JP2005530332A - 複数のレーザダイオードを備えるレーザダイオード装置 - Google Patents
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Abstract
レーザダイオード装置が電気的に直列に接続された複数のレーザダイオード(2)を含み、これらレーザダイオードに各々バイパス装置(4)が電気的に並列に接続され、バイパス装置は、通常運転時は高抵抗を呈し、レーザダイオード(2)が電流回路を高抵抗中断状態にする高抵抗故障を生じた時にそのレーザダイオードを低抵抗でバイパスする。この結果、1個のレーザダイオードの故障に伴い、直列の他のダイオードが点灯不能になるのを防止できる。
Description
本発明は、電気的に直列に接続された複数のレーザダイオードを備えるレーザダイオード装置に関する。
大容量レーザダイオードは適用可能な多くの応用分野を持っている。特に固体レーザや材料処理装置などのポンプがそれに属する。大容量レーザダイオードはレーザ活性部材として、互いに並置され、電気的に並列に接続された複数の単独発光体からなり、直方体形状の半導体構造物、所謂レーザダイオードアレイを含んでいる。かかるアレイは、典型的には長さが約10mm、幅が0.3〜2.0mm、更に高さが0.1〜0.15mmである。pn接合領域で発生したレーザ光は、レーザダイオードアレイの長手方向側面から放射する。レーザダイオードアレイは、電気的な接触や冷却のために用いられる基板と蓋板との間に配置される。レーザダイオードアレイ、電気接触板および冷却手段からなる構造部品がレーザダイオードと称される。このようなレーザダイオードの典型的な光学的出力容量は製品仕様および運転様式に応じて約1Wないし数百Wに達する。
出力容量を一層高めるべく、複数のレーザダイオードを幾何学的に水平方向に並置したり(=水平スタック)、上下方向に積み重ねたり(=垂直スタック)して配置している。
この種積層体においては、典型的には2〜数百個のレーザダイオードを電気的に直列に接続する。積層体の運転時、例えばレーザダイオードアレイの自然発生的な破壊又はレーザダイオードアレイの電気的接触の機能不全により、積層体内に配置した単数又は複数のレーザダイオードの欠落という事態に至ることがある。そこでそのような個々のレーザダイオードの高抵抗化故障によって、直列回路を経て積層体に流れる電流が中断され、そのため全積層体が使用不能、即ち故障という事態になる。そのため個々のレーザダイオードの故障により積層体全体を交換せねばならなくなる。これはレーザ設備全体の運転停止につながり、かなりの経済的損失を招く。このような運転停止は、原理的には並列接続したレーザダイオード積層体を備えた冗長配置によって回避できる。しかしながらそれはレーザ源に相当高いコストを要することになる。
この種積層体においては、典型的には2〜数百個のレーザダイオードを電気的に直列に接続する。積層体の運転時、例えばレーザダイオードアレイの自然発生的な破壊又はレーザダイオードアレイの電気的接触の機能不全により、積層体内に配置した単数又は複数のレーザダイオードの欠落という事態に至ることがある。そこでそのような個々のレーザダイオードの高抵抗化故障によって、直列回路を経て積層体に流れる電流が中断され、そのため全積層体が使用不能、即ち故障という事態になる。そのため個々のレーザダイオードの故障により積層体全体を交換せねばならなくなる。これはレーザ設備全体の運転停止につながり、かなりの経済的損失を招く。このような運転停止は、原理的には並列接続したレーザダイオード積層体を備えた冗長配置によって回避できる。しかしながらそれはレーザ源に相当高いコストを要することになる。
従って本発明の課題は、個々のレーザダイオードの故障時でも運転を継続可能な、電気的に直列に接続された複数のレーザダイオードを備えたレーザダイオード装置を提供することにある。
この課題は本発明によれば、請求項1に記載の構成を持つレーザダイオード装置により解決される。電気的に直列に接続した複数のレーザダイオードの各々に少なくとも1つのバイパス装置を電気的に並列に接続し、該バイパス装置が通常運転時に高抵抗を呈し、レーザダイオードの高抵抗化故障時には該ダイオードを低抵抗でバイパスする故、レーザダイオードの故障にも係わらず、故障を生じたレーザダイオードで電流が中断されないように、それに直列に接続した残りのレーザダイオードを経て電流が流れ続けるように保障できる。積層体全体は無視しうる程度の容量減少を伴うが、更なる運転を継続することができる。従って、場合によっては必要となる交換作業や復旧作業を、このレーザダイオード装置を備えたレーザ設備の予め計画された停止時間迄先延ばしすることができる。
場合によっては、レーザダイオード積層体に冗長レーザダイオードを設けたり、容量予備を付加したりすることができる。それにより個々のレーザダイオードの欠落時でも、レーザダイオードスタックの計画した定格容量を下回らないようにできる。
なお、「低抵抗」、「高抵抗」なる概念は次のように理解するものとする。即ち、バイパス装置の抵抗は、通常時はバイパス装置の損失電力がレーザダイオードの電力消費より少ない程度に大きい。好ましくは前者の損失電力は後者のそれの1/10より少ない。バイパス時には、バイパス装置の抵抗が、通常運転時のレーザダイオードの抵抗値のオーダを実質的に上回らない値、特に明らかにそれより小さい値に低下する。その際、レーザダイオードの電流の流れもバイパス装置の電流の流れも、オーム抵抗および拡散電圧(ダイオード特性の場合)又は点弧電圧又は閾値電圧(サイリスタ又はトランジスタの場合)の影響を受ける特徴的な電圧閾値によって影響を受けることに注意せねばならない。
他の好ましい構成では、自己スイッチング型バイパス装置を設ける。ここで自己スイッチング型なる概念は、レーザダイオードの電圧が閾値を超えたとき、バイパス装置が外部からの制御なしに必然的に低抵抗になることを意味する。
自己スイッチング型バイパス装置として、特にレーザダイオードの運転領域の電圧下で高抵抗を示す単数のダイオード又は複数のダイオードからなる回路が設けられる。
本発明の好ましい構成では、可制御スイッチング素子として単数のサイリスタ又は複数のサイリスタで構成される回路を含む自己スイッチング型バイパス装置を設ける。サイリスタは3端子を持つ可制御スイッチである。サイリスタのアノードとカソードはダイオードと同様に接続される。サイリスタは、制御のために用いる第3の端子に素子固有の閾値電圧より高い電圧を印加することで導通する。この電圧は高抵抗レーザダイオード故障時の電圧上昇の結果としてサイリスタのアノードで捕捉するのがよい。バイパス装置として簡単なダイオードに比較し、この装置の損失電力がかなり少ないと言う利点がある。ダイオードで構成したバイパス装置は、常に定格運転においてバイパスされたレーザダイオードより多くの損失電力を生ずるので、故障後のレーザダイオード積層体の電力消費は定格運転に対し増大する。それに対しサイリスタバイパスは、バイパスすべきレーザダイオードより少ない損失電力(容量)を示す。それは、サイリスタの駆動電圧が点弧電圧より明らかに低くても再び高抵抗になることがないからである。このことは、バイパスの長寿命化、低冷却コスト化および低消費エネルギー化に導く。
サイリスタは、レーザダイオードの最高運転電圧より少し高い電圧値で確実に点弧させるのがよい。そのためサイリスタの必要な動作閾値は、サイリスタの適切な設計や特定の動作閾値を有する付加的な素子、例えばツェナーダイオードによって達成できる。
基本的には、可制御スイッチング素子を有する自己スイッチング型バイパス装置の代わりに、可制御スイッチング素子のスイッチングに必要な制御信号、サイリスタなら点弧電圧を外部から導入することもできる。
外部からの制御が可能なバイパス装置の使用は、通常運転では利用されない、即ちバイパス装置で短絡されている、付加的なレーザダイオードアレイ又はレーザダイオードを含むレーザダイオード装置の構成を可能にする。レーザダイオードの欠落時、それはバイパスされ、利用されていないレーザダイオードはそれに付属するスイッチング素子の導通によって電流回路に投入され、それによりレーザダイオード装置は同じ運転態様および同じ出力容量をもって、更なる運転を継続できる。
本発明の更に好適な構成では、バイパス装置をレーザダイオードの接触板と冷却板との間に配置する。この構成は、スタックへのバイパス装置の簡単な集積を可能にする。
バイパス素子は、バイパスすべきレーザダイオードと同様の方法で冷却するのがよい。
更に他の好ましい構成では、バイパス装置とレーザダイオードを1つのチップ上に集積する。かくしてレーザダイオードスタックの製造時の製造コストを低減できる。
次に、図面に示す実施例を参照して本発明を更に説明する。
図1に示す本発明のレーザダイオード装置では、複数のレーザダイオード2を電圧源Uに電気的に直列に接続している。このように形成した数百個迄のレーザダイオード2を含み得るスタックを経て、典型的には50〜100Aに達する大電流Iが流れる。その際、通常運転時には、各レーザダイオード2に、運転電流およびレーザダイオードの仕様(例えば波長)に応じて約2Vの電圧降下UDが生ずる。各レーザダイオード2にバイパス装置4を並列に接続している。この装置4は、通常運転時(=非接続。開放スイッチによって図式的に分かりやすく表現している)には高抵抗、即ち定格運転時のレーザダイオード2のオーム抵抗より明らかに大きいオーム抵抗を持つ。従って非接続のバイパス装置の損失電力消費はレーザダイオードの定格消費電力より小さく、特にレーザダイオード2の電力消費の1/10より少ない値である。
個々のレーザダイオード2の高抵抗化(開路)故障はレーザダイオード電流回路を開路させ、バイパス装置がなければ全運転電圧Uが故障を生じたレーザダイオード2にかかってしまう。かかる場合、当該レーザダイオード2はそれに付属するバイパス装置4を経て低オーム抵抗でバイパスされ(バイパス装置が投入され)、電流の流れが残りのレーザダイオード2を経て殆ど変化なしの大きさに維持される。ここで「低抵抗」とは、通常運転時のレーザダイオード2が持っていた抵抗値を実質的に超えない抵抗値を意味する。特にバイパス装置4は、そのレーザダイオード2の欠落時の抵抗が通常運転時のレーザダイオードの抵抗より明らかに小さいようにするのがよい。
バイパス装置4としては、可制御スイッチ、即ち可制御スイッチング素子の機能を満たす、例えばトランジスタやサイリスタを含む電気回路が基本的に適している。その際、制御に必要な制御信号Sは制御兼評価装置6により外部で生成される。制御兼評価装置6は各レーザダイオード2に生ずる電圧降下UDを監視し、欠落した単数又は複数のレーザダイオード2を特定する。しかしながら基本的には、各レーザダイオード2の正しい運転の監視はバイパス装置4の内部で実施することもできる。即ち可制御スイッチング素子の制御に必要な制御信号Sを、バイパス装置4の外部ではなく内部で生成させてもよい。その場合、バイパス装置4は自己スイッチング型である。
外部から制御されるバイパス装置4を用いることで、単数又は複数のレーザダイオード2の欠落時、対応する数の短絡されたダイオード2をバイパス装置4の開路によって投入すべく、若干のレーザダイオード2を予め短絡しておくことも可能である。
図2では、バイパス装置4として複数のダイオード8からなる回路を用いている。ここでは、受動型(非可制御型)の素子からなり、レーザダイオードの高抵抗発生時に外部又は内部で発生した制御信号の活性化準備をすることなしに自ら低抵抗になる自己スイッチング型バイパス装置4を用いている。図示した複数のダイオード8の直列回路にて、適当な方法により、図3に示すような電圧対電流特性が生ずる。この図において、レーザダイオード2とそれに並列接続したバイパス装置4からなる回路部分を経て流れる電流Iは電圧UDに対応して生ずる。曲線aは健全なレーザダイオードの電圧対電流特性を示す。曲線bは、複数ダイオードの直列回路からなるバイパス装置4の電圧対電流特性を示す。ここでバイパス装置4は、その閾値電圧USがレーザダイオードの最高運転電圧Umaxより高くなるよう設定せねばならない。換言すれば、バイパス装置4はレーザダイオード2の運転領域では高抵抗であり、その運転領域を超える電圧の下では低抵抗になる。その結果レーザダイオード2の運転領域ではバイパス装置4に無視しうる抵抗損失しか生じない。実施例では、バイパス装置4の抵抗値はレーザダイオード2の欠落時のそれにほぼ等しい大きさである。スタックを通る一定電流I0を維持すべく、故障したレーザダイオード2とバイパス装置4からなるスタック部分の電圧はUDは若干上昇せねばならない。従って同部分の大きな電圧差UD,1>UD,0に応じ、同部分の同一電流I0の下で幾分大きな電力が消費される。レーザダイオード装置のレーザ出力容量を調整する場合、これを経て流れる電流Iは付加的に少し大きくなる。
図4の実施例では、バイパス装置4はレーザダイオード2に並列に接続したサイリスタ10(p型)を含む。サイリスタ10のゲート(制御電極)をツェナーダイオード12を経てレーザダイオード2のアノードに接続している。ツェナーダイオード12は通常運転時にサイリスタ10の点弧を阻止する。レーザダイオード2のアノード電圧が高抵抗化故障のため上昇し、ツェナーダイオード12のツェナー電圧を超えると、サイリスタ10のゲートに制御電流が流れる。その結果サイリスタ10が点弧し、レーザダイオード2がバイパスされる。この構成では、バイパス装置4は自己スイッチング型であり、サイリスタの制御電極が、レーザダイオード2にかかっているアノード電圧を介して直接(ツェナーダイオードなしの回路構成)又は間接に作動させられる。しかし、基本的には可制御スイッチとして用いるサイリスタのゲートは、外部からの制御電圧で駆動してもよい。
図5によれば、電気的に直列に接続された複数のレーザダイオード2をスタックの形に配置している。この実施例では、上下方向に積み重ねた複数のダイオード2が垂直スタックを形成している。各レーザダイオード2は、金属、特に銅製の両接触板22間に介挿されたレーザダイオードアレイ20を含んでいる。接触板22は同時に放熱板として用いられ、特に大電力領域において付加的にマイクロチャネルを備え、冷却流体によって冷却される。レーザダイオードアレイ20は両接触板22の間にろう付けされる。この構造体内に、レーザダイオードアレイ20と共に、正コンタクト又は負コンタクトとして用いられる両接触板10の間にバイパス装置4がろう付けされている。
2 レーザダイオード、4 バイパス装置、8 ダイオード、10 サイリスタ、12 ツェナーダイオード、20 レーザダイオードアレイ、22 接触板、US 閾値電圧、UD 電圧、Umax 最高運転電圧、U 電圧源、I 電流
Claims (8)
- 電気的に直列に接続された複数のレーザダイオード(2)を備え、これらダイオードに各々バイパス装置(4)が電気的に並列に接続され、前記バイパス装置は、通常運転時は高抵抗を呈し、レーザダイオード(2)の高抵抗故障時にそのレーザダイオードを低抵抗でバイパスするレーザダイオード装置。
- 前記バイパス装置(4)が自己スイッチング型である請求項1記載の装置。
- 前記バイパス装置(4)が単数のダイオード又は複数のダイオードの組合せを含み、該ダイオードが前記レーザダイオード(2)の運転領域内の電圧の下で高抵抗を呈する請求項2記載の装置。
- 前記バイパス装置(4)が単数のサイリスタ(10)又は複数のサイリスタの組合せを含み、該サイリスタが前記レーザダイオード(2)のアノードに加わるアノード電圧により直接又は間接に駆動される請求項2記載の装置。
- 前記バイパス装置(4)が外部から制御可能なスイッチング素子(5)を含む請求項1記載の装置。
- 前記バイパス装置(4)が前記レーザダイオード(2)の両接触板間に配置された請求項1から5の1つに記載の装置。
- 前記バイパス装置(4)とレーザダイオード(2)が1つのチップ上に集積された請求項1から6の1つに記載の装置。
- 前記バイパス装置(4)とレーザダイオード(2)が共通の冷却兼接触部材上に単独の構造部品として配置された請求項1から7の1つに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10209374A DE10209374A1 (de) | 2002-03-02 | 2002-03-02 | Diodenlaseranordnung mit einer Mehrzahl von elektrisch in Reihe geschalteten Diodenlasern |
PCT/EP2003/002016 WO2003075423A1 (de) | 2002-03-02 | 2003-02-27 | Diodenlaseranordnung mit einer mehrzahl von elektrisch in reihe geschalteten diodenlasern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005530332A true JP2005530332A (ja) | 2005-10-06 |
Family
ID=7714011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003573752A Pending JP2005530332A (ja) | 2002-03-02 | 2003-02-27 | 複数のレーザダイオードを備えるレーザダイオード装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050018726A1 (ja) |
EP (1) | EP1481453B1 (ja) |
JP (1) | JP2005530332A (ja) |
AT (1) | ATE299305T1 (ja) |
DE (2) | DE10209374A1 (ja) |
WO (1) | WO2003075423A1 (ja) |
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JP7199034B2 (ja) | 2018-10-25 | 2023-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ装置 |
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JP7312956B2 (ja) | 2019-07-24 | 2023-07-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003075423A9 (de) | 2004-09-02 |
ATE299305T1 (de) | 2005-07-15 |
DE10209374A1 (de) | 2003-07-31 |
US20050018726A1 (en) | 2005-01-27 |
WO2003075423A1 (de) | 2003-09-12 |
DE50300737D1 (de) | 2005-08-11 |
EP1481453B1 (de) | 2005-07-06 |
EP1481453A1 (de) | 2004-12-01 |
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Legal Events
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070511 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071025 |