JP2006005089A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 高電位側の端子VDDにゲート(G)を接続したNMOSトランジスタ1と、低電位側の端子GNDにゲート(G)を接続したPMOSトランジスタ2とを有し、NMOSトランジスタ1のソースまたはドレイン(S/D)と、PMOSトランジスタ2のソースまたはドレイン(S/D)とを電気的に接続する。
【選択図】 図1
Description
この回路では、電源端子VDD−GND間に、2つのMOSキャパシタを接続している。すなわち、ゲートを電源端子VDDに接続したNMOSトランジスタ52と、ゲートをNMOSトランジスタ52のソースまたはドレインと接続し自身のソースまたはドレインをGNDに接続したNMOSトランジスタ53からなる。NMOSトランジスタ52、53の基板はGNDに接続している。
図1は、本発明の実施の形態の半導体装置の回路図である。
本発明の実施の形態の半導体装置は、MOSキャパシタとして機能するNMOSトランジスタ1とPMOSトランジスタ2とを、高電位側の端子(以下電源端子VDDとする)と低電位側の端子(以下GNDとする)間に接続した構成である。
図のように、本発明の実施の形態の半導体装置は、p型基板10上にNMOSトランジスタ1及びPMOSトランジスタ2を形成した構成になっている。NMOSトランジスタ1は、ゲート電極11と、n型のソースまたはドレイン領域12、13と、基板電位を決定するGNDと接続するためのp型不純物注入層14とからなる。一方、PMOSトランジスタ2は、nウェル15上に形成され、ゲート電極16と、p型のソースまたはドレイン領域17、18と、PMOSトランジスタ2の基板電位(nウェル15の電位)を決定する電源端子VDDと接続するためのn型不純物注入層19とからなる。なお、ゲート酸化膜などについては図示を省略している。
2 PMOSトランジスタ
10 p型基板
11、16 ゲート電極
12、13 ソースまたはドレイン領域(n型)
14 p型不純物注入層
15 nウェル
17、18 ソースまたはドレイン領域(p型)
19 n型不純物注入層
20、21 寄生ダイオード
Claims (3)
- キャパシタとして機能するMOSトランジスタを有した半導体装置において、
高電位側の端子にゲートを接続したnチャネル型MOSトランジスタと、低電位側の端子にゲートを接続したpチャネル型MOSトランジスタとを有し、
前記nチャネル型MOSトランジスタのソースまたはドレインと、前記pチャネル型MOSトランジスタのソースまたはドレインとを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。 - 前記nチャネル型MOSトランジスタの前記ソースまたは前記ドレインと基板との間に形成される寄生ダイオードと、前記pチャネル型MOSトランジスタの前記ソースまたは前記ドレインと基板との間に形成される寄生ダイオードとが電気的に接続されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記nチャネル型MOSトランジスタと、前記pチャネル型MOSトランジスタによる2つのキャパシタ間の中間電位が、電気的に接続された前記nチャネル型MOSトランジスタに形成される前記寄生ダイオードと、前記pチャネル型MOSトランジスタに形成される前記寄生ダイオード間の電位となることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
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