JP2005513469A - 疎水性コーティングを施した圧力センサ - Google Patents

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Abstract

圧力計測用の圧力センサは、圧力チェンバ、及び、圧力の下にある媒体にさらすことができ且つ更に少なくとも部分的に前記圧力チェンバを区切り且つ圧力を通さないように前記圧力チェンバを前記媒体から封じる変形ボディを含み、前記センサチェンバの壁は気体及び/又は蒸気相の付着によって施される疎水性コーティングを有する。前記疎水性コーティングはシランを含むことが好ましい。特にふさわしいのは一以上の疎水性グループR及び一以上のアンカリンググループXを有するシランである。特に好ましいのはR−Si−X、R−Si−X、R−Si−Xである。前記疎水性グループRは好ましくはアルキル、ペルフルオロアルキル、フェニル、又はペルフルオロフェニルのグループである。前記アンカリンググループXは好ましくは−OH(シラノール)、−X(ハリド、例えば、−Cl)、−OR(エステル、例えば、−OCH3)、−NH2(アミン)、又は−SH(メルカプトシラン)である。更に、脂肪族又はサイクリックシラザン −Si−NH−Si−、例えばヘキサメチルジシラザン、を使用することができる。同様にふさわしいのはRy−Me−Xのタイプの化合物であり、Meは例えばZr,Tiである。

Description

本発明は圧力センサ、特に、疎水性コーティングを有する相対圧センサに関する。
通常、相対圧センサは計測される媒体内の圧力と現在の周囲大気圧との差を計測する。相対圧センサは、一般に、圧力を通さないように縁部に計測膜、又はダイアフラムを取り付けたベースボディを含み、計測膜とベースボディとの間に圧力チェンバが形成されている。相対圧の計測については、参照エアがベースボディ内の開口部を経て前記圧力チェンバ内に導入され、計測チェンバから離れる方向に向いている計測膜の表面が計測される圧力にさらされる。計測膜に生じる変形によって相対圧が計測され、これが適切な方法で計測信号に変換される。
前述の参照エアの導入により水分(moisture)が前記圧力チェンバにもたらされ、水分は、温度が露点より下がると、前記センサの内部で凝結する。これによって前記センサの働きが低下することがある。前記センサの周囲の空気が圧力を計測すべき媒体より高温の場合には、特に、そのようなことになる。
望ましくない副次的影響を伴う、肉眼で見える凝結が未だ現れていないときでさえ、依然わずかな水の分子が気体相(gas phase)から前記センサの内側の表面に既に吸着されており、且つ、このわずかな量は当該表面の温度及び前記表面と水の分子との間の吸着エネルギの関数である。吸着エネルギが大きくなれば、それだけ水の分子は前記センサの内側の表面に蓄積される。
セラミックの圧力センサの場合には、前述の問題は、後に説明する、製造に関連する材料の特性によって更に悪化する。計測膜及びベースボディの開始点は、粉状の開始材料及びバインダから形成され、次いで、焼結される、いわゆる高分子量前駆体(green body)であり、こうして、高分子量前駆体から焼結体が得られる。焼結体は原則として研削され(ground)又はラップ仕上げがなされ(lapped)なければならないが、これにより粗い表面のみならず場合によっては細かいヘアクラック(hair crack)が生じる。
膜の焼結体(membrane sintered−body)及びベースボディの焼結体(basebody sintered−body)から圧力センサを製造するために、ベースボディ及び膜はその縁同士をスペーサを介在させて半田付け又はろう付けされ、これにより前述のチェンバが形成される。半田又は活性(active)ろう付け材料はそれ自体をスペーサとして機能させることができる。半田の一例はガラスフリット(glass frit)であり、活性ろう付け材料として可能なものは例えばNiTiZr合金であり、そのNiZr分別(fraction)はNiZr共晶(eutectic)とほぼ同等である。米国特許第5,334,344号と比較されたい。半田付け又はろう付けは結合とも呼ぶ。
膜とベースボディを結合する前に、電極が前記チェンバ内で前記結合後に互いに対向することとなる表面に設けられる。これらの電極は例えばタンタルから構成される。米国特許第5,050,034号と比較されたい。そして、これらの電極は通常スパッタリングによって設けられる。しかし、スパッタリングでは、いわゆるアンダスパッタリング(under−sputtering)のために、電極材料の小さな、互いに電気的に分離された孤立部(island)が、電極材料を含まないものと想定されている表面に生じる、ということが避けられない。
参照エアの水の分子は前記の粗い表面に付着することも前記ヘアクラックに入り込むこともあり得るから、電極材料の分離された前記孤立部同士の間に電気的接続が生じ、そのため、ベースボディの電極の面積(area)がより大きくなる。毛管凝縮によって存在する、前記ヘアクラック内の水は、同様に、その絶縁定数に基づいて有効電極面積に影響する。しかし、これによって前記圧力センサのゼロ点のオフセットが生じる。この影響は、参照エアの相対湿度が高くなれば、それだけ大きくなる。
これらの問題は完成された電極に二酸化シリコンのスピンオングラスレイヤ(spin−on−glass−layer)を適用することによって適度に解決されるが、これは主として別の問題を解決するために機能する。米国特許第5,400,489号を参照されたい。しかし、これは約80%までの相対湿度に対応するにすぎない。従って、そのような圧力センサは、80%の相対湿度で40°Cを基準とした(referenced)ときに、1%の範囲までゼロ点のオフセットが生じる。これは、非常に正確な計測をするときには、容認することができない。
相対空気湿度の上昇に対する許容能力を改善するために、欧州特許EP 1 061 351はセンサの内部表面を疎水性材料でコーティングすることを提案しており、そのような用途にシラン(silane)が好ましいとしている。
特にセラミックの相対圧センサの場合には、更に、含浸(impregnation)は離れている膜をベースボディと接続した後にのみ行うことができるという、前記センサの製造面における困難がある。これは接続中に発生する温度が有機コーティング材料には高すぎるためである。前記コーティング材料は、従って、ベースボディ内の開口部を経て前記圧力チェンバにもたらさなければならない。
承継人はシランの薄膜を含浸させた相対圧センサを製造しているが、前記シランは高い蒸気圧の溶媒によって前記圧力チェンバに導入される。これらの含浸は含浸のない圧力センサと比べると正に重要な改良を示しているが、それでも疎水性コーティングの質に関しては依然改良の余地がある。
従って、本発明の目的は改良された疎水性コーティングを有する圧力センサ、及びその製造方法を提供することである
前記目的は、本発明によれば、独立請求項1に規定された圧力センサ及び独立請求項10に規定された方法によって達成される。
圧力を計測するための本発明の圧力センサは次のもの、即ち、センサチェンバ(sensor chamber)とも呼ばれる圧力チェンバ、及び計測すべき圧力の下にある媒体にさらすことができ、且つ更に少なくとも部分的に前記圧力チェンバを区切り且つ圧力を通さないように前記圧力チェンバを前記媒体から封じる変形ボディを含み、前記センサチェンバの壁は疎水性コーティングが露出し(exhibit)、更に、前記疎水性コーティングは気体及び/又は蒸気相(gas and/or vapor phase)からの付着(deposition)によって施される。
疎水性コーティングはシランを含むことが好ましい。特にふさわしいのは一以上の疎水性グループR及び一以上のアンカリング(anchoring)グループXを有するシランである。特に好ましいのは次のものである:R−Si−X、R−Si−X、R−Si−X。疎水性グループRは好ましくはアルキル−(alkyl−)、ペルフルオロアルキル−(perfluoroalkyl−)、フェニル−(phenyl−)、又はペルフルオロフェニル−(perfluorophenyl−)のグループである。アンカリンググループXは好ましくは−OH(シラノール)(silanol)、−X(ハリド)(halide、例えば、−Cl)、−OR(エステル、例えば、−OCH3)、−NH2(アミン)(amine)、又は−SH(メルカプトシラン)(mercaptosilane)である。更に、脂肪族又はサイクリックシラザン(cyclic silazanes) −Si−NH−Si−、例えばヘキサメチルジシラザン(hexamethyldisilazane)、を使用することができる。同様にふさわしいのはRy−Me−Xのタイプの化合物であり、Meは例えばZr,Tiである。
本発明の圧力センサは特に相対圧センサであり、気体及び/又は蒸気相の付着は参照エアの供給のための圧力チェンバの開口部を経て行われる。
変形ボディは基本的にどのような形でもよいが、根本的に好ましいのは変形ボディ膜で、この膜はベースボディの縁部に取り付けられ、これにより前記圧力チェンバの変形が起きる。
本発明は一般的に圧力センサに適しているが、上述の理由により、セラミックのベースボディ及びセラミックの計測膜を有する圧力センサに特に重要である。本発明は特にコランダムセラミック(corundum ceramic)の圧力センサに関連する。
疎水性材料で圧力センサをコーティングするための本発明の方法は、次の段階、即ち、センサを部屋(chamber)内に置くこと、前記部屋の排気をすること、及び、少なくとも一つのコーティング用の気体及び/又は蒸気相を供給すること、を含み、且つ、前記圧力センサの温度Tsは分子が最初のコーティング用の気体及び/又は蒸気相から前記圧力センサの表面に吸着できるように設定される。
好ましくは、前記方法は前記圧力センサの内側にある圧力チェンバの壁のコーティングを含み、前記コーティングは前記圧力チェンバにおける開口部を経て行われる。
本発明方法の好ましい実施形態においては、前記部屋は前記少なくとも一つのコーティング用の気体及び/又は蒸気相の供給の後、排気される。これにより吸着されなかった分子を前記圧力チェンバから排出することが容易になる。この処理方法は、しかし、本発明方法にとって必須ではなく、選択的であるに過ぎない。前記部屋は、前記少なくとも一つの気体及び/又は蒸気相の供給に続いて、気体でフラッシングをする(flush)こともできる。そのフラッシングは前記部屋の排気後に行われることが好ましい。しかし、このフラッシングも本発明に必須なものではない。
疎水性材料の吸着に続いて、吸着された材料の表面改質(modification)を行い且つ基質(substrate)への化学結合を生じさせるために、前記圧力センサの温度Tsを上げることができる。また、これは前記圧力チェンバからの過剰な材料の蒸発を達成する方法を表している。
前記チェンバの壁は前記少なくとも一つのコーティング用の気体及び/又は蒸気相の分子の凝結を防止して吸着を最小にする温度Tに保たれることが好ましい。
本発明の一つの変形においては、複数の圧力センサが一つの部屋内で処理される。その部屋内では気体及び/又は蒸気相は複数の圧力センサの各圧力チェンバに向けられた複数の適切な導管(canal)を経て導入される。このようにして、前記圧力センサの内部のみが処理される。
別の変形においては、圧力センサはその内側だけではなく外部表面も処理されるように配置される。これは水分に敏感な(moisture−sensitive)電子構成部品を備えたいわゆるハイブリッドエレメントが前記センサのベースボディに配置される場合に特に有利である。
本発明の別の実施形態においては、疎水性コーティングは順序づけられた二以上の吸着段階を踏んで形成される。この目的のため、アンカリング物質を含む第一の気体及び/又は蒸気相が最初に供給され、前記アンカリング物質は前記圧力チェンバの壁に吸着されて化学的に結合される。次いで、前記アンカリング物質と反応する第二の物質が供給されることによって、二層の疎水性レイヤが形成される。所望ならば、このようにして更に別のレイヤを追加することができる。
複数の層から疎水性レイヤを構成することは、事実として、より複雑であるが、場合によっては品質の改良された疎水性コーティングが得られる。その理由は、所望の特性を達成するために二以上の短い(short)分子が結合することが可能だからである。より短い分子のより小さな質量ゆえに、これらはより容易に蒸発することができ、表面拡散プロセス(surface diffusion processes)のため、より重い分子よりもっと大きな移動性(mobility)を示し、従って、より大きな均一性で且つ、場合によっては、より早く、薄膜を形成することができる。
本発明の一層の利点及び諸相については以下の実施形態の一例の記載及び添付図面から明かになろう。各図は次の通りである。
図1は本発明の圧力センサの平面図である。図2は本発明の前記圧力センサを図1の切断面ABに沿って示す立面図である。
図1及び2は静電容量型のセラミック圧力センサ10を示す。セラミック材料は例えば96から99重量パーセントの純度の前記酸化アルミニウムである。圧力センサ10は平行な表面を有する円形のディスクの形をした膜11を備えている。また、圧力センサ10は、膜11より厚いことを除いて、同じ形のベースボディ12を含んでいる。
膜11及びベースボディ12は、前に説明したように、各全周に沿ってそれぞれの縁部でスペーサ20の介在によって達成された相互の間隙dをおいてろう付けされている。これは約900°Cの温度で高真空中で行われる。間隙dがあるため、膜11及びベースボディ12によってチェンバ13が形成される。膜11は薄くて弾性があるため、自身にかかる圧力のもとで曲がり、従って前後に動くことができる。
電極14,15は膜11及びベースボディ12の互いに対向する表面に配置される。電極は好ましくはタンタルから成り、互いに対向する表面が二酸化タンタルの保護レイヤ21,22で被われている。この点について前記米国特許第5,050,034号中の説明と比較されたい。ベースボディ12上の単一の電極15の代わりに、複数の電極を設けることもできる。
しかし、ベースボディ12の表面は、電極が設けられる前に研磨(polish)される。これは通常の研削(grinding)又は選択的なラップ仕上げ(lapping)に加えて、残存する粗さを更に減少させるためであり、本発明の目的を達成するための最初のステップである。好ましくは、研磨は0.05μm未満の粗さまでである。この研磨によって、前述した水の分子が不都合に付着するという点について表面の受容度が著しく下がる。しかし、前記研磨は、疎水性の含浸を利用しようとしている場合は、必ずしも要求されるものではない。
電極14は膜11を完全に被い、従って、結合中に活性ろう付け材料のスペーサ20と接続する。これとは異なり、ベースボディ12の電極15は、スペーサ20と電気的に接続しないように設けられる。電極14,15は前述したスパッタリングによって設けられるが、スパッタリングは、ベースボディ12の電極15の場合、既に説明したマスク(mask)を通して行われる。
最後に、ベースボディ12内には穴23が配置されているが、穴23は例えば高分子量前駆体相(green body phase)の間に既に作られている。前記チェンバの端部の開口部はベースボディへの電極のスパッタリングによって封止されていないから、穴23は電極15を経て延びている。従って、圧力チェンバ13は封止されていないが、代わりに、外部に開いており、これは、もちろん、相対圧センサについて基本的に不可欠なことである。
前述したアンダスパッタリングはベースボディ12の研磨された表面では避けられないため、既に結合された各圧力センサ10の圧力チェンバ13は内部が疎水性材料の薄いレイヤ24で被覆される。レイヤ24は明確にするために図2において電極15によって被われていないベースボディ12の表面にのみ示されている。レイヤ24は、しかし、圧力チェンバ13の空洞に接する全ての表面を完全に被っている。
疎水性のレイヤ24は、とりわけ、アンダスパッタリングによって生じた電極材料の前記孤立部だけでなく、これらの孤立部の間に存在するベースボディ12の、手のかかる処理(hard working)(即ち、研削及び/又は研磨)の後に残った粗さ及びヘアクラックがある表面領域をも、全ての水の付着に対して、不動態化(passivate)する。このようにして、有利な点の議論において前述した計測値が示すように、前述した電極表面の拡張が実際上完全に除去される。
疎水性コーティングの形成は一つの部屋内に好ましくは一群の多数の圧力センサを置くことによって達成される。
前記圧力センサの表面は前述の焼結及び結合、高真空プロセスによって極度に清浄であるから、セル(cells)の前処理は要求されない。これは疎水性のレイヤ24の良好な結合を得るための理想的な初期条件である。
圧力センサは一方において、規定された(ordered)レイヤを形成するための疎水性の分子の表面拡散を可能とし、且つ、他方において、吸着された疎水性の分子の放散を直ちに招くことのない温度Tに置かれる。同様に疎水性の分子の凝結を生じさせる温度Tが可能である。これにより分子密度の増大が起こる(過剰物質はこの処理に続いて一時的に温度上昇にさらすことによって放散させることができる)。
更に、前記部屋は、ここでの目的には完全に十分な1.0mbarから0.001mbarの圧力で排気される。
次いで、適切な疎水性の分子を含む気体及び/又は蒸気相が、例えば、その材料を入れた容器を前記材料が1mbarから約1barの蒸気圧を示す温度にすることによって、供給される。容器は直接部屋内に又は板弁によって前記部屋から隔離された側方の部屋(side−chamber)内に配置される。
任意な方法として、前記容器は支持板(support plate)の下に配置される。前記支持板は、同時に、容器を被い、且つ好ましくは穴23の直径に対応する直径の複数の導管を有している。この場合、複数の圧力センサが前記支持板上に配置され、各圧力センサの穴23、即ち前記圧力チェンバのコーティングをするための穴は前記支持板を経て延びる前記導管の一つと常に一列になっており、従って、疎水性材料が前記複数の圧力チェンバに優先的に導かれる。必要ならば、前記導管はスライドバルブによって閉鎖することができ、これにより圧力センサのための処理時間を十分正確に制御することができる。
気体及び/又は蒸気相の処理を十分な時間行った後、新たに前記部屋の排気をすることができる。これは、しかし、本方法の一選択肢にすぎず且つ絶対に必要なものではない。
本発明のこの実施形態の最後に、一方において、過剰な材料があればそれを放散するために、且つ、他方において前記チェンバの壁への疎水性材料の化学的結合をさせるために、前記圧力センサの温度Tを上げる。このようにして、前記圧力チェンバの壁は安定した疎水性の薄膜で含浸され、これにより水分に対する感度を低下させることによって所望の改良がなされる。
本発明の圧力センサの平面図である。 図2は本発明の前記圧力センサを図1の切断面ABに沿って示す立面図である。

Claims (24)

  1. センサチェンバと、計測すべき圧力の下にある媒体にさらすことができ、且つ更に少なくとも前記センサチェンバの空洞の部分で前記媒体から圧力を通さないように前記センサチェンバを封止する、変形ボディとを有し、
    且つ、前記センサチェンバの壁は疎水性コーティングを有する、圧力計測用の圧力センサにおいて、
    前記疎水性コーティングは気体及び/又は蒸気相の付着によって施されることを特徴とする圧力センサ。
  2. 前記圧力センサは相対圧センサであり、前記センサチェンバはチェンバ開口部を有し、前記チェンバ開口部を経て前記センサチェンバに参照圧力を供給することができる、請求項1に記載の圧力センサ。
  3. 前記気体及び/又は蒸気相の付着は前記チェンバ開口部を経て行われる、請求項2に記載の圧力センサ。
  4. 更にベースボディを備え、前記変形ボディは膜の形をしており、前記膜は前記ベースボディとの間に前記センサチェンバを形成するように縁部で固定される、請求項1から3のいずれか一つに記載の圧力センサ。
  5. 前記変形ボディはセラミック材料を含む、前記請求項のうちのいずれか一つに記載の圧力センサ。
  6. 前記ベースボディはセラミック材料を含む、請求項4に記載の圧力センサ。
  7. 前記セラミック材料は酸化アルミニウムセラミック、特にコランダムを含む、請求項5又は6のいずれかに記載の圧力センサ。
  8. 前記圧力センサは静電容量型の圧力センサであって、前記圧力チェンバ内に電極を有する、前記請求項のうちのいずれか一つに記載の圧力センサ。
  9. 前記疎水性コーティングはシランを含む、前記請求項のうちのいずれか一つに記載の圧力センサ。
  10. 疎水性材料で圧力センサをコーティングする方法であって、
    前記センサを部屋内に置き、
    前記部屋の排気をし、且つ、
    少なくとも一つのコーティング用の気体及び/又は蒸気相を供給する段階を備え、前記圧力センサの温度Tは分子が前記コーティング用の気体及び/又は蒸気相から前記圧力センサに吸着することのできるような温度である、圧力センサをコーティングする方法。
  11. 前記圧力センサの内側にある前記圧力チェンバの壁のコーティングを前記圧力チェンバにおける開口部を経て行うことを含む、請求項10に記載の方法。
  12. 更に、前記部屋は前記少なくとも一つのコーティング用の気体及び/又は蒸気相の供給に続いて排気される、請求項10又は11に記載の方法。
  13. 更に、前記部屋は前記少なくとも一つの気体及び/又は蒸気相の供給に続いて別の気体でフラッシングをされる、請求項10又は11のいずれかに記載の方法。
  14. 更に、前記圧力センサの温度Tは前記吸着された材料の表面改質又は化学結合を生じさせるために上げられる、請求項10から13のいずれか一つに記載の方法。
  15. 前記チェンバの前記壁は、前記少なくとも一つのコーティング用の相の分子の吸着を最小にする温度Tに維持される、請求項10から14のいずれか一つに記載の方法。
  16. 前記疎水性材料は一以上の疎水性グループR及び一以上のアンカリンググループXを有するシランを含む、請求項10から15のいずれか一つに記載の方法。
  17. 前記シランはR−Si−X、R−Si−X、R−Si−Xの形を有する、請求項16に記載の方法。
  18. 前記疎水性グループRはアルキル、ペルフルオロアルキル、フェニル又はペルフルオロフェニルである、請求項16又は17に記載の方法。
  19. 前記アンカリンググループはシラノール、ハリド、エステル又はアミンである、請求項16から18のいずれか一つに記載の方法。
  20. 前記疎水性材料は脂肪族又はサイクリックシラザン、特にヘキサメチルジシラザンを含む、請求項10から15のいずれか一つに記載の方法。
  21. 前記疎水性材料はR−Me−Xのタイプの化合物を含み、Meは金属、特にZr又はTiであり、Rは疎水性基であり、且つXはアンカリンググループである、請求項10から15のいずれか一つに記載の方法。
  22. 前記疎水性材料はメルカプトシランを含む、請求項10から15のいずれか一つに記載の方法。
  23. 前記圧力センサの温度Tは前記疎水性材料が前記センサの表面に凝結するように十分低く選択される、請求項10から22のいずれか一つに記載の方法。
  24. 前記センサの、電子構成部品の表面を含む、全表面は、前記電子構成部品を水分から保護するために被覆される、請求項10から23のいずれか一つに記載の方法。
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WO (1) WO2003054499A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008143160A1 (ja) 2007-05-16 2008-11-27 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子
US10175133B2 (en) 2013-06-07 2019-01-08 Entegris, Inc. Sensor with protective layer

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040099061A1 (en) * 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
DE10326975A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-20 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Drucksensor mit Feuchteschutz
EP1711803A1 (de) * 2004-02-06 2006-10-18 Micronas GmbH Sensor und verfahren zu dessen herstellung
US7234357B2 (en) * 2004-10-18 2007-06-26 Silverbrook Research Pty Ltd Wafer bonded pressure sensor
WO2006051799A1 (ja) * 2004-11-11 2006-05-18 Kaneka Corporation 硬化性組成物
DE102007008506B4 (de) * 2007-02-21 2010-08-19 Continental Automotive Gmbh Verfahren zum Schutz eines elektronischen Sensorelements und elektronisches Sensorelement
DE102008043175A1 (de) * 2008-10-24 2010-04-29 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Relativdrucksensor
ES2414230T5 (es) * 2010-12-07 2016-03-08 Vega Grieshaber Kg Celda de medición de presión
US20130192085A1 (en) * 2012-01-30 2013-08-01 Bsh Home Appliances Corporation Washer dryer with a temperature sensor and process for its operation
DE102012106236A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Fügen von Keramikkörpern mittels eines Aktivhartlots, Baugruppe mit mindestens zwei miteinander gefügten Keramikkörpern, insbesondere Druckmesszelle
DE102012110152A1 (de) * 2012-07-11 2014-05-15 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Fügen von Keramikkörpern mittels eines Aktivhartlots, Baugruppe mit mindestens zwei miteinander gefügten Keramikkörpern, insbesondere Druckmesszelle
US8943895B2 (en) 2012-09-07 2015-02-03 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor
US9103738B2 (en) 2012-09-07 2015-08-11 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor with intrinsic temperature compensation
US8984952B2 (en) 2012-09-07 2015-03-24 Dynisco Instruments Llc Capacitive pressure sensor
DE102014211856A1 (de) 2014-06-20 2015-12-24 Volkswagen Aktiengesellschaft Drucksensor mit hydrophober Beschichtung
CN104499024A (zh) * 2014-11-20 2015-04-08 上海应用技术学院 一种阳极氧化法构建防腐蚀性超疏水铝表面的方法
DE102014117706A1 (de) 2014-12-02 2016-06-02 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitiver Relativdrucksensor
JP6528745B2 (ja) * 2016-09-06 2019-06-12 株式会社デンソー 圧力センサ
DE102018123023A1 (de) 2018-09-19 2020-03-19 Tdk Electronics Ag Membran, Drucksensorsystem und Verfahren zur Herstellung des Drucksensorsystems
US11536680B2 (en) 2019-11-14 2022-12-27 Analog Devices International Unlimited Company Electrochemical sensor and method of forming thereof
CN111664968A (zh) * 2020-07-15 2020-09-15 襄阳臻芯传感科技有限公司 一种陶瓷电容式压力传感器的制作方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4996082A (en) * 1985-04-26 1991-02-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same
DE3625356A1 (de) * 1986-07-26 1988-02-04 Andreas Biedermann Verfahren zur innenbeschichtung elektrisch nicht leitender hohlkoerper
US5261960A (en) * 1987-06-24 1993-11-16 Epsilon Technology, Inc. Reaction chambers for CVD systems
US5019140A (en) * 1988-12-21 1991-05-28 W. L. Gore & Associates, Inc. Irradiated expanded polytetrafluoroethylene composites, and devices using them, and processes for making them
DE3918472A1 (de) * 1989-06-06 1990-12-13 Siemens Ag Hydrophobierungsmittel und anwendungsverfahren, insbesondere bei tintenstrahldruckkoepfen
US5050034A (en) * 1990-01-22 1991-09-17 Endress U. Hauser Gmbh U. Co. Pressure sensor and method of manufacturing same
DE4136987A1 (de) * 1991-11-11 1993-05-13 Leybold Ag Verfahren zur oberflaechenpassivierung von sensoren
DK0544934T3 (ja) * 1991-11-30 1997-03-17 Endress Hauser Gmbh Co
US5334334A (en) * 1993-03-30 1994-08-02 Valence Technology, Inc. Method of preparing lithium battery electrode compositions
JP3384900B2 (ja) * 1995-01-09 2003-03-10 長野計器株式会社 圧力センサ
DE19621996C2 (de) * 1996-05-31 1998-04-09 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Kombination eines Drucksensors und eines elektrochemischen Sensors
DE19825100A1 (de) * 1998-06-05 1999-12-16 Merck Patent Gmbh Mittel zur Herstellung von wasserabweisenden Beschichtungen auf optischen Substraten
DK1061351T3 (da) * 1999-06-15 2003-11-03 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Kapacitiv keramisk relativtryksensor
US6892582B1 (en) * 1999-08-20 2005-05-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure sensor and pressure sensing device
US6675654B2 (en) * 2001-05-09 2004-01-13 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Pressure sensing device with moisture filter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008143160A1 (ja) 2007-05-16 2008-11-27 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 圧電セラミックス及びこれを用いた圧電・誘電・焦電素子
US10175133B2 (en) 2013-06-07 2019-01-08 Entegris, Inc. Sensor with protective layer

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