JP2005340732A - Wafer cleaning apparatus - Google Patents

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Kazuma Sekiya
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the environments of the processes for laminating the respective layers constituting a wafer from being contaminated, by cleaning the outer peripheral portion of the wafer without reducing the productivity of the wafer. <P>SOLUTION: A wafer cleaning apparatus has a grinding means for grinding the outer peripheral portion of a wafer held on a chuck table, a polishing means for subjecting the outer peripheral portion of the wafer to a mirror finishing which has been so held on the chuck table as to grind its outer peripheral portion by the grinding means, and a pressure adjusting means for making the grinding means or the polishing means act by a predetermined pressure on the wafer held on the chuck table. By these means, the wafer cleaning apparatus so removes efficiently the substances stuck on the outer peripheral portion of the wafer as to subjecting it to the mirror finishing. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ウェーハの外周部を清浄化するウェーハ清浄化装置に関するものである。   The present invention relates to a wafer cleaning apparatus for cleaning an outer peripheral portion of a wafer.

集積回路が形成された半導体ウェーハは、シリコンウェーハ等の表面に絶縁膜や配線層を形成していくことにより製造される。その過程においては、シラン、アルミ、銅、リン、マンガン、白金等の種々の物質が複雑に積層されていくため、これら各物質を積層させる工程においては、所望の物質のみが積層されるよう、その他の物質が混入しないような環境を維持する必要がある。   A semiconductor wafer on which an integrated circuit is formed is manufactured by forming an insulating film or a wiring layer on the surface of a silicon wafer or the like. In the process, various substances such as silane, aluminum, copper, phosphorus, manganese, platinum are laminated in a complicated manner. Therefore, in the process of laminating each of these substances, only the desired substance is laminated. It is necessary to maintain an environment that does not contain other substances.

しかし、各積層工程においては、ウェーハ中央部のデバイスが形成された領域にはマスキングが施されて不純物が混入しないような処理がなされるものの、ウェーハ外周部には、特段の処理が施されないため、ウェーハ外周部には各積層工程において付着した物質が残存し、その付着した物質が後続する工程における環境を汚染するという問題がある。   However, in each stacking process, the area where the device in the central part of the wafer is formed is masked to prevent impurities from entering, but the wafer outer peripheral part is not subjected to special processing. Further, there is a problem that the substance adhered in each lamination process remains on the outer periphery of the wafer, and the adhered substance contaminates the environment in the subsequent process.

そこで、次の物質を積層させる工程に移る前に、汚染の原因となる物質をウェーハ外周部から除去して清浄化することも行われている（例えば特許文献１参照）。   Therefore, before moving to the step of laminating the next substance, the substance causing contamination is removed from the outer peripheral portion of the wafer and cleaned (see, for example, Patent Document 1).

特開２００２−１１０５９３号公報JP 2002-110593 A

しかしながら、ウェーハの外周に付着した物質を除去するには相当の時間がかかり、生産性が低下するという問題がある。そこで、本発明が解決しようとする課題は、効率良くウェーハの外周部を清浄化することである。   However, it takes a considerable amount of time to remove the substances adhering to the outer periphery of the wafer, resulting in a problem that productivity is lowered. Therefore, the problem to be solved by the present invention is to efficiently clean the outer peripheral portion of the wafer.

本発明は、ウェーハの外周部を清浄化するウェーハ清浄化装置に関するもので、ウェーハを吸引保持し回転可能なチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウェーハの外周部を研磨する研磨手段と、チャックテーブルに保持され研磨手段によって外周部が研磨されたウェーハの外周部を鏡面仕上げするポリッシング手段と、チャックテーブルに保持されたウェーハを研磨手段またはポリッシング手段に作用させる圧力を調整する圧力調整手段とを少なくとも備えることを要旨とする。   The present invention relates to a wafer cleaning apparatus for cleaning an outer peripheral portion of a wafer, a chuck table that can hold and rotate a wafer, a polishing means for polishing the outer peripheral portion of a wafer held on the chuck table, and a chuck Polishing means for mirror-finishing the outer peripheral portion of the wafer held on the table and polished on the outer peripheral portion by the polishing means, and pressure adjusting means for adjusting the pressure applied to the polishing means or the polishing means on the wafer held on the chuck table The gist is to provide at least.

研磨手段は、ウェーハの外周部に作用する研磨砥石と、研磨砥石を回転させる砥石駆動部とを備え、ポリッシング手段は、ウェーハの外周部に作用するポリッシングパッドと、ポリッシングパッドを回転させるパッド駆動部とを備えることが好ましい。また、研磨砥石とポリッシングパッドのいずれか一方をウェーハの外周部に選択的に作用させる選択手段を備えることが好ましい。   The polishing means includes a polishing grindstone that acts on the outer peripheral portion of the wafer and a grindstone driving portion that rotates the polishing grindstone, and the polishing means includes a polishing pad that acts on the outer peripheral portion of the wafer and a pad drive portion that rotates the polishing pad. It is preferable to comprise. Moreover, it is preferable to provide a selection means for selectively acting either one of the polishing grindstone and the polishing pad on the outer peripheral portion of the wafer.

研磨及びポリッシングの対象となるウェーハにはオリエンテーションフラットが形成されていてもよい。   An orientation flat may be formed on the wafer to be polished and polished.

本発明に係るウェーハ清浄化装置においては、ウェーハの外周部を研磨する研磨手段と、研磨手段によって外周部が研磨されたウェーハの外周部を鏡面仕上げするポリッシング手段とを備えたため、研磨手段によってウェーハの外周部に付着した物質を効率良く除去すると共に、ポリッシング手段によって当該外周部を鏡面加工することができるため、汚染の原因となる物質を次の工程に持ち込んで環境を汚染するのを防止することができる。そして、チャックテーブルに保持されたウェーハを研磨手段またはポリッシング手段に所定の圧力で作用させる圧力調整手段とを少なくとも備えることにより、適度な圧力で研磨またはポリッシングを行うことができ、より効率的に物質の除去及び鏡面仕上げができる。   In the wafer cleaning apparatus according to the present invention, the wafer cleaning apparatus includes polishing means for polishing the outer peripheral portion of the wafer and polishing means for mirror-finishing the outer peripheral portion of the wafer whose outer peripheral portion is polished by the polishing means. The material attached to the outer peripheral part of the substrate can be efficiently removed and the outer peripheral part can be mirror-finished by the polishing means, so that the substance causing the contamination is not brought into the next process to prevent the environment from being contaminated. be able to. Then, by providing at least a pressure adjusting means for causing the wafer held on the chuck table to act on the polishing means or the polishing means at a predetermined pressure, polishing or polishing can be performed with an appropriate pressure, and the substance can be more efficiently Removal and mirror finish.

また、研磨砥石とポリッシングパッドのいずれか一方をウェーハの外周部に選択的に作用させる選択手段を備えた場合には、研磨工程とポリッシング工程との間での移行を円滑に行うことができる。   In addition, when a selection unit that selectively applies either one of the polishing grindstone and the polishing pad to the outer peripheral portion of the wafer is provided, the transition between the polishing process and the polishing process can be performed smoothly.

更に、研磨及びポリッシングの対象となるウェーハにはオリエンテーションフラットが形成されている場合には、圧力調整手段による作用によってオリエンテーションフラットも含めてウェーハの外周部の研磨及びポリッシングを確実に行うことができる。   Further, when the orientation flat is formed on the wafer to be polished and polished, the outer peripheral portion of the wafer including the orientation flat can be reliably polished and polished by the action of the pressure adjusting means.

図１のウェーハ清浄化装置１は、基台２の上に保持手段３が固定されていると共に、加工手段４が駆動手段５によって駆動されて基台２上を水平方向に移動する構成となっている。   The wafer cleaning apparatus 1 shown in FIG. 1 has a configuration in which a holding unit 3 is fixed on a base 2 and a processing unit 4 is driven by a driving unit 5 to move horizontally on the base 2. ing.

保持手段３は、ウェーハを吸引保持するチャックテーブル３０と、チャックテーブル３０を回転及び昇降させるテーブル駆動部３１とから構成される。   The holding unit 3 includes a chuck table 30 that sucks and holds a wafer, and a table driving unit 31 that rotates and lifts the chuck table 30.

加工手段４は、基部４０と、基部４０に固定されたモータ４１と、モータ４１に連結された回転部４２と、回転部４２と共通のベルト４３が巻かれた回転軸４４と、回転軸４４に固定された研磨砥石４５及びポリッシングパッド４６とから構成されており、モータ４１による動力がベルト４３を介して回転軸４４に伝達され、その動力により研磨砥石４５及びポリッシングパッド４６が回転する構成となっており、モータ４１、回転部４２、ベルト４３及び回転軸４４が砥石駆動部及びパッド駆動部として機能する。研磨砥石４５と砥石駆動部とで研磨手段４５ａが構成され、ポリッシングパッド４６とパッド駆動部とでポリッシング手段４６ａが構成される。なお、砥石駆動部とパッド駆動部とが別個に構成されていてもよい。   The processing means 4 includes a base 40, a motor 41 fixed to the base 40, a rotating part 42 coupled to the motor 41, a rotating shaft 44 around which a belt 43 common to the rotating part 42 is wound, and a rotating shaft 44. The polishing wheel 45 and the polishing pad 46 fixed to each other, and the power from the motor 41 is transmitted to the rotating shaft 44 via the belt 43, and the polishing wheel 45 and the polishing pad 46 are rotated by the power. Thus, the motor 41, the rotating unit 42, the belt 43, and the rotating shaft 44 function as a grindstone driving unit and a pad driving unit. The polishing means 45a is composed of the polishing grindstone 45 and the grindstone driving section, and the polishing means 46a is composed of the polishing pad 46 and the pad driving section. The grindstone driving unit and the pad driving unit may be configured separately.

研磨砥石４５及びポリッシングパッド４６は、その側面に、ウェーハの外周部の形状に対応した凹部４５０、４６０をそれぞれ有している。研磨砥石４５は、例えば粒径が１μｍ〜２μｍ程度のダイヤモンド砥粒をレジンボンドで固めた構成のものが好ましい。また、ポリッシングパッド４６は、例えば研磨布により構成される。   The polishing grindstone 45 and the polishing pad 46 have concave portions 450 and 460 corresponding to the shape of the outer peripheral portion of the wafer, respectively, on their side surfaces. The polishing grindstone 45 preferably has a configuration in which diamond abrasive grains having a particle diameter of about 1 μm to 2 μm are hardened with a resin bond. The polishing pad 46 is made of, for example, a polishing cloth.

駆動手段５は、エアーシリンダ５０によってピストン５１の先端に連結されたスライド部５２が水平方向にスライドする構成となっており、スライド部５２が水平方向にスライドするのに伴い、スライド部５２に連結された基部４０も同方向にスライドする構成となっている。   The driving means 5 is configured such that the slide portion 52 connected to the tip of the piston 51 by the air cylinder 50 slides in the horizontal direction, and is connected to the slide portion 52 as the slide portion 52 slides in the horizontal direction. The base 40 is also configured to slide in the same direction.

加工手段４を構成する基部４０の下部には圧力調整手段６が連結されている。この圧力調整手段６は、図示の例では基部４０の下部に取り付けられたロープ６０の先端におもり６１が連結されて構成される。ロープ６０は基台２に固定された支持部６２に巻き付けられており、圧力調整手段６は、基部４０を保持手段３側に引っ張る役目を果たし、これによってウェーハを研磨手段４５ａまたはポリッシング手段４６ａに作用させる際の圧力を調整することができる。なお、圧力調整手段の構成は図示の例には限られない。   A pressure adjusting means 6 is connected to the lower part of the base 40 constituting the processing means 4. The pressure adjusting means 6 is configured by connecting a weight 61 to the tip of a rope 60 attached to the lower portion of the base 40 in the illustrated example. The rope 60 is wound around a support portion 62 fixed to the base 2, and the pressure adjusting means 6 serves to pull the base portion 40 toward the holding means 3, whereby the wafer is moved to the polishing means 45 a or the polishing means 46 a. The pressure at the time of making it act can be adjusted. The configuration of the pressure adjusting means is not limited to the illustrated example.

加工手段４の近傍には研磨水供給手段７及びスラリー供給手段８が配設されている。研磨水供給手段７は、研磨水を蓄えるタンク７０とタンク７０から加工部位に研磨水を供給する研磨水供給管７１と研磨水供給管７１へ研削水への流出量を調整するバルブ７２とを備え、研磨水供給管７１の先端は研磨砥石４５に向けられている。一方、スラリー供給手段８は、ポリッシング用のスラリーを蓄えるタンク８０とタンク８０から加工部位にスラリーを供給するスラリー供給管８１とスラリー供給管８１へのスラリーの流出量を調整するバルブ８２とを備え、スラリー供給管８１の先端はポリッシングパッド４６に向けられている。   A polishing water supply means 7 and a slurry supply means 8 are arranged in the vicinity of the processing means 4. The polishing water supply means 7 includes a tank 70 that stores the polishing water, a polishing water supply pipe 71 that supplies the polishing water from the tank 70 to the processing site, and a valve 72 that adjusts the amount of flowing out of the polishing water to the polishing water supply pipe 71. The tip of the polishing water supply pipe 71 is directed to the polishing grindstone 45. On the other hand, the slurry supply means 8 includes a tank 80 that stores polishing slurry, a slurry supply pipe 81 that supplies slurry from the tank 80 to a processing site, and a valve 82 that adjusts the amount of slurry flowing out to the slurry supply pipe 81. The tip of the slurry supply pipe 81 is directed to the polishing pad 46.

例えば、図１に示すように、オリエンテーションフラットＦが形成され表面Ｗ１にデバイスＤが複数形成されたウェーハＷについて、外周部Ｓに付着した物質を除去しようとするときは、最初にチャックテーブル３０においてウェーハＷを吸引保持する。なお、オリエンテーションフラットＦも外周部Ｓに含まれる。   For example, as shown in FIG. 1, when a substance attached to the outer peripheral portion S is to be removed from a wafer W in which an orientation flat F is formed and a plurality of devices D are formed on the surface W1, a chuck table 30 is first used. The wafer W is sucked and held. The orientation flat F is also included in the outer peripheral portion S.

そして、テーブル駆動部３１による駆動のもとで、図２に示すように、テーブル駆動部３１によってチャックテーブル３０を昇降させることにより、ウェーハＷの外周部Ｓの高さが研磨砥石４５の凹部４５０の高さに合致するように位置付けると共に、チャックテーブル３０をゆっくりと（例えば０．５ｒｐｍ〜２ｒｐｍ程度で）回転させてウェーハＷを回転させながら、モータ４１（図１参照）により研磨砥石４５を例えば３０００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍ程度で回転させる。これと共に、駆動手段５（図１参照）によって加工手段４をスライドさせることにより、ウェーハＷの外周部Ｓと研磨砥石４５の凹部４５０とが接触するようにして、研磨水供給管７１からウェーハＷの外周部Ｓに研磨水を供給しながら外周部Ｓを研磨する。このとき、圧力調整手段６によって研磨砥石４５からウェーハＷに対して適度な圧力（例えば１００ｇ〜５００ｇ）がかけられ、外周部Ｓを効率良く研磨して付着した物質を除去することができる。   Then, as shown in FIG. 2, the chuck table 30 is moved up and down by the table driving unit 31 under the driving of the table driving unit 31, so that the height of the outer peripheral portion S of the wafer W becomes the concave portion 450 of the polishing stone 45. The polishing wheel 45 is moved by the motor 41 (see FIG. 1), for example, while rotating the wafer W by slowly rotating the chuck table 30 (for example, about 0.5 rpm to 2 rpm). It is rotated at about 3000 rpm to 6000 rpm. At the same time, the processing means 4 is slid by the driving means 5 (see FIG. 1), so that the outer peripheral portion S of the wafer W and the concave portion 450 of the polishing grindstone 45 come into contact with each other from the polishing water supply pipe 71. The outer peripheral portion S is polished while supplying polishing water to the outer peripheral portion S. At this time, an appropriate pressure (for example, 100 g to 500 g) is applied from the polishing grindstone 45 to the wafer W by the pressure adjusting means 6, and the adhered substance can be removed by efficiently polishing the outer peripheral portion S.

オリエンテーションフラットＦの部分の外周部を研磨する際は、圧力調整手段６からの圧力によって研磨砥石４５がウェーハＷ側に若干移動する。また、チャックテーブル３０はゆっくりと回転している。従って、研磨砥石４５の凹部４５０とオリエンテーションフラットＦの外周部Ｓとは常に接触し、研磨砥石４５が空回りすることがない。従って、オリエンテーションフラットＦに倣って研磨が行われ、オリエンテーションフラットＦに付着した物質も確実に除去することができる。   When polishing the outer peripheral portion of the orientation flat F portion, the polishing grindstone 45 moves slightly toward the wafer W due to the pressure from the pressure adjusting means 6. Further, the chuck table 30 is rotating slowly. Accordingly, the concave portion 450 of the polishing grindstone 45 and the outer peripheral portion S of the orientation flat F are always in contact with each other, and the polishing grindstone 45 is not idle. Therefore, the polishing is performed following the orientation flat F, and the substances adhering to the orientation flat F can be reliably removed.

このようにして外周部Ｓを研磨することにより外周部Ｓに付着した物質を除去した後は、駆動手段５によって研磨砥石４５をウェーハＷから遠ざけてから、図３に示すように、テーブル駆動部３１によってチャックテーブル３０を上昇させ、ウェーハＷの外周部Ｓがポリッシングパッド４６の凹部４６０に接触するように位置付ける。即ち、テーブル駆動部３１は、研磨砥石４５とポリッシングパッド４６のいずれか一方をウェーハＷの外周部Ｓに選択的に作用させる選択手段としての役割を果たす。   After removing the substance adhering to the outer peripheral portion S by polishing the outer peripheral portion S in this way, the polishing means 45 is moved away from the wafer W by the driving means 5, and then, as shown in FIG. The chuck table 30 is lifted by 31 and positioned so that the outer peripheral portion S of the wafer W contacts the concave portion 460 of the polishing pad 46. That is, the table driving unit 31 serves as a selection unit that selectively causes one of the polishing grindstone 45 and the polishing pad 46 to act on the outer peripheral portion S of the wafer W.

そして、モータ４０（図１参照）によりポリッシングパッド４６を例えば３０００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍ程度で回転させると共に、駆動手段５によって加工手段４をスライドさせることにより、ウェーハＷの外周部Ｓとポリッシングパッド４６の凹部４６０とが接触するようにして、スラリー供給管８１から外周部Ｓにスラリーを供給しながら外周部Ｓをポリッシングする。このとき、圧力調整手段６によってポリッシングパッド４６からウェーハＷに対して適度な圧力（例えば１００ｇ〜５００ｇ）がかけられ、外周部Ｓを効率良くポリッシングして鏡面仕上げすることができる。なお、ポリッシングパッド４６としてフェルトに砥粒を混入させたものを使用することもでき、その場合にはスラリーは不要となる。   Then, the polishing pad 46 is rotated by, for example, about 3000 rpm to 6000 rpm by the motor 40 (see FIG. 1), and the processing unit 4 is slid by the driving unit 5, whereby the outer peripheral portion S of the wafer W and the concave portion 460 of the polishing pad 46. The outer peripheral portion S is polished while supplying the slurry from the slurry supply pipe 81 to the outer peripheral portion S. At this time, an appropriate pressure (for example, 100 g to 500 g) is applied from the polishing pad 46 to the wafer W by the pressure adjusting means 6, and the outer peripheral portion S can be efficiently polished and mirror finished. The polishing pad 46 can be made of felt mixed with abrasive grains. In this case, no slurry is required.

オリエンテーションフラットＦのポリッシング時においても、研磨時と同様に、圧力調整手段６からの圧力によってポリッシングパッド４６がウェーハＷ側に若干移動すると共に、チャックテーブル３０はゆっくりと回転しているため、ポリッシングパッド４６の凹部４６０とオリエンテーションフラットＦの外周部Ｓとは常に接触し、ポリッシングパッド４６が空回りすることがない。従って、オリエンテーションフラットＦの外周部Ｓも確実に鏡面仕上げすることができる。   Even during polishing of the orientation flat F, the polishing pad 46 is slightly moved toward the wafer W by the pressure from the pressure adjusting means 6 and the chuck table 30 is rotated slowly as in the polishing. The concave portion 460 of 46 and the outer peripheral portion S of the orientation flat F are always in contact with each other, and the polishing pad 46 is not idle. Accordingly, the outer peripheral portion S of the orientation flat F can be mirror-finished with certainty.

以上のようにしてウェーハＷの高さを変えるだけで研磨とポリッシングを行うことができ、オリエンテーションフラットＦも含めてウェーハＷの外周部Ｓに付着した物質を効率良く除去できると共に、外周部Ｓを鏡面仕上げすることができる。従って、生産性を低下させずに、絶縁膜や配線層の積層の障害となる物質を除去することができ、後続の積層工程の環境が汚染されるのを防止することができる。   As described above, polishing and polishing can be performed only by changing the height of the wafer W, and substances adhering to the outer peripheral portion S of the wafer W including the orientation flat F can be efficiently removed, and the outer peripheral portion S can be removed. Mirror finish can be done. Accordingly, it is possible to remove a substance that hinders the lamination of the insulating film and the wiring layer without reducing the productivity, and it is possible to prevent the environment of the subsequent lamination process from being contaminated.

なお、上記の例においては、チャックテーブル３０が昇降する構成としたが、加工手段４が昇降する構成としてもよい。また、研磨及びポリッシングの対象は、オリエンテーションフラットが形成されたウェーハには限られない。   In the above example, the chuck table 30 is raised and lowered, but the machining means 4 may be raised and lowered. Further, the object of polishing and polishing is not limited to the wafer on which the orientation flat is formed.

ウェーハ清浄化装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of a wafer cleaning apparatus. ウェーハ外周部の研磨を行う様子を示す正面図である。It is a front view which shows a mode that a wafer outer peripheral part is grind | polished. ウェーハ外周部のポリッシングを行う様子を示す正面図である。It is a front view which shows a mode that polishing of a wafer outer peripheral part is performed.

符号の説明Explanation of symbols

１：ウェーハ清浄化装置
２：基台
３：保持手段
３０：チャックテーブル ３１：テーブル駆動部（選択手段）
４：加工手段
４０：基部 ４１：モータ ４２：回転部 ４３：ベルト ４４：回転軸
４５ａ：研磨手段
４５：研磨砥石 ４５０：凹部
４６ａ：ポリッシング手段
４６：ポリッシングパッド ４６０：凹部
５：駆動手段
５０：エアーシリンダ ５１：ピストン ５２：スライド部
６：圧力調整手段
６０：ロープ ６１：おもり ６２：支持部
７：研磨水供給手段
７０：タンク ７１：研磨水供給管 ７２：バルブ
８：スラリー供給手段
８０：タンク ８１：スラリー供給管 ８２：バルブ
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面 Ｗ２：裏面 Ｄ：デバイス Ｆ：オリエンテーションフラット
Ｓ：外周部 1: Wafer cleaning device 2: Base 3: Holding means 30: Chuck table 31: Table drive unit (selection means)
4: Processing means 40: Base part 41: Motor 42: Rotating part 43: Belt 44: Rotating shaft 45a: Polishing means 45: Polishing grindstone 450: Recess 46a: Polishing means 46: Polishing pad 460: Recess 5: Driving means 50: Air Cylinder 51: Piston 52: Slide part 6: Pressure adjustment means 60: Rope 61: Weight 62: Support part 7: Polishing water supply means 70: Tank 71: Polishing water supply pipe 72: Valve 8: Slurry supply means 80: Tank 81 : Slurry supply pipe 82: Valve W: Wafer W1: Front surface W2: Back surface D: Device F: Orientation flat S: Outer periphery

Claims (3)

ウェーハの外周部を清浄化するウェーハ清浄化装置であって、
ウェーハを吸引保持し回転可能なチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウェーハの外周部を研磨する研磨手段と、
該チャックテーブルに保持され該研磨手段によって外周部が研磨されたウェーハの該外周部を鏡面仕上げするポリッシング手段と、
該チャックテーブルに保持されたウェーハを該研磨手段または該ポリッシング手段に作用させる圧力を調整する圧力調整手段と
を少なくとも備えたウェーハ清浄化装置。 A wafer cleaning device for cleaning the outer periphery of a wafer,
A chuck table capable of sucking and holding a wafer and rotating,
Polishing means for polishing the outer periphery of the wafer held by the chuck table;
Polishing means for mirror-finishing the outer peripheral portion of the wafer held on the chuck table and having the outer peripheral portion polished by the polishing means;
A wafer cleaning apparatus comprising at least a pressure adjusting means for adjusting a pressure that causes the wafer held on the chuck table to act on the polishing means or the polishing means. 前記研磨手段は、ウェーハの外周部に作用する研磨砥石と、該研磨砥石を回転させる砥石駆動部とを備え、
前記ポリッシング手段は、ウェーハの外周部に作用するポリッシングパッドと、該ポリッシングパッドを回転させるパッド駆動部とを備える
請求項１に記載のウェーハ清浄化装置。 The polishing means includes a polishing grindstone that acts on the outer peripheral portion of the wafer, and a grindstone driving unit that rotates the polishing grindstone.
The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the polishing means includes a polishing pad that acts on an outer peripheral portion of the wafer and a pad driving unit that rotates the polishing pad. 前記研磨砥石と前記ポリッシングパッドのいずれか一方を前記ウェーハの外周部に選択的に作用させる選択手段を備える請求項２に記載のウェーハ清浄化装置。   The wafer cleaning apparatus according to claim 2, further comprising a selection unit that selectively causes one of the polishing grindstone and the polishing pad to act on an outer peripheral portion of the wafer.
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