.

前記ステップａ３〜ステップａ７では、テスタ制御部２８は、定電流電源３０に制限電圧設定基準を出力する。前記ステップａ９〜ステップａ１３では、テスタ制御部２８は、定電圧電源３１に制限電流設定基準を出力する。 In step a3 to step a7, the tester control unit 28 outputs a limit voltage setting reference to the constant current power supply 30. In step a9 to step a13, the tester control unit 28 outputs a limit current setting reference to the constant voltage power supply 31.

本実施の形態では、前記第１電流値Ｉｍは、被測定物２２の最大定格電流値の１０〜５０％に選ばれる。前記第２電流値Ｉｏは、被測定物２２の最大定格電流値よりも小さく、かつ２Ｉｍ≦Ｉｏに選ばれる。すなわち前記第２電流値Ｉｏは、被測定物２２の最大定格電流値よりも小さく、かつ第１電流値Ｉｍの２倍以上に選ばれる。 In the present embodiment, the first current value Im is selected to be 10 to 50% of the maximum rated current value of the DUT 22. The second current value Io is selected to be smaller than the maximum rated current value of the DUT 22 and 2Im ≦ Io. That is, the second current value Io is selected to be smaller than the maximum rated current value of the DUT 22 and to be twice or more the first current value Im.

また本実施の形態では、前記第１電圧値Ｖｍは、被測定物２２の最大定格電流値の１０〜５０％に選ばれる。前記第２電圧値Ｖｏは、被測定物２２の最大定格電圧値よりも小さく、かつ１．１Ｖｍ≦Ｖｏに選ばれる。前記第２電圧値Ｖｏは、被測定物２２の最大定格電圧値よりも小さく、かつ第１電圧値Ｖｍの１．１倍以上に選ばれる。 In the present embodiment, the first voltage value Vm is selected to be 10 to 50% of the maximum rated current value of the DUT 22. The second voltage value Vo is selected to be smaller than the maximum rated voltage value of the DUT 22 and 1.1 Vm ≦ Vo. The second voltage value Vo is selected to be smaller than the maximum rated voltage value of the DUT 22 and 1.1 times or more the first voltage value Vm.

また本実施の形態では、定電流電源３０からの印加電流は、図９に示すように電流波形がパルス状であり、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、この立ち上がり時間をＴｒ１としたとき、０＜Ｔｒ１≦１ｍｓｅｃに選ばれる。すなわち前記立ち上がり時間は、０より長く、かつ１ｍｓｅｃ以下に選ばれる。定電圧電源３１からの印加電圧は、図１０に示すように電圧波形がパルス状であり、印加電圧の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、この立ち上がり時間をＴｒ２としたとき、０＜Ｔｒ２≦１ｍｓｅｃに選ばれる。すなわち前記立ち上がり時間は、０より長く、かつ１ｍｓｅｃ以下に選ばれる。 In the present embodiment, the applied current from the constant current power supply 30 has a pulse waveform as shown in FIG. 9, and the rising time of the applied current at the start of applying the applied current is expressed as Tr1. , 0 <Tr1 ≦ 1 msec is selected. That is, the rise time is selected to be longer than 0 and not longer than 1 msec. The applied voltage from the constant voltage power supply 31 has a pulse waveform as shown in FIG. 10, and the rise time of the applied current at the start of application of the applied voltage is 0 <Tr2 when this rise time is Tr2. ≦ 1 msec is selected. That is, the rise time is selected to be longer than 0 and not longer than 1 msec.

本実施の形態において、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、０から第２電流値Ｉｏまでの電流値幅における１０％から９０％まで、印加電流の電流値が上昇するのに要する時間である。印加電圧の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、０から第２電圧値Ｖｏまでの電圧値幅における１０％から９０％まで、印加電圧の電圧値が上昇するのに要する時間である。
図９および図１０における各時間の一例は、表１のとおりである。 In the present embodiment, the rising time of the applied current at the start of applying the applied current is required for the current value of the applied current to rise from 10% to 90% in the current value range from 0 to the second current value Io. It's time. The rising time of the applied current at the start of application of the applied voltage is the time required for the voltage value of the applied voltage to rise from 10% to 90% in the voltage value range from 0 to the second voltage value Vo.
An example of each time in FIGS. 9 and 10 is shown in Table 1.

図１１は、第２電流値Ｉｏの印加電流または第２電圧値Ｖｏの印加電圧を被測定物２２に印加した後に第１電流値Ｉｍの印加電圧または第１電圧値Ｖｍの印加電圧を被測定物２２に印加した場合の第１接触子２３ａおよび電極部分３８ａの接触部４３ａの導通状態を模式的に示す図であり、図１２は第２電流値Ｉｏの印加電流および第２電圧値Ｖｏの印加電圧を被測定物２２に印加することなく第１電流値Ｉｍの印加電流または第１電圧値Ｖｍの印加電圧を被測定物２２に印加した場合の第１接触子２３ａおよび電極部分３８ａの接触部４３ａの導通状態を模式的に示す図である。 FIG. 11 shows the measurement of the applied voltage of the first current value Im or the applied voltage of the first voltage value Vm after applying the applied current of the second current value Io or the applied voltage of the second voltage value Vo to the device under test 22. FIG. 12 is a diagram schematically showing the conduction state of the first contactor 23a and the contact portion 43a of the electrode portion 38a when applied to the object 22, and FIG. 12 shows the application current of the second current value Io and the second voltage value Vo. Contact between the first contact 23a and the electrode portion 38a when the applied current having the first current value Im or the applied voltage having the first voltage value Vm is applied to the measured object 22 without applying the applied voltage to the measured object 22. It is a figure which shows typically the conduction | electrical_connection state of the part 43a.

図１１および図１２では、第１接触子２３ａおよび電極部分３８ａの接触部４３ａの前記図４の仮想線７０で囲まれる部分を拡大して示している。図１１および図１２において、矢符７１，７２の位置は、電流が流れる導通部分の位置を示す。また矢符７１，７２の幅は、導通面積を示し、幅が大きいほど導通面積が大きい。 In FIG. 11 and FIG. 12, the part surrounded by the virtual line 70 of the said FIG. 4 of the contact part 43a of the 1st contactor 23a and the electrode part 38a is expanded and shown. 11 and 12, the positions of arrows 71 and 72 indicate the positions of the conductive portions through which current flows. The widths of the arrows 71 and 72 indicate the conduction area. The larger the width, the larger the conduction area.

各接触子２３ａ，２３ｂの表面部および被測定物２２の各電極部分３８ａ，３９ａの表面部は、微視的に見ると、凹凸があり、また酸化膜などの皮膜に覆われている。このような各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２が接触する。それ故、微視的に見ると、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂには、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２が直接、接触している直接接触部分と、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２が皮膜を介して接触している間接接触部分と、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２が接触していない非接触部分とがある。各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂは、微小な直接接触部分および微小な間接接触部分による多点接触状態となっている。 When viewed microscopically, the surface portions of the contactors 23a and 23b and the surface portions of the electrode portions 38a and 39a of the object to be measured 22 are uneven and covered with a film such as an oxide film. Such contacts 23a, 23b and the object 22 to be measured come into contact with each other. Therefore, when viewed microscopically, the contacts 23a and 23b and the object to be measured 22 are in direct contact with the contact portions 43a and 43b of the objects to be measured 23a and 23b and the object to be measured 22, respectively. There are a portion, an indirect contact portion where each contact 23a, 23b and the object 22 to be measured are in contact with each other through a film, and a non-contact portion where each contact 23a, 23b and the object 22 are not in contact. . Each contactor 23a, 23b and the contact part 43a, 43b of the DUT 22 are in a multipoint contact state with a minute direct contact part and a minute indirect contact part.

このような各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂでは、電圧が印加されたときに、直接接触部分に、電流が集中し、集中抵抗が生じる。このようにして、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂでは、集中抵抗を含む接触抵抗が生じる。 In each of the contacts 23a and 23b and the contact portions 43a and 43b of the object 22 to be measured, when a voltage is applied, a current concentrates directly on the contact portion and a concentrated resistance is generated. In this way, contact resistance including concentrated resistance is generated in the contact parts 23a and 23b and the contact portions 43a and 43b of the DUT 22.

各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に、第２電流値Ｉｏの印加電流および第２電圧値Ｖｏの印加電圧を印加することなく、第１電流値Ｉｍの印加電流または第１電圧値Ｖｍの印加電圧を被測定物２２に印加した場合は、図１２に示すように、導通面積が小さく、したがって大きな集中抵抗が生じる。 The applied current or the first voltage of the first current value Im without applying the applied current of the second current value Io and the applied voltage of the second voltage value Vo to the object to be measured 22 via each contact 23a, 23b. When an applied voltage of the value Vm is applied to the device under test 22, as shown in FIG. 12, the conduction area is small, and thus a large concentrated resistance is generated.

本実施の形態では、電気特性の測定にあたっては、ステップａ４で、テスタ制御部２８は、第１電流値Ｉｍを超える第２電流値Ｉｏの印加電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加することができるように定電流電源３０を制御する。またステップａ１０で、テスタ制御部２８は、第１電圧値Ｖｍを超える第２電圧値Ｖｏの印加電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加することができるように定電圧電源３１を制御する。 In the present embodiment, in measuring the electrical characteristics, in step a4, the tester control unit 28 applies the applied current having the second current value Io exceeding the first current value Im through the contacts 23a and 23b. The constant current power supply 30 is controlled so that it can be applied to the measurement object 22. In step a10, the tester control unit 28 determines that the applied voltage of the second voltage value Vo exceeding the first voltage value Vm can be applied to the device under test 22 via the contacts 23a and 23b. The voltage power supply 31 is controlled.

第２電流値Ｉｏの印加電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加したとき、および第２電圧値Ｖｏの印加電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加したとき、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂには、高い電圧がかかるので、間接接触部分にも、電流が流れる。間接接触部分に、一旦、電流が流れると、この間接接触部分では、雪崩降伏現象が生じる。これによって各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂでは、図１１に示すように、導通面積が拡大し、集中抵抗が低下する。このようにして、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂでは、集中抵抗を含む接触抵抗が低下する。 When the applied current of the second current value Io is applied to the device under test 22 via the contacts 23a and 23b, and the applied voltage of the second voltage value Vo is measured via the contacts 23a and 23b. When applied to the object 22, a high voltage is applied to the contact parts 23a and 23b and the contact parts 43a and 43b of the object 22 to be measured, so that a current also flows through the indirect contact part. Once a current flows through the indirect contact portion, an avalanche breakdown phenomenon occurs in the indirect contact portion. Thereby, in each contact 23a, 23b and contact part 43a, 43b of to-be-measured object 22, as shown in FIG. 11, a conduction | electrical_connection area expands and concentration resistance falls. In this way, the contact resistance including the concentrated resistance is reduced at the contact portions 23a and 23b and the contact portions 43a and 43b of the DUT 22.

間接接触部分に、一旦、電流が流れ、この間接接触部分で、雪崩降伏現象が生じると、前述のようにして、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂの接触抵抗は低下し、この接触抵抗が低下した状態は、電流の増減にかかわらず、電流が切断されるまで持続する。 Once an electric current flows through the indirect contact portion and an avalanche breakdown phenomenon occurs in the indirect contact portion, the contact resistance of the contact portions 23a and 23b and the contact portions 43a and 43b of the object to be measured 22 as described above. The state in which the contact resistance is lowered continues until the current is cut off regardless of increase / decrease of the current.

この現象を利用して、本実施の形態では、ステップａ５で、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加する印加電流を、前記第２電流値Ｉｏから第１電流値Ｉｍに連続的に低下させることができるように定電流電源３０を制御する。そしてステップａ６で、テスタ制御部２８は、前記第１電流値Ｉｍの印加電流が、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加された状態で、電圧計３２による測定結果を取得する。またステップａ１１で、テスタ制御部２８は、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加する印加電圧を、前記第２電圧値Ｖｏから第１電圧値Ｖｍに連続的に低下させることができるように定電圧電源３１を制御する。そしてステップａ１２で、テスタ制御部２８は、前記第１電圧値Ｖｍの印加電圧が、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加された状態で、電流計３３による測定結果を取得する。 Using this phenomenon, in the present embodiment, in step a5, the tester control unit 28 determines the applied current to be applied to the object 22 to be measured from the second current value Io via each contact 23a, 23b. The constant current power supply 30 is controlled so that it can be continuously reduced to the first current value Im. In step a6, the tester control unit 28 obtains the measurement result by the voltmeter 32 in a state where the applied current of the first current value Im is applied to the object 22 to be measured through the contacts 23a and 23b. To do. In step a11, the tester control unit 28 continuously reduces the applied voltage applied to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b from the second voltage value Vo to the first voltage value Vm. The constant voltage power supply 31 is controlled so that In step a12, the tester control unit 28 obtains a measurement result by the ammeter 33 in a state where the applied voltage of the first voltage value Vm is applied to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b. To do.

このように本実施の形態によれば、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂの接触抵抗を低下させた状態で、被測定物２２の電気特性を測定するので、被測定物２２の電気特性を正確に測定することができる。 As described above, according to the present embodiment, the electrical characteristics of the device under test 22 are measured in a state where the contact resistances of the contacts 23a and 23b and the contact portions 43a and 43b of the device under test 22 are reduced. The electrical characteristics of the DUT 22 can be accurately measured.

また、前述のようにして各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂの接触抵抗を低下させた状態で、被測定物２２の電気特性を測定するので、被測定物２２の電気特性を正確に測定するために、前記第１の従来の技術のように、多くの接触子を被測定物２２に接触させる必要がない。したがって小形化された被測定物２２の電気特性を、容易に測定することができる。 In addition, since the electrical characteristics of the device under test 22 are measured with the contact resistances of the contacts 23a, 23b and the contact portions 43a, 43b of the device under test 22 lowered as described above, the device under test 22 is measured. In order to accurately measure the electrical characteristics, it is not necessary to bring many contacts into contact with the object to be measured 22 as in the first prior art. Therefore, the electrical characteristics of the object 22 to be reduced can be easily measured.

また、前述のようにして各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂの接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、前記接触部４３ａ，４３ｂの接触抵抗を低下させるために、前記第２の従来の技術のように、各接触子２３ａ，２３ｂを被測定物２２に押付ける押付力を大きくする必要がない。したがって小形化に伴って脆弱化した被測定物２２であっても、破損させることなく、電気特性を測定することができる。 Further, as described above, a state in which the contact resistances of the contact parts 23a and 23b and the contact parts 43a and 43b of the object to be measured 22 are reduced can be realized, so that the contact resistances of the contact parts 43a and 43b are reduced. Therefore, unlike the second prior art, it is not necessary to increase the pressing force for pressing the contacts 23a and 23b against the object 22 to be measured. Therefore, even if the DUT 22 is weakened with downsizing, the electrical characteristics can be measured without being damaged.

また、前述のようにして各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂの接触抵抗を低下させた状態を実現することができるので、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触面圧を大きくして、接触部４３ａ，４３ｂの接触抵抗を低下させるために、前記第３の従来の技術のように、各接触子２３ａ，２３ｂの先端部を先細状にして、各接触子２３ａ，２３ｂと被測定物２２との接触部４３ａ，４３ｂを小さくする必要がない。したがって各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂを大きくして、各接触子２３ａ，２３ｂと被測定物２２とを安定した状態で接触させることができ、電気特性を容易に測定することができる。 In addition, since the contact resistances of the contact portions 43a and 43b of the contacts 23a and 23b and the device under test 22 can be reduced as described above, the contacts 23a and 23b and the device under test can be realized. In order to increase the contact surface pressure of 22 and reduce the contact resistance of the contact portions 43a and 43b, as in the third prior art, the tips of the contactors 23a and 23b are tapered. It is not necessary to reduce the contact portions 43a and 43b between the respective contacts 23a and 23b and the object 22 to be measured. Accordingly, the contact portions 23a, 23b and the contact portions 43a, 43b of the object to be measured 22 can be enlarged so that the contacts 23a, 23b and the object to be measured 22 can be brought into stable contact with each other, and electrical characteristics can be easily obtained. Can be measured.

また、前述のように各接触子２３ａ，２３ｂと被測定物２２とを安定した状態で接触させることができるので、電気特性の測定に対する信頼性の向上を図ることができる。また、小形化の進む発光ダイオードなどの被測定物２２の電気特性の測定にあたって、前記第３の従来の技術のように、精密接触技術を必要としないので、測定装置２１の低価格化を図ることができる。 Further, as described above, since the contactors 23a and 23b and the object 22 to be measured can be brought into contact in a stable state, it is possible to improve the reliability of measurement of electrical characteristics. Further, unlike the third prior art, the precision contact technique is not required for measuring the electrical characteristics of the device under test 22 such as a light-emitting diode, which is becoming smaller, so that the cost of the measuring device 21 is reduced. be able to.

また本実施の形態によれば、第２電流値Ｉｏは、被測定物２２の最大定格電流値よりも小さく、かつ２Ｉｍ≦Ｉｏに選ばれる。第２電流値Ｉｏが前記最大定格電流値よりも大きく選ばれると、被測定物２２の電気特性に対する信頼性が低下する。また第２電流値Ｉｏが第１電流値Ｉｍの２倍未満に選ばれると、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂには、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。 Further, according to the present embodiment, the second current value Io is selected to be smaller than the maximum rated current value of the DUT 22 and 2Im ≦ Io. If the second current value Io is selected to be larger than the maximum rated current value, the reliability of the measured object 22 with respect to the electrical characteristics is lowered. When the second current value Io is selected to be less than twice the first current value Im, the contact 23a, 23b and the contact part 43a, 43b of the object to be measured 22 are not subjected to high voltage, and are indirect contact. It is difficult for current to flow through the part. Therefore, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently.

また第２電圧値Ｖｏは、被測定物２２の最大定格電圧値よりも小さく、かつ１．１Ｖｍ≦Ｖｏに選ばれる。第２電圧値Ｖｏが前記最大定格電圧値よりも大きく選ばれると、被測定物２２の電気特性に対する信頼性が低下する。また第２電圧値Ｖｏが第１電圧値Ｖｍの１．１倍未満に選ばれると、各接触子２３ａ，２３ｂおよび被測定物２２の接触部４３ａ，４３ｂには、高い電圧がかからず、間接接触部分には、電流が流れにくい。したがって接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。 The second voltage value Vo is selected to be smaller than the maximum rated voltage value of the DUT 22 and 1.1 Vm ≦ Vo. When the second voltage value Vo is selected to be larger than the maximum rated voltage value, the reliability of the measured object 22 with respect to the electrical characteristics is lowered. When the second voltage value Vo is selected to be less than 1.1 times the first voltage value Vm, a high voltage is not applied to the contact portions 23a and 23b and the contact portions 43a and 43b of the object to be measured 22, It is difficult for current to flow through the indirect contact portion. Therefore, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently.

また本実施の形態によれば、定電流電源３０からの印加電流は、電流波形がパルス状であり、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間は、この立ち上がり時間をＴｒ１としたとき、０＜Ｔｒ１≦１ｍｓｅｃに選ばれる。また定電圧電源３１からの印加電圧は、電圧波形がパルス状であり、この立ち上がり時間をＴｒ２としたとき、０＜Ｔｒ２≦１ｍｓｅｃに選ばれる。このように前記各立ち上がり時間Ｔｒ１，Ｔｒ２が、１ｍｓｅｃ以下に選ばれることによって、接触抵抗の低下を効果的に達成することができる。前記各立ち上がり時間Ｔｒ１、Ｔｒ２が１ｍｓｅｃを超えると、接触抵抗を低下する効果が充分に得られない。前記各立ち上がり時間Ｔｒ１，Ｔｒ２は、短いほどよい。 In addition, according to the present embodiment, the applied current from the constant current power supply 30 has a current waveform in a pulse shape, and the rising time of the applied current at the start of application of the applied current is when the rising time is Tr1. 0 <Tr1 ≦ 1 msec is selected. The voltage applied from the constant voltage power supply 31 is selected such that 0 <Tr2 ≦ 1 msec when the voltage waveform is pulsed and the rise time is Tr2. As described above, when the rising times Tr1 and Tr2 are selected to be 1 msec or less, it is possible to effectively reduce the contact resistance. If each of the rising times Tr1 and Tr2 exceeds 1 msec, the effect of reducing the contact resistance cannot be obtained sufficiently. The shorter the rise times Tr1 and Tr2, the better.

本実施の形態では、第２電流値Ｉｏの印加電流を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加することによる測定時間の延長、および第２電圧値Ｖｏの印加電圧を、各接触子２３ａ，２３ｂを介して被測定物２２に印加することによる測定時間の延長は、それぞれ数ｍｓｅｃ〜１０ｍｓｅｃ程度であり、測定装置２１の処理能力に大きな影響を与えるものではない。 In the present embodiment, the application time of the second current value Io is applied to the DUT 22 via the contacts 23a and 23b, and the measurement time is extended and the applied voltage of the second voltage value Vo is The extension of the measurement time due to application to the object 22 to be measured via the contacts 23a and 23b is about several msec to 10 msec, respectively, and does not greatly affect the processing capability of the measuring device 21.

前述の実施の形態は、本発明の例示に過ぎず、本発明の範囲内において構成を変更することができる。前述の実施の形態では、測定装置２１が測定する電気特性は電圧電流特性であるが、測定装置２１は、電圧電流特性以外の種々の電気特性をも測定することができるように構成してもよい。 The above-described embodiment is merely an example of the present invention, and the configuration can be changed within the scope of the present invention. In the above-described embodiment, the electrical characteristic measured by the measuring device 21 is a voltage-current characteristic. However, the measuring device 21 may be configured to measure various electrical characteristics other than the voltage-current characteristic. Good.

測定装置２１は、発光ダイオードだけに限らず、半導体レーザ装置およびトランジスタなどの種々の電子部品の電気特性の測定に用いてもよい。また測定装置２１は、テーピング機の極性チェッカとして用いてもよい。テーピング機の極性チェッカとして用いられる場合、測定装置２１には、前述のように測定結果に基づいて検査結果を生成して被測定物２２を分類する分類機能は必要ない。 The measuring device 21 is not limited to the light emitting diode but may be used for measuring electrical characteristics of various electronic components such as a semiconductor laser device and a transistor. Moreover, you may use the measuring apparatus 21 as a polarity checker of a taping machine. When used as a polarity checker of a taping machine, the measuring device 21 does not need a classification function for generating the inspection result based on the measurement result and classifying the object to be measured 22 as described above.

本発明の実施の一形態である電子部品の電気特性の測定装置２１の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electrical constitution of the measurement apparatus 21 of the electrical property of the electronic component which is one Embodiment of this invention. 被測定物２２の平面図である。3 is a plan view of a device under test 22. FIG. 被測定物２２の図２の切断面線Ｓ３−Ｓ３から見た断面図である。It is sectional drawing seen from cut surface line S3-S3 of FIG. 被測定物２２および各接触子２３ａ，２３ｂの接触状態を示す平面図である。It is a top view which shows the contact state of the to-be-measured object 22 and each contactor 23a, 23b. 定電流電源３０を詳細に示す図である。It is a figure which shows the constant current power supply 30 in detail. 定電圧電源３１を詳細に示す図である。It is a figure which shows the constant voltage power supply 31 in detail. 測定装置２１を備える検査装置６１の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the inspection apparatus 61 provided with the measuring apparatus 21. FIG. 測定装置２１によって実行される電気特性の測定方法を説明するためのフローチャートである。3 is a flowchart for explaining a method of measuring electrical characteristics executed by the measuring device 21. 電流波形を模式的に示す波形図である。It is a wave form diagram showing a current waveform typically. 電圧波形を模式的に示す波形図である。It is a waveform diagram which shows a voltage waveform typically. 第２電流値Ｉｏの印加電流または第２電圧値Ｖｏの印加電圧を被測定物２２に印加した後に第１電流値Ｉｍの印加電圧または第１電圧値Ｖｍの印加電圧を被測定物２２に印加した場合の第１接触子２３ａおよび電極部分３８ａの接触部４３ａの導通状態を模式的に示す図である。After applying the applied current of the second current value Io or the applied voltage of the second voltage value Vo to the device under test 22, the applied voltage of the first current value Im or the applied voltage of the first voltage value Vm is applied to the device under test 22. It is a figure which shows typically the conduction | electrical_connection state of the contact part 43a of the 1st contactor 23a and the electrode part 38a at the time of doing. 第２電流値Ｉｏの印加電流および第２電圧値Ｖｏの印加電圧を被測定物２２に印加することなく第１電流値Ｉｍの印加電流または第１電圧値Ｖｍの印加電圧を被測定物２２に印加した場合の第１接触子２３ａおよび電極部分３８ａの接触部４３ａの導通状態を模式的に示す図である。The applied current of the first current value Im or the applied voltage of the first voltage value Vm is applied to the device under test 22 without applying the applied current of the second current value Io and the applied voltage of the second voltage value Vo to the device under test 22. It is a figure which shows typically the conduction | electrical_connection state of the contact part 43a of the 1st contactor 23a and the electrode part 38a at the time of applying. 第１の従来の技術におけるケルビン接続を説明するための回路図である。It is a circuit diagram for demonstrating the Kelvin connection in a 1st prior art. 電子部品１と各接触子２ａ〜２ｄとの接触状態を示す平面図である。It is a top view which shows the contact state of the electronic component 1 and each contact 2a-2d. 第２の従来の技術における半導体装置７と各接触子８ａ，８ｂとの接触状態を示す平面図である。It is a top view which shows the contact state of the semiconductor device 7 and each contactor 8a, 8b in the 2nd prior art. 半導体装置７と各接触子８ａ，８ｂとの接触状態の図１５の下方から見た側面図である。It is the side view seen from the downward direction of FIG. 15 of the contact state of the semiconductor device 7 and each contactor 8a, 8b. 第３の従来の技術における半導体装置１３と各接触子１４ａ，１４ｂとの接触状態を示す側面図である。It is a side view which shows the contact state of the semiconductor device 13 and each contactor 14a, 14b in the 3rd prior art.

符号の説明Explanation of symbols

２１測定装置
２２被測定物
２３ａ，２３ｂ接触子
２５供給手段
２６測定手段
２７切換手段
２８テスタ制御部
３０定電流電源
３１定電圧電源
３２電圧計
３３電流計
３５ハンドラ制御部
５５定電流回路
５６電圧制限回路
６１検査装置
６２ハンドラ
６３供給部
６４測定部
６５分類収納部
６６分類部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Measuring apparatus 22 Measured object 23a, 23b Contact 25 Supply means 26 Measuring means 27 Switching means 28 Tester control part 30 Constant current power supply 31 Constant voltage power supply 32 Voltmeter 33 Ammeter 35 Handler control part 55 Constant current circuit 56 Voltage limitation Circuit 61 Inspection device 62 Handler 63 Supply unit 64 Measurement unit 65 Classification storage unit 66 Classification unit

Claims

被測定物に接触子を接触させ、予め定める第１電流値の印加電流または予め定める第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定方法であって、
前記第１電流値を超える予め定める第２電流値の印加電流または前記第１電圧値を超える予め定める第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加する工程と、
前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第２電流値から第１電流値に連続的に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第２電圧値から第１電圧値に連続的に低下させる工程と、
前記第１電流値の印加電流または前記第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する工程とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定方法。 The contact is brought into contact with the object to be measured, and the applied current of the predetermined first current value or the applied voltage of the predetermined first voltage value is applied to the measured object through the contact, A method of measuring electrical characteristics of an electronic component that measures electrical characteristics through the contact,
Applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured via the contact;
An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is continuously reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact, Continuously reducing the second voltage value to the first voltage value;
In a state where the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the measured object via the contact, the electrical characteristics of the measured object are measured via the contact. And a method for measuring electrical characteristics of the electronic component.

被測定物に接触子を接触させ、予め定める第１電流値の印加電流または予め定める第１電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する電子部品の電気特性の測定装置であって、
印加電流または印加電圧を供給する供給手段と、
供給手段からの印加電流または印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、被測定物の電気特性を、前記接触子を介して測定する測定手段と、
前記第１電流値を超える予め定める第２電流値の印加電流または前記第１電圧値を超える予め定める第２電圧値の印加電圧を、前記接触子を介して被測定物に印加した後に、前記接触子を介して被測定物に印加する印加電流を、前記第２電流値から第１電流値に低下させ、または前記接触子を介して被測定物に印加する印加電圧を、前記第２電圧値から第１電圧値に低下させることができるように供給手段を制御するとともに、前記第１電流値の印加電流または前記第１電圧値の印加電圧が、前記接触子を介して被測定物に印加された状態で、前記測定手段による測定結果を取得する制御手段とを含むことを特徴とする電子部品の電気特性の測定装置。 The contact is brought into contact with the object to be measured, and the applied current of the predetermined first current value or the applied voltage of the predetermined first voltage value is applied to the measured object through the contact, An apparatus for measuring electrical characteristics of an electronic component that measures electrical characteristics through the contact,
Supply means for supplying an applied current or applied voltage;
A measuring means for measuring an electrical property of the object to be measured through the contact in a state where an applied current or an applied voltage from the supply means is applied to the object to be measured through the contact;
After applying an applied current of a predetermined second current value exceeding the first current value or an applied voltage of a predetermined second voltage value exceeding the first voltage value to the object to be measured through the contact, An applied current to be applied to the object to be measured through the contact is reduced from the second current value to the first current value, or an applied voltage to be applied to the object to be measured through the contact is the second voltage. The supply means is controlled so that the voltage can be lowered from the value to the first voltage value, and the applied current of the first current value or the applied voltage of the first voltage value is applied to the object to be measured via the contact. And a control unit that acquires a measurement result obtained by the measurement unit in an applied state.

前記第２電流値は、被測定物の最大定格電流値よりも小さく、かつ第１電流値をＩｍとし、第２電流値をＩｏとしたとき、２Ｉｍ≦Ｉｏに選ばれ、
または前記第２電圧値は、被測定物の最大定格電圧値よりも小さく、かつ第１電圧値をＶｍとし、第２電圧値をＶｏとしたとき、１．１Ｖｍ≦Ｖｏに選ばれることを特徴とする請求項２記載の電子部品の電気特性の測定装置。 When the second current value is smaller than the maximum rated current value of the object to be measured, the first current value is Im, and the second current value is Io, 2Im ≦ Io is selected.
Alternatively, when the second voltage value is smaller than the maximum rated voltage value of the object to be measured, the first voltage value is Vm, and the second voltage value is Vo, 1.1 Vm ≦ Vo is selected. The apparatus for measuring electrical characteristics of an electronic component according to claim 2.

前記供給手段は、印加電流を供給しているときに、被測定物にかかる電圧が被測定物の最大定格電圧値を超えないように、被測定物にかかる電圧を制限する電圧制限手段、または印加電圧を供給しているときに、被測定物に流れる電流が被測定物の最大定格電流値を超えないように、被測定物に流れる電流を制限する電流制限手段を含むことを特徴とする請求項２または３記載の電子部品の電気特性の測定装置。 The supply means is a voltage limiting means for limiting the voltage applied to the device under test so that the voltage applied to the device under test does not exceed the maximum rated voltage value of the device under test when supplying an applied current; or It includes a current limiting means for limiting the current flowing through the device under test so that the current flowing through the device under test does not exceed the maximum rated current value of the device under test when the applied voltage is supplied. The apparatus for measuring electrical characteristics of an electronic component according to claim 2 or 3.

供給手段からの印加電流または印加電圧は、電流波形または電圧波形がパルス状であり、印加電流の印加開始時における印加電流の立ち上がり時間または印加電圧の印加開始時における印加電圧の立ち上がり時間は、各立ち上がり時間をＴｒ１，Ｔｒ２としたとき、０＜Ｔｒ１≦１ｍｓｅｃまたは０＜Ｔｒ２≦１ｍｓｅｃに選ばれることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の電子部品の電気特性の測定装置。 The applied current or applied voltage from the supply means is a pulse waveform of the current waveform or voltage waveform, and the rising time of the applied current at the start of applying the applied current or the rising time of the applied voltage at the start of applying the applied voltage is 5. The apparatus for measuring electrical characteristics of an electronic component according to claim 2, wherein 0 <Tr1 ≦ 1 msec or 0 <Tr2 ≦ 1 msec is selected when the rise times are Tr1 and Tr2. .