JP2005347479A - 積層型電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】 多層基板11にチップ部品20を搭載した積層型電子部品10に関し、キャビティ12の底面13にチップ部品20を搭載する際に、チップ部品20の四隅22に欠けが生じるのを防止できる。
【解決手段】 主面にキャビティ12を有した多層基板11と、キャビティ12の底面13の少なくともチップ部品搭載領域を覆うように形成されたシールド電極14と、シールド電極14をダイボンド面としてキャビティ12の底面13に固着したチップ部品20とを備えた積層型電子部品10であって、キャビティ12に収納したチップ部品20の四隅22に相当する部分において、シールド電極14に切り欠き18を形成したものである。
【選択図】 図1

Description

本発明は、多層基板にチップ部品を搭載した積層型電子部品に関する。
従来より、内部にコンデンサやコイルを形成した多層基板に、IC等のチップ部品を搭載した積層型電子部品が提案されている(例えば、特許文献1)。
積層型電子部品は、多層基板の一方主面にキャビティを形成し、このキャビティ内にチップ部品を収納して構成されている。キャビティの底面には、シールド用の電極が形成されており、チップ部品はこの電極をダイボンド面としてキャビティ底面に固着されている。
シールド電極は、多層基板内の回路と、チップ部品内の回路との電気的な結合を遮蔽するための電極であり、シールド効果を増すためにグランドに接続されていることが好ましい。
さらに、キャビティ内に露出した配線パターンと、チップ部品の電極とがワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
しかし、上記従来の構成では、キャビティ内に収納したチップ部品の四隅に欠けが生じているのがよく見受けられている。
特開2004−103608号
そこで、本発明においては、キャビティ内に収納するチップ部品の四隅に欠けが生じるのを防止できる積層型電子部品を提供することを解決すべき課題としている。
本発明の積層型電子部品は、主面にキャビティを有した多層基板と、前記キャビティの底面の少なくともチップ部品搭載領域を覆うように形成されたシールド電極と、前記シールド電極をダイボンド面として前記キャビティの底面に固着したチップ部品とを備え、前記キャビティに収納した前記チップ部品の四隅に相当する部分、または外周に相当する部分において、前記シールド電極に切り欠きを形成したものである。
本発明者らが上記チップ部品の四隅の欠けについて鋭意検討したところ、従来の積層型電子部品において、キャビティの底面に形成されたシールド電極は、チップ部品からの輻射を効果的にシールドして十分なシールド性を確保するため、少なくともチップ部品搭載領域を覆って形成されている。
しかし、シールド電極と多層基板との収縮率が異なる(シールド電極はセラミックに比べて収縮し難い)ため、キャビティの底面に凹凸が生じることがある。特に、キャビティの底面の中央部分が落ち込むように若干反った状態でチップ部品を搭載しようとすると、チップ部品の四隅が凹曲したシールド電極の表面に当接し、その衝撃によってチップ部品の脆い四隅が欠けてしまうことを見出し、これに基づいてさらに鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
本発明の積層型電子部品によると、キャビティに収納したチップ部品の四隅に相当する部分、または外周に相当する部分において、キャビティの底面に形成されたシールド電極に切り欠きを形成したので、シールド電極をダイボンド面としてキャビティの底面にチップ部品を固着した際、チップ部品の四隅がシールド電極の切り欠きに入り込み、シールド電極の表面は当接せず、チップ部品の四隅に欠けが生じるのを防止できる。さらに、チップ部品の外周に相当する部分においてシールド電極に切り欠きを形成した場合、チップ部品の四隅のみならず、外周縁の欠けも防止できる。
本発明の積層型電子部品によると、キャビティの底面にチップ部品を搭載する際に、チップ部品の四隅に欠けが生じるのを防止できる。
本発明の最良の実施形態を図1ないし図4に示す。
図1は積層型電子部品の断面図、図2は積層型電子部品の部分拡大断面図、図3は積層型電子部品の部分拡大底面図、図4はチップ部品の実装時の部分拡大断面図である。
図1に示すように、積層型電子部品10は、セラミックの多層基板11の主面にキャビティ12を形成し、キャビティ12内にチップ部品20を収納する。キャビティ12の底面13には、ベアチップIC等のチップ部品20の搭載領域を覆うようにキャビティ12の底面13全体に渡ってシールド電極14が形成されており、チップ部品20はシールド電極14をダイボンド面としてキャビティ12の底面13に固着されている。さらに、チップ部品20は、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング(バンプ接続)により、多層基板11の導電ランド(図示せず)と電気的に接続されている。また、チップ部品20をキャビティ12内に搭載した後、キャビティ12に電気絶縁性の封止樹脂を充填してもよい。
積層型電子部品10を実装基板15に実装する際には、キャビティ12が下になるように配置して、外部導体16を介して実装基板15に電気的に接続する。また、キャビティ12と反対側の上面には、コンデンサ,インダクタ,抵抗器,ダイオード,IC,メモリ,SAWフィルタ,水晶振動子等のチップ部品21が外部導体17を介して搭載される。さらに、搭載されたチップ部品21を保護する金属カバー(図示せず)を多層基板11に装着してもよい。
シールド電極14は、キャビティ12に収納したチップ部品20の四隅22に相当する部分において、計4箇所の矩形状の切り欠き18を有している。これにより、図4に示すように、シールド電極14と多層基板11との収縮率の差によってシールド電極14が凹曲した状態でチップ部品20をキャビティ12に収納しようとした際、チップ部品20の四隅22がシールド電極14の切り欠き18に入り込んでキャビティ12の底面13に固着される。
このように構成された積層型電子部品10によると、キャビティ12に収納したチップ部品20の四隅22に相当する部分において、キャビティ12の底面13に形成されたシールド電極14に切り欠き18を形成したので、シールド電極14をダイボンド面としてキャビティ12の底面13にチップ部品20を固着した際、チップ部品20の四隅22がシールド電極14の切り欠き18に入り込んでシールド電極14の表面に当接せず、チップ部品20の四隅22に欠けが生じるのを防止できる。
なお、チップ部品20の四隅22に相当する部分において、シールド電極14に形成する切り欠きの形状は矩形に限定されるものではない。例えば、図5に示すように、三角形状に切り欠いたり、あるいはシールド電極14の四隅全体を切り欠くのではなく、チップ部品20の四隅22に相当する部分のみに任意形状の開口を形成したものであってもよい。
また、上記実施形態の積層型電子部品10は、実装基板15側(下側)にキャビティ12を形成したものであったが、図6に示すように、実装基板15とは反対側(上側)にキャビティ12を形成し、チップ部品20を収納して電気絶縁性の封止樹脂を充填したものであってもよい。積層型電子部品10を実装基板15に実装する際には、キャビティ12が上になるように配置して、外部導体16を介して実装基板15に電気的に接続する。また、キャビティ12側の上面には、チップ部品21が外部導体17を介して搭載される。
本発明の他の実施形態を図7および図8に示す。
図7は積層型電子部品の部分拡大底面図、図8はチップ部品の実装時の部分拡大断面図である。
本実施形態は、キャビティ12に収納したチップ部品20の外周に相当する部分において、シールド電極30に額縁状に切り欠き31を形成したことを特徴とするものである。なお、その他の構成は、図1に示した例と同様である。
このように、シールド電極30に額縁状に切り欠き31を形成したことにより、図7に示すように、シールド電極30が凹曲した状態でチップ部品20をキャビティ12に収納しようとした際、チップ部品20の外周縁23が切り欠き31に入り込んでシールド電極30の表面に当接することなくキャビティ12の底面13に固着される。よって、チップ部品20の四隅22ならびに外周縁23に欠けが生じるのを防止できる。
さらに、シールド電極30に形成した額縁状の切り欠き31によってシールド電極30と多層基板11との収縮差を吸収でき、シールド電極30の表面に形成される凹凸を緩和できる。
本発明は、セラミック多層基板にIC等のチップ部品を搭載した積層型電子部品として有用である。
本発明の実施形態における積層型電子部品の断面図 本発明の実施形態における積層型電子部品の部分拡大断面図 本発明の実施形態における積層型電子部品の部分拡大底面図 本発明の実施形態におけるチップ部品の実装時の部分拡大断面図 本発明の実施形態における変形例の積層型電子部品の部分拡大底面図 本発明の実施形態における変形例の積層型電子部品の断面図 本発明の他の実施形態における積層型電子部品の部分拡大底面図 本発明の他の実施形態におけるチップ部品の実装時の部分拡大断面図
符号の説明
10 積層型電子部品
11 多層基板
12 キャビティ
13 底面
14,30 シールド電極
18,31 切り欠き
20 チップ部品
22 隅
23 外周縁

Claims (2)

  1. 主面にキャビティを有した多層基板と、前記キャビティの底面の少なくともチップ部品搭載領域を覆うように形成されたシールド電極と、前記シールド電極をダイボンド面として前記キャビティの底面に固着したチップ部品とを備えた積層型電子部品であって、
    前記キャビティに収納した前記チップ部品の四隅に相当する部分において、前記シールド電極に切り欠きを形成したことを特徴とする積層型電子部品。
  2. 主面にキャビティを有した多層基板と、前記キャビティの底面の少なくともチップ部品搭載領域を覆うように形成されたシールド電極と、前記シールド電極をダイボンド面として前記キャビティの底面に固着したチップ部品とを備えた積層型電子部品であって、
    前記キャビティに収納した前記チップ部品の外周に相当する部分において、前記シールド電極に切り欠きを形成したことを特徴とする積層型電子部品。
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