JP2005340345A

JP2005340345A - Electron beam apparatus, method for measuring distortion in deflection position of electron beam, method for correcting deflection position of electron beam

Info

Publication number: JP2005340345A
Application number: JP2004154596A
Authority: JP
Inventors: Yukisato Kawamura; 幸里川村; Tsutomu Shishido; 努宍戸; Haruo Kasahara; 春生笠原
Original assignee: RIIPURU KK; Tokyo Seimitsu Co Ltd; Reaple Inc
Current assignee: RIIPURU KK; Tokyo Seimitsu Co Ltd; Reaple Inc
Priority date: 2004-05-25
Filing date: 2004-05-25
Publication date: 2005-12-08

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce variation in scanning speed of electron beam by calibrating the displacement between each desired deflection position and each actual deflection position of the electron beam well during scanning. SOLUTION: In the electron beam equipment for scanning a sample 40 with an electron beam 15 generated from an electron beam source 14, each deflection position of the electron beam 15 in the deflection region of deflectors (scanning means) 21 and 22 is measured, each deflection command amount is acquired at the time of measuring each position and, in order to deflect the electron beam 15 to each measured position, each deflection command amount set to be inputted to the deflector 21 and 22 is calibrated to each deflection command amount thus acquired. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電子線源から生じる電子ビームを偏向する偏向手段とこの偏向手段を較正する較正手段を有する電子線装置、その電子ビームの偏向位置歪み測定方法、及び電子ビームの偏向位置補正方法に関する。特に本発明は、半導体集積回路などの製造工程で使用され、電子線源により発生させた電子ビームを偏向し、露光パターンに対応するマスクパターンを有するマスク上で走査させて露光パターンを露光する電子線露光装置に好適に利用可能である。 The present invention relates to an electron beam apparatus having a deflection means for deflecting an electron beam generated from an electron beam source, a calibration means for calibrating the deflection means, a method for measuring deflection position distortion of the electron beam, and a method for correcting the deflection position of the electron beam. . In particular, the present invention is an electron that is used in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or the like, deflects an electron beam generated by an electron beam source, and scans a mask having a mask pattern corresponding to the exposure pattern to expose the exposure pattern. It can be suitably used for a line exposure apparatus.

近年、半導体集積回路の高集積化のニーズに伴い、回路パターンの一層の微細化が要望されている。現在、微細化の限界を規定しているのは主として露光装置であり、電子ビーム直接描画装置やＸ線露光装置などの新しい方式の露光装置が開発されている。 In recent years, with the need for higher integration of semiconductor integrated circuits, further miniaturization of circuit patterns has been demanded. At present, the limits of miniaturization are mainly limited to exposure apparatuses, and new exposure apparatuses such as an electron beam direct writing apparatus and an X-ray exposure apparatus have been developed.

最近では新しい方式の露光装置として、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子線近接露光装置が開示されている（例えば特許文献１、およびこれに対応する日本国特許出願の特許文献２）。 Recently, an electron beam proximity exposure apparatus that can be used for ultrafine processing at a mass production level has been disclosed as a new type of exposure apparatus (for example, Patent Document 1 and Patent Document 2 corresponding to Japanese Patent Application). .

図１は、特許文献１に開示された電子線近接露光装置の基本構成を示す図である。この図を参照して、電子線近接露光装置について簡単に説明する。図示するように、電子光学鏡筒（カラム）１０内には、電子ビーム１５を発生する電子線源１４と整形アパチャ１８と電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６とを有する電子銃１２、対となる主偏向器２１、２２と、対となる副偏向器５１、５２とを含み、電子ビーム１５を光軸１９に平行に走査する走査手段２４、露光するパターンに対応する開口を有するマスク３０、および静電チャック４４とＸＹステージ４６とから構成される。試料（半導体ウエハ）４０は、表面にレジスト層４２が形成され、静電チャック４４上に保持されている。 FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of an electron beam proximity exposure apparatus disclosed in Patent Document 1. As shown in FIG. The electron beam proximity exposure apparatus will be briefly described with reference to this figure. As shown in the figure, an electron gun 12 having an electron beam source 14 for generating an electron beam 15, a shaping aperture 18, and an irradiation lens 16 for making the electron beam 15 a parallel beam, in an electron optical column (column) 10. A mask having a pair of main deflectors 21 and 22 and a pair of sub-deflectors 51 and 52, and scanning means 24 for scanning the electron beam 15 parallel to the optical axis 19, and an opening corresponding to the pattern to be exposed 30, and an electrostatic chuck 44 and an XY stage 46. A sample (semiconductor wafer) 40 has a resist layer 42 formed on the surface thereof and is held on an electrostatic chuck 44.

試料４０は、表面がマスク３０に近接するように配置される。この状態でマスク３０に垂直に電子ビーム１５を照射すると、マスク３０の開口を通過した電子ビーム１５が試料４０の表面のレジスト層４２に照射される。 The sample 40 is arranged so that the surface is close to the mask 30. When the electron beam 15 is irradiated perpendicularly to the mask 30 in this state, the electron beam 15 that has passed through the opening of the mask 30 is irradiated to the resist layer 42 on the surface of the sample 40.

走査手段２４の主偏向器２１、２２が、電子ビーム１５を所定の偏向領域内の各偏向位置へと偏向させる偏向量を指令するための各偏向指令量は、各偏向位置に対応してそれぞれ予め定められている。
そして、主偏向器２１、２２は、この偏向指令量を図示しない信号線を介して外部制御装置から受信して、受信した偏向指令量に応じた電場及び／又は磁場を発生させて電子ビーム１５を偏向することが可能である。電子ビーム１５は、主偏向器２１、２２が発生させた電場及び／又は磁場により、前記偏向指令量に対応して定められた偏向位置へと偏向される。 The respective deflection command amounts for the main deflectors 21 and 22 of the scanning means 24 to command the deflection amounts for deflecting the electron beam 15 to the respective deflection positions in the predetermined deflection region correspond to the respective deflection positions. It is predetermined.
The main deflectors 21 and 22 receive the deflection command amount from an external control device via a signal line (not shown), generate an electric field and / or a magnetic field corresponding to the received deflection command amount, and generate the electron beam 15. Can be deflected. The electron beam 15 is deflected to a deflection position determined in accordance with the deflection command amount by the electric field and / or magnetic field generated by the main deflectors 21 and 22.

これにより、主偏向器２１、２２は、図２に示すように、電子ビーム１５がマスク３０上の露光パターンが設けられるメンブレン部分の全面を走査するように、電子ビームを偏向制御する。これによりマスク３０のマスクパターンが試料４０上のレジスト層４２に等倍転写される。 Thereby, the main deflectors 21 and 22 control the deflection of the electron beam so that the electron beam 15 scans the entire surface of the membrane portion where the exposure pattern on the mask 30 is provided, as shown in FIG. As a result, the mask pattern of the mask 30 is transferred to the resist layer 42 on the sample 40 at the same magnification.

ＸＹステージ４６は、静電チャック４４に吸着された試料４０を水平の直交２軸方向に移動させるもので、マスクパターンの等倍転写が終了するたびに試料４０を所定量移動させ、これにより１枚の試料４０に複数のマスクパターンを転写できるようにしている。 The XY stage 46 moves the sample 40 adsorbed by the electrostatic chuck 44 in two horizontal orthogonal axes, and moves the sample 40 by a predetermined amount every time when the mask pattern equal magnification transfer is completed. A plurality of mask patterns can be transferred to a single sample 40.

走査手段２４中の副偏向器５１、５２は、マスク歪みを補正するように電子ビーム１５のマスクパターンへの入射角度を制御（傾き制御）する。いま図３に示すように電子ビーム１５の露光用マスク３０への入射角度をα、露光用マスク３０とウエハ４０とのギャップをＧとすると、入射角度αによるマスクパターンの転写位置のずれ量δは、
δ＝Ｇ・ｔａｎα
で表される。図３上ではマスクパターンが正規の位置からずれ量δだけずれた位置に転写される。 The sub deflectors 51 and 52 in the scanning unit 24 control (tilt control) the incident angle of the electron beam 15 on the mask pattern so as to correct the mask distortion. As shown in FIG. 3, when the incident angle of the electron beam 15 to the exposure mask 30 is α and the gap between the exposure mask 30 and the wafer 40 is G, the shift amount δ of the transfer position of the mask pattern due to the incident angle α. Is
δ = G ・ tanα
It is represented by In FIG. 3, the mask pattern is transferred to a position shifted from the normal position by a shift amount δ.

したがって、露光用のマスク３０に、例えば図４（Ａ）に示されるようなマスク歪みがある場合には、電子ビーム走査位置におけるマスク歪みに応じて、電子ビームの傾き制御を行うことにより、図４（Ｂ）に示されるようにマスク歪みのない状態でのマスクパターンを転写することが可能となる。 Therefore, when the exposure mask 30 has a mask distortion as shown in FIG. 4A, for example, the tilt of the electron beam is controlled according to the mask distortion at the electron beam scanning position. As shown in FIG. 4B, it is possible to transfer the mask pattern without mask distortion.

米国特許第5,831,272号明細書（全体）US Pat. No. 5,831,272 (Overall) 日本特許第2951947号公報（全体）Japanese Patent No. 2951947 (Overall)

上述の電子線露光装置によって露光が行われ、その後に現像処理が施されたレジスト層４２上に形成されるパターン線幅は、電子ビーム１５の露光量すなわち電子ビーム１５の電流量と露光時間との積により変化する。
したがって、形成されたパターン線幅のムラを防止して解像性劣化を防止するためには、電子ビーム１５の電流値を維持する一方で、電子ビーム１５のマスク上における走査速度を所定の精度で制御及び維持する必要がある。このため、上記走査手段２４（特に主偏向器２１、２２）は、高い精度で電子ビーム１５のマスク上の偏向位置を制御しなければならない。 The pattern line width formed on the resist layer 42 exposed by the above-described electron beam exposure apparatus and subsequently developed is determined by the exposure amount of the electron beam 15, that is, the current amount and exposure time of the electron beam 15. Varies depending on the product of
Therefore, in order to prevent unevenness of the formed pattern line width and prevent deterioration of resolution, while maintaining the current value of the electron beam 15, the scanning speed of the electron beam 15 on the mask is set to a predetermined accuracy. Need to be controlled and maintained at. For this reason, the scanning means 24 (especially the main deflectors 21 and 22) must control the deflection position of the electron beam 15 on the mask with high accuracy.

しかし、実際には上記走査手段２４、特に主偏向器２１、２２をカラム１０に取り付ける際の機械的な取り付け誤差や各偏向器を構成する電極の特性差等の影響により、主偏向器２１、２２が発生させる電場及び／又は磁場の不均一性（偏向歪み）が生じている。この偏向歪みに起因して、所望の偏向位置に対応して予め定められた偏向指令量を入力された主偏向器２１、２２により偏向された電子ビームの実際の偏向位置と、前記所望の偏向位置とが一致しない現象が生じていた。このような、所望の偏向位置と実際の偏向位置とのズレは、電子ビーム１５のマスク上における走査速度の変動を招来し、試料４０への電子ビーム１５の露光量ムラ及び解像性劣化を引き起こしていた。 However, in actuality, due to the influence of the mechanical attachment error when attaching the scanning means 24, in particular, the main deflectors 21 and 22 to the column 10, the characteristic difference between the electrodes constituting each deflector, etc., the main deflector 21, Inhomogeneity (deflection distortion) of the electric field and / or magnetic field generated by 22 is generated. Due to this deflection distortion, the actual deflection position of the electron beam deflected by the main deflectors 21 and 22 to which a predetermined deflection command amount corresponding to the desired deflection position is input, and the desired deflection There was a phenomenon where the position did not match. Such a deviation between the desired deflection position and the actual deflection position causes fluctuations in the scanning speed of the electron beam 15 on the mask, resulting in uneven exposure amount of the electron beam 15 on the sample 40 and deterioration of resolution. It was causing.

上記問題を鑑みて、本発明は、電子線源から発生させた電子ビームで試料を走査する電子線装置において、上述の所望の偏向位置と実際の偏向位置とのズレを良好に較正することにより、電子ビームの走査速度の変動を低減することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention provides an electron beam apparatus that scans a sample with an electron beam generated from an electron beam source, by calibrating the deviation between the desired deflection position and the actual deflection position. An object is to reduce fluctuations in the scanning speed of the electron beam.

上記目的を達成するために、本発明では、前記偏向器（走査手段）の偏向領域内に偏向された電子ビームの偏向位置を測定し、またこの位置測定時における偏向指令量を取得し、この測定位置に電子ビームを偏向するために該位置に対応して予め定められる偏向指令量と、前記取得した偏向指令量とを比較して、偏向歪みを取得する。 In order to achieve the above object, in the present invention, the deflection position of the electron beam deflected in the deflection region of the deflector (scanning means) is measured, and the deflection command amount at the time of this position measurement is obtained. In order to deflect the electron beam to the measurement position, a deflection command amount determined in advance corresponding to the position is compared with the obtained deflection command amount to obtain a deflection distortion.

すなわち、本発明の第１形態に係る電子線装置は、電子ビームを発生する電子線源と、電子線源の光軸に垂直な所定の面内に定められる偏向領域内の各位置に電子ビームを偏向するための偏向手段と、偏向領域内の各位置に応じて予め定められる各偏向指令量を偏向手段に入力する偏向指令部とを備え、更に、電子ビームの偏向位置を測定する電子線位置測定器と、測定された偏向位置に応じて定められる偏向指令量を、前記測定位置の測定時に偏向手段に入力される偏向指令量に較正する偏向位置較正手段と、を備える。 That is, the electron beam apparatus according to the first aspect of the present invention includes an electron beam source that generates an electron beam, and an electron beam at each position in a deflection region defined in a predetermined plane perpendicular to the optical axis of the electron beam source. An electron beam for measuring the deflection position of the electron beam, and a deflection command unit for inputting a deflection command amount predetermined according to each position in the deflection area to the deflection unit. A position measuring device; and a deflection position calibration unit that calibrates a deflection command amount determined according to the measured deflection position to a deflection command amount input to the deflection unit when the measurement position is measured.

また、本発明の第２形態に係る偏向位置の歪み測定方法は、電子ビームを発生する電子線源と、電子線源の光軸に垂直な所定の面内に定められる偏向領域内の各位置に電子ビームを偏向するための偏向手段と、偏向領域内の各位置に応じて予め定められる各偏向指令量を偏向手段に入力する偏向指令部とを備える電子線装置において、偏向手段による電子ビームの偏向位置の歪みを測定するために、電子ビームの偏向位置を測定し、測定された偏向位置に応じて定められる偏向指令量と、前記測定位置の測定時に偏向手段に入力される偏向指令量との差を求める。 The deflection position distortion measuring method according to the second embodiment of the present invention includes an electron beam source that generates an electron beam, and each position in a deflection region that is defined in a predetermined plane perpendicular to the optical axis of the electron beam source. In an electron beam apparatus comprising: a deflection means for deflecting an electron beam; and a deflection command section for inputting a deflection command amount predetermined according to each position in the deflection area to the deflection means. In order to measure the distortion of the deflection position, the deflection position of the electron beam is measured, the deflection command amount determined according to the measured deflection position, and the deflection command amount input to the deflection means when measuring the measurement position Find the difference between

さらにまた、本発明の第３形態に係る偏向位置較正方法は、電子ビームを発生する電子線源と、電子線源の光軸に垂直な所定の面内に定められる偏向領域内の各位置に電子ビームを偏向するための偏向手段と、偏向領域内の各位置に応じて予め定められる各偏向指令量を偏向手段に入力する偏向指令部とを備える電子線装置において、偏向手段による電子ビームの偏向位置を較正するために、電子ビームの偏向位置を測定し、測定された偏向位置に応じて定められる偏向指令量を、前記測定位置の測定時に偏向手段に入力される偏向指令量に較正する。 Furthermore, the deflection position calibration method according to the third embodiment of the present invention includes an electron beam source that generates an electron beam, and a position in a deflection region that is defined in a predetermined plane perpendicular to the optical axis of the electron beam source. In an electron beam apparatus comprising a deflecting unit for deflecting an electron beam and a deflection command unit for inputting each deflection command amount predetermined according to each position in the deflection region to the deflecting unit, the electron beam by the deflecting unit In order to calibrate the deflection position, the deflection position of the electron beam is measured, and the deflection command amount determined according to the measured deflection position is calibrated to the deflection command amount input to the deflection means when the measurement position is measured. .

電子線位置測定器は、電子受入口を有する電子検出器と、電子検出器を既知の測定位置に支持する支持手段と備え、この電子検出器が電子ビームを既知の測定位置で検出することにより電子線の位置を測定することとしてよい。
そして、この測定位置の測定時における偏向指令量として、既知の測定位置に固定した電子検出器を電子ビームで走査して、この測定位置に偏向された電子ビームが電子検出器に検出されたときに偏向手段に入力される偏向指令量を取得する。 The electron beam position measuring device includes an electron detector having an electron receiving port and support means for supporting the electron detector at a known measurement position, and the electron detector detects the electron beam at the known measurement position. The position of the electron beam may be measured.
Then, as an amount of deflection command at the time of measurement at this measurement position, when an electron beam that has been deflected to this measurement position is detected by the electron detector after scanning an electron detector fixed at a known measurement position with an electron beam The deflection command amount input to the deflection means is acquired.

前記偏向指令量を取得するために、電子検出器の電子受入口には、電子線源の光軸に垂直な面に平行な第１の方向にナイフエッジが設けることとしてよく、一方で前記電子ビームが、第１の方向に垂直な第２の方向に電子受入口を走査したとき、電子検出器の出力値の変化率が極値となる偏向指令量を、第２の方向についての偏向指令量として取得する偏向指令量取得手段を設けることとしてよい。
電子線位置測定器は、複数の電子検出器を備え、支持手段は各電子検出器を異なる測定位置にそれぞれ支持することとしてもよい。 In order to obtain the deflection command amount, a knife edge may be provided in the first direction parallel to the plane perpendicular to the optical axis of the electron beam source at the electron receiving port of the electron detector, When the beam scans the electron receiving port in the second direction perpendicular to the first direction, the deflection command amount at which the rate of change of the output value of the electron detector becomes an extreme value is set as the deflection command in the second direction. It is good also as providing the deflection command amount acquisition means acquired as a quantity.
The electron beam position measuring device may include a plurality of electron detectors, and the support means may support each electron detector at a different measurement position.

また、電子ビームを既知の偏向位置に対応する一定の偏向指令量で偏向しつづけておき、この電子ビームを電子受入口が横切るように電子検出器を移動させ、電子を検出したときの電子検出器の位置を電子ビームの実際の偏向位置として測定してもよい。
電子ビームの実際の偏向位置を測定するために、電子検出器には前記第１の方向にナイフエッジを有する電子受入口を設けてよい。そして、電子受入口が電子ビームを横切るように前記第２の方向に電子検出器を移動させて、この電子検出器の移動に伴い変化する電子検出器の出力値の変化率が極値となる電子検出器の位置を電子ビームの第２の方向についての偏向位置としてよい。 In addition, the electron beam is continuously deflected by a predetermined deflection command amount corresponding to a known deflection position, and the electron detector is moved so that the electron beam crosses the electron receiving port, and the electron detection is performed when the electron is detected. The position of the instrument may be measured as the actual deflection position of the electron beam.
In order to measure the actual deflection position of the electron beam, the electron detector may be provided with an electron inlet having a knife edge in the first direction. Then, the electron detector is moved in the second direction so that the electron acceptance port crosses the electron beam, and the rate of change of the output value of the electron detector that changes with the movement of the electron detector becomes an extreme value. The position of the electron detector may be a deflection position in the second direction of the electron beam.

本発明により偏向歪みにより生じる入力偏向指令量と、実際の偏向位置とのずれを良好に補正することが可能となり、正確な電子ビームの走査を行うことが可能となる。本発明の電子線装置を電子線露光装置に適用する場合、その電子線の照射量（露光量）の均一性を向上することが可能となり、試料に露光されたパターンの解像性を向上することが可能となる。
また、すでに前工程で下層パターンが形成された試料に露光パターンを重ねて露光する場合には、偏向歪み補正の精度の向上により、試料上にパターンを露光する位置の精度が向上され、下層パターンとの重ね合わせ精度が向上する。 According to the present invention, it is possible to satisfactorily correct a deviation between an input deflection command amount caused by deflection distortion and an actual deflection position, and it is possible to perform accurate electron beam scanning. When the electron beam apparatus of the present invention is applied to an electron beam exposure apparatus, it becomes possible to improve the uniformity of the irradiation amount (exposure amount) of the electron beam and improve the resolution of the pattern exposed to the sample. It becomes possible.
In addition, when an exposure pattern is overlaid on a sample on which a lower layer pattern has already been formed in the previous process, the accuracy of the position at which the pattern is exposed on the sample is improved by improving the accuracy of deflection distortion correction. And the overlay accuracy is improved.

以下、添付する図面を参照して本発明の実施例を説明する。図５は、本発明の実施例に係る電子線装置の概略構成図である。電子ビーム近接露光装置の基本構成は、図１に示した構成及び上記の文献１に開示された構成に類似した構成を有している。よって、図１と同一の機能部分には同一の参照番号を付して表し、詳しい説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of an electron beam apparatus according to an embodiment of the present invention. The basic configuration of the electron beam proximity exposure apparatus has a configuration similar to the configuration shown in FIG. 1 and the configuration disclosed in Document 1 above. Therefore, the same functional parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

以下の説明では、電子線装置として電子線露光装置、特に近接露光方式の電子線近接露光装置を例示するが、本発明の電子線装置は、電子線近接露光装置だけでなく、露光パターンに応じたマスクパターンを有するマスクに電子ビームを照射して、マスクを通過する電子ビームにより試料に露光パターンを露光する電子線露光装置であれば、投影方式の電子ビーム露光装置などの他の方式の電子線露光装置にも利用可能である。
さらに、電子線露光装置だけでなく、電子線源により電子ビームを発生させ、この電子ビームを偏向手段により試料上で走査する電子線装置であれば、走査型電子顕微鏡、透過形電子顕微鏡や、電子線検査装置などの電子線装置にも利用可能である。 In the following description, an electron beam exposure apparatus, particularly a proximity exposure type electron beam proximity exposure apparatus, is exemplified as the electron beam apparatus. However, the electron beam apparatus according to the present invention is not limited to the electron beam proximity exposure apparatus but also according to the exposure pattern. As long as it is an electron beam exposure apparatus that irradiates a mask having a mask pattern with an electron beam and exposes the exposure pattern onto the sample with an electron beam that passes through the mask, other types of electrons such as a projection type electron beam exposure apparatus It can also be used for a line exposure apparatus.
Furthermore, not only an electron beam exposure apparatus but also an electron beam apparatus that generates an electron beam from an electron beam source and scans the electron beam on a sample by a deflecting means, a scanning electron microscope, a transmission electron microscope, It can also be used for an electron beam apparatus such as an electron beam inspection apparatus.

図５に示すように、電子線近接露光装置１は、カラム１０内に、電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４と電子ビーム１５を平行ビームにする照射レンズ１６とを有する電子銃１２、主偏向器２１、２２と副偏向器５１、５２とを含み電子ビーム１５を光軸１９に平行に走査するように前記電子ビーム１５を偏向する走査手段２４、露光するパターンに対応する開口を有するマスク３０、マスク３０を支持するマスクチャックを有しマスク３０を少なくとも水平の直交２軸方向（ＸＹ方向に）に移動させるマスクステージ３６を備える。 As shown in FIG. 5, an electron beam proximity exposure apparatus 1 includes, in a column 10, an electron gun 12 having an electron beam source 14 for generating an electron beam 15 and an irradiation lens 16 for making the electron beam 15 a parallel beam. Scanning means 24 for deflecting the electron beam 15 so as to scan the electron beam 15 parallel to the optical axis 19 and a mask having an opening corresponding to the pattern to be exposed, including deflectors 21 and 22 and sub-deflectors 51 and 52 30 and a mask stage 36 which has a mask chuck for supporting the mask 30 and moves the mask 30 in at least horizontal two orthogonal directions (XY directions).

一方、電子線近接露光装置１は、チャンバ内８に、静電チャック４４とＸＹステージ４６とを備える。マスク３０は、静電チャック４４に吸着された試料４０の表面に近接するように（マスク３０と試料４０とのギャップが、例えば、５０μｍとなるように）配置される。 On the other hand, the electron beam proximity exposure apparatus 1 includes an electrostatic chuck 44 and an XY stage 46 in the chamber 8. The mask 30 is disposed so as to be close to the surface of the sample 40 adsorbed by the electrostatic chuck 44 (so that the gap between the mask 30 and the sample 40 is, for example, 50 μm).

電子線近接露光装置１は、電子線近接露光装置１の全体的な動作を司るコンピュータなどの制御装置である計算機９１を備える。
電子線近接露光装置１は、計算機９１が実行するプログラムや各種データを記憶するためのメモリ９３を備える。メモリ９３は計算機９１のバス９２に接続され、これにより計算機９１や、バス９２を供用する他の構成要素と相互にデータのやりとりが可能である。 The electron beam proximity exposure apparatus 1 includes a computer 91 that is a control device such as a computer that controls the overall operation of the electron beam proximity exposure apparatus 1.
The electron beam proximity exposure apparatus 1 includes a memory 93 for storing a program executed by the computer 91 and various data. The memory 93 is connected to the bus 92 of the computer 91, whereby data can be exchanged with the computer 91 and other components that use the bus 92.

電子線近接露光装置１は、走査手段２４の主偏向器２１、２２が、電子ビーム１５を所定の偏向領域内の各偏向位置へと偏向させるための偏向指令量を主偏向器２１、２２に供給するための偏向指令部２７を備える。偏向指令部２７は計算機９１のバス９２に接続され、これにより計算機９１や、バス９２を供用する他の構成要素と相互にデータのやりとりが可能である。 In the electron beam proximity exposure apparatus 1, the main deflectors 21 and 22 of the scanning unit 24 provide the main deflectors 21 and 22 with a deflection command amount for deflecting the electron beam 15 to each deflection position within a predetermined deflection region. A deflection command unit 27 for supplying is provided. The deflection command unit 27 is connected to the bus 92 of the computer 91, so that data can be exchanged with the computer 91 and other components using the bus 92.

主偏向器２１、２２の偏向領域内の各偏向位置とこの位置に電子ビームを偏向するために必要な各偏向指令量とは、それぞれ対応させてテーブル又はマップの形式で予め定められており、メモリ９３や偏向指令部２７に内蔵される記憶手段（図示せず）に記憶されている。 Each deflection position in the deflection region of the main deflectors 21 and 22 and each deflection command amount necessary for deflecting the electron beam to this position are determined in advance in the form of a table or a map, respectively. It is stored in a memory means (not shown) built in the memory 93 or the deflection command unit 27.

偏向指令部２７から供給されるディジタル信号である偏向指令量は、ディジタルアナログ変換器（以下ＤＡＣと記す）２６にてアナログ信号に変換された後、増幅器２５で増幅されて主偏向器２１、２２に入力される。 A deflection command amount, which is a digital signal supplied from the deflection command unit 27, is converted into an analog signal by a digital-analog converter (hereinafter referred to as DAC) 26, and then amplified by an amplifier 25 to be main deflectors 21, 22. Is input.

ＸＹステージ４６上には、電子ビーム１５を検出する電子検出器６１が固定されて設けられる。ＸＹステージ４６は、ステージ制御部４７が生成する駆動信号によって駆動され、ステージ制御部４７は計算機９１からＸＹ位置信号を受信して駆動信号を生成する。計算機９１は、ＸＹステージ４６を位置決め制御することにより、電子検出器６１を偏向領域の各位置へ位置決めすることが可能となる。したがって計算機９１は、電子検出器６１が電子ビーム１５を検出したときの電子検出器６１の位置を求めることにより、電子ビーム１５の偏向位置を検出する。
なお、電子検出器６１、信号処理手段６２、計算機９１、ＸＹステージ４６、およびステージ制御部４７（以下、これらを電子線検出）は、本発明に係る電子線位置測定器をなし（以下、これらを「電子線位置測定手段」と記す）、さらに、ＸＹステージ４６、ステージ制御部４７、および計算機９１は、本発明に係る電子検出器を測定位置に支持する支持手段をなす。 An electron detector 61 for detecting the electron beam 15 is fixedly provided on the XY stage 46. The XY stage 46 is driven by a drive signal generated by the stage control unit 47, and the stage control unit 47 receives the XY position signal from the computer 91 and generates a drive signal. The computer 91 can position the electron detector 61 at each position in the deflection region by controlling the positioning of the XY stage 46. Therefore, the calculator 91 detects the deflection position of the electron beam 15 by obtaining the position of the electron detector 61 when the electron detector 61 detects the electron beam 15.
The electron detector 61, the signal processing means 62, the computer 91, the XY stage 46, and the stage controller 47 (hereinafter referred to as electron beam detection) constitute the electron beam position measuring device according to the present invention (hereinafter referred to as these). The XY stage 46, the stage control unit 47, and the computer 91 constitute support means for supporting the electron detector according to the present invention at the measurement position.

なお、電子検出器６１の設置箇所はＸＹステージ４６上に限られず、主偏向器２１、２２の偏向領域内において電子検出器６１の位置決め制御を行うことが可能な支持手段をＸＹステージ４６以外に設けることとしてよい。 Note that the installation location of the electron detector 61 is not limited to the XY stage 46, and support means capable of controlling the positioning of the electron detector 61 within the deflection region of the main deflectors 21 and 22 is other than the XY stage 46. It may be provided.

また電子線近接露光装置１は、偏向指令部２７からＤＡＣ２６に入力されている偏向指令量を取得する偏向指令量取得部８１とを備える。偏向指令量取得部８１は、電子ビーム１５を電子検出器６１が検出した際に、ＤＡＣ２６に入力されている偏向指令量をリアルタイムに取得することができる。
偏向指令量取得部８１は計算機９１のバス９２に接続され、これにより計算機９１や、バス９２を供用する他の構成要素と相互にデータのやりとりが可能である。取得した指令量をメモリ９３に記憶することも可能である。 The electron beam proximity exposure apparatus 1 further includes a deflection command amount acquisition unit 81 that acquires the deflection command amount input from the deflection command unit 27 to the DAC 26. The deflection command amount acquisition unit 81 can acquire the deflection command amount input to the DAC 26 in real time when the electron detector 61 detects the electron beam 15.
The deflection command amount acquisition unit 81 is connected to the bus 92 of the computer 91, so that data can be exchanged with the computer 91 and other components that use the bus 92. It is also possible to store the acquired command amount in the memory 93.

また、電子線近接露光装置１は、電子線位置測定手段により測定された電子ビーム１５の偏向位置に対応して定められている偏向指令量をメモリ９３又は偏向指令部２７から取得し、これと偏向指令量取得部８１によって取得された偏向指令量との差を求める比較部８２を備える。
さらに、電子線近接露光装置１は、電子線位置測定手段により測定された電子ビーム１５の偏向位置に対応して定められ、メモリ９３又は偏向指令部２７に記憶される偏向指令量を、偏向指令量取得部８１によって取得された偏向指令量に補正する補正部８３を備える。
比較部８２及び補正部８３もまた、計算機９１のバス９２に接続され、これにより計算機９１や、バス９２を供用する他の構成要素と相互にデータのやりとりが可能である。 Further, the electron beam proximity exposure apparatus 1 obtains a deflection command amount determined corresponding to the deflection position of the electron beam 15 measured by the electron beam position measuring means from the memory 93 or the deflection command unit 27, and A comparison unit 82 for obtaining a difference from the deflection command amount acquired by the deflection command amount acquisition unit 81 is provided.
Further, the electron beam proximity exposure apparatus 1 determines the deflection command amount determined in correspondence with the deflection position of the electron beam 15 measured by the electron beam position measuring means and stored in the memory 93 or the deflection command unit 27 as a deflection command. A correction unit 83 that corrects the deflection command amount acquired by the amount acquisition unit 81 is provided.
The comparison unit 82 and the correction unit 83 are also connected to the bus 92 of the computer 91, so that data can be exchanged with the computer 91 and other components that use the bus 92.

図６は、本発明に係る電子ビームの偏向位置の歪み測定方法のフローチャートである。
ステップＳ１０１において、計算機９１は、電子ビーム１５の最初の測定位置のＸＹ位置信号をステージ制御部４７へ出力し、ステージ制御部４７は、現在のＸＹステージの位置から、入力されたＸＹ位置信号までＸＹステージ４６を駆動するための駆動信号を生成する。これによりＸＹステージ４６上の電子検出器６１を、最初の測定位置に位置付ける。 FIG. 6 is a flowchart of the method for measuring the distortion of the deflection position of the electron beam according to the present invention.
In step S101, the computer 91 outputs the XY position signal of the first measurement position of the electron beam 15 to the stage control unit 47, and the stage control unit 47 starts from the current XY stage position to the input XY position signal. A drive signal for driving the XY stage 46 is generated. As a result, the electron detector 61 on the XY stage 46 is positioned at the first measurement position.

図７（Ａ）は、ＸＹステージ４６上に固定して設けられる電子検出器６１の斜視図であり、図７（Ｂ）は電子検出器６１の断面図である。電子検出器６１は、検出部分６３と検出部分６３を電子線源１４の光軸１９方向であるＺ方向を回転軸として回転させる駆動部分６４と、検出部分６３の検出信号を断続制御する継電器などの出力制御部６５を備える。
検出部分６３の上面には、開口６６を有するアパチャ板６７が設けられており、アパチャ板６７の下方には、開口６６を通過した電子を検出して、その電子量を電気信号に変換して出力するファラデーカップのような電子検出手段６８を設ける。 FIG. 7A is a perspective view of the electron detector 61 fixedly provided on the XY stage 46, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the electron detector 61. The electron detector 61 includes a detection portion 63 and a drive portion 64 that rotates the detection portion 63 with the Z direction that is the optical axis 19 direction of the electron beam source 14 as a rotation axis, a relay that intermittently controls the detection signal of the detection portion 63, and the like. Output control unit 65.
An aperture plate 67 having an opening 66 is provided on the upper surface of the detection portion 63. Below the aperture plate 67, electrons passing through the opening 66 are detected, and the amount of electrons is converted into an electric signal. Electron detection means 68 such as a Faraday cup for output is provided.

アパチャ板６７の開口６６には、Ｚ方向に垂直なＸＹ平面の１方向に沿って正確に延びる縁部であるナイフエッジが設けられている。このナイフエッジは、第１の方向であるＸ方向についての電子ビーム１５の偏向位置を測定し、またこの時のＸ方向についての偏向指令量を取得するときには、第２の方向であるＹ方向に延伸するように方向付けられ、反対にＹ方向についての電子ビーム１５の偏向位置を測定し、またこの時のＹ方向についての偏向指令量を取得するときには、第１の方向であるＸ方向に延伸するように方向付けられる。ナイフエッジの延伸方向は、駆動部分６４によってＸ方向とＹ方向とに選択的に方向付けることが可能である。 The opening 66 of the aperture plate 67 is provided with a knife edge, which is an edge that accurately extends along one direction of the XY plane perpendicular to the Z direction. This knife edge measures the deflection position of the electron beam 15 in the X direction, which is the first direction, and acquires the deflection command amount in the X direction at this time, in the Y direction, which is the second direction. When the deflection position of the electron beam 15 in the Y direction is measured and the deflection command amount in the Y direction at this time is obtained, the first direction is the X direction. Oriented to do. The extension direction of the knife edge can be selectively directed in the X and Y directions by the drive portion 64.

出力制御部６５は、信号処理回路６２への電子検出器６１の信号出力を断続制御する。これは例えば、信号処理回路６２へ電子検出器６１の信号出力が入力されているときと、出力制御部６５によって遮断され電子検出器６１の信号出力が信号処理回路６２へ入力されていないときの、両時点における信号処理回路６２へ入力信号を比較して、その差分信号をノイズ信号として求めるために使用される。
そして、電子検出器６１から信号処理回路６２への入力信号からこの差分信号（ノイズ信号）を除去して、信号処理回路６２への入力信号自身をキャリブレートするために使用される。 The output control unit 65 intermittently controls the signal output of the electron detector 61 to the signal processing circuit 62. This is, for example, when the signal output of the electron detector 61 is input to the signal processing circuit 62 and when the signal output of the electron detector 61 is not input to the signal processing circuit 62 because it is blocked by the output control unit 65. These are used to compare the input signal to the signal processing circuit 62 at both time points and obtain the difference signal as a noise signal.
Then, this difference signal (noise signal) is removed from the input signal from the electron detector 61 to the signal processing circuit 62 and used to calibrate the input signal itself to the signal processing circuit 62.

図６に戻りステップＳ１０２において、偏向指令部２７は、ＤＡＣ２６及び増幅器２５を介して、電子検出器６１が位置付けられた測定位置に対応する偏向指令量を、所定の変化幅にわたって変化させて主偏向器２１、２２に出力する。これにより電子ビーム１５は電子検出器６１の上を走査する。
このとき、Ｘ方向についての電子ビーム１５の偏向位置を測定し、またこの時のＸ方向についての偏向指令量を取得するときには、偏向指令量は電子ビームの偏向位置がＸ方向に変化する方向に変更され、反対にＹ方向についての電子ビーム１５の偏向位置を測定し、またこの時のＹ方向についての偏向指令量を取得するときには、偏向指令量は電子ビームの偏向位置がＹ方向に変化する方向に変更される。 Returning to FIG. 6, in step S 102, the deflection command unit 27 changes the deflection command amount corresponding to the measurement position where the electron detector 61 is positioned, via the DAC 26 and the amplifier 25, over a predetermined change width, and performs main deflection. To the devices 21 and 22. As a result, the electron beam 15 scans over the electron detector 61.
At this time, when the deflection position of the electron beam 15 in the X direction is measured and the deflection command amount in the X direction at this time is acquired, the deflection command amount is set in the direction in which the deflection position of the electron beam changes in the X direction. On the contrary, when the deflection position of the electron beam 15 in the Y direction is measured and the deflection command amount in the Y direction at this time is acquired, the deflection command amount changes the deflection position of the electron beam in the Y direction. Changed in direction.

図８（Ａ）に、Ｘ方向についての電子ビーム１５の偏向位置を測定し、またこの測定時の偏向指令量を取得するときの、開口６６のナイフエッジ６８Ａ及び６８Ｂの延伸方向と、電子ビーム１５の偏向位置の変化方向を示す。 FIG. 8A shows the extending direction of the knife edges 68A and 68B of the opening 66 and the electron beam when the deflection position of the electron beam 15 in the X direction is measured and the deflection command amount at the time of measurement is obtained. 15 shows the direction of change of the deflection position.

ステップＳ１０３において、偏向指令量取得部８１は、電子ビーム１５で電子検出器６１の開口６６を走査させつつ電子検出器６１の検出値を取得し、偏向指令量の変化に対する検出値の変化率（１次微分値）を算出する。図８（Ｂ）は、電子ビーム１５で電子検出器６１の開口６６を走査するときの、偏向指令部２７が出力する偏向指令量と電子検出器６１の検出値との関係を示すグラフであり、図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）の波形の１次微分波形である。 In step S103, the deflection command amount acquisition unit 81 acquires the detection value of the electron detector 61 while scanning the opening 66 of the electron detector 61 with the electron beam 15, and the rate of change of the detection value with respect to the change of the deflection command amount ( First derivative value) is calculated. FIG. 8B is a graph showing the relationship between the deflection command amount output from the deflection command unit 27 and the detection value of the electron detector 61 when the electron beam 15 scans the opening 66 of the electron detector 61. FIG. 8C is a first-order differential waveform of the waveform of FIG.

図８（Ｂ）に示すとおり、電子検出器６１の検出値の傾きの絶対値は、電子ビーム１５の中心が電子検出器６１の開口６６のナイフエッジ６８Ａ及び６８Ｂを通過する際に最も大きくなる。したがって図８（Ｃ）に示すとおり、電子ビーム１５の中心が電子検出器６１の開口６６のナイフエッジを通過する際の偏向指令量Ｘ１、Ｘ２に対応して、図８（Ｂ）の波形の１次微分値はピーク値（極値）を取り、その位置は、電子検出器６１の検出感度は関係しない。 As shown in FIG. 8B, the absolute value of the slope of the detection value of the electron detector 61 becomes the largest when the center of the electron beam 15 passes through the knife edges 68A and 68B of the opening 66 of the electron detector 61. . Therefore, as shown in FIG. 8C, the waveform of FIG. 8B corresponds to the deflection command amounts X1 and X2 when the center of the electron beam 15 passes through the knife edge of the opening 66 of the electron detector 61. The primary differential value takes a peak value (extreme value), and the position is not related to the detection sensitivity of the electron detector 61.

したがって、ステップＳ１０３において、偏向指令量の変化に対する検出値の変化率（１次微分値）が極値となったときの偏向指令量Ｘ１（またはＸ２）を取得する。すなわち、偏向領域内の既知の偏向位置に位置付けられた電子検出器６１の開口６６のナイフエッジ６８Ａ（又は６８Ｂ）の位置に、実際に電子ビーム１５の中心が偏向されたときの、偏向指令量Ｘ１（またはＸ２）を取得する。取得された偏向指令量はメモリ９３に記憶される。 Accordingly, in step S103, the deflection command amount X1 (or X2) when the change rate (first-order differential value) of the detected value with respect to the change of the deflection command amount becomes an extreme value is acquired. That is, the deflection command amount when the center of the electron beam 15 is actually deflected to the position of the knife edge 68A (or 68B) of the opening 66 of the electron detector 61 positioned at a known deflection position in the deflection region. X1 (or X2) is acquired. The acquired deflection command amount is stored in the memory 93.

電子ビームの偏向位置を測定するために使用されるナイフエッジは、６８Ａ又は６８Ｂのいずれでもよく、取得される偏向指令量は使用されるナイフエッジ６８Ａ又は６８Ｂに対応して定められる（すなわち、ナイフエッジ６８Ａが使用されるときには偏向指令量Ｘ１が取得され、ナイフエッジ６８Ｂが使用されるときには偏向指令量Ｘ２が取得される）。 The knife edge used to measure the deflection position of the electron beam may be either 68A or 68B, and the obtained deflection command amount is determined corresponding to the knife edge 68A or 68B used (ie, knife The deflection command amount X1 is acquired when the edge 68A is used, and the deflection command amount X2 is acquired when the knife edge 68B is used).

ステップＳ１０４及びステップＳ１０５によって、偏向器２１、２２の偏向領域を網羅する全ての測定位置に、電子検出器６１をそれぞれ位置付けて、ステップＳ１０２及びステップＳ１０３を繰り返すことにより、偏向領域内の各測定位置について各位置に電子ビームを偏向するために実際に入力すべき各偏向指令量が取得される。 By step S104 and step S105, the electron detector 61 is positioned at all measurement positions covering the deflection areas of the deflectors 21 and 22, respectively, and steps S102 and S103 are repeated, so that each measurement position in the deflection area is repeated. Each deflection command amount to be actually input to deflect the electron beam at each position is acquired.

そして、ステップＳ１０６において、比較部８２は、各測定位置に対応して予め定められた偏向指令量をメモリ９３又は偏向指令部２７の内部メモリから読み出す。
一方で比較部８２は、ステップＳ１０３で偏向指令量取得部８１により取得されメモリ９３に記憶された各偏向指令量をメモリ９３から読み出す。そして、各測定位置に対応して予め定められた各偏向指令量と、これに対応する偏向指令量取得部８１により取得された各偏向指令量とのそれぞれの差を求める。 In step S 106, the comparison unit 82 reads out a deflection command amount predetermined corresponding to each measurement position from the memory 93 or the internal memory of the deflection command unit 27.
On the other hand, the comparison unit 82 reads out, from the memory 93, each deflection command amount acquired by the deflection command amount acquisition unit 81 and stored in the memory 93 in step S103. Then, a difference between each predetermined deflection command amount corresponding to each measurement position and each deflection command amount acquired by the corresponding deflection command amount acquisition unit 81 is obtained.

これらの各偏向指令量の差は、各測定位置に電子ビーム１５を偏向するために対応して予め定められた各偏向指令量と、実際に電子ビーム１５が各測定位置に偏向されたときの各偏向指令量のＸ方向のズレを表すため、これをＸ方向の偏向歪み量を示す。以上ステップＳ１０１〜Ｓ１０６により電子ビームの偏向位置歪み量が測定される。 The difference between these deflection command amounts is the difference between each deflection command amount predetermined in order to deflect the electron beam 15 to each measurement position and when the electron beam 15 is actually deflected to each measurement position. In order to express the deviation in the X direction of each deflection command amount, this indicates the deflection distortion amount in the X direction. As described above, the deflection position distortion amount of the electron beam is measured in steps S101 to S106.

なお、偏向位置歪み量は、偏向器２１、２２の全偏向領域にわたって、偏向指令部２７が出力可能な偏向指令量の最小ステップ単位で測定されることが望ましいが、これら全ての測定点に電子検出器６１の位置決め制御を行うとすると、非常に多くの測定時間を要する。
したがって、偏向指令量の所定のステップ離れた所定の測定位置に電子検出器６１を位置付けて上述の偏向指令量を取得し、これら取得した偏向指令量に基づき、偏向指令部２７が出力可能な偏向指令量の最小ステップ単位の各電子ビーム位置に対応する偏向指令量を補間して求めることとしてよい。 The deflection position distortion amount is preferably measured over the entire deflection region of the deflectors 21 and 22 in units of the minimum step of the deflection command amount that can be output by the deflection command unit 27. If the positioning control of the detector 61 is performed, a very long measurement time is required.
Therefore, the above-described deflection command amount is acquired by positioning the electron detector 61 at a predetermined measurement position that is a predetermined step away from the deflection command amount, and the deflection command unit 27 can output the deflection command amount based on the acquired deflection command amount. The deflection command amount corresponding to each electron beam position in the minimum step unit of the command amount may be obtained by interpolation.

電子ビームの偏向位置歪み量の測定では、電子検出器６１の位置決め制御のために多くの時間が費やされる。したがって、図９に示すように複数の電子検出器６１を所定のピッチ（設置間隔）で、偏向器２１の偏向領域２８内の異なる偏向位置に位置付け、電子ビーム１５でこれら複数の電子検出器を一度に走査することとしてもよい。これにより一度の電子検出器６１の位置決め制御で複数の測定位置に関する偏向指令量を取得することが可能となり、電子検出器６１の位置決め制御にかかる時間が、その設置台数分だけ節約できる。 In measuring the deflection position distortion amount of the electron beam, a lot of time is spent for positioning control of the electron detector 61. Therefore, as shown in FIG. 9, the plurality of electron detectors 61 are positioned at different deflection positions in the deflection region 28 of the deflector 21 at a predetermined pitch (installation interval), and these electron detectors 15 are placed by the electron beam 15. It is good also as scanning at once. This makes it possible to acquire deflection command amounts related to a plurality of measurement positions with a single positioning control of the electronic detectors 61, and save the time required for positioning control of the electronic detectors 61 by the number of the installed detectors.

図８を参照して上記説明した電子ビーム１５の位置測定は、電子検出器６１の開口６６と電子ビーム１５の照射位置とが相対移動するときの電子検出器６１の出力値の変化率に基づき、電子ビーム１５の実際の照射位置を測定するものである。したがって、上述のように固定された開口６６を電子ビーム１５が偏向位置を変えて走査するのに代えて、電子ビーム１５を測定位置に偏向し続けて、この電子ビームを開口６６が横切るように移動させることによっても、電子検出器６１の出力値の変化率に基づく電子ビーム１５の位置測定が可能である。
図１０に、電子検出器６１の位置を移動させて電子ビーム１５の照射位置を測定する場合の電子ビームの偏向位置歪み量測定方法のフローチャートを示す。 The position measurement of the electron beam 15 described above with reference to FIG. 8 is based on the rate of change of the output value of the electron detector 61 when the opening 66 of the electron detector 61 and the irradiation position of the electron beam 15 move relative to each other. The actual irradiation position of the electron beam 15 is measured. Therefore, instead of scanning the aperture 66 fixed as described above with the electron beam 15 changing the deflection position, the electron beam 15 is continuously deflected to the measurement position so that the aperture 66 crosses the electron beam. The position of the electron beam 15 can also be measured based on the rate of change of the output value of the electron detector 61 by moving it.
FIG. 10 shows a flowchart of a method for measuring the deflection position distortion amount of the electron beam when the position of the electron detector 61 is moved to measure the irradiation position of the electron beam 15.

ステップＳ２０１において、主偏向器２１及び２２は、偏向領域内の測定開始位置に電子ビーム１５を偏向する。
ステップＳ２０２において、計算機９１は、電子検出器６１の開口６６が、電子ビーム１５を横切るように、ＸＹ位置信号を順次変化させながらステージ制御部４７へ出力し、ステージ制御部４７は入力されたＸＹ位置信号に基づき順次駆動信号を生成し、ＸＹステージ４６を駆動する。これにより電子検出器６１は、その開口６６が電子ビーム１５を横切るように移動される。 In step S201, the main deflectors 21 and 22 deflect the electron beam 15 to the measurement start position in the deflection region.
In step S202, the computer 91 outputs the XY position signal to the stage controller 47 while sequentially changing the XY position signal so that the opening 66 of the electron detector 61 crosses the electron beam 15, and the stage controller 47 receives the input XY. A drive signal is sequentially generated based on the position signal, and the XY stage 46 is driven. Thereby, the electron detector 61 is moved so that the opening 66 crosses the electron beam 15.

このときの、電子検出器６１の移動量と電子検出器６１の出力値の関係は、図８（Ｂ）及び（Ｃ）と同様の関係となるため、ステップＳ２０３において、移動量の変化に対する電子検出器６１の出力値の変化率（１次微分値）が極値となったときの電子検出器６１の位置を取得することにより、既知の偏向指令量で偏向された電子ビーム１５の中心の実際の偏向位置に、電子検出器６１の開口６６のナイフエッジ６８Ａ（又は６８Ｂ）が位置付けられたときの電子検出器６１の位置を取得し、これに基づいて電子ビーム１５の中心の実際の偏向位置を取得することが可能となる。取得された電子検出器の位置はメモリ９３に記憶される。 At this time, the relationship between the amount of movement of the electron detector 61 and the output value of the electron detector 61 is the same as that in FIGS. 8B and 8C. By acquiring the position of the electron detector 61 when the rate of change (primary differential value) of the output value of the detector 61 becomes an extreme value, the center of the electron beam 15 deflected with a known deflection command amount is obtained. The position of the electron detector 61 when the knife edge 68A (or 68B) of the opening 66 of the electron detector 61 is positioned at the actual deflection position is obtained, and based on this, the actual deflection of the center of the electron beam 15 is obtained. The position can be acquired. The acquired position of the electron detector is stored in the memory 93.

ステップＳ２０４及びステップＳ２０５によって、偏向器２１、２２の偏向領域を網羅する各偏向指令量に、電子ビーム１５をそれぞれ偏向して、ステップＳ２０２及びステップＳ２０３を繰り返すことにより、偏向領域内の各偏向指令量で電子ビームを偏向したときの実際の偏向位置が取得される。 By deflecting the electron beam 15 to the respective deflection command amounts covering the deflection regions of the deflectors 21 and 22 by step S204 and step S205, and repeating step S202 and step S203, each deflection command in the deflection region is repeated. The actual deflection position when the electron beam is deflected by the amount is acquired.

そして、ステップＳ２０６において、比較部８２は、ステップＳ２０３で取得された電子線検出器６１の各位置に対応して予め定められた偏向指令量をメモリ９３又は偏向指令部２７の内部メモリから読み出す。
比較部８２は、ステップＳ２０１で主偏向器２１、２２に入力した各偏向指令量と、読み出された各偏向指令量との差を求め、これを偏向歪み量とする。以上ステップＳ２０１〜Ｓ２０６により電子ビームの偏向位置歪み量が測定される。 In step S 206, the comparison unit 82 reads out a deflection command amount determined in advance corresponding to each position of the electron beam detector 61 acquired in step S 203 from the memory 93 or the internal memory of the deflection command unit 27.
The comparison unit 82 obtains a difference between each deflection command amount input to the main deflectors 21 and 22 in step S201 and each read deflection command amount, and uses this as a deflection distortion amount. As described above, the deflection position distortion amount of the electron beam is measured in steps S201 to S206.

なお、図６を参照して上記説明した偏向位置歪み測定方法と同様に、偏向器２１、２２の全偏向領域にわたって、偏向指令部２７が出力可能な偏向指令量の最小ステップ単位で測定することは煩雑であるため、所定の偏向ステップ毎に偏向指令量を変化させて電子ビームを偏向させてその偏向位置を取得し、これら取得した偏向指令量に基づき、偏向指令部２７が出力可能な偏向指令量の最小ステップ単位の各電子ビーム位置を補間して求めることとしてよい。 Similar to the deflection position distortion measuring method described above with reference to FIG. 6, measurement is performed in the minimum step unit of the deflection command amount that can be output by the deflection command unit 27 over the entire deflection area of the deflectors 21 and 22. Therefore, the deflection command amount is changed at each predetermined deflection step to deflect the electron beam to obtain the deflection position, and the deflection command unit 27 can output the deflection based on the obtained deflection command amount. It is good also as calculating | requiring by interpolating each electron beam position of the minimum step unit of command amount.

図１１は、本発明に係る電子ビームの偏向位置較正方法のフローチャートである。
ステップＳ１０１〜Ｓ１０５により、図６を参照して説明した偏向位置の歪み測定方法と同様に、偏向指令量取得部８１は、偏向領域内の各測定位置に電子ビームを偏向するために実際に入力すべき各偏向指令量を取得する。各ステップについての説明は、図６を参照して既に説明したため省略する。 FIG. 11 is a flowchart of an electron beam deflection position calibration method according to the present invention.
As in the deflection position distortion measuring method described with reference to FIG. 6, the deflection command amount acquisition unit 81 actually inputs in order to deflect the electron beam to each measurement position in the deflection area in steps S 101 to S 105. Each deflection command amount to be acquired is acquired. The description of each step has already been described with reference to FIG.

ステップＳ３０６において、補正部８３は、ステップＳ１０３で偏向指令量取得部８１により取得されメモリ９３に記憶された各偏向指令量をメモリ９３から読み出す。そして、各測定位置に対応して予め定められ、メモリ９３又は偏向指令部２７により記憶される各偏向指令量を、ステップＳ１０３で取得された各偏向指令量に補正する。 In step S 306, the correction unit 83 reads from the memory 93 each deflection command amount acquired by the deflection command amount acquisition unit 81 in step S 103 and stored in the memory 93. Then, each deflection command amount determined in advance corresponding to each measurement position and stored by the memory 93 or the deflection command unit 27 is corrected to each deflection command amount acquired in step S103.

図６を参照して説明した偏向位置の歪み測定方法と同様に、偏向器２１、２２の全偏向領域にわたって、偏向指令部２７が出力可能な偏向指令量の最小ステップ単位で測定することは煩雑であるため、偏向指令量の所定のステップ離れた所定の測定位置に電子検出器６１を位置付けて上述の偏向指令量を取得し、これら取得した偏向指令量に基づき、偏向指令部２７が出力可能な偏向指令量の最小ステップ単位の各電子ビーム位置に対応する偏向指令量を補間して算出し、メモリ９３又は偏向指令部２７により記憶される各偏向指令量を、この算出された値に補正することとしてよい。 Similar to the deflection position distortion measuring method described with reference to FIG. 6, it is complicated to measure in the minimum step unit of the deflection command amount that can be output by the deflection command unit 27 over the entire deflection area of the deflectors 21 and 22. Therefore, the above-described deflection command amount is acquired by positioning the electron detector 61 at a predetermined measurement position separated by a predetermined step of the deflection command amount, and the deflection command unit 27 can output based on the acquired deflection command amount. The deflection command amount corresponding to each electron beam position in the minimum step unit of the deflection command amount is calculated by interpolation, and each deflection command amount stored by the memory 93 or the deflection command unit 27 is corrected to the calculated value. It is good to do.

そして、Ｓ１０１〜Ｓ１０５及びＳ３０６は、ステップＳ３０６で行う補正量が所定の補正量より小さくなるまで繰り返し行うこととしてもよい。補正量が所定の補正量より小さいか否かの判断は、例えば、各測定位置に対応して記憶された各偏向指令量とステップＳ１０３で取得された各偏向指令量とのそれぞれの差の二乗値が所定閾値より小さいかどうかにより判断することとしてよい。 Then, S101 to S105 and S306 may be repeated until the correction amount performed in step S306 is smaller than a predetermined correction amount. The determination as to whether or not the correction amount is smaller than the predetermined correction amount is made by, for example, squaring the difference between each deflection command amount stored corresponding to each measurement position and each deflection command amount acquired in step S103. The determination may be made based on whether the value is smaller than a predetermined threshold.

また、電子ビームの偏向位置歪み量の測定では、電子検出器６１の位置決め制御のために多くの時間が費やされる。したがって、図９に示すように複数の電子検出器６１を所定のピッチ（設置間隔）で、偏向器２１の偏向領域２８内の異なる偏向位置に位置付け、電子ビーム１５でこれら複数の電子検出器を一度に走査することとしてもよい。 Further, in measuring the deflection position distortion amount of the electron beam, a lot of time is spent for positioning control of the electron detector 61. Therefore, as shown in FIG. 9, the plurality of electron detectors 61 are positioned at different deflection positions in the deflection region 28 of the deflector 21 at a predetermined pitch (installation interval), and these electron detectors 15 are placed by the electron beam 15. It is good also as scanning at once.

また図１０を参照して説明した偏向位置の歪み測定方法と同様に、一定の偏向指令量を偏向器２１、２２に入力して電子ビーム１５を偏向し続けながら、電子ビーム１５の実際の各偏向位置を、移動する電子検出器６１で検出し、検出された各偏向位置に対応して定められる偏向指令量を、偏向器２１、２２に入力された偏向指令量に較正することとしてもよい。 Similarly to the deflection position distortion measuring method described with reference to FIG. 10, a constant deflection command amount is input to the deflectors 21 and 22 and the electron beam 15 is continuously deflected. The deflection position is detected by the moving electron detector 61, and the deflection command amount determined corresponding to each detected deflection position may be calibrated to the deflection command amount input to the deflectors 21 and 22. .

このような、本発明に係る電子ビームの偏向位置較正方法のフローチャートを図１２に示す。ステップＳ２０１〜Ｓ２０５により、偏向領域内の各偏向指令量で電子ビームを偏向したときの実際の偏向位置が取得される。各ステップについての説明は、図１０を参照して既に説明したため省略する。
そして、ステップＳ４０６において、補正部８３は、ステップＳ２０３で取得された電子線検出器６１の各位置に対応して予め定められる偏向指令量を、ステップＳ２０１で主偏向器２１、２２に入力した各偏向指令量と、読み出された各偏向指令量に較正する。 FIG. 12 shows a flowchart of such an electron beam deflection position calibration method according to the present invention. Through steps S201 to S205, the actual deflection position when the electron beam is deflected by each deflection command amount in the deflection area is acquired. The description of each step has already been described with reference to FIG.
In step S406, the correction unit 83 inputs the deflection command amounts determined in advance corresponding to the positions of the electron beam detector 61 acquired in step S203 to the main deflectors 21 and 22 in step S201. The deflection command amount and each read deflection command amount are calibrated.

なお、全偏向領域にわたって、偏向指令部２７の偏向指令量の最小ステップ単位で測定することは煩雑であるため、所定の偏向ステップ毎に偏向指令量を変化させて電子ビームを偏向させてその偏向位置を取得し、偏向指令部２７の偏向指令量の最小ステップ単位の各電子ビーム位置は補間により求めることとしてよい。 Note that since it is complicated to measure the deflection command amount of the deflection command unit 27 over the entire deflection region in units of the minimum step, the deflection command amount is changed at each predetermined deflection step to deflect the electron beam. The position may be acquired, and each electron beam position in the minimum step unit of the deflection command amount of the deflection command unit 27 may be obtained by interpolation.

このとき、Ｓ２０１〜Ｓ２０５及びＳ４０６は、ステップＳ４０６で行う補正量が所定の補正量より小さくなるまで繰り返し行うこととしてもよい。 At this time, S201 to S205 and S406 may be repeated until the correction amount performed in step S406 is smaller than a predetermined correction amount.

電子線近接露光装置の構成図である。It is a block diagram of an electron beam proximity exposure apparatus. 走査手段の動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing of a scanning means. 電子ビームの走査方法の説明図である。It is explanatory drawing of the scanning method of an electron beam. マスク歪み補正の説明図である。It is explanatory drawing of mask distortion correction. 本発明の実施例に係る電子線装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the electron beam apparatus which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る偏向位置歪み測定方法のフローチャート（その１）である。It is a flowchart (the 1) of the deflection | deviation position distortion measuring method which concerns on the Example of this invention. （Ａ）は、ＸＹステージに設けられた電子線検出器の斜視図であり、（Ｂ）は電子線検出器の断面図である。(A) is a perspective view of the electron beam detector provided in the XY stage, and (B) is a sectional view of the electron beam detector. （Ａ）は、アパチャ板の電子受入口を横切る電子線の様子を示す説明図であり、（Ｂ）はその時の偏向指令量と電流値との関係を示すグラフであり、（Ｃ）は（Ｂ）の波形の１次微分波形である。(A) is explanatory drawing which shows the mode of the electron beam which crosses the electron acceptance port of an aperture plate, (B) is a graph which shows the relationship between the deflection command amount at that time, and an electric current value, (C) is ( It is a primary differential waveform of the waveform of B). 偏向領域内に複数個設けられた電子線検出器の上面図である。It is a top view of the electron beam detector provided with two or more in the deflection | deviation area | region. 本発明の実施例に係る偏向位置歪み測定方法のフローチャート（その２）である。It is a flowchart (the 2) of the deflection | deviation position distortion measuring method which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る偏向位置較正方法のフローチャート（その１）である。It is a flowchart (the 1) of the deflection | deviation position calibration method which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る偏向位置較正方法のフローチャート（その２）である。It is a flowchart (the 2) of the deflection position calibration method which concerns on the Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

８…チャンバ
１０…電子線鏡筒（カラム）
１２…電子銃
１４…電子線源
１５…電子ビーム
１６…照射レンズ
２１、２２…主偏向器
２４…走査手段
３０…マスク
４０…試料
４４…静電チャック
４６…ＸＹステージ
５１、５２…副偏向器
６１…電子検出器
８１…偏向指令量取得部
８２…比較部
８３…補正部 8 ... Chamber 10 ... Electron tube (column)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Electron gun 14 ... Electron beam source 15 ... Electron beam 16 ... Irradiation lenses 21, 22 ... Main deflector 24 ... Scanning means 30 ... Mask 40 ... Sample 44 ... Electrostatic chuck 46 ... XY stage 51, 52 ... Sub deflector 61 ... Electron detector 81 ... Deflection command amount acquisition unit 82 ... Comparison unit 83 ... Correction unit

Claims

電子ビームを発生する電子線源と、前記電子線源の光軸に垂直な所定の面内に定められる偏向領域内の各位置に該電子ビームを偏向するための偏向手段と、該偏向領域内の各位置に応じて予め定められる各偏向指令量を該偏向手段に入力する偏向指令部と、を備える電子線装置において、
前記電子ビームの偏向位置を測定する電子線位置測定器と、
測定された前記偏向位置に応じて定められる前記偏向指令量を、該測定位置の測定時に前記偏向手段に入力される偏向指令量に較正する偏向位置較正手段と、
を備えることを特徴とする電子線装置。 An electron beam source for generating an electron beam, deflection means for deflecting the electron beam to each position in a deflection area defined in a predetermined plane perpendicular to the optical axis of the electron beam source, In an electron beam apparatus comprising: a deflection command unit that inputs each deflection command amount predetermined according to each position of the deflection means;
An electron beam position measuring device for measuring the deflection position of the electron beam;
Deflection position calibration means for calibrating the deflection command amount determined according to the measured deflection position to a deflection command amount input to the deflection means when measuring the measurement position;
An electron beam apparatus comprising:

さらに、前記測定位置の測定時に前記偏向手段に入力される偏向指令量を取得するための偏向指令量取得部を備え、
前記電子線位置測定器は、前記所定の面に平行な第１の方向にナイフエッジが設けられた電子受入口を有する電子検出器と、該電子検出器を既知の測定位置に支持する支持手段とを備え、該電子検出器により電子ビームを前記測定位置で検出することにより電子線の位置を測定し、
前記偏向指令量取得部は、前記電子ビームが、前記所定の面に平行かつ該第１の方向に垂直な第２の方向に該電子受入口を走査したとき、該電子検出器の出力値の変化率が極値となる偏向指令量を、該第２の方向についての偏向指令量として取得することを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。 Furthermore, a deflection command amount acquisition unit for acquiring a deflection command amount input to the deflection means at the time of measurement of the measurement position,
The electron beam position measuring device includes an electron detector having an electron receiving port provided with a knife edge in a first direction parallel to the predetermined plane, and support means for supporting the electron detector at a known measurement position. And measuring the position of the electron beam by detecting the electron beam at the measurement position with the electron detector,
When the electron beam scans the electron receiving port in a second direction parallel to the predetermined plane and perpendicular to the first direction, the deflection command amount acquisition unit is configured to output an output value of the electron detector. 2. The electron beam apparatus according to claim 1, wherein a deflection command amount at which the rate of change is an extreme value is acquired as a deflection command amount in the second direction.

前記電子線位置測定器は複数の電子検出器を備え、前記支持手段は、各前記電子検出器を偏向領域内の異なる測定位置にそれぞれ支持することを特徴とする請求項２に記載の電子線装置。 3. The electron beam according to claim 2, wherein the electron beam position measuring device includes a plurality of electron detectors, and the support means supports the electron detectors at different measurement positions in a deflection region. apparatus.

前記電子線位置測定器は、
前記所定の面に平行な第１の方向にナイフエッジが設けられた電子受入口を有する電子検出器を備え、
該電子受入口が前記所定の面に平行かつ該第１の方向に垂直な第２の方向に前記電子ビームを横切るように、該電子検出器を移動させ、
該移動に伴う該電子検出器の出力値の変化率が極値となる該電子検出器の位置に基づき、前記電子ビームの該第２の方向についての偏向位置を測定することを特徴とする請求項１に記載の電子線装置。 The electron beam position measuring device is
An electron detector having an electron receiving port provided with a knife edge in a first direction parallel to the predetermined plane;
Moving the electron detector so that the electron entrance crosses the electron beam in a second direction parallel to the predetermined plane and perpendicular to the first direction;
The deflection position of the electron beam in the second direction is measured based on the position of the electron detector where the rate of change of the output value of the electron detector accompanying the movement becomes an extreme value. Item 2. The electron beam apparatus according to Item 1.

電子ビームを発生する電子線源と、前記電子線源の光軸に垂直な所定の面内に定められる偏向領域内の各位置に該電子ビームを偏向するための偏向手段と、該偏向領域内の各位置に応じて予め定められる各偏向指令量を該偏向手段に入力する偏向指令部と、を備える電子線装置における、該偏向手段による電子ビームの偏向位置の歪み測定方法であって、
前記電子ビームの偏向位置を測定し、
測定された前記偏向位置に応じて定められる前記偏向指令量と、該測定位置の測定時に前記偏向手段に入力される偏向指令量との差を求めることを特徴とする偏向位置歪み測定方法。 An electron beam source for generating an electron beam, deflection means for deflecting the electron beam to each position in a deflection area defined in a predetermined plane perpendicular to the optical axis of the electron beam source, A deflection command unit that inputs each deflection command amount predetermined according to each position to the deflection means, and a method for measuring the distortion of the deflection position of the electron beam by the deflection means,
Measuring the deflection position of the electron beam;
A deflection position distortion measuring method, comprising: obtaining a difference between the deflection command amount determined according to the measured deflection position and a deflection command amount input to the deflection means when measuring the measurement position.

前記電子ビームの偏向位置の測定は、前記所定の面に平行な第１の方向にナイフエッジが設けられた電子受入口を有する電子検出器を測定位置に支持して、該電子ビームを該電子検出器に入射させることにより行われ、
該測定位置の測定時に前記偏向手段に入力される偏向指令量の取得は、前記電子ビームが、前記所定の面に平行かつ該第１の方向に垂直な第２の方向に該電子受入口を走査したとき、該電子検出器の出力値の変化率が極値となる偏向指令量を、該第２の方向についての偏向指令量として取得することにより行われることを特徴とする請求項５に記載の偏向位置歪み測定方法。 The measurement of the deflection position of the electron beam is performed by supporting an electron detector having an electron entrance provided with a knife edge in a first direction parallel to the predetermined plane at the measurement position, and Done by making it incident on the detector,
The deflection command amount input to the deflection means at the time of measurement of the measurement position is acquired when the electron beam passes the electron entrance in a second direction parallel to the predetermined plane and perpendicular to the first direction. 6. The method according to claim 5, wherein when the scanning is performed, a deflection command amount at which a change rate of an output value of the electron detector becomes an extreme value is acquired as a deflection command amount in the second direction. The deflection position distortion measuring method as described.

前記偏向領域の各測定位置に数に応じた複数の電子検出器の各々を、各測定位置にそれぞれ支持することを特徴とする請求項６に記載の偏向位置歪み測定方法。 The deflection position distortion measuring method according to claim 6, wherein each of a plurality of electron detectors corresponding to the number at each measurement position of the deflection region is supported at each measurement position.

前記電子ビームの偏向位置の測定は、前記所定の面に平行な第１の方向にナイフエッジが設けられた電子受入口を有する電子検出器を、該電子受入口が前記所定の面に平行かつ該第１の方向に垂直な第２の方向に前記電子ビームを横切るように移動させ、該移動に伴う該電子検出器の出力値の変化率が極値となる該電子検出器の位置を、前記電子ビームの該第２の方向についての偏向位置として測定することにより行われることを特徴とする請求項５に記載の偏向位置歪み測定方法。 The measurement of the deflection position of the electron beam is performed by using an electron detector having an electron receiving port provided with a knife edge in a first direction parallel to the predetermined surface, the electron receiving port being parallel to the predetermined surface and The electron detector is moved across a second direction perpendicular to the first direction, and the position of the electron detector at which the rate of change of the output value of the electron detector accompanying the movement becomes an extreme value is 6. The deflection position distortion measuring method according to claim 5, wherein the deflection position distortion measurement is performed by measuring the deflection position of the electron beam in the second direction.

電子ビームを発生する電子線源と、前記電子線源の光軸に垂直な所定の面内に定められる偏向領域内の各位置に該電子ビームを偏向するための偏向手段と、該偏向領域内の各位置に応じて予め定められる各偏向指令量を該偏向手段に入力する偏向指令部と、を備える電子線装置における、該偏向手段による電子ビームの偏向位置較正方法であって、
前記電子ビームの偏向位置を測定し、
測定された前記偏向位置に応じて定められる前記偏向指令量を、該測定位置の測定時に前記偏向手段に入力される偏向指令量に較正すること特徴とする偏向位置較正方法。 An electron beam source for generating an electron beam, deflection means for deflecting the electron beam to each position in a deflection area defined in a predetermined plane perpendicular to the optical axis of the electron beam source, A deflection command unit for inputting a deflection command amount predetermined according to each position to the deflection means, and a method for calibrating the deflection position of the electron beam by the deflection means,
Measuring the deflection position of the electron beam;
A deflection position calibration method, wherein the deflection command amount determined according to the measured deflection position is calibrated to a deflection command amount input to the deflection means when measuring the measurement position.

前記電子ビームの偏向位置の測定は、前記所定の面に平行な第１の方向にナイフエッジが設けられた電子受入口を有する電子検出器を測定位置に支持して、該電子ビームを該電子検出器に入射させることにより行われ、
該測定位置の測定時に前記偏向手段に入力される偏向指令量の取得は、前記電子ビームが、前記所定の面に平行かつ該第１の方向に垂直な第２の方向に該電子受入口を走査したとき、該電子検出器の出力値の変化率が極値となる偏向指令量を、該第２の方向についての偏向指令量として取得することにより行われることを特徴とする請求項９に記載の偏向位置較正方法。 The measurement of the deflection position of the electron beam is performed by supporting an electron detector having an electron entrance provided with a knife edge in a first direction parallel to the predetermined plane at the measurement position, and Done by making it incident on the detector,
The deflection command amount input to the deflection means at the time of measurement of the measurement position is acquired when the electron beam passes the electron entrance in a second direction parallel to the predetermined plane and perpendicular to the first direction. 10. The method according to claim 9, wherein when the scanning is performed, the deflection command amount at which the rate of change of the output value of the electron detector becomes an extreme value is obtained as the deflection command amount in the second direction. The deflection position calibration method described.

複数の前記電子検出器を、前記偏向領域の異なる位置にそれぞれ支持することを特徴とする請求項１０に記載の偏向位置較正方法。 The deflection position calibration method according to claim 10, wherein a plurality of the electron detectors are respectively supported at different positions in the deflection region.

前記電子ビームの偏向位置の測定は、前記所定の面に平行な第１の方向にナイフエッジが設けられた電子受入口を有する電子検出器を、該電子受入口が前記所定の面に平行かつ該第１の方向に垂直な第２の方向に前記電子ビームを横切るように移動させ、該移動に伴う該電子検出器の出力値の変化率が極値となる該電子検出器の位置を、前記電子ビームの該第２の方向についての偏向位置として測定することにより行われることを特徴とする請求項９に記載の偏向位置較正方法。 The measurement of the deflection position of the electron beam is performed by using an electron detector having an electron receiving port provided with a knife edge in a first direction parallel to the predetermined surface, the electron receiving port being parallel to the predetermined surface and The electron detector is moved across a second direction perpendicular to the first direction, and the position of the electron detector at which the rate of change of the output value of the electron detector accompanying the movement becomes an extreme value is The deflection position calibration method according to claim 9, wherein the deflection position calibration method is performed by measuring as a deflection position of the electron beam in the second direction.