JP2005516902A - 低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の目的は、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、C2 およびそれ以上の炭素数の炭化水素のスチームクラッキングにより発生する分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、オレフィンベース誘導体の製造に利用される低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、エチルベンゼンを生産するフィードストックとして利用される低濃度エチレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、低濃度のエチレンストリームを利用するエチルベンゼンユニットに前処理および圧縮部分が含まれていない、低濃度エチレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
本発明の別な目的は、クメン、アクリル酸、プロピレンオキシドおよび他のプロピレン誘導体製造のフィードストックとして用いられる低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスを提供することである。
さらに、本発明の別な目的は、前処理ユニットなしに、クメン、アクリル酸、プロピレンオキシドおよび他のプロピレン誘導体を生産することである。
(1) C2- ストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;
(3) C3 ストリームおよびC4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記C3+ ストリームを分離すること;および
(4) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、メチルアセチレン−プロパジエン水素化(MAPD)反応槽ゾーンで反応させること。
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(1) C2- ストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) 加圧されたC2- ストリームを生成させるために、圧縮ゾーンで上記のC2- ストリームを圧縮すること;
(3) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧されたC2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;
(4) C3 ストリームおよびC4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記C3+ ストリームを分離すること;および
(5) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。
(1) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(2) 低濃度エチレンストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(3) C3 ストリームおよびC4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記C3+ ストリームを分離すること;および
(4) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(6) C2- ストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) 加圧されたC2- ストリームを生成させるために、第2の圧縮ゾーンで上記のC2- ストリームを圧縮すること;
(8) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧されたC2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(9) C3 ストリームおよびC4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記C3+ ストリームを分離すること;および
(10) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(6) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(8) C3 ストリームおよび C4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 C3+ ストリームを分離すること;および
(9) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製原料分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 水分の水準を下げて分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(6) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(7) 低濃度エチレンストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(8) C3 ストリームおよび C4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 C3+ ストリームを分離すること;および
(9) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。
(1) C2- ストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;
(3) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
(1) C2- ストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) 加圧された C2- ストリームを生成させるために、圧縮ゾーンで上記のC2- ストリームを圧縮すること;
(3) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(4) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
(1) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(2) 低濃度エチレンストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;および
(3) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(6) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) 加圧された C2- ストリームを生成させるために、第2の圧縮ゾーンで上記の C2- ストリームを圧縮すること;
(8) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(9) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(6) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(8) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること;
(6) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(7) 低濃度エチレンストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(8) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。
(1) C3- ストリームおよび C4+ ストリームを生成させるために、脱プロパン搭ゾーンで分解ガスストリームを分離すること;
(2) C2- ストリームおよびC3 ストリームを生成させるために、C3- ストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(3) 低濃度エチレンストリームを生産するために、上記C2- ストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;および
(4) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPDゾーン中で反応させること。
本発明の第1の実施態様においては、図1に示すように、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセスが提供される。
C6H5CH(CH3)OOH + C3H6 → C3H6O + C6H5CH(CH3)OH
プロピレンエポキシ化ゾーン1030における温度および圧力は、EBHPストリームを低濃度のプロピレンストリームと反応させて低純度のプロピレンオキシドストリームを生産するに十分なものである。好ましくは、この反応は、約60℃〜120℃の範囲の温度および約140psia〜約700psiaの範囲の圧力で起こる。プロピレンエポキシ化ゾーンにおける反応は当該技術で知られた任意の方法で達成できる。一般に、ライン1025中のEBPHストリームおよびライン1023中の低濃度プロピレンストリームの反応はモリブデン触媒溶液を用いて達成される。
C6H5COCH3 + H2 → C6H5CHCH3OH
C6H5CHCH3OH → C6H5CH=CH2 + H2O
スチレン製造および分離ゾーン1060には、ライン1065中のスチレンストリーム、ライン1070中の燃料ストリームおよびライン1075中の廃水ストリームを生産するに十分な装置が含まれる。
(1) C3H6 + O2 → CH2CHCHO + H2O
(2) CH2CHCHO + 1/2 O2 → CH2CHCOOH
この酸化反応ゾーンには、ライン1115中のベントガスおよびライン1125中のアクリル酸水溶液を生産するに十分な装置が含まれる。例えば、酸化反応ゾーンには、少なくとも1基の多管式反応槽が含まれる。例えば、反応ステップ(1)は、約300℃〜約460℃で、モリブデンならびにビスマス、テルル、およびタングステンの群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む触媒を用いる多管式反応槽によって達成することができる。反応ステップ(2)は、約240℃〜約450℃で、モリブデンおよび酸化バナジウムを含む触媒を用いる多管式反応槽によって達成することができる。
Claims (86)
- 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス:
(1) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記の分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;
(3) C3 ストリームおよびC4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記C3+ ストリームを分離すること;および
(4) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。 - C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項1記載のプロセス。
- 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項1記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項3記載のプロセス。
- 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項1記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項5記載のプロセス。
- 上記の C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、BTXストリーム、DCPDストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項2記載のプロセス。
- 下記のステップを含む分解ガスストリームを生産する請求項1記載のプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 分解ガスストリームを生成させるために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。 - 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項8記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、基本的にC5 炭化水素類から成る請求項8記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス:
(1) C2- ストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) 加圧されたC2- ストリームを生成させるために、第2圧縮ゾーンで上記のC2- ストリームを圧縮すること;
(3) アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧されたC2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;
(4) C3 ストリームおよびC4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記C3+ ストリームを分離すること;および
(5) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。 - 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項11記載のプロセス。
- 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項11記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項13記載のプロセス。
- 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項11記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項15記載のプロセス。
- 上記の C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、BTXストリーム、DCPDストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項12記載のプロセス。
- 下記のステップを含む上記分解ガスストリームを生産する請求項11記載のプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。 - 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項18記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、基本的にC5 炭化水素類から成る請求項18記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス:
(1) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記の分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(2) 低濃度エチレンストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(3) C3 ストリームおよび C4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 C3+ ストリームを分離すること;および
(4) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。 - 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項21記載のプロセス。
- 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項21記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項21記載のプロセス。
- 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項21記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項25記載のプロセス。
- C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、BTXストリーム、DCPDストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項22記載のプロセス。
- 上記の分解ガスストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項21記載のプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む上記粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生産するために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。 - 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項28記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、基本的にC5 炭化水素類から成る請求項28記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(6) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) 加圧された C2- ストリームを生成させるために、第2の圧縮ゾーンで上記の C2- ストリームを圧縮すること;
(8) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(9) C3 ストリームおよび C4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 C3+ ストリームを分離すること;および
(10) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記 C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。 - 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項31記載のプロセス。
- C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、BTXストリーム、DCPDストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項32記載のプロセス。
- 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項31記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項34記載のプロセス。
- 上記低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項31記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項36記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項31記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、基本的に C5 炭化水素類から成る請求項31記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること。
(6) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(8) C3+ ストリームおよびC4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記C3+ ストリームを分離すること;および
(9) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。 - 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項40記載のプロセス。
- C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、BTXストリーム、DCPDストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項40記載のプロセス。
- 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項40記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項43記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項40記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項45記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、エタン−プロパン混合物、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項40記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、基本的にC5 炭化水素類から成る請求項40記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生産するために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生産するために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生産するために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること;
(6) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(7) 上記低濃度エチレンストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(8) C3 ストリームおよび C4+ ストリームを生産するために、脱プロパン搭ゾーンで上記 C3+ ストリームを分離すること;および
(9) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記の低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPD反応槽ゾーンで反応させること。 - 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項49記載のプロセス。
- 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項49記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項51記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項49記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、プロピレンオキシドまたはアクリル酸を生産する請求項53記載のプロセス。
- C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、BTXストリーム、DCPDストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項50記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、エタン、プロパン、ブタン類、ペンタン類、ナフサおよびこれらの混合物から成る群から選ばれる請求項49記載のプロセス。
- 上記の炭化水素フィードが、基本的にC5 炭化水素類から成る請求項49記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するプロセス:
(1) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;
(3) 上記 C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。 - 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項58記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項59記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するプロセス:
(1) C2- ストリームおよびC3+ ストリームを生産するために、上記の分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(2) 加圧された C2- ストリームを生成させるために、第2の圧縮ゾーンで上記のC2- ストリームを圧縮すること;
(3) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(4) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。 - 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項61記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項62記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、分解ガスストリームから低濃度エチレンストリームを生産するプロセス:
(1) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(2) 上記低濃度エチレンストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(3) 上記 C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。 - 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項64記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項65記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームを生産するプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること;
(6) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) 加圧された C2- ストリームを生産するために、第2の圧縮ゾーンで上記の C2- ストリームを圧縮すること;
(8) アセチレン分を除き、上記低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(9) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。 - 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項67記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項68記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームを生産するプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記粗製分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記水分を含んだ分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること;
(6) C2- ストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(7) アセチレン分を除き、低濃度エチレンストリームを生産するために、上記の加圧された C2- ストリームを水素化ゾーンで水素化すること;および
(8) 上記の C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。 - 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項70記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項70記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む低濃度エチレンストリームを生産するプロセス:
(1) 水素、メタン、C2 炭化水素類、C3 炭化水素類およびより重質の成分を含む粗製分解ガスストリームを生成させるために、分解ゾーンにおいて炭化水素フィードを加熱すること;
(2) 冷却された分解ガスストリームを生産するために、上記原料分解ガスストリームを冷却ゾーンで冷却すること;
(3) 加圧された分解ガスストリームを生成させるために、第1圧縮ゾーンで上記の冷却された分解ガスストリームを圧縮すること;
(4) 硫化水素分を除去して、水分を含んだ分解ガスストリームを生成させるために、上記の加圧された分解ガスストリームを脱酸ゾーンにおいて脱酸すること;および
(5) 分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリームを乾燥ゾーンで乾燥すること;
(6) アセチレン分を削減した分解ガスストリームを生産するために、上記分解ガスストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;
(7) 上記低濃度エチレンストリームおよび C3+ ストリームを生産するために、上記アセチレン分を削減した分解ガスストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;および
(8) C3+ ストリームを貯槽または他のプロセスユニットに導入すること。 - 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項73記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項73記載のプロセス。
- 下記のステップを記載順に含む、低濃度エチレンストリームおよび低濃度プロピレンストリームを生産するプロセス:
(1) C3- ストリームおよび C4+ ストリームを生成させるために、脱プロパン搭ゾーンで分解ガスストリームを分離すること;
(2) C2- ストリームおよび C3 ストリームを生成させるために、上記 C3- ストリームを脱エタン搭ゾーンで分離すること;
(3) 低濃度エチレンストリームを生産するために、上記 C2- ストリーム中のアセチレン分を水素化ゾーンで水素化すること;および
(4) メチルアセチレンおよびプロパジエン分をプロピレンおよびプロパンに転化させて上記低濃度プロピレンストリームを生産するために、上記C3 ストリームを、MAPDゾーン中で反応させること。 - 上記 C4+ ストリームを、脱ブタン搭ゾーンにおいて分離し C4 ストリームおよび C5+ ストリームを生産することをさらに含む請求項76記載のプロセス。
- 上記低濃度エチレンストリームを低濃度エチレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項76記載のプロセス。
- 上記の低濃度エチレン誘導体ユニットがエチルベンゼンを生産する請求項78記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレンストリームを低濃度プロピレン誘導体ユニットに通すことをさらに含む請求項76記載のプロセス。
- 上記の低濃度プロピレン誘導体ユニットが、クメン、アクリル酸またはプロピレンオキシドを生産する請求項80記載のプロセス。
- 上記 C5+ ストリームを水素化処理ゾーンにおいて処理し C5 ジオレフィンストリーム、BTXストリーム、DCPDストリームおよび燃料油ストリームを生産することをさらに含む請求項77記載のプロセス。
- プロピレンオキシドストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、1、11、21、31、40、49、58、61、64、67、73、または76記載のプロセス:
(1) 上記の低濃度エチレンを、エチルベンゼン反応槽ゾーンにおいてベンゼンと反応させてエチルベンゼンストリームを生成させること;
(2) 上記エチルベンゼンをEB酸化ゾーンにおいて空気により酸化してEBHPを生成させること;
(3) 上記EBHPストリームをプロピレンエポキシ化ゾーンにおいて低濃度プロピレンストリームと反応させて低純度プロピレンオキシドストリームを生成させること;
(4) 上記低純度プロピレンオキシドストリームを生成物分離ゾーンにおいて分離して粗製プロピレンオキシドストリーム、MBA/ACPストリーム,テールガスストリームおよび残さストリームを生成させること;および
(5) 上記粗製プロピレンオキシドストリームをプロピレンオキシド分離ゾーンで分離して、不純物ストリームおよび上記プロピレンオキシドストリームを生成させること;ならびに
(6) 上記MBA/ACPストリームをスチレン生産および分離ゾーンにおいて反応させて、スチレンストリーム、燃料ストリームおよび廃水ストリームを生成させること。 - アクリル酸ストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、1、11、21、31、40、49、または76記載のプロセス:
(1) 上記低濃度プロピレンストリームを酸化反応ゾーンにおいて酸化してアクリル酸水溶液ストリームおよびベントガスストリームを生成させること;および
(2) 上記のアクリル酸水溶液ストリームを、回収・精製ゾーンにおいて分離し、上記アクリル酸ストリームおよび酸/エステル混合廃液ストリームを生成させること。 - クメンストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、1、11、21、31、40、49、または76記載のプロセス:
(1) 低濃度プロピレンストリームおよびベンゼンフィードストリームを低濃度プロピレンアルキル化ゾーンで反応させて粗製クメンストリームを生産すること;
(2) 上記粗製クメンストリームをクメン分離ゾーンで分離してベンゼンストリーム、重質物ストリーム、上記クメンストリーム、ジプロピルベンゼンストリームおよびプロパンストリームを生成させること;
(3) 上記のベンゼンストリームおよびジプロピルベンゼンストリームをアルキル交換反応ゾーンにおいてアルキル交換反応させてアルキル交換反応後のクメンリッチなストリームを生成させること;
(4) 上記のアルキル交換反応後のクメンリッチなストリームをクメン分離ゾーンで分離して上記のクメンストリーム、上記のプロパンストリーム、上記の重質物ストリームおよび上記のベンゼンストリームを生成させること;および
(5) 場合により、上記のベンゼンストリームの一部を上記の低濃度プロピレンアルキル化ゾーンにリサイクルすること。 - エチルベンゼンストリームが下記のステップを含むプロセスにより生産される請求項、1、11、21、31、40、49、58、61、64、67、73、または76記載のプロセス:
(1) 低濃度エチレンストリームおよびベンゼンストリームをアルキル化反応槽ゾーンで反応させてエチルベンゼンリッチなストリームを生成させること;
(2) 上記エチルベンゼンリッチなストリームをエチルベンゼン分離ゾーンにおいて分離して、分離ベンゼンリサイクルストリーム、分離テールガスストリーム、ジエチルベンゼンおよびポリエチルベンゼンストリームならびにエチルベンゼンストリームを生成させること;
(3) 分離ベンゼンリサイクルストリームをエチルベンゼンアルキル交換反応槽ゾーンで反応させ、上記エチルベンゼンリッチなストリームを生産すること;および
(4) 場合により、上記の分離ベンゼンリサイクルストリームの一部を上記の低濃度プロピレンアルキル化反応槽ゾーンにリサイクルすること。
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