JP2005536098A - Acoustic resonator - Google Patents
Acoustic resonator Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005536098A JP2005536098A JP2004527057A JP2004527057A JP2005536098A JP 2005536098 A JP2005536098 A JP 2005536098A JP 2004527057 A JP2004527057 A JP 2004527057A JP 2004527057 A JP2004527057 A JP 2004527057A JP 2005536098 A JP2005536098 A JP 2005536098A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- primer
- primer layer
- acoustic resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 48
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 41
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 37
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 20
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N boscalid Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=CC=C1NC(=O)C1=CC=CN=C1Cl WYEMLYFITZORAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000003389 potentiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49005—Acoustic transducer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
一つの発明の特徴の音響共振器は、基材、該基材上に直接又は該基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層のおおむね結晶性のプライマー層、該プライマー層上に備えられたおおむね滑らかな並びにおおむね結晶性の電極層、及び該電極層上に備えられた圧電体層を含んでいる。該プライマー層、又は該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、該電極層は、第一系に対し異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有している。該プライマー層又は前記プライマー複数層の少なくとも一層と該電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする。An acoustic resonator according to one aspect of the invention comprises a substrate, at least one generally crystalline primer layer provided directly on the substrate or on top of one or more intermediate layers on the substrate, the primer It includes a generally smooth and generally crystalline electrode layer provided on the layer, and a piezoelectric layer provided on the electrode layer. At least one of the primer layer or the plurality of primer layers has a crystallographic structure belonging to the first crystal system, and the electrode layer is a crystal belonging to a second crystal system different from the first system. It has a scientific structure. The atomic spacing between at least one of the primer layer or the plurality of primer layers and the electrode layer matches within about 15%.
Description
本発明は、音響共振器類及びその様なデバイス類を形成する方法に関する。特に、しかし限定されないが、本発明は、その上に例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の圧電体層を堆積させる（deposit）モリブデン（Ｍｏ）電極に関する。その様な構造は、ケイ素ウエハー上に形成された音響共振器類の特色をよく示している。音響共振器類は、ＲＦフィルター類及びバルク弾性波（ＢＡＷ）又はフィルムバルク弾性波共振器（ＦＢＡＲ）の様な共振器類として用いられ、そして、用語「音響共振器」は、すべてのその様なデバイス類及び類似の構造を用いる別の類を網羅する為に広範に用いられる。その様なデバイス類に於いて、例えば結晶性の窒化アルミニウムの圧電体層は、少なくとも二つの電極の間に位置する。該構造に高周波電圧を適用すると、圧電体層は、選択された周波数での許容振動モードで振動すると考えられ、その結果、バンドパス・フィルター又は周波数安定化を可能とさせる。 The present invention relates to acoustic resonators and methods of forming such devices. In particular, but not exclusively, the present invention relates to a molybdenum (Mo) electrode on which a piezoelectric layer of, for example, aluminum nitride (AlN) is deposited. Such a structure well illustrates the characteristics of acoustic resonators formed on a silicon wafer. Acoustic resonators are used as RF filters and resonators such as bulk acoustic wave (BAW) or film bulk acoustic wave resonators (FBAR), and the term “acoustic resonator” It is widely used to cover a variety of devices and other classes that use similar structures. In such devices, for example, a crystalline aluminum nitride piezoelectric layer is located between at least two electrodes. When a high frequency voltage is applied to the structure, the piezoelectric layer is believed to vibrate in an allowed vibration mode at a selected frequency, thereby allowing bandpass filtering or frequency stabilization.
モリブデンは、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ及びＴｉの様な他の電極金属類と比較して、そのより高い剛性により、より低い音響損失と言う長所を有しているので、下部電極として、例えばＦＢＡＲデバイス類で用いられる。Ｍｏでのより低い音響損失に関連した利点は、その速度で該フィルターがオン・オフする速度を決めるＱに関して、デバイス類でのより高いＱファクターである。 Molybdenum has the advantage of lower acoustic loss due to its higher stiffness compared to other electrode metals such as Al, Pt, Au and Ti, so as a lower electrode, for example, an FBAR device Used in class. The advantage associated with lower acoustic loss at Mo is the higher Q factor in the devices with respect to the Q that determines the speed at which the filter turns on and off at that speed.
ＦＢＡＲデバイス類での良好な性能に対する主要な要求の一つは、あらかじめ選び抜かれた結晶学的面上でのロッキングカーブの、好ましくは２°以下の半値全幅（full width, half maximum）（ＦＷＨＭ）を有する、ＡｌＮ膜でのシャープな｛０００２｝テクスチャ（texture）である。ＡｌＮ膜のテクスチャは、その上にＡｌＮ膜を堆積させる下層電極の粗度及びテクスチャの双方に強く依存する事は、既知である。シャープなテクスチャを有する滑らかな下層は、実現し得る最高の組み合わせである。 One of the main requirements for good performance in FBAR devices is the full width, half maximum (FWHM) of the rocking curve on a pre-selected crystallographic plane, preferably less than 2 ° A sharp {0002} texture with an AlN film. It is known that the texture of the AlN film strongly depends on both the roughness and texture of the lower electrode on which the AlN film is deposited. A smooth underlayer with a sharp texture is the best possible combination.
英国特許出願公開第２ ３４９ ３９２号明細書に於いて、本出願人は、下層電極を堆積させる前、間中又は後に、プラズマでの水素原子の使用を記述している。そして、それは、結果的に、続いて該電極上に堆積する窒化アルミニウム層の向上した品質をもたらした。当時は、そのプロセスは、十分に理解されておらず、そしてその結果、最適化されなかった。
In
米国特許第６、０６０、８１８号明細書（US-B-6,060,818）に於いて、リンドープ・シリカガラス（ＰＳＧ）層の表面を鏡面仕上げに研磨する事により、モリブデンの十分にコリメートされた（well-collimated）膜が堆積し得る事が、示された。この開示は、次いで、ＰＳＧ層に対する前記鏡面仕上げが、「ＰＳＧ層が圧電体層を「シードする」（seed）結晶性構造を含んでいないと言う事実にもかかわらず」、高度にテクスチャリングされた（highly textured）Ｃ軸圧電体層用の基盤を形成した事を、更に記載する。この開示でのＰＳＧ層は、犠牲層（sacrificial layer）であり、続いて、キャビティ（cavity）を創り出す為にウェットエッチングされる。化学機械研磨プロセス及び続いてのクリーニングは、複雑及び費用のかかるものである。 In US Pat. No. 6,060,818 (US-B-6,060,818), the surface of a phosphorus-doped silica glass (PSG) layer is polished to a mirror finish to fully collimate molybdenum. -Colimated) It was shown that a film can be deposited. This disclosure is then highly textured, even though the mirror finish for the PSG layer “despite the fact that the PSG layer does not contain a crystalline structure that“ seeds ”the piezoelectric layer. It is further described that a substrate for a highly textured C-axis piezoelectric layer was formed. The PSG layer in this disclosure is a sacrificial layer and is subsequently wet etched to create a cavity. The chemical mechanical polishing process and subsequent cleaning is complex and expensive.
従って、その上に圧電体層を堆積させる表面としてふさわしい、しかし、電極層の下の犠牲層及び／又は直に接する下地（underlay）の研磨を必要としていない、下部電極を堆積させる向上した方法の要求がある。 Thus, an improved method of depositing a lower electrode that is suitable as a surface on which to deposit a piezoelectric layer, but does not require polishing of a sacrificial layer and / or an immediate underlay under the electrode layer. There is a request.
研究から、本出願人は、電極層真下の下層又は下複数層が、電極層との界面で滑らかである事ばかりではなく、二つの機能を果たす事も、即ち、一つは電極層にマッチされた原子間隔である事、そしてもう一つは真下の基材から下部電極をバッファリングする又は少なくとも部分的に結晶学的な絶縁をする事と言う二つの機能を果たす事も必要である事を、主張した。 From research, Applicants have found that the underlying layer or layers beneath the electrode layer not only are smooth at the interface with the electrode layer, but also perform two functions: one matches the electrode layer. It is also necessary to perform the two functions of buffering the atomic distance, and buffering the bottom electrode from the underlying substrate, or at least partially crystallizing insulation. Insisted.
本出願人は、それを達成する方法を発見した。
それ故に、本発明の一つの特徴に於いて、以下を備える音響共振器が提供される。それは、
基材、
直接前記基材上にあるいは前記基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層の概ね結晶性のプライマー層（primer layer）、
前記プライマー層上に備えられた概ね滑らかな並びに概ね結晶性の電極層、
及び
前記電極層上に備えられた圧電体層
であり、そこでは、
（ｉ）プライマー層又はプライマー複数層の少なくとも一層が、第一結晶系（system）に属する結晶学的構造を有し、
（ii）前記電極層が、前記第一系に対して異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有し、そして、
（iii ）少なくとも一つの方位（orientation）に於いて、前記プライマー層又は前記プライマー複数層の少なくとも一層と前記電極層の原子間隔が、約１５％以内にマッチする
事を特徴とする。
The Applicant has discovered a way to achieve it.
Therefore, in one aspect of the present invention, an acoustic resonator is provided comprising: that is,
Base material,
At least one generally crystalline primer layer provided directly on the substrate or on top of one or more intermediate layers on the substrate;
A generally smooth and generally crystalline electrode layer provided on the primer layer;
And a piezoelectric layer provided on the electrode layer, wherein:
(I) at least one of the primer layer or primer layers has a crystallographic structure belonging to the first crystal system;
(Ii) the electrode layer has a crystallographic structure belonging to a second crystal system different from the first system; and
(Iii) In at least one orientation, at least one layer of the primer layer or the plurality of primer layers and the electrode layer match with each other within about 15%.
もう一つの特徴から、本発明は、以下を備える音響共振器にある。それは、
基材、
直接前記基材上にあるいは前記基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層の概ね結晶性のプライマー層、
前記プライマー層上に備えられた概ね滑らかな並びに概ね結晶性の電極層、
及び
前記電極層に備えられた圧電体層
であり、そこでは、
（vi）プライマー層又はプライマー複数層の少なくとも一層が、第一結晶系に属する結晶学的構造を有し、そして、
（vii ）前記電極層が、前記第一系に対して異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有し、そして、
（viii）少なくとも一つの方位に於いて、前記プライマー層又は少なくとも電極と接続するプライマー層と前記電極層の原子間隔が、約１５％以内にマッチする
事を特徴とする。
From another aspect, the present invention resides in an acoustic resonator comprising: that is,
Base material,
At least one generally crystalline primer layer provided directly on the substrate or on top of one or more intermediate layers on the substrate;
A generally smooth and generally crystalline electrode layer provided on the primer layer;
And a piezoelectric layer provided in the electrode layer, wherein:
(Vi) at least one of the primer layer or primer layers has a crystallographic structure belonging to the first crystal system, and
(Vii) the electrode layer has a crystallographic structure belonging to a second crystal system different from the first system; and
(Viii) In at least one orientation, an atomic interval between the primer layer or at least the primer layer connected to the electrode and the electrode layer matches within about 15%.
明確にする為に、その上に圧電体層を堆積させる導電層は、導電層がそれ自身で又は導電性の下層と連携して電流キャリア機能を果たすかどうかにかかわりなく、「電極」と呼ばれる。窒化アルミニウムは圧電体層としてよく知られており、そして例として本明細書で示されたが、用いられる他の圧電体物質類は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及びチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を含む。 For clarity, the conductive layer on which the piezoelectric layer is deposited is referred to as an “electrode” regardless of whether the conductive layer performs its current carrier function by itself or in conjunction with the conductive underlayer . Aluminum nitride is well known as a piezoelectric layer and has been shown here as an example, but other piezoelectric materials used include zinc oxide (ZnO) and lead zirconate titanate (PZT). Including.
真下の基材は、例えば、音響ミラー層類又は非晶質層（それは、場合によっては、次の処理ステップの間で部分的に又は完全に取り除かれる犠牲層であってもよい）又は滑らかな表面を創り出す何か別の層を含んでよい。その上に電極構造を堆積させる表面は、結晶学的要素を殆んど又は全く有していなさそうであり、それ故に、プライマー層は、下層基材での結晶性が不十分な又は不規則な構造が電極層に於いて複製されない様に、結晶性構造のものであるが、しかし電極の結晶系に対して異なる結晶系のものである様に選び抜かれる。この様に、プライマー層は、プライマー層が、電極層で複製される基材の非晶質な又は不規則な性質に対するいかなる傾向をも低減する為に、電極層に対し異なる結晶学的構造、及びプライマー層と電極層との間の良好な（即ち、約１５％以内の）原子間隔マッチングを有すると言う特性を、有する様に選び抜かれる。 The underlying substrate can be, for example, an acoustic mirror layer or an amorphous layer (which can be a sacrificial layer that is partially or completely removed in some cases during the next processing step) or smooth It may include some other layer that creates the surface. The surface on which the electrode structure is deposited is likely to have little or no crystallographic elements, and therefore the primer layer is insufficiently crystalline or irregular in the underlying substrate. The structure is of a crystalline structure so that it is not replicated in the electrode layer, but is selected to be of a different crystal system to the crystal system of the electrode. In this way, the primer layer has a different crystallographic structure relative to the electrode layer, so that the primer layer reduces any tendency for the amorphous or irregular nature of the substrate replicated in the electrode layer. And a property of having good (ie, within about 15%) atomic spacing matching between the primer layer and the electrode layer.
一つの例に於いて、単一のプライマー層は、基材と下部電極層との間に、適用される機能の双方を提供する単一のプライマー層を備えている。あるいは、電極層の結晶学的構造と異なる結晶学的構造を有する様に選び抜かれた下部プライマー層、及び電極層にマッチさせられた原子間隔である様に選び抜かれた上部プライマー層を有する、二層以上のプライマー層があってよい。 In one example, a single primer layer comprises a single primer layer that provides both the applied function between the substrate and the bottom electrode layer. Alternatively, a lower primer layer selected to have a crystallographic structure different from the crystallographic structure of the electrode layer, and an upper primer layer selected to have an atomic spacing matched to the electrode layer. There may be more than one primer layer.
一つの例に於いて、単一のプライマー層は、六方晶系に属する結晶学的構造を有し、そして、前記電極層は、立方晶系に属する結晶学的構造を有している。例えば、電極層は、モリブデン（立方晶系）で形成されたものでよく、そして、プライマー層は、例えば、窒化アルミニウム又は六方晶α型チタンから選び抜かれてよい。プライマー層は、元素、化学量論的又は非化学量論的物質の合金又は化合物でよい。モリブデン電極層は、実質的には元素形態で、又は、他の元素類と合金されるか別の方法で組み合わせられてよい。 In one example, the single primer layer has a crystallographic structure belonging to the hexagonal system, and the electrode layer has a crystallographic structure belonging to the cubic system. For example, the electrode layer may be formed of molybdenum (cubic), and the primer layer may be selected from, for example, aluminum nitride or hexagonal α-type titanium. The primer layer may be an element, an alloy of stoichiometric or non-stoichiometric materials or a compound. The molybdenum electrode layer may be substantially in elemental form, or may be alloyed or otherwise combined with other elements.
代わりの電極システムで、電極層は、立方晶形態の任意のふさわしい金属製物質（例えば、タングステン、ケイ素、アルミニウム、銅、金、ニッケル、白金、タンタル、あるいはＴｉＷの様な合金又は化合物）で形成されたものでよく、そして、プライマー層は、別の結晶形態（例えば、正方晶、斜方晶、又は六方晶）の層又は複数層で形成されたものでよく、そして、元素、化合物、又は合金でよい。その様な層は、例えば、チタン（チタンは、二形成（dimorphic）で、そしてα型での六方晶であると言う点で異例である。）、インジウム、窒化アルミニウム、窒化タンタル、ケイ化タングステン、亜鉛、及び炭化モリブデンを含んでよい。 In an alternative electrode system, the electrode layer is formed of any suitable metallic material in a cubic form (eg, an alloy or compound such as tungsten, silicon, aluminum, copper, gold, nickel, platinum, tantalum, or TiW). And the primer layer may be formed of a layer or layers of another crystal form (eg, tetragonal, orthorhombic, or hexagonal) and may be an element, compound, or An alloy may be used. Such layers are, for example, titanium (titanium is unusual in that it is dimorphic and α-type hexagonal), indium, aluminum nitride, tantalum nitride, tungsten silicide. , Zinc, and molybdenum carbide.
出願人は、厚肉の（thicker）プライマー複数層が電極層のテクスチャの品質を下げる傾向がある事を、見出していたので、プライマー層は、好ましくは約２００nm以下の、より好ましくは約１００nm以下の、及び好都合には約５０nmの厚みを有している。 Applicants have found that thicker primer layers tend to reduce the texture quality of the electrode layer, so that the primer layer is preferably about 200 nm or less, more preferably about 100 nm or less. And conveniently has a thickness of about 50 nm.
特定の状況によっては、その上に圧電体物質を備える単一の電極層が備えられる基材上に備えられる単一のプライマー層があってよい、又は、基材上に備えられる多層構造があってよい。 Depending on the particular situation, there may be a single primer layer provided on a substrate on which a single electrode layer comprising a piezoelectric material is provided, or there may be a multilayer structure provided on the substrate. It's okay.
もう一つの特徴に於いて、本発明は、以下の工程を備える音響共振器を形成する方法を提供する。その工程は、
プライマー層を堆積させる工程、
前記プライマー層の上部表面上にモリブデンを含んでいる電極層を堆積させる工程、
及び
最上部電極層上に圧電体物質の層を堆積させる工程
であって、そこでは、前記プライマー層が、少なくとも一つの方位に於いて、前記電極層の原子間隔と約１５％以内にマッチする原子間隔を有する概ね結晶性物質を含んでおり、そして、立方晶形態のものではない事を特徴とする。
In another aspect, the present invention provides a method of forming an acoustic resonator comprising the following steps. The process is
Depositing a primer layer;
Depositing an electrode layer containing molybdenum on an upper surface of the primer layer;
And depositing a layer of piezoelectric material on the top electrode layer, wherein the primer layer matches the atomic spacing of the electrode layer within about 15% in at least one orientation. It is characterized by containing substantially crystalline material with atomic spacing and not in cubic form.
幾つかの実施態様に於いて、プライマー層の堆積は、約１００℃未満の基材温度で実行され、２０〜１００℃が、ふさわしい範囲である可能性がある。プライマー層の堆積と電極層の堆積との間で真空破壊を有さない事も、好ましいかもしれない。 In some embodiments, the deposition of the primer layer is performed at a substrate temperature of less than about 100 ° C., with 20-100 ° C. being a suitable range. It may also be preferable not to have a vacuum break between the deposition of the primer layer and the deposition of the electrode layer.
幾つかの状態に於いて、プライマー複数層を用いる事又はモリブデン電極から逸脱する事は、常に可能ではないかもしれない。例えば、音響共振器は、上記技術を実行する事を困難にする、下部電極の下に音響ミラーを有している可能性がある。従って、更なる試みが、プライマー層を伴わず下部電極の上に形成される圧電体物質の結晶学的テクスチャを向上させる為に実行された。しかしながら、注目すべきは、それらの研究の結果として開発された技術も、上述のプライマー層構造と併用して用いられる可能性がある事、である。 In some situations, it may not always be possible to use multiple primer layers or to deviate from the molybdenum electrode. For example, an acoustic resonator may have an acoustic mirror under the lower electrode that makes it difficult to perform the above technique. Therefore, further attempts were made to improve the crystallographic texture of the piezoelectric material formed on the lower electrode without the primer layer. However, it should be noted that the technology developed as a result of these studies may also be used in combination with the primer layer structure described above.
それ故に、本発明のなお一層の特徴に於いて、以下を備える音響共振器が提供される。それは、
基材、
前記基材上に直接又は前記基材上の一層以上の中間層上に間接的に備えられたモリブデンを含む電極層、及び
前記電極層上に備えられた圧電体物質の層
でり、そこでは、前記モリブデン電極層は、主にネオン・スパッタリング・プロセスにより堆積し、そして、電極層は、水素プラズマで処理される事を特徴とする。
Therefore, in yet a further feature of the present invention, an acoustic resonator is provided comprising: that is,
Base material,
An electrode layer comprising molybdenum provided directly on the substrate or indirectly on one or more intermediate layers on the substrate, and a layer of piezoelectric material provided on the electrode layer, wherein The molybdenum electrode layer is deposited mainly by a neon sputtering process, and the electrode layer is treated with hydrogen plasma.
本出願人は、ターゲット物質に対して質量マッチ（mass-matched）が不十分なガスを用いて基材上にモリブデンをスパッタリングする事が、向上したＦＷＨＭを有するより滑らかな電極表面をもたらすであろうと言う事を、主張した。アルゴン及びクリプトンを用いて行われた研究は、この仮説が真実である事を暗示した。何故なら、スパッタリングガスとしてアルゴンを用いて基材上に堆積したモリブデン電極は、クリプトンを用いて堆積したものよりもより滑らかな外観を有していた。しかしながら、本出願人による更なるワーク（work）は、アルゴンが用いられる時モリブデン表面のＦＷＨＭは減少するけれども、ネオン（原子量２０）が用いられる時そのＦＷＨＭは劣化すると言う事を、示した。しかしながら、全く意外にも、ネオン・スパッタリングを用いるモリブデン上に堆積した圧電体物質（窒化アルミニウム）のＦＷＨＭは、もし電極層が水素プラズマで処理されるならば、大幅に向上し、そして、本当に、試験に於いてアルゴン・スパッタリングを用いて得られた結果よりもより良好である優れたＦＷＨＭ結果を示すと言う事が、見出された。 Applicants believe that sputtering molybdenum onto a substrate using a gas that is insufficiently mass-matched to the target material will result in a smoother electrode surface with improved FWHM. He insisted on trying to say. Studies done with argon and krypton have implied that this hypothesis is true. This is because the molybdenum electrode deposited on the substrate using argon as the sputtering gas had a smoother appearance than that deposited using krypton. However, further work by the Applicant has shown that the FWHM on the molybdenum surface decreases when argon is used, but the FWHM degrades when neon (atomic weight 20) is used. However, surprisingly, the FWHM of the piezoelectric material (aluminum nitride) deposited on molybdenum using neon sputtering is greatly improved if the electrode layer is treated with hydrogen plasma, and indeed, It has been found that the test shows excellent FWHM results that are better than those obtained using argon sputtering.
もう一つの特徴に於いて、本発明は、以下の工程を備える音響共振器を形成する方法を提供する。その工程は、
基材上に直接、又は基材上の一層以上の中間層上に間接的に、モリブデンを含む電極層を備える為に、ネオン・スパッタリング・プロセス及びモリブデンターゲットを用いる工程、
水素プラズマで前記電極層を処理する工程、及び
前記電極層上に圧電体物質の層を備える工程
である。
圧電体物質は、都合よくは、窒化アルミニウムを含んでよい。
In another aspect, the present invention provides a method of forming an acoustic resonator comprising the following steps. The process is
Using a neon sputtering process and a molybdenum target to provide an electrode layer comprising molybdenum directly on the substrate or indirectly on one or more intermediate layers on the substrate;
Treating the electrode layer with hydrogen plasma; and providing a layer of piezoelectric material on the electrode layer.
The piezoelectric material may conveniently comprise aluminum nitride.
水素プラズマ処理は、約１８０KHz〜約２７．１２MHzの範囲の周波数を用い及び２００mm直径の基材に対し約０．５〜約１０KWの範囲のパワーで、平行平板型反応器、及び約１〜約１０Torrの範囲の水素圧力を用いて実行されてよい。 The hydrogen plasma treatment uses parallel plate reactors, with frequencies in the range of about 180 KHz to about 27.12 MHz, and powers in the range of about 0.5 to about 10 KW for 200 mm diameter substrates, and about 1 to about It may be performed using a hydrogen pressure in the range of 10 Torr.
また更なる特徴から、本発明は、電極層に対して異なる結晶学の層を選び抜く事を備える、そして、少なくとも一つの方位に於いて、電極層の原子間隔と約１５％以内にマッチする原子間隔を有する、音響共振器に於ける下部電極層用のプライマー層を選び抜く方法にある。 From yet a further feature, the present invention comprises selecting different crystallographic layers for the electrode layer and matches within about 15% with the atomic spacing of the electrode layer in at least one orientation. In this method, a primer layer for the lower electrode layer in the acoustic resonator having an atomic interval is selected.
プライマー層は、二層以上の層を含んでもよく、そして、異なる結晶学的構造は、下部層にあってよい。
本発明は上述されたとはいえ、それは、説明又は後に添付の請求項に記載されるいかなる発明の組み合わせにも適用される。
本発明は、種々の様式（way）で実行されてよく、そして、特定の実施態様は、実施例を通して、添付の図１〜３を参照して、ここに記述される。
The primer layer may include more than one layer and the different crystallographic structures may be in the lower layer.
Although the invention has been described above, it applies to any inventive combination described in the description or the appended claims.
The present invention may be implemented in a variety of ways, and specific embodiments will now be described through examples and with reference to the accompanying FIGS.
実験が、あるプライマー層が十分にテクスチャリングされたＭｏ膜の成長を促進する事ができるかを確かめる為に、Ｍｏ膜下のプライマー層を先ず堆積させる事で行われた。結果を表１で要約する。 Experiments were performed by first depositing a primer layer under the Mo film to see if a primer layer can promote the growth of a well-textured Mo film. The results are summarized in Table 1.
表１に於いて、見出し「原子ミスマッチ（atomic mismatch）」は、プライマー層上に堆積したモリブデン層に関して、表面に相当する面上のプライマー層の原子間隔に於ける百分率差を示す為に用いられる。例えば、六方晶結晶類は、結晶の方位によっては、同時に示される極めて異なる原子間隔を有している可能性がある。この事は、特にチタンに関して更に論議される。 In Table 1, the heading “atomic mismatch” is used to indicate the percentage difference in the atomic spacing of the primer layer on the surface corresponding to the surface for the molybdenum layer deposited on the primer layer. . For example, hexagonal crystals may have very different atomic intervals shown at the same time depending on the crystal orientation. This is further discussed, particularly with respect to titanium.
プライマー層類は、Ｍｏ（モリブデンの原子間隔、ａMo＝２．７２５Å）との原子間隔マッチを基に選択され、そこではプライマーが結晶性並びに結晶性形態に於いて非立方晶であった。この事は、Ｍｏに対する良好なプライマー層類として、ａTa2N＝３．０５Åの原子間隔を有する窒化タンタル、窒化アルミニウム及びチタン、特にチタン六方晶α型でのチタンを、暗示した。 The primer layers were selected based on an atomic spacing match with Mo (molybdenum atomic spacing, a Mo = 2.725Å), where the primer was non-cubic in crystalline as well as crystalline form. This implied tantalum nitride, aluminum nitride and titanium with atomic spacing of a Ta2N = 3.05 と して, especially titanium in the titanium hexagonal α-type, as good primer layers for Mo.
チタンは、二形成で、六方晶及び立方晶形態の双方で存在し、そして、堆積条件によっては、六方晶形態チタンは、二つの結晶形態の一つに於けるその結晶方位を示すかもしれない。より高い温度、例えば４００℃の基材温度でチタンを堆積させる事は、結晶面で大きく異なる原子距離を有する（数１）方位を創り出したが、低い温度（典型的には１００℃未満）、例えば４０℃の基材温度でチタンを堆積させる事は、｛０００２｝方位を創り出した。この事は、粗悪な（inferior）モリブデン電極層を作り出す為に見出された。 Titanium is biformed and exists in both hexagonal and cubic forms, and depending on the deposition conditions, hexagonal form titanium may exhibit its crystal orientation in one of the two crystal forms . Depositing titanium at a higher temperature, eg, a substrate temperature of 400 ° C., has created (Equation 1) orientations with significantly different atomic distances in the crystal plane, but at lower temperatures (typically less than 100 ° C.), For example, depositing titanium at a substrate temperature of 40 ° C. created the {0002} orientation. This was found to create an inferior molybdenum electrode layer.
結晶性マッチングが不十分な物質との更なる比較として、窒化モリブデンも、極めて滑らかだが、非結晶性である非晶質ＳｉＯＮ層と同様に、試みられた。 As a further comparison with materials with poor crystallinity matching, molybdenum nitride has also been tried, as well as amorphous SiON layers that are very smooth but non-crystalline.
これら実験からの結果は、結晶性で、電極層に対する異なる結晶学のもので、そして近接した原子距離マッチングを有する、例えば、該電極層に対して約１５％以内のマッチングを有する、プライマー層を選び出す事により、音響共振器に於ける十分にテクスチャリングされた下部電極層を作り出すプライマー層を選び出すやり方を特定する。 The results from these experiments show that the primer layer is crystalline, of different crystallography for the electrode layer, and has close atomic distance matching, eg, within about 15% matching for the electrode layer. By selecting, it is specified how to select a primer layer that creates a well-textured bottom electrode layer in the acoustic resonator.
配向性が良好なＭｏ（ＦＷＨＭ＝１．８４°）上に堆積したＡｌＮも配向性が良好である（ＦＷＨＭ＝１．１０°）事が、分かり得る。配向性が良好なＭｏ電極層とその上に堆積した配向性が良好なＡｌＮ圧電体層との間に直接関係があるように見える。又、注目すべきは、厚肉のプライマー層はＭｏテクスチャの品質を下げる傾向がある事、である。これは厚肉のプライマー層類が一層粗い事に因ると、考えられる。 It can be seen that AlN deposited on Mo with good orientation (FWHM = 1.84 °) also has good orientation (FWHM = 1.10 °). It seems that there is a direct relationship between the Mo electrode layer with good orientation and the AlN piezoelectric layer with good orientation deposited thereon. Also noteworthy is that thick primer layers tend to reduce the quality of the Mo texture. This is thought to be due to the fact that the thick primer layers are rougher.
極めて当然で、Ｍｏとの原子間隔マッチが不十分な窒化Ｍｏプライマー層類は、粗悪なＭｏテクスチャを示した。極めて滑らかな非晶質のＳｉＯＮプライマーも粗悪なＭｏテクスチャを示した。 Of course, the nitrided Mo primer layers with poor atomic spacing match with Mo showed poor Mo texture. A very smooth amorphous SiON primer also showed poor Mo texture.
良好な圧電体電極層類は、又、上部に立方晶モリブデン層を有する、例えば、六方晶チタン、立方晶アルミニウムからなるスタック（stack）構造上に形成されるかもしれないと、仮定される。このスタック構造は、下部チタンと覆っているアルミニウムとの間での結晶学に於ける所要の変化（この実施例に於ける六方晶から立方晶に）を提供するだろう。その様な構造に於いて、１，０００Åを超える、及び典型的には２，０００Åの厚みの上部電極層を有するプライマー複数層は、各々の層が典型的には１５０Åの厚みであり、典型的には５００Å以下の総厚みであろう。この実施例は、本発明の一般性（generality）を実証する為に示され、上部アルミニウム並びにモリブデンの層は、それらが双方とも導電性であるので、一緒に電極と見なされる事もあり得、そして、もし幾つかの層がこの機能を遂行する様にふさわしい厚さに膜厚を増加させるならば、実際には、単一の導電性層は、１，０００Åの厚みを超える必要は決してない。 It is hypothesized that good piezoelectric electrode layers may also be formed on a stack structure consisting of, for example, hexagonal titanium, cubic aluminum, with a cubic molybdenum layer on top. This stack structure will provide the required change in crystallography (from hexagonal to cubic in this example) between the lower titanium and the covering aluminum. In such a structure, a primer multilayer having a top electrode layer of more than 1,000 、 and typically 2,000 、 thick, each layer is typically 150 厚 み thick, Specifically, the total thickness will be 500 mm or less. This example is shown to demonstrate the generality of the present invention, where the top aluminum and molybdenum layers can be considered together as electrodes because they are both conductive. And if the thickness is increased to a thickness suitable for several layers to perform this function, in practice, a single conductive layer will never need to exceed a thickness of 1,000 mm. .
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）並びにＦＷＨＭの調査は、ＡｌＮ（５０nm）／Ｍｏ（１８０nm）スタックに関して行われた。そして、その様な構造の顕微鏡写真は、図１に示される。ｒｍｓ粗度は、０．５０nmである。ＭｏのＦＷＨＭは、２．４°で、そして、ＡｌＮのＦＷＨＭは、１．２２°である。ｚ軸は、５nmである。 Atomic force microscopy (AFM) as well as FWHM studies were performed on AlN (50 nm) / Mo (180 nm) stacks. A micrograph of such a structure is shown in FIG. The rms roughness is 0.50 nm. The FWHM of Mo is 2.4 ° and the FWHM of AlN is 1.22 °. The z axis is 5 nm.
多分、下部電極の下の音響ミラーのデザインにより、プライマー層類を用いる事又はＭｏ電極から逸脱する事は、いつも可能ではないかもしれない。従って、追加の実験が、プライマー層無しでモリブデン下部電極上のＡｌＮテクスチャを向上させる為に、行われた。 Maybe it may not always be possible to use primer layers or deviate from the Mo electrode, depending on the design of the acoustic mirror under the lower electrode. Therefore, additional experiments were performed to improve the AlN texture on the molybdenum bottom electrode without the primer layer.
スパッタリング・プロセスは、ターゲットに衝突する希ガスのイオンを利用する。スパッタリング効率は、ターゲット原子の質量とマッチするスパッタリングガスを用いる事により向上する。従って、例えば、Ａｒ効率とＫｒ効率との間で見られる差異は、多分、Ｍｏ原子とスパッタリングガス原子との間でのエネルギー伝達の効率に因る。ＫｒとＭｏとの間でのエネルギー伝達（Ｅt＝０．９９）は、Ｋｒ（原子量 ８０）とＭｏ（原子量 ９６）との間でのより良好な質量マッチに因り、ＡｒとＭｏとの間でのエネルギー伝達（Ｅt＝０．８３）よりもより高い。従って、Ｋｒを用いてスパッタリングされたＭｏ原子は、Ａｒを用いてスパッタリングされたＭｏ原子よりもより低いエネルギーを有しているだろう。この事は、アルゴン及びクリプトンで堆積したＭｏ膜（図２及び３）の粗度に於ける顕著な差異、及びこれら膜上での次に形成されるＡｌＮテクスチャに於ける差異を、説明する。 The sputtering process utilizes noble gas ions that strike the target. Sputtering efficiency is improved by using a sputtering gas that matches the mass of the target atom. Thus, for example, the difference seen between Ar efficiency and Kr efficiency is probably due to the efficiency of energy transfer between Mo atoms and sputtering gas atoms. The energy transfer between Kr and Mo (E t = 0.99) is between Ar and Mo due to a better mass match between Kr (atomic weight 80) and Mo (atomic weight 96). Higher than the energy transfer at E t = 0.83. Thus, Mo atoms sputtered using Kr will have lower energy than Mo atoms sputtered using Ar. This explains the significant difference in the roughness of Mo films (FIGS. 2 and 3) deposited with argon and krypton, and the difference in the subsequently formed AlN texture on these films.
この事は、より滑らかな窒化アルミニウムの層が、ターゲット物質に対し質量マッチが不十分なスパッタリングガスを用いて、下部モリブデン電極をスパッタリングする事により達成される可能性がある事を、暗示する。それ故に、この事は、スパッタリングされるターゲット物質がウエハー表面に到達する時（スパッタリング効率のロスはあるが）、そのターゲット物質に対してより高い残存エネルギーレベルを提供する。 This implies that a smoother layer of aluminum nitride may be achieved by sputtering the lower molybdenum electrode using a sputtering gas that has a poor mass match to the target material. Therefore, this provides a higher residual energy level for the target material when the target material to be sputtered reaches the wafer surface (with a loss of sputtering efficiency).
それ故に、実験は、アルゴン、クリプトン及びネオン中で絶縁体に堆積するモリブデン電極層で行われ、次いで、窒化アルミニウムがこのモリブデン層上にスパッタリングされた。更に、幾つかの実験の為に、水素プラズマ処理が、窒化アルミニウム層をスパッタリングする前にＭｏ下部電極層上で行われた。水素処理チャンバーは、上部シャワーヘッド（showerhead）に印加される１３．５６MHzでのＲＦを有する狭い間隔で並んだ平行平板型反応器であった。ベストな結果が、２kWのパワー並びに４Torrの水素圧力で得られた。これらの実験を表２で要約する。 Therefore, experiments were performed with a molybdenum electrode layer deposited on an insulator in argon, krypton and neon, and then aluminum nitride was sputtered onto this molybdenum layer. In addition, for some experiments, a hydrogen plasma treatment was performed on the Mo lower electrode layer before sputtering the aluminum nitride layer. The hydrogen treatment chamber was a closely spaced parallel plate reactor with RF at 13.56 MHz applied to the upper showerhead. Best results were obtained with 2 kW power and 4 Torr hydrogen pressure. These experiments are summarized in Table 2.
意外にも、ベストなＡｌＮのＦＷＨＭの結果が、最も悪いＦＷＨＭを示すＭｏの下地（underlay）を水素プラズマ処理する事により得られる。この事は全く予想外であり、そして、ネオンで堆積したＭｏを水素処理する事により、かなりの差で、最も悪いＭｏ下地がベストのＭｏ下地に変質させられる。 Surprisingly, the best AlN FWHM results are obtained by hydrogen plasma treatment of the Mo underlay, which exhibits the worst FWHM. This is totally unexpected, and by treating the Mo deposited with neon with hydrogen, the worst Mo substrate can be transformed into the best Mo substrate by a considerable difference.
水素プラズマ処理に対するプロセスウィンドウ（process window）は、より高いパワー並びに圧力に対してＡｌＮのＦＷＨＭ結果を向上させる（より小さい角度）全体的な傾向に関して、かなり幅が広い（broad）事が見出された。２００mmウエハーに印加される０．５〜２kWのパワー及び０．５〜４Torrの水素圧力の範囲以内で、良好な結果が、２kW及び４Torr条件でのベスト結果と共に、得られた。 The process window for hydrogen plasma treatment has been found to be fairly broad with respect to the overall trend of improving AlN FWHM results (lower angles) for higher power and pressure. It was. Within the range of 0.5-2 kW power applied to a 200 mm wafer and 0.5-4 Torr hydrogen pressure, good results were obtained, along with the best results at 2 kW and 4 Torr conditions.
対照的に、３５６KHzの低い周波数のＲＦが、１５０秒にアップしたプロセス時間に対するＡｌＮのＦＷＨＭ角度並びにより長いプロセス時間でのＭｏ膜のブリスタリング（blistering）を変えないで、１３．５６MHz周波数のＲＦの代わりに試みられた。電極は、用いられたプラズマ反応器に於いて、狭い間隔で並んでいた（３０mm未満）。より低い圧力並びに周波数は、衝撃（bombardment）での増加したエネルギーと関係がある。何故なら、実験的証拠は、低いエネルギーレベルではあっても増加した磁束（flux）により、ベスト結果が得られる事、である。 In contrast, a low frequency RF of 356 KHz does not change the FWHM angle of AlN for a process time increased to 150 seconds, as well as the blistering of the Mo film at longer process times. Attempted instead of The electrodes were closely spaced (less than 30 mm) in the plasma reactor used. Lower pressure as well as frequency is associated with increased energy at the bombardment. Because experimental evidence is that the best results are obtained with increased flux, even at low energy levels.
すべてのケースに於いて、大気への該当表面の暴露を伴わずプライマー層（複数層）の表面上に電極層を堆積させる事が、好まれ、そして、この事は、本出願人から市販されているシグマ（Sigma）（商標）スパッター・システムの様なマルチチャンバー・「クラスタ」タイプ・シングルウエハー・スパッタリングシステム、又はApplied Materials Incから入手できるエンデュラ（Endura）（商標）の様な類似のシステムに於いて、ベスト状態で得られる。 In all cases, it is preferred to deposit an electrode layer on the surface of the primer layer (s) without exposure of the relevant surface to the atmosphere, and this is commercially available from the applicant. Multi-chamber “cluster” type single wafer sputtering systems such as the Sigma ™ Sputtering System, or similar systems such as Endura ™ available from Applied Materials Inc. In the best condition.
電極層上に堆積した圧電体層の品質は、適切なプライマー層を選び抜く事により、劇的に向上し得る事が、示されている。この事は、更なる実験結果を伴う、最新の内容である。 It has been shown that the quality of the piezoelectric layer deposited on the electrode layer can be dramatically improved by selecting an appropriate primer layer. This is the latest content with further experimental results.
上述の全てのモリブデンの堆積は、標準のクローズカップルド(close coupled）（４５mmスロー（throw））マグネトロン・スパッタリング・チャンバーで行われた。しかしながら、４３０mmのソースから基材迄の距離及び磁気コイルを有するウルトラ（Ultra）（商標）・スパッター・チャンバー（Trikon Technologies Inc.から市販されている、そして、国際公開第０２／１１１７６号パンフレットに記述される様な）が、ふさわしいプライマー層上のモリブデン堆積に用いられる時、モリブデン電極並びに次に堆積する窒化アルミニウム圧電体の層のＦＷＨＭの角度が向上する事が、見出されている。これは、プライマー層が全く用いられないケースでは無いので、意外な結果であり、そして、この向上に対する理由は、現在も理解されて無いが、以下の様に説明されるだろう。 All the molybdenum depositions described above were performed in a standard close coupled (45 mm throw) magnetron sputtering chamber. However, an Ultra ™ sputter chamber with a 430 mm source to substrate distance and magnetic coil (commercially available from Trikon Technologies Inc. and described in WO 02/11176) However, it has been found that when used for molybdenum deposition on a suitable primer layer, the FWHM angle of the molybdenum electrode as well as the next deposited aluminum nitride piezoelectric layer is improved. This is an unexpected result since the primer layer is not used at all, and the reason for this improvement is still not understood, but will be explained as follows.
磁気コイルの閉じ込め（confinemnt）は、ターゲットでのプラズマ密度を増大させる効果を有しており、そして、その結果、コイルに対して１３５０アンペア・ターンの条件で、スパッタリングされる物質のイオン化度を約５％から約２０〜２５％に増大させる。ソースから基材迄の距離を引き延ばす事は（少なくとも標準より５倍大きい）、ターゲットプラズマから基材を引き離し、その結果、基材の衝撃を低減する効果を有している。印加基材バイアスが無くても、ウエハーは、典型的には、１０ｅＶ台の負の自己バイアスを帯び、その結果、イオン化ガス及び／又はスパッタリングされる物質によるある程度の衝撃を被るだろう。ロングスロー・チャンバーは、必ず物質効率が悪く（１／１０の基材上の堆積速度）、段差被覆性（step coverage）の要求は無く（共振器類はフラットなので）、そして、電極の下にプライマー層が無い状態では、全くＦＷＨＭの角度向上は見られない。これらの理由の為、ロングスロー・チャンバーは、本出願の全ての既知の要求により禁忌を示され（contra-indict）、そして、実験に対しは例外的選択である。結果を表３で要約する。 The confinement of the magnetic coil has the effect of increasing the plasma density at the target and, as a result, reduces the ionization degree of the sputtered material at 1350 ampere turns with respect to the coil. Increase from 5% to about 20-25%. Extending the distance from the source to the substrate (at least 5 times greater than the standard) has the effect of pulling the substrate away from the target plasma and, consequently, reducing the impact of the substrate. Even without an applied substrate bias, the wafer will typically have a negative self-bias on the order of 10 eV and as a result will experience some impact by the ionized gas and / or the material being sputtered. Long throw chambers always have poor material efficiency (1/10 deposition rate on substrate), no step coverage requirement (since resonators are flat), and underneath the electrodes In the state without the primer layer, the angle improvement of FWHM is not seen at all. For these reasons, the long throw chamber is contra-indicted by all known requirements of this application and is an exceptional choice for experiments. The results are summarized in Table 3.
チタンは、「コールド」（cold）堆積した（公称４０℃）。標準（４５mmのソースから基材迄の距離）での値は、表１の値にそのまま相当し、そして、実験結果の範囲内のみで差がある。 Titanium was “cold” deposited (nominal 40 ° C.). The value in the standard (distance from the source of 45 mm to the substrate) corresponds to the value in Table 1 as it is, and there is a difference only within the range of the experimental results.
チタンの好ましい｛０００２｝並びに（数２）テクスチャを堆積させる条件を更に詳細に決定する為に、以下の実験が、表２に示された様に行われた。４００℃堆積したＴｉ膜上のＸＲＤ測定は、テクスチャが極めてかすかな｛０００２｝ピークを有する（数３）である事を、示した。Ｔｉに於ける｛０００２｝テクスチャは、配向性が良好なＭｏ膜の成長を促進する為に必要とされる。Ｔｉ膜を一層コールド堆積させる事は、｛０００２｝テクスチャの成長を促進するであろう事が、見出された。ウエハーはスパッタリングする前にヒートステーション（heat station）に於いて気体を除く為に加熱されるので、低温度での堆積は冷却ステップを必要とする。この事は、ウエハーチャック（wafer chuck）に対する熱伝導度を増大させる為に、チタンチャンバーをアルゴンでバックフィリング（backfilling）する事で、実験的には達成された。より的確には、それは、ウエハー静電クランピング（electrostatic wafer clamping）並びにウエハー・バックサイドガス与圧（wafer backside gas pressurisation）の様なふさわしいクランプ／冷却により、達成されるかもしれない。次いで、Ｔｉ膜は、｛０００２｝テクスチャを促進する為に１００℃並びに４０℃で堆積した。結果を表４に示す。 In order to determine in more detail the conditions for depositing the preferred {0002} and (Equation 2) texture of titanium, the following experiment was performed as shown in Table 2. XRD measurements on a Ti film deposited at 400 ° C. showed that the texture had a very faint {0002} peak (Equation 3). The {0002} texture in Ti is required to promote the growth of Mo films with good orientation. It has been found that cold deposition of Ti films will promote the growth of {0002} textures. Since the wafer is heated to remove gas at the heat station prior to sputtering, deposition at low temperatures requires a cooling step. This was experimentally achieved by backfilling the titanium chamber with argon to increase the thermal conductivity to the wafer chuck. More precisely, it may be achieved by proper clamping / cooling such as wafer electrostatic clamping and wafer backside gas pressurisation. The Ti film was then deposited at 100 ° C. as well as 40 ° C. to promote {0002} texture. The results are shown in Table 4.
以下の結論が、表４に示された結果から出され得る。Ｔｉの｛０００２｝テクスチャは、良好なＭｏテクスチャを促進する事に際し、（数４）テクスチャよりもより効力があり、ウエハーは、Ｔｉでの｛０００２｝テクスチャを得る為に、Ｔｉの堆積の間中コールドである事を必要とし、そして、ＡｌＮテクスチャは、Ｍｏテクスチャでの改善により向上する。 The following conclusions can be drawn from the results shown in Table 4. The {0002} texture of Ti is more effective than the (Equation 4) texture in promoting good Mo textures, and the wafers during Ti deposition to obtain a {0002} texture in Ti It needs to be medium cold and the AlN texture is enhanced by improvements with the Mo texture.
既に示された様に、Ｔｉシード及び特に｛０００２｝シードの効果に対する理由は、電極の原子間隔に対してシードの原子間隔をマッチングさせる事である。 As already indicated, the reason for the effects of Ti seeds and in particular {0002} seeds is to match the atomic spacing of the seed to the atomic spacing of the electrode.
Ｔｉ、Ｍｏ及びＡｌＮに対する該当面での格子定数及び原子間隔は下表に示されている。｛１１０｝面上のＭｏ（それは、Ｍｏでの好ましいテクスチャである）での格子マッチは、｛０００２｝テクスチャリングされたＴｉシードとの間でより良好である事が、表５から分かり得る。この事は、１００℃より低いコールド堆積したＴｉ膜上で見られたより良好なＭｏのＦＷＨＭを説明する。 Lattice constants and atomic spacings in the relevant planes for Ti, Mo and AlN are shown in the table below. It can be seen from Table 5 that the lattice match at Mo on the {110} plane (which is the preferred texture at Mo) is better with the {0002} textured Ti seed. This explains the better Mo FWHM seen on cold deposited Ti films below 100 ° C.
タングステンは、Ｍｏとのベストな原子マッチを有しており、そして、それ故に、十分にテクスチャリングされたＭｏ膜に対するシーディング層としての使用候補である。しかしながら、堆積したままの（as-deposited）Ｗ膜（「シーディング」（seeding）又はプライマー層類の無い）のテクスチャは不十分（ＦＷＨＭ＞１０．０°）なので（Ｍｏと同じ様に）、タングステンはこの点で使えない。この不十分なテクスチャは、覆っているＭｏ膜に於いて複製されるだろう。対照的に、ＴｉテクスチャがＭｏテクスチャに影響する唯一のファクターではないが、４．５°未満のＦＷＨＭを有するＴｉを堆積させ得る。ＴｉテクスチャがＴｉプライマー層の膜厚の増大と共に向上する一方で、Ｍｏ（及びＡｌＮ）テクスチャはＴｉプライマー層の膜厚の増大と共に品質が低下する事が、見出される。｛０００２｝ＴｉのＦＷＨＭは、１５nm厚のＴｉ膜に対して４．５°であり、そして、１００nm厚のＴｉ膜に対して３．５２°である。Ｔｉプライマーの厚みの増大と共にＭｏテクスチャの品質低下は、多分、厚みの増大と共にＴｉ膜が粗くなる事に因る。 Tungsten has the best atomic match with Mo and is therefore a candidate for use as a seeding layer for well-textured Mo films. However, the texture of as-deposited W films (without “seeding” or primer layers) is inadequate (FWHM> 10.0 °) (similar to Mo), Tungsten cannot be used in this respect. This insufficient texture will be replicated in the covering Mo film. In contrast, Ti texture is not the only factor affecting Mo texture, but Ti with FWHM less than 4.5 ° can be deposited. It is found that the Ti texture improves with increasing Ti primer layer thickness, while the Mo (and AlN) texture decreases in quality with increasing Ti primer layer thickness. The {0002} Ti FWHM is 4.5 ° for a 15 nm thick Ti film and 3.52 ° for a 100 nm thick Ti film. The decrease in the quality of the Mo texture with the increase in the thickness of the Ti primer is probably due to the roughening of the Ti film as the thickness increases.
それ故に、望ましいプライマーは、電極層とぴったりの原子間隔マッチングを有しており、そして、十分にテクスチャリングされ、そして、堆積したままで滑らかである。チタンプライマー層の最適な厚みは、表６に示される。一般に、共振器用のベストな電極類は、立方晶であり、そして、ベストなプライマー層類は、結晶性形態に於いて六方晶であろう。 Therefore, desirable primers have close atomic spacing matching with the electrode layer and are well textured and smooth as deposited. The optimum thickness of the titanium primer layer is shown in Table 6. In general, the best electrodes for a resonator are cubic and the best primer layers will be hexagonal in crystalline form.
極めてかすかな｛０００２｝ピークを持つ（数５）テクスチャを有するＴｉ膜が、４００℃で堆積した。Ｔｉでの｛０００２｝テクスチャは、配向性が良好なＭｏ膜の成長を促進する為に必要とされる。Ｍｏ膜は、５００nmの厚みであり、そして、動力を供給される（powered）コイルを有するウルトラ（商標）チャンバーに於いて２００℃で堆積した。ＡｌＮ膜は、１．５μmの厚みであり、そして、４００℃で堆積した。 A Ti film with a very faint {0002} peak (Equation 5) texture was deposited at 400 ° C. The {0002} texture with Ti is required to promote the growth of Mo films with good orientation. The Mo film was 500 nm thick and was deposited at 200 ° C. in an Ultra ™ chamber with a powered coil. The AlN film was 1.5 μm thick and was deposited at 400 ° C.
ＡｌＮプライマー層は、配向性が良好なＭｏ膜の成長を促進する事に対して、Ｔｉよりもより効力がある事が、表１に示された。この事は、プライマーと電極との間での原子マッチングが電極テクスチャに影響する唯一のファクターでない事を、更に暗示する。ＡｌＮシードのより良好なテクスチャ並びに滑らかさが、ＴｉとＭｏとの間でのより良好な原子マッチングより優位である可能性がある。 Table 1 shows that the AlN primer layer is more effective than Ti in promoting the growth of Mo films with good orientation. This further implies that atomic matching between the primer and the electrode is not the only factor affecting electrode texture. Better texture and smoothness of the AlN seed may dominate better atomic matching between Ti and Mo.
追加の実験が、Ｍｏテクスチャに影響を与える際のプライマー層テクスチャの役割を明確にする為に、行われた（４５mmのソースから基材迄の距離で）。配向性が不十分なＡｌＮ膜は、ＡｌＮの堆積前に脱気（degassing）ステップを除外する事により、堆積し得る。配向性が良好なＡｌＮ膜は、配向性が不十分なＡｌＮ膜よりもより良好なプライマー層である事が、分かり得る。ＡＦＭ調査が、十分にテクスチャリングされたＭｏ膜はテクスチャリングが不十分な膜よりもより滑らかである事を、示している様に、この事は、向上した滑らかさに因るかもしれない。 Additional experiments were performed (at a distance from the 45 mm source to the substrate) to clarify the role of the primer layer texture in influencing the Mo texture. An AlN film with poor orientation can be deposited by excluding a degassing step prior to AlN deposition. It can be seen that an AlN film with good orientation is a better primer layer than an AlN film with poor orientation. This may be due to improved smoothness, as AFM investigation shows that a well-textured Mo film is smoother than a poorly textured film.
タングステンは、ＢＡＷデバイス類に於いて、下部電極に適用する際、興味あるもう一つの金属である。ＷはＴｉ及びＡｌＮと良好な原子マッチングを有している事が、表５から分かり得、それ故に、Ｔｉ並びにＡｌＮプライマー層が、Ｗ膜に対して又研究された。 Tungsten is another metal of interest when applied to the bottom electrode in BAW devices. It can be seen from Table 5 that W has good atomic matching with Ti and AlN, therefore Ti and AlN primer layers have also been studied for W films.
Ｔｉ並びにＡｌＮの双方のプライマー層がＷテクスチャを向上させる事が、上表から分かり得る。Ｍｏで実証された様に、ＡｌＮは、Ｗ（及びＡｌＮ）テクスチャを向上させる際、Ｔｉよりもより効力がある。 It can be seen from the above table that both Ti and AlN primer layers improve the W texture. As demonstrated with Mo, AlN is more potent than Ti in improving W (and AlN) texture.
Claims (29)
直接前記基材上にあるいは前記基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層のおおむね結晶性のプライマー層、
前記プライマー層上に備えられたおおむね滑らかな並びにおおむね結晶性の電極層、及び
前記電極層上に備えられた圧電体層
を備え、そこでは、
（ｉ）該プライマー層、又は該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、
（ii）前記電極層は、前記第一系に対して異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、
（iii ）前記プライマー層又は前記プライマー複数層の少なくとも一層と前記電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする
事を特徴とする、音響共振器。 Base material,
At least one generally crystalline primer layer provided directly on the substrate or on top of one or more intermediate layers on the substrate;
A generally smooth and generally crystalline electrode layer provided on the primer layer, and a piezoelectric layer provided on the electrode layer, wherein:
(I) at least one of the primer layer or the plurality of primer layers has a crystallographic structure belonging to the first crystal system, and
(Ii) the electrode layer has a crystallographic structure belonging to a second crystal system different from the first system; and
(Iii) An acoustic resonator, wherein an atomic interval between at least one of the primer layer or the plurality of primer layers and the electrode layer matches within about 15%.
直接前記基材上にあるいは前記基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層のおおむね結晶性のプライマー層、
前記プライマー層上に備えられたおおむね滑らかな並びにおおむね結晶性の電極層、及び
前記電極層上に備えられた圧電体層
を備え、そこでは、
（iv）該プライマー層、又は該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、
（ｖ）前記電極層は、前記第一系に対して異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、
（vi）少なくとも一つの方位に於いて、前記プライマー層、又は少なくとも該電極と接続するプライマー層、及び前記電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする
事を特徴とする、音響共振器。 Base material,
At least one generally crystalline primer layer provided directly on the substrate or on top of one or more intermediate layers on the substrate;
A generally smooth and generally crystalline electrode layer provided on the primer layer, and a piezoelectric layer provided on the electrode layer, wherein:
(Iv) at least one of the primer layer or the plurality of primer layers has a crystallographic structure belonging to the first crystal system, and
(V) the electrode layer has a crystallographic structure belonging to a second crystal system different from the first system; and
(Vi) An acoustic resonator characterized in that, in at least one direction, the primer layer, or at least the primer layer connected to the electrode, and the atomic spacing of the electrode layer match within about 15%. .
該プライマー層の上部表面上にモリブデンを含んでいる電極層を堆積させる工程、及び
該最上部電極層上に圧電体物質の層を堆積させる工程
を備える音響共振器を形成する方法であって、そこでは、該プライマー層は、前記電極層の原子間隔と約１５％以内にマッチする原子間隔をその上部表面に有しているおおむね結晶性物質を含んでおり、そして立方晶形態のものではない事を特徴とする、音響共振器を形成する方法。 Depositing at least one primer layer;
A method of forming an acoustic resonator comprising: depositing an electrode layer containing molybdenum on an upper surface of the primer layer; and depositing a layer of piezoelectric material on the uppermost electrode layer, Therein, the primer layer generally comprises a crystalline material having an atomic spacing on its upper surface that matches the atomic spacing of the electrode layer to within about 15%, and is not of cubic form. A method of forming an acoustic resonator, characterized by:
該プライマー層の上部表面上にモリブデン又はタングステンを含んでいる電極層を堆積させる工程、及び
該最上部電極層上に圧電体物質の層を堆積させる工程
を備える音響共振器を形成する方法であって、そこでは、該プライマー層、又は少なくとも一つのプライマー層は、少なくとも一つの方位に於いて、前記電極層の原子間隔と約１５％以内にマッチする原子間隔をその上部表面に有しているおおむね結晶性物質を含んでおり、そして立方晶形態のものではない事を特徴とする、音響共振器を形成する方法。 Depositing at least one primer layer;
A method of forming an acoustic resonator comprising: depositing an electrode layer containing molybdenum or tungsten on the upper surface of the primer layer; and depositing a layer of piezoelectric material on the uppermost electrode layer. Wherein the primer layer, or at least one primer layer, has an atomic spacing on its upper surface that matches within about 15% with the atomic spacing of the electrode layer in at least one orientation. A method of forming an acoustic resonator, characterized in that it comprises a substantially crystalline material and is not of cubic form.
前記基材上に直接又は前記基材上の一層以上の中間層上に間接的に備えられたモリブデン又はタングステンを含む電極層、及び
前記電極層上に備えられた圧電体物質の層
を備える音響共振器であって、そこでは、前記電極層は、主にネオン・スパッタリング・プロセスにより堆積し、そして、前記電極層は、水素プラズマで処理される事を特徴とする、音響共振器。 Base material,
An acoustic comprising an electrode layer comprising molybdenum or tungsten provided directly on the substrate or indirectly on one or more intermediate layers on the substrate, and a layer of piezoelectric material provided on the electrode layer Resonator, wherein the electrode layer is deposited mainly by a neon sputtering process and the electrode layer is treated with hydrogen plasma.
水素プラズマで前記電極層を処理する工程、及び
前記電極層上に圧電体物質の層を備える工程
を備える音響共振器を形成する方法。 Using a neon sputtering process and a molybdenum or tungsten target primarily to provide an electrode layer comprising molybdenum or tungsten, either directly on the substrate or indirectly on one or more intermediate layers on the substrate. ,
A method of forming an acoustic resonator comprising: treating the electrode layer with hydrogen plasma; and providing a layer of a piezoelectric material on the electrode layer.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US40272802P | 2002-08-13 | 2002-08-13 | |
| GB0218762.3 | 2002-08-13 | ||
| US60/402,728 | 2002-08-13 | ||
| GB0218762A GB0218762D0 (en) | 2002-08-13 | 2002-08-13 | Acoustic resonators |
| GB0227981A GB0227981D0 (en) | 2002-11-30 | 2002-11-30 | Acoustic resonators |
| GB0227981.8 | 2002-11-30 | ||
| PCT/GB2003/003504 WO2004015862A2 (en) | 2002-08-13 | 2003-08-11 | Acoustic resonators |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010019112A Division JP5074540B2 (en) | 2002-08-13 | 2010-01-29 | Acoustic resonator |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005536098A true JP2005536098A (en) | 2005-11-24 |
| JP2005536098A5 JP2005536098A5 (en) | 2006-09-28 |
| JP5116945B2 JP5116945B2 (en) | 2013-01-09 |
Family
ID=31721069
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004527057A Expired - Lifetime JP5116945B2 (en) | 2002-08-13 | 2003-08-11 | Acoustic resonator |
| JP2010019112A Expired - Lifetime JP5074540B2 (en) | 2002-08-13 | 2010-01-29 | Acoustic resonator |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010019112A Expired - Lifetime JP5074540B2 (en) | 2002-08-13 | 2010-01-29 | Acoustic resonator |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP5116945B2 (en) |
| AU (1) | AU2003252992A1 (en) |
| DE (1) | DE10393038B4 (en) |
| GB (1) | GB2406582A (en) |
| WO (1) | WO2004015862A2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6944922B2 (en) * | 2002-08-13 | 2005-09-20 | Trikon Technologies Limited | Method of forming an acoustic resonator |
| JP5983164B2 (en) * | 2012-08-07 | 2016-08-31 | 旭硝子株式会社 | Glass substrate with Ti film, glass substrate with metal film using the same, glass substrate with Ti film, method for producing glass substrate with metal film using the same, and method for evaluating flatness of glass substrate surface |
| CN104767500B (en) * | 2014-01-03 | 2018-11-09 | 佛山市艾佛光通科技有限公司 | Cavity type thin film bulk acoustic wave resonator and preparation method thereof |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103709A (en) * | 1983-10-13 | 1985-06-08 | アメリカ合衆国 | Acoustic resonator and method of producing same |
| JPS61170561A (en) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of high melting point metal film |
| JPH01281720A (en) * | 1988-05-09 | 1989-11-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Manufacture of semiconductor thin film |
| JPH11260835A (en) * | 1997-07-11 | 1999-09-24 | Tdk Corp | Substrate for electronic device |
| JP2000273629A (en) * | 1999-03-18 | 2000-10-03 | Ulvac Japan Ltd | Formation of low resistance metallic thin film |
| JP2000332569A (en) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Tdk Corp | Thin-film piezoelectric element |
| JP2001094373A (en) * | 1999-07-29 | 2001-04-06 | Lucent Technol Inc | Thin film resonator and method for manufacturing it |
| JP2002076824A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Murata Mfg Co Ltd | Piezoelectric thin film resonator, filter and electronic device |
| JP2002374145A (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ube Electronics Ltd | Piezoelectric thin-film resonator |
| JP2004064786A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Agilent Technol Inc | Resonator having seed layer |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4482833A (en) * | 1981-04-01 | 1984-11-13 | Westinghouse Electric Corp. | Method for obtaining oriented gold and piezoelectric films |
| KR960000190B1 (en) * | 1992-11-09 | 1996-01-03 | 엘지전자주식회사 | Semiconductor manufacturing method and apparatus thereof |
| US5587620A (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
| JPH10308393A (en) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Tokyo Electron Ltd | Manufacture and manufacturing device of semiconductor device |
| US6060818A (en) * | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters |
| JP2000160337A (en) * | 1998-11-30 | 2000-06-13 | Hitachi Ltd | Magnetron sputtering device |
| GB2349392B (en) * | 1999-04-20 | 2003-10-22 | Trikon Holdings Ltd | A method of depositing a layer |
| JP4021601B2 (en) * | 1999-10-29 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | Sputtering apparatus and film forming method |
| JP2001313429A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Tdk Corp | Laminated thin film and manufacturing method for the same, and electronic device |
| WO2002011176A1 (en) * | 2000-07-27 | 2002-02-07 | Trikon Holdings Limited | Magnetron sputtering |
| US6377137B1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-04-23 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness |
| US20040021529A1 (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-05 | Bradley Paul D. | Resonator with protective layer |
-
2003
- 2003-08-11 AU AU2003252992A patent/AU2003252992A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-11 JP JP2004527057A patent/JP5116945B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-11 DE DE10393038T patent/DE10393038B4/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-11 GB GB0501682A patent/GB2406582A/en not_active Withdrawn
- 2003-08-11 WO PCT/GB2003/003504 patent/WO2004015862A2/en active Application Filing
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010019112A patent/JP5074540B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103709A (en) * | 1983-10-13 | 1985-06-08 | アメリカ合衆国 | Acoustic resonator and method of producing same |
| JPS61170561A (en) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of high melting point metal film |
| JPH01281720A (en) * | 1988-05-09 | 1989-11-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Manufacture of semiconductor thin film |
| JPH11260835A (en) * | 1997-07-11 | 1999-09-24 | Tdk Corp | Substrate for electronic device |
| JP2000273629A (en) * | 1999-03-18 | 2000-10-03 | Ulvac Japan Ltd | Formation of low resistance metallic thin film |
| JP2000332569A (en) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Tdk Corp | Thin-film piezoelectric element |
| JP2001094373A (en) * | 1999-07-29 | 2001-04-06 | Lucent Technol Inc | Thin film resonator and method for manufacturing it |
| JP2002076824A (en) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Murata Mfg Co Ltd | Piezoelectric thin film resonator, filter and electronic device |
| JP2002374145A (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Ube Electronics Ltd | Piezoelectric thin-film resonator |
| JP2004064786A (en) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Agilent Technol Inc | Resonator having seed layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5116945B2 (en) | 2013-01-09 |
| JP2010161781A (en) | 2010-07-22 |
| JP5074540B2 (en) | 2012-11-14 |
| AU2003252992A1 (en) | 2004-02-25 |
| GB0501682D0 (en) | 2005-03-02 |
| DE10393038B4 (en) | 2013-11-07 |
| DE10393038T5 (en) | 2005-07-28 |
| WO2004015862A3 (en) | 2004-10-14 |
| GB2406582A (en) | 2005-04-06 |
| WO2004015862A2 (en) | 2004-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7327073B2 (en) | Acoustic resonators | |
| EP0669412B1 (en) | Aluminim nitride thin film substrate and process for producing same | |
| US8035277B2 (en) | Method for forming a multi-layer electrode underlying a piezoelectric layer and related structure | |
| Iriarte et al. | Synthesis of c-axis-oriented AlN thin films on high-conducting layers: Al, Mo, Ti, TiN, and Ni | |
| JP5074540B2 (en) | Acoustic resonator | |
| EP3971318A1 (en) | Deposition method | |
| TWI754503B (en) | Method and apparatus for deposition of piezo-electric materials | |
| JP2016066717A (en) | Metal hard mask and method for manufacturing the same | |
| Felmetsger | Sputter technique for deposition of AlN, ScAlN, and Bragg reflector thin films in mass production | |
| JP2005536098A5 (en) | ||
| Felmetsger et al. | Effect of pre-deposition RF plasma etching on wafer surface morphology and crystal orientation of piezoelectric AlN thin films | |
| US6831010B2 (en) | Method and depositing a layer | |
| WO2022040869A1 (en) | Deposition methods and apparatus for piezoelectric applications | |
| Felmetsger et al. | Crystal orientation and stress in ac reactively sputtered AlN films on Mo electrodes for electro-acoustic devices | |
| Felmetsger et al. | Deposition of smooth and highly (111) textured Al bottom electrodes for AlN-based electroacoustic devices | |
| JP2024000432A (en) | Deposition method and elastic wave device | |
| US20220068640A1 (en) | Diffusion barriers for germanium | |
| Sundarapandian et al. | In-Plane Oriented Stacks of c-AlScN/Mo (110) for BAW Resonators Grown by Magnetron Sputter Epitaxy | |
| Felmetsger et al. | AC reactive sputtering of highly c-axis oriented AlN films for electro-acoustic devices | |
| JP2024000433A (en) | Deposition method and elastic wave device | |
| Lin et al. | The characteristics and residual stress of aluminum nitride films grown by two-stage sputtering of mid-frequency power | |
| TW202317802A (en) | Hexagonal boron nitride deposition | |
| JPH082984A (en) | Production of aluminum nitride thin-film substrate | |
| Wu et al. | Study of piezoelectric aluminum nitride thin film by RF magnetron sputtering |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060808 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060808 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090319 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090929 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100202 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100225 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100326 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120521 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120524 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120820 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121017 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5116945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |