JP2005345227A - サーモパイルセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】 サーモパイル素子を用いたサーモパイルセンサにおいて、温度補償素子の正確な位置決めを容易に行なって、より正確な温度補償を行なうことができるサーモパイルセンサを提供する。
【解決手段】 肉厚部4および薄膜部3が形成された基板2と、前記肉厚部4に冷接点6、薄膜部3に温接点7を配置した複数の熱電対8が直列に接続されてなるサーモパイル素子5と、前記冷接点6の近傍で基板2自体に形成された段部9と、この段部9に取り付けられた温度補償素子10とを有する。
【選択図】 図1
【解決手段】 肉厚部4および薄膜部3が形成された基板2と、前記肉厚部4に冷接点6、薄膜部3に温接点7を配置した複数の熱電対8が直列に接続されてなるサーモパイル素子5と、前記冷接点6の近傍で基板2自体に形成された段部9と、この段部9に取り付けられた温度補償素子10とを有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、サーモパイルセンサに関する。
特許文献1に示すように、雰囲気温度の変化に対して熱電対の冷接点の温度とサーミスタの温度を素早く時間差なく追従させることを目的として、サーモパイル素子の冷接点のパターンの上にチップサーミスタを搭載したサーモパイルセンサがある。
図6は、このようなサーモパイルセンサにおいて、サーモパイル素子の冷接点が形成された部分における断面を示す図であり、91は基板に形成されたヒートシンク部、92はヒートシンク部91上に形成されたサーモパイル素子、93はサーモパイル素子92同士を接続する配線パターン、94は冷接点に相当する部分におけるサーモパイル素子92および配線パターン93の表面に形成された保護膜、95は冷接点を構成する部分の温度を測定するチップサーミスタ、96はチップサーミスタ95を冷接点上に接着するための接着剤、97はヒートシンク部91の裏面側から伝達する熱である。
特開2003−65854号公報
特許文献1に示すようなサーモパイルセンサを構成するチップサーミスタ95はサーモパイル素子92の冷接点のパターン上に載る程度の微小な大きさであるから、その取り扱いが困難になるという問題があった。つまり、サーモパイル素子92の冷接点のパターンに正確に乗せるための位置決めが容易ではなく、ヒートシンク部91の平坦面の所定位置(角度)に正しく接着する作業が困難であった。
加えて、冷接点を構成するサーモパイル素子92や配線パターン93の表面には保護膜94が形成されているが、この保護膜94の厚みが1〜2μm程度の極めて薄いものであるから傷つき易く、チップサーミスタ95を接着する段階で簡単に剥がれてチップサーミスタ95との接触部95aが生じたり、サーモパイル素子92に接着剤96による汚損や破損が生じることも考えられる。つまり、接点の回路パターン上にサーミスタを搭載接着することはパターンのストレスを誘発する懸念があった。
さらに、特許文献1に示す構成では、チップサーミスタ95を搭載接着した冷接点の部分の温度を測定することはできても、全てのサーモパイル素子92における冷接点の部分の温度が同じであるとは限らないという問題もあった。すなわち、ヒートシンク部91の裏面側から伝達した熱97による温度変化の生じ方は、ヒートシンク部91の形状によって変わるが、特許文献1に示す構成では、チップサーミスタ95を搭載接着した部分の温度を全てのサーモパイル素子92の温度補償に用いることとなるので、温度補償が必ずしも正確に行えないという問題があった。また、チップサーミスタ95の位置が確定されないので、個体差が大きくなるという問題もあった。
本発明は、上述のような課題を考慮に入れてなされたものであって、その目的は、サーモパイル素子を用いたサーモパイルセンサにおいて、温度補償素子の正確な位置決めを容易に行なって、より正確な温度補償を行なうことができるサーモパイルセンサを提供することである。
上記目的を達成するために、本発明に係るサーモパイルセンサは、肉厚部および薄膜部が形成された基板と、前記肉厚部に冷接点、薄膜部に温接点を配置した複数の熱電対が直列に接続されてなるサーモパイル素子と、前記冷接点の近傍で基板自体に形成された段部と、この段部に取り付けられた温度補償素子とを有することを特徴としている(請求項1)。
前記段部が凹部であり、前記温度補償素子がチップ型の温度補償素子であってもよい(請求項2)。
前記段部が凹部であり、前記温度補償素子がチップ型の温度補償素子であってもよい(請求項2)。
請求項1に記載の発明では、サーモパイル素子の冷接点のパターンから外れた部分の基板に段部が形成されているので、温度補償素子を段部に取り付けやすくなるだけでなく、温度補償素子の位置や角度を厳密に特定することができる。そして、温度補償素子の位置や角度を厳密に合わせることにより、個体差をできるだけ小さくすることができ、高精度の温度補償を行なうことができるサーモパイルセンサの生産が可能となる。
また、段部はサーモパイル素子の冷接点のパターンから外れた部分の基板自体に形成されているので、温度補償素子を取り付けるときに、サーモパイル素子上のパターンを汚損したり冷接点を破損することがない。加えて段部の位置が冷接点の近傍であるから冷接点近傍の正確な測温が可能となる。
なお、前記段部はエッチングによって形成されたものであることが好ましく、その位置は全ての熱電対の冷接点における平均的な温度を検出できる最適位置であることが好ましい。すなわち、サーモパイルセンサの基板の形状によって外部との接触による熱伝達の影響が変わり、サーモパイルセンサの基板上の各部における温度にも分布が生じるが、全ての熱電対の冷接点における平均的な温度を検出できる特定の位置に一つの温度補償素子を取り付けることにより、単一の温度補償素子を取り付けるだけの極めて簡単な構成でありながら、より正確な温度補償を行なうことが可能となる。
前記段部が凹部であり、前記温度補償素子がチップ型の温度補償素子である場合(請求項2)には、微小なチップ型の素子の位置決めを極めて精度良く簡単に行うことができる。また、前記段部が凹部である場合は、基板に薄膜部を構成する際にヒートシンクをエッチングする工程と同時に形成することも可能であるから、段部を形成するのが極めて容易になるという利点もある。
図1〜3は本発明のサーモパイルセンサ1の第1実施例を示す図であり、図1はこのサーモパイルセンサ1の平面図である。
図1において、2はサーモパイルセンサ1を形成する例えばシリコンなどからなる半導体基板(以下、シリコン基板)である。このシリコン基板2は、開口部2aからの異方性エッチングによって中心部に形成された薄膜部3と、この薄膜部3の周囲において比較的大きな熱容量を有する肉厚部4とを有する。
5は図1に示すシリコン基板2の上下左右の肉厚部4にそれぞれ冷接点6(6a〜6d)を配置する一方で中心部の薄膜部3に温接点7を配置するように複数の熱電対8(8a〜8d)が直列に接続されてなるサーモパイル素子、9は段部の一例として前記冷接点6(6a,6d)の近傍のシリコン基板2に形成された凹部、10はこの凹部9に取り付けられた例えばチップ型のサーミスタからなる温度補償素子(以下、チップサーミスタという)である。
11は前記温接点7の部分に形成された赤外線吸収体、12は上下左右に配置された前記各熱電対8a〜8dを接続する配線パターン、13,14はサーモパイル素子5を後述のリード線に接続するためのパッドである。また、15,16は前記チップサーミスタ10上に形成されたパッド、17a,17bはパッド15,16に接続するワイヤボンディング(リード線)である。
前記シリコン基板2の厚みは例えば0.6mmであり、チップサーミスタ10の大きさは例えば長さ0.6mm,幅0.3mm,高さ0.3mmであり、このチップサーミスタ10の取り付け位置を示す凹部9はシリコン基板2自体にその表面より所定の深さを有するように形成される陥没部であり、その深さは例えば100μm程度である。なお、凹部9の深さは数十μm程度以上あればチップサーミスタ10の位置や角度を定めることができる。
本実施例の場合、シリコン基板2の形状が、中心部に薄膜部3、外周に肉厚部4を配置するような形状であり、シリコン基板2の外周の肉厚部4と中心部の薄膜部3を渡すように設けた熱電対8が、上下左右の4つのグループに分けられた熱電対8a〜8dであるから、比較的小さい面積の薄膜部3に多数の熱電対8の温接点7を配置できる。しかしながら、熱電対8の配置には種々の変形が考えられることはいうまでもない。
凹部9を形成する位置は冷接点6a,6dの近傍であるが、全ての冷接点6a〜6dにおける温度の平均的な温度を検出できる位置や方向を特定することが好ましい。このチップサーミスタ10の位置や方向は、異方性エッチングによって形成される薄膜部3と厚肉部4の形状によって異なる熱の伝わり方を基に判断して特定することができる。
また、凹部9を異方性エッチングによって形成することにより、薄膜部3と凹部9とを同一の方法で形成することができ、凹部9を形成するための別途の工程を必要としていない。そして、本実施例に示すように異方性エッチングによって形成される凹部9の側面9aは斜面となるので、この側面9aがチップサーミスタ10を案内するガイド面となる。なお、凹部9の底面9bの形状をチップサーミスタ10の下面の形状と合同にすることにより、凹部9に取り付けたチップサーミスタ10の位置および角度を厳密に合わせることができる。しかしながら、凹部9の底面9bの形状をチップサーミスタ10の下面の形状よりも僅かに大きく(略合同)して凹部9に対するチップサーミスタ10の取付けを容易とすることも可能である。
さらに、凹部9をドライエッチングによって形成することも可能である。この場合は、凹部9の断面形状を矩形にすることができ、この凹部9に嵌合されるチップサーミスタ10の位置決めを凹部9の底面9bのみならず、凹部9の開口部や側壁面によっても行なうことができるので、チップサーミスタ10の位置決めをより確実に行なうことができる。
凹部9をどのようなエッチングによって形成する場合においても、エッチングの技術を用いて凹部9を形成することにより、既存の装置を用いて凹部9の位置精度を可及的に上げて、チップサーミスタ10の極めて正確な位置決めを行なうことができる。
そして、本発明のように定まった位置に凹部9が形成してあることにより、サーモパイルセンサ1の形成時にチップサーミスタ10を取り付けるときに、その位置を確実かつ容易に定めることができる。たとえ手作業でこれを行ったとしても、チップサーミスタ10の取付位置や取付方向を簡便に確定することができる。つまり、凹部9を形成した特定の位置および角度に正確に配置したチップサーミスタ10を用いて、サーモパイルセンサ1の形状に合わせて全ての冷接点6a〜6dにおける温度の平均的な温度を正確に検出することができる。
図2は前記サーモパイルセンサ1のI−I断面図である。本実施例の場合、既に言及した通り、シリコン基板2の表面に形成された開口部2a(図1参照)からの異方性エッチングによって薄膜部3を形成している。このため、本実施例における薄膜部3は異方性エッチングでは溶解しない酸化膜からなる。また、2’は異方性エッチングによって残される薄肉部である。
図2に示すように、エッチングでの溶解により形成された空間部2bの平面占有面積は、温接点7を形成するために必要な薄膜部3の面積S1 よりも狭くなる。さらに、薄肉部2’の面積S2 を前記面積S1 よりも狭くすることができる。つまり、本実施例のように薄膜部3の形成時に、基板2の表面側のみからエッチングする構成は、必要な薄膜部3の面積S1 よりも空間2bの占有面積および薄肉部2’の面積S2 のほうが小さくなる。
したがって、図示による詳細な説明を省略するが、本実施例のようにシリコン基板2の表面側から異方性エッチングを行なって薄膜部3を形成する構成は、一枚のシリコン基板2上に複数のサーモパイルセンサ1を並べて配置するアレイセンサを構成するのに適している。
図3は前記サーモパイルセンサ1を容器内に収容してなる熱型赤外線検出器の例を示す斜視図である。図3において、サーモパイルセンサ1を収容する容器は下部側が開放された筒状のキャン20と、このキャン20の下部開口を閉塞するステム21とからなり、両者20,21は例えば溶接によって接合される。
キャン20は、例えば鉄材をプレス加工によって縦断面が略Π字状に形成したものであり、この外面には鏡面あるいは光沢メッキを施してある。キャン20の上面中央部には、適宜の大きさだけ例えば矩形状に切除して形成された開口に、赤外線透過性材料よりなる窓材を接合することにより赤外線透過窓22が形成されている。なお、23はキャン20の開放下端部に形成される鍔部である。
ステム21は、例えば鉄材からなり、4本の信号取り出し用のリードピン24,25a,25b,26をステム21の厚み方向に貫通させて設け、この貫通部には図示を省略するがリードピン24,25a,25b,26とステム21とを電気的に絶縁するためにガラス溶着を施してある。なお、27はステム21の下端部に形成されて前記鍔部23と当接する鍔部である。
本実施例のサーモパイルセンサ1はステム21と熱的に結合された状態でステム21の上面に設けられ、例えば前記パッド13とリードピン26、パッド14とリードピン24、パッド16とリードピン25を接続するように信号取り出しワイヤ28,29,17a,17b,30がワイヤーボンディングされている。つまり、リードピン25a,25bを用いてチップサーミスタ10の出力信号、リードピン24,26を用いてサーモパイル素子5の出力信号を得ることができる。
前記サーモパイルセンサ1では、チップサーミスタ10を冷接点の近傍のシリコン基板2に取り付けているので、別途のサーミスタを組み込む必要なく熱型赤外線検出器を形成することができる。
図4は第2実施例のサーモパイルセンサ31の構成を示す断面図である。図4において、図1〜3と同じ符号を付した部材は同一または同等の部材であるから、その詳細な説明を省略する。
第2実施例のサーモパイルセンサ31が第1実施例のサーモパイルセンサ1と異なる点は薄膜部3がシリコン基板2の裏面側からの異方性エッチングによって形成されたものである点と、チップサーミスタ10に形成された2つのパッド15,16のそれぞれがワイヤーボンディングによってリード線32,33を介してシリコン基板2上にパターン成形されたパッド34,35に接続してある点である。
なお、図示を省略するがパッド34,35はシリコン基板2上にパターン成形された回路や、サーモパイルセンサ31を外部の電気回路に接続するためにシリコン基板2上にパターン成形された比較的大きな面積を有するパッドなどに引き出して配線されてもよい。
第2実施例のようにシリコン基板2の裏面側からエッチングを行って薄膜部3を形成することにより、薄膜部3の裏面側に、この薄膜部3の面積S1 よりも広い面積S3 で開放された空間2cを形成することができるので、シリコン基板2の厚肉部4が温度変化したときに輻射熱によって薄膜部3の温度が変化することを防止できる。また、薄膜部3の裏面側の空間2cを通気開放することも可能である。
また、チップサーミスタ10が、予めリード線32,33によってシリコン基板2上にパターン成形された回路に電気的に接続されているので、このサーモパイルセンサ31を図3に示すようなステム21に固定して、熱型赤外線検出器を形成するときに、リードピン24,25a,25b,26をシリコン基板2上にパターン成形された比較的大きなパッドに接続することができる。つまり、チップサーミスタ10上の狭い面積のパッド15,16を直接リードピン24,25a,25b,26に接続する必要がないので、サーモパイルセンサ31とリードピン24,25a,25b,26の電気的な接続を容易に行なうことができ、サーモパイル素子の上部空間でリード線が交錯することが避けられる。
図5は第3実施例のサーモパイルセンサ36の構成を示す図である。図5において、図1〜4と同じ符号を付した部材は同一または同等の部材であるから、その詳細な説明を省略する。
第3実施例のサーモパイルセンサ36において、37は、上面に上部電極38、下面に下部電極39が形成されてなるチップサーミスタ、40は凹部9の底面にパターン成形された接続部である。チップサーミスタ37は、その下部電極39を、エポキシ樹脂に銀を分散させてなる銀エポキシなどの導電性接着剤によって接続部40に接続することにより、凹部9に嵌合するように固定されると同時に電気的に接続してある。一方、上部電極38はワイヤーボンディングによってリード線41を介してシリコン基板2上にパターン成形されたパッド42に接続してある。
本実施例のように構成することにより、チップサーミスタ37をシリコン基板2に取り付けるだけで、下部電極39と接続部40の電気的な接続を行なうことができるので、組付容易である。加えて、導電性接着剤によってシリコン基板2の肉厚部4に接続されたチップサーミスタ37は、肉厚部4との熱的な結合も良好であるから、より正確な温度補償を行なうことができる。なお、下部電極39と接続部40の接続は導電性接着剤によって行われることに限られず、例えば金属ボールを用いた金属バンプによって接続してあってもよい。また、リード線41はパッド42を介さずに直接リードピンに接続した構成でもよい。更に温度補償素子はチップ型のサーミスタのほか、チップ型の金属(白金など)抵抗測測温体であってもよい。
1,30,31 サーモパイルセンサ
2 基板
3 薄膜部
4 肉厚部
5 サーモパイル素子
6 冷接点
7 温接点
8 熱電対
9 凹部(段部)
10 サーミスタ(温度補償素子)
2 基板
3 薄膜部
4 肉厚部
5 サーモパイル素子
6 冷接点
7 温接点
8 熱電対
9 凹部(段部)
10 サーミスタ(温度補償素子)
Claims (2)
- 肉厚部および薄膜部が形成された基板と、
前記肉厚部に冷接点、薄膜部に温接点を配置した複数の熱電対が直列に接続されてなるサーモパイル素子と、
前記冷接点の近傍で基板自体に形成された段部と、
この段部に取り付けられた温度補償素子とを有することを特徴とするサーモパイルセンサ。 - 前記段部が凹部であり、前記温度補償素子がチップ型の温度補償素子である請求項1に記載のサーモパイルセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004164274A JP2005345227A (ja) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | サーモパイルセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004164274A JP2005345227A (ja) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | サーモパイルセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005345227A true JP2005345227A (ja) | 2005-12-15 |
Family
ID=35497758
Family Applications (1)
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JP2004164274A Pending JP2005345227A (ja) | 2004-06-02 | 2004-06-02 | サーモパイルセンサ |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014060791A (ja) * | 2006-03-23 | 2014-04-03 | Thomson Licensing | ダウンリンクデータチャネルのための色メタデータ |
WO2014141824A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | オムロン株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線センサチップ |
US10129513B2 (en) | 2008-08-28 | 2018-11-13 | Thomson Licensing | Color metadata for a downlink data channel |
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2004
- 2004-06-02 JP JP2004164274A patent/JP2005345227A/ja active Pending
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